JPH09157884A - 非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 - Google Patents
非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法Info
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- JPH09157884A JPH09157884A JP32270595A JP32270595A JPH09157884A JP H09157884 A JPH09157884 A JP H09157884A JP 32270595 A JP32270595 A JP 32270595A JP 32270595 A JP32270595 A JP 32270595A JP H09157884 A JPH09157884 A JP H09157884A
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- plating
- bath
- acid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック部分を複合した部品のセラミック
部分を侵食することがなく、かつ本来めっきされるべき
部分にのみニッケルめっきを施すことができるニッケル
めっき浴を提供すること。 【解決手段】 ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成
するための錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量
1.５モル／ｌ以下であり、かつ浴のｐＨが７〜１４であ
るニッケルめっき浴。
部分を侵食することがなく、かつ本来めっきされるべき
部分にのみニッケルめっきを施すことができるニッケル
めっき浴を提供すること。 【解決手段】 ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成
するための錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量
1.５モル／ｌ以下であり、かつ浴のｐＨが７〜１４であ
るニッケルめっき浴。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、中性ないしはアル
カリ性のニッケルめっき浴及び該ニッケルめっき浴を用
いためっき方法に関する。
カリ性のニッケルめっき浴及び該ニッケルめっき浴を用
いためっき方法に関する。
【従来の技術】ニッケルめっきは、Ｓｎめっき、ハンダ
めっき、金めっき等の下地めっきとして電子工業の分野
で広く利用されている。このようなめっきを施すために
使用するニッケルめっき浴としては、ワット浴、全塩化
物浴、硬質浴、スルファミン酸浴、ホウ弗化浴等が知ら
れているが、これらの浴はいずれも浴のｐＨが強酸性〜
ｐＨ６であるため、フェライト等の遷移金属系の酸化物
を含有するセラミックを複合した部品へめっきを行う場
合、セラミック部分がめっき浴に侵されるという問題が
ある。また、セラミック部分の侵食を少なくできるアル
カリ性のニッケルめっき浴（例えば、特開昭６２−１０
３３８７号公報に記載の浴）であっても、浴中に硫酸イ
オン、スルファミン酸イオン、ハロゲンイオン等の無機
系陰イオンが過剰な場合には、本来めっきされるべきで
ないセラミック部分にもめっきが施こされてしまうとい
う問題が生じる。特に、最近では、電子工業の分野では
フェライト等の遷移金属系の酸化物を含有するセラミッ
クを複合した部品が開発されており、それらの部品への
ニッケルめっきの要望が高くなっている。従って、セラ
ミック部がめっき浴に侵されることがなく、かつ本来め
っきされるべきでないセラミック部分にはニッケルめっ
きが行われないニッケルめっき浴の開発が望まれてい
る。
めっき、金めっき等の下地めっきとして電子工業の分野
で広く利用されている。このようなめっきを施すために
使用するニッケルめっき浴としては、ワット浴、全塩化
物浴、硬質浴、スルファミン酸浴、ホウ弗化浴等が知ら
れているが、これらの浴はいずれも浴のｐＨが強酸性〜
ｐＨ６であるため、フェライト等の遷移金属系の酸化物
を含有するセラミックを複合した部品へめっきを行う場
合、セラミック部分がめっき浴に侵されるという問題が
ある。また、セラミック部分の侵食を少なくできるアル
カリ性のニッケルめっき浴（例えば、特開昭６２−１０
３３８７号公報に記載の浴）であっても、浴中に硫酸イ
オン、スルファミン酸イオン、ハロゲンイオン等の無機
系陰イオンが過剰な場合には、本来めっきされるべきで
ないセラミック部分にもめっきが施こされてしまうとい
う問題が生じる。特に、最近では、電子工業の分野では
