JP2003188541A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 貫通導体に断線が発生することがない高密度
な配線が可能な配線基板の製造方法。 【解決手段】 絶縁樹脂板1の上下両面に銅箔から成る
内層導体2A・2Bを被着させるとともに内層導体2A・2Bに直
径が30〜100μｍの開口部8を形成する工程と、次にこの
絶縁樹脂板1に絶縁樹脂層3A・3Bを被着する工程と、開口
部8の外側からレーザを照射し絶縁樹脂層3A・3B、内層導
体2A・2B、絶縁樹脂板1を上下に貫通する直径が75〜130
μｍの貫通孔4を形成する工程と、貫通孔4の内壁に貫通
導体5を、絶縁樹脂層3A・3Bの表面に表層導体6A・6Bを銅
めっきにより被着させる工程と、貫通孔4の内部および
絶縁樹脂層3A・3Bの表面に同一組成の未硬化の樹脂を充
填または塗布した後、樹脂を硬化させることにより貫通
孔4の内部に樹脂が硬化した樹脂柱7aを、絶縁樹脂層3A・
3Bの表面に樹脂が硬化したソルダーレジスト層7bを一体
的に成形する工程とを順次行なう。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料系の配線
基板の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子を搭載するための有機
材料系の配線基板として、例えば両面または片面に銅箔
から成る配線導体を有するガラス−エポキシ板から成る
複数の絶縁層を同じくガラス−エポキシ板から成る接着
層を介して積層して成る多層配線基板が用いられてい
る。この有機材料系の多層配線基板においては、その上
面から下面にかけて複数の貫通孔が設けられており、貫
通孔内壁には各絶縁層を挟んで上下に位置する配線導体
同士を電気的に接続するための銅めっき膜から成る貫通
導体が被着形成されており、それにより立体的な高密度
配線が可能となっている。 【０００３】なお、このような有機材料系の多層配線基
板は、両面または片面に厚みが15〜50μｍ程度の銅箔か
ら成る配線導体が被着形成された厚みが0.1〜0.5ｍｍ程
度のガラス−エポキシ板から成る複数の絶縁層を厚みが
0.1〜0.2ｍｍ程度のガラス−エポキシ板から成る接着層
を介して積層した後、その上面から下面にかけて直径が
200〜500μｍ程度の貫通孔をドリル加工により穿孔し、
しかる後、貫通孔内壁に厚みが15〜50μｍ程度の銅めっ
き膜から成る貫通導体を無電解めっき法および電解めっ
き法により被着させることによって製作されている。 【０００４】なお、このような有機材料系の多層配線基
板においては、その配線密度をさらに高めるために、貫
通孔の直径を例えば75〜130μｍの小さなものとする試
みがなされている。このような直径が75〜130μｍの小
さな貫通孔を形成するためには、例えばレーザによる穿
孔方法が採用される。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
内層導体を有する有機材料系の多層配線基板では、内層
導体に開口を形成するためのレーザのエネルギーが大き
すぎるために直径が75〜130μｍの貫通孔を形成するこ
とが困難であり、貫通孔の直径が130〜180μｍになって
いた。また、この多層配線基板においては、各絶縁層お
よび接着層の厚みが0.1〜0.5ｍｍと厚いことから、各絶
縁層および接着層を貫通する貫通孔の直径を例えば75〜
130μｍの小さなものとすると、貫通孔の内壁に銅めっ
き膜から成る貫通導体を被着させる際、貫通導体を形成
するためのめっき液が貫通孔の内部に良好に入り込みに
くくなり、その結果、貫通導体が良好に被着形成されず
に貫通導体に断線が発生してしまいやすいという問題点
を有していた。さらに、レーザによる貫通孔形成時に、
貫通孔の内部にコア等のスミアが残り、そのスミアのた
めに貫通孔の内壁にめっきがかかり難くなるという問題
点を有していた。 【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
完成されたものであり、その目的は、貫通孔の直径を75
〜130μｍに小さくすることを可能にするとともに、直
径を75〜130μｍと小さくしても貫通導体に断線が発生
することがない、極めて高密度な配線が可能な配線基板
およびその製造方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の配線基板の製造
方法は、絶縁樹脂板の上下両面に銅箔から成る内層導体
を被着させるとともに該内層導体に直径が30〜100μｍ
の開口部を形成する工程と、次にこの絶縁樹脂板に絶縁
樹脂層を被着する工程と、前記開口部の外側からレーザ
を照射し前記絶縁樹脂層、前記内層導体および前記絶縁
樹脂板を上下に貫通する直径が75〜130μｍの貫通孔を
