JP2003069085A - 多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ａｌ層上にＣｕ層を接続性よく形成するこ
とができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気
回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにあ
る。 【解決手段】 アルミニウムの電極パッド５６、５７
及び電極層７７上に絶縁層７９を形成する工程と、電極
パッド５６、５７及び電極層７７上において絶縁層７９
にビアホール７０’を形成する工程と、ビアホール７
０’内に無電解Ｎｉメッキ層８１を形成する工程と、無
電解Ｎｉメッキ層８１上にＣｕ配線８６を形成する工程
とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線構造又は
電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電気回路装置の製造方法として
は、ウエーハからダイシングして回路素子（例えば半導
体チップ）を分離し、分離した回路素子をダイシングシ
ートからチップトレイに移送し、更には、チップトレイ
から回路素子を真空吸着でピックアップして、基板にマ
ウント若しくは接続した後に配線するという方法が知ら
れている。

【０００３】この方法は、例えば、半導体パッケージの
製造工程等において一般的に行われている。

【０００４】

【発明に至る経過】本出願人は、効果的で好ましい多層
配線構造及び電極取り出し構造を有する画像表示装置及
びこれらの製造方法等を特願２００１−１４４５９２等
において既に提起した。

【０００５】この先願発明による多層配線構造、電極取
り出し構造、画像表示装置及びこれらの製造方法等は下
記に例示するようなものである。

【０００６】この回路素子は、例えば、先細り形状とさ
れた先端部を有する回路素子であって、図１８に示すよ
うな構造を有する発光素子を挙げることができる。図１
８の（ａ）が発光素子の断面図であり、図１８の（ｂ）
がその平面図である。

【０００７】この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオード
であり、例えば、サファイア基板（図示せず）上に結晶
成長される発光素子である。このようなＧａＮ系の発光
ダイオード素子は、基板を透過するレーザ照射によって
レーザアブレーションを生じさせ、ＧａＮの分解に伴な
ってサファイア基板とＧａＮ系の結晶成長層との間の界
面で膜剥れが生じ、素子の分離が容易になるという特徴
を有している。

【０００８】この構造によれば、ＧａＮ系半導体層から
なる下地成長層２１上に選択成長された六角錐形状のｎ
型のＧａＮ：Ｓｉ層２２が形成されている。下地成長層
２１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧ
ａＮ：Ｓｉ層２２は、この絶縁膜を開口した部分にＭＯ
ＣＶＤ（有機金属気相成長）法等によって形成される。

【０００９】このＧａＮ：Ｓｉ層２２は、成長時に使用
されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合に、Ｓ面
（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であ
り、シリコンをドープさせた領域である。そして、この
ＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテ
ロ構造のクラッドとして機能する。

【００１０】次に、ＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面
を覆うように、活性層であるＩｎＧａＮ層２３が形成さ
れており、その外側に、マグネシウムドープのｐ型のＧ
ａＮ：Ｍｇ層２４が形成される。なお、このマグネシウ
ムドープのＧａＮ：Ｍｇ層２４もクラッドとして機能す
る。

【００１１】更に、このような発光ダイオード素子５２
には、ｐ電極２５とｎ電極２６とが形成されている。ｐ
電極２５は、マグネシウムドープのＧａＮ層２４上に形
成されるが、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ
／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。

【００１２】又、ｎ電極２６は、前述の図示しない絶縁
膜を開口した部分に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属
材料材料蒸着して形成される。なお、下地成長層２１の
裏面側からｎ電極２６の取り出しを行う場合には、ｎ電
極２６は下地成長層２１の表面側に形成する必要はな
い。

【００１３】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ド素子５２は、青色発光も可能な素子であって、特に、
レーザアブレーションによって比較的簡単にサファイア
基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に
照射することによって選択的な剥離を実現する。

【００１４】なお、このＧａＮ系の発光ダイオード素子
５２としては、平板状や帯状に活性層が形成される構造
であってもよく、上端部にＣ面が形成された角錐構造の
ものであってもよい。又、他の窒化物系や化合物半導体
等であってもよい。

【００１５】次に、表示用素子として用いられる樹脂チ
ップ５４について説明する。

【００１６】この樹脂チップ５４は、図１９及び図２０
に示すように、ほぼ平板状でありその主たる面がほぼ正
方形状となっている。この樹脂チップ５４の形状は樹脂
５３を固めて形成された形状であり、具体的には、未硬
化の樹脂によって各発光ダイオード素子５２をほぼ包み
込むように全面的に塗布して樹脂層５３を形成し、これ
を硬化した後で、縁の部分をダイシング等で切断するこ
とによって得られる。

【００１７】ほぼ平板状の発光ダイオード素子５２が埋
設された樹脂層５３の表面側には、電極パッド５６及び
５７が形成される。電極パッド５６及び５７の形成方法
としては、例えば、全面に電極パッド５６及び５７の材
料となる金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成
し、フォトリソグラフィー技術等により、所要の電極の
形状にパターニングすることで形成される。この電極パ
ッド５６及び５７は、発光ダイオード素子である素子５
２のｐ電極２５とｎ電極２６とにそれぞれ接続されるよ
うに形成されており、このためには樹脂層５３にビアホ
ール等が形成される。

【００１８】なお、電極パッド５６及び５７の位置が平
面的にみてずれているのは、最終的な配線形成時に上側
からコンタクトをとる際に重ならないようにするためで
ある。電極パッド５６及び５７の形状は正方形に限定さ
れず、他の形状としてもよい。

【００１９】このような樹脂チップ５４を構成すること
によって、発光ダイオード素子５２の周りが樹脂５３で
被覆されて平坦化され、精度良く電極パッド５６及び５
７を形成できると共に、発光ダイオード素子５２に比べ
て広い領域に電極パッド５６及び５７を延在でき、次の
転写工程における転写を吸着装置等で行う場合に取り扱
いが容易になる。

【００２０】又、後述するように、最終的な配線が、転
写工程の後に行われるために、比較的大きいサイズの電
極パッド５６及び５７を利用した配線を行うことによっ
て、配線不良が未然に防止される。

【００２１】次に、図６から図１７までを参照しなが
ら、図１８に示した発光ダイオード素子５２からの電極
取り出し構造、多層配線構造、画像表示装置及びこれら
の製造方法等について説明する。

【００２２】図６に示すように、第１の一時保持用部材
５１の上面に、第１の剥離層６４と樹脂層５３とが２層
になって密着形成されている。

【００２３】第１の剥離層６４を介して樹脂層５３と密
着する第１の一時保持用部材５１の材質としては、高分
子シート等を挙げることができ、第１の一時保持用部材
５１上の第１の剥離層６４の材質としては、フッ素コー
ト、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、ポリビニ
ルアルコール：ＰＶＡ）及びポリイミド等を用いること
ができる。