フェライト等の遷移金属系の酸化物を含有するセラミッ
クを複合した部品が開発されており、それらの部品への
ニッケルめっきの要望が高くなっている。従って、セラ
ミック部がめっき浴に侵されることがなく、かつ本来め
っきされるべきでないセラミック部分にはニッケルめっ
きが行われないニッケルめっき浴の開発が望まれてい
る。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、被めっき物
のセラミック部分、即ち、フェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックを複合した部品のセラミッ
ク部分を侵食することがなく、かつ本来めっきされるべ
き部分にのみニッケルめっきを施すことができるニッケ
ルめっき浴及びニッケルめっき方法を提供することを目
的とする。
のセラミック部分、即ち、フェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックを複合した部品のセラミッ
ク部分を侵食することがなく、かつ本来めっきされるべ
き部分にのみニッケルめっきを施すことができるニッケ
ルめっき浴及びニッケルめっき方法を提供することを目
的とする。
【課題を解決するための手段】本発明は、ニッケル塩、
ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、
無機陰イオンの合計含有量を特定量以下とするととも
に、浴のｐＨを中性〜アルカリ性にしたニッケルめっき
浴を用いると上記課題を解決できるとの知見に基づいて
なされたのである。すなわち、本発明は、ニッケル塩、
ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、
無機陰イオンの合計含有量1.５モル／ｌ以下であり、か
つ浴のｐＨが７〜１４であるニッケルめっき浴を提供す
る。
ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、
無機陰イオンの合計含有量を特定量以下とするととも
に、浴のｐＨを中性〜アルカリ性にしたニッケルめっき
浴を用いると上記課題を解決できるとの知見に基づいて
なされたのである。すなわち、本発明は、ニッケル塩、
ニッケルとキレートを形成するための錯化剤を含有し、
無機陰イオンの合計含有量1.５モル／ｌ以下であり、か
つ浴のｐＨが７〜１４であるニッケルめっき浴を提供す
る。
【０００３】
【発明の実施の形態】本発明で用いるニッケル塩として
は、水溶性塩であれば特に制限されることがなく、具体
的には、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、
スルファミン酸ニッケルなどの一種又は二種以上の混合
物をあげることができる。本発明のめっき浴におけるニ
ッケルイオン濃度は任意とすることができるが１〜１２
０ｇ／ｌとするのが好ましく、特に好ましくは２０〜１
００ｇ／ｌである。本発明で用いるニッケルとキレート
を形成するための錯化剤としては、ニッケルを可溶化で
きる種々のものを用いることができるが、 ａ）ポリカルボン酸またはこれらの塩 ｂ）ポリオキシモノカルボン酸、ポリオキシラクトンま
たはこれらの塩 ｃ）アミノポリカルボン酸またはこれらの塩、及び ｄ）アミノアルコールからなる群から選ばれる一種又は
二種以上の混合物が好ましい。
は、水溶性塩であれば特に制限されることがなく、具体
的には、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、
スルファミン酸ニッケルなどの一種又は二種以上の混合
物をあげることができる。本発明のめっき浴におけるニ
ッケルイオン濃度は任意とすることができるが１〜１２
０ｇ／ｌとするのが好ましく、特に好ましくは２０〜１
００ｇ／ｌである。本発明で用いるニッケルとキレート
を形成するための錯化剤としては、ニッケルを可溶化で
きる種々のものを用いることができるが、 ａ）ポリカルボン酸またはこれらの塩 ｂ）ポリオキシモノカルボン酸、ポリオキシラクトンま
たはこれらの塩 ｃ）アミノポリカルボン酸またはこれらの塩、及び ｄ）アミノアルコールからなる群から選ばれる一種又は
二種以上の混合物が好ましい。
【０００４】具体的に、ａ）のポリカルボン酸として
は、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、トリカルバリル
酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸があげられる。ｂ）の
ポリオキシモノカルボン酸としては、分子内にヒドロキ
シル基を２個以上、好ましくは２〜６個有し、かつカル
ボキシル基を１個有する化合物があげられる。このよう
な化合物としては、炭素数３〜７のものが好ましい。具
体的には、グリセリン酸、グルコン酸、グルコヘプトン