形成する工程と、前記貫通孔の内壁に貫通導体を、およ
び前記絶縁樹脂層の表面に表層導体をそれぞれ銅めっき
により被着させる工程と、前記貫通孔の内部および前記
絶縁樹脂層の表面にそれぞれ同一組成の未硬化の樹脂を
充填または塗布した後、該樹脂を硬化させることにより
前記貫通孔の内部に前記樹脂が硬化した樹脂柱を、およ
び前記絶縁樹脂層の表面に前記樹脂が硬化したソルダー
レジスト層を一体的に成形する工程とを順次行なうこと
を特徴とするものである。 【０００８】本発明の配線基板の製造方法によれば、内
層導体に開口部を形成するとともに、この開口部の外側
からレーザを照射し絶縁樹脂層、内層導体、および絶縁
樹脂板を上下に貫通する貫通孔を形成することから、貫
通孔を形成するレーザのエネルギーを大きなものとする
必要がなく、貫通孔の直径を75〜130μｍの小さいもの
とすることができ、その結果、高密度な配線が可能な配
線基板とすることができる。 【０００９】 【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板について
詳細に説明する。 【００１０】図１は、本発明の配線基板の実施の形態の
一例を示す部分断面図である。図１において、１は絶縁
樹脂板、２Ａ・２Ｂは内層導体、３Ａ・３Ｂは絶縁樹脂
層、４は貫通孔、５は貫通導体、６Ａ・６Ｂは表層導
体、７ａは樹脂柱、７ｂはソルダーレジスト層であり、
主にこれらで本発明の配線基板が構成されている。 【００１１】絶縁樹脂板１は、本発明の配線基板のコア
部材として機能し、例えばガラスクロスやアラミドクロ
スにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポ
リフェニレンエーテル樹脂等の樹脂を含浸させた有機系
の絶縁材料から成る厚みが0.35〜0.45ｍｍの平板であ
り、その上下両面に厚みが７〜12μｍの銅箔から成る内
層導体２Ａ・２Ｂが被着された、いわゆる両面銅張り板
を構成している。絶縁樹脂板１は、その厚みが0.35ｍｍ
未満ではその上下面に絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂを被着させ
たり、あるいは絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・
２Ｂ、および絶縁樹脂板１を貫通して複数の貫通孔４を
形成したりする際等に、熱や外力等の影響で配線基板に
反りや変形が発生して配線基板に要求される平坦度を確
保できなくなってしまう危険性が大きなものとなり、他
方、0.45ｍｍを超えると、後述するように貫通孔４の内
壁に貫通導体５を形成するとき、貫通孔４の内部にめっ
き液が浸入しにくくなり、貫通導体５を良好に形成する
ことが困難となる。したがって、絶縁樹脂板１の厚みは
0.35〜0.45ｍｍの範囲に特定される。 【００１２】なお、絶縁樹脂板１は、ガラスクロスやア
ラミドクロスに含浸させるエポキシ樹脂やビスマレイミ
ドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹
脂中にシリカやアルミナあるいはアラミド樹脂等から成
るフィラーをガラスクロスやアラミドクロス等の繊維部
分と樹脂部分とでレーザ光の透過度が略同等となる程度
に含有させておけば、後述するように絶縁樹脂板１にレ
ーザ光で貫通孔４を穿孔する際に、貫通孔４を絶縁樹脂
板１に略均一な大きさで良好に形成することが可能とな
る。したがって、絶縁樹脂板１のガラスクロスやアラミ
ドクロスに含浸させるエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂中
にはシリカやアルミナあるいはアラミド樹脂等から成る
フィラーをガラスクロスやアラミドクロス等の繊維部分
と樹脂部分とでレーザ光の透過度が略同等となるように
含有させておくことが好ましい。 【００１３】また、絶縁樹脂板１の上下面に被着された
内層導体２Ａ・２Ｂは、銅箔から成り、主として電源層
やグランド層として機能する内層配線パターンＷとこの
内層配線パターンＷから電気的に独立したダミーパター
ンＤとを有し、その厚みが７〜12μｍ、その表面の中心
線平均粗さＲａが0.2〜２μｍ程度である。なお、ダミ
ーパターンＤは、絶縁樹脂板１の上下面に形成された内
層配線パターンＷの隙間を埋めるように形成され、後述
する絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面を略平坦とする作用を
なす。内層導体２Ａ・２Ｂは、その厚みが７μｍ未満の
場合、電源層やグランド層としての内層配線パターンＷ
に対して十分な電気特性を付与することが困難となり、
他方、12μｍを超える場合、後述するように絶縁樹脂層
