JP2011040535A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】第２電極の特にカバーメタルを高い信頼性、高い精度をもって形成することを可能とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、積層構造体２０を構成する第２電極３０を、（ａ）第２化合物半導体層２２上に、銀を含む第１層３１及びアルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３を形成した後、（ｂ）第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３上に亜鉛層３４ａを析出させ、次いで、（ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す各工程に基づき形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光素子は、例えば、半導体発光素子製造用基板（以下、単に、基板１０と呼ぶ場合がある）上に、ｎ型導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、ｐ型導電型を有する第２化合物半導体層２２が、順次、積層された凸状の積層構造体２０から成る発光部を有する。そして、基板１０あるいは露出した第１化合物半導体層２１の部分２１ａには第１電極（ｎ側電極）１４０が設けられ、第２化合物半導体層２２の頂面には第２電極（ｐ側電極）１３０が設けられている。このような半導体発光素子は、活性層２３からの光が第２化合物半導体層２２を介して出射される形式の半導体発光素子と、活性層２３からの光が第１化合物半導体層２１を介して出射される形式（便宜上、ボトム・エミッション型と呼ぶ）の半導体発光素子の２種類に分類することができる。

従来のボトム・エミッション型の半導体発光素子にあっては、発光効率を高く維持するために、通常、図９に示すように、第２電極１３０には活性層２３からの可視光を反射する反射電極が多く用いられている。反射電極としての第２電極１３０は、例えば、下から、銀（Ａｇ）から成る下層１３１、及び、ニッケル（Ｎｉ）から成る上層（カバーメタル）１３２から構成されている（例えば、C. H. Chou, et. al., "High thermally stable Ni/Ag(Al) alloy contacts on p-GaN", Applied Physics Letters 90, 022102 (2007) 参照）。上層１３２は下層１３１を被覆している。ここで、下層１３１を銀（Ａｇ）から構成することで、高い光反射率を達成することができる。また、上層１３２をニッケル（Ｎｉ）から構成することで、下層１３１の酸化による劣化を防止し、また、マイグレーションの発生を防止している。尚、図中、参照番号１４１は絶縁層を示し、参照番号１４２Ａ，１４２Ｂはコンタクト部を示す。

通常、上層１３２は、リフトオフ法で形成される。即ち、下層１３１を形成した後、上層１３２を形成すべき部分に開口部１５１を有するレジスト層１５０を、フォトリソグラフィ技術に基づき形成する（図１０の（Ａ）参照）。次いで、全面に、例えば、真空蒸着法にて上層１３２を形成し（図１０の（Ｂ）参照）、その後、レジスト層１５０及びその上の上層１３２を除去することで、図９に示す第２電極構造を得ることができる。

C. H. Chou, et. al., "High thermally stable Ni/Ag(Al) alloy contacts on p-GaN", Applied Physics Letters 90, 022102 (2007)

しかしながら、このようなリフトオフ法に基づく上層（カバーメタル）１３２の形成にあっては、レジスト層１５０における開口部１５１の形成精度に問題が生じたり、大きな位置合わせ裕度が要求され、また、上層１３２による下層１３１の酸化防止やマイグレーションの発生防止を効果的に行えない場合がある。特に、半導体発光素子の大きさが微細になると、第２電極（ｐ側電極）１３０も微細となるが故に、これらの問題が顕著になる。

従って、本発明の目的は、第２電極の特にカバーメタルを高い信頼性、高い精度をもって形成することを可能とする半導体発光素子の製造方法、係る方法に基づき得られた半導体発光素子を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子の製造方法は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
第２電極を、
（ａ）第２化合物半導体層上に、銀を含む第１層及びアルミニウムを含む第２層から構成された第２電極構造体を形成した後、
（ｂ）第２電極構造体にジンケート処理を施して、第２電極構造体上に亜鉛層を析出させ、次いで、
（ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す、
各工程に基づき形成する。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様及び第２の態様に係る本発明の半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
を備えており、
第２電極は、
第２化合物半導体層側から、銀を含む第１層、及び、アルミニウムを含む第２層から構成された第２電極構造体、並びに、
第２電極構造体の頂面及び側面上に形成されたニッケル層、
から構成されている。

そして、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、更に、第２電極構造体の頂面及び側面とニッケル層との間に、亜鉛を含む領域を有する。また、本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、ニッケル層は、第２電極構造体へのジンケート処理に基づく第２電極構造体上における亜鉛層の析出、並びに、それに引く続く無電解ニッケルメッキ処理によって形成される。

上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る本発明の半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
（Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
を備えており、
第２電極は、
第２化合物半導体層側から、活性層からの光を反射し、導電材料から成る光反射層、及び、光反射層に含まれる金属とは異なる金属を含む第１シード層が積層されて成る第２電極構造体、並びに、
第２電極構造体の頂面及び側面上に形成され、光反射層及び第１シード層に含まれる金属とは異なる金属を含むメッキ層、
から構成されており、
第２電極は、更に、第２電極構造体とメッキ層との間に位置し、光反射層、第１シード層及びメッキ層に含まれる金属とは異なる金属を含む第２シード領域を有する。

本発明の半導体発光素子あるいはその製造方法にあっては、第２電極構造体の頂面及び側面上にはニッケル層あるいはメッキ層が形成されている。即ち、第２電極構造体全体は、カバーメタルとしてのニッケル層あるいはメッキ層によって被覆されている。このニッケル層あるいはメッキ層は、第２電極構造体に対して自己整合的に形成される。従って、形成精度に問題が生じることが無いし、位置合わせ裕度を考慮する必要も無い。しかも、第２電極構造体全体をニッケル層あるいはメッキ層によって確実に被覆することができるが故に、第２電極構造体の酸化、マイグレーションの発生を確実に防止することができ、高い信頼性を有する半導体発光素子を提供することができる。特に、半導体発光素子の大きさが微細になると、第２電極も微細となるが故に、本発明は顕著な効果を奏する。

