JPH04287950A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
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- JPH04287950A JPH04287950A JP3034380A JP3438091A JPH04287950A JP H04287950 A JPH04287950 A JP H04287950A JP 3034380 A JP3034380 A JP 3034380A JP 3438091 A JP3438091 A JP 3438091A JP H04287950 A JPH04287950 A JP H04287950A
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、衛星通信、移動通信
（携帯電話等）に用いられる高周波素子を気密封止する
パッケージに関するものである。
（携帯電話等）に用いられる高周波素子を気密封止する
パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波用パッケージの代表例とし
て、フィードスルーをコバールフレームに挿入したメタ
ルパッケージ、キャビティを有するセラミック多層配線
パッケージ、それに特開平１−２３２７５１号公報に開
示されたメタルベースのセラミックパッケージ等がある
。
て、フィードスルーをコバールフレームに挿入したメタ
ルパッケージ、キャビティを有するセラミック多層配線
パッケージ、それに特開平１−２３２７５１号公報に開
示されたメタルベースのセラミックパッケージ等がある
。
【０００３】まず、図５の斜視図に従来のメタルパッケ
ージを示す。底面にグランド、上面にＲＦ伝送線路また
はＤＣバイアス線路を印刷したグリーンシート上面にグ
ランドを印刷した短冊状のシートを熱圧着（１２０℃、
１００ｋｇ／ｃｍ２、１０ｍｉｎ）する。その後１６０
０℃で焼成、側面メタライズ、Ｎｉめっき、シンターの
工程を経て所望する形状、特性のセラミックフィードス
ルー１，２，３を得る。これらのフィードスルー１，２
，３を切断加工または射出成形により造られたコバール
フレーム４へ挿入し、ろう付けで接着し気密封止した後
、Ａｕめっきを施してメタルパッケージとする。
ージを示す。底面にグランド、上面にＲＦ伝送線路また
はＤＣバイアス線路を印刷したグリーンシート上面にグ
ランドを印刷した短冊状のシートを熱圧着（１２０℃、
１００ｋｇ／ｃｍ２、１０ｍｉｎ）する。その後１６０
０℃で焼成、側面メタライズ、Ｎｉめっき、シンターの
工程を経て所望する形状、特性のセラミックフィードス
ルー１，２，３を得る。これらのフィードスルー１，２
，３を切断加工または射出成形により造られたコバール
フレーム４へ挿入し、ろう付けで接着し気密封止した後
、Ａｕめっきを施してメタルパッケージとする。
【０００４】次に、従来の多層セラミックパッケージを
図６の斜視図に示す。製造方法は、キャビティ２２の有
無の違いがあるだけで、グリーンシート多層配線基板と
同じである。所望する枚数のシート（この場合は４枚）
にそれぞれ、スルーホールパンチ、スクリーン印刷によ
りバイアホール２３の穴埋めと配線導体，ＲＦ伝送線路
９とＤＣバイアス線路１０の印刷を行う。これらのシー
トを熱圧着して一体化し、焼成、Ｎｉめっき、シンター
、Ａｕめっきの工程を経て多層セラミックパッケージと
する。
図６の斜視図に示す。製造方法は、キャビティ２２の有
無の違いがあるだけで、グリーンシート多層配線基板と
同じである。所望する枚数のシート（この場合は４枚）
にそれぞれ、スルーホールパンチ、スクリーン印刷によ
りバイアホール２３の穴埋めと配線導体，ＲＦ伝送線路
９とＤＣバイアス線路１０の印刷を行う。これらのシー
トを熱圧着して一体化し、焼成、Ｎｉめっき、シンター
、Ａｕめっきの工程を経て多層セラミックパッケージと
する。
【０００５】さらに他の従来例として、特開平１−２３
２７５１号公報に示されたパッケージを図７の斜視図に
分解して示す。これは、加工容易なグリーンシートのセ
ラミック枠体形成部材５とセラミック端子形成部材６と
の間にメタライズペーストのメタライズウォール層７を
介在させた状態で挟持させて一体焼成し、Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金等の金属部材からなる金属ベース８にろう付け
する高周波素子用パッケージである。
２７５１号公報に示されたパッケージを図７の斜視図に
分解して示す。これは、加工容易なグリーンシートのセ
ラミック枠体形成部材５とセラミック端子形成部材６と
