JP2003163512A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波信号の伝送効率に優れた半導体パッケ
ージおよび半導体装置を提供すること。 【解決手段】 上側主面に半導体素子５を載置する載置
部１ａを有する基体１と、基体１の上側主面に載置部１
ａを囲繞するように接合され、側部に貫通孔２ｂが形成
された金属製の枠体２と、貫通孔２ｂに嵌着された同軸
コネクタ３とを具備しており、枠体２の内面の貫通孔２
ｂの下方の部位に凹部が上面に形成された棚部２ａが設
けられているとともに凹部２ａに略四角形の回路基板６
が嵌め込まれており、回路基板６の上面の中央部に半導
体素子５と同軸コネクタ３の中心導体３ｂとを電気的に
接続する線路導体６ａが凹部の側面に略平行に形成され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、信号入出力部に同
軸コネクタを用いた半導体素子収納用パッケージおよび
半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信分野で用いられる半導体素
子や、マイクロ波帯，ミリ波帯等の高周波信号で駆動さ
れる各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケ
ージ（以下、半導体パッケージという）には、半導体素
子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出
力端子として同軸コネクタが用いられている。この同軸
コネクタを具備した半導体パッケージを図１０に断面図
で示す。同図において、２１は基体、２２は枠体、２３
は同軸コネクタ、２４は蓋体、２６は回路基板である。

【０００３】基体２１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）
−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン
（Ｗ）合金等の金属から成る略四角形の板状体であり、
その上側主面の略中央部には、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レ
ーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素
子２５を搭載して成る回路基板２６を載置する載置部２
１ａが形成されている。載置部２１ａには、半導体素子
２５が、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）質セラミックス等
から成る回路基板２６に搭載された状態で載置固定され
る。

【０００４】なお、回路基板２６に搭載された半導体素
子２５は、その電極が、回路基板２６に被着形成されて
いる線路導体２６ａにボンディングワイヤ２７等を介し
て電気的に接続されている。

【０００５】基体２１の上側主面の外周部には載置部２
１ａを囲繞するようにして枠体２２が立設されており、
枠体２２は基体２１とともにその内側に半導体素子２５
を収容する空所を形成する。この枠体２２は基体２１と
同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等から成
り、基体２１と一体成形される、または基体２１に銀ろ
う等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶
接法等の溶接法により接合されることによって基体２１
の上側主面の外周部に立設される。

【０００６】枠体２２の側部には同軸コネクタ２３が嵌
着される円形の貫通孔２２ａが形成されており、貫通孔
２２ａ内に同軸コネクタ２３を嵌め込むとともに半田等
の封着材２８を貫通孔２２ａ内の隙間に挿入し、しかる
後、加熱して封着材２８を溶融させ、溶融した封着材２
８を毛細管現象により同軸コネクタ２３と貫通孔２２ａ
の内面との隙間に充填させることによって、同軸コネク
タ２３が貫通孔２２ａ内に封着材２８を介して嵌着接合
される。

【０００７】同軸コネクタ２３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合
金等の金属から成る円筒状の外周導体２３ａの中心軸部
分に、信号線路としてＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属か
ら成る棒状の中心導体２３ｂが絶縁体２３ｃを介して固
定されて成る。そして、接地導体としての外周導体２３
ａが封着材２８を介して枠体２２に電気的に接続されて
おり、特性インピーダンスに整合された同軸線路モード
の信号線路を形成している。また、中心導体２３ｂが半
田等から成る導電性接着材２６ｂを介して回路基板２６
の線路導体２６ａに電気的に接続される。線路導体２６
ａは、所定の特性インピーダンスに整合されたマイクロ
ストリップ線路となっている。

【０００８】そして、枠体２２の上面に蓋体２４をろう
付け法やシームウエルド法等の溶接法によって接合し、
基体２１、枠体２２および蓋体２４から成る容器内部に
半導体素子２５を収容し気密に封止することによって製
品としての半導体装置となる。