３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２Ｂ、および絶縁樹脂板１
を貫通する貫通孔４をレーザ加工により穿孔する場合
に、直径が75〜130μｍの貫通孔４を安定して形成する
ことが困難となる。したがって、内層導体２Ａ・２Ｂの
厚みは、７〜12μｍの範囲に特定される。また内層導体
２Ａ・２Ｂのレーザで穿孔される中心部分には直径が30
〜100μｍの開口部が形成される。この開口部の寸法が3
0μｍ未満の場合、内層導体２Ａ・２Ｂを穿孔するため
のレーザのエネルギーが大きなものとなり直径が130μ
ｍ以下の貫通孔４を穿孔することが困難となり、また10
0μｍより大きい場合、貫通孔４の内壁に形成される貫
通導体５と内層導体２Ａ・２Ｂの電気的接続が不十分に
なる傾向がある。したがって内層導体２Ａ・２Ｂの貫通
孔４が形成される部分の中心に直径30〜100μｍの開口
部を形成しておくことが重要である。 【００１４】また、内層導体２Ａ・２Ｂは、その表面の
中心線平均粗さＲａが0.2μｍ未満の場合、内層導体２
Ａ・２Ｂと絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂとが強固に密着せずに
内層導体２Ａ・２Ｂと絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂとの間で剥
離が発生しやすくなる傾向にあり、他方２μｍを超える
と、そのような粗い面を安定かつ効率良く形成すること
が困難となる傾向にある。したがって、内層導体２Ａ・
２Ｂの表面の中心線平均粗さＲａは0.2〜２μｍが好ま
しい。 【００１５】次に、絶縁樹脂板１の上下面に被着された
絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂはエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬
化性樹脂から成り、レーザ光に対する分解度合いが絶縁
樹脂板１よりも大きく、また、その表面には表層導体６
Ａ・６Ｂが被着されている。絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂは、
互いに絶縁すべき内層導体２Ａ・２Ｂと表層導体６Ａ・
６Ｂとを電気的に絶縁するための絶縁間隔を提供するた
めのものであり、その厚みが内層導体２Ａ・２Ｂ上で25
〜45μｍである。この絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂは、その厚
みが内層導体２Ａ・２Ｂ上で25μｍ未満の場合、互いに
絶縁すべき内層導体２Ａ・２Ｂと表層導体６Ａ・６Ｂと
を電気的に良好に絶縁することができなくなり、他方、
45μｍを超えると、絶縁樹脂板１および内層導体２Ａ・
２Ｂならびに絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂを貫通する貫通孔４
をレーザ加工により穿孔する際に直径が75〜130μｍの
貫通孔４を良好に形成することが困難となる。したがっ
て、絶縁層３Ａ・３Ｂの厚みは内層導体２Ａ・２Ｂ上で
25〜45μｍの範囲に特定される。 【００１６】表層導体６Ａ・６Ｂは、厚みが８〜30μｍ
の銅めっき膜から成り、電源配線およびグランド配線お
よび信号配線を具備する表層配線パターンを形成してい
る。そして、例えば上面側の表層導体６Ａの露出する一
部に図示しない電子部品の電極が半田を介して接続され
るとともに、下面側の表層導体６Ｂの露出する一部が図
示しない他の配線基板等に半田を介して接続される。 【００１７】これらの表層導体６Ａ・６Ｂは、その厚み
が８μｍ未満であると、表層配線パターンの電気抵抗が
高いものとなり、他方、30μｍを超えると、表層配線パ
ターンを高密度に形成することが困難となる。したがっ
て、表層導体６Ａ・６Ｂの厚みは、8〜30μｍの範囲が
好ましい。 【００１８】さらに、本発明の配線基板においては、内
層導体２Ａ・２Ｂの開口部の外側からレーザを照射する
ことにより絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２
Ｂ、および絶縁樹脂板１を貫通して直径が75〜130μｍ
の貫通孔４が形成されており、この貫通孔４の内壁には
貫通導体５が被着形成されている。貫通孔４は、貫通導
体５を絶縁樹脂層３Ａの上面から絶縁樹脂層３Ｂの下面
にかけて導出させるための導出路を提供するためのもの
であり、その直径が絶縁樹脂板１においては75〜115μ
ｍで略同じ大きさであり、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂにおい
てはその開口部で90〜130μｍとなるように外側に向か
って拡径している。 【００１９】このように、本発明の配線基板によれば、