の間にメタライズペーストのメタライズウォール層７を
介在させた状態で挟持させて一体焼成し、Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金等の金属部材からなる金属ベース８にろう付け
する高周波素子用パッケージである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すメタルパッ
ケージでは、金属フレームでシールドされているので電
気的特性は優れているが、フレームとして用いるのに適
したコバールやＣｕ−Ｗ等は、難加工金属であるので、
フィードスルーを挿入するフレームの切り欠き部の加工
が難しくコストも高くなる。それに切り欠き部とフィー
ドスルーとのギャップの調整が難しいため、ろう付け後
の気密性確保が困難である。
ケージでは、金属フレームでシールドされているので電
気的特性は優れているが、フレームとして用いるのに適
したコバールやＣｕ−Ｗ等は、難加工金属であるので、
フィードスルーを挿入するフレームの切り欠き部の加工
が難しくコストも高くなる。それに切り欠き部とフィー
ドスルーとのギャップの調整が難しいため、ろう付け後
の気密性確保が困難である。
【０００７】図６に示す多層セラミックパッケージでは
、グリーンシートを熱圧着して一体化した後、焼成する
ために気密性には優れているが、ＩＣを搭載するキャビ
ティ部を持つため、反りが発生し易く、メタルパッケー
ジに比べて放熱性が悪いという欠点をもつ。
、グリーンシートを熱圧着して一体化した後、焼成する
ために気密性には優れているが、ＩＣを搭載するキャビ
ティ部を持つため、反りが発生し易く、メタルパッケー
ジに比べて放熱性が悪いという欠点をもつ。
【０００８】図７に示すパッケージは、反りや変形を生
じやすいグリーンシート状で接合等の加工を行うために
、焼成後の反りによるろう付けの不完全さが心配される
。
じやすいグリーンシート状で接合等の加工を行うために
、焼成後の反りによるろう付けの不完全さが心配される
。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、放熱性が良く、高周波特性に
優れ、かつ簡便に製作できる半導体装置用パッケージを
得ることを目的とする。
るためになされたもので、放熱性が良く、高周波特性に
優れ、かつ簡便に製作できる半導体装置用パッケージを
得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置用パッケージは、側面部の入出力端子と半導体素子の
電極部分とを接続するための電極端子を有する入出力用
回路パターンを設ける部分をメタライズしたセラミック
で形成し、他の側面部と半導体素子を搭載するベース基
板を金属で形成し、これらを接合して形成したものであ
る。
置用パッケージは、側面部の入出力端子と半導体素子の
電極部分とを接続するための電極端子を有する入出力用
回路パターンを設ける部分をメタライズしたセラミック
で形成し、他の側面部と半導体素子を搭載するベース基
板を金属で形成し、これらを接合して形成したものであ
る。
【００１１】
【作用】この発明の半導体装置用パッケージにおいては
、金属ブロックで構成されたフレーム（金属ベース及び
入出力用回路パターンが設けられない側面部）が、ＲＦ
伝送線路のグランドとしてシールドされ、所定のインピ
ーダンスを得られる。また、金属フレームは加工が容易
な形状をしておりコストの低減が図れる。入出力用回路
パターンを設ける側面部のセラミック配線部において、
グリーンシート状態で上下層の面積の差を小さくするこ
とで、圧力が均一に加わり、反りを制御できる。さらに
側面部の金属ブロックと金属ベースとを一体加工するこ
とで気密性の確保をより確実にする。
、金属ブロックで構成されたフレーム（金属ベース及び
入出力用回路パターンが設けられない側面部）が、ＲＦ
伝送線路のグランドとしてシールドされ、所定のインピ
ーダンスを得られる。また、金属フレームは加工が容易
な形状をしておりコストの低減が図れる。入出力用回路
パターンを設ける側面部のセラミック配線部において、
グリーンシート状態で上下層の面積の差を小さくするこ
とで、圧力が均一に加わり、反りを制御できる。さらに
側面部の金属ブロックと金属ベースとを一体加工するこ
とで気密性の確保をより確実にする。
【００１２】
【実施例】実施例１
図１はこの発明の一実施例の半導体装置用パッケージを
分解して示す斜視図である。まず、以下に示す組成によ
りグリーンシートを成形し、そのグリーンシート１２の
下面にグランド層、上面にＲＦ伝送線路９とＤＣバイア
ス線路１０とをスクリーン印刷により、タングステンペ
