JP2003100718A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングと同一の容器を用いてアッシング
を行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチン
グ容器をそのまま使用するとアッシング後に残渣が残
る。 【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置１
は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向
して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、こ
れら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を
印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシ
ング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供
給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時に
は第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力
を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４
に高周波電力を印加する。
を行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチン
グ容器をそのまま使用するとアッシング後に残渣が残
る。 【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置１
は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向
して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、こ
れら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を
印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシ
ング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供
給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時に
は第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力
を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４
に高周波電力を印加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング方法に
関し、更に詳しくは例えば多層配線形成工程において配
線パターン形成用のレジスト層、反射防止膜層及び層間
絶縁膜として用いられる有機Ｌｏｗ−ｋ膜層をエッチン
グする方法に関する。
関し、更に詳しくは例えば多層配線形成工程において配
線パターン形成用のレジスト層、反射防止膜層及び層間
絶縁膜として用いられる有機Ｌｏｗ−ｋ膜層をエッチン
グする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴い、多層
配線構造を有する半導体装置の製造が急速に発展してい
る。多層配線構造を有する半導体装置の場合には、水平
方向に展開する各素子を接続するトレンチ配線と共に垂
直方向に積層される各素子を接続するビアホール配線を
形成する必要がある。このような多層の配線構造として
デュアルダマシン構造が採用されている。その際、集積
回路の高速化を図るために、最近では、配線材料として
低抵抗でエレクトロマイグレーション耐性に優れた金属
として例えば銅等を用い、更に層間絶縁材料として低誘
電率を確保できる有機Ｌｏｗ−ｋ材料として例えばＳｉ
ＬＫ（米国ダウケミカル社の製品）等を用いる傾向にあ
る。
配線構造を有する半導体装置の製造が急速に発展してい
る。多層配線構造を有する半導体装置の場合には、水平
方向に展開する各素子を接続するトレンチ配線と共に垂
直方向に積層される各素子を接続するビアホール配線を
形成する必要がある。このような多層の配線構造として
デュアルダマシン構造が採用されている。その際、集積
回路の高速化を図るために、最近では、配線材料として
低抵抗でエレクトロマイグレーション耐性に優れた金属
として例えば銅等を用い、更に層間絶縁材料として低誘
電率を確保できる有機Ｌｏｗ−ｋ材料として例えばＳｉ
ＬＫ（米国ダウケミカル社の製品）等を用いる傾向にあ
る。
【０００３】さて、例えば図６の（ａ）〜（ｃ）はビア
ホール形成用のフォトレジスト層（ＰＲ層）を用いてデ
ュアルダマシン構造のビアホールのショルダー部を形成
する工程の一例を示している。デュアルダマシン構造を
形成する場合には、同図の（ａ）に示すように、例えば
ウエハ上にシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２膜層）１０１、
シリコン窒化膜層（ＳｉＮ膜層）１０２、有機Ｌｏｗ−
ｋ膜層（例えば、ＳｉＬＫ膜層）１０３、ＳｉＮ膜層１
０４及び下層回路パターンの銅配線層（Ｃｕ層）１０５
が形成されたＳｉＬＫ膜層１０６を形成する。ここで、
ＳｉＯ２膜層１０１及びシリコン窒化膜層（ＳｉＮ膜層
１０２）はそれぞれビア及びトレンチを形成するための
第１のハードマスク層及び第２のハードマスク層として
形成され、ＳｉＬＫ膜層１０３は層間絶縁膜層として形
成され、下のＳｉＮ膜層１０４はビアホールを形成する
際のストッパーとして形成されている。そして、最上層
にはビアホール形成用のパターンを有するフォトレジス
ト膜層（ＰＲ層）１０７が形成されている。
ホール形成用のフォトレジスト層（ＰＲ層）を用いてデ
ュアルダマシン構造のビアホールのショルダー部を形成
する工程の一例を示している。デュアルダマシン構造を
形成する場合には、同図の（ａ）に示すように、例えば
ウエハ上にシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２膜層）１０１、
シリコン窒化膜層（ＳｉＮ膜層）１０２、有機Ｌｏｗ−
ｋ膜層（例えば、ＳｉＬＫ膜層）１０３、ＳｉＮ膜層１
０４及び下層回路パターンの銅配線層（Ｃｕ層）１０５
が形成されたＳｉＬＫ膜層１０６を形成する。ここで、
ＳｉＯ２膜層１０１及びシリコン窒化膜層（ＳｉＮ膜層
１０２）はそれぞれビア及びトレンチを形成するための
第１のハードマスク層及び第２のハードマスク層として
形成され、ＳｉＬＫ膜層１０３は層間絶縁膜層として形
成され、下のＳｉＮ膜層１０４はビアホールを形成する
際のストッパーとして形成されている。そして、最上層
にはビアホール形成用のパターンを有するフォトレジス
ト膜層（ＰＲ層）１０７が形成されている。
【０００４】そして、ＳｉＬＫ層１０３にビアホールを
形成する場合には、ＳｉＮ膜層１０２及びＳｉＬＫ膜層
１０３に対してエッチング性を有するガス（例えば、Ｃ
Ｆ４ガス、Ａｒガス、Ｏ２ガスの混合ガス）を用いて図
６の（ａ）に示すようにＰＲ層１０７のビアホールのパ
ターン１０８に従ってＳｉＮ層１０２をエッチングした
後ＳｉＬＫ膜層１０３を所定の厚さ例えば少なくともデ
ュアルダマシン構造のショルダー部に相当する深さまで
オーバーエッチングする（同図の（ｂ）参照）。引き続
き、ＳｉＯ２膜層１０１、ＳｉＮ層１０２に対して高い
選択比を示すエッチングガス（例えば、Ｎ２ガスとＨ２
ガスの混合ガス）を用いてＰＲ層１０７をエッチング
（アッシング）する工程がある。この工程では同図の
（ｃ）に示すように、ＰＲ層１０７を除去すると共にＳ
ｉＯ２膜層１０１、ＳｉＮ層１０２をハードマスクとし
てＳｉＬＫ層１０３をエッチングしてビアホール１０８
を更に掘り下げる。
形成する場合には、ＳｉＮ膜層１０２及びＳｉＬＫ膜層
１０３に対してエッチング性を有するガス（例えば、Ｃ
Ｆ４ガス、Ａｒガス、Ｏ２ガスの混合ガス）を用いて図
６の（ａ）に示すようにＰＲ層１０７のビアホールのパ
ターン１０８に従ってＳｉＮ層１０２をエッチングした
後ＳｉＬＫ膜層１０３を所定の厚さ例えば少なくともデ
ュアルダマシン構造のショルダー部に相当する深さまで
オーバーエッチングする（同図の（ｂ）参照）。引き続
き、ＳｉＯ２膜層１０１、ＳｉＮ層１０２に対して高い
選択比を示すエッチングガス（例えば、Ｎ２ガスとＨ２
ガスの混合ガス）を用いてＰＲ層１０７をエッチング
（アッシング）する工程がある。この工程では同図の
（ｃ）に示すように、ＰＲ層１０７を除去すると共にＳ
ｉＯ２膜層１０１、ＳｉＮ層１０２をハードマスクとし
てＳｉＬＫ層１０３をエッチングしてビアホール１０８
を更に掘り下げる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来は
Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガスを用いてビアホール形成
用のＰＲ層１０７と層間絶縁膜層であるＳｉＬＫ層１０
３を同時にエッチングすると、図６の（ｃ）に示すよう
にＳｉＯ２膜層１０１をエッチングして形成されたトレ
ンチ部（ＳｉＮ膜層１０２）１１０上にレジスト残渣Ｄ
が残るため、その後のＳｉＮ膜層１０２のエッチング工
程においてレジスト残渣によるＳｉＮ膜層１０２のエッ
チングの形状不良を生じその後のエッチングにおいてＳ
ｉＬＫ膜層１０３のエッチング残渣の原因になるという
課題があった。特に、ＰＲ層１０７の下層に有機膜層で
ある反射防止膜層を設けた場合にレジスト残渣が顕著に
残る傾向にある。
Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガスを用いてビアホール形成
用のＰＲ層１０７と層間絶縁膜層であるＳｉＬＫ層１０
３を同時にエッチングすると、図６の（ｃ）に示すよう
にＳｉＯ２膜層１０１をエッチングして形成されたトレ
ンチ部（ＳｉＮ膜層１０２）１１０上にレジスト残渣Ｄ
が残るため、その後のＳｉＮ膜層１０２のエッチング工
程においてレジスト残渣によるＳｉＮ膜層１０２のエッ
チングの形状不良を生じその後のエッチングにおいてＳ
ｉＬＫ膜層１０３のエッチング残渣の原因になるという
課題があった。特に、ＰＲ層１０７の下層に有機膜層で
ある反射防止膜層を設けた場合にレジスト残渣が顕著に
