JP2783550B2 - 弾性表面波発振素子 - Google Patents
弾性表面波発振素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 通信機器およびオーディオ製品等に用いられる弾性表
面波素子に関し、 高性能かつ安定性に係わる改善を目的とし、リチウム
タンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ36度回転さ
せたＹ板から切り出した基板上に、ほぼ該Ｘ軸方向に弾
性表面波が伝播するようにアルミニウムにて形成した電
極の厚さが該弾性表面波の波長の１％〜４％であり、そ
の上に屈折率が1.46±0.01で厚さが該波長の16％〜26％
の二酸化シリコン膜を被着してなることを特徴とし構成
する。
面波素子に関し、 高性能かつ安定性に係わる改善を目的とし、リチウム
タンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ36度回転さ
せたＹ板から切り出した基板上に、ほぼ該Ｘ軸方向に弾
性表面波が伝播するようにアルミニウムにて形成した電
極の厚さが該弾性表面波の波長の１％〜４％であり、そ
の上に屈折率が1.46±0.01で厚さが該波長の16％〜26％
の二酸化シリコン膜を被着してなることを特徴とし構成
する。
本発明は、自動車電話やコードレス電話およびポケッ
トベル等の通信機器分野ならびに、VTR（Voltage Contr
olled Oscillator）等のオーディオ製品の電圧制御発振
器（VCO）や、共振器およびフィルタ等に用いられる弾
性表面波素子の構成に関する。
トベル等の通信機器分野ならびに、VTR（Voltage Contr
olled Oscillator）等のオーディオ製品の電圧制御発振
器（VCO）や、共振器およびフィルタ等に用いられる弾
性表面波素子の構成に関する。
近年、10MHz〜1GHz帯域の上記機器に弾性表面波素子
を広く用いるようになり、例えばVCOでは周波数の可変
範囲が従来よりも広く、温度特性に優れることが要求さ
れる。
を広く用いるようになり、例えばVCOでは周波数の可変
範囲が従来よりも広く、温度特性に優れることが要求さ
れる。
リチウムタンタレート（LiTaO3）の単結晶から圧電体
を切り出し、その圧電体に電極を形成した弾性表面波素
子の温度特性を改善する手段として、特開昭55−159612
の弾性表面波素子が公知である。
を切り出し、その圧電体に電極を形成した弾性表面波素
子の温度特性を改善する手段として、特開昭55−159612
の弾性表面波素子が公知である。
該弾性表面波素子は、Ｘカット・LiTaO3基板上にＹ軸
からほぼ112゜方向に弾性表面波が伝播するように入出
力電極を形成し、該電極を含む前記基板上に二酸化シリ
コン膜（SiO2）を伝播する弾性表面波波長の1/20〜1/6
の膜厚で被着したことを特徴とし、従来考えられていた
よりも数倍薄いSiO2膜の膜厚で遅延時間温度特性が極め
て小さく、かつ、電気−機械結合係数が1.44％程度に大
きい弾性表面波素子を実現したものである。
からほぼ112゜方向に弾性表面波が伝播するように入出
力電極を形成し、該電極を含む前記基板上に二酸化シリ
コン膜（SiO2）を伝播する弾性表面波波長の1/20〜1/6
の膜厚で被着したことを特徴とし、従来考えられていた
よりも数倍薄いSiO2膜の膜厚で遅延時間温度特性が極め
て小さく、かつ、電気−機械結合係数が1.44％程度に大
きい弾性表面波素子を実現したものである。
しかしながら、従来の前記弾性表面波素子ではLiTaO3
の単結晶を利用したにしては結合係数が小さく、そのた
めVCOとして使用した場合に周波数可変幅が小さくな
り、かつ、SiO2膜の厚さにより結合係数が変化するため
扱い難く、それに加えてSiO2膜の厚さが増すに従ってイ
ンダクタンス成分の減衰および等価値列抵抗の増大を招
き、発振の停止する恐れが生じるという問題点がある。
の単結晶を利用したにしては結合係数が小さく、そのた
めVCOとして使用した場合に周波数可変幅が小さくな
り、かつ、SiO2膜の厚さにより結合係数が変化するため
扱い難く、それに加えてSiO2膜の厚さが増すに従ってイ
ンダクタンス成分の減衰および等価値列抵抗の増大を招
き、発振の停止する恐れが生じるという問題点がある。
また、弾性表面波に被着させたるSiO2膜について検討
したところ、通常の方法即ちRFマグネトロンスパッタ法
によるSiO2膜は、化学量論的に純なSiO2が得られず、弾
性表面波素子の特性を変動させる要因となることが判明