貫通孔４の孔径が75〜130μｍと小さいことから、貫通
導体５および表層導体６Ａ・６Ｂを高密度で配置するこ
とができ、それにより極めて高密度な配線を有する配線
基板を得ることができる。 【００２０】また、貫通孔４は、その直径が絶縁樹脂層
３Ａ・３Ｂで外側に向かって広がっていることから、後
述するように貫通孔４の内壁に貫通導体５を被着形成す
る際に、貫通導体５を形成するためのめっき液が貫通孔
４の内部に良好に入り込み、その結果、貫通孔４内に貫
通導体５を良好に形成することができる。 【００２１】なお、貫通孔４の直径が75μｍ未満の場
合、貫通孔４の内壁に貫通導体５を被着形成する際に、
貫通導体５を形成するためのめっき液が貫通孔４の内部
に良好に入り込まずに貫通孔４の内壁に貫通導体５を良
好に形成することが困難となり、他方、130μｍを超え
ると、貫通導体５および表層導体６Ａ・６Ｂを高密度で
配置することが困難となる。したがって、貫通孔４の直
径は、75〜130μｍに特定される。 【００２２】また、貫通孔４の開口部における直径が絶
縁樹脂板１における直径よりも10μｍ未満大きい場合に
は、貫通孔４の内壁に貫通導体５を被着形成する際に、
貫通導体５を形成するためのめっき液が貫通孔４の内部
に良好に入り込まずに貫通孔４の内壁に貫通導体５を良
好に形成することが困難となり、他方、50μｍを超えて
大きな場合には、そのような形状を有する貫通孔４を安
定して形成することが困難となる。したがって、貫通孔
４の開口部における直径は、絶縁樹脂板１における直径
よりも10〜50μｍ大きいことが好ましい。 【００２３】貫通孔４の内壁に被着形成された貫通導体
５は、厚みが８〜25μｍ程度の銅めっき膜から成り、絶
縁樹脂板１および絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂを挟んで上下に
位置する内層導体２Ａ・２Ｂおよび表層導体６Ａ・６Ｂ
同士を互いに電気的に接続する接続導体として機能す
る。 【００２４】貫通導体５は、その厚みが８μｍ未満で
は、貫通導体５の電気抵抗が高いものとなりすぎる傾向
にあり、他方、25μｍを超えると、貫通導体５が被着さ
れた貫通孔４の内部に後述するソルダーレジストを充填
して樹脂柱７ａを良好に形成することが困難となる傾向
になる。したがって、貫通導体５の厚みは、８〜25μｍ
の範囲であることが好ましい。 【００２５】さらに、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面およ
び貫通孔４の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬
化性樹脂から成るソルダーレジスト層７ｂが被着または
樹脂柱７ａが充填されている。樹脂柱７ａ・ソルダーレ
ジスト層７ｂは、貫通導体５および表層導体６Ａ・６Ｂ
を保護するとともに表層導体６Ａ・６Ｂにおける表層配
線パターン同士を電気的に良好に絶縁するための保護層
として機能し、表層導体６Ａ・６Ｂの一部を露出させる
所定のパターンに被着形成されている。 【００２６】なお、ソルダーレジスト層７ｂは、その表
層導体６Ａ・６Ｂ上における厚みが10μｍ未満である
と、表層導体６Ａ・６Ｂを良好に保護することができな
くなるとともに表層導体６Ａ・６Ｂにおける表層配線パ
ターン同士を電気的に良好に絶縁することができなくな
る傾向にあり、他方、40μｍを超えると、ソルダーレジ
スト層７ｂを所定のパターンに形成することが困難とな
る傾向にある。したがって、ソルダーレジスト層７ｂの
表層導体６Ａ・６Ｂ上における厚みは、10〜40μｍの範
囲が好ましい。 【００２７】かくして、本発明の配線基板によれば、直
径が75〜130μｍの貫通孔４内に貫通導体５を良好に形
成することができ、それにより貫通導体５に断線が発生
することのない極めて高密度な配線の配線基板とするこ
とができる。 【００２８】次に、図１に示した配線基板を本発明の製
造方法により製造する方法について図２（ａ）〜（ｆ）
を用いて説明する。 【００２９】まず、図２（ａ）に部分断面図で示すよう
に、例えばガラスクロスやアラミドクロスにエポキシ樹
脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の樹脂を含浸させた有機系の絶縁材料から
成る厚みが0.35〜0.45ｍｍの絶縁樹脂板１の上下面に、
厚みが７〜12μｍの銅箔から成る内層導体２Ａ・２Ｂが
被着形成された両面銅張板11を準備する。なお、内層導
体２Ａ・２Ｂはその表面の中心線平均粗さＲａが0.2〜
２μｍ程度となるように、その表面を粗化しておく。 【００３０】絶縁樹脂板１は、その厚みが0.35ｍｍ未満
ではその上下面に絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂを被着させた