残る傾向にある。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、配線形成工程においてレジスト膜層や有機
層間絶縁膜層等の有機膜層をエッチングする際に、レジ
スト残渣を残さず、有機層間絶縁膜層を所望の形状にエ
ッチングすることができるエッチング方法を提供するこ
とを目的としている。
れたもので、配線形成工程においてレジスト膜層や有機
層間絶縁膜層等の有機膜層をエッチングする際に、レジ
スト残渣を残さず、有機層間絶縁膜層を所望の形状にエ
ッチングすることができるエッチング方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のエッチング方法は、有機膜層をエッチングする方法に
おいて、エッチングガスとして、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス及
びＣＦ系ガスの混合ガスを用いることを特徴とするもの
である。
のエッチング方法は、有機膜層をエッチングする方法に
おいて、エッチングガスとして、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス及
びＣＦ系ガスの混合ガスを用いることを特徴とするもの
である。
【０００８】また、本発明の請求項２に記載のエッチン
グ方法は、有機膜層をエッチングする方法において、エ
ッチングガスとして、Ｎ、Ｈを含むガス、ＣＦ系ガス及
びＯ２ガスの混合ガスを用いることを特徴とするもので
ある。
グ方法は、有機膜層をエッチングする方法において、エ
ッチングガスとして、Ｎ、Ｈを含むガス、ＣＦ系ガス及
びＯ２ガスの混合ガスを用いることを特徴とするもので
ある。
【０００９】また、本発明の請求項３に記載のエッチン
グ方法は、請求項１または請求項２に記載の発明におい
て、配線パターン形成用の有機膜層と、この有機膜層の
下に形成されたハードマスク層と、このハードマスク層
の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基にビアホール
構造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有機Ｌｏｗ
−ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチングする
ことを特徴とするものである。
グ方法は、請求項１または請求項２に記載の発明におい
て、配線パターン形成用の有機膜層と、この有機膜層の
下に形成されたハードマスク層と、このハードマスク層
の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基にビアホール
構造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有機Ｌｏｗ
−ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチングする
ことを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項４に記載のエッチン
グ方法は、請求項１または請求項２に記載の発明におい
て、配線パターン形成用の有機膜層と、この有機膜層の
下に形成されたハードマスク層と、このハードマスク層
の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基にトレンチ構
造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有機Ｌｏｗ−
ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチングするこ
とを特徴とするものである。
グ方法は、請求項１または請求項２に記載の発明におい
て、配線パターン形成用の有機膜層と、この有機膜層の
下に形成されたハードマスク層と、このハードマスク層
の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基にトレンチ構
造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有機Ｌｏｗ−
ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチングするこ
とを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項５に記載のエッチン
グ方法は、請求項１または請求項２に記載の発明におい
て、配線パターン形成用の有機膜層と、この有機膜層の
下に形成されたハードマスク層と、このハードマスク層
の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基にデュアルダ
マシン構造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有機
Ｌｏｗ−ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチン
グすることを特徴とするものである。
グ方法は、請求項１または請求項２に記載の発明におい
て、配線パターン形成用の有機膜層と、この有機膜層の
下に形成されたハードマスク層と、このハードマスク層
の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基にデュアルダ
マシン構造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有機
Ｌｏｗ−ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチン
グすることを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項６に記載のエッチン
グ方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の
発明において、上記有機膜層は、レジスト膜層及び反射
防止膜層を含むことを特徴とするものである。
グ方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の
発明において、上記有機膜層は、レジスト膜層及び反射
防止膜層を含むことを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明の請求項７に記載のエッチン
グ方法は、請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載の
発明において、上記ハードマスク層はシリコン窒化膜層
を含むことを特徴とするものである。
グ方法は、請求項３〜請求項６のいずれか１項に記載の
発明において、上記ハードマスク層はシリコン窒化膜層
を含むことを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明の請求項８に記載のエッチン
グ方法は、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の
発明において、上記ＣＦ系ガスとしてＣＨ３Ｆガスを用
いることを特徴とするものである。
グ方法は、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の
発明において、上記ＣＦ系ガスとしてＣＨ３Ｆガスを用
いることを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明の請求項９に記載のエッチン
グ方法は、請求項２〜請求項８のいずれか１項に記載の
発明において、上記Ｎ、Ｈを含むガスとしてＮＨ３ガス
を用いることを特徴とするものである。
グ方法は、請求項２〜請求項８のいずれか１項に記載の
発明において、上記Ｎ、Ｈを含むガスとしてＮＨ３ガス
を用いることを特徴とするものである。
【００１６】また、本発明の請求項１０に記載のエッチ
ング方法は、請求項２〜請求項９のいずれか１項に記載
の発明において、上記エッチングガスとしてＮＨ３／Ｃ
Ｈ３Ｆ／Ｏ２の混合ガスを用い、Ｏ２／ＮＨ３の流量比
が１０／１５００より大きく３００／１５００より小さ
いことを特徴とするものである。
ング方法は、請求項２〜請求項９のいずれか１項に記載
の発明において、上記エッチングガスとしてＮＨ３／Ｃ
Ｈ３Ｆ／Ｏ２の混合ガスを用い、Ｏ２／ＮＨ３の流量比
が１０／１５００より大きく３００／１５００より小さ
いことを特徴とするものである。
【００１７】また、本発明の請求項１１に記載のエッチ
ング方法は、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記
載の発明において、上記有機膜層を残渣無く除去するこ
とを特徴とするものである。
ング方法は、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記
載の発明において、上記有機膜層を残渣無く除去するこ
とを特徴とするものである。
【００１８】また、本発明の請求項１２に記載のエッチ
ング方法は、請求項３〜請求項１１のいずれか１項に記
載の発明において、上記有機Ｌｏｗ−ｋ膜層内にビアホ
ールを形成することを特徴とするものである。
ング方法は、請求項３〜請求項１１のいずれか１項に記
載の発明において、上記有機Ｌｏｗ−ｋ膜層内にビアホ
ールを形成することを特徴とするものである。
【００１９】また、本発明の請求項１３に記載のエッチ
ング方法は、請求項１２に記載の発明において、上記ビ
アホールの一部を残すことを特徴とするものである。
ング方法は、請求項１２に記載の発明において、上記ビ
アホールの一部を残すことを特徴とするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。図１は本発明のエッチン
グ方法を実施する際に用いられるプラズマ処理装置を模
式的に示す断面図である。このプラズマ処理装置は、図
１に示すように、保安接地された処理容器（チャンバ
ー）１と、このチャンバー１内に昇降可能に配設された
サセプタを構成する下部電極２と、この下部電極２の上
方においてチャンバー１の天井部を形成し且つエッチン
グガスの供給部を形成する中空状の上部電極３と、この
上部電極３の上面中央部のガス導入部３Ａに接続され且
つ複数種のエッチングガスを供給するガス供給系４と、
チャンバー１の排気部１Ｂに接続された排気装置（図示
せず）とを備えた平行平板型として構成され、ガス供給
系４からチャンバー１内に適宜のエッチングガスを供給
すると共に排気装置を介してチャンバー１内を所定の真
空度に保持しながら上下の両電極２、３の間でエッチン
グガスのプラズマを発生させ、下部電極２上のウエハＷ