酸が例示される。又、ポリオキシラクトンとしては、分
子内にヒドロキシル基を２個以上、好ましくは２〜５個
有するラクトンがあげられる。このような化合物として
は、炭素数が３〜７のものが好ましい。具体的には、グ
ルコノラクトンやグルコヘプトノラクトンをあげること
ができる。ｃ）のアミノポリカルボン酸の例としては、
エチルイミノ−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリ
ロトリ酢酸、ＥＤＴＡ、トリエチレンジアミンテトラ酢
酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、β−アラニン−
Ｎ，Ｎ−ジ酢酸及びトリカルバリル酸などをあげことが
できる。
は、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、トリカルバリル
酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸があげられる。ｂ）の
ポリオキシモノカルボン酸としては、分子内にヒドロキ
シル基を２個以上、好ましくは２〜６個有し、かつカル
ボキシル基を１個有する化合物があげられる。このよう
な化合物としては、炭素数３〜７のものが好ましい。具
体的には、グリセリン酸、グルコン酸、グルコヘプトン
酸が例示される。又、ポリオキシラクトンとしては、分
子内にヒドロキシル基を２個以上、好ましくは２〜５個
有するラクトンがあげられる。このような化合物として
は、炭素数が３〜７のものが好ましい。具体的には、グ
ルコノラクトンやグルコヘプトノラクトンをあげること
ができる。ｃ）のアミノポリカルボン酸の例としては、
エチルイミノ−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリ
ロトリ酢酸、ＥＤＴＡ、トリエチレンジアミンテトラ酢
酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、β−アラニン−
Ｎ，Ｎ−ジ酢酸及びトリカルバリル酸などをあげことが
できる。
【０００５】上記ポリカルボン酸、ポリオキシモノカル
ボン酸、ポリオキシラクトン、アミノポリカルボン酸の
塩の例としては、アルカリ金属塩（ナトリウム、カリウ
ム塩等）、アルカリ土類金属塩（マグネシウム、カルシ
ウム塩等）、ニッケル塩、アンモニウム塩及び有機アミ
ン塩（モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチル
アミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、エチレン
ジアミン、ジエチレントリアミン等）をあげることがで
きる。このうち、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニ
ウム塩及びニッケル塩が好ましい。ｄ）のアミノアルコ
ールの例としては、モノエタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミンテ
トラエタノールをあげることができる。ニッケルめっき
浴におけるこれらの錯化剤の濃度は任意とすることがで
きるが、0.２〜2.０モル／ｌとするのが好ましく、特に
好ましくは、0.２５〜1.０モル／ｌである。
ボン酸、ポリオキシラクトン、アミノポリカルボン酸の
塩の例としては、アルカリ金属塩（ナトリウム、カリウ
ム塩等）、アルカリ土類金属塩（マグネシウム、カルシ
ウム塩等）、ニッケル塩、アンモニウム塩及び有機アミ
ン塩（モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチル
アミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、エチレン
ジアミン、ジエチレントリアミン等）をあげることがで
きる。このうち、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニ
ウム塩及びニッケル塩が好ましい。ｄ）のアミノアルコ
ールの例としては、モノエタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミンテ
トラエタノールをあげることができる。ニッケルめっき
浴におけるこれらの錯化剤の濃度は任意とすることがで
きるが、0.２〜2.０モル／ｌとするのが好ましく、特に
好ましくは、0.２５〜1.０モル／ｌである。
【０００６】本発明では、浴中の硫酸イオン、ハロゲン
イオン、フルファミン酸イオン等の無機陰イオンの合計
含有量を1.５モル／ｌ以下にする必要がある。1.５モル
／ｌより濃度が高くなると本来めっきされるべきでない
セラミック部にもＮｉの析出が起こってしまう。本発明