図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の模式的な断面図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための積層構造体等の模式的な一部断面図である。 図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２の（Ｂ）に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための積層構造体等の模式的な一部断面図である。 図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の画像表示装置の作製方法を説明するための半導体発光素子等の模式的な一部断面図である。 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の（Ｂ）に引き続き、実施例２の画像表示装置の作製方法を説明するための半導体発光素子等の模式的な一部断面図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｂ）に引き続き、実施例２の画像表示装置の作製方法を説明するための半導体発光素子等の模式的な一部断面図である。 図７は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例２の画像表示装置の作製方法を説明するための半導体発光素子等の模式的な一部断面図である。 図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例３及び実施例４の半導体発光素子の模式的な断面図である。 図９は、従来の半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、図９に示した従来の半導体発光素子の製造工程の一部を示す基板等の模式的な一部断面図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本発明の半導体発光素子及びその製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の半導体発光素子及びその製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の別の変形）
６．実施例５（実施例１の別の変形）
７．実施例６（実施例１の別の変形、その他）

［本発明の半導体発光素子及びその製造方法、全般に関する説明］
本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、
前記工程（ｂ）において、第２電極構造体にジンケート処理を施して、第２電極構造体の頂面及び側面上に亜鉛層を析出させ、
前記工程（ｃ）において、第２電極構造体の頂面及び側面に無電解ニッケルメッキを施し、以て、第２電極構造体の頂面及び側面上にニッケル層（無電解ニッケルメッキ層）を形成する形態とすることができる。

そして、このような好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ａ）と工程（ｂ）の間において、第２電極構造体に酸素プラズマ処理を施す工程を含むことができ、これによって、第２電極構造体の表面が均一に酸化される結果、ジンケート処理によって析出される亜鉛層の均一化を図ることができる。更には、このような工程、上記の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ｂ）と工程（ｃ）の間において、前記工程（ｂ）でのジンケート処理にて析出した亜鉛層を除去した後、第２電極構造体に第２回目のジンケート処理を施して、第２電極構造体の頂面及び側面上に亜鉛層を析出させる構成とすることができ、この場合、前記工程（ｂ）と工程（ｃ）の間において、前記工程（ｂ）でのジンケート処理にて析出した亜鉛層を酸を用いて除去する構成とすることができる。工程（ｂ）でのジンケート処理にて析出した亜鉛層を、一旦、除去した後、第２回目のジンケート処理を施すことによって、第２電極構造体とニッケル層とのより高い密着性及び均一性を得ることができる。ここで、亜鉛層を除去するための酸として、硫酸、硝酸等の、銀を含む第１層及びアルミニウムを含む第２層から構成された第２電極構造体に損傷を生じさせない酸を用いることが望ましい。

以上に説明した好ましい形態、構成、工程を含む本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ａ）において、第１層、マイグレーション・ブロック層、及び、第２層から構成された第２電極構造体を形成する形態とすることができる。また、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２電極構造体において、第１層と第２層の間にマイグレーション・ブロック層が設けられている形態とすることができる。このように、第１層と第２層の間にマイグレーション・ブロック層を設けることによって、第１層を構成する銀原子がマイグレーションすることを抑制することができる。マイグレーション・ブロック層は、例えば、白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）から構成することができる。

あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成、工程を含む本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ａ）において、第２層と接する合金化層を形成した後、熱処理を施すことで、第２層に含まれるアルミニウムと合金化層に含まれる金属との間の合金化を促し、以て、アルミニウム合金から成る第２層を得る形態とすることができる。また、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２層はアルミニウム合金から成る形態とすることができる。このように、第２層をアルミニウム合金から構成することで、ジンケート処理におけるアルミニウム（Ａｌ）が亜鉛（Ｚｎ）によって置換される早さ（置換速度）を抑制することができ、均一な亜鉛層の形成、更には、ニッケル層（無電解ニッケルメッキ層）の異常析出や析出形状異常の発生を防止でき、均一なニッケル層（無電解ニッケルメッキ層）を形成することができる。また、置換速度を抑制することで、第１層への悪影響（第１層を構成する銀が溶出したり、第１層がサイド・エッチングされるといった現象の発生）を無くすことができる。合金化層を構成する材料として、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）を挙げることができる。合金化層は第２層の直下に形成してもよいし、第２層の直上に形成してもよい。

あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成、工程を含む本発明の半導体発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ａ）において、第２層上に被覆層を形成し、以て、第１層、第２層及び被覆層から成る第２電極構造体を得た後、前記工程（ｂ）において、第２電極構造体にジンケート処理を施して、第２電極構造体の頂面及び側面上に亜鉛層を析出させる形態とすることができる。また、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２電極構造体において、第２層の頂面に被覆層が設けられている形態とすることができる。このように、第２層の頂面に被覆層を設けることによっても、ジンケート処理におけるアルミニウム（Ａｌ）が亜鉛（Ｚｎ）によって置換される置換量を制限することができ、均一な亜鉛層の形成、更には、ニッケル層（無電解ニッケルメッキ層）の異常析出や析出形状異常の発生を防止でき、均一な無電解ニッケルメッキ層を形成することができる。また、置換量を制限することで、第１層への悪影響（第１層を構成する銀が溶出したり、第１層がサイド・エッチングされるといった現象の発生）を無くすことができる。被覆層を構成する材料として、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等、ジンケート処理により亜鉛が析出しない金属を挙げることができる。

以上に説明した好ましい形態、構成、工程を含む本発明の半導体発光素子の製造方法（以下、これらを総称して、『本発明の製造方法』と呼ぶ）にあっては、前記工程（ａ）と工程（ｂ）の間において、第２電極構造体に対して、周知の酸化被膜除去処理を施す工程を含めることができる。

以上に説明した好ましい形態、構成、工程を含む本発明の半導体発光素子の製造方法、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体発光素子、本発明の第３の態様に係る半導体発光素子（以下、これらを総称して、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある）においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とすればよいが、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。

本発明の第３の態様に係る半導体発光素子において、光反射層に含まれる金属として銀（Ａｇ）を挙げることができるし、第１シード層に含まれる金属としてアルミニウム（Ａｌ）を挙げることができるし、メッキ層に含まれる金属としてニッケル（Ｎｉ）を挙げることができるし、第２シード領域に含まれる金属として亜鉛（Ｚｎ）を挙げることができる。

