JP2003193284A - 電気ニッケルめっき液 - Google Patents
電気ニッケルめっき液Info
- Publication number
- JP2003193284A JP2003193284A JP2001399721A JP2001399721A JP2003193284A JP 2003193284 A JP2003193284 A JP 2003193284A JP 2001399721 A JP2001399721 A JP 2001399721A JP 2001399721 A JP2001399721 A JP 2001399721A JP 2003193284 A JP2003193284 A JP 2003193284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- nickel
- plating
- plating solution
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミック部分を浸食することなく、めっきさ
れる部分にのみ効率よくニッケルめっきを施すことがで
きるニッケルめっき液の提供。 【解決手段】ａ）ニッケルイオン、および ｂ）アミノポリカルボン酸、ポリカルボン酸、およびポ
リホスホン酸からなる群から選択される少なくとも２種
のキレート剤を含み、ｐＨが５−７の範囲であり、ニッ
ケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃｌ−）が
１よりも大きい、電気ニッケルめっき液。
れる部分にのみ効率よくニッケルめっきを施すことがで
きるニッケルめっき液の提供。 【解決手段】ａ）ニッケルイオン、および ｂ）アミノポリカルボン酸、ポリカルボン酸、およびポ
リホスホン酸からなる群から選択される少なくとも２種
のキレート剤を含み、ｐＨが５−７の範囲であり、ニッ
ケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃｌ−）が
１よりも大きい、電気ニッケルめっき液。
Description
【０００１】本発明はニッケルめっきに関し、より詳細
にはセラミック複合材に対して好適に使用されるニッケ
ルめっき液、このめっき液を用いるめっき方法、および
得られる製品に関する。
にはセラミック複合材に対して好適に使用されるニッケ
ルめっき液、このめっき液を用いるめっき方法、および
得られる製品に関する。
【０００２】ニッケルめっきは、スズめっき、はんだめ
っき、金めっきなどの下地めっきとして電子工業の分野
で広く利用されている。このような用途で使用するニッ
ケルめっきは浴は、ワット浴、全塩化物浴、スルファミ
ン酸浴、ホウフッ化酸浴等の強酸性のめっき液が広く用
いられている。セラミックを複合化したチップ抵抗、チ
ップコンデンサーなどの電子部品においても、スズめっ
き、はんだめっきの下地ニッケルとしてワット浴あるい
はスルファミン酸浴が広く利用されている。近年、電子
工業の分野では遷移金属系酸化物を含有するセラミック
を複合化した新しい部品が多く開発され、広く利用され
ている。しかしながら、遷移金属系酸化物を含有するセ
ラミックを複合化した特殊な電子部品では、これら強酸
性のニッケルめっき浴を用いると、そのセラミック部分
がめっき液に浸食されるという問題があった。このた
め、酸性のめっき液に浸食されやすい部分の浸食を少な
くする試みがなされ、各種めっき液が報告されている。
しかし、それらはいずれも中性ないしアルカリ性であ
り、ニッケルイオンをめっき液中で保持する錯化力の強
い錯化剤を高濃度で含有しており、析出効率が低く、作
業性が低下するという問題があった。またセラミックを
素材とした電子部品の電極のみめっきを施す必要がある
場合でも、その電極部分のみだけでなく、その周辺のセ
ラミック部分にまで析出が広がり、その部品の特性を阻
害するという問題があった。また、単にｐＨを４−７程
度にしただけでは、セラミック部分が浸食される、析出
効率が低下する、あるいは浴中のニッケルイオンの保持
力が低下し、水酸化物として沈殿を生成するという問題
点があった。
っき、金めっきなどの下地めっきとして電子工業の分野
で広く利用されている。このような用途で使用するニッ
ケルめっきは浴は、ワット浴、全塩化物浴、スルファミ
ン酸浴、ホウフッ化酸浴等の強酸性のめっき液が広く用
いられている。セラミックを複合化したチップ抵抗、チ
ップコンデンサーなどの電子部品においても、スズめっ
き、はんだめっきの下地ニッケルとしてワット浴あるい
はスルファミン酸浴が広く利用されている。近年、電子
工業の分野では遷移金属系酸化物を含有するセラミック
を複合化した新しい部品が多く開発され、広く利用され
ている。しかしながら、遷移金属系酸化物を含有するセ
ラミックを複合化した特殊な電子部品では、これら強酸
性のニッケルめっき浴を用いると、そのセラミック部分
がめっき液に浸食されるという問題があった。このた
め、酸性のめっき液に浸食されやすい部分の浸食を少な
くする試みがなされ、各種めっき液が報告されている。
しかし、それらはいずれも中性ないしアルカリ性であ
り、ニッケルイオンをめっき液中で保持する錯化力の強
い錯化剤を高濃度で含有しており、析出効率が低く、作
業性が低下するという問題があった。またセラミックを
素材とした電子部品の電極のみめっきを施す必要がある
場合でも、その電極部分のみだけでなく、その周辺のセ
ラミック部分にまで析出が広がり、その部品の特性を阻
害するという問題があった。また、単にｐＨを４−７程
度にしただけでは、セラミック部分が浸食される、析出
効率が低下する、あるいは浴中のニッケルイオンの保持
力が低下し、水酸化物として沈殿を生成するという問題
点があった。
【０００３】本発明は上記の課題を解決し、従来からの
セラミックを複合化した電子部品およびフェライトなど
の遷移金属系酸化物を含有するセラミック部分を浸食す
ることなく、めっきされる部分にのみ効率よくニッケル