した。
したところ、通常の方法即ちRFマグネトロンスパッタ法
によるSiO2膜は、化学量論的に純なSiO2が得られず、弾
性表面波素子の特性を変動させる要因となることが判明
した。
第10図は、36゜Ｙ−XLiTaO3基板を用いてRFマグネト
ロンスパッタ法でSiO2膜を被着した弾性表面波素子にお
けるSiO2膜の厚さ比と、発振レベル，発振周波数の温度
特性との関係を示す図である。
ロンスパッタ法でSiO2膜を被着した弾性表面波素子にお
けるSiO2膜の厚さ比と、発振レベル，発振周波数の温度
特性との関係を示す図である。
発振周波数（弾性表面波）の波長をλ，電極の上に被
着したSiO2膜の厚さをＴとしたとき、第10図において横
軸はSiO2膜の厚さ比T/λ（％），縦軸は発振レベル（dB
m）および発振周波数の温度特性（ppm/℃）であり、SiO
2膜の厚さ比T/λは、16％以上になると減衰量が大きく
なって発振を停止するようになると共に、発振停止しな
いSiO2膜の厚さ比領域では、発振周波数の温度特性が−
11ppm/℃以上となり、このことは、RFマグネトロンスパ
ッタ法で被着したSiO2膜が、弾性表面波素子用として不
適当であると言える。
着したSiO2膜の厚さをＴとしたとき、第10図において横
軸はSiO2膜の厚さ比T/λ（％），縦軸は発振レベル（dB
m）および発振周波数の温度特性（ppm/℃）であり、SiO
2膜の厚さ比T/λは、16％以上になると減衰量が大きく
なって発振を停止するようになると共に、発振停止しな
いSiO2膜の厚さ比領域では、発振周波数の温度特性が−
11ppm/℃以上となり、このことは、RFマグネトロンスパ
ッタ法で被着したSiO2膜が、弾性表面波素子用として不
適当であると言える。
なお、温度特性の改善方法として水晶を基板に用いる
ことで、−20℃〜＋70℃の温度範囲に対し100ppm以下が
可能になるが、水晶は結合係数が非常に小さく、周波数
可変範囲の広いVCO用として不適当である。
ことで、−20℃〜＋70℃の温度範囲に対し100ppm以下が
可能になるが、水晶は結合係数が非常に小さく、周波数
可変範囲の広いVCO用として不適当である。
上記課題は、リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻り
にＺ軸方向へ36度回転させたＹ板から切り出した基板上
に、ほぼ該Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬するように駆動
電極及び反射電極を形成し、その上にプラズマCVD法で
形成され、厚さが該波長の16％〜26％であり、屈折率が
1.46±0.01である二酸化シリコン膜を被着してなること
を特徴とする弾性表面波発振素子により解決される。
にＺ軸方向へ36度回転させたＹ板から切り出した基板上
に、ほぼ該Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬するように駆動
電極及び反射電極を形成し、その上にプラズマCVD法で
形成され、厚さが該波長の16％〜26％であり、屈折率が
1.46±0.01である二酸化シリコン膜を被着してなること
を特徴とする弾性表面波発振素子により解決される。
下記の表は、各種単結晶基板の結合係数と温度 特性を比較させたものであり、LiTaO3単結晶のＸ軸廻り
にＺ軸方向へ36度回転させたＹ板（36゜Ｙ−Ｘ板）は水
晶に比べ温度特性が劣るも結合係数に優れ、従来技術で
記載した弾性表面波素子に使用したLiTaO3のＸ−112゜
Ｙ板に比べ温度特性がやや劣るも結合係数が大きく優
れ、さらにLiNbO3の128゜Ｙ−Ｘ板に比べ結合係数がや
や劣るも温度特性に優れる。
にＺ軸方向へ36度回転させたＹ板（36゜Ｙ−Ｘ板）は水
晶に比べ温度特性が劣るも結合係数に優れ、従来技術で
記載した弾性表面波素子に使用したLiTaO3のＸ−112゜
Ｙ板に比べ温度特性がやや劣るも結合係数が大きく優
れ、さらにLiNbO3の128゜Ｙ−Ｘ板に比べ結合係数がや
や劣るも温度特性に優れる。
結合係数と温度特性の双方を考慮し選択したLiTaO3の
36゜Ｙ−Ｘ板より基板を切り出し、該基板に弾性表面波
波長から設定した厚さのアルミニウム電極を形成したの
ち、該弾性表面波波長から設定した厚さに化学量論的成
膜可能なプラズマCVD法でSiO2膜を被着させたことによ
り、高性能かつ高安定な弾性表面波素子を提供可能にし
た。
36゜Ｙ−Ｘ板より基板を切り出し、該基板に弾性表面波
波長から設定した厚さのアルミニウム電極を形成したの
