JP2002118190A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】信号線路のインピーダンスの不連続を緩和さ
せ、入出力信号の伝送損失を小さくした、良好な高周波
信号の伝送路を形成すること。 【解決手段】上面に半導体素子４を収容するための凹部
１ａが形成された金属製の基体１と、基体１の側部に設
けられた貫通孔１ｂに外側より嵌着された、筒状の外周
導体２ａおよびその中心軸に設置されるとともに半導体
素子４に電気的に接続される中心導体２ｂならびにそれ
らの間に介在させた絶縁体２ｃから成る同軸コネクタ２
とを具備しており、中心導体２ｂは凹部１ａの内側面か
ら突出してその先端部が半導体素子４に接続されている
とともに、内側面と先端部との間において中心導体２ｂ
の下方に位置する凹部１ａの底面が半導体素子４側に向
かって傾斜している傾斜面１ｅとなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波で作動する
半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケー
ジに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信やマイクロ波帯、ミリ波帯
等の高周波信号を用いる各種半導体素子を収納する半導
体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージとい
う）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に
接続するための入出力端子として同軸コネクタが設けら
れている。この同軸コネクタを具備した半導体パッケー
ジを図３に断面図で示す。

【０００３】図３において、鉄（Fe）−ニッケル（Ni）
−コバルト（Co）合金や銅（Cu）−タングステン（Ｗ）
合金等の金属から成り、上面の略中央部に半導体素子を
収容するための凹部１１ａとその側面に貫通孔１１ｂ，
１１ｃ，１１ｄを有する基体１１と、この基体１１の貫
通孔１１ｂ内に挿入されるとともに基体１１の内外を気
密に仕切るようにして接合される同軸コネクタ１２と、
基体１１の上面に接合され、半導体素子１４を封止する
ための蓋体１３とから構成されている。

【０００４】同軸コネクタ１２は、鉄−ニッケル−コバ
ルト合金等の金属から成る円筒状の外周導体１２ａの中
心部に鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る棒
状の中心導体１２ｂが絶縁体１２ｃを介して固定されて
成り、接地電位（グランド）としての外周導体１２ａが
封着材１７を介して基体１１に電気的に接続されてい
る。

【０００５】この従来の半導体パッケージにおいて、絶
縁体から成り、配線導体１５ａと半導体素子１４の搭載
部を上面に有する回路基板１５を、半導体素子１４を搭
載した状態で凹部１１ａに収容する。

【０００６】そして、この回路基板１５の配線導体１５
ａと同軸コネクタ１２の中心導体１２ｂとが半田等の導
電性接着剤１５ｂを介して電気的に接続され、配線導体
１５ａと半導体素子１４とがボンディングワイヤ１６を
介して電気的に接続され、しかる後、基体１１の上面に
蓋体１３をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法を
採用して接合し、凹部１１ａ、同軸コネクタ１２および
蓋体１３から成る容器内部に半導体素子１４を収容し封
止することによって製品としての半導体装置となる。

【０００７】凹部１１ａの内側面からは、貫通孔１１ｂ
よりも小径の円形の貫通孔１１ｄが形成され、その中心
軸に中心導体１２ｂが配置され、同軸線路が形成されて
いる。中心導体１２ｂは配線導体１５ａと接続しておら
ず中空に突出した部分に関しては、凹部１１ａの底面を
グランド面とする中空型線路を形成している。また、凹
部１１ａは、中心導体１２ｂの凹部１１ａ内側面と先端
部との間において、中心導体１２ｂの下方に位置する底
面が、図４に示すような段差１１ｅを形成している場合
もあり、段差１１ｅの側面と回路基板１５の側面が接す
るようにして、回路基板１５の載置される位置が決定さ
れる。

【０００８】この同軸コネクタ１２を備えた半導体パッ
ケージは、内周面にネジ切りを有する貫通孔１１ｃに同
軸コネクタプラグ１８のネジ状の外周面がネジ止めさ
れ、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１９が同軸
コネクタプラグ１８に装着されることによって、内部に
収納された半導体素子１４が同軸コネクタ１２の中心導
体１２ｂを介して外部電気回路に電気的に接続されるこ
ととなる。