をエッチングする。
に基づいて本発明を説明する。図１は本発明のエッチン
グ方法を実施する際に用いられるプラズマ処理装置を模
式的に示す断面図である。このプラズマ処理装置は、図
１に示すように、保安接地された処理容器（チャンバ
ー）１と、このチャンバー１内に昇降可能に配設された
サセプタを構成する下部電極２と、この下部電極２の上
方においてチャンバー１の天井部を形成し且つエッチン
グガスの供給部を形成する中空状の上部電極３と、この
上部電極３の上面中央部のガス導入部３Ａに接続され且
つ複数種のエッチングガスを供給するガス供給系４と、
チャンバー１の排気部１Ｂに接続された排気装置（図示
せず）とを備えた平行平板型として構成され、ガス供給
系４からチャンバー１内に適宜のエッチングガスを供給
すると共に排気装置を介してチャンバー１内を所定の真
空度に保持しながら上下の両電極２、３の間でエッチン
グガスのプラズマを発生させ、下部電極２上のウエハＷ
をエッチングする。
【００２１】上記下部電極２には例えば２ＭＨｚの第１
の高周波電源５が整合器５Ａを介して接続され、第１の
高周波電源５から下部電極２に対して所定の高周波電力
を印加し、下部電極２上のウエハＷにバイアス電位を発
生させる。上部電極３には例えば６０ＭＨｚの第２高周
波電源６が整合器６Ａを介して接続され、第２の高周波
電源６から上部電極３に対して所定の高周波電力を印加
し、上述のように下部電極２と上部電極３の間でエッチ
ングガスのプラズマを発生させる。
の高周波電源５が整合器５Ａを介して接続され、第１の
高周波電源５から下部電極２に対して所定の高周波電力
を印加し、下部電極２上のウエハＷにバイアス電位を発
生させる。上部電極３には例えば６０ＭＨｚの第２高周
波電源６が整合器６Ａを介して接続され、第２の高周波
電源６から上部電極３に対して所定の高周波電力を印加
し、上述のように下部電極２と上部電極３の間でエッチ
ングガスのプラズマを発生させる。
【００２２】上記下部電極２の上面には電極板７Ａを内
蔵するセラミック製の静電チャック７が配置され、電極
板７Ａには例えば２．５ｋＶの高圧直流電源７Ｂが接続
されている。そして、高圧直流電源７Ｂから電極板７Ａ
に直流高電圧を印加し、静電チャック７表面に発生した
クーロン力でウエハＷを静電吸着する。下部電極２に上
面には静電チャック７を囲むフォーカスリング８が配置
され、フォーカスリング８を介して下部電極２のウエハ
Ｗ面にプラズマを集める。更に、下部電極２は冷却手段
や加熱手段（共に図示せず）を内蔵し、これらの冷却、
加熱手段を介して下部電極２を−２０℃から＋８０℃ま
で制御する。また、下部電極２及び静電チャック７には
ヘリウムガス等のバックサイドガスを吐出するガス流路
（図示せず）が形成され、このガス流路から静電チャッ
ク７上のウエハＷの裏面に向けてバックサイドガスを吐
出し下部電極２とウエハＷとの間の熱伝達率を高める。
また、上部電極３の下面全面には多数の吐出孔３Ｂが均
等に分散して形成され、ガス供給系４から上部電極３内
に導入されたエッチングガスを複数の吐出孔３Ｂからチ
ャンバー１内全体に均等に供給する。尚、上部電極３は
絶縁部材９を介してチャンバー１から絶縁されている。
蔵するセラミック製の静電チャック７が配置され、電極
板７Ａには例えば２．５ｋＶの高圧直流電源７Ｂが接続
されている。そして、高圧直流電源７Ｂから電極板７Ａ
に直流高電圧を印加し、静電チャック７表面に発生した
クーロン力でウエハＷを静電吸着する。下部電極２に上
面には静電チャック７を囲むフォーカスリング８が配置
され、フォーカスリング８を介して下部電極２のウエハ
Ｗ面にプラズマを集める。更に、下部電極２は冷却手段
や加熱手段（共に図示せず）を内蔵し、これらの冷却、
加熱手段を介して下部電極２を−２０℃から＋８０℃ま
で制御する。また、下部電極２及び静電チャック７には
ヘリウムガス等のバックサイドガスを吐出するガス流路
（図示せず）が形成され、このガス流路から静電チャッ
ク７上のウエハＷの裏面に向けてバックサイドガスを吐
出し下部電極２とウエハＷとの間の熱伝達率を高める。
また、上部電極３の下面全面には多数の吐出孔３Ｂが均
等に分散して形成され、ガス供給系４から上部電極３内
に導入されたエッチングガスを複数の吐出孔３Ｂからチ
ャンバー１内全体に均等に供給する。尚、上部電極３は
絶縁部材９を介してチャンバー１から絶縁されている。
【００２３】上記ガス供給系４は、図１に示すように、
複数種のエッチングガスを供給するガス供給源４１と、
これらのガス供給源４１に対応する流量調整バルブ４２
及び開閉バルブ４３とを備えている。本実施形態では例
えば、ガス供給源４１は、Ｎ２ガス供給源４１Ａ、Ｈ２
ガス供給源４１Ｂ及びＣＨ３Ｆガス供給源４１Ｃを有
し、更に、ＮＨ３ガス供給源４１Ｄ、Ｏ２ガス供給源４
１Ｅ及びその他のガス供給源４１Ｆを有している。ま
た、流量調整バルブ４２は各ガス供給源４１Ａ〜４１Ｆ
に対応する流量調整バルブ４２Ａ〜４２Ｆを有し、開閉
バルブ４３は各ガス供給源４１Ａ〜４１Ｆに対応するバ
ルブ４３Ａ〜４３Ｆを有している。そして、エッチング
対象に応じて各ガス供給源４１を適宜切り替えて所定の
エッチングガスを供給する。
複数種のエッチングガスを供給するガス供給源４１と、
これらのガス供給源４１に対応する流量調整バルブ４２
及び開閉バルブ４３とを備えている。本実施形態では例
えば、ガス供給源４１は、Ｎ２ガス供給源４１Ａ、Ｈ２
ガス供給源４１Ｂ及びＣＨ３Ｆガス供給源４１Ｃを有
し、更に、ＮＨ３ガス供給源４１Ｄ、Ｏ２ガス供給源４
１Ｅ及びその他のガス供給源４１Ｆを有している。ま
た、流量調整バルブ４２は各ガス供給源４１Ａ〜４１Ｆ
に対応する流量調整バルブ４２Ａ〜４２Ｆを有し、開閉
バルブ４３は各ガス供給源４１Ａ〜４１Ｆに対応するバ
ルブ４３Ａ〜４３Ｆを有している。そして、エッチング
対象に応じて各ガス供給源４１を適宜切り替えて所定の
エッチングガスを供給する。
【００２４】而して、本発明のエッチング方法を実施す
る場合には、有機Ｌｏｗ−ｋ膜層（例えば、ＳｉＬＫ膜
層）にデュアルダマシン構造を形成する工程において、
ビアホール形成用のフォトレジスト膜層（ＰＲ層）及び
ＳｉＬＫ膜層をエッチングする際に、後述のようにガス
供給源４１からＮ、Ｈを含むガス、ＣＦ系ガス及びＯ２
の混合ガスをエッチングガスとして供給する。あるいは
ガス供給源４１からＮ２ガス、Ｈ２ガス及びＣＦ系ガス
の混合ガスをエッチングガスとして供給する。また、酸
化膜層（ＳｉＯ２膜層）や窒化膜層（ＳｉＮ膜層）等の
ハードマスク層をエッチングする場合にはその他のガス
供給源４２Ｆを使用する。尚、図１では本発明のエッチ
ング方法以外のエッチングに使用される複数種のエッチ
ングガスはその他のガス供給源４１Ｆとして一つに纏め
て記載してある。
る場合には、有機Ｌｏｗ−ｋ膜層（例えば、ＳｉＬＫ膜
層）にデュアルダマシン構造を形成する工程において、
ビアホール形成用のフォトレジスト膜層（ＰＲ層）及び
ＳｉＬＫ膜層をエッチングする際に、後述のようにガス
供給源４１からＮ、Ｈを含むガス、ＣＦ系ガス及びＯ２
の混合ガスをエッチングガスとして供給する。あるいは
ガス供給源４１からＮ２ガス、Ｈ２ガス及びＣＦ系ガス
の混合ガスをエッチングガスとして供給する。また、酸
化膜層（ＳｉＯ２膜層）や窒化膜層（ＳｉＮ膜層）等の
ハードマスク層をエッチングする場合にはその他のガス
供給源４２Ｆを使用する。尚、図１では本発明のエッチ
ング方法以外のエッチングに使用される複数種のエッチ
ングガスはその他のガス供給源４１Ｆとして一つに纏め
て記載してある。
【００２５】次に、上記プラズマ処理装置を用いた本発
明のエッチング方法の実施形態について図２〜図５を参
照しながら説明する。図２〜図５はデュアルダマシン構
造のトレンチ及びビアホールを形成する工程を示すが、
本実施形態のエッチング方法は、図３の（ｂ）、（ｃ）
に示す、ＰＲ層をアッシングすると共にＳｉＬＫ膜層に
形成されたビアホールを更にエッチングして掘り下げる
工程に特徴がある。そこで、以下ではデュアルダマシン
構造のトレンチ及びビアホールを形成する工程を説明す
る。
明のエッチング方法の実施形態について図２〜図５を参
照しながら説明する。図２〜図５はデュアルダマシン構
造のトレンチ及びビアホールを形成する工程を示すが、
本実施形態のエッチング方法は、図３の（ｂ）、（ｃ）
に示す、ＰＲ層をアッシングすると共にＳｉＬＫ膜層に
形成されたビアホールを更にエッチングして掘り下げる
工程に特徴がある。そこで、以下ではデュアルダマシン
構造のトレンチ及びビアホールを形成する工程を説明す
る。
【００２６】例えば図２の（ａ）に示すように、デュア
ルダマシン構造を形成するウエハには上層から下層に向
かって、第１、第２のハードマスク層としてのＳｉＯ２
膜層（膜厚：例えば１００ｎｍ）２０１、ＳｉＮ膜層
（膜厚：例えば５０ｎｍ）２０２、層間絶縁膜層として
の有機Ｌｏｗ−ｋ膜層（例えば、ＳｉＬＫ膜層）（膜
厚：例えば５５０ｎｍ）２０３、ストッパーとしてのＳ
ｉＮ膜層２０４及び下層回路パターンの銅配線層（Ｃｕ
層）２０５が形成されたＳｉＬＫ膜層２０６がそれぞれ
の膜厚で形成されている。
ルダマシン構造を形成するウエハには上層から下層に向
かって、第１、第２のハードマスク層としてのＳｉＯ２
膜層（膜厚：例えば１００ｎｍ）２０１、ＳｉＮ膜層
（膜厚：例えば５０ｎｍ）２０２、層間絶縁膜層として
の有機Ｌｏｗ−ｋ膜層（例えば、ＳｉＬＫ膜層）（膜
厚：例えば５５０ｎｍ）２０３、ストッパーとしてのＳ
ｉＮ膜層２０４及び下層回路パターンの銅配線層（Ｃｕ
層）２０５が形成されたＳｉＬＫ膜層２０６がそれぞれ
の膜厚で形成されている。
【００２７】ところで、上記有機Ｌｏｗ−ｋ膜層の材料
は特定の材料に制限されるものではなく、ＳｉＬＫの
他、例えば、例えばポリフッ化ナフタレンポリマー、マ
レイミドベンゾシクロブテンポリマー、ポリパーフロロ
シクロブテンアロマティックエーテル、ポリイミド、ポ
リアリルエーテル、パリレン、水素化ダイアモンド、ポ
リテトラフルオロエチレン等を好適に用いることができ
る。更に、有機Ｌｏｗ−ｋ膜層２０３の材料としては、
有機高分子中にシリカが一部置換されたジビニルシロキ
サンベンゾシクロブテンポリマー、シリカ添加ポリイミ
ド等を好適に用いることができる。尚、Ｌｏｗ−ｋ膜と
は比誘電率が二酸化シリコンの比誘電率４より小さい材
料からなる膜を云う。また、第１のハードマスク層の材
料は特定の材料に制限されるものではなく、シリコン酸
化物の他、例えば、シリコン窒化膜、ポーラスシリカ、
シリコンカーバイド、シリコン酸窒化物等の絶縁材料、
窒化チタン、窒化タンタル等の金属窒化物、あるいは炭
化チタン等を好適に用いることができる。第２のハード
