CN116941182A - 接合体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于，针对借助由硅氧化物膜形成的接合层而将压电性材料基板接合在包含硅的支撑基板上得到的接合体，抑制高频失真。接合体5A具有：包含硅的支撑基板1、压电性材料基板4A、以及设置在支撑基板1的表面1a上的接合层2，该接合层2由硅氧化物膜形成。接合层2的折射率为1.468以上1.474以下。

Description

接合体及其制造方法
技术领域
本发明涉及压电性材料基板与包含硅的支撑基板的接合体。
背景技术
已知移动电话等中所使用的能够作为滤波元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电性材料基板贴合、在压电性材料基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。
在将压电性材料基板与硅基板接合时，已知在压电性材料基板表面形成硅氧化物膜，借助硅氧化物膜而将压电性材料基板与硅基板直接键合(专利文献1、2)。该接合时，对硅氧化物膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接键合(等离子体活化法)。等离子体活化法中，能够于比较低的温度(400℃)进行接合。
另一方面，已知：在采用了SOI(Silicon-on-Insulator、在Si晶片上形成有SiO2膜的结构)晶片的SAW滤波器中，因在SiO2膜与Si晶片界面产生的固定电荷的影响而出现高频失真(非专利文献1)。
另外，有报道称：该固定电荷量根据SiO2膜的膜质不同而发生变化，如果SiO2膜为低氧膜，则固定电荷增加(非专利文献2)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：“Impact of Si substrate resistivity on the non-linearbehaviour of RF CPW transmission lines”(1/2008)Proceedings of the 3rdEuropean Microwave Integrated Circuits Conference
非专利文献2：“Control of fixed charge at Si-SiO2 interface byoxidation-reduction treatments”(1/1973))Appl.Phys.Lett.,Vol.22,No.8,15April1973
专利文献
专利文献1：日本特开2016-225537
专利文献2：美国专利第7213314B2
发明内容
根据以上内容，只能够推定到SiO2膜的膜质控制对抑制高频失真有效，但是，关于通过膜质控制来抑制高频失真及其控制方法，至今不清楚。
本发明的课题在于，针对借助由硅氧化物膜形成的接合层而将压电性材料基板接合在包含硅的支撑基板上得到的接合体，减少高频失真。
本发明涉及一种接合体，其特征在于，具有：
支撑基板，该支撑基板包含硅；
压电性材料基板；以及
接合层，该接合层由硅氧化物膜形成，且设置在所述支撑基板的表面上，
所述接合层的折射率为1.468以上1.474以下。
另外，本发明涉及一种接合体的制造方法，其特征在于，包括：
在至少使不活泼性气体及氧气流通的状态下，通过反应性离子溅射法，使由硅氧化物膜形成的接合层在包含硅的支撑基板的表面上生长时，将所述不活泼性气体的流量相对于所述氧气的流量的比率(所述不活泼性气体的流量/所述氧气的流量)设为1.5～2.0的工序、以及
将所述接合层与压电性材料基板接合的工序。
发明效果
本发明的发明人在利用反应性溅射装置形成氧化硅膜的情况下，调查了膜质与高频失真之间的关系。具体而言，作为膜质的评价方法，利用椭偏仪，测定膜的折射率，计算出波长633nm时的值，将其设为指标。另外，尝试了通过在氧化硅膜形成时使向溅射装置导入的氩气等不活泼性气体和氧气的流量比发生变化来改变氧化硅膜的折射率。
结果发现：接合层的折射率为1.468以上1.474以下的情况下，高频失真降低。
另外，通过将不活泼性气体/氧气流量比控制在1.5～2.0的范围内，能够抑制高频失真成分。