本発明において、ジンケート処理それ自体は、周知のジンケート処理とすることができる。ジンケート処理においては、ジンケート処理液に第２電極構造体（あるいは第２電極構造体を含む積層構造体、全体）を浸漬することで、アルミニウムが亜鉛によって置換され、亜鉛層が析出する。そして、この亜鉛層は、第２層を被覆するだけでなく、第１層（具体的には、露出した第１層の側面）をも被覆する。また、第２層上に被覆層を形成した場合にあっても、亜鉛層は、露出した第２層の側面を被覆するだけでなく、第１層（具体的には、露出した第１層の側面）、並びに、被覆層の頂面及び側面をも被覆する。即ち、第２電極構造体全体が亜鉛層によって被覆される。第２電極構造体への無電解ニッケルメッキによって、亜鉛がニッケルによって置換され、ニッケル層が析出し、亜鉛層のかなりの部分は消滅するが、最終的に亜鉛層は残される。但し、残された亜鉛層は、層状の部分もあれば、島状となっている部分もあるので、『亜鉛を含む領域』と表現する。

本発明において、第１層あるいは光反射層は、具体的には、純銀層あるいは銀合金層から成る。ここで、銀合金として、インジウム（Ｉｎ）を１重量％以下含有する銀合金；パラジウムを０．１重量％乃至１０重量％含有し、且つ、銅、アルミニウム、金、白金、タンタル、クロム、チタン、ニッケル、コバルト及びケイ素から構成された群から選択された少なくとも１種類の元素を０．１重量％乃至３重量％含有する銀合金を例示することができる。また、第２層あるいは第１シード層は、具体的には、純アルミニウム層あるいはアルミニウム合金層から成る。ここで、アルミニウム合金として、Ａｌ／Ａｕ以外にも、Ａｌ／Ｃｕ、Ａｌ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｃを例示することができる。

第１層と第２化合物半導体層との間に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）から成る密着層を形成してもよい。但し、密着層の形成は必須ではない。

被覆層、合金化層、密着層を含む第２電極構造体は、各種のＰＶＤ法、各種のＣＶＤ法によって形成することができる。ここで、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着法、パルス・レーザ・デポジッション（ＰＬＤ法）等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタ法、直流スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法等の各種スパッタ法、（ｄ）ＤＣ（Direct Current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、ＨＣＤ（Hollow Cathode Discharge）法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法、（ｅ）ＩＶＤ法（イオン・ベーパー・デポジション法）を挙げることができる。また、ＣＶＤ法として、常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法を挙げることができる。第２電極構造体を構成する第１層及び第２層等を、順次、成膜した後、第２層、第１層等をパターニングすることで、第２電極構造体を得ることもできるし、所謂リフトオフ法に基づき第２電極構造体を得ることもできる。

本発明にあっては、第１電極として、例えば、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＭｏ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、（Ｔｉ／）ＴｉＷ／Ｐｔ／Ａｕ、（Ｔｉ／）ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ、アルミニウム合金、ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層に近いところに位置する。あるいは又、第１電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。第１電極は、第１化合物半導体層に電気的に接続されているが、第１電極を第１化合物半導体層上に形成してもよいし、導体発光素子製造用基板が導電性を有している場合、導体発光素子製造用基板上に第１電極を形成してもよい。第１電極や第２電極（これらの電極の延在部を含む）に対して、必要に応じて、例えば、Ｔｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層等といった［接着層（Ｔｉ層やＣｒ層等）］／［バリアメタル層（Ｐｔ層、Ｎｉ層、ＴｉＷ層やＭｏ層等）］／［実装に対して融和性の良い金属層（例えばＡｕ層）］のような積層構成とした多層メタル層から成る接続層やコンタクト部（パッド部）を設けてもよい。第１電極や接続層、コンタクト部（パッド部）は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といった各種のＰＶＤ法、各種のＣＶＤ法、メッキ法によって形成することができる。

半導体発光素子の製造にあっては、半導体発光素子製造用基板を使用するが、半導体発光素子製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、サファイア基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、ＡｌＮ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ₂基板、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄基板、ＩｎＰ基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。

本発明において、半導体発光素子は半導体発光素子製造用基板上に設けられるが、半導体発光素子製造用基板は、最終的に除去される場合もあるし、残される場合もある。また、半導体発光素子の最終形態として、支持基板や実装用基板に実装されている形態を挙げることもできる。支持基板や実装用基板として、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板、プラスチックフィルムを挙げることができる。支持基板や実装用基板に配線を設け、第２電極あるいは第１電極を配線に接続してもよい。

本発明において、活性層を含む各種化合物半導体層として、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶を含む）、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体を例示することができる。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。

化合物半導体層を形成するためのＭＯＣＶＤ法におけるガスとして、周知のガス、例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスやトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガス、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガス、アルシン（ＡｓＨ₃）等を挙げることができるし、例えば、窒素源ガスとしてアンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。また、例えば、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）として、ケイ素（Ｓｉ）を添加する場合にはＳｉ源としてモノシランガス（ＳｉＨ₄ガス）を用いればよいし、セレン（Ｓｅ）を添加する場合にはＳｅ源としてＨ₂Ｓｅガスを用いればよい。一方、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）として、マグネシウム（Ｍｇ）を添加する場合には、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ₂Ｍｇ）を用いればよいし、亜鉛（Ｚｎ）を添加する場合には、Ｚｎ源としてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）を用いればよい。尚、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）として、Ｓｉ以外に、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｃ、Ｔｉを挙げることができるし、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）として、Ｍｇ以外に、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｏを挙げることができる。また、赤色発光半導体発光素子の製造にあっては、使用するガスとして、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩ）、ホスフィン（ＰＨ₃）、アルシン、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）、Ｈ₂Ｓ、セレン化水素（Ｈ₂Ｓｅ）、ビスシクロペンタンジエチル亜鉛を例示することができる。

本発明において、半導体発光素子として、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）を構成することができる。ここで、発光ダイオードの大きさ、具体的には、活性層の面積Ｓ₁として、３×１０^-11ｍ²≦Ｓ₁≦３×１０^-7ｍ²、好ましくは、１×１０^-10ｍ²≦Ｓ₁≦１×１０^-9ｍ²を例示することができる。本発明においては、第１化合物半導体層を介して活性層からの光が外部に出射される形態とすることが望ましい。