マスク層の材料は特定の材料に制限されるものではな
く、シリコン窒化物の他、例えば、シリコン酸化物、シ
リコンカーバイド、ポーラスシリコン窒化物、シリコン
酸窒化物、窒化アルミニウム、シリカの絶縁材料、窒化
チタン、窒化タンタル等の金属窒化物、あるいは炭化チ
タン等を好適に用いることができる。但し、窒化チタン
膜や窒化タンタル膜等の導電性窒化膜を用いる場合に
は、トレンチとビアホールに銅を埋め込んだ後、導電性
窒化膜をＣＭＰやドライエッチングにより除去する必要
がある。
は特定の材料に制限されるものではなく、ＳｉＬＫの
他、例えば、例えばポリフッ化ナフタレンポリマー、マ
レイミドベンゾシクロブテンポリマー、ポリパーフロロ
シクロブテンアロマティックエーテル、ポリイミド、ポ
リアリルエーテル、パリレン、水素化ダイアモンド、ポ
リテトラフルオロエチレン等を好適に用いることができ
る。更に、有機Ｌｏｗ−ｋ膜層２０３の材料としては、
有機高分子中にシリカが一部置換されたジビニルシロキ
サンベンゾシクロブテンポリマー、シリカ添加ポリイミ
ド等を好適に用いることができる。尚、Ｌｏｗ−ｋ膜と
は比誘電率が二酸化シリコンの比誘電率４より小さい材
料からなる膜を云う。また、第１のハードマスク層の材
料は特定の材料に制限されるものではなく、シリコン酸
化物の他、例えば、シリコン窒化膜、ポーラスシリカ、
シリコンカーバイド、シリコン酸窒化物等の絶縁材料、
窒化チタン、窒化タンタル等の金属窒化物、あるいは炭
化チタン等を好適に用いることができる。第２のハード
マスク層の材料は特定の材料に制限されるものではな
く、シリコン窒化物の他、例えば、シリコン酸化物、シ
リコンカーバイド、ポーラスシリコン窒化物、シリコン
酸窒化物、窒化アルミニウム、シリカの絶縁材料、窒化
チタン、窒化タンタル等の金属窒化物、あるいは炭化チ
タン等を好適に用いることができる。但し、窒化チタン
膜や窒化タンタル膜等の導電性窒化膜を用いる場合に
は、トレンチとビアホールに銅を埋め込んだ後、導電性
窒化膜をＣＭＰやドライエッチングにより除去する必要
がある。
【００２８】而して、図２の（ａ）に示すウエハのＳｉ
Ｏ２膜層２０１上に、トレンチ形成用のＰＲ層（膜厚：
例えば４５０ｎｍ）２０７を形成し、図２の（ｂ）に示
すように所定のリソグラフィ工程によりトレンチ形成用
のパターン２０８を形成する。その後、ＳｉＮ膜層２０
２に対して高い選択性を示すエッチングガス（例えば、
Ｃ５Ｆ８／Ｏ２／Ａｒの混合ガス）を用いてトレンチ形
成用のパターン２０８に従ってＳｉＯ２膜層２０１をエ
ッチングすると、ＳｉＮ膜層２０２が露呈しトレンチの
パターンが形成される。引き続き、エッチングガスを例
えばＯ２ガスに切り換えてＰＲ層２０７をアッシングし
た後、同図の（ｃ）に示すようにＳｉＯ２膜層２０１上
に反射防止膜層（ＢＡＲＣ(BOTTOM ANTI REFLECTION CO
ATING)層）（膜厚：例えば６０ｎｍ）２０９を形成す
る。このＢＡＲＣ層２０９の材料は特定の材料に制限さ
れるものではなく、例えば、ＡＲ２−６００、ＡＲ３−
２００（シプレイ・ファーイースト（株）製）あるいは
ＳＥＫ−ｅｘ４（東京応化工業（株）製）等の有機系材
料を好適に用いることができる。
Ｏ２膜層２０１上に、トレンチ形成用のＰＲ層（膜厚：
例えば４５０ｎｍ）２０７を形成し、図２の（ｂ）に示
すように所定のリソグラフィ工程によりトレンチ形成用
のパターン２０８を形成する。その後、ＳｉＮ膜層２０
２に対して高い選択性を示すエッチングガス（例えば、
Ｃ５Ｆ８／Ｏ２／Ａｒの混合ガス）を用いてトレンチ形
成用のパターン２０８に従ってＳｉＯ２膜層２０１をエ
ッチングすると、ＳｉＮ膜層２０２が露呈しトレンチの
パターンが形成される。引き続き、エッチングガスを例
えばＯ２ガスに切り換えてＰＲ層２０７をアッシングし
た後、同図の（ｃ）に示すようにＳｉＯ２膜層２０１上
に反射防止膜層（ＢＡＲＣ(BOTTOM ANTI REFLECTION CO
ATING)層）（膜厚：例えば６０ｎｍ）２０９を形成す
る。このＢＡＲＣ層２０９の材料は特定の材料に制限さ
れるものではなく、例えば、ＡＲ２−６００、ＡＲ３−
２００（シプレイ・ファーイースト（株）製）あるいは
ＳＥＫ−ｅｘ４（東京応化工業（株）製）等の有機系材
料を好適に用いることができる。
【００２９】次いで、ＢＡＲＣ層２０９上にＰＲ層２１
０を形成した後、図３の（ａ）に示すように所定のリソ
グラフィ工程によりビアホール形成用のパターン２１１
を形成する。そして、エッチングガスをＰＲ層２１０に
対して高い選択比を示すエッチングガス（例えば、ＣＦ
４／Ａｒ／Ｏ２の混合ガス）に切り換えてビアホール形
成用のパターン２１１に従ってＳｉＮ膜層２０２をエッ
チングし、更にそのオーバーエッチングによりＳｉＬＫ
膜層２０３を所定の深さ（例えば、少なくともデュアル
ダマシン構造のショルダー部に相当する深さ）までエッ
チングする。
０を形成した後、図３の（ａ）に示すように所定のリソ
グラフィ工程によりビアホール形成用のパターン２１１
を形成する。そして、エッチングガスをＰＲ層２１０に
対して高い選択比を示すエッチングガス（例えば、ＣＦ
４／Ａｒ／Ｏ２の混合ガス）に切り換えてビアホール形
成用のパターン２１１に従ってＳｉＮ膜層２０２をエッ
チングし、更にそのオーバーエッチングによりＳｉＬＫ
膜層２０３を所定の深さ（例えば、少なくともデュアル
ダマシン構造のショルダー部に相当する深さ）までエッ
チングする。
【００３０】然る後、本発明のエッチング方法を用いた
エッチング工程でＰＲ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を
除去する。この工程では、ＳｉＯ２膜層２０１、ＳｉＮ
膜層２０２に対して高い選択比を示すガス、即ちＮ、Ｈ
を含むガス（例えば、ＮＨ３）、ＣＦ系ガス（例えば、
ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ
４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等）及びＯ２を混合した第１の混合ガ
ス、またはＮ２ガス、Ｈ２ガス及びＣＦ系ガス（例え
ば、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４
Ｆ ８、Ｃ５Ｆ８等）を混合した第２の混合ガスをエッチ
ングガスとして用い、図３の（ｃ）に示すようにＰＲ層
２１０及びＢＡＲＣ層２０９をアッシングすると共に、
ＳｉＬＫ膜層２０３に形成されたビアホール２１２を更
に掘り下げる。第１の混合ガスまたは第２の混合ガスを
用いることにより、従来のようにＳｉＮ膜層２０２のト
レンチ部内でレジスト残渣を発生させることなく、ＰＲ
層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を確実に除去することが
できると共に、ＳｉＬＫ膜層２０３に所望の形状のエッ
チングを行うことができる。
エッチング工程でＰＲ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を
除去する。この工程では、ＳｉＯ２膜層２０１、ＳｉＮ
膜層２０２に対して高い選択比を示すガス、即ちＮ、Ｈ
を含むガス（例えば、ＮＨ３）、ＣＦ系ガス（例えば、
ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ
４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等）及びＯ２を混合した第１の混合ガ
ス、またはＮ２ガス、Ｈ２ガス及びＣＦ系ガス（例え
ば、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４
Ｆ ８、Ｃ５Ｆ８等）を混合した第２の混合ガスをエッチ
ングガスとして用い、図３の（ｃ）に示すようにＰＲ層
２１０及びＢＡＲＣ層２０９をアッシングすると共に、
ＳｉＬＫ膜層２０３に形成されたビアホール２１２を更
に掘り下げる。第１の混合ガスまたは第２の混合ガスを
用いることにより、従来のようにＳｉＮ膜層２０２のト
レンチ部内でレジスト残渣を発生させることなく、ＰＲ
層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を確実に除去することが
できると共に、ＳｉＬＫ膜層２０３に所望の形状のエッ
チングを行うことができる。
【００３１】第１の混合ガスとしてＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／
Ｏ２を用いる場合には、混合ガス中、Ｏ２／ＮＨ３の流
量比が１０／１５００より大きく３００／１５００より
小さいことが好ましい。また、ＣＨ３Ｆ／ＮＨ３の流量
比が１／１５００〜１０／１５００の範囲がより更に好
ましい。Ｏ２／ＮＨ３の流量比が１０／１５００以下に
なるとエッチング残渣が発生する虞があり、３００／１
５００を超えるとボーイングを形成する虞がある。ま
た、第２の混合ガスとしてＮ２／Ｈ２／ＣＨ３Ｆを用い
る場合には、混合ガス中、ＣＨ３Ｆ／（Ｎ２＋Ｈ２）の
流量比が１／１８００〜１０／１８００の範囲が好まし
い。
Ｏ２を用いる場合には、混合ガス中、Ｏ２／ＮＨ３の流
量比が１０／１５００より大きく３００／１５００より
小さいことが好ましい。また、ＣＨ３Ｆ／ＮＨ３の流量
比が１／１５００〜１０／１５００の範囲がより更に好
ましい。Ｏ２／ＮＨ３の流量比が１０／１５００以下に
なるとエッチング残渣が発生する虞があり、３００／１
５００を超えるとボーイングを形成する虞がある。ま
た、第２の混合ガスとしてＮ２／Ｈ２／ＣＨ３Ｆを用い
る場合には、混合ガス中、ＣＨ３Ｆ／（Ｎ２＋Ｈ２）の
流量比が１／１８００〜１０／１８００の範囲が好まし
い。
【００３２】ＰＲ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を除去
した後、エッチングガスをＳｉＯ２膜層２０１に対して
高い選択比を示す混合ガス（例えば、ＣＨ２Ｆ２／Ａｒ
／Ｏ２またはＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２／Ａｒ／Ｏ２）に切り
換えて、ＳｉＯ２膜層２０１をハードマスクとしてＳｉ
Ｎ膜層２０２をエッチングしてトレンチパターン２１３
を形成すると共にＳｉＬＫ膜層２０３のビアホール２１
２を掘り下げ、図４の（ａ）に示すようにＳｉＯ２膜層
２０１及びＳｉＮ膜層２０２からなるトレンチ形成用の
ハードマスクを形成する。引き続き、ＳｉＯ２膜層２０
１及びＳｉＮ膜層２０２に対して高い選択比を示すエッ
チングガス（例えば、Ｎ２／Ｈ２）に切り換え、同図の
（ｂ）に示すようにＳｉＯ２膜層２０１及びＳｉＮ膜層