【０００９】なお、図１０において、２１ｂは基体２１
を外部電気回路基板等にネジ止めするための貫通孔、２
２ｂは同軸コネクタプラグ２９を嵌め込むための貫通
孔、２９は同軸コネクタプラグ、３０は外部電気回路に
接続された同軸ケーブルである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上記
従来の半導体パッケージでは、線路導体２６ａを接地す
るための接地導体が回路基板２６の線路導体２６ａに対
向する面に位置する基体２１のみであり、線路導体２６
ａを伝送する高周波信号（１０ＧＨｚ程度）がさらに高
周波化された場合、接地導体が回路基板２６の線路導体
２６ａに対向する面に位置する基体２１のみでは接地導
体の面積が不十分となって、線路導体２６ａにおいて高
周波信号の反射等の伝送損失が発生し、高周波信号を効
率よく伝送できなくなるという問題点を有していた。

【００１１】また、同軸コネクタ２３に嵌合する内面が
円筒状である貫通孔２２ａに、嵌合面が円筒状の同軸コ
ネクタ２３の外周導体２３ａを封着材２８を介して嵌合
しているため、貫通孔２２ａの内径は外周導体２３ａの
外径に比して若干大きくなっている。そのため、同軸コ
ネクタ２３の外周導体２３ａを貫通孔２２ａの内面に接
合した際、同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂが線路導
体２６ａに対して上下方向および／または左右方向にず
れ、その結果高周波信号の特性インピーダンスが所定値
から大きくずれるという問題点を有していた。

【００１２】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、高周波信号の伝送効率に
優れた半導体パッケージを提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】 本発明の半導体パッケ
ージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部
を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を
囲繞するように接合され、側部に貫通孔が形成された金
属製の枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置
された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体
から成るとともに前記貫通孔に嵌着された同軸コネクタ
とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記枠体の内面の前記貫通孔の下方の部位に凹部が上面に
形成された棚部が設けられているとともに前記凹部に略
四角形の回路基板が嵌め込まれており、該回路基板の上
面の中央部に前記半導体素子と前記中心導体とを電気的
に接続する線路導体が前記凹部の側面に略平行に形成さ
れていることを特徴とする。

【００１４】本発明は、上記の構成により、回路基板を
棚部に設置する際の回路基板の位置決めの作業性が向上
するとともに、棚部に対する回路基板の位置ずれを低減
させることができる。また、凹部の深さを回路基板の厚
さと同一にすることにより、回路基板周囲の棚部の上面
は線路導体と略面一となり、線路導体をコプレーナ構造
とすることができる。また、凹部の深さを回路基板の厚
さより深くすることにより、線路導体を疑似同軸線路構
造とすることができる。その結果、線路導体で伝送され
る高周波信号がさらに高周波化された場合においても、
高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができ
る。

【００１５】本発明において、好ましくは、前記同軸コ
ネクタは前記外周導体の前記貫通孔との嵌合面に平坦面
を有していることを特徴とする。

【００１６】本発明は、上記の構成により、同軸コネク
タの嵌合部において、貫通孔と外周導体とが上下方向お
よび／または左右方向にずれるのを確実に防止できるよ
うな平坦面の接触面積を確保でき、より良好な高周波信
号の伝送路が形成される。このことから、接続部でのイ
ンピーダンスが特性インピーダンスに近い値となり、半
導体パッケージ内の信号線路の接続部で高周波信号の反
射損失を低減させ、高周波信号を効率よく伝送すること
ができる。

【００１７】本発明の半導体装置は、上記本発明の半導
体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定され
るとともに前記同軸コネクタに前記線路導体を介して電
気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合
された蓋体とを具備したことを特徴とする。

【００１８】本発明は、上記の構成により、上記本発明
の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を
提供できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】 本発明の半導体パッケージにつ
いて以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッ
ケージについて実施の形態の一例を示す断面図、図２は
図１の半導体パッケージの要部拡大断面図であり、これ
らの図において１は基体、２は枠体、３は同軸コネク
タ、４は蓋体である。

【００２０】本発明の半導体パッケージは、上側主面に
半導体素子５を載置するための載置部１ａを有する基体
１と、基体１の上側主面に載置部１ａを囲繞するように
接合され、側部に貫通孔２ｂが形成された金属製の枠体
２と、筒状の外周導体３ａおよびその中心軸に設置され
た中心導体３ｂならびにそれらの間に介在させた絶縁体
３ｃから成るとともに貫通孔２ｂに嵌着された同軸コネ
クタ３とを具備しており、枠体２の内面の貫通孔２ｂの
下方の部位に凹部が上面に形成された棚部２ａが設けら
れているとともに凹部に略四角形の回路基板６が嵌め込
まれており、回路基板６の上面の中央部に半導体素子５
と中心導体３ｂとを電気的に接続する線路導体６ａが凹
部の側面に略平行に形成されている構成である。

