JPH07212176A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPH07212176A JPH07212176A JP1979794A JP1979794A JPH07212176A JP H07212176 A JPH07212176 A JP H07212176A JP 1979794 A JP1979794 A JP 1979794A JP 1979794 A JP1979794 A JP 1979794A JP H07212176 A JPH07212176 A JP H07212176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- piezoelectric body
- resonance frequency
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウムの圧電基板
１の上に、ＩＤＴ電極２と反射器電極３を設けた高周波
用ラブ波型弾性表面波素子の共振周波数調整を容易に
し、かつ、生産歩留りを向上する。 【構成】ＩＤＴ電極２と反射電極３を備えた圧電基板１
の上から二酸化シリコンまたは酸化ビスマス４を積層す
ることによって共振周波数を上げたり下げたりできるよ
うに構成した。 【効果】共振周波数が高くなり過ぎたり低くなり過ぎた
りした素子は、フッ酸などで積層した膜を溶解除去して
再度積層すれば救済することができ歩留りが向上する。
１の上に、ＩＤＴ電極２と反射器電極３を設けた高周波
用ラブ波型弾性表面波素子の共振周波数調整を容易に
し、かつ、生産歩留りを向上する。 【構成】ＩＤＴ電極２と反射電極３を備えた圧電基板１
の上から二酸化シリコンまたは酸化ビスマス４を積層す
ることによって共振周波数を上げたり下げたりできるよ
うに構成した。 【効果】共振周波数が高くなり過ぎたり低くなり過ぎた
りした素子は、フッ酸などで積層した膜を溶解除去して
再度積層すれば救済することができ歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波通信機器に用い
られる弾性表面波素子に関するものである。
られる弾性表面波素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来の弾性表面波素子の概略構成
を示す平面図（イ）とその断面図（ロ）である。図１に
おいて、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を圧電
体１として用いた弾性表面波素子は、圧電体１の上面の
中央部分に、例えば、金などの重金属からなるＩＤＴ
（インタディジタルトランスデューサ）電極２が形成さ
れ、ＩＤＴ電極２の左方および右方位置に、ＩＤＴ電極
２と同じ材質の金からなる反射器電極３が形成されてい
る。従来、弾性表面波素子の共振周波数調整方法には、
電極２，３をエッチング等によって薄くして共振周波数
を上げる方法、または電極２，３の一部をトリミングす
る方法、あるいは、電極間の圧電体１をエッチングして
共振周波数を下げる方法などがある。
を示す平面図（イ）とその断面図（ロ）である。図１に
おいて、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を圧電
体１として用いた弾性表面波素子は、圧電体１の上面の
中央部分に、例えば、金などの重金属からなるＩＤＴ
（インタディジタルトランスデューサ）電極２が形成さ
れ、ＩＤＴ電極２の左方および右方位置に、ＩＤＴ電極
２と同じ材質の金からなる反射器電極３が形成されてい
る。従来、弾性表面波素子の共振周波数調整方法には、
電極２，３をエッチング等によって薄くして共振周波数
を上げる方法、または電極２，３の一部をトリミングす
る方法、あるいは、電極間の圧電体１をエッチングして
共振周波数を下げる方法などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のよう
に、電極、または電極間の圧電体部分をエッチングする
従来の共振周波数調整方法は、特に、高い周波数の製品
が要求されて電極指の幅や電極指間の距離が小さくなり
電極パターンが微細化されると調整が困難となり、高性
能の所望共振周波数に対して効率的かつ高精度に調整で
きないという問題点がある。また、従来の周波数調整方
法では、エッチングし過ぎて周波数の調整を失敗した場
合には、周波数の再調整は不可能であり、不良品となっ
て歩留りが低下するという欠点がある。
に、電極、または電極間の圧電体部分をエッチングする
従来の共振周波数調整方法は、特に、高い周波数の製品
が要求されて電極指の幅や電極指間の距離が小さくなり
電極パターンが微細化されると調整が困難となり、高性
能の所望共振周波数に対して効率的かつ高精度に調整で
