JP2003152136A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
完全に抜くことができる半導体装置を提供する 【解決手段】 筐体内でボンディングワイヤによって電
気的に接続された半導体素子と、筐体内に充填され、半
導体素子およびボンディングワイヤを絶縁被覆するゲル
状封止樹脂と、ゲル状封止樹脂に接触してゲル状封止樹
脂の振動を抑制する位置に配置され、ゲル状封止樹脂の
充填時のエア抜きのためにエア入口およびエア出口を持
つ複数の貫通孔を有する板状の制振部材とを備え、貫通
孔のエア入口の断面積はエア出口の断面積よりも大き
く、エア出口に向かって次第に小さくされ、貫通孔を全
体として実質的に円錐台形とした。
Description
に搭載する半導体装置に関するものである。
置の一例である。図3において、1は筐体5内でボンデ
ィングワイヤ7によって電気的に接続された半導体素子
であり、ボンディングワイヤ7により筐体5内の側面に
設けられた電極6と接続することによって電路を形成し
ている。半導体素子1は筐体5の底壁4上に半田3bで
半田付けされた絶縁基板2上に半田3aで半田付けされ
ている。8は筐体5内に充填されたゲル状樹脂であり、
半導体素子1およびボンディングワイヤ7を絶縁被覆し
ている。10はゲル状樹脂8に接触してゲル状樹脂8の
振動を抑制する板状の制振部材であり、筐体5の両側面
に結合した半導体装置の蓋9と棒状の部材15を介し結
合している。制振部材10は筐体5内にゲル状樹脂8を
充填する際に、ゲル状樹脂8に混入したエアを抜くため
の複数の貫通孔10aを備えている。
に搭載されて使用されるため、半導体装置も搭載される
移動体の振動により揺さぶられる。半導体装置の筐体5
が揺さぶられると筐体5の内部に充填されたゲル状樹脂
8も揺さぶられる。ゲル状樹脂8の振動の振幅は、筐体
5の底面および側面等の壁面近傍では小さく、壁面から
離れた筐体5内の中央部付近で大きい。特に、筐体5開
口部のゲル状樹脂8表面部で最も大きい。ゲル状樹脂8
の振動に伴ない、ボンディングワイヤ7のループ両端屈
曲部には、ゲル状樹脂8の振動に伴なう繰り返し応力が
かかり、ボンディングワイヤ7のループ両端屈曲部が破
損するといった問題が生じるが、半導体装置の蓋9と結
合した制振部材10がゲル状樹脂8に接触することによ
り、ゲル状樹脂8の振動を抑制し、ボンディングワイヤ
7の破損を防いでいる。
される半導体装置では、車体の振動のみならず、車体の
エンジンルームおよび周囲雰囲気等からの熱の影響も大
きく、特に半導体装置が加熱された場合、筐体5内に充
填されたゲル状樹脂8は膨張しようとする。この時、膨
張したゲル状樹脂8は、制振部材10に設けられた複数
の貫通孔10aから溢れ出る。従って、制振部材10に
設けられた複数の貫通孔10aは、筐体5内にゲル状樹
脂8を充填する際に、ゲル状樹脂8に混入したエアを抜
くための作用とともに、加熱されることによって膨張し
たゲル状樹脂8を逃がす作用もしている。
ゲル状樹脂8を充填する際にゲル状樹脂8に混入したエ
アを抜くには、できるだけ多くの貫通孔を設けてゲル状
樹脂8の上面の露出面積を大きくするのが望ましい。一
方ゲル状樹脂8の振動を抑制するためにはゲル状樹脂8
の制振部材10との接触面積を大きくするために貫通孔
の数および大きさが制限される。従って、従来のように
制振部材10に単純に複数の貫通孔を設けるだけでは筐
体5内のゲル状樹脂8から効率良く、また完全にエアを
抜くことは困難であった。
合には、半導体装置が加熱され、筐体5内に充填された
ゲル状樹脂8が膨張し、制振部材10に設けられた複数
の貫通孔10aから溢れ出ようとする際に、ボンディン
グワイヤ7付近のゲル状樹脂8が貫通孔10aへ向けて
流れようとし、ボンディングワイヤ7を倒してしまった
り、ゲル状樹脂8に割れが生じたりするという問題があ
った。
入したエアを効率良く完全に抜くことができる半導体装
置を提供することである。
成するために、次の構成を有する半導体装置である。す
なわち、 (1)半導体装置は、筐体と、上記筐体内でボンディン
グワイヤによって電気的に接続された半導体素子と、上
記筐体内に充填され、上記半導体素子および上記ボンデ
ィングワイヤを絶縁被覆するゲル状封止樹脂と、上記ゲ
ル状封止樹脂に接触して上記ゲル状封止樹脂の振動を抑
制する位置に配置され、上記ゲル状封止樹脂の充填時の
エア抜きのためにエア入口およびエア出口を持つ複数の
貫通孔を有する板状の制振部材とを備え、上記貫通孔の
上記エア入口の断面積は上記エア出口の断面積よりも大
きく、上記エア出口に向かって次第に小さくされ、上記
貫通孔は全体として実質的に円錐台形である。
接するように配置されていても良い。
ていても良い。
面に対して実質的に直角な方向に上記筐体内で移動可能
に設けられていても良い。
施の形態1を表す半導体装置の断面図である。図1にお
いて半導体装置11は、半導体装置11の外形を形成す
る筐体19を備えている。筐体19は四方を囲むフラン
ジ型側壁5と底壁4とから構成されている。
3bで半田付けされている。絶縁基板2上には半導体素
子1が半田3aで半田付けされている。半導体素子1