では、好ましくは、浴中の無機陰イオンの合計含有量を
0.５〜1.４モル、より好ましくは0.７５〜1.２５モルと
するのがよい。本発明では、さらに、浴のｐＨを７〜１
４に調整することが必要である。ｐＨが７未満では、フ
ェライト等の遷移金属系の酸化物を含有するセラミック
を複合した部品のセラミック部が侵され、ｐＨが１４を
越える場合にもまた、セラミック部の浸食の恐れがある
からである。浴のｐＨは、好ましくは８〜１３である。
本発明の浴のｐＨの調整は、上記各成分の使用割合を上
記範囲内で適宜調節することにより行うことができる
が、酸、アルカリで上記範囲内にすることもできる。か
かる酸としては、硫酸、塩酸、スルホン酸、ピロリン酸
等を挙げることができる。また、アルカリとしては、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等を使
用することができる。
イオン、フルファミン酸イオン等の無機陰イオンの合計
含有量を1.５モル／ｌ以下にする必要がある。1.５モル
／ｌより濃度が高くなると本来めっきされるべきでない
セラミック部にもＮｉの析出が起こってしまう。本発明
では、好ましくは、浴中の無機陰イオンの合計含有量を
0.５〜1.４モル、より好ましくは0.７５〜1.２５モルと
するのがよい。本発明では、さらに、浴のｐＨを７〜１
４に調整することが必要である。ｐＨが７未満では、フ
ェライト等の遷移金属系の酸化物を含有するセラミック
を複合した部品のセラミック部が侵され、ｐＨが１４を
越える場合にもまた、セラミック部の浸食の恐れがある
からである。浴のｐＨは、好ましくは８〜１３である。
本発明の浴のｐＨの調整は、上記各成分の使用割合を上
記範囲内で適宜調節することにより行うことができる
が、酸、アルカリで上記範囲内にすることもできる。か
かる酸としては、硫酸、塩酸、スルホン酸、ピロリン酸
等を挙げることができる。また、アルカリとしては、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等を使
用することができる。
【０００７】本発明のニッケルめっき浴は、上記成分を
必須とし、残部を水とすることができるが、さらに種々
の成分を含有させることができる。例えば、スルホン酸
（またはそれらの塩）基またはスルホンアミド（または
イミド）基を有する化合物の少くとも一種を含有させる
ことにより、めっき内部応力を緩和することができ、め
っきの密着性を向上させることができる。具体例として
は、サッカリン、ベンゼン（モノ、ジ、トリ）スルホン
酸（または塩）、例えば、１，３，５−ベンゼントリス
ルホン酸ソーダ、ナフタレン（モノ、ジ、トリ）スルホ
ン酸（または塩）、例えば、１，５−ナフタレンジスル
ホン酸ソーダ、パラトルエンスルホンアミド、ビスベン
ゼンスルホニルイミド、アクリルスルホン酸（または
塩）、ビニルスルホン酸（または塩）、プロピンスルホ
ン酸（または塩）、スルフィン酸（または塩）等があげ
ることができる。これらの化合物の使用量は0.１〜２０
ｇ／ｌとするのが好ましく、より好ましくは0.２〜１０
ｇ／ｌである。
必須とし、残部を水とすることができるが、さらに種々
の成分を含有させることができる。例えば、スルホン酸
（またはそれらの塩）基またはスルホンアミド（または
イミド）基を有する化合物の少くとも一種を含有させる
ことにより、めっき内部応力を緩和することができ、め
っきの密着性を向上させることができる。具体例として
は、サッカリン、ベンゼン（モノ、ジ、トリ）スルホン
酸（または塩）、例えば、１，３，５−ベンゼントリス
ルホン酸ソーダ、ナフタレン（モノ、ジ、トリ）スルホ
ン酸（または塩）、例えば、１，５−ナフタレンジスル
ホン酸ソーダ、パラトルエンスルホンアミド、ビスベン
ゼンスルホニルイミド、アクリルスルホン酸（または
塩）、ビニルスルホン酸（または塩）、プロピンスルホ
ン酸（または塩）、スルフィン酸（または塩）等があげ
ることができる。これらの化合物の使用量は0.１〜２０
ｇ／ｌとするのが好ましく、より好ましくは0.２〜１０
ｇ／ｌである。
【０００８】また、本発明では、クマリン、プロパギル
アルコール、ブチンジオール、ホルムアルデヒド、チオ
尿素、キノリン、ピリジン、ブチンジオールモノプロポ
キシレート、ブチンジオールジエトキシレート、ジエチ
ルアミノプロピン、ジメチルプロピンアミン、プロピン
スルホン酸ソーダ、ピリジニウムプロピルスルホベタイ
ン等のＣ＝Ｏ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｃ≡Ｎ、Ｎ−Ｃ＝Ｓ、
Ｎ＝Ｎの二重結合や三重結合を有する有機化合物の少く
とも一種を含有させることができる。これらの化合物を
用いることにより、セラミック部の侵食、変質が一層生
じにくくなる。これらの化合物は一種又は二種以上の混
合物として使用することができる。これらの化合物は0.
