CN113078245A - 一种led铝电极及其制备方法 - Google Patents
一种led铝电极及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113078245A CN113078245A CN202110319516.2A CN202110319516A CN113078245A CN 113078245 A CN113078245 A CN 113078245A CN 202110319516 A CN202110319516 A CN 202110319516A CN 113078245 A CN113078245 A CN 113078245A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- aluminum
- layer
- gold
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 41
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 25
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种LED铝电极及其制备方法，本发明中LED电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极在外延层上由下而上依次为铬层、第一钛层、铝合金层；所述第二电极包覆所述第一电极的表面和侧壁，所述第二电极由内到外依次为第二钛层和金层；所述铝合金为铝铜合金。本发明将Al材质改为含铜的Al合金，增加了铝电极的机械强度，缓解了纯Al电极易失铝的问题；采用Au对第一电极表面及侧壁进行包覆，增加了Al电极的密闭性，进一步避免了失铝问题，且仅使用一层薄薄的金，既解决了用金电极成本高的问题，其可靠性水平又接近金电极，效果好。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，具体是涉及一种LED铝电极及其制备方法。
背景技术
LED即发光二极管，是一种半导体组件，被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。现有LED电极一般采用铝电极结构，且都是直接蒸镀CrTiAl或CrAl。
随着RGB小间距1010封装的流行，支架是没有碗杯的，是将芯片封在一个平面上，这样虽然最后灌胶后芯片被包覆在胶体里面，但是胶体和平面有缝隙，随着环境的温度湿度的恶化，湿气侵入塑封体到达芯片表面后，芯片电极部位金属铝在湿气环境下发生电化学反应：
Al+3H+＝Al3++H2/2Al+6H2O＝2Al(OH)3+3H2，铝原子失电子、被氧化，处于电化学反应负极。在新品通电状况下，进一步加快了N极铝垫电化学腐蚀速率，最终造成芯片电极失铝、脱焊，导致产品失效。也有人采用金电极替代，但金电极成本太高，寻求一种替代方案显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的是提供一种LED铝电极及其制备方法，该铝电极将Al材质改为含铜的Al合金，增加了铝电极的机械强度，解决了纯Al电极易失铝的问题；采用金对第一电极表面及侧壁进行包覆，增加了Al电极的密闭性，进一步避免了失铝问题，且仅使用一层薄薄的金，既解决了用金电极成本高的问题，其可靠性水平又接近金电极，效果好。
本发明提供一种LED铝电极，包括第一电极和第二电极，所述第一电极在外延层上由下而上依次为铬层、第一钛层、铝合金层；所述第二电极包覆所述第一电极的表面和侧壁，所述第二电极由内到外依次为第二钛层和金层；所述铝合金为铝铜合金。
本发明采用第二电极包覆第一电极，将铝与外界隔绝，增加Al电极的密闭性，可减少铝原子失电子、被氧化等失铝现象，同时可减少金电极的用金量，降低成本，同时其可靠性水平仍接近金电极，且金包覆在第一电极的表面，将铝与空气隔绝，可进一步的减少失铝现象。
进一步的，上述方案中铝铜合金，以重量份计，铜含量在2％-5％。在Al中掺入少量的Cu，可以增加铝电极的机械强度，减少铝电极在恶劣环境下失铝现象。
进一步的，上述方案中第一电极的铬层、第一钛层和铝合金层的厚度依次为25-35nm、90-110nm、3800-4200nm。
进一步的，上述方案第二电极的第二钛层和金层的厚度依次为90-110nm、380-420nm。
本发明还提供一种LED铝电极的制备方法，包括如下步骤：
S1.清洗外延层；
S2.制作第一电极图形；
S3.获得第一电极；
S4.制作第二电极图形；
S5.获得第二电极；
S6.完成制作。
进一步的，上述步骤S1中外延层采用酸洗或有机溶液清洗。
本技术方案先将外延层用酸或有机溶液清洗干净，使其表面干净，避免杂质的存在使电极不致密，影响电极的使用寿命。
进一步的，上述步骤S2中第一电极图形采用负胶剥离方式制作，包括上负胶，曝光，显影，最后进行表面等离子体处理，所述负胶厚为3-4μm。
进一步的，上述步骤S4中第二电极图形参照上述第一电极图形制作方式制作，也采用负胶剥离方式制作，包括上负胶，曝光，显影，最后进行表面等离子体处理，负胶厚也为3-4μm，所述第二电极图形显影比上述第一电极图形大5μm。
本技术方案中对显影好的图形进行等离子表面处理，表面处理是为了确保蒸镀前表面干净，防止电极脱落。
进一步的，上述步骤S3和S5中第一电极和第二电极均采用电子束蒸镀方式蒸镀。
本技术方案采用电子束蒸镀速率快，易成膜。
进一步的，上述步骤S3和S5中蒸镀好的电极采用有机溶液进行剥离。
本发明的有益效果：本发明将Al材质改为含铜的Al合金，不仅增加了铝电极的机械强度，还可以缓解纯Al电极易失铝的问题；采用第二电极包覆第一电极的方式，增加了Al电极的密闭性，进一步避免了失铝问题，同时采用金对第一电极表面及侧壁进行包覆，且仅使用一层薄薄的金，既解决了用金电极成本高的问题，其可靠性水平又接近金电极，可靠性好。
附图说明
图1是本发明LED铝电极制作方法流程示意图；
图2是本发明LED铝电极结构示意图；
图3是对比例LED铝电极结构示意图。
示意图中标号说明：
1-1对比例铬层；1-2钛层；1-3铝层；2-1实施例铬层；2-2第一钛层；2-3铝合金层；2-4第二钛层；2-5金层。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