其作用效果的机制尚不明确，不过，认为是：构成接合层的氧化硅膜中的氧量发生变化，使得固定电荷量减少。
结果，根据本发明，针对借助由硅氧化物膜形成的接合层而将压电性材料基板接合在包含硅的支撑基板上得到的接合体，能够降低高频失真。
附图说明
图1中，(a)表示将压电性材料基板4的接合面4a利用等离子束A进行活化后的状态，(b)表示在支撑基板1的表面1a形成有接合层2的状态，(c)表示将支撑基板1上的接合层2的接合面2a利用等离子束C进行活化后的状态。
图2中，(a)表示将压电性材料基板4和支撑基板1接合后的状态，(b)表示通过加工使压电性材料基板4A变薄后的状态，(c)表示在压电性材料基板4A上设置有电极6的状态。
图3是反应溅射装置的概念图。
图4是表示氩气/氧气流量比与目标放电电压之间的关系的曲线图。
具体实施方式
以下，适当参照附图，对本发明详细地进行说明。
图1、图2是用于说明将支撑基板与压电性材料基板直接键合的制造例的示意图。
如图1(a)所示，压电性材料基板4具有主面4a、4b。像箭头A那样，对压电性材料基板4的主面4a照射等离子束，使主面4a活化，制成活化面。另一方面，如图1(b)所示，在支撑基板1的接合面1a上设置由氧化硅膜形成的接合层2。1b为与接合面1a相反一侧的主面。接下来，如图1(c)所示，对接合层2的接合面2a照射等离子束C，进行活化，制成活化面。
接下来，如图2(a)所示，将接合层2的已活化的接合面2a和压电性材料基板4的已活化的主面4a进行直接键合，由此得到接合体5。
接下来，对接合体5的压电性材料基板4的接合面4b进一步进行研磨加工，如图2(b)所示，使压电性材料基板4A的厚度变小，得到接合体5A。4c为研磨面。
图2(c)中，在压电性材料基板4A的研磨面4c上形成规定的电极6，由此制作弹性波元件7。
本发明中，支撑基板包含硅。从接合强度的观点出发，支撑基板的相对密度优选为95.5％以上，可以为100％。相对密度利用阿基米德法进行测定。另外，支撑基板的制法没有特别限定，优选为烧结法。
构成支撑基板的硅优选为高阻硅。高阻硅是指体积电阻率为1000Ω·cm以上的硅。从制造上的极限考虑，高阻硅的体积电阻率的上限通常为10kΩ·cm。
压电性材料基板的材质只要具有必要的压电性就没有限定，优选为具有LiAO3的组成的单晶。此处，A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上的元素。因此，LiAO3可以为铌酸锂，也可以为钽酸锂，还可以为铌酸锂-钽酸锂固溶体。
接合层的厚度没有特别限定，从制造成本的观点出发，优选为0.01～10μm，更优选为0.01～0.5μm。
接合层的折射率设为1.468以上1.474以下。据此，能够降低高频失真。
接合层的折射率利用椭偏仪在以下的条件下进行测定。
即，在Si基板上将硅氧化物成膜为400nm～500nm，利用分光型椭偏仪，测定折射率。将入射角及反射角设定为70°，向基板照射波长200nm～1000nm的入射光，根据反射光的偏光状态计算出折射率。
接合层的成膜方法优选为反应性溅射(sputtering)法。
即，本发明的发明人在利用反应性溅射装置形成硅氧化物膜的情况下，调查了膜质与高频失真之间的关系。此时，作为硅氧化物膜的膜质的评价方法，尝试利用椭偏仪对膜的折射率进行测定，计算出波长633nm时的值，设为指标。
另外，在硅氧化物膜形成时，使向溅射装置导入的不活泼性气体和氧气的流量比发生变化，由此成功地使得折射率发生变化。
参照图3，对采用了反应性溅射装置的硅氧化物膜形成步骤进一步进行说明。
在装置的壳体11的内部空间，使靶14和支撑基板1对置。电源13的正极与壳体12连接，负极与靶14连接。作为靶14，采用硅靶。并且，向壳体12的内部空间供给不活泼性气体和氧气，使其生成等离子体。结果，不活泼性气体的原子17朝向靶14流动。另一方面，氧原子8及硅原子9朝向支撑基板1的表面流动。剩余气体像箭头D那样从排出口16排出。在该过程中，在支撑基板1上产生氧与硅的反应物、即硅氧化物。
此处，本发明的发明人尝试使流量比(不活泼性气体/氧气)在0.9～3.5的范围内进行变化，在该状态下，将由硅氧化物膜形成的接合层成膜，结果，在1.5～2.0的范围内，能够抑制高频失真成分。另外，由此能够将接合层的折射率调整为1.468～1.474(波长633nm)。认为接合层的折射率反映出氧化硅膜中包含的氧比率。
