JP5517164B2 - バレルめっきによる3価クロムめっき方法 - Google Patents
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Description
1. バレルめっき法によって半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを順次行った後、3価クロム化合物を含む3価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっきを行うことを特徴とするクロムめっき方法であって、該3価クロムめっき浴が、水溶性3価クロム化合物、電導性塩、錯化剤及びpH緩衝剤を含有し、さらに、水溶性鉄化合物を鉄イオン濃度として20〜100ppm含有し、塩化物イオンを実質的に含まないめっき浴である、クロムめっき方法。
2. 半光沢ニッケルを行うための半光沢ニッケルめっき浴が、ワット浴を基本浴としてブチンジオール及びその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を添加しためっき浴であり、光沢ニッケルを行うための光沢ニッケルめっき浴が、ワット浴を基本浴として、=C-SO2−結合を有する化合物を添加しためっき浴である、上記項1に記載のクロムめっき方法。
3. 半光沢ニッケルめっき皮膜、光沢ニッケルめっき皮膜、及び3価クロムめっき浴から形成されたクロムめっき皮膜が順次積層されてなる、上記項1に記載の方法によってクロムめっき皮膜が形成された物品。
4. 水溶性3価クロム化合物、電導性塩、錯化剤及びpH緩衝剤を含有し、さらに、水溶性鉄化合物を鉄イオン濃度として20〜100ppm含有し、塩化物イオンを実質的に含まない、バレルめっき法によるクロムめっき用3価クロムめっき浴。
本発明では、半光沢ニッケルめっきを形成するためのニッケルめっき浴としては、特に限定はなく、公知の半光沢ニッケルめっき浴を用いることができる。通常、半光沢ニッケルめっき浴は、ワット浴と称される硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とするニッケルめっき浴に、二次光沢剤と称されるレベリング効果を付与する添加剤を含有したものであり、光沢ニッケルめっき浴に含まれる一次光沢剤と称される硫黄含有化合物を含まないめっき浴である。
(i)ケトン類、アルデヒド類、カルボン酸類等のC=O結合を有する化合物、
(ii)アルケンカルボン酸エステル、アルケンアルデヒド類、クマリン、その誘導体等のC=C結合を有する化合物、
(iii)アセチレン誘導体、ブチンジオール、その誘導体等の
(iv)アジン、チアジン、染料、イミダゾール等のC=N結合を有する化合物、
(v)エチレンシアノヒドリン等の
光沢ニッケルめっき皮膜を形成するための光沢ニッケルめっき浴についても、公知の光沢ニッケルめっき浴を用いることができる。
3価クロムめっき液としては、クロム成分として3価クロム化合物を含むクロムめっき浴であればよく、具体的な組成については特に限定はないが、特に、塩化物イオンを含まない3価クロムめっき浴を用いることが好ましい。この様な3価クロムめっき浴としては、クロム成分として、硫酸クロム(III)などの水溶液3価クロム化合物を含み、電導性塩として、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸アンモニウムなどを含み、錯化剤として、ギ酸、酢酸等の脂肪族モノカルボン酸;シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の脂肪族ジカルボン酸;グルコン酸等の脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸;リンゴ酸等の脂肪族ヒドロキシジカルボン酸;クエン酸等の脂肪族ヒドロキシトリカルボン酸;これらの塩類などを含むめっき浴を例示できる。更に、pH緩衝剤として、ホウ酸、酸化ホウ素、ホウ酸ナトリウムなどを含んでいても良い。これらの各成分の濃度については、特に限定的ではないが、例えば、3価クロム化合物については、10〜100g/L程度(Crとして3〜30g/L程度)、電導性塩については、30〜300g/L程度、錯化剤については、5〜50g/L程度、pH緩衝剤については、10〜100g/L程度の3価クロムめっき浴を例示できる。
本発明のめっき方法では、まず、バレルめっき法によって上記した半光沢ニッケルめっき浴及び光沢ニッケルめっき浴を用いて、半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを順次行う。
被めっき物として軟鋼製のねじ(長さ:1.5cm程度)を用い、常法により、脱脂、電解脱脂、酸活性を行った後、山本鍍金試験器製のミニバレル(容量:200ml)に200gを投入した。
光沢ニッケルめっき浴として、硫酸ニッケル300g/L、塩化ニッケル40g/L、ホウ酸40g/L、サッカリン2g/L、及びブチンジオールエトキシレート0.05g/Lを含むめっき浴を用いること以外は、実施例1と同様にして、半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを行った後、3価クロムめっきを行った。
実施例1に記載した方法おいて、半光沢ニッケルめっきを行うことなく、光沢ニッケルめっきのメッキ時間を1時間とすること以外は、実施例1と同様にして、3価クロムめっき皮膜を形成した。
実施例1で用いた半光沢ニッケルめっき浴に代えて、光沢剤を含まないワット浴(硫酸ニッケル:240g/L、塩化ニッケル:45g/L、ホウ酸:30g/L pH=4.5)を用い、浴温45℃、浴電圧8V(平均電流5〜7A程度)の条件で定電圧電解によって3時間バレルめっきを行うこと以外は、実施例1と同様にして、光沢ニッケルめっき及び3価クロムめっきを行った。
実施例1で用いた半光沢ニッケルめっき浴に代えて、光沢剤を含まないスルファミン酸ニッケル浴(スルファミン酸ニッケル:320g/L、臭化ニッケル:10g/L、ホウ酸:30g/L、pH=3.5)を用い、浴温45℃、浴電圧8V(平均電流5〜7A程度)の条件で定電圧電解によって3時間バレルめっきを行うこと以外は、実施例1と同様にして、光沢ニッケルめっき及び3価クロムめっきを行った。
目視で皮膜外観を観察し、全体が良好な光沢を有する場合を○印、無光沢の部分が存在する場合を×印で示す。
JIS Z2371による塩水噴霧試験によって、5個の試料について、耐食性試験を行い、錆が発生するまでの時間を測定した。
Claims (4)
- バレルめっき法によって半光沢ニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきを順次行った後、3価クロム化合物を含む3価クロムめっき浴を用いてバレルめっき法によってクロムめっきを行うことを特徴とするクロムめっき方法であって、該3価クロムめっき浴が、水溶性3価クロム化合物、電導性塩、錯化剤及びpH緩衝剤を含有し、さらに、水溶性鉄化合物を鉄イオン濃度として20〜100ppm含有し、塩化物イオンを実質的に含まないめっき浴である、クロムめっき方法。
- 半光沢ニッケルを行うための半光沢ニッケルめっき浴が、ワット浴を基本浴としてブチンジオール及びその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を添加しためっき浴であり、光沢ニッケルを行うための光沢ニッケルめっき浴が、ワット浴を基本浴として、=C-SO2−結合を有する化合物を添加しためっき浴である、請求項1に記載のクロムめっき方法。
- 半光沢ニッケルめっき皮膜、光沢ニッケルめっき皮膜、及び3価クロムめっき浴から形成されたクロムめっき皮膜が順次積層されてなる、請求項1に記載の方法によってクロムめっき皮膜が形成された物品。
- 水溶性3価クロム化合物、電導性塩、錯化剤及びpH緩衝剤を含有し、さらに、水溶性鉄化合物を鉄イオン濃度として20〜100ppm含有し、塩化物イオンを実質的に含まない、バレルめっき法によるクロムめっき用3価クロムめっき浴。
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