０２〜１ｇ／ｌの量で使用するのが好ましく、より好ま
しくは、0.０５〜0.４ｇ／ｌである。尚、上記種々の化
合物を用いる場合にも、浴中の無機陰イオンの合計含有
量が1.５モル／ｌ以下となるようにする必要がある。
アルコール、ブチンジオール、ホルムアルデヒド、チオ
尿素、キノリン、ピリジン、ブチンジオールモノプロポ
キシレート、ブチンジオールジエトキシレート、ジエチ
ルアミノプロピン、ジメチルプロピンアミン、プロピン
スルホン酸ソーダ、ピリジニウムプロピルスルホベタイ
ン等のＣ＝Ｏ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｃ≡Ｎ、Ｎ−Ｃ＝Ｓ、
Ｎ＝Ｎの二重結合や三重結合を有する有機化合物の少く
とも一種を含有させることができる。これらの化合物を
用いることにより、セラミック部の侵食、変質が一層生
じにくくなる。これらの化合物は一種又は二種以上の混
合物として使用することができる。これらの化合物は0.
０２〜１ｇ／ｌの量で使用するのが好ましく、より好ま
しくは、0.０５〜0.４ｇ／ｌである。尚、上記種々の化
合物を用いる場合にも、浴中の無機陰イオンの合計含有
量が1.５モル／ｌ以下となるようにする必要がある。
【０００９】次に本発明の浴を使用するめっき方法につ
いて説明する。本発明のめっきの対象となる基体として
は、銅、鉄、銀、ニッケル及びそれらの合金やめっき物
が挙げられる。本発明は、フェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックを複合した金属を基体とし
て使用する場合に特に有効である。陰極を該基体とし、
陽極には通常ニッケル金属を使用するが、場合によって
は、白金めっきしたチタン板、カーボン板等の不溶性陽
極を使用することができる。浴温は通常１０〜８０℃、
好ましくは、２５〜６５℃であり、陰極電流密度は、0.
０５〜１０A/dm2 とするのがよい。めっき時間は要求さ
れるめっき膜厚にもよるが、１〜１８０分とするのが好
ましく、より好ましくは１０〜１２０分である。
いて説明する。本発明のめっきの対象となる基体として
は、銅、鉄、銀、ニッケル及びそれらの合金やめっき物
が挙げられる。本発明は、フェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックを複合した金属を基体とし
て使用する場合に特に有効である。陰極を該基体とし、
陽極には通常ニッケル金属を使用するが、場合によって
は、白金めっきしたチタン板、カーボン板等の不溶性陽
極を使用することができる。浴温は通常１０〜８０℃、
好ましくは、２５〜６５℃であり、陰極電流密度は、0.