另外，可知：流量比(不活泼性气体/氧气)为0.9以上且小于1.5的范围的情况下，反应性溅射中的成膜模式从金属模式向氧化物模式切换。通过对目标放电电压值的变化进行监测，能够判断该模式切换。
即，图4是表示对以恒功率控制放电时的、不活泼性气体(氩)/氧流量比率的变化和放电电压的变化进行作图得到的结果的曲线图。如果上述流量比率为1.5以上，则上述放电电压稳定。但是，如果上述流量比率小于1.5，则放电电压急剧降低，且观测到迟滞。这是因为：壳体的内部空间为富氧状态，钯表面发生氧化，由此成膜模式切换为氧化物模式。当成膜模式成为氧化物模式时，成膜速率降低，因靶表面氧化而形成绝缘层，产生异常放电(击穿)，因此，不适合作为接合层。
另外，构成接合层的氧化硅膜的成膜速度优选为0.17～0.4[nm/sec]的范围，在该范围内，容易得到如上所述的折射率的接合层。
接合层的具体制造条件取决于腔室规格，因此，进行适当选择，优选例中，优选使总压为0.28～0.34Pa，使氧分压为1.2×10-3～5.7×10-2Pa。另外，成膜温度优选为常温～250℃。
另外，作为Si靶的掺杂物，可例示B。
作为向反应性溅射装置中供给的不活泼性气体，可例示氩。
另外，反应性溅射时的电流优选为5～10A，电压优选为500～900V。
优选的实施方式中，接合层的已活化的接合面和压电性材料基板的已活化的接合面进行直接键合。换言之，沿着接合层与压电性材料基板的界面而存在直接键合界面。这种情况下，接合层的已活化的接合面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。另外，压电性材料基板的已活化的接合面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。据此，压电性材料基板与接合层的接合强度进一步提高。
以下，对本发明的各构成要素进一步进行说明。
本发明的接合体的用途没有特别限定，例如能够很好地应用于弹性波元件、光学元件。
作为弹性波元件，已知弹性表面波器件、兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR)等。例如，弹性表面波器件在压电性材料基板的表面设置了激发弹性表面波的输入侧的IDT(Interdigital Transducer)电极(也称为梳形电极、帘状电极)和接收弹性表面波的输出侧的IDT电极。如果对输入侧的IDT电极施加高频信号，则在电极间产生电场，激发弹性表面波，并在压电性材料基板上传播。而且，从在传播方向上设置的输出侧的IDT电极，能够将传播的弹性表面波作为电信号输出。
可以在压电性材料基板的底面具有金属膜。在制造兰姆波元件作为弹性波器件时，金属膜发挥增大压电性材料基板的背面附近的机电耦合系数的作用。这种情况下，兰姆波元件成为如下结构：在压电性材料基板的表面形成梳齿电极，利用在支撑基板设置的空腔，压电性材料基板的金属膜露出。作为这样的金属膜的材质，例如可以举出：铝、铝合金、铜、金等。应予说明，制造兰姆波元件的情况下，可以使用包括在底面不具有金属膜的压电性材料层的复合基板。
另外，可以在压电性材料基板的底面具有金属膜和绝缘膜。在制造薄膜谐振器作为弹性波器件时，金属膜发挥电极的作用。这种情况下，薄膜谐振器成为如下结构：在压电性材料基板的表面和背面形成电极，通过使绝缘膜成为空腔，从而压电性材料基板的金属膜露出。作为这样的金属膜的材质，例如可以举出：钼、钌、钨、铬、铝等。另外，作为绝缘膜的材质，例如可以举出：二氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等。
另外，作为光学元件，可例示：光开关元件、波长变换元件、光调制元件。另外，在压电性材料基板中能够形成周期极化反转结构。
本发明的对象为弹性波元件，在压电性材料基板的材质为钽酸锂的情况下，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、从Y轴向Z轴旋转了36～47°(例如42°)的方向的压电性材料基板由于传播损失小，因此优选。另外，在压电性材料基板包含铌酸锂的情况下，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、从Y轴向Z轴旋转了60～68°(例如64°)的方向的压电性材料基板由于传播损失小，因此优选。进而，压电性材料基板的大小没有特别限定，例如直径为50～150mm，厚度为0.2～60μm。