きないという問題点がある。また、従来の周波数調整方
法では、エッチングし過ぎて周波数の調整を失敗した場
合には、周波数の再調整は不可能であり、不良品となっ
て歩留りが低下するという欠点がある。
【０００４】本発明の目的は、従来技術の問題点を解決
し、高周波化した弾性表面波素子の共振周波数調整を、
効率的かつ高精度に行い、また、周波数調整を失敗した
ときでも、再生可能な共振周波数調整方法を行うことの
できる弾性表面波素子を提供することにある。
し、高周波化した弾性表面波素子の共振周波数調整を、
効率的かつ高精度に行い、また、周波数調整を失敗した
ときでも、再生可能な共振周波数調整方法を行うことの
できる弾性表面波素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波素子
は、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を圧電体と
し、該圧電体上に弾性表面波の波長の数％の厚さの重金
属からなるＩＤＴ電極と反射器電極が形成されたラブ波
型弾性表面波素子において、前記圧電体および電極上
に、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）または酸化ビスマス
（Ｂｉ2 Ｏ3 ）を積層したことを特徴とするものであ
る。
は、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を圧電体と
し、該圧電体上に弾性表面波の波長の数％の厚さの重金
属からなるＩＤＴ電極と反射器電極が形成されたラブ波
型弾性表面波素子において、前記圧電体および電極上
に、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）または酸化ビスマス
（Ｂｉ2 Ｏ3 ）を積層したことを特徴とするものであ
る。
【０００６】
【実施例】先ず、本発明の第１の実施例について説明す
る。図２は本発明の実施例を示す平面図（イ）と断面図
（ロ）である。図において、符号１〜３は図１の従来の
場合と同じ要素を示す。ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチ
ウム基板を圧電体１とし、圧電体１上に、例えば金など
の重金属からなるＩＤＴ電極２とその左右にＩＤＴ電極
２と同じ金からなる反射器電極３が形成された弾性表面
波素子において、圧電体１および電極２，３上に二酸化
シリコン層４を積層することを特徴とするものである。
金からなる電極２，３の膜厚を、圧電体１上を伝搬する
弾性表面波の波長の数％としたラブ波型弾性表面波素子
において、、圧電体１を伝搬する音速をＶ1 、二酸化シ
リコン層４を伝搬する音速をＶ2 とすると、それらの音
速の間には、Ｖ1 ＜Ｖ2 の関係がある。従って、Ｙカッ
トＸ伝搬タンタル酸リチウムの圧電体１の上に、弾性表
面波の波長の数％の厚さの金からなる電極２，３を形成
し、その上に二酸化シリコン４を積層させると、電極に
適当な電流を印加して発生する弾性表面波の速度は、二
酸化シリコン４を積層しないものより速くなる。そこ
で、共振周波数が所望値より低い弾性表面波素子に二酸
化シリコン膜を積層させることによって共振周波数を上
げて所望値に調整することができる。
る。図２は本発明の実施例を示す平面図（イ）と断面図
（ロ）である。図において、符号１〜３は図１の従来の
場合と同じ要素を示す。ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチ
ウム基板を圧電体１とし、圧電体１上に、例えば金など
の重金属からなるＩＤＴ電極２とその左右にＩＤＴ電極
２と同じ金からなる反射器電極３が形成された弾性表面
波素子において、圧電体１および電極２，３上に二酸化
シリコン層４を積層することを特徴とするものである。
金からなる電極２，３の膜厚を、圧電体１上を伝搬する
弾性表面波の波長の数％としたラブ波型弾性表面波素子
において、、圧電体１を伝搬する音速をＶ1 、二酸化シ
リコン層４を伝搬する音速をＶ2 とすると、それらの音
速の間には、Ｖ1 ＜Ｖ2 の関係がある。従って、Ｙカッ
トＸ伝搬タンタル酸リチウムの圧電体１の上に、弾性表
面波の波長の数％の厚さの金からなる電極２，３を形成
し、その上に二酸化シリコン４を積層させると、電極に
適当な電流を印加して発生する弾性表面波の速度は、二
酸化シリコン４を積層しないものより速くなる。そこ
で、共振周波数が所望値より低い弾性表面波素子に二酸
化シリコン膜を積層させることによって共振周波数を上
げて所望値に調整することができる。
【０００７】図３は本発明の二酸化シリコン膜４の積層
膜厚に対する共振周波数の変化特性例である。この例
は、弾性表面波の波長が１４μｍの場合の例であり、膜
厚を０〜２１０００Åまで変化させると共振周波数は約
２２５〜２３４ＭＨｚの範囲で調整することができる。