【０００９】この半導体装置は、同軸ケーブル１９が外
部電気回路基板に電気的に接合されることにより、半導
体素子１４が高周波信号で作動することとなる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体パッケージでは、同軸コネクタ１２の中心導
体１２ｂが基体１１の凹部１１ａ内に突出し配線導体１
５ａと接続するまでに信号線路の伝送モードが変化する
ため、異なる伝送モード同士の境界部においては信号の
反射が生じてしまい、伝送効率の劣化の原因となってい
た。

【００１１】同軸コネクタ１２の中心導体１２ｂを信号
が伝送され、回路基板１５の配線導体１５ａに電気的に
接続されるまでの信号線路の伝送モードは、貫通孔１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄにおいては貫通孔１１ｂ，１１ｃ，
１１ｄの内周をグランド面とする同軸線路のモードであ
り、中心導体１２ｂが凹部１１ａ内に突出した部分にお
いてはその下方の凹部１１ａの底面をグランド面とする
中空型線路のモードであり、中心導体１２ｂが導電性接
着剤１５ｂを介して配線導体１５ａに接続した部分にお
いてはマイクロストリップ線路のモードである。即ち、
貫通孔１１ｄの凹部１１ａ内壁側開口部において伝送モ
ードが同軸線路から中空型線路に変化することとなり、
そして導電性接着剤１５ｂ部においては、中空型線路か
らマイクロストリップ線路へと変化することとなる。

【００１２】信号線路の伝送モードが異なると、信号線
路とグランド面の間に発生する電界成分の分布、磁界成
分の分布が異なることと成り、信号線路の伝送モードが
変わる境界部においては、信号線路とグランドとの間に
おける電界成分の分布、磁界成分の分布が不連続に変化
し、インピーダンスが不連続となる。従って、同軸線路
−中空型線路の境界部および中空型線路−マイクロスト
リップ線路の境界部においてインピーダンスの不連続が
生じていた。このインピーダンスの不連続部において高
周波信号の反射が生ずることとなり、この反射によって
高周波信号の伝送に損失が生じていた。

【００１３】例えば、マイクロ波増幅器の信号入力用と
して同軸コネクタを用いる場合、前述のようなインピー
ダンスの不連続部が存在すると、同軸コネクタから入力
された高周波信号が効率的に増幅回路に入力されずに入
力側に反射され、システム全体から見ると、増幅器の増
幅率を大幅に低下させるという問題を有していた。

【００１４】このような、異なる伝送モード間でのイン
ピーダンス不整合を緩和する従来例として、円筒状の外
導体内の所定位置に誘導体にて内導体を支持してなり一
端にて同軸線路に接合するとともに他端にてマイクロス
トリップ線路に接続するマイクロ波同軸コネクタにおい
て、誘導体を、同軸線路の側からマイクロストリップ線
路の側に向けて先細り形状となるように構成することに
より、同軸伝送モードからストリップ伝送モードへのイ
ンピーダンス整合を行なうものが提案されている（従来
例１：実開平４−１３１８８１号参照）。

【００１５】この従来例１においては、インピーダンス
不整合による反射損失を低減することはできるが、同軸
線路を構成する誘導体を先細り形状となるように形成し
ているため同軸構造が崩れることとなり、その結果同軸
伝送モードでの透過損失が増大し、全体として高周波信
号の伝送損失を小さくすることが困難であった。

【００１６】従って、本発明は、上記問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は、信号線路のインピーダ
ンスの不連続を緩和させ、入出力信号の伝送損失を小さ
くした、良好な高周波信号の伝送路を有するものとする
ことにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子収納
用パッケージは、半導体素子を収容するための凹部が形
成された金属製の基体と、該基体の側部に設けられた貫
通孔に外側より嵌着された、筒状の外周導体およびその
中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在
させた絶縁体から成る同軸コネクタとを具備しており、
前記中心導体は前記凹部の内側面から突出してその先端
部が前記半導体素子に電気的に接続されているととも
に、前記内側面と前記先端部との間において前記中心導
体の下方に位置する前記凹部の底面が前記半導体素子側
に向かって傾斜している傾斜面とされていることを特徴
とするものである。

