JP2003218664A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JP2003218664A JP2003218664A JP2002010301A JP2002010301A JP2003218664A JP 2003218664 A JP2003218664 A JP 2003218664A JP 2002010301 A JP2002010301 A JP 2002010301A JP 2002010301 A JP2002010301 A JP 2002010301A JP 2003218664 A JP2003218664 A JP 2003218664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sio
- surface acoustic
- acoustic wave
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＤＴ上にＳｉＯ2膜を形成することにより
周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ2
膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を
確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減
衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 ２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ3
基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが
形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ3
基板上にＳｉＯ2膜が形成されている、弾性表面波装
置。
周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ2
膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を
確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減
衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 ２０°〜６０°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ3
基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが
形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ3
基板上にＳｉＯ2膜が形成されている、弾性表面波装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振子や帯域フィ
ルタなどに用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細
には、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表
面波装置及びその製造方法に関する。
ルタなどに用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細
には、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表
面波装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話などの移動体通信機において、
ＲＦ段の帯域フィルタやデュプレクサとして、弾性表面
波フィルタが用いられている。この種の弾性表面波フィ
ルタとして、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａ
Ｏ3基板上に、ＡｌからなるＩＤＴ（インターデジタル
トランスデューサー）が形成されており、漏洩弾性波を
利用した弾性表面波フィルタが実用化されている。
ＲＦ段の帯域フィルタやデュプレクサとして、弾性表面
波フィルタが用いられている。この種の弾性表面波フィ
ルタとして、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａ
Ｏ3基板上に、ＡｌからなるＩＤＴ（インターデジタル
トランスデューサー）が形成されており、漏洩弾性波を
利用した弾性表面波フィルタが実用化されている。
【０００３】しかしながら、この弾性表面波フィルタで
は、周波数温度特性が−３０〜−４０ｐｐｍ／℃と悪
く、その改善が求められていた。そこで、周波数温度特
性を改善するために、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3基板上にＡｌからなるＩＤＴを形成した後
に、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造が提案されてい
る。ＳｉＯ2膜を形成することにより、周波数温度特性
が改善される。
は、周波数温度特性が−３０〜−４０ｐｐｍ／℃と悪
く、その改善が求められていた。そこで、周波数温度特
性を改善するために、３０°〜５０°回転Ｙ板Ｘ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3基板上にＡｌからなるＩＤＴを形成した後
に、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造が提案されてい
る。ＳｉＯ2膜を形成することにより、周波数温度特性
が改善される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ａｌからな
るＩＤＴを形成する場合、反射係数や電気機械結合係数
Ｋ2を大きくするために、ＩＤＴの電極膜厚Ｈ／λ（Ｈ
は膜厚、λは表面波の波長）は、０．０８〜０．１０と
かなり厚くされる。このように、ＡｌからなるＩＤＴが
かなり厚くされているため、図１６（ａ）に示されてい
る部分において、周波数温度特性を改善するためにＳｉ
Ｏ2膜がその上に形成されると、図１６（ｂ）に示すよ
うに、ＳｉＯ2膜において大きな段差が生じ、ＳｉＯ2膜
にクラックが生じることがあった。そのため、クラック
の発生により、弾性表面波フィルタのフィルタ特性が悪
化しがちであった。
るＩＤＴを形成する場合、反射係数や電気機械結合係数
Ｋ2を大きくするために、ＩＤＴの電極膜厚Ｈ／λ（Ｈ
は膜厚、λは表面波の波長）は、０．０８〜０．１０と
かなり厚くされる。このように、ＡｌからなるＩＤＴが
かなり厚くされているため、図１６（ａ）に示されてい
る部分において、周波数温度特性を改善するためにＳｉ
Ｏ2膜がその上に形成されると、図１６（ｂ）に示すよ
うに、ＳｉＯ2膜において大きな段差が生じ、ＳｉＯ2膜
にクラックが生じることがあった。そのため、クラック
の発生により、弾性表面波フィルタのフィルタ特性が悪
化しがちであった。
【０００５】加えて、ＡｌからなるＩＤＴの電極膜厚が
厚いため、ＳｉＯ2膜の形成によるＩＤＴの電極表面の
凹凸を被覆する効果が十分でなく、それによって、温度
特性が十分に改善されないことがあった。
厚いため、ＳｉＯ2膜の形成によるＩＤＴの電極表面の
凹凸を被覆する効果が十分でなく、それによって、温度
特性が十分に改善されないことがあった。
【０００６】さらに、ＳｉＯ2膜の形成により減衰定数
が大きくなりフィルタ特性の劣化が生じた。本発明の目
的は、上述した従来技術の現状に鑑み、回転Ｙ板Ｘ伝搬
のＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表面波装置において、
ＳｉＯ2膜の形成により周波数温度特性を改善し得るだ
けでなく、ＩＤＴの電極膜厚を低減することができ、Ｓ
ｉＯ2膜におけるクラックを防止することができると共
に減衰定数も大幅に低減でき、従って目的とするフィル
タ特性などの電気的特性を得ることができ、かつＩＤＴ
における電気機械結合係数及び反射係数が十分な大きさ
とされる、弾性表面波装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
が大きくなりフィルタ特性の劣化が生じた。本発明の目
的は、上述した従来技術の現状に鑑み、回転Ｙ板Ｘ伝搬
のＬｉＴａＯ3基板を用いた弾性表面波装置において、
ＳｉＯ2膜の形成により周波数温度特性を改善し得るだ
けでなく、ＩＤＴの電極膜厚を低減することができ、Ｓ
ｉＯ2膜におけるクラックを防止することができると共
に減衰定数も大幅に低減でき、従って目的とするフィル
タ特性などの電気的特性を得ることができ、かつＩＤＴ
における電気機械結合係数及び反射係数が十分な大きさ
とされる、弾性表面波装置及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、オイラー角（０±３°，１１０°〜１５０°，０±
３°）のＬｉＴａＯ3基板と、前記ＬｉＴａＯ3基板上に
形成されており、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩ
ＤＴと、前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板
上に形成されたＳｉＯ2膜とを備えることを特徴とす
る、弾性表面波装置が提供される。
ば、オイラー角（０±３°，１１０°〜１５０°，０±
３°）のＬｉＴａＯ3基板と、前記ＬｉＴａＯ3基板上に
形成されており、Ａｇを主体とする少なくとも１つのＩ
ＤＴと、前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板
上に形成されたＳｉＯ2膜とを備えることを特徴とす
る、弾性表面波装置が提供される。
【０００８】本発明においては、ＩＤＴがＡｇを主体と
するため、また、ＳｉＯ2膜の形成により、電気機械結
合係数が大きくなり、かつ周波数温度特性特性が改善さ
れる。さらに、上記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基
板が用いられるため、減衰定数αが低減される。
するため、また、ＳｉＯ2膜の形成により、電気機械結
合係数が大きくなり、かつ周波数温度特性特性が改善さ
れる。さらに、上記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基
板が用いられるため、減衰定数αが低減される。
【０００９】本発明のより限定的な局面では、ＩＤＴの
表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．０１〜
０．０８の範囲にあり、ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規
格化された膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４０の範囲とさ
れ、その場合には、本発明に従って、電気機械結合係数
及び反射係数が大きく、良好な周波数温度特性を有し、
減衰定数が十分に小さく、ＳｉＯ2膜のクラックが生じ
難い、弾性表面波装置を確実に提供することができる。
表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．０１〜
０．０８の範囲にあり、ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規
格化された膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４０の範囲とさ
れ、その場合には、本発明に従って、電気機械結合係数
及び反射係数が大きく、良好な周波数温度特性を有し、
減衰定数が十分に小さく、ＳｉＯ2膜のクラックが生じ
難い、弾性表面波装置を確実に提供することができる。
【００１０】本発明のさらに他の局面では、前記ＩＤＴ
の膜厚Ｈ／λが０．１２以下であり、ＳｉＯ2の規格化
膜厚及び前記ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の
（ａ）〜（ｆ）で表される組み合わせのいずれかとされ
る。
の膜厚Ｈ／λが０．１２以下であり、ＳｉＯ2の規格化
膜厚及び前記ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角が、下記の
（ａ）〜（ｆ）で表される組み合わせのいずれかとされ
る。
【００１１】
【表２】
【００１２】本発明に係る弾性表面波装置では、好まし
くは、表面波として漏洩弾性表面波が用いられ、本発明
に従って、周波数温度特性に優れ、電気機械結合係数及
び反射係数の大きなＩＤＴを有する、伝搬損失の小さ
い、弾性表面波装置を提供することができる。
くは、表面波として漏洩弾性表面波が用いられ、本発明
に従って、周波数温度特性に優れ、電気機械結合係数及
び反射係数の大きなＩＤＴを有する、伝搬損失の小さ
い、弾性表面波装置を提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００１４】図１は、本発明の一実施例に係る弾性表面
波装置としての縦結合共振子フィルタを説明するための
平面図である。弾性表面波装置１１は、ＬｉＴａＯ3基
板１２の上面に、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４
ａ，１４ｂを形成した構造を有する。また、ＩＤＴ１３
ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂを覆うようにＳｉ
Ｏ2膜１５が形成されている。なお、ＬｉＴａＯ3基板１
２としては、２０°〜６０°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3基板
が用いられる。この範囲外のカット角の回転Ｙ板Ｘ伝搬
ＬｉＴａＯ3基板では、減衰定数が大きく、ＴＣＦも悪
化する。
波装置としての縦結合共振子フィルタを説明するための
平面図である。弾性表面波装置１１は、ＬｉＴａＯ3基
板１２の上面に、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４
ａ，１４ｂを形成した構造を有する。また、ＩＤＴ１３
ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂを覆うようにＳｉ
Ｏ2膜１５が形成されている。なお、ＬｉＴａＯ3基板１
２としては、２０°〜６０°回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3基板
が用いられる。この範囲外のカット角の回転Ｙ板Ｘ伝搬
ＬｉＴａＯ3基板では、減衰定数が大きく、ＴＣＦも悪
化する。
【００１５】ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，
１４ｂは、Ａｌに比べて密度の高いＡｇからなる。上記
のように、Ａｌに比べて密度の高いＡｇによりＩＤＴ１
３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂが構成されてい
るため、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４
ｂの膜厚をＡｌを用いた場合に比べて薄くした場合であ
っても、電気機械結合係数及び反射係数を高めることが