本発明において、半導体発光素子は、上述したとおり、実装用基板に実装されていてもよく、この場合、実装用基板に実装すべき半導体発光素子は複数であり、半導体発光素子を備えた製品に要求される仕様や用途、機能等に応じて、半導体発光素子の数、種類、実装（配置）、間隔等を決めればよい。実装用基板に半導体発光素子を実装することで得られる製品として、例えば、画像表示装置、半導体発光素子を用いたバックライト、照明装置を挙げることができる。赤色発光半導体発光素子（赤色発光ダイオード）、緑色発光半導体発光素子（緑色発光ダイオード）及び青色発光半導体発光素子（青色発光ダイオード）として、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いたものを用いることができ、赤色発光半導体発光素子（赤色発光ダイオード）として、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いたものを用いることもできる。更には、半導体発光素子によって、具体的には、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）以外にも、端面発光型の半導体レーザ、面発光レーザ素子（垂直共振器レーザ、ＶＣＳＥＬ）を構成することができる。

実施例１は、本発明の半導体発光素子の製造方法、本発明の第１の態様〜第３の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１における半導体発光素子１は、具体的には、発光ダイオードから成る。

図１の（Ａ）及び（Ｂ）に模式的な断面図を示すように、実施例１の半導体発光素子１は、
（Ａ）第１導電型（具体的には、実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、第１化合物半導体層２１上に形成され、化合物半導体層から成る活性層２３、及び、活性層２３上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型（具体的には、実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２から構成された積層構造体（発光部）２０、
（Ｂ）第１化合物半導体層２１に電気的に接続された第１電極（ｎ側電極）４０、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層２２上に形成された第２電極（ｐ側電極）３０、
を備えている。ここで、第２電極３０は、
第２化合物半導体層側から、銀を含む第１層３１、及び、アルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３、並びに、
第２電極構造体３３の頂面及び側面上に形成されたニッケル層３５、
から構成されている。尚、図１の（Ｂ）は、図１の（Ａ）に示した半導体発光素子を支持基板に取り付けた状態を示している。

そして、更に、第２電極構造体３３の頂面及び側面とニッケル層３５との間に、亜鉛を含む領域３４ａを有する。あるいは又、ニッケル層３５は、第２電極構造体３３へのジンケート処理に基づく第２電極構造体３３上における亜鉛層３４の析出、並びに、それに引く続く無電解ニッケルメッキ処理によって形成される。

あるいは又、実施例１の半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型（ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、第１化合物半導体層２１上に形成され、化合物半導体層から成る活性層２３、及び、活性層２３上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型（ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２から構成された積層構造体２０、
（Ｂ）第１化合物半導体層２１に電気的に接続された第１電極（ｎ側電極）４０、並びに、
（Ｃ）第２化合物半導体層２２上に形成された第２電極（ｐ側電極）３０、
を備えている。そして、第２電極３０は、
第２化合物半導体層側から、活性層２３からの光を反射し、導電材料から成る光反射層３１、及び、光反射層３１に含まれる金属とは異なる金属を含む第１シード層３２が積層されて成る第２電極構造体３３、並びに、
第２電極構造体３３の頂面及び側面上に形成され、光反射層３１及び第１シード層３２に含まれる金属とは異なる金属を含むメッキ層３５、
から構成されており、
第２電極３０は、更に、第２電極構造体３３とメッキ層３５との間に位置し、光反射層３１、第１シード層３２及びメッキ層３５に含まれる金属とは異なる金属を含む第２シード領域３４ａを有する。

ここで、光反射層３１に含まれる金属は銀（Ａｇ）であり、第１シード層３２に含まれる金属はアルミニウム（Ａｌ）であり、メッキ層３５に含まれる金属はニッケル（Ｎｉ）であり、第２シード領域３４ａに含まれる金属は亜鉛（Ｚｎ）である。より具体的には、実施例１にあっては、第１層あるいは光反射層３１は純銀層から成り、第２層あるいは第１シード層３２は純アルミニウム層から成る。また、第１層３１と第２化合物半導体層２２との間に、ニッケル（Ｎｉ）から成る密着層３６が形成されている。

実施例１において、第１電極４０は、第１化合物半導体層２１の活性層２３と接する面とは反対側の面に形成されている。また、第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２を構成する化合物半導体は、Ａｌ_XＧａ_YＩｎ_1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｘ＋Ｙ≦１）、より具体的には、ＧａＮ系化合物半導体から構成されている。即ち、第１化合物半導体層２１はＳｉドープのＧａＮ（ＧａＮ：Ｓｉ）から成り、活性層２３はＩｎＧａＮ層（井戸層）及びＧａＮ層（障壁層）から成り、多重量子井戸構造を有する。また、第２化合物半導体層２２はＭｇドープのＧａＮ（ＧａＮ：Ｍｇ）から成る。そして、第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２が積層された積層構造体２０から、発光部が構成されている。更には、第１電極４０はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造の金属積層膜から成り、Ｔｉ膜及びＰｔ膜の厚さは例えばそれぞれ５０ｎｍ、Ａｕ膜の厚さは例えば２μｍである。そして、第１化合物半導体層２１を介して活性層２３からの光が外部に出射される。発光ダイオードの大きさ、具体的には、活性層２３の面積は、４×１０^-10ｍ²である。

以下、図面を参照して、実施例１の半導体発光素子１の製造方法を説明する。

［工程−１００Ａ］
先ず、半導体発光素子製造用基板１０の主面に、第１導電型を有する第１化合物半導体層２１Ａ、活性層２３Ａ、及び、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層２２Ａを、順次、形成する。尚、第１化合物半導体層２１Ａ、活性層２３Ａ、及び、第２化合物半導体層２２Ａは、パターニング前の状態にあるので、参照番号の末尾にアルファベット「Ａ」を付している。以下の説明における各層を表示する参照番号も同様とする。

具体的には、サファイアから成る半導体発光素子製造用基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素から成るキャリアガス中、基板温度１０５０゜Ｃで１０分間の基板クリーニングを行った後、基板温度を５００゜Ｃまで低下させる。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、窒素原料であるアンモニアガスを供給しながら、ガリウム原料であるトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスの供給を行い、ＧａＮから成る下地層１１を半導体発光素子製造用基板１０の表面に結晶成長させた後、ＴＭＧガスの供給を中断する。

［工程−１００Ｂ］
次いで、半導体発光素子製造用基板１０上に、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層２１Ａ、活性層２３Ａ、及び、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層２２Ａが、順次、積層されて成る積層構造体２０Ａを形成する。