０５〜１０A/dm2 とするのがよい。めっき時間は要求さ
れるめっき膜厚にもよるが、１〜１８０分とするのが好
ましく、より好ましくは１０〜１２０分である。
【００１０】めっき浴は、液流、カソードロッカー等の
機械的撹拌を行うことができる。本発明の方法により得
られるニッケル膜厚は広い範囲のものとすることが可能
であるが、一般に0.２〜１００μｍ，好ましくは、１〜
２０μｍである。めっき期間中も、ｐＨを７〜１４に維
持するのが好ましい。めっきに際して、被めっき物（基
体）は、常法により前処理した後、めっき工程に付され
るのが好ましい。前処理工程では、浸漬脱脂、酸洗、陽
極の電解洗浄及び活性化の少なくとも１つの操作が行わ
れる。各操作間に水洗を行うのがよい。めっき後は得ら
れた皮膜を洗浄して乾燥するか、次のめっき工程（ス
ズ、ハンダ、銀めっき等）に付することもできる。めっ
き工程は静止浴のみならず、バレル浴でも実施すること
ができる。本発明のめっき液は、浴成分を適当な補給剤
により補給して一定に保つことにより、液を更新するこ
となく長期間使用することができる。
機械的撹拌を行うことができる。本発明の方法により得
られるニッケル膜厚は広い範囲のものとすることが可能
であるが、一般に0.２〜１００μｍ，好ましくは、１〜
２０μｍである。めっき期間中も、ｐＨを７〜１４に維
持するのが好ましい。めっきに際して、被めっき物（基
体）は、常法により前処理した後、めっき工程に付され
るのが好ましい。前処理工程では、浸漬脱脂、酸洗、陽
極の電解洗浄及び活性化の少なくとも１つの操作が行わ
れる。各操作間に水洗を行うのがよい。めっき後は得ら
れた皮膜を洗浄して乾燥するか、次のめっき工程（ス
ズ、ハンダ、銀めっき等）に付することもできる。めっ
き工程は静止浴のみならず、バレル浴でも実施すること
ができる。本発明のめっき液は、浴成分を適当な補給剤
により補給して一定に保つことにより、液を更新するこ
となく長期間使用することができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、フェライト等の遷移金
属系の酸化物を含有するセラミック複合部品等、酸性雰
囲気で素材侵食を受ける部品に対しても、素材侵食が防
止できるため、従来浴ではニッケルめっきをすることが
できなかった部品にもニッケルめっきが可能である。次
に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに
よって限定されるものではない。
属系の酸化物を含有するセラミック複合部品等、酸性雰
囲気で素材侵食を受ける部品に対しても、素材侵食が防
止できるため、従来浴ではニッケルめっきをすることが
できなかった部品にもニッケルめっきが可能である。次
に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに
よって限定されるものではない。
【００１２】
実施例１ 銅とフェライトの複合した被めっき物（基体）をアセト
ンで脱脂し、２０％ＡＣ−６（ディップソール（株）
製）で活性化した。なお、各操作間に水洗を充分に行っ
た。一方、表１に示すめっき液をアクリル製のめっき槽
に入れ、陽極にＮｉ板を使用し、陰極に上記の活性化し
た被めっき物を接続して表−２の条件でめっきを行っ
た。得られためっきについて、膜厚、めっきの応力
（被めっき物の反りの状態を観察する）、フェライト
部の侵食の状況（実体顕微鏡により観察する）及びフ
ェライト部へのＮｉめっきの析出の有無（目視）を調べ
た。これらの結果を表−３に示す。
ンで脱脂し、２０％ＡＣ−６（ディップソール（株）
製）で活性化した。なお、各操作間に水洗を充分に行っ
た。一方、表１に示すめっき液をアクリル製のめっき槽
に入れ、陽極にＮｉ板を使用し、陰極に上記の活性化し
た被めっき物を接続して表−２の条件でめっきを行っ
た。得られためっきについて、膜厚、めっきの応力
（被めっき物の反りの状態を観察する）、フェライト
部の侵食の状況（実体顕微鏡により観察する）及びフ
ェライト部へのＮｉめっきの析出の有無（目視）を調べ
た。これらの結果を表−３に示す。
【００１３】
【表１】 表−１ めっき浴の組成〔成分
(g/l) 〕 No １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ 硫酸ニッケル 200 250 250 250 300 300 300 350 クエン酸 50 − − 50 − − − − グルコヘプトン酸 − 100 − − − − − − グルコノラクトン − − 100 − 200 − − − ジエチレントリアミン − − − 50 − − 100 − ペンタ酢酸 トリエタノールアミン − − − − − 100 − 150 サッカリン 0.5 ２ ２ − １ ２ ２ ３ 1,3,5-トリスルホン酸 0.5 − − ２ １ ２ ２ ６ ソーダ ブチンジオール 0.2 0.05 0.1 0.2 − 0.1 0.2 0.4 ジエトキシレート ジメチルプロピン − 0.05 0.1 − 0.1 − 0.2 − アミンｐＨ*1 ９ ９ ９ ７ 10 10 13 10 無機陰イオン濃度 0.76 0.95 0.95 0.95 1.14 1.14 1.14 1.33 (モル/l) *1ｐＨ調整のためにＮａＯＨを使用した。
(g/l) 〕 No １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ 硫酸ニッケル 200 250 250 250 300 300 300 350 クエン酸 50 − − 50 − − − − グルコヘプトン酸 − 100 − − − − − − グルコノラクトン − − 100 − 200 − − − ジエチレントリアミン − − − 50 − − 100 − ペンタ酢酸 トリエタノールアミン − − − − − 100 − 150 サッカリン 0.5 ２ ２ − １ ２ ２ ３ 1,3,5-トリスルホン酸 0.5 − − ２ １ ２ ２ ６ ソーダ ブチンジオール 0.2 0.05 0.1 0.2 − 0.1 0.2 0.4 ジエトキシレート ジメチルプロピン − 0.05 0.1 − 0.1 − 0.2 − アミンｐＨ*1 ９ ９ ９ ７ 10 10 13 10 無機陰イオン濃度 0.76 0.95 0.95 0.95 1.14 1.14 1.14 1.33 (モル/l) *1ｐＨ調整のためにＮａＯＨを使用した。