ち、該弾性表面波波長から設定した厚さに化学量論的成
膜可能なプラズマCVD法でSiO2膜を被着させたことによ
り、高性能かつ高安定な弾性表面波素子を提供可能にし
た。
以下に、図面を用いて本発明による弾性表面波デバイ
スを説明する。
スを説明する。
第１図は本発明の一実施例による弾性表面波素子を示
す模式平面図（イ）と模式断面図（ロ）、第２図は36゜
Ｙ−Ｘ板の説明図である。
す模式平面図（イ）と模式断面図（ロ）、第２図は36゜
Ｙ−Ｘ板の説明図である。
第１図において弾性表面波素子１は、第２図に示すよ
うにLiTaO3単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ36度回転させ
たＹ板２から切り出した基板３の上に、ほぼ該単結晶の
Ｘ軸方向に弾性表面波が伝播するように駆動電極４と一
対の反射電極５とをアルミニウムにて形成し、弾性表面
波波長の１〜４％の厚さとした電極４と５を覆うよう
に、プラズマCVD法で被着し屈折率1.46±0.01であるSiO
2膜６の厚さは、弾性表面波（発振波）波長λの16％〜2
6％である。電極４は一対のすだれ状電極からなり、該
すだれ状電極の各一部分4aは外部接続のため表呈し、電
極４のすだれ状部ピッチおよび、電極５の格子状部ピッ
チはλ/2である。
うにLiTaO3単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ36度回転させ
たＹ板２から切り出した基板３の上に、ほぼ該単結晶の
Ｘ軸方向に弾性表面波が伝播するように駆動電極４と一
対の反射電極５とをアルミニウムにて形成し、弾性表面
波波長の１〜４％の厚さとした電極４と５を覆うよう
に、プラズマCVD法で被着し屈折率1.46±0.01であるSiO
2膜６の厚さは、弾性表面波（発振波）波長λの16％〜2
6％である。電極４は一対のすだれ状電極からなり、該
すだれ状電極の各一部分4aは外部接続のため表呈し、電
極４のすだれ状部ピッチおよび、電極５の格子状部ピッ
チはλ/2である。
亜酸化窒素（N2O）ガスおよびシラン（SiH4）ガスを
使用したプラズマCVD法（Ｐ−CVD）において、 SiO2膜６を生成する反応式は、 SiH4＋２・N2O→SiO2＋２・H2＋２・N2 である。
使用したプラズマCVD法（Ｐ−CVD）において、 SiO2膜６を生成する反応式は、 SiH4＋２・N2O→SiO2＋２・H2＋２・N2 である。
第３図はＰ−CVDによるSiO2膜の特性図であり、横軸
がＰ−CVDにおいてN2Oを0.25sccmの一定としたN2O/SiH4
の流量比，縦軸がエッチングレイトおよび屈折率ならび
にデポジットレイトである。
がＰ−CVDにおいてN2Oを0.25sccmの一定としたN2O/SiH4
の流量比，縦軸がエッチングレイトおよび屈折率ならび
にデポジットレイトである。
第３図において、N2O/SiH4の流量比が5/1以下になる
と、エッチングレイトが低下し、屈折率が高くなること
より、N2O/SiH4の流量比が5/1以下で被着したSiO2膜６
はSiリッチとなる。そのため、本発明におけるSiO2膜６
は、デポジットレイトがやや抵抗率になるがN2O/SiH4の
流量比を5/1以上とした。
と、エッチングレイトが低下し、屈折率が高くなること
より、N2O/SiH4の流量比が5/1以下で被着したSiO2膜６
はSiリッチとなる。そのため、本発明におけるSiO2膜６
は、デポジットレイトがやや抵抗率になるがN2O/SiH4の
流量比を5/1以上とした。
第４図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振レベ
ル，発振周波数の温度特性との関係を示す図であり、横
軸はSiO2膜の厚さＴと表面弾性波の波長λとの比（T/
λ），縦軸は発振レベル（dBm）および発振周波数の温
度特性（ppm/℃）である。そして測定に使用した弾性表
面波素子は、電極をアルミニウムにて形成し、該電極の
厚さｔは波長λの３％である。
ル，発振周波数の温度特性との関係を示す図であり、横
軸はSiO2膜の厚さＴと表面弾性波の波長λとの比（T/
λ），縦軸は発振レベル（dBm）および発振周波数の温
度特性（ppm/℃）である。そして測定に使用した弾性表
面波素子は、電極をアルミニウムにて形成し、該電極の
厚さｔは波長λの３％である。
第４図において、第３図よりN2O/SiH4の流量比を5/1
以上とし被着させたN2O膜は、発振レベルの減衰が殆ど
なく、SiO2膜の厚さ比T/λ＝20％の近傍において零温度
係数が得られる。