【００１８】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、同軸コネクタの中心導体が基体の凹部の内側面に
突出している中空部分の下方における凹部の底面が半導
体素子側に向かって下降するように傾斜している傾斜面
となっていることから、同軸コネクタの中心導体が基体
の凹部内に突出して中空型線路部分となっている領域に
おいて、中心導体を伝送する高周波信号は凹部の底面を
グランド面として伝送するため、インピーダンスを漸次
変化させることができる。したがって、同軸線路−中空
型線路の境界部および中空型線路−マイクロストリップ
線路の境界部の２箇所において発生するインピーダンス
の大きな不連続部を結び合わせるようにして、信号線路
のインピーダンスを漸次変化させることができ、インピ
ーダンスの不連続部にて発生していた高周波信号の反射
を減少させることができる。反射を減少させることによ
って、良好な高周波信号の伝送路を形成することができ
る。

【００１９】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いて、好ましくは、前記半導体素子は回路基板を介して
前記凹部内に載置されており、前記傾斜面は前記底面の
中央部との間に段差を有しているとともに、前記回路基
板の端面が前記段差に接している。

【００２０】この構成により、半導体素子を搭載する回
路基板は、その側面を凹部の底面に形成された段差部に
接するようにして、凹部に載置する位置が決定できる。
回路基板を凹部に載置する際、回路基板の凹部内での位
置合わせを確実に行うことができ、同軸コネクタの中心
導体と回路基板との接続位置を一定させることができ
る。その結果、同軸コネクタの中心導体と半導体パッケ
ージに収納された回路基板の配線導体との接続部の位置
が一定し、接続部におけるインピーダンスが安定した、
良好な高周波信号の伝送路が形成される。

【００２１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
において、好ましくは、前記傾斜面の前記底面に対する
傾斜角が３０〜６０°であることを特徴とする。

【００２２】この構成により、中空型線路部において、
中心導体からグランド面までの距離を緩やかに変化さ
せ、信号線路のインピーダンスをマイクロストリップ線
路に略整合するように緩やかに変化させることができ、
高周波信号の反射を有効に減少させ、より良好な高周波
信号の伝送路を形成することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体パッケージ
を添付の図面に基づいて説明する。図１は本発明の半導
体パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、
１は基体、２は同軸コネクタ、３は蓋体である。

【００２４】基体１は鉄−ニッケル−コバルト合金や銅
−タングステン合金等の金属から成り、そのインゴット
に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に製作される。その上面略
中央部には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導体レーザー（ＬＤ）、
フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子を収容するた
めの凹部１ａが形成されており、凹部１ａには半導体素
子４が、例えばアルミナ質セラミックスから成る回路基
板５に搭載された状態で載置固定される。回路基板５に
搭載された半導体素子４は、その電極が回路基板５に被
着形成されているメタライズ配線導体５ａにボンディン
グワイヤ６等を介して電気的に接続されている。

【００２５】基体１の側面には同軸コネクタ２が挿入固
定される貫通孔１ｂが形成されており、貫通孔１ｂ内に
は同軸コネクタ２が挿入されるとともに外周導体２ａの
外周面と貫通孔１ｂの内周面とが半田等から成る封着材
７を介して固定されている。

【００２６】基体１の貫通孔１ｂ内に挿入固定される同
軸コネクタ２は、内部に収容する半導体素子４を外部の
同軸ケーブル９に電気的に接続するものであり、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の外周導
体２ａの中心軸に同じく鉄−ニッケル−コバルト合金等
の金属から成る中心導体２ｂが絶縁体２ｃを介して固定
された構造をしている。

【００２７】同軸コネクタ２は、外周導体２ａが基体１
に封着材７を介して、また中心導体２ｂが回路基板５の
配線導体５ａに半田等の導電性接着剤５ｂを介してそれ
ぞれ電気的に接続されている。また、回路基板５がな
く、中心導体２ｂと半導体素子４の電極とが直接接続さ
れる構造となっていても良い。中心導体２ｂが基体１の
凹部１ａの内側面に突出している部分の下方において、
凹部１ａの底面には、半導体素子４側に向かって下降す
るように傾斜している傾斜面１ｅを有している。

【００２８】中心導体２ｂを伝送する高周波信号は、貫
通孔１ｂ，１ｃ，１ｄ部において貫通孔１ｂ，１ｃ，１
ｄの中心軸を伝送する同軸線路のモードで伝送し、凹部
１ａの内側面から突出してその先端部が回路基板５の配
線導体５ａに接続されるまでの間は中空型線路のモード
で伝送する。配線導体５ａに接続した後は、マイクロス
トリップ線路のモードで配線導体５ａ上を伝送する。

【００２９】この中心導体２ｂを伝送する高周波信号の
インピーダンスは、同軸線路−中空型線路の伝送モード
の境界部および中空型線路−マイクロストリップ線路の
伝送モードの境界部において不連続になっているが、中
心導体２ｂの凹部１ａの内側面と先端部との間の突出部
の下方における凹部１ａの底面が半導体素子４側に向か
って下降するように傾斜している傾斜面１ｅを有してい
るため、同軸線路−中空型線路の境界部におけるインピ
ーダンス値と、中空型線路−マイクロストリップ線路の
境界部におけるインピーダンス値を略連続的に結びつけ
ることができ、インピーダンスの不連続を最小限に抑え
ることができる。その結果、インピーダンスが不連続な
部位にて生ずる高周波信号の反射を最小限に抑えた、良
好な高周波信号の伝送路が形成される。

【００３０】傾斜面１ｅについては、貫通孔１ｄの直径
以上の幅を有し、傾斜面１ｅの最下部から中心導体１ｂ
の表面までの距離が中心導体を伝送する信号の波長の１
／４以下とすると、損失が小さく効果的である。

【００３１】好ましくは、図２に示すように、傾斜面１
ｅは凹部１ａの底面の中央部との間に段差１ｆを有して
おり、回路基板５の端面が段差１ｆに接するようにする
のが良い。段差１ｆに接するように回路基板５の端面を
位置合わせすることにより、同軸コネクタ２の中心導体
２ｂと回路基板５の配線導体５ａとの接続位置を一定に
合わせることが可能となる。その結果、導電性接着剤５
ｂを介して伝送する高周波信号のインピーダンスを所定
値に安定させることができ、良好な高周波信号の伝送路
が形成される。

【００３２】また、傾斜面１ｅの凹部１ａの底面に対す
る傾斜角は３０〜６０°であるのが良い。傾斜角が３０
°未満、または６０°を超える場合、同軸線路−中空型
線路の境界部および中空型線路−マイクロストリップ線
路の境界部におけるインピーダンスの不連続を緩やかに
することができなくなり、高周波信号の反射を有効に減
少させることができなくなる。

【００３３】基体１の貫通孔１ｃ内に挿入固定される同
軸コネクタプラグ８は、外部電気回路に接続された同軸
ケーブル９と基体１に装着された同軸コネクタ２とを接
続するためのプラグであり、その外周面はネジ状となっ
ており、内周面にネジ切りを有する貫通孔１ｃにネジ止
めされる。

【００３４】そして、本発明の半導体パッケージは、基
体１の載置部に半導体素子４をその電極と電気的に接続
された配線導体５ａを有する回路基板５に搭載した状態
で載置固定し、回路基板５の配線導体５ａと同軸コネク
タ２の中心導体２ｂとを半田等の導電性接着剤５ｂを介
して電気的に接続し、しかる後、基体１の上面に鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属から成る蓋体３を半田付
け法やシームウエルド法により接合することにより製品
としての半導体装置となる。また、同軸コネクタプラグ
８と外部電気回路に接続された同軸ケーブル９とを接続
することにより、内部に収容する半導体素子４が外部電
気回路に電気的に接続されることとなる。