めっきを施すことができる弱酸性の水溶液であるニッケ
ルめっき液、該ニッケルめっき液を使用しためっき方
法、およびかかるめっき方法に得られる物品、特にはチ
ップ抵抗、チップコンデンサーなどの電子部品を提供す
ることを目的とする。
セラミックを複合化した電子部品およびフェライトなど
の遷移金属系酸化物を含有するセラミック部分を浸食す
ることなく、めっきされる部分にのみ効率よくニッケル
めっきを施すことができる弱酸性の水溶液であるニッケ
ルめっき液、該ニッケルめっき液を使用しためっき方
法、およびかかるめっき方法に得られる物品、特にはチ
ップ抵抗、チップコンデンサーなどの電子部品を提供す
ることを目的とする。
【０００４】本発明は、ａ）ニッケルイオン、および
ｂ）アミノポリカルボン酸、ポリカルボン酸、およびポ
リホスホン酸からなる群から選択される少なくとも２種
のキレート剤を含み、ｐＨが５−７の範囲であり、ニッ
ケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃｌ−）が
１よりも大きい、電気ニッケルめっき液を提供する。ニ
ッケルイオン濃度は、好ましくは１−１００ｇ／Ｌ、よ
り好ましくは１０−５０ｇ／Ｌ、最も好ましくは１０−
３０ｇ／Ｌである。ニッケルイオン濃度が低すぎる場合
には、被めっき品の高電流密度部分でのヤケ状の析出と
なりやすく、ニッケルイオン濃度が高すぎる場合には、
めっき液中の安定性が低下し、水酸化物として不溶性化
合物を生成することとなる。本発明のめっき液において
は、ニッケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃ
ｌ−）は１よりも大きい。これはニッケルイオン源の主
成分は塩化ニッケルではなく、少なくとも５０％よりも
多いニッケルが塩化ニッケル以外のニッケル源から供給
されることを意味する。好ましくはニッケルイオンと塩
素イオンとの比は５よりも大きく、最も好ましくはニッ
ケル源として塩化ニッケルを含まない。典型的にはニッ
ケルイオン源として、硫酸ニッケルおよびスルファミン
酸ニッケルからなる群から選択される少なくとも１種の
ニッケル塩が使用され、好ましくは硫酸ニッケルが使用
される。
リホスホン酸からなる群から選択される少なくとも２種
のキレート剤を含み、ｐＨが５−７の範囲であり、ニッ
ケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃｌ−）が
１よりも大きい、電気ニッケルめっき液を提供する。ニ
ッケルイオン濃度は、好ましくは１−１００ｇ／Ｌ、よ
り好ましくは１０−５０ｇ／Ｌ、最も好ましくは１０−
３０ｇ／Ｌである。ニッケルイオン濃度が低すぎる場合
には、被めっき品の高電流密度部分でのヤケ状の析出と
なりやすく、ニッケルイオン濃度が高すぎる場合には、
めっき液中の安定性が低下し、水酸化物として不溶性化
合物を生成することとなる。本発明のめっき液において
は、ニッケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃ
ｌ−）は１よりも大きい。これはニッケルイオン源の主
成分は塩化ニッケルではなく、少なくとも５０％よりも
多いニッケルが塩化ニッケル以外のニッケル源から供給
されることを意味する。好ましくはニッケルイオンと塩
素イオンとの比は５よりも大きく、最も好ましくはニッ
ケル源として塩化ニッケルを含まない。典型的にはニッ
ケルイオン源として、硫酸ニッケルおよびスルファミン
酸ニッケルからなる群から選択される少なくとも１種の
ニッケル塩が使用され、好ましくは硫酸ニッケルが使用
される。
【０００５】本発明においては、キレート剤としてアミ
ノポリカルボン酸、ポリカルボン酸、ポリホスホン酸か
らなる群から選択される少なくとも２種の化合物が使用
される。アミノポリカルボン酸としては、たとえばエチ
ルイミノ−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、グリシン、イミノジ酢酸、
ヒドロキシエチル・エチレンジアミン三酢酸、ニトリロ
トリ酢酸、ＥＤＴＡ、トリエチレンジアミンテトラ酢
酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、ベータ−アラニン
Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、およびトリカルバリル酸などがあげら
れる。ポリカルボン酸としては、たとえばマロン酸、マ
レイン酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、りんご
酸、酒石酸などがあげられる。ポリホスホン酸として
は、たとえばアミノトリメチレンホスホン酸、ヒドロキ
シエチリデンジホスホン酸、およびエチレンジアミンテ
トラメチレンホスホン酸などがあげられる。好ましくは
ポリホスホン酸はアミノポリホスホン酸である。最も好
ましくは、キレート剤は、イミノジ酢酸、クエン酸、ア
ミノトリメチレンホスホン酸からなる群から選択される
少なくとも２種の化合物である。キレート剤の量は、合
計で好ましくは０．０１−３モル／Ｌであり、より好ま
しくは０．１−０．５モル／Ｌである。また、２種のキ
レート剤の比率は任意であり、使用するニッケルの量、
ニッケルイオン源などの条件に基づいて、適宜決定でき
る。
ノポリカルボン酸、ポリカルボン酸、ポリホスホン酸か
らなる群から選択される少なくとも２種の化合物が使用
される。アミノポリカルボン酸としては、たとえばエチ
ルイミノ−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、グリシン、イミノジ酢酸、
ヒドロキシエチル・エチレンジアミン三酢酸、ニトリロ
トリ酢酸、ＥＤＴＡ、トリエチレンジアミンテトラ酢
酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、ベータ−アラニン
Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、およびトリカルバリル酸などがあげら
れる。ポリカルボン酸としては、たとえばマロン酸、マ
レイン酸、クエン酸、グルコン酸、コハク酸、りんご
酸、酒石酸などがあげられる。ポリホスホン酸として
は、たとえばアミノトリメチレンホスホン酸、ヒドロキ
シエチリデンジホスホン酸、およびエチレンジアミンテ
トラメチレンホスホン酸などがあげられる。好ましくは
ポリホスホン酸はアミノポリホスホン酸である。最も好
ましくは、キレート剤は、イミノジ酢酸、クエン酸、ア
ミノトリメチレンホスホン酸からなる群から選択される
少なくとも２種の化合物である。キレート剤の量は、合
計で好ましくは０．０１−３モル／Ｌであり、より好ま
しくは０．１−０．５モル／Ｌである。また、２種のキ
レート剤の比率は任意であり、使用するニッケルの量、
ニッケルイオン源などの条件に基づいて、適宜決定でき
る。
【０００６】本発明にかかるめっき液は５−７のｐＨを
有する。このｐＨ領域において効率の高い良好なめっき
性が得られ、セラミックなどの素材についても浸食を効
果的に抑制することができる。また有機添加剤を添加す
ることなく緻密でバリヤー効果の高い析出被膜を得るこ
とができる。ｐＨは任意の酸またはアルカリにより調整
することができる。任意の酸および塩基を使用すること
ができ、無機酸、有機酸、無機塩基、および有機塩基の
いずれも使用することができる。酸としては、たとえば
硫酸、塩酸、スルファミン酸等の他、酢酸およびクエン
酸などのキレート剤として使用される酸を使用すること
もできる。アルカリとしては、たとえば水酸化ナトリウ
ムおよび水酸化カリウムなどの無機塩基、および各種ア
ミンなどの有機塩基の他、塩基性炭酸ニッケルなどを使
用することもできる。また、作業条件によりｐＨが変動
しやすい場合には、ホウ酸などのｐＨ緩衝成分を使用す
ることもできる。本発明のめっき液は、さらに光沢剤お
よび界面活性剤などの公知の添加剤を含むことができ
る。
有する。このｐＨ領域において効率の高い良好なめっき
性が得られ、セラミックなどの素材についても浸食を効
果的に抑制することができる。また有機添加剤を添加す
ることなく緻密でバリヤー効果の高い析出被膜を得るこ
とができる。ｐＨは任意の酸またはアルカリにより調整
することができる。任意の酸および塩基を使用すること
ができ、無機酸、有機酸、無機塩基、および有機塩基の
いずれも使用することができる。酸としては、たとえば
硫酸、塩酸、スルファミン酸等の他、酢酸およびクエン
酸などのキレート剤として使用される酸を使用すること
もできる。アルカリとしては、たとえば水酸化ナトリウ
ムおよび水酸化カリウムなどの無機塩基、および各種ア
ミンなどの有機塩基の他、塩基性炭酸ニッケルなどを使
用することもできる。また、作業条件によりｐＨが変動
しやすい場合には、ホウ酸などのｐＨ緩衝成分を使用す
ることもできる。本発明のめっき液は、さらに光沢剤お
よび界面活性剤などの公知の添加剤を含むことができ
る。
【０００７】本発明は上記のめっき液を使用しためっき
方法も提供する。めっき条件としては、公知の条件を用
いることができる。また被めっき物は何ら限定される者
ではなく、任意の物質にめっきをすることができる。好
ましくは本発明のめっき方法においては、セラミック複
合部品であるチップ抵抗、チップコンデンサーなどの電
子部品が好適にめっきされる。陽極としては、ニッケル
金属が通常使用されるが、場合によっては白金めっきし
たチタン板などの不溶性電極も使用できる。浴温度は通
常１０−８０℃であり、好ましくは３０−６５℃であ
る。陰極電流密度は０．０２−１０Ａ／ｄｍ２とするの
が好ましい。めっき時間は要求される膜厚により変化す
るが、通常は１０−１２０分程度である。めっき条件と
その効果は公知であり、所望の性能に応じて当業者の適
宜決定できる事項である。
方法も提供する。めっき条件としては、公知の条件を用
いることができる。また被めっき物は何ら限定される者
ではなく、任意の物質にめっきをすることができる。好
ましくは本発明のめっき方法においては、セラミック複
合部品であるチップ抵抗、チップコンデンサーなどの電
子部品が好適にめっきされる。陽極としては、ニッケル
金属が通常使用されるが、場合によっては白金めっきし
たチタン板などの不溶性電極も使用できる。浴温度は通
常１０−８０℃であり、好ましくは３０−６５℃であ
る。陰極電流密度は０．０２−１０Ａ／ｄｍ２とするの
が好ましい。めっき時間は要求される膜厚により変化す
るが、通常は１０−１２０分程度である。めっき条件と
その効果は公知であり、所望の性能に応じて当業者の適
宜決定できる事項である。
【０００８】本発明のめっき液は静止およびバレルのど
ちらでも使用できる。必要に応じて空気撹拌、カソード
揺動、ポンプなどによるめっき液の流動の方法で撹拌す
ることもできる。本発明にかかるめっき方法により、素
材を浸食することなく、セラミック複合部品にニッケル
めっきを行うことができる。
ちらでも使用できる。必要に応じて空気撹拌、カソード
揺動、ポンプなどによるめっき液の流動の方法で撹拌す
ることもできる。本発明にかかるめっき方法により、素
材を浸食することなく、セラミック複合部品にニッケル
めっきを行うことができる。
【０００９】以下に本発明の実施例を記載するが、かか
る記載はあくまでも例示にすぎず、本発明の範囲を何ら