２０２をハードマスクとしてＳｉＬＫ膜層２０３をエッ
チングしてトレンチ２１３を更に掘り下げると共にビア
ホール２１２を下層のＳｉＮ膜層２０４に達するまで掘
り下げる。
した後、エッチングガスをＳｉＯ２膜層２０１に対して
高い選択比を示す混合ガス（例えば、ＣＨ２Ｆ２／Ａｒ
／Ｏ２またはＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２／Ａｒ／Ｏ２）に切り
換えて、ＳｉＯ２膜層２０１をハードマスクとしてＳｉ
Ｎ膜層２０２をエッチングしてトレンチパターン２１３
を形成すると共にＳｉＬＫ膜層２０３のビアホール２１
２を掘り下げ、図４の（ａ）に示すようにＳｉＯ２膜層
２０１及びＳｉＮ膜層２０２からなるトレンチ形成用の
ハードマスクを形成する。引き続き、ＳｉＯ２膜層２０
１及びＳｉＮ膜層２０２に対して高い選択比を示すエッ
チングガス（例えば、Ｎ２／Ｈ２）に切り換え、同図の
（ｂ）に示すようにＳｉＯ２膜層２０１及びＳｉＮ膜層
２０２をハードマスクとしてＳｉＬＫ膜層２０３をエッ
チングしてトレンチ２１３を更に掘り下げると共にビア
ホール２１２を下層のＳｉＮ膜層２０４に達するまで掘
り下げる。
【００３３】引き続き、図４の（ｃ）に示すように、ハ
ードマスク、ＳｉＬＫ膜層２０３及びＣｕ層２０５に対
して高い選択比を示す混合ガス（例えば、ＣＨ２Ｆ２／
Ａｒ／Ｏ２）を用い、Ｃｕ層２０５上のＳｉＮ膜層２０
４をエッチングしてビアホール２１２を貫通させる。こ
の際、ＳｉＬＫ膜層２０３のトレンチ２１３も更に深く
なる。
ードマスク、ＳｉＬＫ膜層２０３及びＣｕ層２０５に対
して高い選択比を示す混合ガス（例えば、ＣＨ２Ｆ２／
Ａｒ／Ｏ２）を用い、Ｃｕ層２０５上のＳｉＮ膜層２０
４をエッチングしてビアホール２１２を貫通させる。こ
の際、ＳｉＬＫ膜層２０３のトレンチ２１３も更に深く
なる。
【００３４】以上のエッチング処理工程を纏めて示した
ものが図５である。図５中の番号はエッチング工程の順
序を示している。この一連のエッチング工程においてＳ
ｉＬＫ膜層２０３に所望形状のデュアルダマシン構造の
ビアホール２１２及びトレンチ２１３を形成することが
できる。これらのビアホール２１２及びトレンチ２１３
に銅等の配線材料を埋め込むことにより配線工程を終了
する。
ものが図５である。図５中の番号はエッチング工程の順
序を示している。この一連のエッチング工程においてＳ
ｉＬＫ膜層２０３に所望形状のデュアルダマシン構造の
ビアホール２１２及びトレンチ２１３を形成することが
できる。これらのビアホール２１２及びトレンチ２１３
に銅等の配線材料を埋め込むことにより配線工程を終了
する。
【００３５】以上説明したように本実施形態によれば、
ビアホール形成用の有機膜層（ＰＲ層２１０、ＢＡＲＣ
層２０９）の下に形成されたハードマスク層（ＳｉＯ２
膜層２０１及びＳｉＮ膜層２０２）と、このハードマス
ク層の下に形成されたＳｉＬＫ膜層２０３を基にデュア
ルダマシン構造を形成する工程において、ＰＲ層２１０
とＢＡＲＣ層２０９からなる有機膜層及びＳｉＬＫ膜層
２０３のエッチングガスとして、Ｎ、Ｈを含むガス（例
えば、ＮＨ３）、ＣＦ系ガス（例えば、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ
２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等）
及びＯ２を混合した第１の混合ガス、またはＮ２ガス、
Ｈ２ガス及びＣＦ系ガス（例えば、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ
２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等）を混
合した第２の混合ガスを用いるようにしたため、ＳｉＮ
膜層２０２のトレンチ部にレジスト残渣を発生させるこ
となく、ＰＲ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を確実に除
去し、同時にＳｉＬＫ膜層２０３に所望形状のビアホー
ル２１２のエッチングを行うことができる。このため、
その後のＳｉＮ膜層２０２のトレンチ部のエッチングに
おいてレジスト残渣によるＳｉＮ膜層２０２エッチング
の形状不良やその後のＳｉＬＫ膜層２０３のエッチング
時の残渣を抑制することができる。
ビアホール形成用の有機膜層（ＰＲ層２１０、ＢＡＲＣ
層２０９）の下に形成されたハードマスク層（ＳｉＯ２
膜層２０１及びＳｉＮ膜層２０２）と、このハードマス
ク層の下に形成されたＳｉＬＫ膜層２０３を基にデュア
ルダマシン構造を形成する工程において、ＰＲ層２１０
とＢＡＲＣ層２０９からなる有機膜層及びＳｉＬＫ膜層
２０３のエッチングガスとして、Ｎ、Ｈを含むガス（例
えば、ＮＨ３）、ＣＦ系ガス（例えば、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ
２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等）
及びＯ２を混合した第１の混合ガス、またはＮ２ガス、
Ｈ２ガス及びＣＦ系ガス（例えば、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ
２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等）を混
合した第２の混合ガスを用いるようにしたため、ＳｉＮ
膜層２０２のトレンチ部にレジスト残渣を発生させるこ
となく、ＰＲ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９を確実に除
去し、同時にＳｉＬＫ膜層２０３に所望形状のビアホー
ル２１２のエッチングを行うことができる。このため、
その後のＳｉＮ膜層２０２のトレンチ部のエッチングに
おいてレジスト残渣によるＳｉＮ膜層２０２エッチング
の形状不良やその後のＳｉＬＫ膜層２０３のエッチング
時の残渣を抑制することができる。
【００３６】また、上記有機膜層は、ＰＲ層２１０と、
このＰＲ層２１０の下面に形成されたＢＡＲＣ層２０９
とを含んでいるため、フォトリソグラフィ工程において
ビアホール形成用のパターン２１１を高精度に形成する
ことができる。また、ハードマスク層はＳｉＮ膜層２０
２を含んでいるため、ＳｉＯ２膜層２０１に対して高い
選択比を有するエッチングガスを用いてＳｉＮ膜層２０
２をエッチングしてトレンチ２１３を高精度に形成する
ことができる。第１の混合ガスとしてＮＨ３／ＣＨ３Ｆ
／Ｏ２を用い、Ｏ２／ＮＨ３を１０／１５００より大き
く３００／１５００より小さく設定することにより、Ｐ
Ｒ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９をより確実に除去する
ことができる。
このＰＲ層２１０の下面に形成されたＢＡＲＣ層２０９
とを含んでいるため、フォトリソグラフィ工程において
ビアホール形成用のパターン２１１を高精度に形成する
ことができる。また、ハードマスク層はＳｉＮ膜層２０
２を含んでいるため、ＳｉＯ２膜層２０１に対して高い
選択比を有するエッチングガスを用いてＳｉＮ膜層２０
２をエッチングしてトレンチ２１３を高精度に形成する
ことができる。第１の混合ガスとしてＮＨ３／ＣＨ３Ｆ
／Ｏ２を用い、Ｏ２／ＮＨ３を１０／１５００より大き
く３００／１５００より小さく設定することにより、Ｐ
Ｒ層２１０及びＢＡＲＣ層２０９をより確実に除去する
ことができる。
【００３７】次に、図３の（ｂ）、（ｃ）に示す工程の
実施例を具体的に示す。 実施例１ 本実施例では３００ｍｍウエハ対応のプラズマ処理装置
を用いると共に、エッチングガスとして第１の混合ガス
（ＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２）を用いて下記のプロセス条
件に設定し、２６秒間処理してＰＲ層２１０をアッシン
グすると共にＳｉＬＫ膜層２０３をエッチングしてビア
ホール２１２の一部を形成した。この結果、トレンチ部
のＳｉＮ膜層２０２上にはレジスト残渣が認められなか
った。また、ＳｉＬＫ膜層及びＰＲ層のエッチング速度
がそれぞれ６８３０オングストローム／分及び８６０５
オングストローム／分であり、ＰＲ層２１０のエッチン
グの面内均一性は±５．２％であり、エッチング速度が
高く、しかもＰＲ層２１０のエッチングの面内均一性に
優れていることが判った。 ［プロセス条件］ １．チャンバー内圧力：４００ｍTorr ２．第１の高周波電源：２ＭＨｚ、３０００Ｗ ３．第２の高周波電源：６０ＭＨｚ、３０００Ｗ ４．上下両電極間の隙間寸法：５０ｍｍ ５．Ｂ／Ｔ／Ｗの温度：０℃／６０℃／６０℃ 但し、Ｂは下部電極の温度、Ｔは上部電極の温度、Ｗは
チャンバー壁面の温度を示す。 ６．バックサイドガスの圧力（中央部／周縁部）：１０
／３５Torr ７．エッチングガス：ＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２＝１５０
０／３／２０ｓｃｃｍ
実施例を具体的に示す。 実施例１ 本実施例では３００ｍｍウエハ対応のプラズマ処理装置
を用いると共に、エッチングガスとして第１の混合ガス
（ＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２）を用いて下記のプロセス条
件に設定し、２６秒間処理してＰＲ層２１０をアッシン
グすると共にＳｉＬＫ膜層２０３をエッチングしてビア
ホール２１２の一部を形成した。この結果、トレンチ部
のＳｉＮ膜層２０２上にはレジスト残渣が認められなか
った。また、ＳｉＬＫ膜層及びＰＲ層のエッチング速度
がそれぞれ６８３０オングストローム／分及び８６０５
オングストローム／分であり、ＰＲ層２１０のエッチン
グの面内均一性は±５．２％であり、エッチング速度が
高く、しかもＰＲ層２１０のエッチングの面内均一性に
優れていることが判った。 ［プロセス条件］ １．チャンバー内圧力：４００ｍTorr ２．第１の高周波電源：２ＭＨｚ、３０００Ｗ ３．第２の高周波電源：６０ＭＨｚ、３０００Ｗ ４．上下両電極間の隙間寸法：５０ｍｍ ５．Ｂ／Ｔ／Ｗの温度：０℃／６０℃／６０℃ 但し、Ｂは下部電極の温度、Ｔは上部電極の温度、Ｗは
チャンバー壁面の温度を示す。 ６．バックサイドガスの圧力（中央部／周縁部）：１０
／３５Torr ７．エッチングガス：ＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２＝１５０
０／３／２０ｓｃｃｍ
【００３８】実施例２
本実施例では３００ｍｍウエハ対応のプラズマ処理装置
を用いると共に、エッチングガスとして第２の混合ガス
（Ｎ２／Ｈ２／ＣＨ３Ｆ）を用い、その流量をＮ ２／Ｈ
