JP2001118825A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JP2001118825A JP2001118825A JP29638499A JP29638499A JP2001118825A JP 2001118825 A JP2001118825 A JP 2001118825A JP 29638499 A JP29638499 A JP 29638499A JP 29638499 A JP29638499 A JP 29638499A JP 2001118825 A JP2001118825 A JP 2001118825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- etched
- gas
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング面に形成される残渣を除去し，エ
ッチング形状を改善することの可能なエッチング方法を
提供する。 【解決手段】 エッチング対象膜は，上層のＦＬＡＲＥ
２１０及び下層のＳｉＯ ２膜（あるいはＳｉＮ膜）２２
０からなり，処理ガスは，エッチング対象膜のジャスト
エッチング時には少なくともＮ２とＨ２とＣＦ４とを含
み，オーバーエッチング時には少なくともＮ２とＨ２と
を含み，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパターンをエッチ
ングマスク２３０としてエッチングを行う。ＣＦ４の流
量は，処理ガスの流量の実質的に０．２〜０．４％であ
る。ＣＦ４の流量が０．２％以上であると，エッチング
対象膜に含有されるＳｉに起因する残渣をエッチング時
に十分に除去できる。また，０．４％以下であると，エ
ッチングマスクの肩部がエッチングされにくくなる。
ッチング形状を改善することの可能なエッチング方法を
提供する。 【解決手段】 エッチング対象膜は，上層のＦＬＡＲＥ
２１０及び下層のＳｉＯ ２膜（あるいはＳｉＮ膜）２２
０からなり，処理ガスは，エッチング対象膜のジャスト
エッチング時には少なくともＮ２とＨ２とＣＦ４とを含
み，オーバーエッチング時には少なくともＮ２とＨ２と
を含み，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパターンをエッチ
ングマスク２３０としてエッチングを行う。ＣＦ４の流
量は，処理ガスの流量の実質的に０．２〜０．４％であ
る。ＣＦ４の流量が０．２％以上であると，エッチング
対象膜に含有されるＳｉに起因する残渣をエッチング時
に十分に除去できる。また，０．４％以下であると，エ
ッチングマスクの肩部がエッチングされにくくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，エッチング方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，半導体素子の配線にはＡｌ合金が
用いられていたが，近年では，ダマシン・プロセスと称
されるＣｕ配線の形成が行われている。ダマシン・プロ
セスとは，Ｓｉ（シリコン）基板上の層間絶縁膜（エッ
チング対象膜）にトレンチ，ビアを形成し，このトレン
チ，ビアにＣｕめっきを埋め込む方法である。Ａｌ合金
からＣｕへの配線材料の変更によって，比抵抗が約半分
になり，高速化しやすくなる。化学的機械研磨（ＣＭ
Ｐ）による平坦化が可能になっている現在，ダマシン・
プロセスは実用化しやすくなった。
用いられていたが，近年では，ダマシン・プロセスと称
されるＣｕ配線の形成が行われている。ダマシン・プロ
セスとは，Ｓｉ（シリコン）基板上の層間絶縁膜（エッ
チング対象膜）にトレンチ，ビアを形成し，このトレン
チ，ビアにＣｕめっきを埋め込む方法である。Ａｌ合金
からＣｕへの配線材料の変更によって，比抵抗が約半分
になり，高速化しやすくなる。化学的機械研磨（ＣＭ
Ｐ）による平坦化が可能になっている現在，ダマシン・
プロセスは実用化しやすくなった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，上述の層間
絶縁膜にトレンチ，ビアを形成する工程は，Ｎ２とＨ２
とからなる処理ガスを用いたエッチング処理により行わ
れるが，層間絶縁膜としてＳｉを含有する有機膜が用い
られる場合，エッチング面にＳｉを核とした残留物（残
渣）が形成されてしまう。この残渣は，後工程であるＣ
ｕめっきを埋め込みの障害となるため除去することが好
ましいが，上記Ｎ２とＨ２とを含む処理ガスでは，この
残渣を除去することができないという問題点があった。
絶縁膜にトレンチ，ビアを形成する工程は，Ｎ２とＨ２
とからなる処理ガスを用いたエッチング処理により行わ
れるが，層間絶縁膜としてＳｉを含有する有機膜が用い
られる場合，エッチング面にＳｉを核とした残留物（残
渣）が形成されてしまう。この残渣は，後工程であるＣ
ｕめっきを埋め込みの障害となるため除去することが好
ましいが，上記Ｎ２とＨ２とを含む処理ガスでは，この
残渣を除去することができないという問題点があった。
【０００４】本発明は，従来のエッチング方法が有する
上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，エッチング面に形成される残渣を除去し，エッチン
グ形状を改善することの可能な，新規かつ改良されたエ
ッチング方法を提供することである。
上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，エッチング面に形成される残渣を除去し，エッチン
グ形状を改善することの可能な，新規かつ改良されたエ
ッチング方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載のよ
うに，気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に
配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対す
るエッチング方法において，処理ガスは少なくともＮ２
とＨ２とフッ素含有ガスとを含み，エッチング対象膜
は，Ｓｉを含有する有機膜であり，ＳｉＯ２膜またはＳ
ｉＮ膜のパターンをエッチングマスクとしてエッチング
を行うことを特徴とするエッチング方法が提供される。
め，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載のよ
うに，気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に
配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対す
るエッチング方法において，処理ガスは少なくともＮ２