は、四方を囲むフランジ型側壁5の基部12に設けられ
た電極6とボンディングワイヤ7によって電気的に接続
されている。
ーン樹脂等のゲル状封止樹脂8が充填されており、半導
体素子1およびボンディングワイヤ7を絶縁被覆してい
る。
側壁5の内側側面13に蓋9を備えている。蓋9は、筐
体19内部に充填されたゲル状封止樹脂8から所定の間
隔を空け内側側面13に接着剤あるいはネジ等で固定さ
れており、蓋9とゲル状封止樹脂8との間に空間14を
形成している。
れたゲル状封止樹脂8に接触してゲル状封止樹脂8の振
動を抑制する制振部材10を備えている。制振部材10
は蓋9に棒状の部材15によって結合することにより、
筐体19に固定されており、半導体装置11の筐体19
に外部から振動が加わった場合に、筐体19の四方を囲
むフランジ型側壁5および底壁4から離れた筐体19内
のゲル状封止樹脂8の振動を抑制する作用をする。従っ
て、ゲル状封止樹脂8の表面全面を覆う必要はない。筐
体19のフランジ型側壁5の対向する辺の基部12には
電極6が設けられているため、制振部材10は、電極6
と対向する面が電極6から若干離れた板状矩形である。
また、半導体素子1およびボンディングワイヤ7および
電極6とで半導体装置11の筐体19内部には電路が形
成されるため、制振部材10は、PVT、アクリル樹脂
等電気絶縁性の樹脂である。
樹脂8を充填する際に、ゲル状封止樹脂8に混入したエ
アを抜くためのエア入口16とエア出口17を有する複
数の貫通孔18を備えている。エア入口16の断面積は
エア出口17の断面積よりも大きく、貫通孔18の断面
は、エア出口17に向かって次第に小さくなり、貫通孔
18は全体としてほぼ円錐台形である。貫通孔18の断
面のエア入口16とエア出口17とを結ぶ直線と、ゲル
状樹脂8の表面とのなす角(テーパー角)は、約30°
から60°が適当である。この角度即ちテーパー面の傾
斜が小さ過ぎると、エア入口16に入った気泡の上昇を
妨げてエア抜けが悪くなり、大き過ぎるとエア入口16
の面積が十分に大きくならずに気泡の捕捉を広い範囲に
亘って行なうことができなくなる。また、制振部材10
が同じ厚みでエア出口17の断面積が同じでエア入口1
6の外周円同士が互いに接触した場合には、この角度を
大きくし過ぎると制振部材10に設けられる貫通孔18
の数は多くなるが、制振部材10は貫通孔18の分だけ
孔が空いてしまうのでゲル状封止樹脂8の振動を抑制す
る作用が小さくなってしまう。逆にこの角度を小さくし
過ぎると制振部材10に設けられる貫通孔18の数が少
なくなるため、ゲル状封止樹脂8の振動を抑制する作用
は果たせるが、ゲル状封止樹脂8に混入したエアを効率
良く抜くことが困難になってしまう。
際、半導体装置11を真空装置(図示しない)に入れ真
空装置を作動させることによりエアを抜くため、エアは
ゲル状封止樹脂8の表面全体から万遍なく出る。従っ
て、隣り合うエア入口16の外周円同士が互いに接触す
る様にエア入口16を配置すれば、制振部材10に設け
られるエア入口16の総面積が最大となり、制振部材1
0の下面で停滞するエアを最小にすることができ、ゲル
状封止樹脂8に混入したエアを効率良く抜くことができ
る。
ボンディングワイヤ7および電極6とで構成される電路
が通電し発熱した場合および、半導体装置11が搭載さ
れる車両のエンジンルーム等から伝わる熱等により、ゲ
ル状封止樹脂8が加熱され膨張した場合、膨張したゲル
状封止樹脂8をエア入口16からエア出口17を介し、
蓋9とゲル状封止樹脂8との間の空間14へ逃がす作用
もしている。従って、制振部材10の厚さは、膨張した
ゲル状封止樹脂8をエア入口16からエア出口17を介
し、空間14へ逃がす際、膨張したゲル状封止樹脂8か
ら受ける力によって破損しないだけの剛性を持つ程度の
厚さである。
般的な半導体装置において、適当な厚さは約2mm〜3m
m、エア入口16の直径が5mm、エア出口17の直径が
2mmで、貫通孔18は5mmのピッチで正三角形格子状に
配置される。円錐台形の貫通孔18のテーパー角は、約
45°が望しいが30°〜60°の範囲でも良い結果が
得られる。
樹脂8を充填する際に、ゲル状封止樹脂8にはエアが混
入しているが、ゲル状封止樹脂8は、半導体素子1およ
びボンディングワイヤ7を電気絶縁するため、その内部
にエア(気泡)が混入していてはならない。従って、ゲ
ル状封止樹脂8に混入したエアを抜く作業が必要であ
る。
めに、半導体装置11を真空装置(図示しない)内に入
れた状態で真空装置(図示しない)を作動させると、ゲ
ル状封止樹脂8中の気泡は膨張することにより、気泡に
働く浮力が増し、膨張した気泡はゲル状封止樹脂8の表
面に浮き上がろうとする。このようにして、ゲル状封止
樹脂8中で浮上して来る気泡は、複数の貫通孔18のエ
ア入口16内に捕捉される。エア入口16に捕捉された
気泡は、貫通孔18のテーパー面に沿って上昇して、エ
ア出口17へと浮上する。この時、エア入口16の断面
積はエア出口17の断面積よりも大きく、エア出口17
に向かって次第に小さくなっているので、エア入口16
に集められた細かい気泡となっているエアは、エア出口
17へと浮上するにつれて次第にまとめられて大きな気
泡となってゆく。エア出口17へ集められた大きな気泡