【００２４】又、この第１の一時保持用部材５１上の樹
脂層５３としては、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂、熱硬化
性樹脂又は熱可塑性樹脂のいずれかからなる層を用いる
ことができる。一例として、第１の一時保持用部材５１
として高分子シート等を用い、第１の剥離層６４として
ポリイミド膜を形成後、樹脂層５３としてＵＶ硬化型樹
脂を塗布することができる。

【００２５】そして、樹脂層５３上の、発光ダイオード
素子５２を埋設（転写）する部分以外を、レーザ光を照
射することによって硬化させる。そして、これ以外のレ
ーザ光を照射しない部分は、後の工程で発光ダイオード
素子５２を埋め込む軟質部８２とする。

【００２６】図７に示すように、サファイア等の第１基
板５０の主面上には、上記した結晶成長によって複数の
発光ダイオード素子５２がマトリクス状に形成されてい
る。

【００２７】第１基板５０の構成材料としては、サファ
イア基板等のように、発光ダイオード素子５２に照射す
るレーザ光の波長の透過率の高い材料が用いられる。
又、発光ダイオード素子５２にはｐ電極及びｎ電極まで
は既に形成されているが、最終的な配線は未だなされて
おらず、発光ダイオード素子５２間を分離する分離溝６
２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード素子５２
は分離できる状態にある。

【００２８】この溝６２ｇの形成は、例えば、反応性イ
オンエッチング等で行う。そして、このような第１基板
５０を第１の一時保持用部材５１に対峙させて、図７に
示すように、樹脂層５２への発光ダイオード素子５２の
転写を行う。

【００２９】この転写に際しては、図７に示すように、
転写する所定の発光ダイオード素子５２に対してレーザ
光を第１基板５０の裏面から照射し、この転写する所定
の発光ダイオード素子５２を第１基板５０からレーザア
ブレーションを利用して剥離する。なお、このＧａＮ系
の発光ダイオード素子５２は、サファイア基板である第
１基板５０との界面でレーザアブレーションによって金
属のＧａと窒素とに分解することから、比較的簡単に剥
離できる。

【００３０】照射するレーザ光としては、エキシマレー
ザ及び高調波ＹＡＧレーザ等が用いられる。そして、こ
のレーザアブレーションを利用した剥離作用によって、
転写する所定の発光ダイオード素子５２は下地層である
ＧａＮ層と第１基板５０との界面で分離し、図８に示す
ように、反対側の樹脂層５３の軟質部８２にｐ電極の一
部分を突き刺すようにして転写する。

【００３１】なお、樹脂層５３の軟質部８２に転写され
る所定の発光ダイオード素子５２以外の発光ダイオード
素子５２については、前工程において、この発光ダイオ
ード素子５２が接触する樹脂層５３の部分が、既にレー
ザ光によって硬化しているために、接触するだけでは樹
脂層５３に転写されることはなく、第１基板５０上に付
着したままとなる。

【００３２】そして、転写後の状態は、図８に示すよう
に、転写された発光ダイオード素子５２の間隔が、第１
基板５０上に配列されていた時よりも離間して第１の一
時保持用部材５１上に配列されたものとなる。

【００３３】即ち、Ｘ方向にそれぞれの発光ダイオード
素子５２の間隔が広げられ、同時に、Ｘ方向に垂直なＹ
方向にもそれぞれの発光ダイオード素子５２の間隔が広
げられた状態になる。

【００３４】次に、図９に示すように、樹脂層５３の軟
質部８２上にｐ電極を一部突き刺すようにして保持され
た発光ダイオード素子５２を、加圧手段８４によって加
圧し、樹脂層５３の軟質部８２に更に押し付けて埋設す
る。

【００３５】こうして、発光ダイオード素子５２は、図
１０に示すように、第１の一時保持用部材５１の樹脂層
５３にほぼ埋設保持された状態になる。そして、この発
光ダイオード素子５２の裏面は、第１基板５０との間に
あった樹脂５３等が残らないように確実に除去、洗浄さ
れる。

【００３６】次に、図１１に示すように、発光ダイオー
ド素子５２の埋設された樹脂層５３から第１の一時保持
用部材５１を第１の剥離層６４のレーザ光照射によって
剥離し、しかる後に、発光ダイオード素子５２を埋設し
た樹脂層５３の裏面側を第２の剥離層６０を介して第２
の一時保持用部材６７に密着させて転写する。

【００３７】図１２は、第１の一時保持用部材５１から
発光ダイオード素子５２を、第２の剥離層６０を介して
第２の一時保持用部材６７に転写した後、レーザ光照射
でアノード電極（ｐ電極）側及びカソード電極（ｎ電
極）側にビアホール７０をそれぞれ形成し、アノード側
の電極パッド５６及びカソード側の電極パッド５７を形
成した後、更に樹脂層５３の一部をダイシングして個々
の樹脂チップ５４とした状態を示している。

【００３８】このダイシングプロセスにより、発光ダイ
オード素子５２毎に硬化した樹脂層５３を分断し、各発
光ダイオード素子５２に対応した樹脂チップ５４とす
る。ここで、ダイシングプロセスは、機械的手段を用い
たダイシング、或いは、レーザビームを用いたレーザダ
イシングにより行う。

【００３９】なお、ダイシングによる切り込み幅は、画
像表示装置の画素内の樹脂層５３で覆われた発光ダイオ
ード素子５２（樹脂チップ５４）の大きさに依存する
が、例えば、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要な
時には、上記のレーザビームを用いたレーザによる加工
を行うことが必要である。この時、レーザビームとして
は、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレ
ーザ等を用いることができる。

【００４０】このダイシングの結果、素子分離溝７１が
形成され、発光ダイオード素子５２は、素子毎に区分け
されて樹脂チップ５４になる。この素子分離溝７１はマ
トリクス状の各発光ダイオード素子５２を分離するた
め、平面的に見たパターンとしては、縦横に延長された
複数の平行線からなる。なお、この素子分離溝７１の底
部では、第２の一時保持用部材６７の表面が臨んでい
る。この第２の一時保持用部材６７は、一例として、プ
ラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してあるダイシング
シートであり、紫外線（ＵＶ）が照射されると粘着力が
低下する材質のものを利用できる。

【００４１】なお、上記の転写の際には、図１１に示す
ように、第１の剥離層６４を形成した第１の一時保持用
部材５１の裏面から例えばエキシマレーザ光を照射す
る。これにより、例えば、第１の剥離層６４としてポリ
イミドを形成した場合では、ポリイミドのアブレーショ
ンにより剥離する。その後、各発光ダイオード素子５２
を埋設した樹脂層５３を第２の一時保持用部材６７側に
転写する。