在本申请的描述中，需要理解的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
请参阅图1至图3，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
如图2所示，图2为本发明LED铝电极结构示意图，本发明提供的LED铝电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极在外延层上由下而上依次为铬层2-1、第一钛层2-2、铝合金层2-3；所述第二电极包覆所述第一电极的表面和侧壁，所述第二电极由内到外依次为第二钛层2-4和金层2-5；所述铝合金为铝铜合金。
如图1所示，图1为本发明铝电极制作方法流程示意图，本发明提供一种LED铝电极的制备方法，包括如下步骤：
S1.清洗外延层：采用酸液或有机溶液对外延层表面进行清洗，使其表面干净，避免杂质的存在使电极不致密，影响电极的使用寿命。
具体地，所述酸液可以是磷酸或硝酸；所述有机溶液可以是丙酮、乙醇等。
S2.制作第一电极图形：采用负胶剥离方式制作第一电极图形，上负胶、曝光、显影并进行表面处理。
具体地，本发明先旋涂上负胶，负胶的厚度控制在3-4μm，紫外曝光，并显影获得特定图形，最后进行表面等离子体处理。
S3.获得第一电极：所述电极采用电子束蒸镀方式进行蒸镀。
具体地，本发明中，如图2所示，所述铬层2-1厚度为25-35nm，所述第一钛层2-2厚度为90-110nm，所述铝合金层2-3厚度为3800-4200nm。
为了提高铝电极的耐腐蚀性和增加其机械强度，将铝材质改为铝合金材质，所述铝合金为掺有2％-5％铜的合金，加入少量的铜将不影响铝电极的导电性能，却可以改善其机械强度和失铝问题。
S4.制作第二电极图形：也采用负胶剥离方式制作，上负胶、曝光、显影并进行表面处理。
具体地，本发明先旋涂上负胶，负胶的厚度控制在3-4μm，紫外曝光，所述第二电极图形显影比上述第一电极图形大5μm，最后进行表面等离子体处理。
S5.获得第二电极：所述第二电极也采用电子束蒸镀方式进行蒸镀，如图2所示，第二电极包覆在第一电极的表面和侧壁，其镀层依次为第二钛层2-4、金层2-5。
具体地，本发明中，所述第二钛层2-5厚度为90-110nm，所述金层2-3厚度为380-420nm。
为了进一步的改善铝电极的失铝问题，将第二电极包覆在第一电极的表面和侧壁，使铝与外界环境隔绝，避免失铝现象发生；同时，第二电极采用包覆方式，可减少金电极的用金量，降低成本，而其可靠性水平仍接近金电极，效果好。
S6.完成制作：将蒸镀好的电极用有机溶剂进行剥离，剥离干净后即完成整个电极的制作。
具体地，所述有机溶液可是丙酮或n-甲基吡咯烷酮。本发明中，采用电子束蒸镀速率快，易成膜。
需要说明的是，本发明使用铬层作为底层，其导电性能良好，能将外延层的电性导出来；然后在铬层上形成第一钛层，其稳定性好，可防止铝合金层在高温环境中变粗，出现粗糙结构；铝合金层是在铝中掺2％-5％重量的铜，可在保证出光效率、导电性能的同时，增加电极的机械强度，同时不易被腐蚀；在第一电极的表面和侧壁包覆第二钛层，稳定性增强，另外可以减少金的使用；最后包覆一层金层，进一步保护了第一电极，且其可靠性水平仍接近金电极水平。
下面以具体实施例进一步阐述本发明：
实施例1
一种LED铝电极的制备方法，包括：
S1.清洗外延层：采用磷酸溶液对外延层表面进行清洗。
S2.制作第一电极图形：采用负胶剥离方式制作第一电极图形，上负胶3μm、曝光、显影并进行表面处理。
S3.获得第一电极：所述电极采用电子束蒸镀方式进行蒸镀，镀层依次为实施例铬层2-1、第一钛层2-2、铝合金层2-3，对应的厚度分别为30nm、100nm、4000nm，其中铝合金的铜重量含量占2％。
S4.制作第二电极图形：采用负胶剥离方式制作，上负胶、曝光3μm、显影并进行表面处理，其中，第二电极图形显影比上述第一电极图形大5μm。
S5.获得第二电极：采用电子束蒸镀方式进行蒸镀，第二电极包覆在第一电极的表面和侧壁，其镀层依次为第二钛层2-4、金层2-5，对应的厚度分别为100nm、400nm。
S6.完成制作：将蒸镀好的电极用丙酮进行剥离，剥离干净后即完成整个电极的制作。
实施例2
一种LED铝电极的制备方法，包括：
S1.清洗外延层：采用磷酸溶液对外延层表面进行清洗。
S2.制作第一电极图形：采用负胶剥离方式制作第一电极图形，上负胶4μm、曝光、显影并进行表面处理。
S3.获得第一电极：所述电极采用电子束蒸镀方式进行蒸镀，镀层依次为实施例铬层2-1、第一钛层2-2、铝合金层2-3，对应的厚度分别为32nm、110nm、4100nm，其中铝合金的铜重量含量占5％。
S4.制作第二电极图形：采用负胶剥离方式制作，上负胶、曝光3μm、显影并进行表面处理，其中，第二电极图形显影比上述第一电极图形大5μm。
S5.获得第二电极：采用电子束蒸镀方式进行蒸镀，第二电极包覆在第一电极的表面和侧壁，其镀层依次为第二钛层2-4、金层2-5，对应的厚度分别为110nm、410nm。
S6.完成制作：将蒸镀好的电极用丙酮进行剥离，剥离干净后即完成整个电极的制作。
对比例1
一种制作LED铝电极的方法，包括
S1.清洗外延层：采用磷酸溶液对外延层表面进行清洗。
S2.制作铝电极图形：采用负胶剥离方式制作铝电极图形，上负胶3μm、曝光、显影并进行表面处理。
S3.获得铝电极：所述电极采用电子束蒸镀方式进行蒸镀，如图3，镀层依次为对比例铬层1-1、钛层1-2、铝层1-3，对应的厚度分别为30nm、100nm、4000nm。
S4.完成制作：将蒸镀好的电极用丙酮进行剥离，剥离干净后即完成整个电极的制作。
可靠性测试：将本发明实施例1和2与对比例1的电极结构进行可靠性测试。测试条件：将各试验例电极至于纯水中正向10mA电流通电60s，观察通电后掉电极数量，每个试验5个电极，重复3次；将各电极正向通电直至灯灭掉后，观察电极点亮时间和通电后掉电极数量，每个试验2个电极，重复3次，测试结果如表1所示。
表1
从表1可以看出本发明实施例所制作的电极与对比例电极在正向10mA电流通电60s后均未掉电极，但是从正向通电直至灯灭掉试验可以看出，本发明实施例在点亮后均没有掉电极，而对比例两个电极均掉落，说明本发明实施例制作的电极更可靠。
最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种LED铝电极，其特征在于，包括第一电极和第二电极，