为了得到本发明的接合体，优选以下的方法。
首先，对接合层的接合面及压电性材料基板的接合面照射等离子体，由此将各平坦面活化。
表面活化时的气氛采用含有氮、氧的气氛。该气氛可以仅为氧，也可以仅为氮，或者可以为氧和氮、氢及氩的混合气体。混合气体的情况下，没有特别限定，可以根据与接合强度之间的关系来适当调整其比率。
表面活化时的气氛压力优选为100Pa以下，更优选为80Pa以下。另外，气氛压力优选为30Pa以上，更优选为50Pa以上。
等离子体照射时的温度设为150℃以下。据此，得到接合强度高且压电性材料没有劣化的接合体7。从该观点出发，使等离子体照射时的温度为150℃以下，优选为100℃以下。
另外，等离子体照射时的能量优选为30～150W。另外，等离子体照射时的能量与照射时间之积优选为0.1～1.0Wh。
优选的实施方式中，在等离子体处理前，对压电性材料基板的接合面4a及接合层的接合面2a进行平坦化加工。各接合面2a、4a的平坦化方法有精研(lap)研磨、化学机械研磨加工(CMP)等。另外，平坦面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。
接下来，使压电性材料基板的已活化的接合面和接合层的已活化的接合面接触，进行接合。然后，优选为，对接合体进行热处理，由此可以赋予能够耐受压电性材料基板的研磨加工的强度。该热处理温度优选为100～150℃。该实施方式中，通过在该热处理之后对压电性材料基板进行加工，能够使厚度变小。
接下来，在真空气氛中，使活化面彼此接触，进行接合。此时的温度为常温，具体而言，优选为40℃以下，更优选为30℃以下。另外，接合时的温度特别优选为20℃以上且25℃以下。接合时的压力优选为100～20000N。
实施例
按参照图1～图3进行说明的方法，制作表1所示的各例的接合体。
具体而言，使用具有OF部、直径为4英寸、厚度为250μm的钽酸锂基板(LT基板)作为压电性材料基板4。LT基板使用了将弹性表面波(SAW)的传播方向作为X、切出角为旋转Y切割板的46°Y切割X传播LT基板。对压电性材料基板4的接合面4a进行了镜面研磨以使算术平均粗糙度Ra成为0.3nm。其中，Ra是利用原子力显微镜(AFM)在10μm×10μm的视野内测定的。
另一方面，作为支撑基板1，准备了具有定向平面(OF)部、直径为4英寸、厚度为230μm的包含高阻(≥2kΩ·cm)硅的支撑基板1。将支撑基板1的表面1a、1b利用化学机械研磨加工(CMP)进行精加工，使得各算术平均粗糙度Ra为0.2nm。
接下来，在支撑基板的表面上，将包含SiO2的接合层2成膜为1μm，并将其接合面2a利用CMP研磨约0.1μm，进行平坦化。
接下来，采用纯水，实施超声波清洗，通过旋转蒸发，使压电性材料基板及接合层的接合面干燥。接下来，将清洗后的支撑基板向等离子体活化腔室导入，利用氮气等离子体于30℃使接合面活化。另外，将压电性材料基板同样地向等离子体活化腔室导入，利用氮气等离子体于30℃使接合层的接合面进行表面活化。表面活化时间为40秒，能量为100W。出于除去表面活化中附着的颗粒的目的，再次实施与上述相同的超声波清洗、旋转蒸发。
接下来，进行压电性材料基板的接合面和接合层的接合面的对位，于室温使活化后的接合面彼此接触。对重合的基板的中心进行加压，结果观测到基板彼此的密接扩展的情况(所谓的键合波)，能够确认到良好地进行了预接合。接下来，将接合体放入氮气氛的烘箱中，于130℃进行4小时加热。
通过磨削加工、研磨加工，将从烘箱取出的接合体的压电性材料基板的表面减薄至1μm。
此处，按照参照图3说明的步骤，通过反应性溅射法，将接合层2成膜。其中，使壳体的内部空间的总压为0.1～0.2Pa，使电流为5～10A，使电压为500～900V。另外，将氩气和氧气的流量比率在0.90～3.50的范围内进行变更。
针对各例的接合层，利用椭偏仪，对633nm时的折射率进行测定，将结果示于表1。进而，将得到的元件的二次谐波的大小示于表1(将比较例1的二次谐波的大小标准化为0.0％)。