【００４２】更に、上記のアノード及びカソード側の電
極パッド５６及び５７の形成プロセスの例としては、樹
脂層５３の表面を酸素プラズマで発光ダイオード素子５
２のｐ電極及びｎ電極が露出してくるまでエッチングし
て形成する。又、ビアホール７０の形成には、エキシマ
レーザ、高調波ＹＡＧレーザ及び炭酸ガスレーザ等を用
いることができる。又、アノード及びカソード側の電極
パッド５６及び５７はＣｕで形成する。

【００４３】次に、図１３に示すように、機械的手段と
しての吸着装置７３を用いて、発光ダイオード素子５２
を埋設した樹脂チップ５４を第２の一時保持用部材６７
から剥離する。この時、第２の一時保持用部材６７上に
は、例えば、フッ素コート、シリコーン樹脂及び水溶性
接着剤（例えば、ＰＶＡ）及びポリイミド等からなる第
２の剥離層６０が形成されているが、このような剥離層
６０を形成した第２の一時保持用部材６７の裏面から、
例えばＹＡＧ第３高調波レーザ光を照射する。これによ
り、例えば、第２の剥離層６０をポリイミドで形成した
場合では、ポリイミドの層と第２の一時保持用部材６７
の界面とでポリイミドのアブレーションにより剥離が発
生して、各発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チッ
プ５４は、第２の一時保持用部材６７から上記の吸着装
置７３のような機械的手段により容易に剥離可能とな
る。

【００４４】図１３は、第２の一時保持用部材６７上に
配列している発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チ
ップ５４を、上記の機械的手段としての吸着装置７３で
ピックアップする状態を示した図である。

【００４５】この時の吸着装置７３の吸着孔７５は、画
像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口してい
て、発光ダイオード素子５２埋設した樹脂チップ５４を
多数個、一括して吸着できるようになっている。

【００４６】そして、吸着孔７５の部材には、例えば、
Ｎｉ電鋳により作製したもの、若しくは、ステンレス
（ＳＵＳ）等の金属板７２をエッチングで穴加工したも
の等が使用される。そして、金属板７２の吸着孔７５の
奥には吸着チャンバ７４が形成され、この吸着チャンバ
７４を負圧に制御することで発光ダイオード素子５２を
埋設した樹脂チップ５４の吸着が可能になる。

【００４７】なお、発光ダイオード素子５２は、この段
階では樹脂５３で覆われており、その上面はほぼ平坦化
されている。この為に、吸着装置７３による選択的な吸
着を容易に進めることができる。

【００４８】次に、図１４は、発光ダイオード素子５２
を埋設した樹脂チップ５４を、第２基板５５に固定（ボ
ンディング）する工程を示すものである。

【００４９】この第２基板５５に樹脂チップ５４を固定
する際に、第２基板５５上には予め接着剤層７６が塗布
されているために、発光ダイオード素子５２の下面のこ
の接着剤層７６を選択的に硬化させることによって、発
光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２
基板５５上に固定して配列させることができる。この固
定後には、吸着装置７３の吸着チャンバ７４部分が圧力
の高い状態となり、吸着装置７３と発光ダイオード素子
５２を埋設した樹脂チップ５４との吸着による結合状態
は解放される。

【００５０】この時、接着剤層７６の樹脂を硬化させる
エネルギーを与えるビーム９３は第２基板５５の裏面か
ら照射される。例えばＵＶ硬化型接着剤を使用する場合
は、ＵＶ照射装置によって行い、又、熱硬化性接着剤を
使用する場合は、レーザによって、発光ダイオード素子
５２を埋設した樹脂チップ５４の下面のみを硬化させ、
又、熱可塑性接着剤を使用する場合は、レーザ照射にて
接着剤７６を溶融させて接着を行う。

【００５１】又、第２基板５５上にシャドウマスクとし
ても機能する配線基板である電極層７７を配設し、特に
電極層７７の画面側の面に黒クロム層７８を形成する。
これによって、画像のコントラストが向上し、更に黒ク
ロム層７８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に
照射されるビーム９３によって接着剤層７６を早く硬化
させることができる。

【００５２】次に、図１５は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ
（青）の３色のそれぞれの発光ダイオード素子５２Ｒ、
５２Ｇ、５２Ｂを第２基板５５上に配列し、絶縁層７９
で被覆した状態を示す。

【００５３】吸着装置７３を使用して、第２基板５５の
それぞれの色に対応する位置にマウントすると、画素と
してのピッチを一定のままに３色からなる画素を形成で
きる。なお、絶縁層７９の材質としては、透明エポキシ
接着剤、ＵＶ硬化型接着剤及びポリイミド等を用いるこ
とができる。

【００５４】なお、図１５では、赤色の発光ダイオード
素子５２Ｒが六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、
他の発光ダイオード素子５２Ｇ及び５２Ｂとその形状が
異なっているが、この段階では、各発光ダイオード素子
５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂは既に樹脂チップ５４として樹
脂５３で覆われており、素子としての構造が違うにもか
かわらず形状が同様のために同一の取り扱いを実現でき
る。

【００５５】次に、図１６に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの
３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそ
れぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５
６や、第２基板５５上の電極層７７等に対応して、これ
らを電気的に接続するための開口部であるビアホール７
０’をそれぞれ形成し、更に図１７に示すように、配線
８６を形成する。ビアホール７０’の形成は、例えば、
レーザビーム等を用いて行う。

【００５６】なお、この時に形成するビアホール７０’
は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５
２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びアノード
側の電極パッド５６の面積を大きくしているために、電
極パッド５６に対応したビアホール７０’の形状を大き
くでき、且つ、ビアホール７０’の位置精度も、各発光
ダイオード素子５２に直接形成するビアホールに比べて
粗い精度で形成できる。

【００５７】そして、配線８６の形成後、保護層（図示
せず）を配線上に形成し、画像表示装置のパネルを完成
する。

【００５８】この保護層は、図１５の絶縁層７９と同様
に、透明エポキシ接着剤等の材料を使用できる。この保
護層は加熱硬化して配線を完全に覆う。この後、パネル
端部の配線にドライバーＩＣを接続して駆動パネルを作
製する。

【００５９】次に、図２１は、発光の色の異なる複数種
類の発光（ダイオード）素子を、配線が形成されたガラ
ス基板１１（上記の５５に相当）上に一括転写した例を
示すものである。