り、あるいは絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２
Ｂ、および絶縁樹脂板１を貫通して複数の貫通孔４を形
成する際等に熱や外力等の影響で配線基板に反りや変形
が発生して配線基板に要求される平坦度を確保できなく
なってしまう危険性が大きなものとなり、他方、0.45ｍ
ｍを超えると、後述するように貫通孔４の内壁に貫通導
体５を形成するとき、貫通孔４の内部にめっき液が浸入
しにくくなり、貫通導体５に断線が発生しやすくなる。
したがって、絶縁樹脂板１の厚みは0.35〜0.45ｍｍの範
囲に特定される。 【００３１】また、内層導体２Ａ・２Ｂは、その厚みが
７μｍ未満の場合、内層導体２Ａ・２Ｂのパターンに電
源層やグランド層としての十分な電気特性を付与するこ
とができず、他方、12μｍを超える場合、後述するよう
に絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２Ｂ、および
絶縁樹脂板１を貫通する貫通孔４をレーザ加工により穿
孔する場合に、直径が75〜130μｍの貫通孔４を安定し
て形成することが困難となる。したがって、内層導体２
Ａ・２Ｂの厚みは、７〜12μｍの範囲に特定される。 【００３２】さらに、内層導体２Ａ・２Ｂのレーザで穿
孔される中心部分には直径が30〜100μｍの開口部８を
形成する。この開口部８の径が30μｍ未満の場合、内層
導体２Ａ・２Ｂを穿孔するためのレーザのエネルギーが
大きすぎるために径が130μｍ以下の貫通孔４を穿孔す
ることが困難となる傾向があり、また、100μｍより大
きい場合、貫通孔４の内部に形成される貫通導体５と内
層導体２Ａ・２Ｂの電気的接続が不十分になる傾向があ
る。したがって、内層導体２Ａ・２Ｂの貫通孔４で穿孔
される部分の中心に直径30〜100μｍの円形の開口部８
を形成することが重要である。 【００３３】また、内層導体２Ａ・２Ｂは、その表面の
中心線平均粗さＲａが0.2μｍ未満の場合、後述するよ
うに、絶縁樹脂板１の上下面に絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂを
被着させる際に内層導体２Ａ・２Ｂと絶縁樹脂層３Ａ・
３Ｂとが強固に密着せずに、内層導体２Ａ・２Ｂと絶縁
樹脂層３Ａ・３Ｂとの間で剥離が発生しやすくなる傾向
にあり、他方２μｍを超えると、そのような粗い面を安
定かつ効率良く形成することが困難となる傾向にある。
したがって、内層導体２Ａ・２Ｂ表面の中心線平均粗さ
Ｒａは0.2〜２μｍの範囲が好ましい。 【００３４】このような内層導体２Ａ・２Ｂは、絶縁樹
脂板１の上下全面に厚みが８〜16μｍ程度の銅箔を貼着
するとともに、この銅箔上に感光性のドライフィルムレ
ジストを被着させ、次にこの感光性ドライフィルムレジ
ストを従来周知のフォトリソグラフィー技術により露光
・現像してパターン形成位置にドライフィルムレジスト
を有するエッチングマスクを形成し、次にエッチングマ
スクから露出した銅箔を塩化第２銅水溶液もしくは塩化
第２鉄水溶液から成るエッチング液を用いてエッチング
除去し、最後にエッチングマスクを剥離した後、塩化第
２銅水溶液に蟻酸が含有された粗化液を用いてその表面
をエッチングして粗化することによって形成される。 【００３５】次に、図２（ｂ）に部分断面図で示すよう
に、両面銅張板11の上下面にその厚みが内層導体２Ａ・
２Ｂ上で25〜45μｍの絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂを被着形成
する。絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂはエポキシ樹脂やビスマレ
イミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等
の熱硬化型の樹脂から成り、炭酸ガスレーザ等のレーザ
光に対する分解度合いが絶縁樹脂板１よりも大きい。 【００３６】絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂは、その厚みが内層
導体２Ａ・２Ｂ上で25μｍ未満の場合、互いに絶縁すべ
き内層導体２Ａ・２Ｂと表層導体６Ａ・６Ｂとを電気的
に良好に絶縁することができなくなり、他方、45μｍを
超えると、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２
Ｂ、および絶縁樹脂板１を貫通する貫通孔４をレーザ加
工により穿孔する際に直径が75〜130μｍの貫通孔４を
良好に形成することが困難となる。したがって、絶縁層
３Ａ・３Ｂの厚みは内層導体２Ａ・２Ｂ上で25〜45μｍ
の範囲に特定される。 【００３７】なお、絶縁樹脂板１の上下面に内層導体２