とＨ２とフッ素含有ガスとを含み，エッチング対象膜
は，Ｓｉを含有する有機膜であり，ＳｉＯ２膜またはＳ
ｉＮ膜のパターンをエッチングマスクとしてエッチング
を行うことを特徴とするエッチング方法が提供される。
【０００６】かかるエッチング方法によれば，処理ガス
にフッ素含有ガスを添加したので，エッチング対象膜に
含有されるＳｉに起因する残渣をエッチング時に除去す
ることができる。このため，エッチング形状の改善に優
れた効果を奏する。
にフッ素含有ガスを添加したので，エッチング対象膜に
含有されるＳｉに起因する残渣をエッチング時に除去す
ることができる。このため，エッチング形状の改善に優
れた効果を奏する。
【０００７】さらに，請求項２に記載のように，フッ素
含有ガスはＣＦ４であり，ＣＦ４の流量は，処理ガスの
流量の実質的に０．２〜０．４％であることが好まし
い。
含有ガスはＣＦ４であり，ＣＦ４の流量は，処理ガスの
流量の実質的に０．２〜０．４％であることが好まし
い。
【０００８】ＣＦ４の流量が処理ガスの流量の実質的に
０．２％以上であると，エッチング対象膜に含有される
Ｓｉに起因する残渣をエッチング時に十分に除去でき
る。また，ＣＦ４の流量が処理ガスの流量の０．４％以
下であると，ＳｉＯ２膜のパターンまたはＳｉＮ膜のパ
ターンからなるエッチングマスクの肩部がエッチングさ
れにくくなるため，エッチングにより形成される溝の開
口部が広がらず，エッチング形状の改善に優れた効果を
奏する。
０．２％以上であると，エッチング対象膜に含有される
Ｓｉに起因する残渣をエッチング時に十分に除去でき
る。また，ＣＦ４の流量が処理ガスの流量の０．４％以
下であると，ＳｉＯ２膜のパターンまたはＳｉＮ膜のパ
ターンからなるエッチングマスクの肩部がエッチングさ
れにくくなるため，エッチングにより形成される溝の開
口部が広がらず，エッチング形状の改善に優れた効果を
奏する。
【０００９】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項３に記載にように，気密な処理室内に処理ガスを導入
し，前記処理室内に配置された基板上に形成されたエッ
チング対象膜に対するエッチング方法において，前記エ
ッチング対象膜は，上層のＳｉを含有する有機膜及び下
層のＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜からなり，前記処理ガス
は，前記エッチング対象膜の所定深さまでは少なくとも
Ｎ２とＨ２とフッ素含有ガスとを含み，前記エッチング
対象膜の前記所定深さ以降のエッチング時には少なくと
もＮ２とＨ２とを含み，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパ
ターンをエッチングマスクとしてエッチングを行うこと
を特徴とするエッチング方法が提供される。
項３に記載にように，気密な処理室内に処理ガスを導入
し，前記処理室内に配置された基板上に形成されたエッ
チング対象膜に対するエッチング方法において，前記エ
ッチング対象膜は，上層のＳｉを含有する有機膜及び下
層のＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜からなり，前記処理ガス
は，前記エッチング対象膜の所定深さまでは少なくとも
Ｎ２とＨ２とフッ素含有ガスとを含み，前記エッチング
対象膜の前記所定深さ以降のエッチング時には少なくと
もＮ２とＨ２とを含み，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパ
ターンをエッチングマスクとしてエッチングを行うこと
を特徴とするエッチング方法が提供される。
【００１０】かかるエッチング方法によれば，エッチン
グ対象膜の所定深さまでのエッチング時（ジャストエッ
チング時）には，処理ガスにフッ素含有ガスを添加した
ので，エッチング対象膜に含有されるＳｉに起因する残
渣をエッチング時に除去することができる。このため，
エッチング形状の改善に優れた効果を奏する。ここで所
定深さとは，例えば，エッチング対象膜の上層と実質的
に同じ深さである。なお，請求項４に記載のように，フ
ッ素含有ガスはＣＦ４であり，ＣＦ４の流量が処理ガス
の流量の実質的に０．２〜０．４％であることが好まし
いということは上述の場合と同様である。
グ対象膜の所定深さまでのエッチング時（ジャストエッ
チング時）には，処理ガスにフッ素含有ガスを添加した
ので，エッチング対象膜に含有されるＳｉに起因する残
渣をエッチング時に除去することができる。このため，
エッチング形状の改善に優れた効果を奏する。ここで所
定深さとは，例えば，エッチング対象膜の上層と実質的
に同じ深さである。なお，請求項４に記載のように，フ
ッ素含有ガスはＣＦ４であり，ＣＦ４の流量が処理ガス
の流量の実質的に０．２〜０．４％であることが好まし
いということは上述の場合と同様である。
【００１１】また，基板上の配線を保護するため，保護
膜としてＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜を形成することがあ
る。本発明の上記構成によれば，エッチング対象膜の所
定深さ以降のエッチング時（オーバーエッチング時）に
は，フッ素含有ガスを添加しないようにしたので，エッ
チング対象膜の下層のＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜の除去
を抑えることが可能である。ここでオーバーエッチング
は，例えば，ジャストエッチング時の深さからさらにそ
の３０％〜３２％程度の深さまでエッチングを進行させ
るものとする。
膜としてＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜を形成することがあ
る。本発明の上記構成によれば，エッチング対象膜の所
定深さ以降のエッチング時（オーバーエッチング時）に
は，フッ素含有ガスを添加しないようにしたので，エッ
チング対象膜の下層のＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜の除去
を抑えることが可能である。ここでオーバーエッチング
は，例えば，ジャストエッチング時の深さからさらにそ
の３０％〜３２％程度の深さまでエッチングを進行させ
るものとする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるエッチング方法の好適な実施の形態につ
いて詳細に説明する。なお，本明細書及び図面におい
て，実質的に同一の機能構成を有する構成要素について
は，同一の符号を付することにより重複説明を省略す
る。
本発明にかかるエッチング方法の好適な実施の形態につ
いて詳細に説明する。なお，本明細書及び図面におい
て，実質的に同一の機能構成を有する構成要素について
は，同一の符号を付することにより重複説明を省略す