ーストを印刷する。その印刷面へ上面にグランド層を印
刷した短冊状のグリーンシート（遮蔽用セラミック部材
となる）１１を熱圧着（１５〜２０ｋｇ／ｃｍ２、１２
０℃、１０ｍｉｎ）して接合し、側面のグランド層を印
刷した後、１６００℃で焼成してセラミック配線部材（
入出力用回路パターンを設けた側面部）１３を得た。そ
してコバールを切断加工して、他の側面部に用いるコバ
ールブロック１４とベース基板に用いるコバールベース
１５を得た。それぞれＮｉめっきを施した後、銀ろう（
ＢＡｇ−８）を用いて水素雰囲気において８００℃で接
合した。 組成： アルミナ粉末 ６０．６％フラックス
３．１％ 分散剤 ０．６％有機結合剤
３．８％ 可塑剤 ３．２％有機溶剤
２８．７％
分解して示す斜視図である。まず、以下に示す組成によ
りグリーンシートを成形し、そのグリーンシート１２の
下面にグランド層、上面にＲＦ伝送線路９とＤＣバイア
ス線路１０とをスクリーン印刷により、タングステンペ
ーストを印刷する。その印刷面へ上面にグランド層を印
刷した短冊状のグリーンシート（遮蔽用セラミック部材
となる）１１を熱圧着（１５〜２０ｋｇ／ｃｍ２、１２
０℃、１０ｍｉｎ）して接合し、側面のグランド層を印
刷した後、１６００℃で焼成してセラミック配線部材（
入出力用回路パターンを設けた側面部）１３を得た。そ
してコバールを切断加工して、他の側面部に用いるコバ
ールブロック１４とベース基板に用いるコバールベース
１５を得た。それぞれＮｉめっきを施した後、銀ろう（
ＢＡｇ−８）を用いて水素雰囲気において８００℃で接
合した。 組成： アルミナ粉末 ６０．６％フラックス
３．１％ 分散剤 ０．６％有機結合剤
３．８％ 可塑剤 ３．２％有機溶剤
２８．７％
【００１３】この実施例のパッケージは、フィードスル
ー部のＲＦ伝送線路９及びＤＣバイアス線路１０を必要
な間隔で並列に並べた焼成後のセラミック配線部材１３
をパッケージ側面部の二辺にもち、他の二辺とベース基
板とを金属（コバールブロック１４とコバールベース１
５）で作製して一体化したもので、金属フレームに切り
欠きをいれる必要もなく、加工が簡単なブロック状に金
属を加工し、配線部をセラミックで作製し、それぞれを
接合して造るものであるので、製造が容易で、コストの
低減が図れる。また、コバールブロック１４とコバール
ベース１５が、ＲＦ伝送線路９のグランドとしてシール
ドされ、所定のインピーダンスを得られる。セラミック
配線部材１３はグリーンシート状態で上下層の面積の差
を小さくすることで、圧力が均一に加わり、反りを制御
できる。
ー部のＲＦ伝送線路９及びＤＣバイアス線路１０を必要
な間隔で並列に並べた焼成後のセラミック配線部材１３
をパッケージ側面部の二辺にもち、他の二辺とベース基
板とを金属（コバールブロック１４とコバールベース１
５）で作製して一体化したもので、金属フレームに切り
欠きをいれる必要もなく、加工が簡単なブロック状に金
属を加工し、配線部をセラミックで作製し、それぞれを
接合して造るものであるので、製造が容易で、コストの
低減が図れる。また、コバールブロック１４とコバール
ベース１５が、ＲＦ伝送線路９のグランドとしてシール
ドされ、所定のインピーダンスを得られる。セラミック
配線部材１３はグリーンシート状態で上下層の面積の差
を小さくすることで、圧力が均一に加わり、反りを制御
できる。
【００１４】実施例２
図２はこの発明の他の実施例の半導体装置用パッケージ
を分解して示す斜視図である。入出力用回路パターンを
設けた側面部のセラミック配線部材１７は、熱圧着時の
圧力の不均一による反り等の不良を少なくするため、上
層にリード部材との接合部を切り欠いたシート１６（矩
形状の遮蔽用セラミック部材となる）で実施例１と同様
の方法で製作した。得られた回路パターンの上層のセラ
ミック層の形状を電極端子部分のみ矩形状に切り欠いた
構造の端子部切り欠きセラミック配線部材１７と回路パ
ターンを形成しない側面部のＣｕ−Ｗブロック１４及び
ベース基板のＣｕ−Ｗベース１５との接合は、銀ろう（
ＢＡｇ−８）を用いて水素雰囲気において８００℃にて
行った。
を分解して示す斜視図である。入出力用回路パターンを
設けた側面部のセラミック配線部材１７は、熱圧着時の
圧力の不均一による反り等の不良を少なくするため、上
層にリード部材との接合部を切り欠いたシート１６（矩
形状の遮蔽用セラミック部材となる）で実施例１と同様
の方法で製作した。得られた回路パターンの上層のセラ
ミック層の形状を電極端子部分のみ矩形状に切り欠いた
構造の端子部切り欠きセラミック配線部材１７と回路パ
ターンを形成しない側面部のＣｕ−Ｗブロック１４及び