具体的には、ＭＯＣＶＤ法に基づき、基板温度を１０２０゜Ｃまで上昇させた後、常圧にて、シリコン原料であるモノシラン（ＳｉＨ₄）ガスの供給を開始することで、ＳｉドープのＧａＮ（ＧａＮ：Ｓｉ）から成り、ｎ型の導電型を有する厚さ３μｍの第１化合物半導体層２１Ａを、下地層１１に結晶成長させる。尚、ドーピング濃度は、例えば、約５×１０¹⁸／ｃｍ³である。

その後、一旦、ＴＭＧガス、ＳｉＨ₄ガスの供給を中断し、基板温度を７５０゜Ｃまで低下させる。そして、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガス及びトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを使用し、バルブ切り替えによりこれらのガスの供給を行うことで、ＩｎＧａＮ及びＧａＮから成り、多重量子井戸構造を有する活性層２３Ａを結晶成長させる。

例えば、発光波長４００ｎｍの発光ダイオードであれば、Ｉｎ組成約９％のＩｎＧａＮとＧａＮ（それぞれの厚さ：２．５ｎｍ及び７．５ｎｍ）の多重量子井戸構造（例えば、２層の井戸層から成る）とすればよい。また、発光波長４６０ｎｍ±１０ｎｍの青色発光ダイオードであれば、Ｉｎ組成１５％のＩｎＧａＮとＧａＮ（それぞれの厚さ：２．５ｎｍ及び７．５ｎｍ）の多重量子井戸構造（例えば、１５層の井戸層から成る）とすればよい。更には、発光波長５２０ｎｍ±１０ｎｍの緑色発光ダイオードであれば、Ｉｎ組成２３％のＩｎＧａＮとＧａＮ（それぞれの厚さ：２．５ｎｍ及び１５ｎｍ）の多重量子井戸構造（例えば、９層の井戸層から成る）とすればよい。

活性層２３Ａの形成完了後、ＴＥＧガス、ＴＭＩガスの供給中断と共に、キャリアガスを窒素から水素に切り替え、８５０゜Ｃまで基板温度を上昇させ、ＴＭＧガスとビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ₂Ｍｇ）ガスの供給を開始することで、厚さ１００ｎｍのＭｇドープのＧａＮ（ＧａＮ：Ｍｇ）から成る第２化合物半導体層２２Ａを活性層２３Ａの上に結晶成長させる。尚、ドーピング濃度は、約５×１０¹⁹／ｃｍ³である。その後、ＴＭＧガス及びＣｐ₂Ｍｇガスの供給中止と共に基板温度を低下させ、室温まで基板温度を下げて結晶成長を完了させる。

［工程−１００Ｃ］
こうして結晶成長を完了した後、窒素ガス雰囲気中で約８００゜Ｃ、１０分間のアニール処理を行って、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）の活性化を行う。

［工程−１１０］
その後、第２化合物半導体層側から、銀を含む第１層（光反射層）３１及びアルミニウムを含む第２層（第１シード層）３２から構成された第２電極構造体３３を形成する。具体的には、第２化合物半導体層２２Ａ上に、リフトオフ法に基づき、厚さ１ｎｍのニッケル薄膜から成る密着層３６、厚さ０．２μｍの銀層から成る第１層（光反射層）３１、厚さ０．１μｍのアルミニウム層から成る第２層（第１シード層）３２を形成する。こうして、図２の（Ａ）に示す構造を得ることができる。

［工程−１２０］
次に、必要に応じて、第２電極構造体３３に対して周知の酸化被膜除去処理を施した後、第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３上に亜鉛層（第２シード層）３４を析出させる。即ち、第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３の頂面及び側面上に亜鉛層３４を析出させる。ジンケート処理においては、ジンケート処理液に第２電極構造体３３を含む積層構造体２０の全体を浸漬する。これによって、第２層３２におけるアルミニウムが亜鉛によって置換され、亜鉛層３４が析出する。そして、この亜鉛層３４は、第２層３２を被覆するだけでなく、第１層３１（具体的には、露出した第１層３１の側面）、更には、密着層３６の側面をも被覆する。こうして、図２の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。

［工程−１３０］
その後、第２電極構造体３３に無電解ニッケルメッキを施す。即ち、第２電極構造体３３の頂面及び側面に無電解ニッケルメッキを施し、以て、第２電極構造体３３の頂面及び側面上にニッケル層（メッキ層、無電解ニッケルメッキ層）３５を形成する。無電解ニッケルメッキ処理においては、無電解ニッケルメッキ液に第２電極構造体３３を含む積層構造体２０の全体を浸漬する。こうして、図３の（Ａ）に示す構造を得ることができる。第２電極構造体３３への無電解ニッケルメッキによって、亜鉛がニッケルによって置換され、ニッケル層３５が析出し、亜鉛層３４のかなりの部分は消滅するが、最終的に亜鉛層３４は残される。但し、残された亜鉛層３４は、層状の部分もあれば、島状となっている部分もあり、より正確には、亜鉛を含む領域（第２シード領域）３４ａとなる。但し、図面においては、便宜上、連続した層として、亜鉛を含む領域（第２シード領域）３４ａを表現している。

［工程−１４０］
次いで、全面に絶縁層３７を形成し、第２電極３０の上方の絶縁層３７の部分に開口部３７ａを形成した後、第２電極３０上から絶縁層３７上を延びる接続層３８を形成する（図３の（Ｂ）参照）。その後、接続層３８を含む絶縁層３７と支持基板５０とを、エポキシ系接着剤から成る接着層５１を介して貼り合わせた後、半導体発光素子製造用基板１０を機械的研磨及びウエットエッチング法にて除去する。

［工程−１５０］
その後、リソグラフィ技術に基づき、露出した第１化合物半導体層２１Ａ上にパターニングされたレジスト層を形成し、係るレジスト層を用いて、所謂リフトオフ法に基づき、第１化合物半導体層２１Ａの上に第１電極４０を形成する。

［工程−１６０］
その後、リソグラフィ技術に基づき、露出した第１化合物半導体層２１Ａ上にパターニングされたレジスト層を形成し、係るレジスト層をエッチング用マスクとして、Ｃｌ₂系ガスを用いたＲＩＥ技術によって、第１化合物半導体層２１Ａ、活性層２３Ａ及び第２化合物半導体層２２Ａ、絶縁層３７、接続層３８をパターニングし、レジスト層を除去する。こうして、積層構造体２０から成り、第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２がパターニングされた発光部を得ることができる。隣接する半導体発光素子１の中心と半導体発光素子１の中心との間の距離（形成ピッチ）は、例えば、３０μｍである。