所述第一电极在外延层上由下而上依次为铬层、第一钛层、铝合金层；
所述第二电极包覆所述第一电极的表面和侧壁，所述第二电极由内到外依次为第二钛层和金层；
所述铝合金为铝铜合金。
2.根据权利要求1所述的LED铝电极，其特征在于，以重量份计，所述铝铜合金中铜的含量在2％-5％。
3.根据权利要求1所述的LED铝电极，其特征在于，所述第一电极的铬层、第一钛层和铝合金层的厚度依次为25-35nm、90-110nm、3800-4200nm。
4.根据权利要求1所述的LED铝电极，其特征在于，所述第二电极的第二钛层和金层的厚度依次为90-110nm和380-420nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种LED铝电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.清洗外延层；
S2.制作第一电极图形；
S3.获得第一电极；
S4.制作第二电极图形；
S5.获得第二电极；
S6.完成制作。
6.根据权利要求5所述的一种LED铝电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中外延层采用酸洗或有机溶液清洗。
7.根据权利要求5所述的一种LED铝电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中第一电极图形采用负胶剥离方式制作，包括上负胶，曝光，显影，最后进行表面等离子体处理，所述负胶厚为3-4μm。
8.根据权利要求5所述的一种LED铝电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中第二电极图形参照所述第一电极图形制作方式制作，所述第二电极图形显影比所述第一电极图形大5μm。
9.根据权利要求5所述的一种LED铝电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S3和S5中的电极采用电子束蒸镀方式蒸镀。
10.根据权利要求5所述的一种LED铝电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S3和S5中蒸镀好的电极采用有机溶液进行剥离。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110319516.2A CN113078245A (zh) | 2021-03-25 | 2021-03-25 | 一种led铝电极及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110319516.2A CN113078245A (zh) | 2021-03-25 | 2021-03-25 | 一种led铝电极及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113078245A true CN113078245A (zh) | 2021-07-06 |
Family
ID=76610071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110319516.2A Pending CN113078245A (zh) | 2021-03-25 | 2021-03-25 | 一种led铝电极及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113078245A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114725265A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-07-08 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997072A (zh) * | 2009-08-10 | 2011-03-30 | 索尼公司 | 半导体发光装置及其制造方法 |
| CN102130259A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-07-20 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法 |
| CN102664227A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 半导体发光二极管器件及其形成方法 |
| CN105633224A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-06-01 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led芯片电极与芯片结构及其制作方法 |
| CN107134518A (zh) * | 2012-06-28 | 2017-09-05 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法 |
| CN107768396A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-06 | 江苏新广联半导体有限公司 | 铝铜合金电极结构和桥接结构的高压二极管及其制备方法 |
| CN108258095A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-07-06 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led芯片电极及其制作方法和led芯片 |
| CN110729387A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-24 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法 |
-
2021