【００６０】このガラス基板１１上には、上記の電極層
７７に接続された第１配線層１２と第２配線層１３とが
互いに直交して形成されており、各配線層１２及び１３
がそれぞれ接続された赤色発光ダイオード素子５２Ｒ、
緑色発光ダイオード素子５２Ｇ及び青色発光ダイオード
素子５２Ｂがそれぞれマトリクス状に配列されている。
各発光ダイオード素子は、上述のようなプロセスを経て
第２基板上に交互にマトリクス状に配列される。

【００６１】なお、ここでは、画像表示装置の基板とし
てガラス基板１１を使用し、この上に発光ダイオード素
子を転写するようにしたが、高分子シート等を被転写基
板として使用することも可能である。又、第２の一時保
持用部材６７をそのまま基板として活用することも可能
である。そして、例えば、高分子シートを画像表示装置
の基板として使用した場合には、屈曲性を有し、軽量
で、且つ割れにくい画像表示装置を実現することが可能
となる。

【００６２】

【発明が解決しようとする課題】従来、絶縁層が形成さ
れたプリント基板（配線基板）等にレーザビア（レーザ
光によって形成された接続孔のことを指し、以下におい
ては単に接続孔とする。）を加工形成する工程、及びこ
の接続孔周辺に配線等を形成する工程においては、絶縁
層下の電極パッド又は配線等はＣｕ層からなり、且つこ
のＣｕ層の厚さは一般的に１０μｍ以上であるため、加
工用のレーザ光によるダメージを受けにくく、電極パッ
ド又は配線等の上に、ＣＯ₂レーザ及び高調波ＹＡＧレ
ーザ等の短波長で高出力のレーザ光を用いて接続孔を加
工形成することができる。

【００６３】そして、接続孔の形成後、電解メッキ法等
によって接続孔を電解Ｃｕメッキ層等で埋め込んでか
ら、配線を形成している。

【００６４】ところが、昨今、配線基板上の配線として
Ｃｕ層を形成する場合、その厚さを薄くしたいという要
望がある。なぜなら、配線基板上に形成されたＣｕ配線
をフォトエッチング技術でパターニングする際に、この
配線が加工し易くなるからである。

【００６５】特に、絶縁層が形成された配線基板上の電
極パッド又は配線等のＣｕ層の厚さを１μｍにまで薄く
するときはその効果が大となり、フォトエッチング加工
の精度が向上する。

【００６６】しかし、図６〜図１７に示した画像表示装
置の製造の場合、配線基板のガラス基板上に形成された
Ｃｕ層からなる電極７７や配線、樹脂チップ５４等に形
成されるＣｕ層からなる電極パッド５６、５７等の厚さ
を約１μｍとしたとき、これらの上の絶縁層７９に接続
孔７０’を形成するためのレーザ光をオーバーショット
（過照射）すると、Ｃｕ層からなる電極パッドや配線等
に穴が開き、断線等の故障の原因となってしまうことが
ある。

【００６７】これは、Ｃｕ層からなる電極パッド及び配
線等が熱の吸収率が大きいという特性ゆえに、レーザ光
の照射によって生じる熱を吸収して加工され易くなるた
めである。

【００６８】そこで、絶縁層７９に対してエキシマレー
ザや高調波ＹＡＧレーザ等によるレーザビア（接続孔）
の形成を行う場合に、絶縁層中の電極パッド及び電極層
等の材質をＣｕではなく、アルミニウム（Ａｌ）にする
と、レーザ光の照射時の熱吸収率が低いアルミニウム
（Ａｌ）の特性によって、電極パッドや配線等がレーザ
加工され難くなるために、高出力で短波長のレーザによ
る接続孔の加工が容易になる。

【００６９】ところが、これまで、形成されたレーザビ
ア（接続孔）の埋め込みのために接続孔内にＣｕメッキ
層を形成する際、このＣｕメッキ前に、Ｃｕメッキ層と
Ａｌ層との接続性の向上のために前処理（酸処理）をＡ
ｌ層の表面に施す必要があるが、この前処理（酸処理）
のためにＡｌ層が侵されてしまい、この上にＣｕメッキ
層を形成することは難しくなる。

【００７０】本発明は上記のような状況に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、Ａｌ層上にＣｕ層を形成
する場合でも、これらを良好に接続することができる多
層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及び
これらの製造方法を提供することにある。

【００７１】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、Ａｌ等
のアルミニウム系の第１導電層上に絶縁層が形成され、
前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔が形成さ
れ、前記接続孔内にＮｉ等のニッケル系の第２導電層が
形成され、前記第２導電層上にＣｕ等の第３の導電層が
形成されている、多層配線構造又は電極取り出し構造、
及びこれらの製造方法に係るものである。

【００７２】本発明は又、回路素子に接続されるか、或
いは／並びに、下層の配線を形成しているＡｌ等のアル
ミニウム系の第１導電層上に絶縁層が形成され、前記第
１導電層上において前記絶縁層に接続孔が形成され、前
記接続孔内にＮｉ等のニッケル系の第２導電層が形成さ
れ、前記第２導電層上にＣｕ等の第３の導電層が形成さ
れ、前記回路素子が前記第３導電層によって前記配線基
板に接続されている、電気回路装置及びその製造方法に
係るものである。

【００７３】本発明によれば、第１導電層がアルミニウ
ム系によって形成されているので、この第１導電層は接
続孔の形成時に生じるダメージに対する耐久性を有する
ために、第１導電層のダメージを軽減し、第１導電層を
薄膜化しても耐久性を保持することができる。

【００７４】又、第１導電層と第３導電層との間にニッ
ケル系の第２導電層が形成されることにより、第１導電
層と第３導電層との間の接続が可能となり、この接続に
際して第１導電層の酸処理が不要となり、第１導電層が
第２導電層で保護された状態で第３導電層との接続が良
好となる。

【００７５】更に、接続孔内にニッケル系の第２導電層
が形成されることにより、接続孔の深さが減少するた
め、その上に設ける第３導電層の段切れがなくなり、信
頼性が増す。

【００７６】

【発明の実施の形態】本発明においては、前記第１導電
層を下層の配線、電極パッド又は電極とするのが望まし
い。

【００７７】又、絶縁層表面の平坦化のために、回路素
子に接続された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記
第２導電層によって前記絶縁層の表面の高さまで埋め込
むのが望ましい。

【００７８】又、回路素子を接続固定した配線基板に形
成された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導
電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込む
のが望ましい。

【００７９】又、絶縁層表面に平坦化のために、前記回
路素子に接続された前記第１導電層上の前記接続孔を、
前記第２導電層によって前記絶縁層の表面の高さまで埋
め込むのが望ましい。

