WO2022201627A1 - 接合体およびその製造方法 - Google Patents

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隆裕 川崎
卓哉 富岡
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日本碍子株式会社
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    • H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives

Definitions

  • the present invention relates to a bonded body of a piezoelectric material substrate and a support substrate made of silicon.
  • Acoustic wave devices such as surface acoustic wave devices that can function as filter elements and oscillators used in mobile phones, Lamb wave elements using piezoelectric thin films, and thin film resonators (FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator).
  • FBAR Film Bulk Acoustic Resonator
  • a device is known in which a support substrate and a piezoelectric material substrate for propagating surface acoustic waves are bonded together, and a comb-shaped electrode capable of exciting surface acoustic waves is provided on the surface of the piezoelectric material substrate. .
  • Non-Patent Document 1 a SAW filter using a SOI (Silicon - on-Insulator, a structure in which a SiO2 film is formed on a Si wafer) wafer.
  • Non-Patent Document 2 it has been reported that the fixed charge amount varies depending on the film quality of the SiO 2 film, and that the fixed charge increases when the SiO 2 film becomes low in oxygen.
  • film quality control of the SiO 2 film is effective for suppressing high-frequency distortion, but suppression of high-frequency distortion by film quality control and its control method have not been clarified so far.
  • An object of the present invention is to reduce high-frequency distortion in a bonded body in which a piezoelectric material substrate is bonded to a support substrate made of silicon via a bonding layer made of a silicon oxide film.
  • the present invention provides a support substrate made of silicon, 1.
  • the inert setting the ratio of the gas flow rate to the oxygen gas flow rate (the inert gas flow rate/the oxygen gas flow rate) to 1.5 to 2.0; and bonding the bonding layer to the piezoelectric material substrate.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a joined body, characterized by having
  • the inventor investigated the relationship between film quality and high-frequency distortion when forming a silicon oxide film with a reactive sputtering apparatus. Specifically, as a film quality evaluation method, the refractive index of the film was measured with an ellipsometer, and the value at a wavelength of 633 nm was calculated and used as an index. In addition, the refractive index of the silicon oxide film was changed by changing the flow rate ratio of the oxygen gas and the inert gas such as argon gas introduced into the sputtering apparatus during the formation of the silicon oxide film.
  • FIG. (a) shows the state in which the bonding surface 4a of the piezoelectric material substrate 4 is activated by the plasma beam A
  • FIG. (b) shows the state in which the bonding layer 2 is formed on the surface 1a of the supporting substrate 1
  • (c) ) shows a state in which the bonding surface 2a of the bonding layer 2 on the supporting substrate 1 is activated by the plasma beam C.
  • FIG. (a) shows a state in which the piezoelectric material substrate 4 and the support substrate 1 are bonded
  • (b) shows a state in which the piezoelectric material substrate 4A is thinned by processing
  • (c) shows the piezoelectric material substrate 4A.
  • a state in which an electrode 6 is provided thereon is shown.
  • 1 is a conceptual diagram of a reactive sputtering apparatus
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the argon gas/oxygen gas flow rate ratio and the target discharge voltage.
  • FIG. 1 and 2 are schematic diagrams for explaining a manufacturing example in which a support substrate is directly bonded to a piezoelectric material substrate.
  • the piezoelectric material substrate 4 has main surfaces 4a and 4b.
  • the main surface 4a of the piezoelectric material substrate 4 is irradiated with a plasma beam as indicated by an arrow A to activate the main surface 4a to be an activated surface.
  • a bonding layer 2 made of a silicon oxide film is provided on the bonding surface 1a of the support substrate 1.
  • FIG. 1b is the main surface opposite to the joint surface 1a.
  • the bonding surface 2a of the bonding layer 2 is irradiated with a plasma beam C to be activated to form an activated surface.
  • the activated bonding surface 2a of the bonding layer 2 and the activated main surface 4a of the piezoelectric material substrate 4 are directly bonded to obtain the bonded body 5.
  • the bonding surface 4b of the piezoelectric material substrate 4 of the bonded body 5 is further polished to reduce the thickness of the piezoelectric material substrate 4A as shown in FIG. 2(b), thereby obtaining a bonded body 5A.
  • 4c is a polished surface.
  • the elastic wave element 7 is produced by forming a predetermined electrode 6 on the polished surface 4c of the piezoelectric material substrate 4A.
  • the support substrate is made of silicon.
  • the relative density of the support substrate is preferably 95.5% or more, and may be 100%, from the viewpoint of bonding strength. Relative density is measured by the Archimedes method. Also, the method for manufacturing the supporting substrate is not particularly limited, but a sintering method is preferable.
  • the silicon that constitutes the support substrate is preferably high resistance silicon.
  • High-resistivity silicon means silicon with a volume resistivity of 1000 ⁇ cm or more.
  • the upper limit of the volume resistivity of high resistance silicon is usually 10 k ⁇ cm due to manufacturing limitations.
  • the material of the piezoelectric material substrate is not limited as long as it has the required piezoelectricity, but a single crystal having a composition of LiAO 3 is preferred.
  • A is one or more elements selected from the group consisting of niobium and tantalum.