以上とし被着させたN2O膜は、発振レベルの減衰が殆ど
なく、SiO2膜の厚さ比T/λ＝20％の近傍において零温度
係数が得られる。
第５図は前記零温度係数における温度と発振周波数の
変化率との関係を示す図であり、横軸を温度（℃），縦
軸を発振周波数の変化率（ppm）とした第５図におい
て、−10℃〜＋45℃の温度範囲で発振周波数の変化は10
ppm程度以内の優れた値を示す。
変化率との関係を示す図であり、横軸を温度（℃），縦
軸を発振周波数の変化率（ppm）とした第５図におい
て、−10℃〜＋45℃の温度範囲で発振周波数の変化は10
ppm程度以内の優れた値を示す。
第６図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振周波数
の温度特性との関係を示す図であり、横軸はSiO2膜の厚
さ比T/λ（％），縦軸は発振周波数の温度特性（ppm/
℃）である。
の温度特性との関係を示す図であり、横軸はSiO2膜の厚
さ比T/λ（％），縦軸は発振周波数の温度特性（ppm/
℃）である。
SiO2膜の屈折率および、アルミニウム電極の厚さ比t/
λを変えた弾性表面波素子について実測した第６図にお
いて、測定値のプロットを実線で結んだ特性Ａは、SiO2
膜の屈折率が1.46,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝４
％、測定値のプロットを破線で結んだ特性Ｂは、SiO2膜
の屈折率1.46,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝３％、
測定値のプロットを一点鎖線で結んだ特性Ｃは、SiO2膜
の屈折率が1.46,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝１
％、測定値のプロットを二点鎖線で結んだ特性Ｄは、Si
O2膜の屈折率が1.75,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝
３％である。
λを変えた弾性表面波素子について実測した第６図にお
いて、測定値のプロットを実線で結んだ特性Ａは、SiO2
膜の屈折率が1.46,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝４
％、測定値のプロットを破線で結んだ特性Ｂは、SiO2膜
の屈折率1.46,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝３％、
測定値のプロットを一点鎖線で結んだ特性Ｃは、SiO2膜
の屈折率が1.46,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝１
％、測定値のプロットを二点鎖線で結んだ特性Ｄは、Si
O2膜の屈折率が1.75,アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝
３％である。
弾性表面波素子のＱ値やRsおよびVCOとして使用する
場合のγ値等はアルミニウム電極の厚さ比t/λによって
変化し、それら各特性の許容範囲としてアルミニウム電
極の厚さ比t/λは１％〜４％が望ましい。そのことから
第６図の特性A,B,Cを見ると、発振周波数の温度特性は
アルミニウム電極の厚さ比t/λに影響され、発振周波数
の温度特性の±5ppm/℃の領域に対しSiO2膜の厚さ比T/
λは、18％〜24％とすることが望ましい。また、Ｐ−CV
D SiO2のデポジット条件を変えることによりSiO2膜の屈
折率を1.75とした場合は、特性Ｄに示すように温度特性
の改善効果が劣化するため、温度特性の改善効果に影響
するSiO2膜の屈折率は1.46程度にすることが望ましい。
場合のγ値等はアルミニウム電極の厚さ比t/λによって
変化し、それら各特性の許容範囲としてアルミニウム電
極の厚さ比t/λは１％〜４％が望ましい。そのことから
第６図の特性A,B,Cを見ると、発振周波数の温度特性は
アルミニウム電極の厚さ比t/λに影響され、発振周波数
の温度特性の±5ppm/℃の領域に対しSiO2膜の厚さ比T/
λは、18％〜24％とすることが望ましい。また、Ｐ−CV
D SiO2のデポジット条件を変えることによりSiO2膜の屈
折率を1.75とした場合は、特性Ｄに示すように温度特性
の改善効果が劣化するため、温度特性の改善効果に影響
するSiO2膜の屈折率は1.46程度にすることが望ましい。
第７図はＰ−CVDによりSiO2膜の厚さ比と発振周波数