膜厚に対する共振周波数の変化特性例である。この例
は、弾性表面波の波長が１４μｍの場合の例であり、膜
厚を０〜２１０００Åまで変化させると共振周波数は約
２２５〜２３４ＭＨｚの範囲で調整することができる。
【０００８】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。この第２の実施例は、第１の実施例の二酸化シリ
コンの代わりに酸化ビスマスを積層したものである。す
なわち、同じく、図２において、ＹカットＸ伝搬タンタ
ル酸リチウム基板を圧電体１として用い、圧電体１上に
例えば、金からなるＩＤＴ電極２と、その左右に金から
なる反射器電極３が形成された弾性表面波素子におい
て、圧電体１および電極２，３上に、酸化ビスマス層４
を積層することを特徴とするものである。金からなる電
極２，３の膜厚を、圧電体１上に伝搬する弾性表面波の
波長の数％としたラブ波型弾性表面波素子において、圧
電体１を伝搬する音速をＶ1 、酸化ビスマス層４を伝搬
する音速をＶ2 とすると、それらの音速の間には、前述
の第１の実施例の場合とは逆に、Ｖ1 ＞Ｖ2 の関係があ
る。従って、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウムの圧電
体１の上に、弾性表面波の波長の数％の厚さの金電極
２，３を形成し、その上に酸化ビスマス層４を積層させ
ると、電極に適当な電流を印加して発生する弾性表面波
の速度は、第１の実施例とは逆に、酸化ビスマス層４を
積層しないものより遅くなる。そこで、共振周波数が所
望値より高い弾性表面波素子に、酸化ビスマスを積層さ
せることによって共振周波数を下げて所望値に調整する
ことができる。
する。この第２の実施例は、第１の実施例の二酸化シリ
コンの代わりに酸化ビスマスを積層したものである。す
なわち、同じく、図２において、ＹカットＸ伝搬タンタ
ル酸リチウム基板を圧電体１として用い、圧電体１上に
例えば、金からなるＩＤＴ電極２と、その左右に金から
なる反射器電極３が形成された弾性表面波素子におい
て、圧電体１および電極２，３上に、酸化ビスマス層４
を積層することを特徴とするものである。金からなる電
極２，３の膜厚を、圧電体１上に伝搬する弾性表面波の
波長の数％としたラブ波型弾性表面波素子において、圧
電体１を伝搬する音速をＶ1 、酸化ビスマス層４を伝搬
する音速をＶ2 とすると、それらの音速の間には、前述
の第１の実施例の場合とは逆に、Ｖ1 ＞Ｖ2 の関係があ
る。従って、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウムの圧電
体１の上に、弾性表面波の波長の数％の厚さの金電極
２，３を形成し、その上に酸化ビスマス層４を積層させ
ると、電極に適当な電流を印加して発生する弾性表面波
の速度は、第１の実施例とは逆に、酸化ビスマス層４を
積層しないものより遅くなる。そこで、共振周波数が所
望値より高い弾性表面波素子に、酸化ビスマスを積層さ
せることによって共振周波数を下げて所望値に調整する
ことができる。
【０００９】上記第１の実施例において、積層膜が厚く
なって共振周波数が高くなり過ぎて周波数調整に失敗し
た場合、二酸化シリコンをフッ酸で溶解させ、再度、上
記の方法で周波数調整を行えばよい。ただし、フッ酸
は、タンタル酸リチウム圧電体１をも溶解してしまうの
で、圧電体１の裏面，側面をシリコン膜等でコートして
保護する必要がある。また、上記第２の実施例におい
て、積層膜が厚くなって共振周波数が下がり過ぎたと
き、酸化ビスマスはフッ酸に限らず酸に溶解するので、
圧電体１を保護するため、フッ酸以外の酸を用い溶解さ
せれば、再度、積層によって周波数調整を行うことがで
きる。
なって共振周波数が高くなり過ぎて周波数調整に失敗し
た場合、二酸化シリコンをフッ酸で溶解させ、再度、上
記の方法で周波数調整を行えばよい。ただし、フッ酸
は、タンタル酸リチウム圧電体１をも溶解してしまうの
で、圧電体１の裏面，側面をシリコン膜等でコートして
保護する必要がある。また、上記第２の実施例におい
て、積層膜が厚くなって共振周波数が下がり過ぎたと
き、酸化ビスマスはフッ酸に限らず酸に溶解するので、
圧電体１を保護するため、フッ酸以外の酸を用い溶解さ
せれば、再度、積層によって周波数調整を行うことがで
きる。
【００１０】
【発明の効果】本発明を実施することにより、以下の効
果がある。 （１）電極パターン形状と無関係に、二酸化シリコン、
または酸化ビスマス膜を適当な厚さに積層することで、
共振周波数を上げたり下げたりする周波数調整が可能で
あるため、弾性表面波素子の高周波化ができる。 （２）調整に失敗したとき、積層した膜を除去すること
で、再度、積層することによって周波数調整が可能とな
るため、歩留りを向上させることができる。
果がある。 （１）電極パターン形状と無関係に、二酸化シリコン、