はゲル状封止樹脂8の表面に出てゲル状封止樹脂8に混
入したエアを抜く作業が完了する。
形態による半導体装置を断面図で示してあるが、配線の
ためのボンディングワイヤおよび電極は図1に示すもの
と同じであるので図示を省略してある。この半導体装置
が図1のものと相違する点は、その制振部材21が浮遊
型(フローティングタイプ)のものであることであり、
貫通孔18の寸法形状等は同じである。従って、制振部
材21は筺体20の側壁5に固着されていないで、ゲル
状封止樹脂8の表面に接して設けられており、また図1
の実施例で制振部材を支持するために用いられていた蓋
9および支持ロッド15が不要であり、ゲル状封止樹脂
8の上方にゲル状封止樹脂8の逃げのための空間14も
設けられていない。
り、その対向両端の中央部に更に軸方向に延びた延長部
分21aを持っていて、この延長部分21aにガイドピ
ンである円筒形の突起22が制振部材21の主面に対し
て垂直に設けられている。筺体20の側壁5の基部には
その段部に制振部材21の突起22に対して軸心の位置
および方向が一致して突起22よりも僅かに直径の大き
な円筒形凹部23が設けられている。制振部材21の突
起22がこの凹部23内に挿入されていて、軸方向に摺
動可能に支持されているため、制振部材21も主面に直
角な方向に筺体20内で移動可能である。制振部材21
自体のその他の構成は図1に示すものと同様であるの
で、ここには説明を繰り返さない。
で構成されたガイド装置を備えているが、このようなガ
イド装置を持たないで単に制振部材21がゲル状封止樹
脂8の表面上に載せられているだけのものでもよく、ま
た、ガイド装置を様々に変形することができる。
ば、先に図1に示す実施形態によるテーパー面を持つ貫
通穴8による優れたエア抜き効果だけでなく、半導体装
置19の動作時の発熱あるいは周囲環境による等の加熱
によるゲル状封止樹脂8の膨張の吸収効果も発揮され、
半導体装置のエア抜きを効果的に効率よく行うことがで
きるので、半導体装置が機械的にも電気的にも強固なも
のとなる。
以下のような効果を奏する。 (1)半導体装置は、筐体と、上記筐体内でボンディン
グワイヤによって電気的に接続された半導体素子と、上
記筐体内に充填され、上記半導体素子および上記ボンデ
ィングワイヤを絶縁被覆するゲル状封止樹脂と、上記ゲ
ル状封止樹脂に接触して上記ゲル状封止樹脂の振動を抑
制する位置に配置され、上記ゲル状封止樹脂の充填時の
エア抜きのためにエア入口およびエア出口を持つ複数の
貫通孔を有する板状の制振部材とを備え、上記貫通孔の
上記エア入口の断面積は上記エア出口の断面積よりも大
きく、上記エア出口に向かって次第に小さくされ、上記
貫通孔は全体として実質的に円錐台形であるため、上記
ゲル状封止樹脂の充填時のエア抜きを確実に行なうこと
ができる。
接するように配置されているため、上記ゲル状封止樹脂
の充填時のエア抜きを効率良く行なうことができる。
ているため、上記半導体装置に振動が加わった場合、上
記筐体内に充填されている上記ゲル状封止樹脂の振動を
抑制し、上記ボンディングワイヤに加わる応力を低減す
ることができる。
面に対してほぼ直角な方向に上記筐体内で移動可能に設
けられているため、上記ゲル状封止樹脂の熱膨張に伴い
移動することが可能である。
面図である。
面図である。
ヤ、8 ゲル状封止樹脂、10、21 制振部材、16
エア入口、17 エア出口、18 貫通孔。
Claims (4)
- 【請求項1】 筐体と、 上記筐体内でボンディングワイヤによって電気的に接続
された半導体素子と、 上記筐体内に充填され、上記半導体素子および上記ボン
ディングワイヤを絶縁被覆するゲル状封止樹脂と、 上記ゲル状封止樹脂に接触して上記ゲル状封止樹脂の振
動を抑制する位置に配置され、上記ゲル状封止樹脂の充
填時のエア抜きのためにエア入口およびエア出口を持つ
複数の貫通孔を有する板状の制振部材とを備え、 上記貫通孔の上記エア入口の断面積は上記エア出口の断
面積よりも大きく、上記エア出口に向かって次第に小さ
くされ、上記貫通孔は全体として実質的に円錐台形であ
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 上記貫通孔は上記エア入口が互いに接す
るように配置されていることを特徴とする請求項1記載
の半導体装置。 - 【請求項3】 上記制振部材は上記筐体に固定されてい
ることを特徴とする請求項1あるいは2記載の半導体装
置。 - 【請求項4】 上記制振部材は、少なくともその主面に
対して実質的に直角な方向に上記筐体内で移動可能に設
けられたことを特徴とする請求項1あるいは2記載の半
導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001344878A JP3788760B2 (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 半導体装置 |