  • LiAO 3 may be lithium niobate, lithium tantalate, or a lithium niobate-lithium tantalate solid solution.
  • the thickness of the bonding layer is not particularly limited, it is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.01 to 0.5 ⁇ m, from the viewpoint of manufacturing cost.
  • the refractive index of the bonding layer should be 1.468 or more and 1.474 or less. This makes it possible to reduce high frequency distortion.
  • the refractive index of the bonding layer is measured with an ellipsometer under the following conditions. That is, a silicon oxide film of 400 nm to 500 nm is formed on a Si substrate, and the refractive index is measured with a spectroscopic ellipsometer. Set the incident angle and reflection angle to 70°, irradiate the substrate with incident light with a wavelength of 200 nm to 1000 nm, and calculate the refractive index from the polarization state of the reflected light.
  • a method for forming the bonding layer is preferably a reactive sputtering method. That is, the inventor investigated the relationship between film quality and high-frequency distortion when forming a silicon oxide film with a reactive sputtering apparatus. At this time, as a method for evaluating the film quality of the silicon oxide film, the refractive index of the film was measured with an ellipsometer, and the value at a wavelength of 633 nm was calculated and used as an index. In addition, the inventors succeeded in intentionally changing the refractive index by changing the flow rate ratio of the inert gas and the oxygen gas introduced into the sputtering apparatus during the formation of the silicon oxide film.
  • a procedure for forming a silicon oxide film using a reactive sputtering apparatus will be further described with reference to FIG.
  • the target 14 and the support substrate 1 are opposed to each other in the inner space of the housing 11 of the apparatus.
  • the power supply 13 has a positive pole connected to the housing 12 and a negative pole connected to the target 14 .
  • a silicon target is used as the target 14 .
  • an inert gas and an oxygen gas are supplied to the internal space of the housing 12 to generate plasma.
  • inert gas atoms 17 flow toward target 14 .
  • oxygen atoms 8 and silicon atoms 9 flow toward the surface of support substrate 1 .
  • Excess gas is discharged from the discharge port 16 as indicated by an arrow D.
  • silicon oxide which is a reaction product of oxygen and silicon, is produced on the support substrate 1 .
  • the inventor of the present invention formed a bonding layer made of a silicon oxide film while changing the flow rate ratio (inert gas/oxygen gas) in the range of 0.9 to 3.5. High frequency distortion components could be suppressed in the range of 5 to 2.0. In addition, this made it possible to adjust the refractive index of the bonding layer to 1.468 to 1.474 (wavelength: 633 nm). It is considered that the refractive index of the bonding layer reflects the oxygen ratio contained in the silicon oxide film.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of plotting changes in the inert gas (argon)/oxygen flow rate ratio and changes in the discharge voltage when the discharge is controlled at a constant power.
  • the flow rate ratio is 1.5 or more, the discharge voltage is stabilized.
  • the flow rate ratio was less than 1.5, the discharge voltage abruptly decreased and hysteresis was observed.
  • the internal space of the housing becomes oxygen-rich and the target surface is oxidized, thereby switching the film formation mode to the oxide mode. If the deposition mode changes to the oxide mode, the deposition rate will decrease and the target surface will be oxidized, forming an insulating layer and causing abnormal discharge (arcing), making it unsuitable as a bonding layer. .
  • the deposition rate of the silicon oxide film forming the bonding layer is preferably in the range of 0.17 to 0.4 [nm/sec]. easy to get
  • Specific manufacturing conditions for the bonding layer depend on the specifications of the chamber, and are appropriately selected. 10 ⁇ 2 Pa is preferred. Moreover, it is preferable that the film formation temperature is between room temperature and 250.degree. B can be exemplified as a dopant for the Si target.
  • Argon can be exemplified as an inert gas supplied into the reactive sputtering apparatus.
  • the current during reactive sputtering is preferably 5 to 10A, and the voltage is preferably 500 to 900V.
  • the activated bonding surface of the bonding layer and the activated bonding surface of the piezoelectric material substrate are directly bonded.
  • the arithmetic average roughness Ra of the activated bonding surface of the bonding layer is preferably 1 nm or less, more preferably 0.3 nm or less.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the activated bonding surface of the piezoelectric material substrate is preferably 1 nm or less, more preferably 0.3 nm or less. This further improves the bonding strength between the piezoelectric material substrate and the bonding layer.
  • the use of the joined body of the present invention is not particularly limited, and for example, it can be suitably applied to acoustic wave devices and optical devices.
  • a surface acoustic wave device has, on the surface of a piezoelectric material substrate, an input-side IDT (Interdigital Transducer) electrode (comb-shaped electrode or interdigital electrode) that excites a surface acoustic wave and an output-side electrode that receives the surface acoustic wave. and an IDT electrode.
  • IDT Interdigital Transducer
  • a high-frequency signal is applied to the IDT electrodes on the input side, an electric field is generated between the electrodes, and surface acoustic waves are excited and propagated on the piezoelectric material substrate. Then, the propagated surface acoustic wave can be taken out as an electric signal from the IDT electrode on the output side provided in the propagation direction.
  • the bottom surface of the piezoelectric material substrate may have a metal film.