【００３５】この半導体装置は、同軸ケーブル９が外部
電気回路基板に電気的に接続されることにより、半導体
素子４が高周波信号で作動することとなる。

【００３６】本発明においては、高周波信号の周波数が
１０〜５０ＧＨｚで高周波信号の反射を有効に減少させ
ることが出来る。

【００３７】

【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。

【００３８】（実施例）本発明の実施例と従来例につい
て、信号線路の伝送特性を以下のように解析した。伝送
特性の解析は、図５〜７に示す３種類の解析モデルにつ
いて行なった。図５は本発明の一実施形態を示す解析モ
デル（モデルＡ）の要部断面図、図６は本発明の他の実
施形態を示す解析モデル（モデルＢ）であり、傾斜面１
ｅが凹部１ａの底面の中央部との間に段差１ｆを有して
いるとともに、回路基板５の端面がその段差１ｆに接し
ている構成の要部断面図である。また、図７は従来の構
成を示す解析モデル（モデルＣ）の断面図である。

【００３９】各解析モデルにおいて、回路基板５（１
５）（厚さ０．２ｍｍ）はアルミナセラミックス（比誘
電率εｒ＝９．６）からなり、回路基板５（１５）上に
は特性インピーダンスを５０Ωとした配線導体５ａ（１
５ａ）が形成されている。また各解析モデルにおける、
基体１（１１）、中心導体２ｂ（１２ｂ）および導電性
接着剤５ｂ（１５ｂ）の材質は、それぞれ同様の材質か
ら成るものとし、基体１（１１）および中心導体２ｂ
（１２ｂ）の詳細な寸法はそれぞれ図５〜７に示す通り
である（単位はｍｍ）。これらの解析モデルに対し、０
〜６５ＧＨｚの周波数帯域について、反射損失と透過損
失を求めた。

【００４０】図８は各解析モデルの反射損失のグラフで
あり、図９は各解析モデルの透過損失のグラフである。
図８において、周波数が８ＧＨｚ以上の場合、従来のモ
デルＣに比べ、本発明のモデルＡ，Ｂの反射損失が小さ
いことがわかる。図９において、周波数が０〜６５ＧＨ
ｚにおいて、従来のモデルＣに比べ、本発明のモデル
Ａ，Ｂの透過損失が小さいことがわかる。また、図８お
よび図９から、モデルＡ，Ｂの伝送損失の違いはほとん
どないことがわかる。

【００４１】これらの結果において、各解析モデルを構
成する各部材は、それぞれ同様の材質から成っており、
同軸線路部、中心導体２ｂ（１２ｂ）の先端部および配
線導体５ａ（１５ａ）部に起因する伝送損失は同じとみ
なせることから、各解析モデルの伝送損失の違いは、凹
部１ａ（１１ａ）内側面と中心導体２ｂ（１２ｂ）の先
端部との間における中心導体２ｂ（１２ｂ）の下方に位
置する凹部１ａ（１１ａ）の底面の形状の違い、即ち傾
斜面１ｅの有無、傾斜面１ｅおよび段差１ｆの有無に基
づくものとみなせる。

【００４２】従って、本発明のモデルＡ，Ｂは、従来の
モデルＣに比べ、反射特性および透過特性に優れた良好
な信号線路を構成することがわかった。特に、本発明の
モデルＡ，Ｂは透過特性に優れており、これは、同軸線
路部の同軸構造が上述の従来例１のように崩れていない
ため高周波信号の透過特性が良好になっているととも
に、上記のようにインピーダンスの不連続性が緩和され
ているため高周波信号の反射特性および透過特性が良好
になっているからであると考えられる。このような、同
軸構造を厳密に保持することによる透過特性の向上、お
よびインピーダンスの不連続性の緩和による反射特性お
よび透過特性の向上は、高周波信号の周波数が高くなる
ほど重要である。