制限するものではない。 実施例 実施例１ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ クエン酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ５．０ 実施例２ スルファミン酸ニッケル４水和物 １４０ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 ５０ｇ／Ｌ クエン酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ７．０ 実施例３ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ イミノジ酢酸 ５０ｇ／Ｌ クエン酸 ２０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ５．０ 実施例４ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ イミノジ酢酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ７．０ 実施例５ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ クエン酸 ５０ｇ／Ｌ ホウ酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ７．０
る記載はあくまでも例示にすぎず、本発明の範囲を何ら
制限するものではない。 実施例 実施例１ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ クエン酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ５．０ 実施例２ スルファミン酸ニッケル４水和物 １４０ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 ５０ｇ／Ｌ クエン酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ７．０ 実施例３ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ イミノジ酢酸 ５０ｇ／Ｌ クエン酸 ２０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ５．０ 実施例４ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ イミノジ酢酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ７．０ 実施例５ 硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ クエン酸 ５０ｇ／Ｌ ホウ酸 ５０ｇ／Ｌ ｐＨ（ＮａＯＨで調整） ７．０
【００１０】比較例１
硫酸ニッケル６水和物 ３５０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル６水和物 ４５ｇ／Ｌ
ホウ酸 ５０ｇ／Ｌ
ｐＨ ４．２
比較例２
硫酸ニッケル６水和物 ３５０ｇ／Ｌ
クエン酸 １００ｇ／Ｌ
ｐＨ ９．０
比較例３
硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ
クエン酸 １００ｇ／Ｌ
ｐＨ ５．０
比較例４
硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ
アミノトリメチレンホスホン酸 １００ｇ／Ｌ
ｐＨ ５．０
比較例５
硫酸ニッケル６水和物 ９１ｇ／Ｌ
イミノジ酢酸 １００ｇ／Ｌ
ｐＨ ５．０
比較例６
硫酸ニッケル６水和物 ３５０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル６水和物 ４５ｇ／Ｌ
ホウ酸 ５０ｇ／Ｌ
ｐＨ ６．０
【００１１】上記の各めっき液を使用し、以下のめっき
条件においてめっきを行った。 めっき部品 セラミック製チップ部品 めっき法 バレルめっき 液温 ５０℃ 陰極電流密度 ０．０５−０．２Ａ／ｄｍ２ 実験結果を以下の表に示す。
条件においてめっきを行った。 めっき部品 セラミック製チップ部品 めっき法 バレルめっき 液温 ５０℃ 陰極電流密度 ０．０５−０．２Ａ／ｄｍ２ 実験結果を以下の表に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例で得られた皮膜はいずれも均一な無
光沢または微光沢外観を有していた。これらのめっき皮
膜の膜厚はクロスセクションによる断面観察により測定
した。実験結果から、本発明のめっき液を使用すると、
セラミック部分を浸食することなく、めっきされる部分
にのみ効率よくニッケルめっきを施すことができること
が示される。
光沢または微光沢外観を有していた。これらのめっき皮
膜の膜厚はクロスセクションによる断面観察により測定
した。実験結果から、本発明のめっき液を使用すると、
セラミック部分を浸食することなく、めっきされる部分
にのみ効率よくニッケルめっきを施すことができること
が示される。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 嶋津 元矢
埼玉県さいたま市吉野町２丁目269番地４
日本リーロナール株式会社技術研究所内
Ｆターム(参考） 4K023 AA12 BA06 BA08 BA15 CB03
CB07 CB16 DA03
Claims (4)
- 【請求項１】 ａ）ニッケルイオン、および ｂ）アミノポリカルボン酸、ポリカルボン酸、およびポ
リホスホン酸からなる群から選択される少なくとも２種
のキレート剤を含み、ｐＨが５−７の範囲であり、ニッ
ケルイオンと塩素イオンとの比（Ｎｉ２＋／Ｃｌ−）が
１よりも大きい、電気ニッケルめっき液。 - 【請求項２】 キレート剤が、イミノジ酢酸、クエン
酸、アミノトリメチレンホスホン酸からなる群から選択
される少なくとも２種の化合物である、請求項１記載の
めっき液。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のめっき液で、セ
ラミック複合材をめっきする方法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載のめっき液で、セ