【００８０】又、回路素子を接続固定した配線基板に形
成された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導
電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込
み、更にこの第２導電層上にて第４の導電層を前記絶縁
層の表面の高さまで埋め込むのが望ましい。

【００８１】又、前記回路素子を前記第３導電層によっ
て前記配線基板に接続するのが望ましい。

【００８２】又、前記絶縁層に対してレーザ光照射によ
って前記接続孔を形成するのが望ましい。

【００８３】又、前記第２導電層の形成を無電解メッキ
法によって行うのが望ましい。

【００８４】又、前記第３導電層又は／及び前記第４導
電層を導電材料の物理的成膜法又はメッキ法によって形
成するのが望ましい。

【００８５】又、前記回路素子を発光素子とするのが望
ましい。

【００８６】又、画像表示装置又は光源装置を構成する
のが望ましい。

【００８７】次に、本発明の好ましい実施の形態を図面
の参照下に具体的に説明する。

【００８８】第１の実施の形態 図１及び図２は、本発明の第１の実施の形態を示すもの
である。

【００８９】本実施の形態においては、発光ダイオード
素子５２に接続する電極パッド５６、電極パッド５７及
び電極層７７の材質にアルミニウム（Ａｌ）を使用する
以外は前述した工程と同様とする。先ず、前述の図６か
ら図１６までの工程は同様に行う。

【００９０】その後、図１に示すように、Ａｌからなる
電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の一部
が露出するように、レーザ光によって絶縁層７９にビア
ホール７０’を形成する。更に、このビアホール７０’
内に、Ｎｉを析出及び付着させる無電解Ｎｉメッキ処理
を行って、ビアホール７０’内に無電解Ｎｉメッキ層８
１を形成する。このＮｉメッキ層８１は、発光ダイオー
ド素子５２を埋め込んだ樹脂チップ５４上のビアホール
７０’は完全に埋めるように形成され、配線基板の電極
層７７上のビアホール７０’では途中深さまで形成され
る。

【００９１】ここで、電極パッド５６、電極パッド５７
及び電極層７７の材料としてＡｌを使用するのは、この
Ａｌがレーザ光に対してレーザ吸収能の低い材料である
ため、電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７
上に接続孔であるビアホール７０’を形成する際にレー
ザ光が照射されても、Ａｌからなる電極パッド５６、電
極パッド５７及び電極層７７等は、レーザ光の照射によ
る加熱によって変形等が生じ難いからである。

【００９２】又、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パ
ッド５７及び電極層７７上に無電解Ｎｉメッキ層８１の
形成を行う理由は次の通りである。例えば、これらの上
に直接電気メッキ等によってＣｕ層である配線８６を施
す際には、Ｃｕ層とＡｌ層との接続性を高めるために、
Ａｌ層上に酸を用いた前処理を行わなければないが、こ
の酸による前処理を行うとＡｌ層が腐食されてしまう。
そのために、この酸による前処理をしなくても、Ａｌ層
とＣｕ層とを直接接触させないように、Ａｌ層とＣｕ層
との間に、ＣｕとＡｌとの両方の金属と接続性のよい無
電解Ｎｉメッキ層８１を形成することによって、Ａｌ層
とその上のＣｕ層との間の接続性及び導電性を確保でき
るからである。

【００９３】この無電解Ｎｉメッキ層８１の形成は、下
記のメカニズムで進行する。

【００９４】例えば、無電解メッキ液に次亜リン酸塩を
還元剤として添加すると、Ｎｉの析出時に次のような反
応が生じる。 Ｎｉ²⁺＋Ｈ₂ＰＯ₂ ^-＋Ｈ₂Ｏ → Ｎｉ＋Ｈ₂ＰＯ₃ ^-＋２
Ｈ⁺ Ｈ₂ＰＯ₂ ^-＋Ｈ₂Ｏ → Ｈ₂ＰＯ₃ ^-＋Ｈ₂

【００９５】この場合、Ａｌからなる電極パッド５６、
電極パッド５７及び電極層７７上への無電解Ｎｉメッキ
処理は、前処理としてのジンケート処理を施した後に行
う。

【００９６】このジンケート処理は、Ｚｎイオンを含む
アルカリ溶液中で、ＡｌとＺｎとの置換反応によって、
Ａｌ表面に先ずＺｎ粒子が析出し、しかる後に、上記し
た還元反応時にＺｎとＮｉとが置換反応することにより
Ｎｉが析出する。その後は、この析出したＮｉが触媒的
な起点（シード）となり、次亜リン酸イオンによる還元
析出反応が進行する。

【００９７】このような工程を経て、図１のように、Ａ
ｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層
７７がビアホール７０’に露出する露出部にのみ、無電
解Ｎｉメッキ層８１が析出形成されて成長する。

【００９８】ここで、電極パッド５６及び電極パッド５
７上のビアホール７０’内では、無電解Ｎｉメッキ層８
１を成長形成させる高さを、絶縁層７９の表面と同じ高
さにすることにより、絶縁層７９の表面が比較的平坦化
され、次の配線工程において、ビアホール７０’の埋め
込み面と絶縁層７９との表面の段差がなくなり（電極パ
ッド５６、５７上）、或いは減少して（電極層７７
上）、図２に示す配線８６の形成が比較的容易になる。

【００９９】即ち、図１に示すように、樹脂チップ５４
の電極パッド５６及び電極パッド５７上のビアホール７
０’の深さと、配線基板上の電極層７７上のビアホール
７０’の深さとが異なるので、電極パッド５６及び電極
パッド５７上のビアホール７０’の深さに合わせて、配
線基板上の電極層７７上のビアホール７０’に無電解Ｎ
ｉメッキ層８１を形成する。

【０１００】次に、図２に示すように、絶縁層７９の上
部、電極パッド５６及び電極パッド５７上に設けられた
ビアホール７０’に埋め込まれた無電解Ｎｉメッキ層８
１、及び電極層７７上のビアホール７０’に被着された
無電解Ｎｉメッキ層８１上等に、スパッタ等の物理的成
膜法によりＣｕを被着し、これをフォトリソグラフィー
でパターニングしてＣｕ配線８６を形成する。

【０１０１】このように、本実施の形態においては、第
１導電層としての電極パッド５４及び５６、電極層７７
をアルミニウムによって形成するので、これらの上の絶
縁層７９にビアホール７０’をレーザ光照射で形成する
時にレーザ光に対する耐久性（低熱吸収率）を有するた
めに、レーザビアの形成に伴うダメージをなくし、かつ
アルミニウム層は１μｍと薄膜化しても耐久性を保持す
ることができる。

【０１０２】又、これらのアルミニウム層上に無電解ニ
ッケルメッキ層８１が形成されることにより、アルミニ
ウム層５４、５６、７７とＣｕ層８６との接続が十分と
なり、この接続に際して第１導電層の酸処理が不要とな
る。

【０１０３】更に、ビアホール７０’内に無電解ニッケ
ルメッキ層８１が形成されることにより、ビアホールの
深さがなくなるか或いは減少するため、その上にＣｕ層
８６を段切れなしに信頼性良く形成することができる。

【０１０４】即ち、無電解Ｎｉメッキ層８１の存在によ
って、絶縁層７９の表面が平坦化され、或いはビアホー
ル７０’の深さが浅くなって段差が少なくなるので、配
線８６の加工性及び被着性が良好となり、断線が生じな
い。

【０１０５】又、無電解Ｎｉメッキ層８１の存在によっ
て、金属の熱膨張で配線８６等に生じるストレスを緩和
できるために、断線が生じず、しかも配線の抵抗を下げ
ることもできる。仮に、無電解Ｎｉメッキ層８１を設け
ずに、Ｃｕ層８６を直接スパッタ等で形成する場合に
は、その厚みによって熱膨張でストレスが増大し、断線
し易くなる。

【０１０６】又、ビアホール７０’の埋め込みに電解メ
ッキを行わないので、電解メッキ層の形成用に必要な配
線等を形成しなくてもよい。なお、無電解Ｎｉメッキ層
８１の形成により、ビアホールの深さをコントロールし
易い。

【０１０７】レーザ光の照射により接続孔（ビア）を形
成する場合、そのサイズを微細化するために高出力で短
波長のＵＶ−ＹＡＧ、更にはエキシマレーザ等のレーザ
光で加工するときには、レーザ光によって形成されるビ
アホールとその底面の電極等のサイズも、微細パターン
化が求められるようになり、更に電極の厚さもより薄く
なるが、いずれの場合も、本実施の形態は効果的に適応
できるものとなる。

【０１０８】本実施の形態は、表示素子用の回路装置の
みならず、一般の電気回路基板にも適用できる。

【０１０９】即ち、ディスプレイ等の表示装置だけでな
く、プリント基板又はフレキシブル基板等にも本実施の
形態を適用できる。

【０１１０】第２の実施の形態 図３〜図５は、本発明の第２の実施の形態を示すもので
ある。

【０１１１】本実施の形態においては、発光ダイオード
素子５２に形成された電極パッド５６、電極パッド５７
及び電極層７７の材質にアルミニウム（Ａｌ）を使用す
る以外は前述の工程（図６から図１６までの工程）と同
様に行った後、図３に示すように、Ａｌからなる電極パ
ッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の接続用のビ
アホール７０’をレーザ光によって形成し、ここに無電
解Ｎｉメッキを行って無電解Ｎｉメッキ層８１を成長形
成する。

【０１１２】このような工程を経て、Ａｌからなる電極
パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７上のビアホ
ール７０’に、無電解Ｎｉメッキ層８１が形成されて成
長する。電極パッド５６及び電極パッド５７の接続用に
形成されたビアホール７０’内の無電解Ｎｉメッキ層８
１は、絶縁層７９の表面と同じ高さまで形成して成長さ
せることにより、絶縁層７９の表面が平坦化されると、
次の配線工程においては、絶縁層７９の表面の段差がほ
とんどなくなるので、配線形成が容易になる。

【０１１３】この場合、上述の第１の実施の形態と同様
に、樹脂チップ５４の電極パッド５６及び電極パッド５
７上のビアホール７０’の深さと、配線基板の電極層７
７上のビアホール７０’の深さとが異なるが、図３に示
すように、電極パッド５６及び電極パッド５７の深さ
（高さ）に合わせて、配線基板上の電極層７７への無電
解Ｎｉメッキ層８１の形成を行う。

【０１１４】次に、図４に示すように、樹脂チップ５４
（電極パッド５６、５７）上を図示省略したマスク材で
覆い、無電解Ｎｉメッキ層８１がある程度埋め込まれた
電極層７７上の凹部にパラジウム等による表面処理をし
た後に、再度無電解Ｎｉメッキを行うことにより、第４
導電層８０を絶縁層７９の表面まで形成してビアホール
７０’を完全に埋める。なお、このＮｉメッキに代え
て、無電解Ｎｉメッキ層８１を電極とした電解メッキ法
によりＣｕ電気メッキ層８０を形成してもよい。

【０１１５】しかる後に、上記マスク材を除去すれば、
電極パッド５６及び電極パッド５７上のメッキ層８１の
高さと電極層７７上のメッキ層８０の高さとを絶縁層７
９の表面高さに揃えることができるため、配線層８６を
フォトリソグラフィー技術により高精度に所定パターン
に形成することができる。この場合、絶縁層７９の表面
を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ：Chemical mechani
cal polishing）によって研磨することが望ましいこと
があるが、これは、そのような研磨によって、下地をよ
り平坦化できるために、配線層８６を一層形成し易いか
らである。

【０１１６】即ち、上記のように、樹脂チップ５４の電
極パッド５６及び電極パッド５７上にて無電解Ｎｉメッ
キ層８１を埋め込み、更に、この埋め込み面をフォトレ
ジストで選択的にマスクした後に、電極層７７上のビア
ホール７０’内の無電解Ｎｉメッキ層８１上に導電層８
０を形成し、更に図５に示すように、スパッタ法等によ
りＣｕ層を被着し、パターニングしてＣｕ配線８６を形
成する。

【０１１７】本実施の形態においても、上述の第１の実
施の形態と同様、第１導電層としての電極パッド５６及
び５７、電極層７７がアルミニウムによって形成されて
いるので、ビアホール７０’の形成時に生じるダメージ
に対する耐久性を薄膜化の場合であっても保持すること
ができる。

【０１１８】その他、第２導電層としての無電解ニッケ
ルメッキ層８１、８０の存在によって、アルミニウム層
５６、５７、７７とその上の第３導電層としてのＣｕ配
線８６との間の十分な接続が酸処理なしでも可能とな
り、しかも配線形成時の熱ストレスを一層抑え、断線の
発生を更に防止することができる。

【０１１９】更に、ビアホール７０’内に無電解ニッケ
ルメッキ層８１を形成し、更にこの上に導電層８０を埋
め込んでいるので、上記マスク材を除去した後の絶縁層
７９の表面が、樹脂チップ５４上だけでなく導電層７７
上も平坦化されるため、その上に配線層８６を段切れな
しに一層信頼性良く形成できる。

【０１２０】又、Ｃｕ層８０を電解Ｃｕメッキで形成す
る場合、電気メッキに必要である電極の役割を、ビアホ
ール７０’内に既に形成された無電解Ｎｉメッキ層８１
が担うことができるので、別個に電解Ｃｕメッキ専用の
電極を形成しなくてよい。

【０１２１】その他、本実施の形態においては、上述の
第１の実施の形態で述べたと同様の作用及び効果が生じ
る。

【０１２２】以上に述べた本発明の実施の形態は、本発
明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。

【０１２３】例えば、上記の実施の形態においては、レ
ーザビア及びそこへの無電解Ｎｉメッキは、発光ダイオ
ード素子５２からなる画素部に適用したが、本発明はこ
れ以外にも、周辺駆動回路にも同様に適用できる。

【０１２４】又、上記の実施の形態の電極取り出し構造
は、多層配線構造における上下の配線の接続に適用して
もよい。

【０１２５】又、上記の実施の形態は、発光ダイオード
素子に関するものであるが、他の任意の素子にも適用す
ることができ、例示するならば、半導体レーザ素子、液
晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジス
タ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング
素子、微小磁気素子、微小光学素子等、及びこれらを有
する発光表示装置等の電気回路装置に適用することがで
きる。

【０１２６】又、各電極パッド５６、５７及び電極層７
７等の材質は、Ａｌ単体としたが、例えばＡｌ−Ｓｉ等
のＡｌ合金を使用してもよく、また無電解Ｎｉメッキ層
８１の材質もＮｉ単体だけでなくＮｉ合金を使用しても
よく、更に配線８６の材質もＣｕ単体だけでなくＣｕ合
金、更には他の導電材料を使用してもよい。

【０１２７】又、樹脂チップの構造、特に電極取り出し
構造をはじめ、各工程時におけるレーザ光の種類、照射
量、照射時間及び照射位置等は、所定の効果が有れば、
任意に変えてよい。

【０１２８】

【発明の作用効果】本発明は、上述したように、第１導
電層がアルミニウム系によって形成されているので、こ
の導電層は接続孔の形成時に生じるダメージに対する耐
久性を有するために、第１導電層のダメージを軽減し、
第１導電層を薄膜化しても耐久性を保持することができ
る。

【０１２９】又、第１導電層と第３導電層との間にニッ
ケル系の第２導電層が形成されることにより、第１導電
層と第３導電層との間の接続が可能となり、この接続に
際して第１導電層の酸処理が不要となり、第１導電層が
第２導電層で保護された状態で第３導電層との接続が良
好となる。

【０１３０】更に、接続孔内にニッケル系の第２導電層
が形成されることにより、接続孔の深さが減少するた
め、その上に設ける第３導電層の段切れがなくなり、信
頼性が増す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態において、ビアホー
ルに無電解Ｎｉメッキ層を埋め込む工程の断面図であ
る。

【図２】同、配線を形成する工程の断面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態において、ビアホー
ルに無電解Ｎｉメッキ層を埋め込む工程の断面図であ
る。

【図４】同、ビアホールに更にメッキ層を埋め込む工程
の断面図である。

【図５】同、配線を形成する工程の断面図である。

【図６】先願発明において、樹脂層にレーザ光を照射す
る工程の断面図である。

【図７】同、発光ダイオード素子を樹脂層に転写する工
程の断面図である。

【図８】同、発光ダイオード素子を樹脂層に転写した状
態の断面図である。

【図９】同、発光ダイオード素子を樹脂層に埋設する工
程の断面図である。

【図１０】同、発光ダイオード素子を樹脂層に埋設した
状態の断面図である。

【図１１】同、発光ダイオード素子を埋設した樹脂層に
レーザ光を照射して更に転写する工程の断面図である。

【図１２】同、転写後の樹脂層を電極パッド形成後に分
離する工程の断面図である。

【図１３】同、樹脂チップをピックアップする工程の断
面図である。

【図１４】同、樹脂チップを配線回路基板にボンディン
グする工程の断面図である。

【図１５】同、絶縁層で被覆した画像表示装置の断面図
である。

【図１６】同、ビアホールを形成した状態の断面図であ
る。

【図１７】同、配線を形成した状態の断面図である。

【図１８】同、発光ダイオード素子の断面図及び平面図
である。

【図１９】同、樹脂チップの斜視図である。

【図２０】同、樹脂チップの平面図である。

【図２１】同、３色の発光ダイオード素子を用いた画像
表示装置の一部分の平面図である。

【符号の説明】

１１…ガラス基板、１２…第１配線層、１３…第２配
線、２１…下地成長層、２２…ＧａＮ：Ｓｉ層、２３…
ＩｎＧａＮ層、２４…ＧａＮ：Ｍｇ層、２５…ｐ電極、
２６…ｎ電極、５０…第１基板、５１…第１の一時保持
用部材、５２…発光ダイオード素子、５２Ｒ…赤色発光
ダイオード素子、５２Ｇ…緑色発光ダイオード素子、５
２Ｂ…青色発光ダイオード素子、５３…樹脂層、５４…
樹脂チップ、５５…第２基板、５６、５７…電極パッ
ド、６０…第２の剥離層、６２ｇ…溝、６４…第１の剥
離層、６７…第２の一時保持用部材、７０、７０’…ビ
アホール、７１…素子分離溝、７２…金属板、７３…吸
着装置、７４…吸着チャンバ、７５…吸着孔、７６…接
着剤層、７７…電極層、７８…黒クロム層、７９…絶縁
層、８０…メッキ層、８１…無電解Ｎｉメッキ層、８２
…軟質部、８４…加圧手段、８６…配線、９３…ビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C094 AA08 AA43 AA48 BA12 BA25 CA19 CA24 DA13 DA15 DB01 DB02 EA10 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10 5F033 HH09 HH11 HH12 JJ07 KK08 PP15 PP27 PP28 QQ37 QQ48 QQ54 XX02 XX18 5F041 AA42 AA44 CA34 CA40 CA74 CA77 DA14 DA20 FF06

Claims (38)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミニウム系の第１導電層上に絶縁層
   を形成する工程と、 前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔を形成す
   る工程と、 前記接続孔内にニッケル系の第２導電層を形成する工程
   と、 前記第２導電層上に第３の導電層を形成する工程とを有
   する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１導電層を下層の配線、電極パッ
   ド又は電極とする、請求項１に記載の多層配線構造又は
   電極取り出し構造の製造方法。
3. 【請求項３】 回路素子に接続された前記第１導電層上
   の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶縁層の
   表面の高さまで埋め込む、請求項１に記載の多層配線構
   造又は電極取り出し構造の製造方法。
4. 【請求項４】 回路素子を接続固定した配線基板に形成
   された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導電
   層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込む、
   請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記回路素子に接続された前記第１導電
   層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶縁
   層の表面の高さまで埋め込む、請求項４に記載の多層配
   線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
6. 【請求項６】 回路素子を接続固定した配線基板に形成
   された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導電
   層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込み、
   更にこの第２導電層上にて第４の導電層を前記絶縁層の
   表面の高さまで埋め込む、請求項１に記載の多層配線構
   造又は電極取り出し構造の製造方法。
7. 【請求項７】 前記回路素子を前記第３導電層によって
   前記配線基板に接続する、請求項４〜６のいずれかに記
   載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
8. 【請求項８】 前記絶縁層に対してレーザ光照射によっ
   て前記接続孔を形成する、請求項１に記載の多層配線構
   造又は電極取り出し構造の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第２導電層の形成を無電解メッキ法
   によって行う、請求項１に記載の多層配線構造又は電極
   取り出し構造の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第３導電層又は／及び前記第４導
    電層を導電材料の物理的成膜法又はメッキ法によって形
    成する、請求項１又は６に記載の多層配線構造又は電極
    取り出し構造の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記回路素子を発光素子とする、請求
    項３に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造
    方法。
12. 【請求項１２】 回路素子に接続されるか、或いは／並
    びに、下層の配線を形成しているアルミニウム系の第１
    導電層上に絶縁層を形成する工程と、 前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔を形成す
    る工程と、 前記接続孔内にニッケル系の第２導電層を形成する工程
    と、 前記第２導電層上に第３の導電層を形成する工程と、 前記回路素子を前記第３導電層によって配線基板に接続
    する工程とを有する、電気回路装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第１導電層を下層の配線、電極パ
    ッド又は電極とする、請求項１２に記載の電気回路装置
    の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記回路素子に接続された前記第１導
    電層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶
    縁層の表面の高さまで埋め込む、請求項１２に記載の電
    気回路装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 回路素子を接続固定した配線基板に形
    成された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導
    電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込
    む、請求項１２に記載の電気回路装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記回路素子に接続された前記第１導
    電層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶
    縁層の表面の高さまで埋め込む、請求項１５に記載の電
    気回路装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 回路素子を接続固定した配線基板に形
    成された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導
    電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込
    み、更にこの第２導電層上にて第４の導電層を前記絶縁
    層の表面の高さまで埋め込む、請求項１２に記載の電気
    回路装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記絶縁層に対してレーザ光照射によ
    って前記接続孔を形成する、請求項１２に記載の電気回
    路装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記第２導電層の形成を無電解メッキ
    法によって行う、請求項１２に記載の電気回路装置の製
    造方法。
20. 【請求項２０】 前記第３導電層又は／及び前記第４導
    電層を導電材料の物理的成膜法又はメッキ法によって形
    成する、請求項１２又は１７に記載の電気回路装置の製
    造方法。
21. 【請求項２１】 前記回路素子を発光素子とする、請求
    項１２に記載の電気回路装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 画像表示装置又は光源装置を製造す
    る、請求項１２に記載の電気回路装置の製造方法。
23. 【請求項２３】 アルミニウム系の第１導電層上に絶縁
    層が形成され、 前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔が形成さ
    れ、 前記接続孔内にニッケル系の第２導電層が形成され、 前記第２導電層上に第３の導電層が形成されている多層
    配線構造又は電極取り出し構造。
24. 【請求項２４】 前記第１導電層が下層の配線、電極パ
    ッド又は電極である、請求項２３に記載の多層配線構造
    又は電極取り出し構造。
25. 【請求項２５】 回路素子に接続された前記第１導電層
    上の前記接続孔が、前記第２導電層によって前記絶縁層
    の表面の高さまで埋め込まれている、請求項２３に記載
    の多層配線構造又は電極取り出し構造。
26. 【請求項２６】 回路素子を接続固定した配線基板に形
    成された前記第１導電層上の前記接続孔が、前記第２導
    電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込ま
    れている、請求項２３に記載の多層配線構造又は電極取
    り出し構造。
27. 【請求項２７】 前記回路素子に接続された前記第１導
    電層上の前記接続孔が、前記第２導電層によって前記絶
    縁層の表面の高さまで埋め込まれている、請求項２６に
    記載の多層配線構造又は電極取り出し構造。
28. 【請求項２８】 回路素子を接続固定した配線基板に形
    成された前記第１導電層上の前記接続孔が、前記第２導
    電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込ま
    れ、更にこの第２導電層上にて第４の導電層が前記絶縁
    層の表面の高さまで埋め込まれている、請求項２３に記
    載の多層配線構造又は電極取り出し構造。
29. 【請求項２９】 前記回路素子が前記第３導電層によっ
    て前記配線基板に接続される、請求項２６〜２８のいず
    れかに記載の多層配線構造又は電極取り出し構造。
30. 【請求項３０】 前記回路素子が発光素子である、請求
    項２５に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造。
31. 【請求項３１】 回路素子に接続されるか、或いは／並
    びに、下層の配線を形成しているアルミニウム系の第１
    導電層上に絶縁層が形成され、 前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔が形成さ
    れ、 前記接続孔内にニッケル系の第２導電層が形成され、 前記第２導電層上に第３の導電層が形成され、 前記回路素子が前記第３導電層によって配線基板に接続
    されている電気回路装置。
32. 【請求項３２】 前記第１導電層が下層の配線、電極パ
    ッド又は電極である、請求項３１に記載の電気回路装
    置。
33. 【請求項３３】 回路素子に接続された前記第１導電層
    上の前記接続孔が、前記第２導電層によって前記絶縁層
    の表面の高さまで埋め込まれている、請求項３１に記載
    の電気回路装置。
34. 【請求項３４】 回路素子を接続固定した配線基板に形
    成された前記第１導電層上の前記接続孔が、前記第２導
    電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込ま
    れている、請求項３１に記載の電気回路装置。
35. 【請求項３５】 前記回路素子に接続された前記第１導
    電層上の前記接続孔が、前記第２導電層によって前記絶
    縁層の表面の高さまで埋め込まれている、請求項３４に
    記載の電気回路装置。
36. 【請求項３６】 回路素子を接続固定した配線基板に形
    成された前記第１導電層上の前記接続孔が、前記第２導
    電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込ま
    れ、更にこの第２導電層上にて第４の導電層が前記絶縁
    層の表面の高さまで埋め込まれている、請求項３１に記
    載の電気回路装置。
37. 【請求項３７】 前記回路素子が発光素子である、請求
    項３１に記載の電気回路装置。
38. 【請求項３８】 画像表示装置又は光源装置を構成す
    る、請求項３１に記載の電気回路装置。