できる。
１４ｂは、Ａｌに比べて密度の高いＡｇからなる。上記
のように、Ａｌに比べて密度の高いＡｇによりＩＤＴ１
３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４ｂが構成されてい
るため、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ及び反射器１４ａ，１４
ｂの膜厚をＡｌを用いた場合に比べて薄くした場合であ
っても、電気機械結合係数及び反射係数を高めることが
できる。
【００１６】そして、上記のように電極膜厚を薄くする
ことができるので、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ上に形成され
たＳｉＯ2膜１５における前述した段差に基づくクラッ
クの発生を確実に抑制することができる。ＳｉＯ2膜１
５の厚みについては、後述の実験例から明らかなよう
に、表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．１５
〜０．４０の範囲であることが好ましい。この範囲にす
ることで、ＳｉＯ2膜が形成されていない場合よりも減
衰定数を大幅に小さくすることができ、低損失化が可能
となる。
ことができるので、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂ上に形成され
たＳｉＯ2膜１５における前述した段差に基づくクラッ
クの発生を確実に抑制することができる。ＳｉＯ2膜１
５の厚みについては、後述の実験例から明らかなよう
に、表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λが０．１５
〜０．４０の範囲であることが好ましい。この範囲にす
ることで、ＳｉＯ2膜が形成されていない場合よりも減
衰定数を大幅に小さくすることができ、低損失化が可能
となる。
【００１７】後述するように、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂの
表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λは０．０１〜
０．０８が好ましい。本発明の係る弾性表面波装置で
は、上記のように、ＬｉＴａＯ3基板１２上にＡｇによ
りＩＤＴ１３ａ，１３ｂが構成されており、該ＩＤＴ１
３ａ，１３ｂの電極膜厚を薄くすることができる。従っ
て、ＳｉＯ2膜における段差の発生を抑制することがで
き、クラックを確実に防止することができる。さらに上
記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板を用いるため減
衰定数を大幅に小さくすることができ、低ロス化が可能
となる。また、ＳｉＯ2膜１５の形成により、良好な周
波数温度特性が実現される。これを、具体的な実験例に
基づき説明する。
表面波の波長で規格化された膜厚Ｈ／λは０．０１〜
０．０８が好ましい。本発明の係る弾性表面波装置で
は、上記のように、ＬｉＴａＯ3基板１２上にＡｇによ
りＩＤＴ１３ａ，１３ｂが構成されており、該ＩＤＴ１
３ａ，１３ｂの電極膜厚を薄くすることができる。従っ
て、ＳｉＯ2膜における段差の発生を抑制することがで
き、クラックを確実に防止することができる。さらに上
記特定のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板を用いるため減
衰定数を大幅に小さくすることができ、低ロス化が可能
となる。また、ＳｉＯ2膜１５の形成により、良好な周
波数温度特性が実現される。これを、具体的な実験例に
基づき説明する。
【００１８】ＬｉＴａＯ3基板を伝わる表面波には、レ
イリー波の他に漏洩弾性表面波（ＬＳＡＷ）がある。漏
洩弾性表面波は、レイリー波に比べて音速が早く、電気
機械結合係数が大きいが、エネルギーを基板内に放射し
つつ伝搬する。従って、漏洩弾性表面波は、伝搬ロスの
原因となる減衰定数を有する。
イリー波の他に漏洩弾性表面波（ＬＳＡＷ）がある。漏
洩弾性表面波は、レイリー波に比べて音速が早く、電気
機械結合係数が大きいが、エネルギーを基板内に放射し
つつ伝搬する。従って、漏洩弾性表面波は、伝搬ロスの
原因となる減衰定数を有する。
【００１９】図２は、回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板
におけるオイラー角（０°，θ，０°）のθと、基板表
面が電気的に短絡された場合の減衰定数αとの関係を示
す。なお、回転角＝θ−９０°の関係がある。
におけるオイラー角（０°，θ，０°）のθと、基板表
面が電気的に短絡された場合の減衰定数αとの関係を示
す。なお、回転角＝θ−９０°の関係がある。
【００２０】図２から明らかなのように、オイラー角の
θが１２４°〜１２６°の範囲では、減衰定数αは小さ
いが、この範囲外では減衰定数αは大きくなることがわ
かる。また、比較的膜厚が厚いＡｌからなるＩＤＴを用
いた場合、θ＝１２９°〜１３６°では減衰定数が小さ
くなることが知られている。従って、従来は、Ａｌから
なるＩＤＴを用いる場合、ＬｉＴａＯ3基板として、オ
イラー角のθが１２９°〜１３６°の範囲のものが用い
られてた。
θが１２４°〜１２６°の範囲では、減衰定数αは小さ
いが、この範囲外では減衰定数αは大きくなることがわ
かる。また、比較的膜厚が厚いＡｌからなるＩＤＴを用
いた場合、θ＝１２９°〜１３６°では減衰定数が小さ
くなることが知られている。従って、従来は、Ａｌから
なるＩＤＴを用いる場合、ＬｉＴａＯ3基板として、オ
イラー角のθが１２９°〜１３６°の範囲のものが用い
られてた。
【００２１】図３は、オイラー角のθと電気機械結合係
数Ｋ2との関係を示す。図３から明らかなように、オイ
ラー角のθが１００°〜１２０°の範囲で、大きな電気
機械結合係数Ｋ2が得られる。しかしながら、図２から
明らかなように、θ＝１００°〜１２０°の範囲では減
衰定数αが大きく、θ＝１００°〜１２０°のＬｉＴａ
Ｏ3基板は弾性表面波装置に使用することはできない。
数Ｋ2との関係を示す。図３から明らかなように、オイ
ラー角のθが１００°〜１２０°の範囲で、大きな電気
機械結合係数Ｋ2が得られる。しかしながら、図２から
明らかなように、θ＝１００°〜１２０°の範囲では減
衰定数αが大きく、θ＝１００°〜１２０°のＬｉＴａ
Ｏ3基板は弾性表面波装置に使用することはできない。
【００２２】図４は、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ
3基板（オイラー角で（０°，１２６°，０°））上
に、ＡｇからなるＩＤＴを形成した場合のＡｇ膜の規格
化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示
す。なお、λは、弾性表面波装置の中心周波数における
波長を示すものとする。
3基板（オイラー角で（０°，１２６°，０°））上
に、ＡｇからなるＩＤＴを形成した場合のＡｇ膜の規格
化膜厚Ｈ／λと、電気機械結合係数Ｋ2との関係を示
す。なお、λは、弾性表面波装置の中心周波数における
波長を示すものとする。
【００２３】図４から明らかなように、Ａｇ膜の膜厚Ｈ
／λが０．０１〜０．０８の範囲において、電気機械結
合係数Ｋ2が、Ａｇ膜が形成されていない場合（Ｈ／λ
＝０）に比べて１．５倍以上となることがわかる。ま
た、Ａｇ膜の膜厚がＨ／λ＝０．０２〜０．０６の範囲
では、Ａｇ膜が形成されていない場合に比べて、電気機
械結合係数Ｋ2は１．７倍以上の値となり、Ａｇ膜の膜
厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５の範囲では、Ａｇ膜が形
成されていない場合の１．８倍以上の値となることがわ
かる。