【００２１】本発明の基体１はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や
Ｃｕ−Ｗ合金等の金属からなる略四角形の板状体であ
り、その上側主面の略中央部には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導
体レーザー（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の半
導体素子５を載置する載置部１ａが形成されている。

【００２２】なお、半導体素子５は、その電極が回路基
板６に被着形成されている線路導体６ａにボンディング
ワイヤ７等を介して電気的に接続されている。

【００２３】また、基体１の上側主面の外周部には載置
部１ａを囲繞するようにして枠体２が立設されており、
枠体２は基体１とともにその内側に半導体素子５を収容
する空所を形成する。この枠体２は基体１と同様にＦｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属から成り、基
体１と一体成形されることによって、あるいは基体１に
銀ろう等のろう材を介してろう付けされたり、シーム溶
接法等の溶接法により接合されることによって基体１の
上側主面の外周部に立設される。

【００２４】貫通孔２ｂの嵌合面には平坦面２ｃが、同
軸コネクタ３の外周導体３ａの嵌合面には平坦面３ｄが
それぞれ形成されており、貫通孔２ｂの平坦面２ｃと同
軸コネクタ３の外周導体３ａの平坦面３ｄとを一致させ
て同軸コネクタ３が貫通孔２ｂに嵌合されている。

【００２５】枠体２の内面の棚部２ａに設けられた回路
基板６は、その下面に接地導体層６ｃが形成されてい
る。そして、棚部２ａの凹部の底面に半田等の接合材６
ｅを載置し、接合材６ｅの上に回路基板６を接地導体層
６ｃ側の面（下面）が接合材６ｅ側になるようにして嵌
め込み載置する。しかる後、加熱して接合材６ｅを溶融
させ、棚部２ａ上面の凹部に回路基板６を固定する。

【００２６】枠体２の貫通孔２ｂ内に挿入固定される同
軸コネクタ３は、半導体パッケージ内部に収容する半導
体素子５を外部の同軸ケーブル９に電気的に接続するも
のであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒
状の外周導体３ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合
金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して
固定された構造をしている。この同軸コネクタ３は、外
周導体３ａが枠体２の貫通孔２ｂに封着材８を介して、
また中心導体３ｂが回路基板６の線路導体６ａに半田等
の導電性接着材６ｂを介してそれぞれ電気的に接続され
ている。

【００２７】同軸コネクタ３の外周導体３ａの平坦面３
ｄは、嵌合面の外周の全長をＬ、平坦面３ｄの周方向の
幅をＬ１としたとき、０．０５≦Ｌ１／Ｌ＜０．５とす
るのがよい。Ｌ１／Ｌ＜０．０５では、貫通孔２ｂに対
する外周導体３ａの嵌合位置を上下および／または左右
の方向にずれることなく一定させるために必要な平坦面
２ｃ、３ｄ同士の接触面積が十分確保できなくなる。ま
た、Ｌ１は嵌合面の外周の全長Ｌの一部を形成する部分
であり、構造的にＬ１＜Ｌ／２であるためＬ１／Ｌ≧
０．５にはならない。

【００２８】さらに、枠体２の厚さ方向における平坦面
２ｃ、３ｄの長さが０．５ｍｍ以上枠体２の厚さ以下で
あるとよい。平坦面２ｃ、３ｄの長さを０．５ｍｍ未満
にすると、貫通孔２ｂの平坦面２ｃに外周導体３ａの平
坦面３ｄを嵌合させる際、平坦面２ｃ、３ｄ同士を一致
させるのが困難となる。平坦面の長さに比して外周導体
３ａの外周の全長が充分長く、貫通孔２ｂの平坦面２ｃ
に外周導体３ａの平坦面３を一致させて位置ずれを抑え
ることが困難である場合は、この平坦面の枠体２の厚さ
方向をＨ１としたとき、Ｈ１／Ｌ≧０．０３とするとよ
い。