ベース基板のＣｕ−Ｗベース１５との接合は、銀ろう（
ＢＡｇ−８）を用いて水素雰囲気において８００℃にて
行った。
【００１５】実施例３
図３はこの発明のさらに他の実施例の半導体装置用パッ
ケージを分解して示す斜視図である。回路パターンを形
成しない側面部のＣｕ−Ｗブロックとベース基板のＣｕ
−Ｗベースとを一体加工した側面一体化金属ベース１８
に実施例２と同様の製造方法で造ったセラミック配線部
材１７のみを銀ろう（ＢＡｇ−８）でろう付けした。こ
の実施例では、回路パターンを形成しない側面部とベー
ス基板とを一体加工した側面一体化金属ベース１８を用
いることで気密性の確保をより確実にできる。
ケージを分解して示す斜視図である。回路パターンを形
成しない側面部のＣｕ−Ｗブロックとベース基板のＣｕ
−Ｗベースとを一体加工した側面一体化金属ベース１８
に実施例２と同様の製造方法で造ったセラミック配線部
材１７のみを銀ろう（ＢＡｇ−８）でろう付けした。こ
の実施例では、回路パターンを形成しない側面部とベー
ス基板とを一体加工した側面一体化金属ベース１８を用
いることで気密性の確保をより確実にできる。
【００１６】実施例１〜３のパッケージは、それぞれ図
４（ａ）の平面図、同（ｂ）の側面図に示すように外部
にリードフレーム２０をはんだ付けし、高周波素子であ
るＧａＡｓＩＣ１９をパッケージ内にＡｕＳｉを用いて
４００℃でダイボンドする。ＩＣとそれぞれの伝送線路
は、Φ２５μｍのＡｕワイヤ２１を用いて接続され、Ｉ
Ｃの酸化を防止し、信頼性を高めるため、窒素雰囲気で
Ａｕ８０／２０Ｓｎを用いてプレート（蓋）が接合され
る。
４（ａ）の平面図、同（ｂ）の側面図に示すように外部
にリードフレーム２０をはんだ付けし、高周波素子であ
るＧａＡｓＩＣ１９をパッケージ内にＡｕＳｉを用いて
４００℃でダイボンドする。ＩＣとそれぞれの伝送線路
は、Φ２５μｍのＡｕワイヤ２１を用いて接続され、Ｉ
Ｃの酸化を防止し、信頼性を高めるため、窒素雰囲気で
Ａｕ８０／２０Ｓｎを用いてプレート（蓋）が接合され
る。
【００１７】この発明は、上記実施例で述べたことに限
定されることなく、ＲＦ伝送線路を隣合わせにする場合
は、線路間にスルーホールを形成し、導体を埋めてグラ
ンドとすることによりアイソレーションの向上を図るこ
ともできる。また、実施例２でセラミック配線部材の上
層の形状は、矩形に限らずワイヤボンド、リードフレー
ム等のリード部材との接合スペースを残せば、加工に問
題がない範囲で自由に変えられる。さらに、各部材の接
合方法は、ろう付け以外に、はんだや無機系接着剤でも
差しつかえない。
定されることなく、ＲＦ伝送線路を隣合わせにする場合
は、線路間にスルーホールを形成し、導体を埋めてグラ
ンドとすることによりアイソレーションの向上を図るこ
ともできる。また、実施例２でセラミック配線部材の上
層の形状は、矩形に限らずワイヤボンド、リードフレー
ム等のリード部材との接合スペースを残せば、加工に問
題がない範囲で自由に変えられる。さらに、各部材の接
合方法は、ろう付け以外に、はんだや無機系接着剤でも
差しつかえない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体装置用パッケージを、側面部の入出力端子と半導体素
子の電極部分とを接続するための電極端子を有する入出
力用回路パターンを設ける部分をメタライズしたセラミ
ックで形成し、他の側面部と半導体素子を搭載するベー
ス基板を金属で形成し、これらを接合してなるものとし
たので、従来のように金属フレームを切り欠く加工を施
したりせずとも、簡便に製造でき、放熱性が良く、高周
波特性に優れたものが得られる効果がある。
体装置用パッケージを、側面部の入出力端子と半導体素
子の電極部分とを接続するための電極端子を有する入出
力用回路パターンを設ける部分をメタライズしたセラミ
ックで形成し、他の側面部と半導体素子を搭載するベー
ス基板を金属で形成し、これらを接合してなるものとし
たので、従来のように金属フレームを切り欠く加工を施
したりせずとも、簡便に製造でき、放熱性が良く、高周
波特性に優れたものが得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１の半導体装置用パッケージ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例２の半導体装置用パッケージ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施例３の半導体装置用パッケージ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】この発明に係わる高周波素子を実装した半導体