ラミック複合材をめっきして得られた物品。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001399721A JP2003193284A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 電気ニッケルめっき液 |
| EP02258791A EP1323849B1 (en) | 2001-12-28 | 2002-12-19 | Nickel electroplating solution |
| CN02161106A CN1441086A (zh) | 2001-12-28 | 2002-12-27 | 镍电镀液 |
| KR1020020084760A KR20030057400A (ko) | 2001-12-28 | 2002-12-27 | 니켈 전기도금액 |
| TW091137616A TWI239360B (en) | 2001-12-28 | 2002-12-27 | Nickel electroplating solution |
| US10/330,419 US6852211B2 (en) | 2001-12-28 | 2002-12-27 | Nickel electroplating solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001399721A JP2003193284A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 電気ニッケルめっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003193284A true JP2003193284A (ja) | 2003-07-09 |
Family
ID=19189513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001399721A Pending JP2003193284A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 電気ニッケルめっき液 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6852211B2 (ja) |
| EP (1) | EP1323849B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003193284A (ja) |
| KR (1) | KR20030057400A (ja) |
| CN (1) | CN1441086A (ja) |
| TW (1) | TWI239360B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007270160A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | ニッケルめっき液、及び電子部品の製造方法 |
| JP2010209427A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Tdk Corp | 電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4128005B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-07-30 | 日本リーロナール有限会社 | 電気ニッケルめっき液 |
| EP1793013B1 (en) * | 2005-12-05 | 2017-07-19 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metallization of dielectrics |
| KR101042634B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2011-06-20 | 한국과학기술원 | 전기도금법과 고온 산화법을 결합한 금속산화물-탄소나노튜브 복합박막의 제조방법 |
| JP2015109410A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
| JP6760166B2 (ja) | 2017-03-23 | 2020-09-23 | トヨタ自動車株式会社 | ニッケル皮膜の形成方法及び当該方法に使用するためのニッケル溶液 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR96342E (ja) * | 1967-12-09 | 1972-06-16 | ||
| US3672940A (en) | 1969-08-08 | 1972-06-27 | Nihon Kagaku Kizai Kk | Process for chemically depositing nickel on a synthetic resin base material |
| DE2327881B2 (de) | 1973-06-01 | 1978-06-22 | Langbein-Pfanhauser Werke Ag, 4040 Neuss | Verfahren zur galvanischen Abscheidung mattglänzender Nickel- bzw. Nickel/Kobalt-Niederschläge |
| US4421611A (en) * | 1982-09-30 | 1983-12-20 | Mcgean-Rohco, Inc. | Acetylenic compositions and nickel plating baths containing same |