２／ＣＨ３Ｆ＝１５００／３００／３ｓｃｃｍに設定す
ると共にチャンバー内の圧力を３００〜４００ｍTorrに
設定した以外は、実施例１と同一のプロセス条件でＰＲ
層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を４２秒間エッチング
した。この結果、トレンチ部のＳｉＮ膜層２０２上には
レジスト残渣が認められなかった。また、ＳｉＬＫ膜層
及びＰＲ層のエッチング速度はそれぞれ３１７１オング
ストローム／分及び３２６５オングストローム／分であ
り、ＰＲ層２１０のエッチングの面内均一性は±２７．
２％であった。
を用いると共に、エッチングガスとして第２の混合ガス
（Ｎ２／Ｈ２／ＣＨ３Ｆ）を用い、その流量をＮ ２／Ｈ
２／ＣＨ３Ｆ＝１５００／３００／３ｓｃｃｍに設定す
ると共にチャンバー内の圧力を３００〜４００ｍTorrに
設定した以外は、実施例１と同一のプロセス条件でＰＲ
層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を４２秒間エッチング
した。この結果、トレンチ部のＳｉＮ膜層２０２上には
レジスト残渣が認められなかった。また、ＳｉＬＫ膜層
及びＰＲ層のエッチング速度はそれぞれ３１７１オング
ストローム／分及び３２６５オングストローム／分であ
り、ＰＲ層２１０のエッチングの面内均一性は±２７．
２％であった。
【００３９】比較例１
本比較例ではエッチングガスとして実施例１の場合より
もＯ２の流量を減らした第１の混合ガスを用い、各ガス
の流量をＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２＝１５００／３／１０
ｓｃｃｍに設定した以外は、実施例１と同一のプロセス
条件でＰＲ層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を２３秒間
エッチングした。この結果、トレンチ部のＳｉＮ膜層２
０２上にはレジスト残渣が認められた。ＳｉＬＫ膜層２
０３及びＰＲ層３１０のエッチング速度がそれぞれ６８
８７オングストローム／分及び８３３１オングストロー
ム／分であり、ＰＲ層２１０のエッチングの面内均一性
は±６．６％であった。
もＯ２の流量を減らした第１の混合ガスを用い、各ガス
の流量をＮＨ３／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２＝１５００／３／１０
ｓｃｃｍに設定した以外は、実施例１と同一のプロセス
条件でＰＲ層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を２３秒間
エッチングした。この結果、トレンチ部のＳｉＮ膜層２
０２上にはレジスト残渣が認められた。ＳｉＬＫ膜層２
０３及びＰＲ層３１０のエッチング速度がそれぞれ６８
８７オングストローム／分及び８３３１オングストロー
ム／分であり、ＰＲ層２１０のエッチングの面内均一性
は±６．６％であった。
【００４０】比較例２
本比較例ではエッチングガスとして実施例１の混合ガス
のＯ２を除いたＮＨ３及びＣＨ３Ｆの混合ガスを用い、
各ガスの流量をＮＨ３／ＣＨ３Ｆ＝１５００／３ｓｃｃ
ｍに設定した以外は、実施例１と同一のプロセス条件で
ＰＲ層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を２７秒間エッチ
ングした。この結果、トレンチにはレジスト残渣が認め
られた。また、ＳｉＬＫ膜層２０３及びＰＲ層２１０の
エッチング速度がそれぞれ６９７５オングストローム／
分及び８１１１オングストローム／分であり、ＰＲ層の
エッチングの面内均一性は±１２．６％であった。
のＯ２を除いたＮＨ３及びＣＨ３Ｆの混合ガスを用い、
各ガスの流量をＮＨ３／ＣＨ３Ｆ＝１５００／３ｓｃｃ
ｍに設定した以外は、実施例１と同一のプロセス条件で
ＰＲ層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を２７秒間エッチ
ングした。この結果、トレンチにはレジスト残渣が認め
られた。また、ＳｉＬＫ膜層２０３及びＰＲ層２１０の
エッチング速度がそれぞれ６９７５オングストローム／
分及び８１１１オングストローム／分であり、ＰＲ層の
エッチングの面内均一性は±１２．６％であった。
【００４１】比較例３
本比較例では２００ｍｍウエハ対応のプラズマ処理装置
を用いると共にエッチングガスとして従来の混合ガス
（Ｎ２、Ｈ２の混合ガス）を用い、下記のプロセス条件
に設定し、ＰＲ層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を４５
秒間エッチングした。この結果、トレンチ部のＳｉＮ膜
層２０２上にはレジスト残渣が認められた。また、Ｓｉ
ＬＫ膜層及びＰＲ層のエッチング速度がそれぞれ２２０
０オングストローム／分及び３７００オングストローム
／分で、実施例１と比較してエッチング速度が極めて低
いことが判った。尚、ＰＲ層２１０のエッチングの面内
均一性は１０％であった。 ［プロセス条件］ １．チャンバー内圧力：１００ｍTorr ２．第１の高周波電源：２ＭＨｚ、８００Ｗ ３．第２の高周波電源：６０ＭＨｚ、１５００Ｗ ４．下部電極と上部電極間の寸法：４５ｍｍ ５．Ｂ／Ｔ／Ｗの温度：０℃／３０℃／５０℃ ６．バックサイドガスの圧力（中央部／周縁部）：１０
／３５Torr ７．エッチングガス：Ｎ２／Ｈ２＝３００／３００ｓｃ
ｃｍ
を用いると共にエッチングガスとして従来の混合ガス
（Ｎ２、Ｈ２の混合ガス）を用い、下記のプロセス条件
に設定し、ＰＲ層２１０及びＳｉＬＫ膜層２０３を４５
秒間エッチングした。この結果、トレンチ部のＳｉＮ膜
層２０２上にはレジスト残渣が認められた。また、Ｓｉ
ＬＫ膜層及びＰＲ層のエッチング速度がそれぞれ２２０
０オングストローム／分及び３７００オングストローム
／分で、実施例１と比較してエッチング速度が極めて低
いことが判った。尚、ＰＲ層２１０のエッチングの面内
均一性は１０％であった。 ［プロセス条件］ １．チャンバー内圧力：１００ｍTorr ２．第１の高周波電源：２ＭＨｚ、８００Ｗ ３．第２の高周波電源：６０ＭＨｚ、１５００Ｗ ４．下部電極と上部電極間の寸法：４５ｍｍ ５．Ｂ／Ｔ／Ｗの温度：０℃／３０℃／５０℃ ６．バックサイドガスの圧力（中央部／周縁部）：１０
／３５Torr ７．エッチングガス：Ｎ２／Ｈ２＝３００／３００ｓｃ
ｃｍ
【００４２】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではない。本実施例ではビアホール２１２を形成
する工程に本発明を適用した場合について説明したが、
ハードマスク層の上に形成された配線パターン形成用の
有機膜層と、有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を同時にエッチングし
て配線形成用の有機膜層を完全に除去する工程であれば
本発明を適用することができ、トレンチ構造を形成する
場合にも本発明を適用することができる。また、例え
ば、デュアルダマシン構造の各膜層の材料は必要に応じ
て適宜変更することができる。反射防止膜層はＰＲ層上
に形成したものであっても良い。
るものではない。本実施例ではビアホール２１２を形成
する工程に本発明を適用した場合について説明したが、
ハードマスク層の上に形成された配線パターン形成用の
有機膜層と、有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を同時にエッチングし
て配線形成用の有機膜層を完全に除去する工程であれば
本発明を適用することができ、トレンチ構造を形成する
場合にも本発明を適用することができる。また、例え
ば、デュアルダマシン構造の各膜層の材料は必要に応じ
て適宜変更することができる。反射防止膜層はＰＲ層上
に形成したものであっても良い。
【００４３】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項１３に記載の
発明によれば、配線形成工程においてレジスト膜層や有
機層間絶縁膜層等の有機膜層をエッチングする際に、レ
ジスト残渣を残さず、有機層間絶縁膜層を所望の形状に
エッチングすることができるエッチング方法を提供する
ことができる。
発明によれば、配線形成工程においてレジスト膜層や有
機層間絶縁膜層等の有機膜層をエッチングする際に、レ
ジスト残渣を残さず、有機層間絶縁膜層を所望の形状に
エッチングすることができるエッチング方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明のエッチング方法に用いられるプラズマ
処理装置の一例を示す断面図である。
処理装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置を用いてトレンチ
用のハードマスクを形成する工程を示す工程図である。
用のハードマスクを形成する工程を示す工程図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置を用いてビアホー
ル用のハードマスクを形成する工程を示す工程図であ
る。
ル用のハードマスクを形成する工程を示す工程図であ
る。
【図４】図１に示すプラズマ処理装置を用いてビアホー
ル及びトレンチを形成する工程を示す工程図である。
ル及びトレンチを形成する工程を示す工程図である。
【図５】図２〜図４に示す工程を纏めて示す工程図であ
る。
る。
【図６】従来のエッチング方法によりビアホール用のハ
ードマスクを形成する工程を示す工程図である。
ードマスクを形成する工程を示す工程図である。
２０１ ＳｉＯ２膜層（ハードマスク層）
２０２ ＳｉＮ膜層（ハードマスク層）
２０３ ＳｉＬＫ膜層（有機Ｌｏｗ−ｋ膜層、有機膜
層） ２０９ ＢＡＲＣ層（有機膜層） ２１０ ＰＲ層（有機膜層） ２１２ ビアホール
層） ２０９ ＢＡＲＣ層（有機膜層） ２１０ ＰＲ層（有機膜層） ２１２ ビアホール
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA24 KA00
4M104 AA01 BB04 CC01 DD07 DD08
DD15 DD16 DD17 DD18 DD20
DD65 DD75 EE08 EE12 EE14
EE16 EE17 EE18 HH20
5F004 AA09 BA09 BB11 BB22 BB28
BD01 CA01 DA00 DA15 DA16
DA24 DA25 DA26 DA30 DB03
DB07 DB23 EA06 EA07 EA22
EA28
5F033 HH11 JJ01 JJ11 KK11 MM02