または酸化ビスマス膜を適当な厚さに積層することで、
共振周波数を上げたり下げたりする周波数調整が可能で
あるため、弾性表面波素子の高周波化ができる。 （２）調整に失敗したとき、積層した膜を除去すること
で、再度、積層することによって周波数調整が可能とな
るため、歩留りを向上させることができる。
【図１】弾性表面波素子の概略構成を示す平面図と断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例を説明する弾性表面波素子の平
面図と断面図である。
面図と断面図である。
【図３】二酸化シリコン膜厚と共振周波数の関係図であ
る。
る。
１ 圧電体 ２ ＩＤＴ電極 ３ 反射器電極 ４ 二酸化シリコン膜、又は、酸化ビスマス膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
を圧電体とし、該圧電体上に弾性表面波の波長の数％の
厚さの重金属からなるＩＤＴ電極と反射器電極が形成さ
れたラブ波型弾性表面波素子において、 前記圧電体および電極上に、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）を積層したことを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】 ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
を圧電体とし、該圧電体上に弾性表面波の波長の数％の
厚さの重金属からなるＩＤＴ電極と反射器電極が形成さ
れたラブ波型弾性表面波素子において、 前記圧電体および電極上に、酸化ビスマス（Ｂｉ
2 Ｏ3 ）を積層させたことを特徴とする弾性表面波素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979794A JPH07212176A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979794A JPH07212176A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212176A true JPH07212176A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=12009346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979794A Pending JPH07212176A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07212176A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6836196B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus utilizing a leaky surface acoustic wave |
| US6914498B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device on LiTaO3 substrate using primarily silver electrodes covered with SiO2 film |
| JPWO2005088835A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2007-08-09 | 株式会社村田製作所 | 分波器及び弾性表面波フィルタ |
-
1994
- 1994-01-21 JP JP1979794A patent/JPH07212176A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6836196B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus utilizing a leaky surface acoustic wave |
| US6914498B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device on LiTaO3 substrate using primarily silver electrodes covered with SiO2 film |
| JPWO2005088835A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2007-08-09 | 株式会社村田製作所 | 分波器及び弾性表面波フィルタ |
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