【００２９】平坦面３ｄの形状については、例えば図３
に示すように、同軸コネクタ３が枠体２の厚さと同一の
長さにて嵌合し、嵌合している部分の全長にわたって外
周導体３ａは平坦面３ｄを有していてもよい。その場
合、同軸コネクタ３と同軸コネクタプラグ９とを一体に
成形するのがよい。また、図４に示すように同軸コネク
タ３が枠体２の厚さより短い長さにて嵌合している場
合、貫通孔２ｂには平坦面２ｃを設けるが、同軸コネク
タプラグ９を嵌合させる貫通孔２ｄには平坦面を設ける
必要はない。

【００３０】本発明においては、棚部２ａの凹部に略四
角形の回路基板６が嵌め込まれるが、図５に示すよう
に、略四角形の凹部の側壁で、回路基板６の線路導体６
ａに平行な側面に対して平行な一側壁が省かれた切欠き
のような構成であってもよい。この場合、回路基板６の
線路導体６ａに平行な側面に対して平行な側壁である突
起２ｆが形成されており、棚部２ａの上面に回路基板６
に設置する際に、回路基板６の線路導体６ａに平行な側
面を突起２ｆに押し当てるようにして設置することによ
り、回路基板６の位置決めを容易に行なうことができ
る。そのため、回路基板６を棚部２ａに設置する作業性
が向上するとともに、棚部２ａに対する回路基板６の位
置ずれを低減させることができる。

【００３１】従って、線路導体６ａと中心導体３ｂとの
接続部（以下、「接続部」といえば線路導体６ａと中心
導体３ｂとの接続部をいう）の位置を安定させ、接続部
における高周波信号の伝送特性を常に良好にすることが
できる。

【００３２】また、図６（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す
ように、棚部２ａ上面の平面視形状が略四角形の凹部２
ｇに略四角形の回路基板６が嵌め込まれており、回路基
板６の上面の中央部に半導体素子５と中心導体３ｂとを
電気的に接続する線路導体６ａが凹部２ｇの側面に略平
行に形成されている。なお、線路導体６ａに略平行な凹
部ｇの側面とは、線路導体６ａの長手方向（線路方向）
に略平行な側面である。また、凹部２ｇの平面視形状は
略四角形に限らず、少なくとも線路導体６ａに略平行な
２側面を有していればよいが、回路基板６を正確に位置
決めして嵌め込むためには回路基板６より僅かに大きな
外形寸法を有する略四角形等が好ましい。この場合、回
路基板６を凹部２ｇに嵌入することにより、回路基板６
の位置決めを容易に行なうことができる。その結果、回
路基板６を棚部２ａに設置する作業性がより向上すると
ともに、棚部２ａに対する回路基板６の位置ずれを低減
させることができる。

【００３３】好ましくは、図６（ａ）のように、凹部２
ｇの深さを回路基板６の厚さと同一にして、回路基板６
周囲の棚部２ａ上面を線路導体６ａと略面一とする、ま
たは図６（ｂ）のように、凹部２ｇの深さを回路基板６
の厚さより深くすることにより、線路導体６ａを疑似同
軸線路構造とすることがよい。擬似同軸線路構造とする
場合、凹部２ｇの深さは回路基板６の厚さや線路導体６
ａの位置等に応じて適宜設定すればよい。

【００３４】図６（ａ）の構成とすることによって、棚
部２ａの上面が線路導体６ａの両側に等間隔をもって配
置された同一面接地導体層として機能し、線路導体６ａ
と棚部２ａとでコプレーナ構造とすることができる。ま
た図６（ｂ）の構成とすることにより、線路導体６ａを
擬似同軸線路構造とすることができる。このように線路
導体６ａをコプレーナ構造または擬似同軸線路構造とす
ることによって、線路導体６ａを伝送する高周波信号の
伝送特性をさらに良好にすることができる。また、線路
導体６ａに略平行な凹部２ｇの側面間の間隔を小さくす
ることにより、数１０ＧＨｚの高周波信号が回路基板６
において共振を起こすのを防ぐことができる。例えば、
上記間隔が１．８ｍｍ程度では６０ＧＨｚ付近で共振が
発生したのに対して、１．６ｍｍ程度では６０ＧＨｚ付
近での共振は発生しなかった。このように回路基板６を
小型化することにより、半導体パッケージを小型化する
こともできる。