| JP4128005B2 (ja) | 2001-12-28 | 2008-07-30 | 日本リーロナール有限会社 | 電気ニッケルめっき液 |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001399721A patent/JP2003193284A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-19 EP EP02258791A patent/EP1323849B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-27 KR KR1020020084760A patent/KR20030057400A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-12-27 US US10/330,419 patent/US6852211B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-27 TW TW091137616A patent/TWI239360B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-27 CN CN02161106A patent/CN1441086A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007270160A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | ニッケルめっき液、及び電子部品の製造方法 |
| JP2010209427A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Tdk Corp | 電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6852211B2 (en) | 2005-02-08 |
| CN1441086A (zh) | 2003-09-10 |
| EP1323849A1 (en) | 2003-07-02 |
| EP1323849B1 (en) | 2011-09-14 |
| KR20030057400A (ko) | 2003-07-04 |
| TWI239360B (en) | 2005-09-11 |
| US20030213699A1 (en) | 2003-11-20 |
| TW200303939A (en) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4945193B2 (ja) | 硬質金合金めっき液 | |
| JP3481020B2 (ja) | Ｓｎ−Ｂｉ系合金めっき浴 | |
| KR101502804B1 (ko) | Ｐｄ 및 Ｐｄ-Ｎｉ 전해질 욕조 | |
| JP5317433B2 (ja) | 酸性金合金めっき液 | |
| US5552031A (en) | Palladium alloy plating compositions | |
| TWI452179B (zh) | 金鍍覆液 | |
| JP4128005B2 (ja) | 電気ニッケルめっき液 | |
| CN105624745B (zh) | 环保的金电镀组合物及方法 | |
| EP1930478B1 (en) | Electrolyte composition and method for the deposition of quaternary copper alloys | |
| JP5336762B2 (ja) | 銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法 | |
| JP5452458B2 (ja) | ニッケルめっき液及びニッケルめっき方法 | |
| JP4033241B2 (ja) | 銅めっき被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法 | |
| JP2003193284A (ja) | 電気ニッケルめっき液 | |
| JP3298537B2 (ja) | Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき浴、およびこれを使用するめっき方法 | |
| JP3655388B2 (ja) | 錫めっき及び錫−鉛合金めっき用非酸性浴、及び該めっき浴を用いためっき方法 | |
| JP3627484B2 (ja) | 錫又は錫合金電気メッキ浴、およびそれを用いた電気メッキ方法 | |
| JP4599599B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JPH09157884A (ja) | 非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 | |
| JPH04120290A (ja) | 電気銅めっき液 | |
| JP3677617B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JP5274817B2 (ja) | 銅−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法 | |
| JPWO2010101212A1 (ja) | 銅−亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法 | |
| JPH07138782A (ja) | Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 | |
| JP2001200388A (ja) | 金−錫合金電気めっき浴 | |
| JPH04165092A (ja) | ルテニウムめっき液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070813 |