こうして、実施例１の半導体発光素子１を製造することができる。

［工程−１７０］
その後、支持基板５０を切断して、半導体発光素子１を分離すればよい。更には、樹脂モールド、パッケージ化を行うことで、例えば、砲弾型や面実装型といった種々の半導体発光素子（具体的には、発光ダイオード）を作製することができる。

実施例１の半導体発光素子あるいはその製造方法にあっては、第２電極構造体３３の頂面及び側面上にはニッケル層あるいはメッキ層３５が形成されている。即ち、第２電極構造体３３の全体は、カバーメタルとしてのニッケル層あるいはメッキ層３５によって被覆されている。このニッケル層あるいはメッキ層３５は、第２電極構造体３３に対して自己整合的に形成されるので、形成精度に問題が生じることが無いし、位置合わせ裕度を考慮する必要も無い。しかも、第２電極構造体３３の全体をニッケル層あるいはメッキ層３５によって確実に被覆することができるが故に、第２電極構造体３３の酸化、マイグレーションの発生を確実に防止することができ、高い信頼性を有する半導体発光素子を提供することができる。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例２にあっては、実施例１で得られた半導体発光素子１をアレイ状（２次元マトリクス状）に再配列し、例えば、画像表示装置を作製する。具体的には、実施例２にあっては、［工程−１６０］に引き続き、以下に説明する工程を実行する。

［工程−２００］
この工程においては、先ず、所望のピッチで半導体発光素子１を選択する。より具体的には、実施例１の［工程−１６０］にて得られ、２次元マトリクス状に支持基板５０上に配列された多数の半導体発光素子１から、Ｘ方向にＭ個毎、Ｙ方向にＮ個毎のピッチで、半導体発光素子１を選択する。また、シリコーンゴムから成る微粘着層６１が形成された中継基板６０、及び、ガラス基板から成り、予め所定の位置に金属薄膜等から成るアライメントマーク（図示せず）が形成され、表面には未硬化の感光性樹脂から成る接着剤層７１が形成された第２中継基板７０を準備する。

中継基板６０を構成する材料として、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、半導体基板、プラスチック板を挙げることができる。また、中継基板６０は、図示しない位置決め装置に保持されている。位置決め装置の作動によって、中継基板６０と支持基板５０との位置関係を調整することができる。

接着剤層７１は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって接着機能を発揮する材料、熱や圧力等を加えることによって接着機能を発揮する材料等、何らかの方法に基づき接着機能を発揮する材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。容易に形成することができ、しかも、接着機能を発揮する材料として、樹脂系の接着剤層、特に、感光性接着剤、熱硬化性接着剤、又は、熱可塑性接着剤を挙げることができる。例えば、感光性接着剤を用いる場合、接着剤層に光や紫外線を照射することによって、あるいは又、加熱することによって、接着剤層に接着機能を発揮させることができる。また、熱硬化性接着剤を用いる場合、光の照射等により接着剤層を加熱することによって、接着剤層に接着機能を発揮させることができる。更には、熱可塑性接着剤を用いる場合、光の照射等により接着剤層の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせることができる。接着剤層として、その他、例えば、感圧性接着剤層（例えば、アクリル系樹脂等から成る）等を挙げることもできる。

そして、選択された半導体発光素子１を、露出した第１化合物半導体層２１及び第１電極４０が中継基板６０に接するように、中継基板６０に転写する。具体的には、２次元マトリクス状に配列された支持基板５０上の半導体発光素子１に、微粘着層６１を押し当てる（図４の（Ａ）及び図４の（Ｂ）参照）。次いで、転写すべき半導体発光素子１に対して、支持基板５０の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図５の（Ａ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された半導体発光素子１は、支持基板５０から剥離する。その後、中継基板６０と半導体発光素子１との接触を解くと、支持基板５０から剥離した半導体発光素子１は、微粘着層６１に付着した状態となる（図５の（Ｂ）参照）。

［工程−２１０］
次いで、半導体発光素子１を接着剤層７１の上に配置（移動あるいは転写）する（図６の（Ａ）及び図６の（Ｂ）参照）。具体的には、第２中継基板７０上に形成されたアライメントマークを基準に、半導体発光素子１を中継基板６０から第２中継基板７０の接着剤層７１の上に配置する。半導体発光素子１は微粘着層６１に弱く付着しているだけなので、半導体発光素子１を接着剤層７１と接触させた（押し付けた）状態で中継基板６０を第２中継基板７０から離れる方向に移動させると、半導体発光素子１は接着剤層７１の上に残される。更には、半導体発光素子１をローラー等で接着剤層７１に深く埋入することで、半導体発光素子１を第２中継基板７０に転写することができる。

このような中継基板６０を用いた方式を、便宜上、ステップ転写法と呼ぶ。そして、このようなステップ転写法を所望の回数、繰り返すことで、所望の個数の半導体発光素子１が、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着し、第２中継基板７０上に転写される。具体的には、実施例２にあっては、１回のステップ転写において、１６０×１２０個の半導体発光素子１を、微粘着層６１に２次元マトリクス状に付着させ、第２中継基板７０上に転写する。従って、（１９２０×１０８０）／（１６０×１２０）＝１０８回のステップ転写法を繰り返すことで、１９２０×１０８０個の半導体発光素子１を、第２中継基板７０上に転写することができる。そして、以上のような工程を、都合、３回、繰り返すことで、所定の数の赤色発光半導体発光素子（赤色発光ダイオード）、緑色発光半導体発光素子（緑色発光ダイオード）、青色発光半導体発光素子（青色発光ダイオード）を、所定の間隔、ピッチで第２中継基板７０に転写することができる。

その後、半導体発光素子１が配置された感光性樹脂から成る接着剤層７１に紫外線を照射することで、接着剤層７１を構成する感光性樹脂を硬化させる。こうして、半導体発光素子１が接着剤層７１に固定された状態となる。次いで、第１電極４０を介して半導体発光素子１を第２の仮固定用基板に仮固定する。具体的には、表面に未硬化の接着剤から成る接着層８０が形成されたガラス基板から成る第２の仮固定用基板を準備する。そして、半導体発光素子１と接着層８０とを貼り合わせ、接着層８０を硬化させることで、半導体発光素子１を第２の仮固定用基板に仮固定することができる。次いで、接着剤層７１及び第２中継基板７０を適切な方法で半導体発光素子１から除去する。この状態にあっては、半導体発光素子１の接続層３８が露出した状態である。

［工程−２２０］
次いで、全面に第２の絶縁層８１を形成し、接続層３８の上方の第２の絶縁層８１に開口部８２を形成し、第２の配線８３を、接続層３８上から開口部８２、第２の絶縁層８１の上にかけて形成する。第２の配線８３は、図面の紙面、垂直方向に延びている。次に、第２の配線８３を含む第２の絶縁層８１とガラス基板から成る実装用基板８５とを、接着層８４を介して貼り合わせることで、半導体発光素子１を実装用基板８５に実装（固定）することができる。次いで、例えば、第２の仮固定用基板の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された半導体発光素子１は、第２の仮固定用基板から剥離する。この状態にあっては、半導体発光素子１の第１電極４０が露出した状態である。次に、全面に第１の絶縁層８６を形成し、半導体発光素子１の第１電極４０の上方の第１の絶縁層８６に開口部８７を形成し、第１の配線８８を、第１電極４０上から開口部８７、第１の絶縁層８６の上にかけて形成する。第１の配線８８は、図面の紙面、左右方向に延びている。この状態を、図７の模式的な一部断面図に示す。そして、第１の配線、第２の配線を駆動回路と適切な方法に基づき接続することによって、半導体発光素子、更には、係る半導体発光素子から構成された画像表示装置を完成させることができる。半導体発光素子１にあっては、活性層２３において生成した光は、図７の下側方向に出射される。

実施例３は、実施例１の変形である。実施例３においては、図８の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、第２電極構造体３３において、第１層３１と第２層３２の間にマイグレーション・ブロック層９１が設けられている。マイグレーション・ブロック層９１は、厚さ０．１μｍの白金（Ｐｔ）から成り、実施例１の［工程−１１０］と同様の工程において、第１層３１、マイグレーション・ブロック層９１、及び、第２層３２から構成された第２電極構造体３３を形成すればよい。このように、第１層３１と第２層３２の間にマイグレーション・ブロック層９１を設けることによって、第１層３１を構成する銀原子がマイグレーションすることを抑制することができる。

実施例４も実施例３の変形である。実施例４にあっては、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、第２電極構造体３３にジンケート処理を施す前に、第２電極構造体３３に酸素プラズマ処理を施す。これによって、第２電極構造体３３の表面が均一に酸化される結果、ジンケート処理によって析出される亜鉛層３４の均一化を図ることができる。

更には、実施例４にあっては、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程が完了した後、［工程−１２０］におけるジンケート処理にて析出した亜鉛層３４を除去する。具体的には、第２電極構造体３３を含む積層構造体２０の全体を、硫酸に浸漬する。次いで、第２電極構造体３３に第２回目のジンケート処理を施して、第２電極構造体３３の頂面及び側面上に亜鉛層（第２シード層）３４を析出させる。尚、第１回目のジンケート処理における処理時間よりも、第２回目のジンケート処理における処理時間を短くした。これにより、第２回目のジンケート処理で短時間で均一なジンケート処理が期待できる。そして、このように、ジンケート処理にて析出した亜鉛層を、一旦、除去した後、第２回目のジンケート処理を施すことによって、第２電極構造体３３とニッケル層３５とのより高い密着性及び均一性を得ることができる。また、酸素プラズマ処理によって第２層を構成するアルミニウムが飛散し、不所望の領域（例えば、第２化合物半導体層２２等）に付着した場合、不所望の領域に亜鉛層が形成される虞があるが、ジンケート処理にて析出した亜鉛層を、一旦、除去することで、不所望の領域に付着した亜鉛が除去され、このような問題の発生を防止することができる。

実施例５も実施例１の変形である。実施例５にあっては、実施例１の［工程−１１０］と同様の工程において、第２層３２と接する合金化層を形成した後、熱処理を施すことで、第２層３２に含まれるアルミニウムと合金化層に含まれる金属との間の合金化を促し、アルミニウム合金から成る第２層３２を得る。具体的には、厚さ５０ｎｍのアルミニウムから成る第２層３２の直上に、厚さ１０ｎｍの金（Ａｕ）から成る合金化層を真空蒸着法にて成膜し、次いで、１５０゜Ｃ以上に加熱することで、アルミニウム合金（Ａｌ／Ａｕ）から成る第２層３２を形成する。このように、第２層３２をアルミニウム合金から構成することで、ジンケート処理におけるアルミニウム（Ａｌ）が亜鉛（Ｚｎ）によって置換される置換速度を抑制することができ、均一な亜鉛層３４の形成、更には、均一なニッケル層３５（無電解ニッケルメッキ層）を形成することができる。尚、置換速度が早いほど、ジンケート処理において、第１層３１及び密着層３６がサイド・エッチングされる量が多くなるという実験結果が得られている。そして、サイド・エッチング量が多くなると、ニッケル層（無電解ニッケルメッキ層）の異常析出や析出形状異常の発生も多くなるという実験結果も得られている。

尚、このような合金化処理に換えて、第２層を、例えば、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との合金をターゲットとしたスパッタリング法にて成膜することで、アルミニウム合金から成る第２層を得ることもできる。