【００３５】また好ましくは、図７に示すように、中心
導体３ｂの線路導体６ａに接続する側の先端部を薄肉部
３ｅとするとよい。これにより、線路導体６ａに載置さ
れる中心導体３ｂを最小限の量に抑えることができ、ま
た外周導体３ａに平坦面３ｄが形成されていることから
薄肉部３ｄの回転ずれが防止され、接続部を精度良くイ
ンピーダンス整合できる。その結果、高周波信号の伝送
効率を著しく改善することができる。

【００３６】また、枠体２の貫通孔２ｂの平坦面２ｃの
１ｍｍ長さ当たりの平面度（ＪＩＳＢ ０６２１によ
る）は０．０５ｍｍ以下とし、同軸コネクタ３の外周導
体３ａの平坦面３ｄの１ｍｍ長さ当たりの平面度は０．
０５ｍｍ以下とするのが好ましい。この場合、平坦面３
ｄと平坦面２ｃとを一致させ嵌合させると、平坦面３ｄ
と平坦面２ｃとが１ｍｍ長さ当たりの平行度（ＪＩＳ
Ｂ ０６２１による）は０．１ｍｍ以下にて嵌合される
ことになる。平坦面２ｃおよび平坦面３ｄの１ｍｍ長さ
当たりの少なくともいずれか一方の平面度が０．０５ｍ
ｍを超え、平坦面３ｄと平坦面２ｃとが１ｍｍ長さ当た
りの平行度が０．１ｍｍを超えて嵌合されると、同軸コ
ネクタ３の軸方向が貫通孔２ｂの軸方向に対して上下お
よび／または左右の方向に傾いて取り付けられることと
なり易い。

【００３７】さらに、同軸コネクタ３の外周導体３ａと
中心導体３ｂの１ｍｍ長さ当たりの平行度は０．０５ｍ
ｍ以下が良く、平坦面３ｄと平坦面２ｃとを一致させ嵌
合させると、中心導体３ｂは貫通孔２ｂの平坦面２ｃに
対して１ｍｍ長さ当たりの平行度０．１５ｍｍ以下にて
固定されることとなる。中心導体３ｂは貫通孔２ｂの平
坦面２ｃに対して１ｍｍ長さ当たりの平行度が０．１５
ｍｍを超えて固定されると、接続部において中心導体３
ｂの位置がずれ易くなり、導電性接着材６ｂを介して伝
送する高周波信号の特性インピーダンスが所定値からず
れてくる。

【００３８】かくして、本発明の半導体パッケージによ
れば、好ましくは、同軸コネクタ３の中心導体３ｂが貫
通孔２ｂの平坦面２ｃに対して１ｍｍ長さ当たりの平行
度が０．１５ｍｍ以下にて固定されていることから、中
心導体３ｂの先端位置の上下及び／または左右のずれが
大幅に抑制され、中心導体３ｂと回路基板６の導電性接
着材６ｂとの位置が一定する。従って、導電性接着材６
ｂを通過する高周波信号の特性インピーダンスが安定
し、良好な高周波信号の伝送路が形成される。

【００３９】そして、本発明の半導体パッケージは、半
導体素子５の電極と回路基板６の上面の線路導体６ａと
をボンディングワイヤ７により電気的に接続し、しかる
後、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から
成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合
することにより、製品としての半導体装置となる。この
半導体装置は、基体１の対向する一対の端部に設けられ
た貫通孔１ｂをネジ止めすることで外部電気回路基板に
実装され、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続
された同軸ケーブル１０とを接続することにより、半導
体パッケージ内部に収容する半導体素子５が外部電気回
路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作
動することとなる。

【００４０】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を
施すことは何等差し支えない。例えば、図８に断面図で
示すように、切り欠かれたような平坦面３ｄの代わり
に、外周導体３ａの平坦面３ｄを突起部に設けてもよ
い。

【００４１】また、図９のように、同軸コネクタ３が保
持部材１１を介して枠体２に固定されている構成でもよ
い。具体的には、保持部材１１に設けられた、枠体２内
外を貫通する貫通孔１１ｂに、同軸コネクタ３を外側よ
り挿着し、かつ保持部材１１の内側に棚部１１ａを設け
て回路基板６を設置し、保持部材１１を枠体２の取付部
２ｅに嵌着させた構成である。保持部材１１の体積を大
きくしたり、変形しやすい材料によって構成することに
より、基体１を外部回路基板にネジ止め等によって固定
する際に、同軸コネクタ３と回路基板６に加わる応力を
低減できる。