  • the metal film plays a role of increasing the electromechanical coupling coefficient in the vicinity of the back surface of the piezoelectric material substrate when a Lamb wave element is manufactured as an acoustic wave device.
  • the Lamb wave element has a structure in which comb-teeth electrodes are formed on the surface of the piezoelectric material substrate, and the metal film of the piezoelectric material substrate is exposed by a cavity provided in the supporting substrate. Examples of materials for such metal films include aluminum, aluminum alloys, copper, and gold.
  • a composite substrate having a piezoelectric material layer without a metal film on the bottom surface may be used.
  • the bottom surface of the piezoelectric material substrate may have a metal film and an insulating film.
  • the metal film serves as an electrode when a thin film resonator is manufactured as an acoustic wave device.
  • the thin film resonator has a structure in which electrodes are formed on the front and back surfaces of the piezoelectric material substrate, and the metal film of the piezoelectric material substrate is exposed by forming the insulating film as a cavity.
  • Examples of materials for such metal films include molybdenum, ruthenium, tungsten, chromium, and aluminum.
  • materials for the insulating film include silicon dioxide, phosphorus silica glass, boron phosphorus silica glass, and the like.
  • examples of optical elements include an optical switching element, a wavelength conversion element, and an optical modulation element. Also, a periodically poled structure can be formed in the piezoelectric material substrate.
  • the object of the present invention is an acoustic wave device
  • the material of the piezoelectric material substrate is lithium tantalate, 36 to 47 from the Y axis to the Z axis centering on the X axis, which is the propagation direction of the surface acoustic wave. It is preferable to use the direction rotated by .degree. (for example, 42.degree.) because the propagation loss is small.
  • the piezoelectric material substrate is made of lithium niobate
  • the direction rotated from the Y-axis to the Z-axis by 60 to 68° (for example, 64°) around the X-axis, which is the propagation direction of the surface acoustic wave, is used. It is preferable to use it because the propagation loss is small.
  • the size of the piezoelectric material substrate is not particularly limited, it is, for example, 50 to 150 mm in diameter and 0.2 to 60 ⁇ m in thickness.
  • the bonding surface of the bonding layer and the bonding surface of the piezoelectric material substrate are irradiated with plasma to activate each flat surface.
  • the atmosphere for surface activation is an atmosphere containing nitrogen or oxygen.
  • the atmosphere may be oxygen only, nitrogen only, or a mixture of oxygen, nitrogen, hydrogen, and argon. In the case of a mixed gas, there is no particular limitation, but the ratio may be appropriately adjusted depending on the relationship with the bonding strength.
  • the atmospheric pressure during surface activation is preferably 100 Pa or less, more preferably 80 Pa or less. Also, the atmospheric pressure is preferably 30 Pa or higher, more preferably 50 Pa or higher.
  • the temperature during plasma irradiation is set to 150° C. or lower. As a result, it is possible to obtain the bonded body 7 having high bonding strength and free from deterioration of the piezoelectric material. From this point of view, the temperature during plasma irradiation is set to 150° C. or lower, and more preferably 100° C. or lower. Also, the energy during plasma irradiation is preferably 30 to 150W. Moreover, the product of the energy during plasma irradiation and the irradiation time is preferably 0.1 to 1.0 Wh.
  • the bonding surface 4a of the piezoelectric material substrate and the bonding surface 2a of the bonding layer are flattened before the plasma treatment.
  • Methods for flattening the bonding surfaces 2a, 4a include lap polishing, chemical mechanical polishing (CMP), and the like.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the flat surface is preferably 1 nm or less, more preferably 0.3 nm or less.
  • the activated bonding surface of the piezoelectric material substrate and the activated bonding surface of the bonding layer are brought into contact and bonded.
  • the joined body is heat-treated, so that the piezoelectric material substrate can be given strength to withstand the polishing process.
  • Such heat treatment temperature is preferably 100 to 150.degree.
  • the thickness can be reduced by processing the piezoelectric material substrate after this heat treatment.
  • the activated surfaces are brought into contact with each other and joined.
  • the temperature at this time is normal temperature, specifically, it is preferably 40° C. or less, more preferably 30° C. or less.
  • the temperature at the time of joining is particularly preferably 20° C. or higher and 25° C. or lower.
  • the pressure during bonding is preferably 100 to 20000N.
  • bonded bodies of each example shown in Table 1 were produced.
  • a lithium tantalate substrate (LT substrate) having an OF portion, a diameter of 4 inches, and a thickness of 250 ⁇ m was used as the piezoelectric material substrate 4 .
  • LT substrate a 46° Y-cut X-propagation LT substrate was used in which the surface acoustic wave (SAW) propagation direction was X and the cut-out angle was a rotated Y-cut plate.
  • the bonding surface 4a of the piezoelectric material substrate 4 was mirror-polished so that the arithmetic mean roughness Ra was 0.3 nm. However, Ra is measured in a field of view of 10 ⁇ m ⁇ 10 ⁇ m with an atomic force microscope (AFM).
  • AFM atomic force microscope
  • a support substrate 1 made of high resistance ( ⁇ 2 k ⁇ cm) silicon having an orientation flat (OF) portion, a diameter of 4 inches and a thickness of 230 ⁇ m was prepared.