【００１４】
【表２】 表−２ めっき条件 No １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ 陰極電流密度(A/dm2) 0.5 0.5 0.5 0.5 ５ ５ ５ ５ めっき温度（℃） 50 50 50 50 50 50 50 50めっき時間（分） 60 60 60 80 ７ ７ 10 ７
【００１５】
【表３】 表−３ めっきおよびめっき浴の性
質 No １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ めっき外観 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 めっき膜厚（μｍ） 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 めっきの応力 小 小 小 小 小 小 小 小 フェライトへの侵食性 無 無 無 無 無 無 無 無 フェライト部へのＮｉ 無 無 無 無 無 無 無 無 めっきの析出の有無
質 No １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ めっき外観 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 光沢 めっき膜厚（μｍ） 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 めっきの応力 小 小 小 小 小 小 小 小 フェライトへの侵食性 無 無 無 無 無 無 無 無 フェライト部へのＮｉ 無 無 無 無 無 無 無 無 めっきの析出の有無
【００１６】比較例１〜４ 表−４に示す組成のめっき液を使用し、表−５に示す条
件で実施例１と同様にしてニッケルめっきを行った。得
られた結果を表−６に示す。
件で実施例１と同様にしてニッケルめっきを行った。得
られた結果を表−６に示す。
【表４】 表−４ めっき浴の組成 比 較 例成分(g/l) １* ２* ３* ４* 硫酸ニッケル 250 250 − − 塩化ニッケル 45 45 ５ 40 スルファミン酸ニッケル − − 300 − ホウ酸 35 35 35 − 塩化カリウム − − − 250 コハク酸 − − − 40 光沢剤*2 − 10 − − ｐＨ*3 4.5 4.5 4.5 10 無機陰イオン濃度 (モル/l) 1.71 1.71 2.45 3.57 *2：ディップソール（株）製 Ｎｉ−１６００Ｂを使用した。 *3：ｐＨ調整のためにＮａＯＨを使用した。
【００１７】
【表５】 表−５ めっき条件
【００１８】
【表６】 表−６ めっきおよびめっき浴の性質 比 較 例 項目 １* ２* ３* ４* めっき外観 半光沢 光沢 光沢 半光沢 めっき膜厚（μｍ） 6.0 6.0 6.0 4.5 めっきの応力 大 小 小 大 フェライトへの侵食性 有 有 有 小 *4 フェライト部へのＮｉ 有 有 有 有 めっきの析出の有無 *4：Ｎｉめっきの析出は銅に接触したフェライト部付近により多く生じる。
【００１９】表−３と表−６に記載のデータの比較か
ら、めっき外観、めっき膜厚、めっきの内部応力に関し
ては有意差は認められないものの、フェライトへの侵食
性に関しては、本発明では侵食が生じないことが分か
る。 実施例２及び比較例５〜８ フェライトの代わりにＭｎの酸化物系セラミックを複合
した被めっき物を基体として用いた以外は、実施例１の
No１〜８及び比較例１〜４のめっき浴を使用し、それぞ
れ実施例１及び比較例１〜４と同じ方法でめっきを行
い、セラミックス部の侵食の状態、及びセラミック
ス部へのめっき析出の有無を同様にして評価した。結果
を表−７に示す。
ら、めっき外観、めっき膜厚、めっきの内部応力に関し
ては有意差は認められないものの、フェライトへの侵食
性に関しては、本発明では侵食が生じないことが分か
る。 実施例２及び比較例５〜８ フェライトの代わりにＭｎの酸化物系セラミックを複合
した被めっき物を基体として用いた以外は、実施例１の
No１〜８及び比較例１〜４のめっき浴を使用し、それぞ
れ実施例１及び比較例１〜４と同じ方法でめっきを行
い、セラミックス部の侵食の状態、及びセラミック
ス部へのめっき析出の有無を同様にして評価した。結果
を表−７に示す。
【００２０】
【表７】 表-7 本発明 比較例 ９ 10 11 12 13 14 15 16 ５ ６ ７ ８ めっき浴No １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ １* ２* ３* ４* セラミック部 無 無 無 無 無 無 無 無 有 有 有 小 の侵食性 セラミック部へ 無 無 無 無 無 無 無 無 有 有 有 有 のＮｉめっき の析出
【００２１】このように本発明のめっき浴を使用すれ
ば、被めっき物に複合したフェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックの侵食が有効に防止できる
ことがわかる。
ば、被めっき物に複合したフェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックの侵食が有効に防止できる
ことがわかる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ニッケル塩、ニッケルとキレートを形成
するための錯化剤を含有し、無機陰イオンの合計含有量
1.５モル／ｌ以下であり、かつ浴のｐＨが７〜１４であ
るニッケルめっき浴。 - 【請求項２】 ニッケルとキレートを形成するための錯
化剤が、 ａ）ポリカルボン酸またはこれらの塩 ｂ）ポリオキシモノカルボン酸、ポリオキシラクトンま