QQ03 QQ04 QQ08 QQ09 QQ10
QQ11 QQ12 QQ15 QQ21 QQ25
QQ28 QQ37 QQ48 RR01 RR03
RR04 RR06 RR08 RR09 RR21
RR22 TT04 WW06 WW10 XX21
5F046 MA12 MA13
Claims (13)
- 【請求項１】 有機膜層をエッチングする方法におい
て、エッチングガスとして、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス及びＣ
Ｆ系ガスの混合ガスを用いることを特徴とするエッチン
グ方法。 - 【請求項２】 有機膜層をエッチングする方法におい
て、エッチングガスとして、Ｎ、Ｈを含むガス、ＣＦ系
ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いることを特徴とする
エッチング方法。 - 【請求項３】 配線パターン形成用の有機膜層と、この
有機膜層の下に形成されたハードマスク層と、このハー
ドマスク層の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基に
ビアホール構造を形成する工程で上記有機膜層及び上記
有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッ
チングすることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 配線パターン形成用の有機膜層と、この
有機膜層の下に形成されたハードマスク層と、このハー
ドマスク層の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基に
トレンチ構造を形成する工程で上記有機膜層及び上記有
機Ｌｏｗ−ｋ膜層を上記エッチングガスを用いてエッチ
ングすることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のエッチング方法。 - 【請求項５】 配線パターン形成用の有機膜層と、この
有機膜層の下に形成されたハードマスク層と、このハー
ドマスク層の下に形成された有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を基に
デュアルダマシン構造を形成する工程で上記有機膜層及
び上記有機Ｌｏｗ−ｋ膜層を上記エッチングガスを用い
てエッチングすることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載のエッチング方法。 - 【請求項６】 上記有機膜層は、レジスト膜層及び反射
防止膜層を含むことを特徴とする請求項１〜請求項５の
いずれか１項に記載のエッチング方法。 - 【請求項７】 上記ハードマスク層はシリコン窒化膜層
を含むことを特徴とする請求項３〜請求項６のいずれか
１項に記載のエッチング方法。 - 【請求項８】 上記ＣＦ系ガスとしてＣＨ３Ｆガスを用
いることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１
項に記載のエッチング方法。 - 【請求項９】 上記Ｎ、Ｈを含むガスとしてＮＨ３ガス
を用いることを特徴とする請求項２〜請求項８のいずれ
か１項に記載のエッチング方法。 - 【請求項１０】 上記エッチングガスとしてＮＨ３／Ｃ
Ｈ３Ｆ／Ｏ２の混合ガスを用い、Ｏ２／ＮＨ３の流量比
が１０／１５００より大きく３００／１５００より小さ
いことを特徴とする請求項２〜請求項９のいずれか１項
に記載のエッチング方法。 - 【請求項１１】 上記有機膜層を残渣無く除去すること
を特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記
載のエッチング方法。 - 【請求項１２】 上記有機Ｌｏｗ−ｋ膜層内にビアホー
ルを形成することを特徴とする請求項３〜請求項１１の
いずれか１項に記載のエッチング方法。 - 【請求項１３】 上記ビアホールの一部を残すことを特
徴とする請求項１２に記載のエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097931A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| EP1609175A1 (en) * | 2003-03-31 | 2005-12-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for multilayer photoresist dry development |
| JP2006156768A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Anritsu Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2006303144A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置及び試料の真空処理方法 |
| JP2007516622A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-21 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける選択性の制御方法 |
| JP2008147668A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Applied Materials Inc | デュアルダマシン用途における下面反射防止コーティング層の２ステップエッチング |
| JP2010041051A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 金属ゲート構造への多層／多入力／多出力（ｍｌｍｉｍｏ）モデルの使用方法 |
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| JP4825911B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2011-11-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 介在チャンバでの脱フッ素化及びウェハ脱フッ素化ステップによるプラズマエッチング及びフォトレジストストリッププロセス |
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| JP2012531053A (ja) * | 2009-08-25 | 2012-12-06 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | フォトレジストおよびエッチング残留物をビアから除去する方法 |
| JP2013513948A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド | ｌｏｗ−ｋ誘電体について損傷を低く抑えつつフォトレジストをストリッピングする方法 |
| JP2014131086A (ja) * | 2014-04-10 | 2014-07-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| JP2016192483A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US9514954B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
| US9564344B2 (en) | 2009-12-11 | 2017-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Ultra low silicon loss high dose implant strip |
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Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7547635B2 (en) * | 2002-06-14 | 2009-06-16 | Lam Research Corporation | Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics |
| US20040171260A1 (en) * | 2002-06-14 | 2004-09-02 | Lam Research Corporation | Line edge roughness control |
| US7344991B2 (en) | 2002-12-23 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for multilayer photoresist dry development |
| US7153778B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming openings, and methods of forming container capacitors |
| US8635971B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-01-28 | Lam Research Corporation | Tunable uniformity in a plasma processing system |
| US7563719B2 (en) * | 2007-03-15 | 2009-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual damascene process |
| US8110342B2 (en) * | 2008-08-18 | 2012-02-07 | United Microelectronics Corp. | Method for forming an opening |
| US8323877B2 (en) * | 2010-11-16 | 2012-12-04 | United Microelectronics Corp. | Patterning method and method for fabricating dual damascene opening |