る。
【００１３】（１）エッチング装置の構成 まず，図１を参照しながら，本実施の形態のエッチング
方法が適用されるエッチング装置１００について説明す
る。同図に示すエッチング装置１００の保安接地された
処理容器１０２内には，処理室１０４が形成されてお
り，この処理室１０４内には，上下動自在なサセプタを
構成する下部電極１０６が配置されている。下部電極１
０６の上部には，高圧直流電源１０８に接続された静電
チャック１１０が設けられており，この静電チャック１
１０の上面に被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）Ｗが載置される。さらに，下部
電極１０６上に載置されたウェハＷの周囲には，絶縁性
のフォーカスリング１１２が配置されている。また，下
部電極１０６には，整合器１１８を介して高周波電源１
２０が接続されている。
方法が適用されるエッチング装置１００について説明す
る。同図に示すエッチング装置１００の保安接地された
処理容器１０２内には，処理室１０４が形成されてお
り，この処理室１０４内には，上下動自在なサセプタを
構成する下部電極１０６が配置されている。下部電極１
０６の上部には，高圧直流電源１０８に接続された静電
チャック１１０が設けられており，この静電チャック１
１０の上面に被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）Ｗが載置される。さらに，下部
電極１０６上に載置されたウェハＷの周囲には，絶縁性
のフォーカスリング１１２が配置されている。また，下
部電極１０６には，整合器１１８を介して高周波電源１
２０が接続されている。
【００１４】また，下部電極１０６の載置面と対向する
処理室１０４の天井部には，多数のガス吐出孔１２２ａ
を備えた上部電極１２２が配置されている。上部電極１
２２と処理容器１０２との間には絶縁体１２３が設けら
れている。また，上部電極１２２には，整合器１１９を
介してプラズマ生成高周波電力を出力する高周波電源１
２１が接続されている。また，ガス吐出孔１２２ａに
は，ガス供給管１２４が接続され，さらにそのガス供給
管１２４には，図示の例では第１〜第３分岐管１２６，
１２８，１３０が接続されている。
処理室１０４の天井部には，多数のガス吐出孔１２２ａ
を備えた上部電極１２２が配置されている。上部電極１
２２と処理容器１０２との間には絶縁体１２３が設けら
れている。また，上部電極１２２には，整合器１１９を
介してプラズマ生成高周波電力を出力する高周波電源１
２１が接続されている。また，ガス吐出孔１２２ａに
は，ガス供給管１２４が接続され，さらにそのガス供給
管１２４には，図示の例では第１〜第３分岐管１２６，
１２８，１３０が接続されている。
【００１５】第１分岐管１２６には，開閉バルブ１３２
と流量調整バルブ１３４を介して，Ｎ２を供給するガス
供給源１３６が接続されている。また，第２分岐管１２
８には，開閉バルブ１３８と流量調整バルブ１４０を介
して，Ｈ２を供給するガス供給源１４２が接続されてい
る。さらに，第３分岐管１３０には，開閉バルブ１４４
と流量調整バルブ１４６を介して，フッ素含有ガスの一
例たるＣＦ４を供給するガス供給源１４８が接続されて
いる。なお，処理室１０４内に励起されるプラズマを調
整することができるガス，例えば，Ａｒ，Ｈｅ，Ｋｒ等
の不活性ガスを処理ガスに添加することもできる。
と流量調整バルブ１３４を介して，Ｎ２を供給するガス
供給源１３６が接続されている。また，第２分岐管１２
８には，開閉バルブ１３８と流量調整バルブ１４０を介
して，Ｈ２を供給するガス供給源１４２が接続されてい
る。さらに，第３分岐管１３０には，開閉バルブ１４４
と流量調整バルブ１４６を介して，フッ素含有ガスの一
例たるＣＦ４を供給するガス供給源１４８が接続されて
いる。なお，処理室１０４内に励起されるプラズマを調
整することができるガス，例えば，Ａｒ，Ｈｅ，Ｋｒ等
の不活性ガスを処理ガスに添加することもできる。
【００１６】また，処理容器１０２の下方には，不図示
の真空引き機構と連通する排気管１５０が接続されてお
り，その真空引き機構の作動により，処理室１０４内を
所定の減圧雰囲気に維持することができる。
の真空引き機構と連通する排気管１５０が接続されてお
り，その真空引き機構の作動により，処理室１０４内を
所定の減圧雰囲気に維持することができる。
【００１７】（２）ウェハの構成 次に，本実施の形態にかかるエッチング方法によりエッ
チング処理を施すウェハＷの構成について説明する。本
実施の形態で使用するウェハＷは，Ｓｉ基板上にエッチ
ング対象膜たるＳｉを含有する有機膜が形成されてい
る。このエッチング対象膜は，比誘電率が従来のＳｉＯ
２よりも非常に小さい，例えばＦＬＡＲＥ（商品名）
や，ポリオルガノシロキサン架橋ビスベンゾシクロブテ
ン樹脂（ＢＣＢ）や，DowChemical社製のＳｉＬＫ（商
品名）等の有機系低誘電率材料から構成されている。ま
た，エッチング対象膜として，上層に上記有機系低誘電
率材料を有し，その下層に，Ｓｉ基板上の配線を保護す
るための保護膜としてＳｉＯ２膜あるいはＳｉＮ膜を有
する２層構造を採用することもできる。
チング処理を施すウェハＷの構成について説明する。本
実施の形態で使用するウェハＷは，Ｓｉ基板上にエッチ
ング対象膜たるＳｉを含有する有機膜が形成されてい
る。このエッチング対象膜は，比誘電率が従来のＳｉＯ
２よりも非常に小さい，例えばＦＬＡＲＥ（商品名）
や，ポリオルガノシロキサン架橋ビスベンゾシクロブテ
ン樹脂（ＢＣＢ）や，DowChemical社製のＳｉＬＫ（商
品名）等の有機系低誘電率材料から構成されている。ま
た，エッチング対象膜として，上層に上記有機系低誘電
率材料を有し，その下層に，Ｓｉ基板上の配線を保護す
るための保護膜としてＳｉＯ２膜あるいはＳｉＮ膜を有
する２層構造を採用することもできる。
【００１８】また，上述のエッチング対象膜上には，所
定のパターンを有するエッチングマスクが形成されてい
る。本実施の形態では，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパ
ターンをエッチングマスクとして採用する。
定のパターンを有するエッチングマスクが形成されてい
る。本実施の形態では，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパ
ターンをエッチングマスクとして採用する。
【００１９】次に，上述したエッチング装置１００を用
いて，本実施の形態にかかるエッチング方法によりウェ
ハＷにコンタクトホールを形成する場合のエッチング工
程について説明する。
いて，本実施の形態にかかるエッチング方法によりウェ
ハＷにコンタクトホールを形成する場合のエッチング工
程について説明する。
【００２０】まず，予め所定温度に調整された下部電極
１０６上にウェハＷを載置し，該ウェハＷの温度を処理
に応じて−２０℃〜５０℃程度に維持する。例えば，コ
ンタクトホールの底部を−２０℃程度，開口部を３０℃
程度，側壁部を５０℃程度に維持する。また，処理室１
０４内の圧力雰囲気を処理に応じた所定の圧力，例えば
１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）程度になるように，
処理室１０４内を真空引きする。
１０６上にウェハＷを載置し，該ウェハＷの温度を処理
に応じて−２０℃〜５０℃程度に維持する。例えば，コ
ンタクトホールの底部を−２０℃程度，開口部を３０℃
程度，側壁部を５０℃程度に維持する。また，処理室１
０４内の圧力雰囲気を処理に応じた所定の圧力，例えば
１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）程度になるように，
処理室１０４内を真空引きする。
【００２１】次いで，本実施の形態にかかる処理ガス，
すなわちＮ２とＨ２とＣＦ４とを混合した処理ガスを，
ガス供給管１２４に介挿された流量調整バルブ１３４，
１４０，１４６により上記各ガスの流量を調整しながら
処理室１０４内に導入する。この際，処理ガスのＣＦ４
の流量は，Ｎ２とＨ２とＣＦ４の総流量の実質的に０．
２〜０．４％となるようにガス流量を調整する。例え
ば，Ｎ２を４００ｓｃｃｍ程度，Ｈ２を４００ｓｃｃｍ
程度，ＣＦ４を２ｓｃｃｍ程度に調整することができ
る。あるいは，Ｎ２を４００ｓｃｃｍ程度，Ｈ２を４０
０ｓｃｃｍ程度，ＣＦ４を４ｓｃｃｍ程度に調整するこ
とができる。
すなわちＮ２とＨ２とＣＦ４とを混合した処理ガスを，
ガス供給管１２４に介挿された流量調整バルブ１３４，
１４０，１４６により上記各ガスの流量を調整しながら
処理室１０４内に導入する。この際，処理ガスのＣＦ４
の流量は，Ｎ２とＨ２とＣＦ４の総流量の実質的に０．
２〜０．４％となるようにガス流量を調整する。例え
ば，Ｎ２を４００ｓｃｃｍ程度，Ｈ２を４００ｓｃｃｍ
程度，ＣＦ４を２ｓｃｃｍ程度に調整することができ
る。あるいは，Ｎ２を４００ｓｃｃｍ程度，Ｈ２を４０
０ｓｃｃｍ程度，ＣＦ４を４ｓｃｃｍ程度に調整するこ
とができる。
【００２２】次いで，下部電極１０６に対して，例えば
周波数が１３．５６ＭＨｚで，電力が１０００Ｗ程度の
高周波電力を印加する。また，上部電極１２２に対し
て，例えば周波数が６０ＭＨｚ程度で，電力が２５００
Ｗ程度の高周波電力を印加する。これにより，処理室１
０２内に高密度プラズマが生成され，かかるプラズマに
よってウェハＷに形成されたエッチング対象膜に所定形
状のコンタクトホールが形成される。
周波数が１３．５６ＭＨｚで，電力が１０００Ｗ程度の
高周波電力を印加する。また，上部電極１２２に対し
て，例えば周波数が６０ＭＨｚ程度で，電力が２５００
Ｗ程度の高周波電力を印加する。これにより，処理室１
０２内に高密度プラズマが生成され，かかるプラズマに
よってウェハＷに形成されたエッチング対象膜に所定形
状のコンタクトホールが形成される。
【００２３】また，エッチング対象膜として，上層にＳ
ｉを含有する有機膜を有し，その下層のＳｉＯ２膜ある
いはＳｉＮ膜を有する２層構造を採用した場合には，上
層のエッチングが終了した時点（ジャストエッチング
時）で，ＣＦ４の導入を止めることもできる。すなわ
ち，それ以降のエッチング時（オーバーエッチング時）
には，Ｎ２とＨ２とからなる処理ガスによりエッチング
を進行させる。このオーバーエッチングは，例えば，ジ
ャストエッチングの深さからさらに３０％〜３２％程度
の深さまでエッチング処理を進行させるものとする。
ｉを含有する有機膜を有し，その下層のＳｉＯ２膜ある
いはＳｉＮ膜を有する２層構造を採用した場合には，上
層のエッチングが終了した時点（ジャストエッチング
時）で，ＣＦ４の導入を止めることもできる。すなわ
ち，それ以降のエッチング時（オーバーエッチング時）
には，Ｎ２とＨ２とからなる処理ガスによりエッチング
を進行させる。このオーバーエッチングは，例えば，ジ
ャストエッチングの深さからさらに３０％〜３２％程度
の深さまでエッチング処理を進行させるものとする。
【００２４】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，処理ガスにフッ素含有ガスの一例としてＣＦ４を
添加したので，エッチング対象膜に含有されるＳｉに起
因する残渣をエッチング時に除去することができる。こ
のため，エッチング形状の改善に優れた効果を奏する。
おり，処理ガスにフッ素含有ガスの一例としてＣＦ４を
添加したので，エッチング対象膜に含有されるＳｉに起
因する残渣をエッチング時に除去することができる。こ
のため，エッチング形状の改善に優れた効果を奏する。
【００２５】さらに，ＣＦ４の流量がＮ２とＨ２とＣＦ
４の総流量の実質的に０．２％以上であるため，エッチ
ング対象膜に含有されるＳｉに起因する残渣をエッチン
グ時に十分に除去できる。また，ＣＦ４の流量がＮ２と
Ｈ２とＣＦ４の総流量の実質的に０．４％以下である
と，ＳｉＯ２膜のパターンまたはＳｉＮ膜のパターンか
らなるエッチングマスクの肩部がエッチングされにくく
なるため，エッチングにより形成されるコンタクトホー
ルの開口部が広がらず，エッチング形状の改善に優れた
効果を奏する。
４の総流量の実質的に０．２％以上であるため，エッチ
ング対象膜に含有されるＳｉに起因する残渣をエッチン
グ時に十分に除去できる。また，ＣＦ４の流量がＮ２と
Ｈ２とＣＦ４の総流量の実質的に０．４％以下である
と，ＳｉＯ２膜のパターンまたはＳｉＮ膜のパターンか
らなるエッチングマスクの肩部がエッチングされにくく
なるため，エッチングにより形成されるコンタクトホー
ルの開口部が広がらず，エッチング形状の改善に優れた
効果を奏する。
【００２６】
【実施例】次に，図２〜図３を参照しながら本発明にか
かるエッチング方法の実施例について説明する。なお，
以下の実施例１，実施例２は，上記実施の形態で説明し
たエッチング装置１００を用いて処理を行い，また，エ
ッチングプロセス条件は，以下で特に示さない限り，上
述した実施の形態と略同一に設定されている。また，本
実施例では，ウェハＷのエッチング対象膜として，上層
にＳｉを含有する有機膜であるＦＬＡＲＥ２１０を有
し，その下層にＳｉＯ２膜（あるいはＳｉＮ膜）２２０
を有する２層構造を採用した。なお，図２，図３中の符
号２３０はエッチングマスクであり，ＳｉＯ２膜（ある
いはＳｉＮ膜）２２０より下の層については図示及び説
明を省略する。
かるエッチング方法の実施例について説明する。なお，
以下の実施例１，実施例２は，上記実施の形態で説明し
たエッチング装置１００を用いて処理を行い，また，エ
ッチングプロセス条件は，以下で特に示さない限り，上
述した実施の形態と略同一に設定されている。また，本
実施例では，ウェハＷのエッチング対象膜として，上層
にＳｉを含有する有機膜であるＦＬＡＲＥ２１０を有
し，その下層にＳｉＯ２膜（あるいはＳｉＮ膜）２２０
を有する２層構造を採用した。なお，図２，図３中の符
号２３０はエッチングマスクであり，ＳｉＯ２膜（ある
いはＳｉＮ膜）２２０より下の層については図示及び説
明を省略する。
【００２７】（Ａ）実施例１ 実施例１は，Ｎ２とＨ２をそれぞれ４００ｓｃｃｍと
し，これにＣＦ４を２ｓｃｃｍ添加したものを処理ガス
として用い，上述したウェハＷのエッチング対象膜にト
レンチ，ビアを形成したものである。本実施例の結果
は，図２に示した通りである。図２（Ａ）はウェハＷの
中央部（センター）に幅の狭いトレンチを形成したもの
を示し，図２（Ｂ）はウェハＷの端部（エッジ）に幅の
狭いトレンチを形成したものを示し，図２（Ｃ）はウェ
ハＷのセンターに幅の広いトレンチを形成したものを示
し，図２（Ｄ）はウェハＷのエッジに幅の広いトレンチ
を形成したものを示している。
し，これにＣＦ４を２ｓｃｃｍ添加したものを処理ガス
として用い，上述したウェハＷのエッチング対象膜にト
レンチ，ビアを形成したものである。本実施例の結果
は，図２に示した通りである。図２（Ａ）はウェハＷの
中央部（センター）に幅の狭いトレンチを形成したもの
を示し，図２（Ｂ）はウェハＷの端部（エッジ）に幅の
狭いトレンチを形成したものを示し，図２（Ｃ）はウェ
ハＷのセンターに幅の広いトレンチを形成したものを示
し，図２（Ｄ）はウェハＷのエッジに幅の広いトレンチ
を形成したものを示している。
【００２８】本実施例では，図２に示したように，トレ
ンチの幅に関わらず，また，ウェハＷのセンター，エッ
ジのいずれの箇所においてもエッチング形状が良好であ
る。ただし，図２（Ｃ），（Ｄ）に示したように，エッ
チング面にエッチング対象膜に含有されるＳｉに起因す
る残渣Ｘが若干形成されており，本実施例の条件よりも
ＣＦ４の流量を少なくして，残渣の量を増加させてしま
うことは好ましくないと判断される。
ンチの幅に関わらず，また，ウェハＷのセンター，エッ
ジのいずれの箇所においてもエッチング形状が良好であ
る。ただし，図２（Ｃ），（Ｄ）に示したように，エッ
チング面にエッチング対象膜に含有されるＳｉに起因す
る残渣Ｘが若干形成されており，本実施例の条件よりも
ＣＦ４の流量を少なくして，残渣の量を増加させてしま
うことは好ましくないと判断される。
【００２９】（Ｂ）実施例２ 実施例２は，Ｎ２とＨ２をそれぞれ４００ｓｃｃｍと
し，これにＣＦ４を第１の実施例に対して１００％増量
した４ｓｃｃｍ添加したものを処理ガスとして用い，上
述したウェハＷのエッチング対象膜にビア，トレンチを
形成したものである。本実施例の結果は，図３に示した
通りである。図３（Ａ）はウェハＷのセンターに幅の狭
いトレンチを形成したものを示し，図３（Ｂ）はウェハ
Ｗのエッジに幅の狭いトレンチを形成したものを示し，
図３（Ｃ）はウェハＷのセンターに幅の広いトレンチを
形成したものを示し，図３（Ｄ）はウェハＷのエッジに
幅の広いトレンチを形成したものを示している。
し，これにＣＦ４を第１の実施例に対して１００％増量
した４ｓｃｃｍ添加したものを処理ガスとして用い，上
述したウェハＷのエッチング対象膜にビア，トレンチを
形成したものである。本実施例の結果は，図３に示した
通りである。図３（Ａ）はウェハＷのセンターに幅の狭
いトレンチを形成したものを示し，図３（Ｂ）はウェハ
Ｗのエッジに幅の狭いトレンチを形成したものを示し，
図３（Ｃ）はウェハＷのセンターに幅の広いトレンチを
形成したものを示し，図３（Ｄ）はウェハＷのエッジに
幅の広いトレンチを形成したものを示している。
【００３０】本実施例では，図３に示したように，トレ
ンチの幅に関わらず，また，ウェハＷのセンター，エッ
ジのいずれの箇所においてもエッチング形状が良好であ
る。ただし，図３（Ａ），（Ｂ）に示したように，トレ
ンチの開口部Ｙが若干広がっており，本実施例の条件よ
りもＣＦ４の流量を多くして，トレンチの開口部を広げ
てしまうことは好ましくないと判断される。
ンチの幅に関わらず，また，ウェハＷのセンター，エッ
ジのいずれの箇所においてもエッチング形状が良好であ
る。ただし，図３（Ａ），（Ｂ）に示したように，トレ
ンチの開口部Ｙが若干広がっており，本実施例の条件よ
りもＣＦ４の流量を多くして，トレンチの開口部を広げ
てしまうことは好ましくないと判断される。
【００３１】以上説明したように，実施例１の結果から
は，ＣＦ４の流量が処理ガスの流量の０．２％より少な
いと，エッチング対象膜に含有されるＳｉに起因する残
渣をエッチング時に十分に除去することができないこと
が分かる。また，実施例２の結果からは，ＣＦ４の流量
が処理ガスの流量の０．４％より多いと，ＳｉＯ２膜の
パターンまたはＳｉＮ膜のパターンからなるエッチング
マスクの肩部がエッチングされてしまい，エッチングに
より形成されるトレンチの開口部が広がってしまう。従
って，実施例１，実施例２の結果を総合すると，ＣＦ４
の流量は，処理ガスの流量の実質的に０．２％〜０．４
％であることが好ましいと言える。
は，ＣＦ４の流量が処理ガスの流量の０．２％より少な
いと，エッチング対象膜に含有されるＳｉに起因する残
渣をエッチング時に十分に除去することができないこと
が分かる。また，実施例２の結果からは，ＣＦ４の流量
が処理ガスの流量の０．４％より多いと，ＳｉＯ２膜の
パターンまたはＳｉＮ膜のパターンからなるエッチング
マスクの肩部がエッチングされてしまい，エッチングに
より形成されるトレンチの開口部が広がってしまう。従
って，実施例１，実施例２の結果を総合すると，ＣＦ４
の流量は，処理ガスの流量の実質的に０．２％〜０．４
％であることが好ましいと言える。
【００３２】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かるエッチング方法の好適な実施形態及び実施例につい
て説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業
者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の
範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得る
ことは明らかであり，それらについても当然に本発明の
技術的範囲に属するものと了解される。
かるエッチング方法の好適な実施形態及び実施例につい
て説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業
者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の
範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得る
ことは明らかであり，それらについても当然に本発明の
技術的範囲に属するものと了解される。
【００３３】例えば，上記実施の形態及び実施例におい
て，Ｎ２とＨ２とＣＦ４とを混合した処理ガスを採用し
た構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に
限定されるものではない。フッ素含有ガスとして，Ｃ４
Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＳＦ６等を用いることもできる。ま
た，ガス流量を制御するための不活性ガス，例えば，Ａ
ｒやＯ２を添加した場合であっても，本発明を実施する
ことができる。すなわち，処理ガス中に少なくともＮ２
とＨ２とフッ素含有ガスが含まれていれば，本発明を実
施することが可能である。
て，Ｎ２とＨ２とＣＦ４とを混合した処理ガスを採用し
た構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に
限定されるものではない。フッ素含有ガスとして，Ｃ４
Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＳＦ６等を用いることもできる。ま
た，ガス流量を制御するための不活性ガス，例えば，Ａ
ｒやＯ２を添加した場合であっても，本発明を実施する
ことができる。すなわち，処理ガス中に少なくともＮ２
とＨ２とフッ素含有ガスが含まれていれば，本発明を実
施することが可能である。
【００３４】また，上記実施の形態及び実施例において
は，ジャストエッチング時にＮ２とＨ２とＣＦ４とから
なる処理ガスを用い，オーバーエッチング時にＮ２とＨ
２とからなる処理ガスを用いてエッチング処理を行った
場合の一例について説明したが，本発明はこれに限定さ
れない。例えば，ジャストエッチング時にＮ２とＨ２と
からなる処理ガスを用い，オーバーエッチング時にＮ２
とＨ２とフッ素含有ガスとからなる処理ガスを用いても
本発明を実施可能である。また，ジャストエッチング
時，オーバーエッチング時ともにＮ２とＨ２とフッ素含
有ガスとからなる処理ガスを用いても本発明を実施可能
である。
は，ジャストエッチング時にＮ２とＨ２とＣＦ４とから
なる処理ガスを用い，オーバーエッチング時にＮ２とＨ
２とからなる処理ガスを用いてエッチング処理を行った
場合の一例について説明したが，本発明はこれに限定さ
れない。例えば，ジャストエッチング時にＮ２とＨ２と
からなる処理ガスを用い，オーバーエッチング時にＮ２
とＨ２とフッ素含有ガスとからなる処理ガスを用いても
本発明を実施可能である。また，ジャストエッチング
時，オーバーエッチング時ともにＮ２とＨ２とフッ素含
有ガスとからなる処理ガスを用いても本発明を実施可能
である。
【００３５】また，上記実施の形態及び実施例において
は，Ｎ２とＨ２との流量をそれぞれ４００ｓｃｃｍ（Ｎ
２とＨ２との流量比＝５：５）とした場合の一例につい
て説明したが，本発明はこれに限定されない。例えば，
Ｎ２とＨ２との流量比を６：４あるいは７：３にした場
合であっても同様に本発明を実施可能である。
は，Ｎ２とＨ２との流量をそれぞれ４００ｓｃｃｍ（Ｎ
２とＨ２との流量比＝５：５）とした場合の一例につい
て説明したが，本発明はこれに限定されない。例えば，
Ｎ２とＨ２との流量比を６：４あるいは７：３にした場
合であっても同様に本発明を実施可能である。
【００３６】また，上記実施の形態および実施例におい
て，平行平板型エッチング装置を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではない。処
理室内に磁界を形成するエッチング装置や，静電シール
ドを設けた誘導結合型のエッチング装置，あるいは，マ
イクロ波型エッチング装置などの各種プラズマエッチン
グ装置等にも，本発明を適用することができる。
て，平行平板型エッチング装置を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではない。処
理室内に磁界を形成するエッチング装置や，静電シール
ドを設けた誘導結合型のエッチング装置，あるいは，マ
イクロ波型エッチング装置などの各種プラズマエッチン
グ装置等にも，本発明を適用することができる。
【００３７】さらに，上記実施の形態において，ウェハ
に形成されたエッチング対象膜にコンタクトホールを形
成する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構
成に限定されるものではなく，被処理体に形成されたエ
ッチング対象膜にいかなるエッチング処理を施す場合に
も適用することができる。
に形成されたエッチング対象膜にコンタクトホールを形
成する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構
成に限定されるものではなく，被処理体に形成されたエ
ッチング対象膜にいかなるエッチング処理を施す場合に
も適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
エッチング対象膜に含有されるＳｉに起因する残渣をエ
ッチング時に十分に除去でき，さらに，エッチングによ
り形成される溝の開口部が広がらず，エッチング形状の
改善に優れた効果を奏する。
エッチング対象膜に含有されるＳｉに起因する残渣をエ
ッチング時に十分に除去でき，さらに，エッチングによ
り形成される溝の開口部が広がらず，エッチング形状の
改善に優れた効果を奏する。
【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略
的な断面図である。
的な断面図である。
【図２】実施例１を説明するための概略的な説明図であ
る。
る。
【図３】実施例２を説明するための概略的な説明図であ
る。
る。
１００ エッチング装置 １０２ 処理容器 １０４ 処理室 １０６ 下部電極 １０８ 高圧電流電源 １１０ 静電チャック １１２ フォーカスリング １１８ 整合器 １１９ 整合器 １２０ 高周波電源 １２１ 高周波電源 １２２ 上部電極 １２２ａ ガス供給孔 １２３ 絶縁体 １２４ ガス供給管 １２６，１２８，１３０ 分岐管（第１分岐管，第２分
岐管，第３分岐管） １３２，１３８，１４４ 開閉バルブ １３４，１４０，１４６ 流量調整バルブ １２６，１４２，１４８ ガス供給源 １５０ 排気管 Ｗ ウェハ ２１０ ＦＬＡＲＥ ２２０ ＳｉＯ２膜（あるいはＳｉＮ膜） ２３０ エッチングマスク Ｘ 残渣 Ｙ 開口部
岐管，第３分岐管） １３２，１３８，１４４ 開閉バルブ １３４，１４０，１４６ 流量調整バルブ １２６，１４２，１４８ ガス供給源 １５０ 排気管 Ｗ ウェハ ２１０ ＦＬＡＲＥ ２２０ ＳｉＯ２膜（あるいはＳｉＮ膜） ２３０ エッチングマスク Ｘ 残渣 Ｙ 開口部
フロントページの続き (72)発明者 末正 智希 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 稲沢 剛一郎 東京都府中市住吉町２丁目30番地の７ 東 京エレクトロン山梨株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA01 AA09 BA04 BA20 BB13 BB22 BB28 CA02 CA06 DA01 DA22 DA23 DA24 DA25 DA30 DB23 DB24 EA06 EA07 EB01 EB03
Claims (4)
- 【請求項１】 気密な処理室内に処理ガスを導入し，前
記処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング
対象膜に対するエッチング方法において，前記処理ガス
は少なくともＮ２とＨ２とフッ素含有ガスとを含み，前
記エッチング対象膜は，Ｓｉを含有する有機膜からな
り，ＳｉＯ２膜またはＳｉＮ膜のパターンをエッチング
マスクとしてエッチングを行うことを特徴とする，エッ
チング方法。 - 【請求項２】 前記フッ素含有ガスはＣＦ４であり，前
記ＣＦ４の流量は，前記処理ガスの流量の実質的に０．
２〜０．４％であることを特徴とする，請求項１に記載
のエッチング方法。 - 【請求項３】 気密な処理室内に処理ガスを導入し，前
記処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング
対象膜に対するエッチング方法において，前記エッチン
グ対象膜は，上層のＳｉを含有する有機膜及び下層のＳ
ｉＯ２膜またはＳｉＮ膜からなり，前記処理ガスは，前
記エッチング対象膜の所定深さまでのエッチング時には
少なくともＮ２とＨ２とフッ素含有ガスとを含み，前記
エッチング対象膜の前記所定深さ以降のエッチング時に
は少なくともＮ２とＨ２とを含み，ＳｉＯ２膜またはＳ
ｉＮ膜のパターンをエッチングマスクとしてエッチング
を行うことを特徴とする，エッチング方法。 - 【請求項４】 前記フッ素含有ガスはＣＦ４であり，前
記ＣＦ４の流量は，前記処理ガスの流量の実質的に０．
２〜０．４％であることを特徴とする，請求項３に記載
のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29638499A JP4388645B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29638499A JP4388645B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118825A true JP2001118825A (ja) | 2001-04-27 |
| JP4388645B2 JP4388645B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=17832859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29638499A Expired - Fee Related JP4388645B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4388645B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002080230A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching low-k organosilicate materials |
| JP2003100718A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| WO2003049169A1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and plasma etching device |
| JP2007537602A (ja) * | 2004-05-11 | 2007-12-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フルオロカーボン化学エッチングにおけるｈ２添加物を使用しての炭素ドープ酸化ケイ素エッチング |
| US7419613B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-09-02 | Tokyo Electron Limited | Method and device for plasma-etching organic material film |
| CN106024617A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造半导体器件的干蚀刻气体和方法 |
| CN107833831A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 东京毅力科创株式会社 | 对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法 |
-
1999
- 1999-10-19 JP JP29638499A patent/JP4388645B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7311852B2 (en) | 2001-03-30 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching low-k dielectric materials |
| WO2002080230A3 (en) * | 2001-03-30 | 2003-03-20 | Lam Res Corp | Method of plasma etching low-k organosilicate materials |
| WO2002080230A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching low-k organosilicate materials |
| JP2003100718A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| WO2003030237A1 (fr) * | 2001-09-26 | 2003-04-10 | Tokyo Electron Limited | Procede de gravure |
| US7125806B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-10-24 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
| US7625494B2 (en) | 2001-12-05 | 2009-12-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and plasma etching unit |
| WO2003049169A1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and plasma etching device |
| US8840753B2 (en) | 2001-12-05 | 2014-09-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching unit |
| US7419613B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-09-02 | Tokyo Electron Limited | Method and device for plasma-etching organic material film |
| JP2007537602A (ja) * | 2004-05-11 | 2007-12-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フルオロカーボン化学エッチングにおけるｈ２添加物を使用しての炭素ドープ酸化ケイ素エッチング |
| CN106024617A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造半导体器件的干蚀刻气体和方法 |
| CN107833831A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 东京毅力科创株式会社 | 对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法 |
| CN113936987A (zh) * | 2016-09-15 | 2022-01-14 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
| CN113936987B (zh) * | 2016-09-15 | 2024-04-16 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4388645B2 (ja) | 2009-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101083211B1 (ko) | 높은 선택도로 유전체 배리어층을 에칭하는 방법 | |
| JP4657458B2 (ja) | 低容量の誘電体層をエッチングするための技術 | |
| US6489248B2 (en) | Method and apparatus for etch passivating and etching a substrate | |
| US7166535B2 (en) | Plasma etching of silicon carbide | |
| JP4071069B2 (ja) | 絶縁膜のエッチング方法 | |
| JP2002124568A (ja) | デュアルダマシン構造のエッチング方法 | |
| US6432832B1 (en) | Method of improving the profile angle between narrow and wide features | |
| US20040106293A1 (en) | Method for etching organic insulating film and dual damasene process | |
| JP2008198659A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| US5849641A (en) | Methods and apparatus for etching a conductive layer to improve yield | |
| EP0933802B1 (en) | Process for the production of semiconductor device | |
| WO2002001619A1 (fr) | Procede de gravure | |
| JP4153708B2 (ja) | エッチング方法 | |
| KR100917291B1 (ko) | 듀얼 다마신 분야에서 바닥부 무반사 코팅층의 2단계 에칭 | |
| JP2001118825A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2000036484A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP3987637B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2007266291A (ja) | 半導体装置の製造方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体。 | |
| JP4381526B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3844413B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2003086568A (ja) | エッチング方法 | |
| JP3780204B2 (ja) | バリアメタル膜又は密着層形成方法及び配線形成方法 | |
| US6979579B1 (en) | Methods and apparatus for inspecting contact openings in a plasma processing system | |
| JP4681215B2 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 | |
| JP2001044173A (ja) | エッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061017 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080917 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091005 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151009 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |