JP2003076020A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 (a)電子線又はX線の照射により酸を発生する化合物、
(b)アルカリ可溶性樹脂、
(c)酸により架橋する架橋剤及び
(d)有機塩基性化合物
を含有するネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物において、水分含有量が0.5重量%以下であることを特徴とするネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項2】 水分含有量が0.01重量%以上であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項3】 アルカリ可溶性樹脂が、下記一般式(1)で表わされる構造単位を含み、重量平均分子量が3,000を超え300,000以下であるアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【化1】
式中、 R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R2は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、あるいはアシル基を表す。R3、R4は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。
Aは単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−O−、−SO2−、−O−CO−R5−、−CO−O−R6−、−CO−N(R7)−R8−を表す。
R5、R6、R8は同じでも異なっていても良く、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基の単独、又はこれらの基とエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造もしくはウレイド構造の群より選択される少なくとも1種が一緒になって形成した2価の基を表す。
R7は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
nは1〜3の整数を表す。また複数のR2、又はR2とR3もしくはR4が結合して環を形成しても良い。
【請求項4】 アルカリ可溶性樹脂が、重量平均分子量が3,000を超え、300,000以下であって、下記条件(a)および(b)を満たすアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
(a)炭素数6以上20以下の芳香環及び該芳香環に直接あるいは連結基を介して結合したエチレン性不飽和基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を少なくとも一種有すること。
(b)該芳香環のπ電子と芳香環上の置換基の非共有電子対の電子数の間に次の関係が成り立つこと。
【数1】
(ここで、Nπは、π電子総数を表し、Nloneは該置換基としての炭素数1以上12以下の直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、または水酸基の非共有電子対の総電子数を表す。2つ以上のアルコキシ基または水酸基は隣り合う二つが互いに結合して5員環以上の環構造を形成してもよい。)
【請求項5】 アルカリ可溶性樹脂が、以下の一般式(3)〜(7)で表される繰り返し単位の少なくとも一つを構成成分として有することを特徴とする請求項4に記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【化2】
【化3】
一般式(3)〜(7)において、 R101は、水素原子あるいはメチル基を表す。Lは二価の連結基を表す。Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rlはそれぞれ独立に、炭素数1から12の直鎖状、分岐状、あるいは、環状のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、あるいは水素原子を表す。また、これらは互いに連結して炭素数24以下の5員以上の環を形成しても良い。l,m,n,p,q,r,s,t,u,v,w,xは0〜3までの整数を表し、l+m+n=2,3、 p+q+r=0,1,2,3、 s+t+u=0,1,2,3、 v+w+x=0,1,2,3を満たす。
【請求項6】 アルカリ可溶性樹脂が、部分アルキルエーテル化したポリヒドロキシスチレン又はヒドロキシスチレン/スチレン共重合体であることを特徴とする請求項4に記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はX線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項1】 (a)電子線又はX線の照射により酸を発生する化合物、
(b)アルカリ可溶性樹脂、
(c)酸により架橋する架橋剤及び
(d)有機塩基性化合物
を含有するネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物において、水分含有量が0.5重量%以下であることを特徴とするネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項2】 水分含有量が0.01重量%以上であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項3】 アルカリ可溶性樹脂が、下記一般式(1)で表わされる構造単位を含み、重量平均分子量が3,000を超え300,000以下であるアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【化1】
式中、 R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R2は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、あるいはアシル基を表す。R3、R4は同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。
Aは単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−O−、−SO2−、−O−CO−R5−、−CO−O−R6−、−CO−N(R7)−R8−を表す。
R5、R6、R8は同じでも異なっていても良く、単結合、置換基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基の単独、又はこれらの基とエーテル構造、エステル構造、アミド構造、ウレタン構造もしくはウレイド構造の群より選択される少なくとも1種が一緒になって形成した2価の基を表す。
R7は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
nは1〜3の整数を表す。また複数のR2、又はR2とR3もしくはR4が結合して環を形成しても良い。
【請求項4】 アルカリ可溶性樹脂が、重量平均分子量が3,000を超え、300,000以下であって、下記条件(a)および(b)を満たすアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
(a)炭素数6以上20以下の芳香環及び該芳香環に直接あるいは連結基を介して結合したエチレン性不飽和基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を少なくとも一種有すること。
(b)該芳香環のπ電子と芳香環上の置換基の非共有電子対の電子数の間に次の関係が成り立つこと。
【数1】
(ここで、Nπは、π電子総数を表し、Nloneは該置換基としての炭素数1以上12以下の直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、または水酸基の非共有電子対の総電子数を表す。2つ以上のアルコキシ基または水酸基は隣り合う二つが互いに結合して5員環以上の環構造を形成してもよい。)
【請求項5】 アルカリ可溶性樹脂が、以下の一般式(3)〜(7)で表される繰り返し単位の少なくとも一つを構成成分として有することを特徴とする請求項4に記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【化2】
【化3】
一般式(3)〜(7)において、 R101は、水素原子あるいはメチル基を表す。Lは二価の連結基を表す。Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rlはそれぞれ独立に、炭素数1から12の直鎖状、分岐状、あるいは、環状のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、あるいは水素原子を表す。また、これらは互いに連結して炭素数24以下の5員以上の環を形成しても良い。l,m,n,p,q,r,s,t,u,v,w,xは0〜3までの整数を表し、l+m+n=2,3、 p+q+r=0,1,2,3、 s+t+u=0,1,2,3、 v+w+x=0,1,2,3を満たす。
【請求項6】 アルカリ可溶性樹脂が、部分アルキルエーテル化したポリヒドロキシスチレン又はヒドロキシスチレン/スチレン共重合体であることを特徴とする請求項4に記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物。
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載のネガ型電子線又はX線用化学増幅レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はX線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001271992A JP4486768B2 (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | ネガ型電子線又はx線用化学増幅レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001271992A JP4486768B2 (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | ネガ型電子線又はx線用化学増幅レジスト組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003076020A JP2003076020A (ja) | 2003-03-14 |
JP2003076020A5 true JP2003076020A5 (ja) | 2006-01-19 |
JP4486768B2 JP4486768B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=19097425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001271992A Expired - Lifetime JP4486768B2 (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | ネガ型電子線又はx線用化学増幅レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4486768B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TW200734817A (en) * | 2005-10-25 | 2007-09-16 | Mitsubishi Rayon Co | Resist polymer, resist composite, manufacturing method of substrate having pattern formed thereon, polymerizable monomer and manufacturing method of the same |
JP5148090B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2013-02-20 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5358369B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2013-12-04 | 富士フイルム株式会社 | レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液 |
JP5630181B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-11-26 | 大日本印刷株式会社 | ネガ型レジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
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2001
- 2001-09-07 JP JP2001271992A patent/JP4486768B2/ja not_active Expired - Lifetime
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