の温度特性との関係を示す図であり、横軸をSiO2膜の厚
さ比T/λ（％），縦軸を発振周波数の温度特性（ppm/
℃）とし、N2O/SiH4の流量比を5/1（図中の一点鎖線）,
10/1（図中の破線）,20/1（図中の実線）に変えた実測
データを比較させた第７図において、N2O/SiH4の流量比
を変えることで発振周波数の温度特性の効果が変化す
る。
の温度特性との関係を示す図であり、横軸をSiO2膜の厚
さ比T/λ（％），縦軸を発振周波数の温度特性（ppm/
℃）とし、N2O/SiH4の流量比を5/1（図中の一点鎖線）,
10/1（図中の破線）,20/1（図中の実線）に変えた実測
データを比較させた第７図において、N2O/SiH4の流量比
を変えることで発振周波数の温度特性の効果が変化す
る。
以上の各種データを総合し、 （１）アルミニウム電極の厚さ比t/λ＝１％〜４％での
零温度係数を実現するには、SiO2膜の厚さ比T/λを18％
〜24％にする。
零温度係数を実現するには、SiO2膜の厚さ比T/λを18％
〜24％にする。
（２）N2O/SiH4の流量比よりSiO2膜の厚さ比T/λの偏差
は±0.01にする。
は±0.01にする。
（３）発振周波数の温度特性を±5ppm/℃以内とするに
はSiO2膜の厚さ比T/λを17％〜25％とする。
はSiO2膜の厚さ比T/λを17％〜25％とする。
（４）SiO2膜の厚さ比T/λの偏差±0.01を考慮したと
き、発振周波数の温度特性を±5ppm/℃以内とするにはS
iO2膜の厚さ比T/λを16〜26％の範囲とし、かつ、SiO2
膜の屈折率を1.46±0.01とすることによって、減衰量が
殆どなく、温度安定性が±5ppm/℃以下となる弾性表面
波素子が得られることになる。
き、発振周波数の温度特性を±5ppm/℃以内とするにはS
iO2膜の厚さ比T/λを16〜26％の範囲とし、かつ、SiO2
膜の屈折率を1.46±0.01とすることによって、減衰量が
殆どなく、温度安定性が±5ppm/℃以下となる弾性表面
波素子が得られることになる。
第８図はＰ−CVDによりSiO2膜の厚さ比と結合係数と
の関係を示す図であり、横軸ををSiO2膜の厚さ比T/λ
（ppm/℃），縦軸を結合係数（k2）とした第８図におい
て、図中の実線は本発明により36゜Ｙ−Ｘ板より切り出
した素子基板の結合係数特性，破線は112゜Ｙ−Ｘ板よ
り切り出した素子基板の結合係数特性であり、112゜Ｙ
−Ｘ基板に対し36゜Ｙ−Ｘ基板は、結合係数の変化が著
しく小さくなる。
の関係を示す図であり、横軸ををSiO2膜の厚さ比T/λ
（ppm/℃），縦軸を結合係数（k2）とした第８図におい
て、図中の実線は本発明により36゜Ｙ−Ｘ板より切り出
した素子基板の結合係数特性，破線は112゜Ｙ−Ｘ板よ
り切り出した素子基板の結合係数特性であり、112゜Ｙ
−Ｘ基板に対し36゜Ｙ−Ｘ基板は、結合係数の変化が著
しく小さくなる。
第９図は制御電圧と発振周波数の変化率との関係を示
す図である。
す図である。
横軸を制御電圧Vc（Ｖ），縦軸を発振周波数の変化率
（％）とした第９図において、実測値のプロットを実線
で結んだ特性はSiO2膜の厚さ比T/λ＝0.195の素子，実
測値のプロットを破線で結んだ特性はSiO2膜の厚さ比T/
λ＝0.200の素子，実測値のプロットを一点鎖線で結ん
だ特性はSiO2膜の厚さ比T/λ＝0.205の素子であり、5V
以下の制御電圧において各素子の特性は、0.1％/Vのほ
ぼ同一傾斜の直線性を有する。
（％）とした第９図において、実測値のプロットを実線
で結んだ特性はSiO2膜の厚さ比T/λ＝0.195の素子，実
測値のプロットを破線で結んだ特性はSiO2膜の厚さ比T/
λ＝0.200の素子，実測値のプロットを一点鎖線で結ん
だ特性はSiO2膜の厚さ比T/λ＝0.205の素子であり、5V
以下の制御電圧において各素子の特性は、0.1％/Vのほ
ぼ同一傾斜の直線性を有する。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、基板の電気機械
結合係数は約５％であり、SiO2の膜厚に対して安定した
変化であり、例えばVCO用として発振周波数が155MHzの
弾性表面波素子において、可変幅の900ppm/V〜1200ppm/
Vは112゜Ｙ−Ｘ板を使用した従来の素子（50ppm/V〜150
ppm/V）より格段に広範囲となり、かつ、発振周波数の
温度特性が±5ppm/℃以内であり、アルミニウム電極の
厚さ比およびＰ−CVDデポジット条件を定めることによ
って、一次温度係数が零である高安定の弾性表面波素子