US10/195,759 US6791174B2 (en) | 2001-11-09 | 2002-07-16 | Semiconductor device with gel resin vibration limiting member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001344878A JP3788760B2 (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003152136A true JP2003152136A (ja) | 2003-05-23 |
JP3788760B2 JP3788760B2 (ja) | 2006-06-21 |
Family
ID=19158330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001344878A Expired - Fee Related JP3788760B2 (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6791174B2 (ja) |
JP (1) | JP3788760B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPWO2016158072A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
WO2017141532A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070230100A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd | Flexible floating electronic components |
EP2017891A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-21 | ABB Technology AG | Semiconductor module |
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JP7247574B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2023-03-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7390995B2 (ja) | 2020-08-28 | 2023-12-04 | 信越化学工業株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4432319B2 (ja) | 2001-01-23 | 2010-03-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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-
2001
- 2001-11-09 JP JP2001344878A patent/JP3788760B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-16 US US10/195,759 patent/US6791174B2/en not_active Expired - Lifetime
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US10224257B2 (en) | 2015-01-27 | 2019-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module |
JPWO2016158072A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
US11011442B2 (en) | 2015-03-27 | 2021-05-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module |
WO2017141532A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2017141532A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2018-10-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6791174B2 (en) | 2004-09-14 |
US20030089974A1 (en) | 2003-05-15 |
JP3788760B2 (ja) | 2006-06-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040610 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040728 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20041001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |