JP2773549B2 - 半導体装置用容器 - Google Patents
半導体装置用容器Info
- Publication number
- JP2773549B2 JP2773549B2 JP4162356A JP16235692A JP2773549B2 JP 2773549 B2 JP2773549 B2 JP 2773549B2 JP 4162356 A JP4162356 A JP 4162356A JP 16235692 A JP16235692 A JP 16235692A JP 2773549 B2 JP2773549 B2 JP 2773549B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side wall
- container
- semiconductor device
- ceramic
- metal
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用容器に関
し、特に気密封止用の金属で構成された半導体装置用容
器に関する。
し、特に気密封止用の金属で構成された半導体装置用容
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子を気密封止する半導体
装置用の容器は図３（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ平面図
及び正面図を示すように、金属材を加工した金属側壁１
で囲まれるキャビティ２を構成し、このキャビティ内に
半導体素子を搭載するようにしている。この金属側壁１
の外側には放熱板３が一体に設けられる。又、金属側壁
１の一部は切り欠かれてい切欠部４が設けられこの切欠
部にセラミック側壁５が配置され、このセラミック側壁
５の周囲の全体においてＡｇロー材７により金属側壁１
に一体化されている。このセラミック側壁５に外部導出
リード６がキャビティ２の内外にわたって貫通支持され
ており、キャビティ２内に搭載される半導体素子に電気
接続される。
装置用の容器は図３（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ平面図
及び正面図を示すように、金属材を加工した金属側壁１
で囲まれるキャビティ２を構成し、このキャビティ内に
半導体素子を搭載するようにしている。この金属側壁１
の外側には放熱板３が一体に設けられる。又、金属側壁
１の一部は切り欠かれてい切欠部４が設けられこの切欠
部にセラミック側壁５が配置され、このセラミック側壁
５の周囲の全体においてＡｇロー材７により金属側壁１
に一体化されている。このセラミック側壁５に外部導出
リード６がキャビティ２の内外にわたって貫通支持され
ており、キャビティ２内に搭載される半導体素子に電気
接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置用容器では、セラミック側壁５の周囲全面におい
て金属側壁５の熱膨張率が相違することから、半導体素
子の搭載時における金属側壁１の熱収縮によりセラミッ
クス側壁５に熱応力が加わり、セラミックス側壁５にク
ラックが生じるという問題がある。又、電気特性検査時
において金属側壁１及び放熱板３を検査治具で固定した
場合に、これらを構成する金属部材に加わる圧力により
セラミックス側壁５に応力が加わって同様にクラックが
生じるという問題がある。
体装置用容器では、セラミック側壁５の周囲全面におい
て金属側壁５の熱膨張率が相違することから、半導体素
子の搭載時における金属側壁１の熱収縮によりセラミッ
クス側壁５に熱応力が加わり、セラミックス側壁５にク
ラックが生じるという問題がある。又、電気特性検査時
において金属側壁１及び放熱板３を検査治具で固定した
場合に、これらを構成する金属部材に加わる圧力により
セラミックス側壁５に応力が加わって同様にクラックが
生じるという問題がある。
【０００４】本発明の目的はセラミックス側壁のクラッ
クを防止した半導体装置用容器を提供することにある。
クを防止した半導体装置用容器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用容
器は、セラミックス側壁を外部導出リード取付部と内部
結線部の一方又は両方がくぼんだ直方体とした構造とし
ている。本発明によれば、セラミックス側壁の金属側壁
に接触している側の面積が多くなり、金属側壁に生じた
応力を分散させることができ、セラミックス側壁のセラ
ミックのクラックが防止される。
器は、セラミックス側壁を外部導出リード取付部と内部
結線部の一方又は両方がくぼんだ直方体とした構造とし
ている。本発明によれば、セラミックス側壁の金属側壁
に接触している側の面積が多くなり、金属側壁に生じた
応力を分散させることができ、セラミックス側壁のセラ
ミックのクラックが防止される。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の半導体装置用容器の第１の実施例を
示し、同図（ａ）は平面図，同図（ｂ）は正面図であ
る。これまでと同様に金属を加工した側壁１を形成し、
内部に半導体素子を搭載するためのキャビティ２を形成
する。金属側壁１の外側には放熱板３が一体形成され
る。又、金属側壁の内面、内底面等はＭｏ−Ｍｎ等での
メタライズが施されている。更に、金属側壁１の一部は
切り欠かれて切欠部４が設けられ、ここにセラミックス
側壁５が配設され、外部導出リード６を支持している。
このセラミックス側壁５は金属側壁１にＡｇロー材７で
接続されている。このセラミックス側壁５は、リード導
出部の上の面の断面はＨ形をしている。このように本実
施例では図３の従来のものに比べてＡｇロー付けされて
いる側面が広なっているので半導体搭載時の熱応力が広
い面に分散されるのでクラックが生じずらい。
る。図１は本発明の半導体装置用容器の第１の実施例を
示し、同図（ａ）は平面図，同図（ｂ）は正面図であ
る。これまでと同様に金属を加工した側壁１を形成し、
内部に半導体素子を搭載するためのキャビティ２を形成
する。金属側壁１の外側には放熱板３が一体形成され
る。又、金属側壁の内面、内底面等はＭｏ−Ｍｎ等での
メタライズが施されている。更に、金属側壁１の一部は
切り欠かれて切欠部４が設けられ、ここにセラミックス
側壁５が配設され、外部導出リード６を支持している。