- 2021-03-25 CN CN202110319516.2A patent/CN113078245A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997072A (zh) * | 2009-08-10 | 2011-03-30 | 索尼公司 | 半导体发光装置及其制造方法 |
| CN102130259A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-07-20 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法 |
| CN102664227A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 半导体发光二极管器件及其形成方法 |
| CN107134518A (zh) * | 2012-06-28 | 2017-09-05 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法 |
| CN105633224A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-06-01 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led芯片电极与芯片结构及其制作方法 |
| CN107768396A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-06 | 江苏新广联半导体有限公司 | 铝铜合金电极结构和桥接结构的高压二极管及其制备方法 |
| CN108258095A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-07-06 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led芯片电极及其制作方法和led芯片 |
| CN110729387A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-24 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114725265A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-07-08 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106711304B (zh) | 包括选择性金属电阻层的超小型发光二极管电极组件的制造方法 | |
| US8164083B2 (en) | Quantum dot optoelectronic devices with enhanced performance | |
| TW200915613A (en) | Systems and methods for producing white-light light emitting diodes | |
| CN108055790B (zh) | 一种电路板及其制作方法和应用 | |
| RU2457584C2 (ru) | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией | |
| CN105789479B (zh) | Oled及其制备方法、以及oled显示装置 | |
| JP2006295035A (ja) | 絶縁層が形成された太陽電池用基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた太陽電池およびその製造方法 | |
| FI84869C (fi) | Matrisfilmstruktur i synnerhet foer elektroluminecens displayenhet. | |
| CN113078245A (zh) | 一种led铝电极及其制备方法 | |
| CN106856203A (zh) | 一种顶发射显示发光器件及其制备方法 | |
| CN107768396B (zh) | 铝铜合金电极结构和桥接结构的高压二极管及其制备方法 | |
| CN107123743B (zh) | 有机发光器件及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
| CN109244208A (zh) | 一种高压led芯片及其制作方法 | |
| CN105633224A (zh) | 一种led芯片电极与芯片结构及其制作方法 | |
| CN104795481B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| KR101605131B1 (ko) | 전계전자방출원, 이를 포함하는 전계전자방출소자 및 이의 제조방법 | |
| JP2006083442A (ja) | 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 | |
| CN104681744B (zh) | 一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法 | |
| CN207249153U (zh) | 一种反射件和红外线led装置 | |
| JPH11312583A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2002198182A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN105118905A (zh) | 一种led芯片电极及其制作方法 | |
| CN206650101U (zh) | 一种led芯片及汽车车灯 | |
| KR20040102853A (ko) | 유기이엘용 아이티오(ito) 기판 및 그 제조방법 | |
| US8390188B2 (en) | Light emitting unit of electroluminescence device capable of increasing aperture rate manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210706 |