／λが０．０１〜０．０８の範囲において、電気機械結
合係数Ｋ2が、Ａｇ膜が形成されていない場合（Ｈ／λ
＝０）に比べて１．５倍以上となることがわかる。ま
た、Ａｇ膜の膜厚がＨ／λ＝０．０２〜０．０６の範囲
では、Ａｇ膜が形成されていない場合に比べて、電気機
械結合係数Ｋ2は１．７倍以上の値となり、Ａｇ膜の膜
厚Ｈ／λが０．０３〜０．０５の範囲では、Ａｇ膜が形
成されていない場合の１．８倍以上の値となることがわ
かる。
【００２４】Ａｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．０８を超
えると、Ａｇ膜からなるＩＤＴの作製が困難となる。従
って、大きな電気機械結合係数を得ることができ、かつ
ＩＤＴの作製が容易であるため、Ａｇ膜からなるＩＤＴ
の厚みは、０．０１〜０．０８の範囲であることが望ま
しく、より好ましくは０．０２〜０．０６、さらに好ま
しくは０．０３〜０．０５の範囲とされる。
えると、Ａｇ膜からなるＩＤＴの作製が困難となる。従
って、大きな電気機械結合係数を得ることができ、かつ
ＩＤＴの作製が容易であるため、Ａｇ膜からなるＩＤＴ
の厚みは、０．０１〜０．０８の範囲であることが望ま
しく、より好ましくは０．０２〜０．０６、さらに好ま
しくは０．０３〜０．０５の範囲とされる。
【００２５】次に、ＬｉＴａＯ3基板上に、ＳｉＯ2膜を
成膜した場合の周波数温度係数ＴＣＦの変化を図５に示
す。図５は、オイラー角（０°，１１３°，０°）、
（０°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０
°）の３種類のＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成さ
れている場合のＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λとＴＣＦ
との関係を示す。なお、ここでは電極は形成されていな
い。
成膜した場合の周波数温度係数ＴＣＦの変化を図５に示
す。図５は、オイラー角（０°，１１３°，０°）、
（０°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０
°）の３種類のＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成さ
れている場合のＳｉＯ2膜の規格化膜厚Ｈ／λとＴＣＦ
との関係を示す。なお、ここでは電極は形成されていな
い。
【００２６】図５から明らかなように、θが１１３°、
１２６°及び１２９°のいずれの場合においても、Ｓｉ
Ｏ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４５の範囲
において、ＴＣＦが−２０〜＋１７ｐｐｍ／℃の範囲と
なることがわかる。もっとも、ＳｉＯ2膜の成膜には時
間を要するため、ＳｉＯ2膜の膜厚Ｈ／λは０．１５〜
０．４０が望ましい。
１２６°及び１２９°のいずれの場合においても、Ｓｉ
Ｏ2膜の規格化膜厚Ｈ／λが０．１５〜０．４５の範囲
において、ＴＣＦが−２０〜＋１７ｐｐｍ／℃の範囲と
なることがわかる。もっとも、ＳｉＯ2膜の成膜には時
間を要するため、ＳｉＯ2膜の膜厚Ｈ／λは０．１５〜
０．４０が望ましい。
【００２７】ＬｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜を成膜する
ことにより、レイリー波などのＴＣＦが改善されること
は知られていたが、ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇからな
る電極を形成し、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造にお
いて、実際に、Ａｇからなる電極の膜厚、ＳｉＯ2の膜
厚、カット角、及び漏洩弾性波の減衰定数を考慮して実
験された報告はない。
ことにより、レイリー波などのＴＣＦが改善されること
は知られていたが、ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇからな
る電極を形成し、さらにＳｉＯ2膜を積層した構造にお
いて、実際に、Ａｇからなる電極の膜厚、ＳｉＯ2の膜
厚、カット角、及び漏洩弾性波の減衰定数を考慮して実
験された報告はない。
【００２８】図６は、オイラー角（０°，１２０°，０
°）のＬｉＴａＯ3基板上に規格化膜厚Ｈ／λが０．１
０以下のＡｇからなる電極と、規格化膜厚Ｈ／λが０〜
０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合における減衰定数α
の変化を示す。図６から明らかなように、ＳｉＯ2膜の
膜厚Ｈ／λが０．２〜０．４０、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが
０．０１〜０．１０である場合に減衰定数αが小さくな
っていることがわかる。
°）のＬｉＴａＯ3基板上に規格化膜厚Ｈ／λが０．１
０以下のＡｇからなる電極と、規格化膜厚Ｈ／λが０〜
０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合における減衰定数α
の変化を示す。図６から明らかなように、ＳｉＯ2膜の
膜厚Ｈ／λが０．２〜０．４０、Ａｇ膜の膜厚Ｈ／λが
０．０１〜０．１０である場合に減衰定数αが小さくな
っていることがわかる。
【００２９】他方、図７は、（０°，１４０°，０°）
のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板上には、規格化膜厚Ｈ
／λが０〜０．１０のＡｇ膜を形成し、さらに、規格化
膜厚Ｈ／λが０〜０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合の
減衰定数αの変化を示す。
のオイラー角のＬｉＴａＯ3基板上には、規格化膜厚Ｈ
／λが０〜０．１０のＡｇ膜を形成し、さらに、規格化
膜厚Ｈ／λが０〜０．５のＳｉＯ2膜を形成した場合の
減衰定数αの変化を示す。
【００３０】図７から明らかなように、θ＝１４０°の
ＬｉＴａＯ3基板を用いた場合には、Ａｇ膜の膜厚が
０．０６以下においてＳｉＯ2膜の膜厚を上記のように
変化させたとしても、減衰定数αは大きいことがわか
る。
ＬｉＴａＯ3基板を用いた場合には、Ａｇ膜の膜厚が
０．０６以下においてＳｉＯ2膜の膜厚を上記のように
変化させたとしても、減衰定数αは大きいことがわか
る。
【００３１】すなわち、良好なＴＣＦ、大きな電気機械
結合係数及び小さな減衰定数を実現するには、ＬｉＴａ
Ｏ3基板のカット角すなわちオイラー角と、ＳｉＯ2膜の
膜厚と、Ａｇからなる電極の膜厚とをそれぞれ最適なよ
うに組み合わせることが必要となることがわかる。
結合係数及び小さな減衰定数を実現するには、ＬｉＴａ
Ｏ3基板のカット角すなわちオイラー角と、ＳｉＯ2膜の
膜厚と、Ａｇからなる電極の膜厚とをそれぞれ最適なよ
うに組み合わせることが必要となることがわかる。
【００３２】図８〜図１５は、それぞれ、ＳｉＯ2膜の
規格化膜厚Ｈ／λが、０．１、０．１５、０．２、０．
２５、０．３、０．３５、０．４または０．４５であ
り、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下のＡｇ膜をＬｉＴａ
Ｏ3基板上に形成した場合のθと減衰定数αとの関係を
示す。
規格化膜厚Ｈ／λが、０．１、０．１５、０．２、０．
２５、０．３、０．３５、０．４または０．４５であ
り、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下のＡｇ膜をＬｉＴａ
Ｏ3基板上に形成した場合のθと減衰定数αとの関係を
示す。
【００３３】図８〜図１５から明らかなように、Ａｇ膜