実施例６も実施例１の変形である。実施例６にあっては、実施例１の［工程−１１０］と同様の工程において、第２層３２上に、厚さ３０ｎｍの金（Ａｕ）から成る被覆層９２を形成することで、第１層３１、第２層３２及び被覆層９２から成る第２電極構造体３３を得る。そして、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３の頂面及び側面上に亜鉛層３４を析出させるが、具体的には、被覆層９２の頂面及び側面、第２層３２の側面、第１層３１の側面、並びに、密着層３６の側面に亜鉛層３４が析出する。即ち、第２電極構造体３３の全体が亜鉛層３４によって被覆される。このように、第２層３２の頂面に被覆層９２を設けることによっても、ジンケート処理におけるアルミニウム（Ａｌ）が亜鉛（Ｚｎ）によって置換される置換量を制限することができ、均一な亜鉛層３４の形成、更には、均一な無電解ニッケルメッキ層を形成することができる。最終的に得られた半導体発光素子の模式的な一部断面図を図８の（Ｂ）に示す。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した半導体発光素子の構成、構造、半導体発光素子を構成する材料、半導体発光素子の製造条件や各種数値は例示であり、適宜変更することができる。実施例３〜実施例６の半導体発光素子を、実施例２にて説明した画像表示装置に適用することができることは云うまでもない。また、実施例３と実施例４とを組み合わせることもできるし、実施例３と実施例５とを組み合わせることもできるし、実施例３と実施例６とを組み合わせることもできるし、実施例４と実施例５とを組み合わせることもできるし、実施例４と実施例６とを組み合わせることもできるし、実施例５と実施例６とを組み合わせることもできるし、実施例３と実施例４と実施例５とを組み合わせることもできるし、実施例３と実施例４と実施例６とを組み合わせることもできるし、実施例３と実施例５と実施例６とを組み合わせることもできるし、実施例４と実施例５と実施例６とを組み合わせることもできるし、実施例３と実施例４と実施例５と実施例６を組み合わせることもできるし、更には、これらの組合せを実施例２に適用することもできる。

１・・・半導体発光素子、１０・・・半導体発光素子製造用基板、１１・・・下地層、２０・・・積層構造体、２１・・・第１化合物半導体層、２２・・・第２化合物半導体層、２３・・・活性層、３０・・・第２電極（ｐ側電極）、３１・・・第１層（光反射層）、３２・・・第２層（第１シード層）、３３・・・第２電極構造体、３４・・・亜鉛層（第２シード層）、３４ａ・・・亜鉛を含む領域（第２シード領域）、３５・・・ニッケル層（メッキ層）、３６・・・密着層、３７・・・絶縁層、３７ａ・・・開口部、３８・・・接続層、９１・・・マイグレーション・ブロック層、９２・・・被覆層、４０・・・第１電極（ｎ側電極）、５０・・・支持基板、５１・・・接着層、６０・・・中継基板、６１・・・微粘着層、７０・・・第２中継基板、７１・・・接着剤層、８０，８４・・・接着層、８１，８６・・・絶縁層、８２，８７・・・開口部、８３，８８・・・配線、８５・・・実装用基板

Claims (14)

1. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
   （Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
   （Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
   を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
   第２電極を、
   （ａ）第２化合物半導体層上に、銀を含む第１層及びアルミニウムを含む第２層から構成された第２電極構造体を形成した後、
   （ｂ）第２電極構造体にジンケート処理を施して、第２電極構造体上に亜鉛層を析出させ、次いで、
   （ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す、
   各工程に基づき形成する半導体発光素子の製造方法。
2. 前記工程（ｂ）において、第２電極構造体にジンケート処理を施して、第２電極構造体の頂面及び側面上に亜鉛層を析出させ、
   前記工程（ｃ）において、第２電極構造体の頂面及び側面に無電解ニッケルメッキを施し、以て、第２電極構造体の頂面及び側面上にニッケル層を形成する請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
3. 前記工程（ａ）と工程（ｂ）の間において、第２電極構造体に酸素プラズマ処理を施す請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
4. 前記工程（ｂ）と工程（ｃ）の間において、前記工程（ｂ）でのジンケート処理にて析出した亜鉛層を除去した後、第２電極構造体に第２回目のジンケート処理を施して、第２電極構造体の頂面及び側面上に亜鉛層を析出させる請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
5. 前記工程（ｂ）と工程（ｃ）の間において、前記工程（ｂ）でのジンケート処理にて析出した亜鉛層を酸を用いて除去する請求項４に記載の半導体発光素子の製造方法。
6. 前記工程（ａ）において、第１層、マイグレーション・ブロック層、及び、第２層から構成された第２電極構造体を形成する請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
7. 前記工程（ａ）において、第２層と接する合金化層を形成した後、熱処理を施すことで、第２層に含まれるアルミニウムと合金化層に含まれる金属との間の合金化を促し、以て、アルミニウム合金から成る第２層を得る請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
8. 前記工程（ａ）において、第２層上に被覆層を形成し、以て、第１層、第２層及び被覆層から成る第２電極構造体を得た後、
   前記工程（ｂ）において、第２電極構造体にジンケート処理を施して、第２電極構造体の頂面及び側面上に亜鉛層を析出させる請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
9. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
   （Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
   （Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
   を備えており、
   第２電極は、
   第２化合物半導体層側から、銀を含む第１層、及び、アルミニウムを含む第２層から構成された第２電極構造体、並びに、
   第２電極構造体の頂面及び側面上に形成されたニッケル層、
   から構成されており、
   第２電極は、更に、第２電極構造体の頂面及び側面とニッケル層との間に、亜鉛を含む領域を有する半導体発光素子。
10. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
    （Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
    （Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
    を備えており、
    第２電極は、
    第２化合物半導体層側から、銀を含む第１層、及び、アルミニウムを含む第２層から構成された第２電極構造体、並びに、
    第２電極構造体の頂面及び側面上に形成されたニッケル層、
    から構成されており、
    ニッケル層は、第２電極構造体へのジンケート処理に基づく第２電極構造体上における亜鉛層の析出、並びに、それに引く続く無電解ニッケルメッキ処理によって形成される半導体発光素子。
11. 第２電極構造体において、第１層と第２層の間にマイグレーション・ブロック層が設けられている請求項９又は請求項１０に記載の半導体発光素子。
12. 第２層はアルミニウム合金から成る請求項９又は請求項１０に記載の半導体発光素子。
13. 第２電極構造体において、第２層の頂面に被覆層が設けられている請求項９又は請求項１０に記載の半導体発光素子。
14. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、第１化合物半導体層上に形成され、化合物半導体層から成る活性層、及び、活性層上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層から構成された積層構造体、
    （Ｂ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、並びに、
    （Ｃ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、
    を備えており、
    第２電極は、
    第２化合物半導体層側から、活性層からの光を反射し、導電材料から成る光反射層、及び、光反射層に含まれる金属とは異なる金属を含む第１シード層が積層されて成る第２電極構造体、並びに、
    第２電極構造体の頂面及び側面上に形成され、光反射層及び第１シード層に含まれる金属とは異なる金属を含むメッキ層、
    から構成されており、
    第２電極は、更に、第２電極構造体とメッキ層との間に位置し、光反射層、第１シード層及びメッキ層に含まれる金属とは異なる金属を含む第２シード領域を有する半導体発光素子。

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