Ａ・２Ｂが被着されて成る両面銅張板11の上下面に絶縁
樹脂層３Ａ・３Ｂを被着形成するには、半硬化状態の熱
硬化性樹脂のフィルムを両面銅張板11の上下両面に真空
ラミネータで仮圧着した後、これを熱処理して硬化させ
る方法が採用される。 【００３８】次に、図２（ｃ）に部分断面図で示すよう
に、内層導体２Ａ・２Ｂの開口部８の外側からレーザを
照射し、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２Ｂ、
および絶縁樹脂板１を貫通する直径が75〜130μｍの複
数の貫通孔４を穿孔する。本発明においては、このこと
が重要である。また、このとき、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ
のレーザ光に対する分解度合いが絶縁樹脂板１よりも大
きいことから、貫通孔４は、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂにお
いて外側に向けて拡径する形状となる。 【００３９】このように、本発明においては、内層導体
２Ａ・２Ｂの開口部８の外側からレーザを照射し、絶縁
樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２Ｂ、および絶縁樹
脂板１を貫通する貫通孔５の直径を75〜130μｍと小さ
いものとすることから、後述するように貫通導体５およ
び表層導体６Ａ・６Ｂを形成する際に貫通導体５および
表層導体６Ａ・６Ｂを高密度で配置することができ、そ
れにより高密度な配線基板を得ることができる。また、
貫通孔４の直径が絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの部位で外側に
向かって広がっていることから、後述するように貫通孔
４の内壁に貫通導体５を被着形成する際に、貫通導体５
を形成するためのめっき液が貫通孔４の内部に良好に入
り込み、その結果、貫通孔４の内部に貫通導体５を良好
に形成することができる。 【００４０】なお、貫通孔４の孔径が75μｍ未満の場
合、貫通孔４の内壁に貫通導体５を被着形成する際に、
貫通導体５を形成するためのめっき液が貫通孔４の内部
に良好に入り込まず、貫通孔４の内壁に貫通導体５を良
好に形成することができなくなり、他方、130μｍを超
えると、貫通導体５および表層導体６Ａ・６Ｂを高密度
で配置することが困難となる。したがって、貫通孔４の
直径は、75〜130μｍの範囲に特定される。 【００４１】また、貫通孔４の絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの
開口部における直径が絶縁樹脂板１における直径よりも
10μｍ未満大きい場合には、貫通孔４内壁に貫通導体５
を被着形成する際に、貫通導体５を形成するためのめっ
き液が貫通孔４の内部に良好に入り込まずに貫通孔４の
内壁に貫通導体５を良好に形成することが困難となり、
他方、50μｍを超えて大きな場合には、そのような形状
を有する貫通孔４を安定して形成することが困難とな
る。したがって、貫通孔４の開口部における直径は、絶
縁樹脂板１における直径よりも10〜50μｍ大きくしてお
くことが好ましい。 【００４２】なお、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂおよび内層導
体２Ａ・２Ｂおよび絶縁樹脂板１に貫通孔４を形成する
には、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ上に例えばレーザ光のエネ
ルギーを良好に吸収する黒色もしくは黒色に近い色を有
する樹脂から成るレーザ加工用シートを貼着し、このレ
ーザ加工用シートの上から７〜12ｍＪの出力の炭酸ガス
レーザ光を50〜500μ秒のパルス幅で内層導体２Ａ・２
Ｂの開口部８の外側から照射して貫通孔４を穿孔する方
法が採用される。このとき、炭酸ガスレーザ光の出力が
７ｍＪ未満だと貫通孔４を十分な大きさに穿孔すること
が困難となる傾向にあり、他方、12ｍＪを超えると絶縁
樹脂層３Ａ・３Ｂにおける貫通孔４の孔径が大きくなり
すぎてしまう傾向にある。したがって、照射する炭酸ガ
スレーザ光は、その出力が７〜12ｍＪでパルス幅が50〜
500μ秒の範囲であることが好ましい。なお、レーザ加
工用シートは、貫通孔４を穿孔した後に剥離する。この
ように貫通孔４をレーザ加工により形成することによ
り、直径が75〜130μｍで、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂにお
いて外側に向けて拡径する形状の貫通孔４を容易に形成
することができる。 【００４３】次に、貫通導体５の形成方法は、1回目の
粗化・無電解銅めっきを形成後、その無電解銅めっきを
エッチングで１度剥離した後に再度粗化・無電解銅めっ