このセラミックス側壁５は金属側壁１にＡｇロー材７で
接続されている。このセラミックス側壁５は、リード導
出部の上の面の断面はＨ形をしている。このように本実
施例では図３の従来のものに比べてＡｇロー付けされて
いる側面が広なっているので半導体搭載時の熱応力が広
い面に分散されるのでクラックが生じずらい。
【０００７】次に、本発明の第２の実施例について図２
を参照して説明する。図２（ａ）は平面図、（ｂ）は正
面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付し
てある。この実施例では、セラミックス側壁５は、リー
ド導出部の上の面の断面はキャビティの外に向って凹状
になっている。この実施例でもＡｇロー付けされる側面
が大きいので耐クラック性が向上する。
を参照して説明する。図２（ａ）は平面図、（ｂ）は正
面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付し
てある。この実施例では、セラミックス側壁５は、リー
ド導出部の上の面の断面はキャビティの外に向って凹状
になっている。この実施例でもＡｇロー付けされる側面
が大きいので耐クラック性が向上する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、セ
ラミック側壁の金属側壁とＡｇロー付けされている側面
は、従来の容器にくらべて１０〜３０％広くなるので、
半導体素子搭載時に熱応力あるいは電気特性検査時の治
具固定時の機械的応力が側壁１に生じても応力が分散さ
れるのでセラミック側壁５の耐クラック性は向上する。
図に、第１の実施例の半導体装置用容器によれば、ある
条件下での半導体素子搭載時のセラミック側壁のクラッ
クは従来容器の３個／２０個発生に対し、０個／２０個
と良好な結果を得ている。
ラミック側壁の金属側壁とＡｇロー付けされている側面
は、従来の容器にくらべて１０〜３０％広くなるので、
半導体素子搭載時に熱応力あるいは電気特性検査時の治
具固定時の機械的応力が側壁１に生じても応力が分散さ
れるのでセラミック側壁５の耐クラック性は向上する。
図に、第１の実施例の半導体装置用容器によれば、ある
条件下での半導体素子搭載時のセラミック側壁のクラッ
クは従来容器の３個／２０個発生に対し、０個／２０個
と良好な結果を得ている。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は正面図である。
面図、（ｂ）は正面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）は正面図である。
面図、（ｂ）は正面図である。
【図３】従来の半導体装置用容器を示す図で、（ａ）は
平面図、（ｂ）は正面図である。
平面図、（ｂ）は正面図である。
１ 金属側壁 ２ キャビティ ３ 放熱板 ４ 切欠部 ５ セラミックス側壁 ６ 外部導出リード ７ Ａｇロー材
Claims (1)
- 【請求項１】 金属側壁で囲まれて内部に半導体素子を
収納するキャビティを有し、この金属側壁の一部に設け
た切欠部をセラミックス側壁で構成して成る半導体装置
用容器において、前記セラミックスの形状が外部導出用
リード取付部のみくぼんだ直方体であることを特徴とす
る半導体装置用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162356A JP2773549B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162356A JP2773549B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体装置用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065724A JPH065724A (ja) | 1994-01-14 |
| JP2773549B2 true JP2773549B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15753012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4162356A Expired - Lifetime JP2773549B2 (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体装置用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773549B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3779641T2 (de) * | 1987-09-22 | 1993-02-04 | Ibm Deutschland | Form einer gleitschuhschiene und ihr mechanisches herstellungsverfahren. |
| EP1931952B1 (de) | 2005-10-03 | 2014-06-25 | Mettler-Toledo AG | Dosiereinrichtung für pulver- oder pastenförmige substanzen |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04287950A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パッケージ |
| JP3159494B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2001-04-23 | 新光電気工業株式会社 | 半導体用メタルパッケージ |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP4162356A patent/JP2773549B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065724A (ja) | 1994-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980324 |