表1
结果，在流量比率0.9至1.5的范围内，如图4所示，目标放电电压发生变化。即，可知：在流量比率小于1.5时，反应性溅射中的成膜模式从金属模式向氧化物模式切换。
另外，通过使不活泼性气体的流量/氧气的流量为1.5～2.0(特别优选为1.67以下)，能够将接合层的折射率在1.468以上1.474以下(特别优选为1.472以上)的范围内进行调整。另外，硅氧化物膜的成膜速度为0.17～0.4(nm/sec)。并且，在该范围内，成功使二次谐波的大小大幅降低。

Claims (6)

1.一种接合体，其特征在于，具有：
支撑基板，该支撑基板包含硅；
压电性材料基板；以及
接合层，该接合层由硅氧化物膜形成，且设置在所述支撑基板的表面上，
所述接合层的折射率为1.468以上1.474以下。
2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，
所述压电性材料基板由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成。
3.一种接合体的制造方法，其特征在于，包括：
在至少使不活泼性气体及氧气流通的状态下，通过反应性离子溅射法，使由硅氧化物膜形成的接合层在包含硅的支撑基板的表面上生长时，将所述不活泼性气体的流量相对于所述氧气的流量的比率、即所述不活泼性气体的流量/所述氧气的流量设为1.5～2.0的工序、以及
将所述接合层与压电性材料基板接合的工序。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
将所述硅氧化物膜的成膜速度设为0.17～0.4nm/sec。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，
所述接合层的折射率为1.468以上1.474以下。
6.根据权利要求3～5中的任一项所述的方法，其特征在于，
所述压电性材料基板由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成。
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2783550B2 (ja) * 1988-07-27 1998-08-06 富士通株式会社 弾性表面波発振素子
JPH04258008A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法
US7105980B2 (en) 2002-07-03 2006-09-12 Sawtek, Inc. Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics
DE102005055870A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
JP4289399B2 (ja) * 2006-06-22 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法
JP2010040877A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Seiko Epson Corp 接合方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
JP6454606B2 (ja) 2015-06-02 2019-01-16 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
WO2018180827A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日本碍子株式会社 接合体および弾性波素子
DE112019004570B4 (de) * 2018-10-17 2022-10-13 Ngk Insulators, Ltd. Verbundener Körper und Akustikwellenelement

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