| TWI489550B (zh) * | 2010-11-30 | 2015-06-21 | United Microelectronics Corp | 圖案化方法以及雙重金屬鑲嵌開口的製造方法 |
| JP6177601B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び基板処理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000036484A (ja) * | 1998-05-11 | 2000-02-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2000150644A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2000269185A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-29 | Fr Telecom | プラズマガスによる有機誘電ポリマー材料の異方性エッチング方法 |
| JP2001118825A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| JP2001196455A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Lucent Technol Inc | 半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683002B1 (en) * | 2000-08-10 | 2004-01-27 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to create a copper diffusion deterrent interface |
| US6632707B1 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming an interconnect structure using a CVD organic BARC to mitigate via poisoning |
| US6841483B2 (en) * | 2001-02-12 | 2005-01-11 | Lam Research Corporation | Unique process chemistry for etching organic low-k materials |
| US6617257B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-09-09 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching organic antireflective coating |
| US6605545B2 (en) * | 2001-06-01 | 2003-08-12 | United Microelectronics Corp. | Method for forming hybrid low-K film stack to avoid thermal stress effect |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000036484A (ja) * | 1998-05-11 | 2000-02-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2000150644A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2000269185A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-29 | Fr Telecom | プラズマガスによる有機誘電ポリマー材料の異方性エッチング方法 |
| JP2001118825A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| JP2001196455A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Lucent Technol Inc | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1609175A1 (en) * | 2003-03-31 | 2005-12-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for multilayer photoresist dry development |
| US8048325B2 (en) | 2003-03-31 | 2011-11-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for multilayer photoresist dry development |
| JP2006522480A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層フォトレジストのドライ現像のための方法及び装置 |
| WO2004097931A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| CN1327508C (zh) * | 2003-04-28 | 2007-07-18 | 富士通株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| US7183200B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-02-27 | Fujitsu Limited | Method for fabricating a semiconductor device |
| JP2007516622A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-21 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおける選択性の制御方法 |
| KR101116588B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2012-03-15 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템에서의 선택도 제어 |
| US8222155B2 (en) | 2004-06-29 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Selectivity control in a plasma processing system |
| JP2006156768A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Anritsu Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US9941108B2 (en) | 2004-12-13 | 2018-04-10 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
| JP4694249B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2011-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び試料の真空処理方法 |
| JP2006303144A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置及び試料の真空処理方法 |
| US7947189B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method of sample |
| JP4825911B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2011-11-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 介在チャンバでの脱フッ素化及びウェハ脱フッ素化ステップによるプラズマエッチング及びフォトレジストストリッププロセス |
| JP2008147668A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Applied Materials Inc | デュアルダマシン用途における下面反射防止コーティング層の２ステップエッチング |
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| JP2012531053A (ja) * | 2009-08-25 | 2012-12-06 | シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド | フォトレジストおよびエッチング残留物をビアから除去する方法 |
| JP2013513948A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド | ｌｏｗ−ｋ誘電体について損傷を低く抑えつつフォトレジストをストリッピングする方法 |
| US9564344B2 (en) | 2009-12-11 | 2017-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Ultra low silicon loss high dose implant strip |
| US9613825B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
| JP2014131086A (ja) * | 2014-04-10 | 2014-07-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| US9514954B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
| JP2016192483A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
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