の厚みＨ／λを０．０１〜０．０８とした場合、ＳｉＯ
2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表３に示す
（ａ）〜（ｆ）を満たすように選択されれば、周波数温
度特性ＴＣＦが良好であり、電気機械結合係数が大き
く、かつ減衰定数αを効果的に抑制し得ることがわか
る。望ましくは、下記の表３の右側のより好ましいオイ
ラー角を選択することにより、より一層良好な特性を得
ることができる。
の厚みＨ／λを０．０１〜０．０８とした場合、ＳｉＯ
2膜の厚みと、オイラー角のθとが、下記の表３に示す
（ａ）〜（ｆ）を満たすように選択されれば、周波数温
度特性ＴＣＦが良好であり、電気機械結合係数が大き
く、かつ減衰定数αを効果的に抑制し得ることがわか
る。望ましくは、下記の表３の右側のより好ましいオイ
ラー角を選択することにより、より一層良好な特性を得
ることができる。
【００３４】
【表３】
【００３５】また、より好ましくは、Ａｇ膜の規格化膜
厚が０．０２〜０．０６の場合には、ＳｉＯ2膜の厚み
と、オイラー角のθとが、下記の表４に示す（ｇ）〜
（ｌ）を満たすように選択されれば、より一層好まし
く、さらに望ましくは、下記の表４の右側のより好まし
いオイラー角を選択することにより、より一層良好な特
性を得ることができる。
厚が０．０２〜０．０６の場合には、ＳｉＯ2膜の厚み
と、オイラー角のθとが、下記の表４に示す（ｇ）〜
（ｌ）を満たすように選択されれば、より一層好まし
く、さらに望ましくは、下記の表４の右側のより好まし
いオイラー角を選択することにより、より一層良好な特
性を得ることができる。
【００３６】
【表４】
【００３７】さらに好ましくは、Ａｇ膜の規格化膜厚が
０．０３〜０．０５のときに、ＳｉＯ2膜の厚みと、オ
イラー角のθとが、下記の表５に示す（ｍ）〜（ｒ）を
満たすように選択されれば、より一層良好な特性を得る
ことができる。この場合においても、下記の表５の右側
に示すより好ましいオイラー角を選択することにより、
特性をより一層改善することができる。
０．０３〜０．０５のときに、ＳｉＯ2膜の厚みと、オ
イラー角のθとが、下記の表５に示す（ｍ）〜（ｒ）を
満たすように選択されれば、より一層良好な特性を得る
ことができる。この場合においても、下記の表５の右側
に示すより好ましいオイラー角を選択することにより、
特性をより一層改善することができる。
【００３８】
【表５】
【００３９】なお、本発明では、ＩＤＴはＡｇのみから
構成されてもよいが、Ａｇを主体とする限り、Ａｇ合金
やＡｇと他の金属との積層体で構成されてもよい。Ａｇ
を主体とするＩＤＴとは、ＩＤＴの全体の８０重量％以
上がＡｇであればよい。従って、Ａｇの下地にＡｌ薄膜
やＴｉ薄膜が形成されていてもよく、この場合において
も、下地の薄膜とＡｇとの合計のうち８０重量％以上が
Ａｇで構成されていればよい。
構成されてもよいが、Ａｇを主体とする限り、Ａｇ合金
やＡｇと他の金属との積層体で構成されてもよい。Ａｇ
を主体とするＩＤＴとは、ＩＤＴの全体の８０重量％以
上がＡｇであればよい。従って、Ａｇの下地にＡｌ薄膜
やＴｉ薄膜が形成されていてもよく、この場合において
も、下地の薄膜とＡｇとの合計のうち８０重量％以上が
Ａｇで構成されていればよい。
【００４０】上記実験では、オイラー角（０°，θ，０
°）のＬｉＴａＯ3基板が用いられたが、基板材料のオ
イラー角において、０±３°のばらつきが通常発生す
る。このようなばらつきの範囲内、すなわち（０±３
°，１１０°〜１５０°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基
板においても、本発明の効果は得られる。
°）のＬｉＴａＯ3基板が用いられたが、基板材料のオ
イラー角において、０±３°のばらつきが通常発生す
る。このようなばらつきの範囲内、すなわち（０±３
°，１１０°〜１５０°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基
板においても、本発明の効果は得られる。
【００４１】なお、本発明は、図１に示した縦結合共振
子型弾性表面波フィルタだけでなく、弾性表面波共振
子、横結合型表面波フィルタ、ラダー型フィルタ、ラチ
ス型フィルタなどの様々な表面波装置に適用することが
できる。
子型弾性表面波フィルタだけでなく、弾性表面波共振
子、横結合型表面波フィルタ、ラダー型フィルタ、ラチ
ス型フィルタなどの様々な表面波装置に適用することが
できる。
【００４２】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波装置では、オイ
ラー角（０±３°，１１０°〜１５０°，０±３°）の
ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１
つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うようにＬ
ｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されているため、電
気機械結合係数が大きく、温度特性に優れており、かつ
減衰定数αが低減された、伝搬損失が少ない弾性表面波
装置を提供することができる。
ラー角（０±３°，１１０°〜１５０°，０±３°）の
ＬｉＴａＯ3基板上に、Ａｇを主体とする少なくとも１
つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うようにＬ
ｉＴａＯ3基板上にＳｉＯ2膜が形成されているため、電
気機械結合係数が大きく、温度特性に優れており、かつ
減衰定数αが低減された、伝搬損失が少ない弾性表面波
装置を提供することができる。
【００４３】また、本発明において、ＩＤＴの表面波の
波長で規格化された膜厚が０．０１〜０．０８であり、
ＳｉＯ2膜の規格化膜厚が０．１５〜０．４０の範囲に
ある場合には、電気機械結合係数をより一層高めること
ができ、かつ良好な温度特性を実現することができる。
波長で規格化された膜厚が０．０１〜０．０８であり、
ＳｉＯ2膜の規格化膜厚が０．１５〜０．４０の範囲に
ある場合には、電気機械結合係数をより一層高めること
ができ、かつ良好な温度特性を実現することができる。
【００４４】さらに、ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０１〜
０．０８であり、表１の（ａ）〜（ｆ）に示すように、
ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角のθ及びＳｉＯ2膜の規格
化膜厚Ｈ／λが選ばれている場合には、より一層、電気
機械結合係数が大きく、減衰定数αが小さく、さらに周
波数温度特性に優れた弾性表面波装置を提供することが
できる。
０．０８であり、表１の（ａ）〜（ｆ）に示すように、
ＬｉＴａＯ3基板のオイラー角のθ及びＳｉＯ2膜の規格
化膜厚Ｈ／λが選ばれている場合には、より一層、電気
機械結合係数が大きく、減衰定数αが小さく、さらに周
波数温度特性に優れた弾性表面波装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置を示す
平面図。
平面図。
【図２】電極の膜厚が０のときのオイラー角（０°，
θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと電気機械
結合係数Ｋ2との関係を示す図。
θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと電気機械
結合係数Ｋ2との関係を示す図。
【図３】電極の膜厚が０のときのオイラー角（０°，
θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと減衰定数
αとの関係を示す図。
θ，０°）のＬｉＴａＯ3基板上におけるθと減衰定数
αとの関係を示す図。
【図４】オイラー角（０°，１２６°，０°）のＬｉＴ
ａＯ3基板上に、種々の膜厚のＡｇ膜からなる電極を形
成した場合のＡｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結
合係数Ｋ2との関係を示す図。
ａＯ3基板上に、種々の膜厚のＡｇ膜からなる電極を形
成した場合のＡｇ膜の規格化膜厚Ｈ／λと、電気機械結
合係数Ｋ2との関係を示す図。
【図５】オイラー角（０°，１１３°，０°）、（０
°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０°）の
３種類のＬｉＴａＯ3基板において、電極膜厚が０で、
種々の膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合のＳｉＯ2膜の規
格化膜厚Ｈ／λと周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す
図。
°，１２６°，０°）及び（０°，１２９°，０°）の
３種類のＬｉＴａＯ3基板において、電極膜厚が０で、
種々の膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した場合のＳｉＯ2膜の規
格化膜厚Ｈ／λと周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す
図。
【図６】オイラー角（０°，１２０°，０°）のＬｉＴ
ａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形
成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した
場合の減衰定数αの変化を示す図。
ａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形
成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した
場合の減衰定数αの変化を示す図。
【図７】オイラー角（０°，１４０°，０°）のＬｉＴ
ａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形
成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した
場合の減衰定数αの変化を示す図。
ａＯ3基板上に、０．１以下の規格化膜厚のＡｇ膜を形
成し、０〜０．５の規格化膜厚のＳｉＯ2膜を成膜した
場合の減衰定数αの変化を示す図。
【図８】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3
基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜
を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１のＳｉＯ2膜を積
層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜
を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１のＳｉＯ2膜を積
層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図９】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ3
基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜
を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１５のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ膜
を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．１５のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１０】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１１】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２５のＳｉＯ2膜
を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．２５のＳｉＯ2膜
を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１２】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１３】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３５のＳｉＯ2膜
を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．３５のＳｉＯ2膜
を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１４】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４のＳｉＯ2膜を
積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１５】オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＴａＯ
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４５のＳｉＯ2膜
を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λが０．１以下の各種Ａｇ
膜を形成し、規格化膜厚Ｈ／λが０．４５のＳｉＯ2膜
を積層した場合の、減衰定数αの変化を示す図。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波装置
の問題点を説明するための図であり、ＳｉＯ2膜の成膜
前（ａ）と、成膜後（ｂ）のＳｉＯ2膜の表面の状態を
示す走査型電子顕微鏡写真を示す図。
の問題点を説明するための図であり、ＳｉＯ2膜の成膜
前（ａ）と、成膜後（ｂ）のＳｉＯ2膜の表面の状態を
示す走査型電子顕微鏡写真を示す図。
１１…弾性表面波装置
１２…ＬｉＴａＯ3基板
１３ａ，１３ｂ…ＩＤＴ
１５…ＳｉＯ2膜
Claims (4)
- 【請求項１】 オイラー角（０±３°，１１０°〜１５
０°，０±３°）のＬｉＴａＯ3基板と、 前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成されており、Ａｇを主体
とする少なくとも１つのＩＤＴと、 前記ＩＤＴを覆うように前記ＬｉＴａＯ3基板上に形成
されたＳｉＯ2膜とを備えることを特徴とする、弾性表
面波装置。 - 【請求項２】 前記ＩＤＴの表面波の波長で規格化され
た膜厚が０．０１〜０．０８であり、 前記ＳｉＯ2膜の表面波の波長で規格化された膜厚が
０．１５〜０．４０の範囲にある、請求項１に記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項３】 前記ＩＤＴの膜厚Ｈ／λが０．０１〜
０．０８であり、前記ＳｉＯ2の規格化膜厚及びＬｉＴ
ａＯ3基板のオイラー角が、下記の（ａ）〜（ｆ）で表
される組み合わせのいずれかである、請求項１に記載の
弾性表面波装置。 【表１】 - 【請求項４】 弾性表面波として、ＳＨ波を主成分とす