  • Surfaces 1a and 1b of support substrate 1 are finished by chemical mechanical polishing (CMP), and each has an arithmetic mean roughness Ra of 0.2 nm.
  • a bonding layer 2 made of SiO 2 was formed to a thickness of 1 ⁇ m on the surface of the support substrate, and the bonding surface 2a was polished by CMP to a thickness of about 0.1 ⁇ m to be planarized.
  • ultrasonic cleaning was performed using pure water, and the bonding surfaces of the piezoelectric material substrate and the bonding layer were dried by spin drying.
  • the supporting substrate after cleaning was introduced into a plasma activation chamber, and the bonding surface was activated at 30° C. with nitrogen gas plasma.
  • the piezoelectric material substrate was introduced into the plasma activation chamber, and the bonding surface of the bonding layer was surface-activated with nitrogen gas plasma at 30°C.
  • the surface activation time was 40 seconds and the energy was 100W. For the purpose of removing particles attached during surface activation, the same ultrasonic cleaning and spin drying as above were performed again.
  • the bonding surface of the piezoelectric material substrate and the bonding surface of the bonding layer were aligned, and the bonding surfaces activated at room temperature were brought into contact with each other.
  • the bonding wave As a result of applying pressure to the center of the superimposed substrates, it was observed that the adhesion between the substrates spread (so-called bonding wave), and it was confirmed that the pre-bonding was performed satisfactorily.
  • the joined body was placed in an oven in a nitrogen atmosphere and heated at 130° C. for 4 hours. The surface of the piezoelectric material substrate of the joined body was removed from the oven and thinned to 1 ⁇ m by grinding and polishing.
  • the bonding layer 2 was formed by a reactive sputtering method according to the procedure described with reference to FIG. However, the total pressure in the internal space of the housing was set to 0.1-0.2Pa, the current was set to 5-10A, and the voltage was set to 500-900V. Also, the flow rate ratio of argon gas and oxygen gas was changed within the range of 0.90 to 3.50.
  • the refractive index at 633 nm of the bonding layer of each example was measured by an ellipsometer, and the results are shown in Table 1. Further, Table 1 shows the magnitude of the second harmonic of the obtained device (normalized with the magnitude of the second harmonic of Comparative Example 1 as 0.0%).
  • the target discharge voltage changed as shown in FIG. 4 within the flow rate ratio range of 0.9 to 1.5. That is, it was found that the film formation mode in reactive sputtering switches from the metal mode to the oxide mode when the flow ratio is less than 1.5.
  • the refractive index of the bonding layer is 1.468 or more and 1.474 or less. (especially preferably 1.472 or more).
  • the deposition rate of the silicon oxide film was 0.17 to 0.4 (nm/sec). Within this range, we succeeded in greatly reducing the magnitude of the second harmonic.

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Abstract

【課題】シリコンからなる支持基板上に珪素酸化物膜からなる接合層を介して圧電性材料基板が接合された接合体において、高周波歪みを低減する。 【解決手段】接合体５Ａは、シリコンからなる支持基板１、圧電性材料基板４Ａ、および支持基板１の表面１ａ上に設けられた接合層２であって、珪素酸化物膜からなる接合層２を有する。接合層２の屈折率が１．４６８以上、１．４７４以下である。

Description

接合体およびその製造方法
　本発明は、圧電性材料基板と、シリコンからなる支持基板との接合体に関するものである。
　携帯電話等に使用されるフィルタ素子や発振子として機能させることができる弾性表面波デバイスや、圧電薄膜を用いたラム波素子や薄膜共振子（ＦＢＡＲ：Film Bulk　Acoustic　Resonator）などの弾性波デバイスが知られている。こうした弾性波デバイスとしては、支持基板と弾性表面波を伝搬させる圧電性材料基板とを貼り合わせ、圧電性材料基板の表面に弾性表面波を励振可能な櫛形電極を設けたものが知られている。
　圧電性材料基板とシリコン基板とを接合するのに際して、圧電性材料基板表面に珪素酸化物膜を形成し、珪素酸化物膜を介して圧電性材料基板とシリコン基板とを直接接合することが知られている（特許文献１、２）。この接合の際には、珪素酸化物膜表面とシリコン基板表面とにプラズマビームを照射して表面を活性化し、直接接合を行う（プラズマ活性化法）。プラズマ活性化法では、比較的低温(４００℃)で接合できる。
　一方、SOI(Silicon－on－Insulator、Ｓｉウエハー上にＳｉＯ２膜を形成した構造)のウエハーを用いたSAWフィルタにおいて、ＳＩＯ２膜とＳｉウエハー界面に発生する固定電荷が影響して、高周波歪みが現れることが知られている（非特許文献１）。
　また、この固定電荷量は、ＳｉＯ２膜の膜質の違いによって変化し、ＳｉＯ２膜が低酸素になると、固定電荷が増えることが報告されている（非特許文献２）。
「Impact　of　Si　substrate　resistivity　on　the　non－linear　behaviour　of　RF　CPW　transmission　lines」(1/2008)Proceedings of the 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference 「Control of fixed charge at Si-SiO2 interface by oxidation-reduction treatments」(1/1973)）Appl. Phys. Lett., Vol. 22, No.8, 15 April 1973
特開２０１６－２２５５３７ 米国特許第７２１３３１４Ｂ２
　以上の事から高周波歪みの抑制には、ＳｉＯ２膜の膜質制御が有効であることまでは推定できるが、膜質制御による高周波歪みの抑制およびその制御手法についてはこれまで明らかにはなっていない。
　本発明の課題は、シリコンからなる支持基板上に珪素酸化物膜からなる接合層を介して圧電性材料基板が接合された接合体において、高周波歪みを低減することである。
　本発明は、シリコンからなる支持基板、
　圧電性材料基板、および
　前記支持基板の表面上に設けられた接合層であって、珪素酸化物膜からなる接合層
を有しており、前記接合層の屈折率が１．４６８以上、１．４７４以下であることを特徴とする、接合体に係るものである。
　また、本発明は、反応性イオンスパッタリング法によって、少なくとも不活性ガスおよび酸素ガスを流しながら、シリコンからなる支持基板の表面上に珪素酸化物膜からなる接合層を成長させるのに際して、前記不活性ガスの流量の前記酸素ガスの流量に対する比率（前記不活性ガスの流量／前記酸素ガスの流量）を１．５～２．０とする工程、および
　前記接合層を圧電性材料基板と接合する工程
を有することを特徴とする、接合体の製造方法に係るものである。
　本発明者は、反応性スパッタリング装置で酸化珪素膜を形成する場合において、膜質と高周波歪みの関係を調査した。具体的には、膜質の評価手法として、膜の屈折率をエリプソメーターで測定して、波長６３３ｎｍにおける値を算出し、指標とした。また、酸化珪素膜形成時にスパッタリング装置へ導入するアルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの流量比を変化させることで、酸化珪素膜の屈折率を変化させてみた。
　この結果、接合層の屈折率が１．４６８以上、１．４７４以下である場合に、高周波歪みが低減されることを発見した。
　また、不活性ガス／酸素ガス流量比を１．５～２．０の範囲に制御することで、高周波歪み成分を抑制することができた。
　こうした作用効果のメカニズムは明確ではないが、接合層を構成する酸化珪素膜中の酸素量が変化し、固定電荷量が減少したものと考えられる。
　この結果、本発明によれば、シリコンからなる支持基板上に珪素酸化物膜からなる接合層を介して圧電性材料基板が接合された接合体において、高周波歪みを低減することができる。
（ａ）は、圧電性材料基板４の接合面４ａをプラズマビームＡによって活性化した状態を示し、（ｂ）は、支持基板１の表面１ａに接合層２を形成した状態を示し、（ｃ）は、支持基板１上の接合層２の接合面２ａをプラズマビームＣによって活性化した状態を示す。 （ａ）は、圧電性材料基板４と支持基板１を接合した状態を示し、（ｂ）は、圧電性材料基板４Ａを加工によって薄くした状態を示し、（ｃ）は、圧電性材料基板４Ａ上に電極６を設けた状態を示す。 反応スパッタリング装置の概念図である。 アルゴンガス／酸素ガス流量比とターゲット放電電圧との関係を示すグラフである。
　以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
　図１、図２は、支持基板を圧電性材料基板に直接接合する製造例を説明するための模式図である。
　図１（ａ）に示すように、圧電性材料基板４は主面４ａと４ｂとを有する。矢印Ａのようにプラズマビームを圧電性材料基板４の主面４ａに照射し、主面４ａを活性化して活性化面とする。一方、図１（ｂ）に示すように、支持基板１の接合面１ａ上に、酸化珪素膜からなる接合層２を設ける。１ｂは接合面１ａとは反対側の主面である。次いで、図１（ｃ）に示すように、接合層２の接合面２ａにプラズマビームＣを照射することによって活性化し、活性化面とする。
　次いで、図２（ａ）に示すように、接合層２の活性化された接合面２ａと圧電性材料基板４の活性化された主面４ａとを直接接合することによって、接合体５を得る。
　次いで、接合体５の圧電性材料基板４の接合面４ｂを更に研磨加工し、図２（ｂ）に示すように圧電性材料基板４Ａの厚さを小さくし、接合体５Ａを得る。４ｃは研磨面である。
　図２（ｃ）では、圧電性材料基板４Ａの研磨面４ｃ上に所定の電極６を形成することによって、弾性波素子７を作製している。
　本発明では、支持基板はシリコンからなる。支持基板の相対密度は、接合強度の観点からは、９５．５％以上が好ましく、１００％であってもよい。相対密度はアルキメデス法によって測定する。また、支持基板の製法は特に限定されないが、焼結法であることが好ましい。
　支持基板を構成するシリコンは、高抵抗シリコンであることが好ましい。高抵抗シリコンとは、体積抵抗率が1000Ω・cm以上であるシリコンを意味する。高抵抗シリコンの体積抵抗率の上限は製造上の限界から通常は１０kΩ・cmである。
　圧電性材料基板の材質は、必要な圧電性を有する限り限定されないが、ＬｉＡＯ３の組成を有する単結晶が好ましい。ここで、Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である。このため、ＬｉＡＯ３は、ニオブ酸リチウムであってよく、タンタル酸リチウムであってよく、ニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウム固溶体であってよい。
　接合層の厚さは、特に限定されないが、製造コストの観点からは０．０１～１０μｍが好ましく、０．０1～０．５μｍが更に好ましい。
　接合層の屈折率は１．４６８以上、１．４７４以下とする。これによって高周波歪みを低減可能である。
　接合層の屈折率は、エリプソメーターにより、以下の条件下に測定する。
　すなわち、Si基板上に珪素酸化物を400nm～500nm成膜し、分光型エリプソメーターで屈折率を測定する。入射角および反射角を70°に設定し、波長200nm～1000nmまでの入射光を基板へ照射し、反射光の偏光状態から屈折率を算出する。
　接合層の成膜方法は反応性スパッタリング(sputtering)法が好ましい。
　すなわち、本発明者は、反応性スパッタリング装置で珪素酸化物膜を形成する場合において、膜質と高周波歪みの関係を調査した。この際、珪素酸化物膜の膜質の評価手法として、膜の屈折率をエリプソメーターで測定して、波長６３３ｎｍにおける値を算出し、指標としてみた。
　また、珪素酸化物膜の形成時に、スパッタリング装置へ導入する不活性ガスと酸素ガスの流量比を変化させることで意図的に屈折率を変化させることに成功した。
　反応性スパッタリング装置を用いた珪素酸化物膜の形成手順について、図３を参照しつつ更に述べる。
　装置の筐体１１の内部空間でターゲット１４と支持基板１とを対向させる。電源１３の正極は筐体１２に接続されており、負極はターゲット１４に接続されている。ターゲット１４としてはシリコンターゲットを用いる。そして、筐体１２の内部空間に不活性ガスと酸素ガスとを供給し、プラズマを生成させる。この結果、不活性ガスの原子１７はターゲット１４に向かって流れる。一方、酸素原子８およびシリコン原子９は支持基板１の表面に向かって流れる。余剰のガスは排出口１６から矢印Ｄのように排出される。この過程で、支持基板１上で酸素とシリコンの反応物である珪素酸化物が生ずる。
  ここで、本発明者は、流量比(不活性ガス／酸素ガス)を０．９～３．５の範囲で変化させながら珪素酸化物膜からなる接合層を成膜してみたところ、１．５～２．０の範囲においては、高周波歪み成分を抑制することができた。また、これによって、接合層の屈折率を１．４６８～１．４７４（波長６３３ｎｍ）に調整することができた。接合層の屈折率は、酸化珪素膜中に含まれる酸素比率を反映しているものと考えられる。
　なお、流量比(不活性ガス／酸素ガス)が０．９以上、１．５未満の範囲である場合には、反応性スパッタリングにおける成膜モードが、金属モードから酸化物モードへ切り替わることがわかった。これは、ターゲット放電電圧値の変化をモニタリングすることで判断できた。
　すなわち、図４は、定電力で放電を制御した場合における、不活性ガス（アルゴン）／酸素流量比率の変化と放電電圧の変化をプロットした結果を示すグラフである。前記流量比率が１．５以上になると前記放電電圧が安定する。しかし、前記流量比率が１．５未満になると、放電電圧が急激に低下し、かつヒステリシスが観測された。これは、筐体の内部空間が酸素リッチな状態となり、ターゲット表面が酸化することで、成膜モードが酸化物モードに切り替わったことによるものである。成膜モードが酸化物モードになると、成膜レートの低下や、ターゲット表面が酸化することで絶縁層が形成されて、異常放電（アーキング）が発生するので、接合層としては不適なものとなる。
　また、接合層を構成する酸化珪素膜の成膜速度は、０．１７～０．４[nm/sec]の範囲であることが好ましく、この範囲において前述のような屈折率の接合層がえられやすい。
　接合層の具体的な製造条件はチャンバー仕様によるので適宜選択するが、好適例では、全圧を０．２８～０．３４Ｐａとし、酸素分圧を１．２×１０―３～５．７×１０－２Ｐａとすることが好ましい。また、成膜温度は、常温～250℃とすることが好ましい。
　また、Ｓｉターゲットのドーパントとしては、Ｂを例示できる。
　反応性スパッタリング装置中に供給する不活性ガスとしては、アルゴンを例示できる。
　また、反応性スパッタリング時の電流は5～10Aが好ましく、電圧は500～900Vが好ましい。
　好適な実施形態においては、接合層の活性化された接合面と圧電性材料基板の活性化された接合面とが直接接合されている。言い換えると、接合層と圧電性材料基板との界面に沿って直接接合界面がある。この場合には、接合層の活性化された接合面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下であることが好ましく、０．３ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、圧電性材料基板の活性化された接合面の算術平均粗さＲａが１ｎｍ以下であることが好ましく、０．３ｎｍ以下であることが更に好ましい。これによって圧電性材料基板と接合層との接合強度が一層向上する。
　以下、本発明の各構成要素について更に説明する。
　本発明の接合体の用途は特に限定されず、例えば、弾性波素子や光学素子に好適に適用できる。
　弾性波素子としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子（ＦＢＡＲ）などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性材料基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極（櫛形電極、すだれ状電極ともいう）と弾性表面波を受信する出力側のＩＤＴ電極とを設けたものである。入力側のＩＤＴ電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電性材料基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のＩＤＴ電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
　圧電性材料基板の底面に金属膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとしてラム波素子を製造した際に、圧電性材料基板の裏面近傍の電気機械結合係数を大きくする役割を果たす。この場合、ラム波素子は、圧電性材料基板の表面に櫛歯電極が形成され、支持基板に設けられたキャビティによって圧電性材料基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、金などが挙げられる。なお、ラム波素子を製造する場合、底面に金属膜を有さない圧電性材料層を備えた複合基板を用いてもよい。
　また、圧電性材料基板の底面に金属膜と絶縁膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとして薄膜共振子を製造した際に、電極の役割を果たす。この場合、薄膜共振子は、圧電性材料基板の表裏面に電極が形成され、絶縁膜をキャビティにすることによって圧電性材料基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えば、モリブデン、ルテニウム、タングステン、クロム、アルミニウムなどが挙げられる。また、絶縁膜の材質としては、例えば、二酸化ケイ素、リンシリカガラス、ボロンリンシリカガラスなどが挙げられる。
　また、光学素子としては、光スイッチング素子、波長変換素子、光変調素子を例示できる。また、圧電性材料基板中に周期分極反転構造を形成することができる。
　本発明の対象が弾性波素子であり、圧電性材料基板の材質がタンタル酸リチウムである場合には、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に３６～４７°（例えば４２°）回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。また圧電性材料基板がニオブ酸リチウムからなる場合には、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に６０～６８°（例えば６４°）回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。更に、圧電性材料基板の大きさは、特に限定されないが、例えば、直径５０～１５０ｍｍ，厚さが０．２～６０μｍである。
　本発明の接合体を得るためには、以下の方法が好ましい。
　まず接合層の接合面および圧電性材料基板の接合面にプラズマを照射することで、各平坦面を活性化する。
　表面活性化時の雰囲気は、窒素や酸素を含有する雰囲気とする。この雰囲気は、酸素のみであってよく、窒素のみであってよく、あるいは酸素と、窒素、水素、およびアルゴンとの混合ガスであってよい。混合ガスの場合には、特に限定されるものではないが、接合強度との関係によりその比率を適宜調整してもよい。
　表面活性化時の雰囲気圧力は、１００Ｐａ以下が好ましく、８０Ｐａ以下が更に好ましい。また、雰囲気圧力は、３０Ｐａ以上が好ましく、５０Ｐａ以上が更に好ましい。
　プラズマ照射時の温度は１５０℃以下とする。これによって、接合強度が高く、かつ圧電性材料の劣化のない接合体７が得られる。この観点から、プラズマ照射時の温度を１５０℃以下とするが、１００℃以下とすることが更に好ましい。
　また、プラズマ照射時のエネルギーは、３０～１５０Ｗが好ましい。また、プラズマ照射時のエネルギーと照射時間との積は、０．１～１．０Ｗｈが好ましい。
　好適な実施形態においては、プラズマ処理前に、圧電性材料基板の接合面４ａおよび接合層の接合面２ａを平坦化加工する。各接合面２ａ、４ａを平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。また、平坦面の算術平均粗さＲａは、１ｎｍ以下が好ましく、０．３ｎｍ以下が更に好ましい。
  次いで、圧電性材料基板の活性化された接合面と接合層の活性化された接合面とを接触させ、接合する。この後、好ましくは、接合体を熱処理することで、圧電性材料基板の研磨加工に耐える強度を与えることができる。こうした熱処理温度は、１００～１５０℃とすることが好ましい。この実施形態においては、この熱処理の後に圧電性材料基板を加工することで厚さを小さくすることができる。
　次いで、真空雰囲気で、活性化面同士を接触させ、接合する。この際の温度は常温であるが、具体的には40℃以下が好ましく、30℃以下が更に好ましい。また、接合時の温度は20℃以上、25℃以下が特に好ましい。接合時の圧力は、100～20000Nが好ましい。
　図１～図３を参照しつつ説明した方法に従って、表１に示す各例の接合体を作製した。
　具体的には、ＯＦ部を有し、直径が４インチ，厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）を、圧電性材料基板４として使用した。ＬＴ基板は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。圧電性材料基板４の接合面４ａは、算術平均粗さＲａが０．３ｎｍとなるように鏡面研磨しておいた。ただし、Ｒａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって１０μｍ×１０μｍの視野で測定する。
　一方、支持基板１として、オリエンテーションフラット（ＯＦ）部を有し、直径が４インチ，厚さが２３０μｍの高抵抗（≧２ｋΩ・cm）シリコンからなる支持基板１を用意した。支持基板１の表面１ａ、１ｂは、化学機械研磨加工（ＣＭＰ）によって仕上げ加工されており、各算術平均粗さＲａは０．２ｎｍとなっている。
　次いで、支持基板の表面上に、ＳｉＯ２からなる接合層２を1μm成膜し、その接合面２ａをCMPで約０．１μｍ研磨し、平坦化した。
　次いで、純水を用いた超音波洗浄を実施し、スピンドライにより圧電性材料基板および接合層の接合面を乾燥させた。次いで、洗浄後の支持基板をプラズマ活性化チャンバーに導入し、窒素ガスプラズマで３０℃で接合面を活性化した。また、圧電性材料基板を同様にプラズマ活性化チャンバーに導入し、窒素ガスプラズマで３０℃で接合層の接合面を表面活性化した。表面活性化時間は４０秒とし、エネルギーは１００Wとした。表面活性化中に付着したパーティクルを除去する目的で、上述と同じ超音波洗浄、スピンドライを再度実施した。
　次いで、圧電性材料基板の接合面と接合層の接合面の位置合わせを行い、室温で活性化した接合面同士を接触させた。重ね合わせた基板の中心を加圧した結果、基板同士の密着が広がる様子（いわゆるボンディングウェーブ）が観測され、良好に予備接合が行われたことが確認できた。次いで、接合体を窒素雰囲気のオーブンに投入し、１３０℃で4時間加熱した。
　オーブンから取り出した接合体の圧電性材料基板の表面を研削加工、研磨加工により1μmまで薄化した。
　ここで、接合層２は、図３を参照しつつ説明した手順に従い、反応性スパッタリング法によって成膜した。ただし、筐体の内部空間の全圧を0.1～0.2Paとし、電流を5～10Aとし、電圧を500～900Vとした。また、アルゴンガスと酸素ガスとの流量比率を０．９０～３．５０の範囲内で変更した。
　各例の接合層について、エリプソメーターによって６３３ｎｍでの屈折率を測定し、結果を表１に示す。更に、得られた素子の２次高調波の大きさを表１に示す（比較例１の２次高調波の大きさを０．０％として規格化した）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　この結果、流量比率０．９から１．５の範囲内では、図４に示すようにターゲット放電電圧が変化していた。すなわち、流量比率１．５未満では反応性スパッタリングにおける成膜モードが、金属モードから酸化物モードへ切り替わることがわかった。
　また、不活性ガスの流量／酸素ガスの流量）を１．５～２．０（特に好ましくは１．６７以下）とすることで、接合層の屈折率を１．４６８以上、１．４７４以下（特に好ましくは１．４７２以上）で調整できた。また、珪素酸化物膜の成膜速度は０．１７～０．４（ｎｍ／ｓｅｃ）であった。そして、こうした範囲内で、２次高調波の大きさを大きく低減することに成功した。

 

Claims (6)

  1. 　シリコンからなる支持基板、
    　圧電性材料基板、および
    　前記支持基板の表面上に設けられた接合層であって、珪素酸化物膜からなる接合層
    を有しており、前記接合層の屈折率が１．４６８以上、１．４７４以下であることを特徴とする、接合体。
  2. 　前記圧電性材料基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項１記載の接合体。
  3. 　反応性イオンスパッタリング法によって、少なくとも不活性ガスおよび酸素ガスを流しながら、シリコンからなる支持基板の表面上に珪素酸化物膜からなる接合層を成長させるのに際して、前記不活性ガスの流量の前記酸素ガスの流量に対する比率（前記不活性ガスの流量／前記酸素ガスの流量）を１．５～２．０とする工程、および
    　前記接合層を圧電性材料基板と接合する工程
    を有することを特徴とする、接合体の製造方法。
  4. 　前記珪素酸化物膜の成膜速度を０．１７～０．４（ｎｍ／ｓｅｃ）とすることを特徴とする、請求項３記載の方法。
  5. 　前記接合層の屈折率が１．４６８以上、１．４７４以下であることを特徴とする、請求項３または４記載の方法。
  6. 　前記圧電性材料基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム－タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項３～５のいずれか一つの請求項に記載の方法。

     
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7213314B2 (en) 2002-07-03 2007-05-08 Triquint, Inc. Method of forming a surface acoustic wave (SAW) filter device
JP2010040877A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Seiko Epson Corp 接合方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
JP2016225537A (ja) 2015-06-02 2016-12-28 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2783550B2 (ja) * 1988-07-27 1998-08-06 富士通株式会社 弾性表面波発振素子
JPH04258008A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法
DE102005055870A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
JP4289399B2 (ja) * 2006-06-22 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法
CN110463038B (zh) * 2017-03-31 2020-05-22 日本碍子株式会社 接合体和弹性波元件
DE112019004570B4 (de) * 2018-10-17 2022-10-13 Ngk Insulators, Ltd. Verbundener Körper und Akustikwellenelement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7213314B2 (en) 2002-07-03 2007-05-08 Triquint, Inc. Method of forming a surface acoustic wave (SAW) filter device
JP2010040877A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Seiko Epson Corp 接合方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
JP2016225537A (ja) 2015-06-02 2016-12-28 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Control of fixed charge at Si-Si02 interface by oxidation-reduction treatments", APPL. PHYS. LETT., vol. 22, no. 8, 15 April 1973 (1973-04-15)
"Impact of Si substrate resistivity on the non — linear behaviour of RF CPW transmission lines", PROCEEDINGS OF THE 3RD EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE, January 2008 (2008-01-01)
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