【００４２】

【発明の効果】本発明は、枠体の内面の貫通孔の下方の
部位に凹部が上面に形成された棚部が設けられていると
ともに凹部に略四角形の回路基板が嵌め込まれており、
回路基板の上面の中央部に半導体素子と中心導体とを電
気的に接続する線路導体が凹部の側面に略平行に形成さ
れていることにより、回路基板を棚部に設置する際の回
路基板の位置決めの作業性が向上するとともに、棚部に
対する回路基板の位置ずれを低減させることができる。
また、凹部の深さを回路基板の厚さと同一にすることに
より、回路基板周囲の棚部の上面は線路導体と略面一と
なり、線路導体をコプレーナ構造とすることができる。
また、凹部の深さを回路基板の厚さより深くすることに
より、線路導体を疑似同軸線路構造とすることができ
る。その結果、線路導体で伝送される高周波信号がさら
に高周波化された場合においても、高周波信号の伝送特
性を良好なものとすることができる。

【００４３】本発明は、好ましくは同軸コネクタは外周
導体の貫通孔との嵌合面に平坦面を有していることによ
り、同軸コネクタの嵌合部において、貫通孔と外周導体
とが上下方向および／または左右方向にずれるのを確実
に防止できるような平坦面の接触面積を確保でき、より
良好な高周波信号の伝送路が形成される。このことか
ら、接続部でのインピーダンスが特性インピーダンスに
近い値となり、半導体パッケージ内の信号線路の接続部
で高周波信号の反射損失を低減させ、高周波信号を効率
よく伝送することができる。

【００４４】本発明の半導体装置は、本発明の半導体素
子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるととも
に同軸コネクタに線路導体を介して電気的に接続された
半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備し
たことにより、上記本発明の半導体パッケージを用いた
信頼性の高い半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の例を示す断面図である。

【図２】本発明の半導体パッケージにおける同軸コネク
タの嵌合部の断面図である。

【図３】本発明の半導体パッケージにおける同軸コネク
タについて実施の形態の例を示す側断面図である。

【図４】本発明の半導体パッケージにおける同軸コネク
タについて実施の形態の他の例を示す側断面図である。

【図５】本発明の半導体パッケージにおける枠体の棚部
について実施の形態の例を示す断面図である。

【図６】（ａ），（ｂ）は本発明の半導体パッケージに
おける棚部についてそれぞれ実施の形態の他の例を示す
断面図、（ｃ）は凹部に回路基板を嵌め込んだ棚部の平
面図である。

【図７】本発明の半導体パッケージにおける同軸コネク
タについて実施の形態の他の例を示す側断面図である。

【図８】本発明の半導体パッケージにおける同軸コネク
タについて実施の形態の他の例を示す断面図である。

【図９】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の他の例を示す断面図である。

【図１０】従来の半導体パッケージの断面図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 ２：枠体 ２ａ：棚部 ２ｂ：貫通孔 ２ｇ：棚部 ３：同軸コネクタ ３ａ：外周導体 ３ｂ：中心導体 ３ｃ：絶縁体 ３ｄ：平坦面 ５：半導体素子 ６：回路基板 ６ａ：線路導体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上側主面に半導体素子を載置するための
   載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載
   置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔が形成さ
   れた金属製の枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸
   に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた
   絶縁体から成るとともに前記貫通孔に嵌着された同軸コ
   ネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおい
   て、前記枠体の内面の前記貫通孔の下方の部位に凹部が
   上面に形成された棚部が設けられているとともに前記凹
   部に略四角形の回路基板が嵌め込まれており、該回路基
   板の上面の中央部に前記半導体素子と前記中心導体とを
   電気的に接続する線路導体が前記凹部の側面に略平行に
   形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッ
   ケージ。
2. 【請求項２】 前記同軸コネクタは前記外周導体の前記
   貫通孔との嵌合面に平坦面を有していることを特徴とす
   る請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の半導体素
   子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されると
   ともに前記同軸コネクタに前記線路導体を介して電気的
   に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合され
   た蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。