る漏洩弾性表面波を用いることを特徴とする、請求項１
〜３のいずれかに記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002010301A JP3780947B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 弾性表面波装置 |
| KR10-2003-0002977A KR100503953B1 (ko) | 2002-01-18 | 2003-01-16 | 탄성표면파 장치 |
| US10/345,961 US6914498B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-01-17 | Surface acoustic wave device on LiTaO3 substrate using primarily silver electrodes covered with SiO2 film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002010301A JP3780947B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 弾性表面波装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005367737A Division JP2006094567A (ja) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218664A true JP2003218664A (ja) | 2003-07-31 |
| JP3780947B2 JP3780947B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=19191588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002010301A Expired - Lifetime JP3780947B2 (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 弾性表面波装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6914498B2 (ja) |
| JP (1) | JP3780947B2 (ja) |
| KR (1) | KR100503953B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020532091A (ja) * | 2017-08-23 | 2020-11-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 可撓性基板およびその製造方法、屈曲検出方法ならびに可撓性表示装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2837636B1 (fr) * | 2002-03-19 | 2004-09-24 | Thales Sa | Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium |
| JP4182157B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2008-11-19 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| US8063540B2 (en) * | 2004-03-08 | 2011-11-22 | Emantec As | High frequency ultrasound transducers based on ceramic films |
| WO2005088835A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 分波器及び弾性表面波フィルタ |
| WO2006011417A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| DE102004058016B4 (de) * | 2004-12-01 | 2014-10-09 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement mit hoher Bandbreite |
| US20070033314A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Arad Rostampour | Event generation for device hotplug |
| DE102005055871A1 (de) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
| DE102006019961B4 (de) * | 2006-04-28 | 2008-01-10 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement |
| DE102010014919B4 (de) | 2010-04-14 | 2015-07-02 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht auf einem Bauelement |
| DE102014105860A1 (de) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Epcos Ag | Elektroakustisches Bauelement und Kristallschnitte für elektroakustische Bauelemente |
| CN110663174B (zh) * | 2017-06-06 | 2023-12-29 | 株式会社村田制作所 | 弹性波滤波器装置、多工器以及复合滤波器装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136312A (ja) | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| US4978879A (en) * | 1988-07-27 | 1990-12-18 | Fujitsu Limited | Acoustic surface wave element |
| JP2783550B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1998-08-06 | 富士通株式会社 | 弾性表面波発振素子 |
| JPH02295212A (ja) | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH04258008A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPH06164306A (ja) | 1992-02-12 | 1994-06-10 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| US5453652A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same |
| JPH07212176A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP3407459B2 (ja) | 1995-03-23 | 2003-05-19 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子フィルタ |