【００４３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば
種々の変更は可能である。

【００４４】

【発明の効果】本発明の半導体パッケージによれば、上
面に半導体素子を収容するための凹部が形成された金属
製の基体と、基体の側部に設けられた貫通孔に外側より
嵌着された、筒状の外周導体およびその中心軸に設置さ
れるとともに半導体素子に電気的に接続される中心導体
ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コ
ネクタとを具備しており、中心導体は凹部の内側面から
突出してその先端部が半導体素子に接続されているとと
もに、内側面と先端部との間において中心導体の下方に
位置する凹部の底面が半導体素子側に向かって傾斜して
いる傾斜面とされていることから、同軸コネクタの中心
導体が基体の凹部に突出し中空型線路となっている領域
において、中心導体を伝送する高周波信号は傾斜面とさ
れた凹部の底面をグランド面として伝送するため、イン
ピーダンスを漸次変化させることができる。従って、信
号線路で同軸線路−中空型線路の伝送モードの境界部お
よび中空型線路−マイクロストリップ線路の伝送モード
の境界部の２箇所において発生するインピーダンスの大
きな不連続部を結び合わせるようにして、信号線路のイ
ンピーダンスを漸次変化させることができ、インピーダ
ンスの不連続を減少させることができる。その結果、不
連続部にて発生していた高周波信号の反射を有効に減少
させることができ、それによって良好な高周波信号の伝
送路を構成できる。

【００４５】また、同軸線路部の同軸構造が崩れていな
いため特に高周波信号の透過特性の点において優れてお
り、また上記のように反射特性にも優れるため、全体と
して伝送特性がきわめて向上したものとなる。

【００４６】本発明は、好ましくは、半導体素子は回路
基板を介して凹部内に載置されており、傾斜面は凹部の
底面の中央部との間に段差を有しているとともに、回路
基板の端面を段差に接するように載置することにより、
回路基板を凹部に載置する位置を一定に決めることがで
きる。その結果、同軸コネクタの中心導体と回路基板の
配線導体との接続部の位置が一定し、接続部におけるイ
ンピーダンスが安定した、良好な高周波信号の伝送路が
構成できる。

【００４７】また、好ましくは、傾斜面の凹部の底面に
対する傾斜角を３０〜６０°とすることにより、同軸コ
ネクタの中心導体が基体の凹部内に突出している領域に
おいて、中心導体を伝送する信号のインピーダンスは、
同軸線路−中空型線路の境界部および中空型線路−マイ
クロストリップ線路の境界部の２箇所において発生する
インピーダンスの大きな不連続部を有効に結び合わせる
ことができるとともに、信号線路のインピーダンスの変
化を緩やかにすることにより、高周波信号の反射を有効
に減少させることができ、より良好な高周波信号の伝送
路を構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージの一実施形態を示す
断面図である。

【図２】本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示
す要部拡大断面図である。

【図３】従来の半導体パッケージの断面図である。

【図４】従来の半導体パッケージの他の形態を示す断面
図である。

【図５】本発明の一実施形態を示す解析モデル（モデル
Ａ）の断面図である。

【図６】本発明の他の一実施形態を示す解析モデル（モ
デルＢ）の断面図である。

【図７】従来例を示す解析モデル（モデルＣ）の断面図
である。

【図８】モデルＡ，Ｂ，Ｃの反射損失の解析結果を示す
グラフである。

【図９】モデルＡ，Ｂ，Ｃの挿入損失の解析結果を示す
グラフである。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：凹部 １ｂ：貫通孔 １ｅ：傾斜面 １ｆ：段差 ２：同軸コネクタ ２ａ：外周導体 ２ｂ：中心導体 ２ｃ：絶縁体 ４：半導体素子 ５：回路基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に半導体素子を収容するための凹部が
   形成された金属製の基体と、該基体の側部に設けられた
   貫通孔に外側より嵌着された、筒状の外周導体およびそ
   の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介
   在させた絶縁体から成る同軸コネクタとを具備してお
   り、前記中心導体は前記凹部の内側面から突出してその
   先端部が前記半導体素子に電気的に接続されているとと
   もに、前記内側面と前記先端部との間において前記中心
   導体の下方に位置する前記凹部の底面が前記半導体素子
   側に向かって傾斜している傾斜面とされていることを特
   徴とする半導体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】前記半導体素子は回路基板を介して前記凹
   部内に載置されており、前記傾斜面は前記底面の中央部
   との間に段差を有しているとともに、前記回路基板の端
   面が前記段差に接していることを特徴とする請求項１記
   載の半導体素子収納用パッケージ。
3. 【請求項３】前記傾斜面の前記底面に対する傾斜角が３
   ０〜６０°であることを特徴とする請求項１または請求
   項２記載の半導体素子収納用パッケージ。