を可能とした効果がある。
結合係数は約５％であり、SiO2の膜厚に対して安定した
変化であり、例えばVCO用として発振周波数が155MHzの
弾性表面波素子において、可変幅の900ppm/V〜1200ppm/
Vは112゜Ｙ−Ｘ板を使用した従来の素子（50ppm/V〜150
ppm/V）より格段に広範囲となり、かつ、発振周波数の
温度特性が±5ppm/℃以内であり、アルミニウム電極の
厚さ比およびＰ−CVDデポジット条件を定めることによ
って、一次温度係数が零である高安定の弾性表面波素子
を可能とした効果がある。
第１図は本発明の実施例による弾性表面波素子、 第２図は36゜Ｙ−Ｘ板の説明図、 第３図はＰ−CVDによるSiO2膜の特性図、 第４図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振レベル，
発振周波数の温度特性との関係を示す図、 第５図は零温度係数における弾性表面波素子の温度と発
振周波数の変化率との関係を示す図、 第６図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振周波数の
温度特性との関係を示す図、 第７図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振周波数の
温度特性との関係を示す図、 第８図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と結合係数との
関係を示す図、 第９図は制御電圧Vcと発振周波数の変化率との関係を示
す図、 第10図はRFマグネトロンスパッタ法によるSiO2膜の厚さ
比と、発振レベル，発振周波数の温度特性との関係を示
す図、 である。 図中において、 １は弾性表面波素子、２は36゜Ｙ−Ｘ板、 ３は素子基板、４は駆動電極、 ５は反射電極、６は二酸化シリコン膜、 ｔは電極の厚さ、 Ｔは二酸化シリコン膜の厚さ、 λは弾性表面波（発振波）波長、 を示す。
発振周波数の温度特性との関係を示す図、 第５図は零温度係数における弾性表面波素子の温度と発
振周波数の変化率との関係を示す図、 第６図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振周波数の
温度特性との関係を示す図、 第７図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と発振周波数の
温度特性との関係を示す図、 第８図はＰ−CVDによるSiO2膜の厚さ比と結合係数との
関係を示す図、 第９図は制御電圧Vcと発振周波数の変化率との関係を示
す図、 第10図はRFマグネトロンスパッタ法によるSiO2膜の厚さ
比と、発振レベル，発振周波数の温度特性との関係を示
す図、 である。 図中において、 １は弾性表面波素子、２は36゜Ｙ−Ｘ板、 ３は素子基板、４は駆動電極、 ５は反射電極、６は二酸化シリコン膜、 ｔは電極の厚さ、 Ｔは二酸化シリコン膜の厚さ、 λは弾性表面波（発振波）波長、 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 和志 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−33310（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−5924（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻りに
Ｚ軸方向へ36度回転させたＹ板から切り出した基板上
に、ほぼ該Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬するように駆動
電極及び反射電極を形成し、その上にプラズマCVD法で
形成され、厚さが該波長の16％〜26％であり、屈折率が
1.46±0.01である二酸化シリコン膜を被着してなること
を特徴とする弾性表面波発振素子。 - 【請求項２】前記駆動電極及び反射電極の厚さが、該弾
性表面波の波長の１％〜４％であることを特徴とする請
求項１記載の弾性表面波発振素子。 - 【請求項３】前記駆動電極のすだれ状部のピッチ及び反
射電極の格子状部のピッチは等しいことを特徴とする請
求項１記載の弾性表面波発振素子。
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-
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