| DE69608997T2 (de) * | 1995-04-12 | 2000-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resonateur-Kettenfilter mit akustischen Oberflächenwellen |
| JPH0969748A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 |
| JPH09167936A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-06-24 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH09186542A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
| JP3470031B2 (ja) | 1997-12-22 | 2003-11-25 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3568025B2 (ja) | 1999-05-14 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
| JP3391309B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
| JP3449352B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2003-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002010301A patent/JP3780947B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-16 KR KR10-2003-0002977A patent/KR100503953B1/ko active IP Right Grant
- 2003-01-17 US US10/345,961 patent/US6914498B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020532091A (ja) * | 2017-08-23 | 2020-11-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 可撓性基板およびその製造方法、屈曲検出方法ならびに可撓性表示装置 |
| JP7238247B2 (ja) | 2017-08-23 | 2023-03-14 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 可撓性基板およびその製造方法、屈曲検出方法ならびに可撓性表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100503953B1 (ko) | 2005-07-26 |
| US6914498B2 (en) | 2005-07-05 |
| JP3780947B2 (ja) | 2006-05-31 |
| KR20030063160A (ko) | 2003-07-28 |
| US20030137367A1 (en) | 2003-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4497159B2 (ja) | 弾性境界波フィルタ | |
| JP3945363B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4337816B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| WO2005034347A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| WO2007125734A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3979279B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2003218664A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPWO2011007690A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP5213708B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPWO2007145057A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| TW202044757A (zh) | 高次模式彈性表面波裝置 | |
| WO2007125733A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2004228689A (ja) | 端面反射型弾性表面波装置 | |
| JP5110091B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4967393B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| CN112468109A (zh) | 一种适用于高频、宽带声表面波器件的异质层状压电基底 | |
| JPWO2009090714A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2003198323A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2006094567A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2004172990A (ja) | 表面波装置 | |
| JP4363443B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3975924B2 (ja) | 表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2004228985A (ja) | 表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2008136238A (ja) | 表面波装置及びその製造方法 | |
| JP3945504B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051221 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3780947 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090317 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120317 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120317 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140317 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |