JP6612002B1 - 接合体および弾性波素子 - Google Patents
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Abstract
Description
多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる支持基板、
圧電性単結晶基板、および
前記支持基板と前記圧電性単結晶基板との間に設けられた接合層を備えており、前記接合層がSi(1−x)Ox(xは酸素比率である)の組成を有しており、前記接合層の前記圧電性単結晶基板側の端部から前記接合層の前記支持基板側の端部へと向かって前記酸素比率が増加または減少しており、前記接合層における前記酸素比率xの最大値が0.013以上、0.666以下であり、前記酸素比率xの最小値が0.001以上、0.408以下であることを特徴とする。
前記記載の接合体、および
前記圧電性単結晶基板上に設けられた電極を備えていることを特徴とする。
図1、図2は、圧電性単結晶基板4上に接合層2を設け、これを支持基板1の表面1aに直接接合する実施形態に係るものである。
0.005以上とすることが好ましく、また0.3以下とすることが好ましい。
すなわち、図4(a)に示すように、支持基板1の表面1aに接合層12を設ける。この時点では、接合層12の表面12aには凹凸があってもよい。
本発明では、支持基板1は多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる。支持基板1を構成する単結晶材料としては、シリコンおよびサファイアが好ましい。また多結晶セラミックス材料としては、ムライト、コージェライト、透光性アルミナ、およびサイアロンからなる群より選ばれた材質が好ましい。
接合層2、2A、12、12Aの厚さTは、特に限定されないが、製造コストの観点からは0.01〜10μmが好ましく、0.05〜0.5μmが更に好ましい。
ビーム照射による活性化時の電圧は0.5〜2.0kVとすることが好ましく、電流は50〜200mAとすることが好ましい。
弾性波素子7、17としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子(FBAR)などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性単結晶基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のIDT(Interdigital Transducer)電極(櫛形電極、すだれ状電極ともいう)と弾性表面波を受信する出力側のIDT電極とを設けたものである。入力側のIDT電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のIDT電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
図1〜図3を参照しつつ説明した方法に従って、表1に示す各例の接合体5、5Aおよび弾性波素子7を作製した。
具体的には、OF部を有し、直径が4インチ,厚さが250μmのタンタル酸リチウム基板(LT基板)を、圧電性単結晶基板4として使用した。LT基板は、弾性表面波(SAW)の伝搬方向をXとし、切り出し角が回転Yカット板である46°YカットX伝搬L
T基板を用いた。圧電性単結晶基板4の表面4aは、算術平均粗さRaが0.3nmとなるように鏡面研磨しておいた。ただし、Raは、原子間力顕微鏡(AFM)によって10μm×10μmの視野で測定する。
(接合層2A中の酸素比率(x))
接合層2Aを、ラザフォード後方散乱法によって以下の条件で評価した。
装置:National Electrostatics Corporation製Pelletron 3SDH
条件:入射イオン:4He++
入射エネルギー:2300keV
入射角:0〜4deg
散乱角:110deg
試料電流:10nA
ビーム径:2mmφ
面内回転:無し
照射量:70μC
得られた結果を解析し、接合層2Aの深さ方向の元素分布を得た。解析には以下のパラメータを用いた。
接合層2Aの膜厚:光学式非接触膜厚測定装置(ナノメトリクス社 ナノスペック膜厚測定器モデル5000)にて測定した値
タンタル酸リチウムの原子数密度:9.52×1022atoms/cm3
上記のようにして得られた接合層2Aの膜厚の測定値と、接合層2Aの深さ(厚さ)方向の元素分布(酸素比率分布を含む)とを照合することによって、接合層2Aの圧電性単結晶基板4A側の端部における酸素比率xBおよび接合層2Aの支持基板1側の酸素比率xAを読み取った。この際、各端部における酸素比率xB、xAの測定値は、各界面から厚さ5nmの範囲内における測定値である。
各例の接合体5Aについて、クラックオープニング法によって接合強度を測定した。
次いで、弾性波素子7を作製し、Q値を測定した。
具体的には、弾性表面波を発生させるIDT電極6は、フォトリソグラフィー工程を経て形成した。電極6を形成後、ダイシングにより小片化し、伝搬方向5mm、その垂直方向4mmの弾性波素子チップを得た。
これらの測定結果を表1に示す。
実験Aと同様にして接合体5Aおよび弾性波素子7を作製した。ただし、実験Aにおいて、接合層2Aにおける酸素比率xを、表2に示すように変更した。得られた各接合体5Aおよび弾性波素子7について、実施例Aと同様にして接合強度およびQ値を測定し、結果を表2に示す。
本実験Cでは、実験Aと異なり、図4〜図6に示すように、接合層12を、圧電性単結晶基板4上ではなく、支持基板1上に成膜した。
具体的には、オリエンテーションフラット(OF)部を有し、直径が4インチ,厚さが500μmの支持基板1を用意した。支持基板1の表面1a、1bは、化学機械研磨加工(CMP)によって仕上げ加工されており、各表面の算術平均粗さRaは0.3〜1.0nmである。圧電性単結晶基板4は実験Aと同様とした。
次いで、圧電性単結晶基板4の表面4bを厚みが当初の250μmから1μmになるように研削及び研磨して、接合体15Aを得た(図5(b)参照)。
実験Aと同様にして接合体5Aおよび弾性波素子7を作製した。ただし、実験Aにおいて、支持基板1の材質を、表4に示すように変更した。すなわち、支持基板1の材質を、実施例7ではサファイア、実施例8ではムライト、実施例9ではコージェライト、実施例10では透光性アルミナ焼結体、実施例11ではサイアロンとした。得られた各接合体5Aおよび弾性波素子7について、実施例Aと同様にして接合強度およびQ値を測定し、結果を表4に示す。
Claims (6)
- 多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる支持基板、
圧電性単結晶基板、および
前記支持基板と前記圧電性単結晶基板との間に設けられた接合層を備えており、前記接合層がSi(1−x)Ox(xは酸素比率である)の組成を有しており、前記接合層の前記圧電性単結晶基板側の端部から前記接合層の前記支持基板側の端部へと向かって前記酸素比率が増加または減少しており、前記接合層における前記酸素比率xの最大値が0.013以上、0.666以下であり、前記酸素比率xの最小値が0.001以上、0.408以下であることを特徴とする、接合体。 - 前記接合層の前記圧電性単結晶基板側の前記端部から前記接合層の前記支持基板側の前記端部へと向かって前記酸素比率が減少しており、前記接合層の前記圧電性単結晶基板側の前記端部における前記酸素比率xが0.013以上、0.666以下であり、前記接合層の前記支持基板側の前記端部における前記酸素比率xが0.001以上、0.408以下であることを特徴とする、請求項1記載の接合体。
- 前記接合層の前記圧電性単結晶基板側の前記端部から前記接合層の前記支持基板側の前記端部へと向かって前記酸素比率が増加しており、前記接合層の前記圧電性単結晶基板側の前記端部における前記酸素比率xが0.001以上、0.408以下であり、前記接合層の前記支持基板側の前記端部における前記酸素比率xが0.013以上、0.666以下であることを特徴とする、請求項1記載の接合体。
- 前記支持基板が、シリコン、サファイア、ムライト、コージェライト、透光性アルミナおよびサイアロンからなる群より選ばれた材質からなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
- 前記圧電性単結晶基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の接合体。
- 請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の接合体、および
前記圧電性単結晶基板上に設けられた電極を備えていることを特徴とする、弾性波素子。
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