装置用パッケージを示す平面図と側面図である。
装置用パッケージを示す平面図と側面図である。
【図５】従来のメタルパッケージを示す斜視図である。
【図６】従来の多層セラミックパッケージを示す斜視図
である。
である。
【図７】従来のメタルベースのセラミックパッケージを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【符号の説明】
９ ＲＦ伝送線路
１０ ＤＣバイアス線路
１３ メタライズしたセラミックからなる入出力用回
路パターンを設ける側面部のセラミック配線部材１４
側面金属ブロック １５ ベース基板の金属ベース １７ メタライズしたセラミックからなる入出力用回
路パターンを設ける側面部の端子部切り欠きセラミック
配線部材 １８ 側面一体化金属ベース
路パターンを設ける側面部のセラミック配線部材１４
側面金属ブロック １５ ベース基板の金属ベース １７ メタライズしたセラミックからなる入出力用回
路パターンを設ける側面部の端子部切り欠きセラミック
配線部材 １８ 側面一体化金属ベース
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するベース基板、入
出力端子と上記半導体素子の電極部分とを接続するため
の電極端子を有する入出力用回路パターンが設けられる
側面部、及び上記半導体素子を保護する保護部からなる
半導体装置用パッケージにおいて、上記側面部の入出力
用回路パターンを設ける部分をメタライズしたセラミッ
クで形成し、他の側面部と上記ベース基板を金属で形成
し、これらを接合して形成したことを特徴とする半導体
装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034380A JPH04287950A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3034380A JPH04287950A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287950A true JPH04287950A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12412566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3034380A Pending JPH04287950A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287950A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065724A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置用容器 |
| JP2011096827A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体 |
| JP2012222079A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Kyocera Corp | 端子構造体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2014011271A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3034380A patent/JPH04287950A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065724A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置用容器 |
| JP2011096827A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ、並びに実装構造体 |
| JP2012222079A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Kyocera Corp | 端子構造体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2014011271A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 |
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