きを形成し貫通導体５を形成する。このようして図２
（ｄ）に部分断面図で示すように、貫通孔４内壁および
絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面に厚みが１〜３μｍの無電
解銅めっき膜から成るめっき膜13Ａを被着させる。な
お、無電解めっき膜から成るめっき膜13Ａを被着させる
には、例えば塩化アンモニウム系酢酸パラジウムを含有
するパラジウム活性液を使用して貫通孔４の内壁および
絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面にパラジウム触媒を付着さ
せるとともに、その上に硫酸銅系の無電解銅めっき液を
用いて無電解銅めっき膜を被着させればよい。このと
き、貫通孔４は、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂにおいて外側に
向けて拡径していることから、貫通孔４の内部に無電解
銅めっき液が良好に浸入し、その結果、貫通孔４の内壁
および絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面に無電解銅めっき膜
を略均一な厚みに良好に被着させることができる。な
お、無電解銅めっき膜から成るめっき膜13Ａを被着させ
る前に絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面および貫通孔４の内
壁を例えば過マンガン酸カリウム溶液や過マンガン酸ナ
トリウム溶液から成る粗化液を用いてその中心線平均粗
さＲａが0.2〜２μｍ程度になるように粗化しておくと
無電解銅めっき膜から成るめっき膜13Ａを強固に被着さ
せることができる。したがって、無電解銅めっき膜から
成るめっき膜13Ａを被着させる前に絶縁樹脂層３Ａ・３
Ｂ表面および貫通孔４の内壁を例えば過マンガン酸カリ
ウム溶液や過マンガン酸ナトリウム溶液から成る粗化液
を用いてその中心線平均粗さＲａが0.2〜２μｍ程度に
なるように粗化しておくことが好ましい。 【００４４】次に、図２（ｅ）に部分断面図で示すよう
に、絶縁層３Ａ・３Ｂ上の無電解銅めっき膜から成るめ
っき膜13Ａ上にめっき用マスク14を被着させるととも
に、めっき用マスク14から露出した無電解銅めっき膜上
に厚みが10〜35μｍ程度の電解銅めっき膜を被着させ、
貫通孔４の内壁および絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ表面のパタ
ーン形成部位が選択的に厚く被着された無電解めっき膜
と電解銅めっき膜とから成るめっき膜13Ｂを形成する。 【００４５】なお、めっき用マスク14は、例えば感光性
ドライフィルムレジストを絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ上の無
電解銅めっき膜から成るめっき膜13Ａ上に被着させると
ともに、このドライフィルムレジストをフォトリソグラ
フィー技術により露光・現像して所定のパターンに加工
することによって形成される。 【００４６】また、電解銅めっき膜を被着させるための
電解銅めっき液としては、例えば、硫酸銅系から成る電
解銅めっき液を用いればよい。このとき、貫通孔４は、
絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂにおいて外側に向けて拡径してい
ることから、貫通孔４内に電解銅めっき液が良好に浸入
し、その結果、貫通孔４内壁および絶縁樹脂層３Ａ・３
Ｂの表面に電解銅めっき膜が略均一な厚みに良好に被着
される。 【００４７】次に、めっきマスク14を剥離するとともに
めっきマスク14の下にあった無電解銅めっき膜が消滅す
るまで無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜をエッチ
ングし、貫通孔４の内壁に貫通導体５を形成するととも
に絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面に表層導体６Ａ・６Ｂを
形成する。 【００４８】なお、無電解銅めっき膜および電解銅めっ
き膜をエッチングするには、塩化第２銅水溶液または塩
化第２鉄水溶液から成るエッチング液を用いればよい。 【００４９】最後に、図２（ｆ）に部分断面図で示すよ
うに、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・
ポリフェニレンエーテル等の熱硬化性樹脂から成るソル
ダーレジストを貫通孔４の内部に充填して樹脂柱７ａを
形成するとともに絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂの表面に被着し
てソルダーレジスト層７ｂを形成することにより図１に
示す本発明の配線基板が完成する。 【００５０】なお、樹脂柱７ａおよびソルダーレジスト
層７ｂは、ソルダーレジスト用の感光性の樹脂ペースト
を従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁層３Ａ側
および３Ｂ側から貫通孔４を埋めるように印刷塗布し、
これを従来周知のフォトリソグラフィー技術を採用して
所定のパターンに露光・現像することによって形成され
る。このとき、貫通孔４は、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂにお
いて外側に向けて拡径していることから、貫通孔４の内
部にソルダーレジスト用の樹脂ペーストが良好に浸入
し、その結果、貫通孔４内をソルダーレジストで良好に
充填することができる。 【００５１】かくして、本発明の配線基板の製造方法に
よれば、内層導体２Ａ・２Ｂに直径が30〜100μｍの開
口部８を形成するとともに、開口部８の外側からレーザ
を照射し、絶縁樹脂層３Ａ・３Ｂ、内層導体２Ａ・２
Ｂ、および絶縁樹脂板１を上下に貫通する貫通孔４を形
成することから、貫通孔４を形成するレーザのエネルギ
ーを大きなものとする必要がなく、貫通孔４の直径を75
〜130μｍと小さいものとすることができ、その結果、
高密度な配線が可能な配線基板とすることができる。 【００５２】なお、本発明は上述の実施形態例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば種々の変更は可能である。 【００５３】 【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法によれば、
内層導体に開口部を形成するとともに、この開口部の外
側からレーザを照射し絶縁樹脂層、内層導体、および絶
縁樹脂板を上下に貫通する貫通孔を形成することから、
貫通孔を形成するレーザのエネルギーを大きなものとす
る必要がなく、貫通孔の直径を75〜130μｍの小さいも
のとすることができ、その結果、高密度な配線が可能な
配線基板とすることができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の配線基板の製造方法によって製作され
た配線基板の実施の形態の一例を示す部分断面図であ
る。 【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方
法を説明するための工程毎の部分断面図である。 【符号の説明】 １・・・・・・・絶縁樹脂板 ２Ａ・２Ｂ・・・内層導体 ３Ａ・３Ｂ・・・絶縁樹脂層 ４・・・・・・・貫通孔 ５・・・・・・・貫通導体 ６Ａ・６Ｂ・・・表層導体 ７ａ・・・・・・樹脂柱 ７ｂ・・・・・・ソルダーレジスト層 ８・・・・・・・開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/42 ６１０ Ｈ０５Ｋ 3/42 ６１０Ａ ６１０Ｃ Ｆターム(参考） 5E314 AA25 AA27 BB06 BB11 BB12 BB15 CC01 DD01 DD06 FF05 FF08 FF17 GG01 GG08 GG11 GG17 5E317 AA24 BB01 BB12 CC31 CD23 CD27 CD32 GG09 GG14 5E346 AA02 AA12 AA15 AA17 AA42 BB01 CC02 CC08 CC32 CC54 DD01 DD22 DD33 EE31 FF04 GG15 GG17 GG22 GG27 GG28 HH11 HH25 HH26

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 絶縁樹脂板の上下両面に銅箔から成る内
   層導体を被着させるとともに該内層導体に直径が３０〜
   １００μｍの開口部を形成する工程と、次にこの絶縁樹
   脂板に絶縁樹脂層を被着する工程と、前記開口部の外側
   からレーザを照射し前記絶縁樹脂層、前記内層導体およ
   び前記絶縁樹脂板を上下に貫通する直径が７５〜１３０
   μｍの貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内壁に貫
   通導体を、および前記絶縁樹脂層の表面に表層導体をそ
   れぞれ銅めっきにより被着させる工程と、前記貫通孔の
   内部および前記絶縁樹脂層の表面にそれぞれ同一組成の
   未硬化の樹脂を充填または塗布した後、該樹脂を硬化さ
   せることにより前記貫通孔の内部に前記樹脂が硬化した
   樹脂柱を、および前記絶縁樹脂層の表面に前記樹脂が硬
   化したソルダーレジスト層を一体的に成形する工程とを
   順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。