たはこれらの塩 ｃ）アミノポリカルボン酸またはこれらの塩、及び ｄ）アミノアルコールからなる群から選ばれる少くとも
一種である請求項１記載のめっき浴。 - 【請求項３】 クマリン、プロパギルアルコール、ブチ
ンジオール、ホルムアルデヒド、チオ尿素、キノリン及
びピリジンからなる群から選ばれる少くとも一種の化合
物を含有する請求項１記載のめっき浴。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載のアル
カリ性ニッケルめっき浴を用いて基体にニッケルめっき
を施こすことを特徴とするめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32270595A JPH09157884A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32270595A JPH09157884A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09157884A true JPH09157884A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18146709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32270595A Pending JPH09157884A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 非酸性ニッケルめっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09157884A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006002246A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Hideo Honma | マイクロバンプの形成方法 |
| JP2008248335A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | セラミックス電子部品の製造方法 |
| JP2009203536A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Univ Kanagawa | めっき液及び該めっき液を用いての切削ブレードの製造方法 |
| KR100947488B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2010-03-17 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 니켈 전기도금액 |
| JP2010209427A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Tdk Corp | 電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法 |
| KR101360887B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2014-02-12 | 서울대학교산학협력단 | 니켈 및 니켈 합금 도금액, 및 이를 이용한 도금방법 |
| JP2020524746A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー | 基材上に装飾ニッケルコーティングを堆積させるためのニッケル電気メッキ浴 |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32270595A patent/JPH09157884A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100947488B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2010-03-17 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 니켈 전기도금액 |
| JP2006002246A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Hideo Honma | マイクロバンプの形成方法 |
| JP4510533B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2010-07-28 | 英夫 本間 | マイクロバンプの形成方法 |
| JP2008248335A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | セラミックス電子部品の製造方法 |
| JP2009203536A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Univ Kanagawa | めっき液及び該めっき液を用いての切削ブレードの製造方法 |
| JP2010209427A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Tdk Corp | 電気ニッケルめっき液および電子部品の製造方法 |
| KR101360887B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2014-02-12 | 서울대학교산학협력단 | 니켈 및 니켈 합금 도금액, 및 이를 이용한 도금방법 |
| JP2020524746A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー | 基材上に装飾ニッケルコーティングを堆積させるためのニッケル電気メッキ浴 |
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