CN102130259A - 一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于发光半导体领域，尤其是发光二极管芯片领域。一种发光二极管芯片的复合电极，其结构自下而上分别为：欧姆接触金属层、第一隔离金属层、填充金属层、第二隔离金属层、表面金属层，其中，第二隔离金属层和表面金属层覆盖在欧姆接触金属层、第一隔离金属层和填充金属层的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部。本发明还提出了两种复合电极的制作方法，分别为方法一和方法二。这种复合电极使用成本廉价的Al、Ag等活泼金属替代电极中的部分Au，降低了电极的成本，且具有更强的环境适应能力；经本人多次试验，这两种方法均可快速有效地制作本发明提出的复合电极，该制作工艺简单可行、可操作性高，便于规模化生产。
Description
技术领域
本发明属于发光半导体领域，尤其是发光二极管芯片领域。
背景技术
半导体发光二极管是利用半导体材料所制作而成的光电元件，是一种可将电能直接转化为光能的固态光源。半导体发光二极管具有高可靠性、高效率、长寿命、全固体化、耗电少、反应迅速等优点，在大屏幕显示、交通信息指示剂一般光学显示和指示领域具有巨大的应用市场。
常规发光二极管(LED)结构如图1所示，包括正面电极(200)和背面电极(500)两种，其中正面电极(200)的厚度在1.5微米至2微米之间，多为Au电极，包括欧姆接触金属层(301)、隔离金属层(202)和Au层(203)。正面电极(200)总体积超过90％的成分由Au构成，因此如果能够将正面电极中的Au的成分替换成价格便宜的材料其它材料就可以大幅降低发光二极管芯片的生产成本。
从降低正面电极(200)材料成本的角度出发，已知的一种方法是使用金属Al、Ag替换金属Au，成功实现了降低材料成本的目的，同时由于Al、Ag等金属可以在电极内部形成反射镜结构，减小电极对光的吸收，可以增加芯片的出光效率。然而，Al、Ag电极也存在其自身的缺点，首先金属Al、Ag性质较为活泼，既可以与酸性溶液反应又可以与碱性溶液反应，含有Al的电极一旦制作完成便不可以接触酸性溶液或碱性溶液；其次，Al、Ag等材料易氧化，电极制作过程中退火及冷却中的Al、Ag电极不可以接触氧气或空气。以上缺点极大限制了Al、Ag等金属在电极生产中的应用，即使可以制作出含有Al、Ag等金属的电极，也因为此类金属性质活泼，严重影响了芯片的质量。
专利CN100463237C和CN1330011C中，公布了具有反射结构的多层复合电极，该类电极包括了由Ag、Al等金属反射材料构成的金属反射层，虽然此类电极成功将Ag、Al金属运用到了芯片电极制作中，但是Ag、Al等金属依然部分暴露在电极外部，很容易空气或酸碱液发生反应，影响了芯片电极的质量，同时在电极生产过程中，高温退火时不可以接触氧气或空气，增加了工艺成本。专利CN 101273865A为了克服Al电极芯片生产的复杂过程，提出以氧化铟锡(ITO)作为芯片背面电极的方案，以简单的方法回避了Al电极的高温退火步骤，简化了工艺过程。这种方法的缺点是金属Al依然直接暴露于电极表面，对芯片的保存与使用环境提出较高要求。
发明内容
为解决上述发光二极管芯片电极生产工艺复杂、成本高、产品不易保存等问题，本发明提出了一种发光二极管芯片的复合电极及其制造方法。
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构自下而上分别为：欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)、填充金属层(303)、第二隔离金属层(304)、表面金属层(305)，其中，第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)覆盖在欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部。欧姆接触金属层(301)为Au、AuBe合金、AuGe合金、Ti、Cr、Ni、Sn、In、Zn中至少一种金属或者是ITO(Indium Tin Oxides，即铟锡金属氧化物)，厚度为10-600nm；第一隔离金属层(302)为Ti、Cr、Ni、W、Pt中至少一种金属，其厚度为5～100nm；填充金属层(303)为Al、Ag、Ni、Cu、Fe、Zn中至少一种金属，其厚度为100～3000nm；第二隔离金属层(304)为Ti、Cr、Ni、W、Pt中至少一种金属其厚度为5～100nm；表面金属层(305)为Au，其厚度为50～500nm。
一种发光二极管芯片的复合电极的制作方法(下文称“方法一”)，其特征在于包括以下步骤：
a)提供一片LED外延片(100)；
b)在LED外延片(100)的发光外延层(102)制作第一覆盖层(401)。
c)在第一覆盖层(401)上进行曝光，制作电极图案；
d)对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第一覆盖层(401)去除，露出下方的发光外延层(102)的上表面；
e)使用蒸发镀膜设备进行第一次蒸镀，在经过上述处理的LED外延片上依次蒸镀欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)；
f)去除第一覆盖层(401)表面的各电极层；
g)在第一覆盖层(401)上方进行第二次曝光，制作电极图案，其中此步骤电极图案应比步骤(c)中制作的电极图案大，将步骤(c)中的电极图案外围向外扩大2～3微米；
h)对经过步骤(h)的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第一覆盖层(401)去除，露出下方的发光外延层(102)和填充金属层(303)；
i)使用蒸发镀膜设备进行第二次蒸镀，在LED外延片上依次蒸镀第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)；
j)去除第一覆盖层(401)表面的各电极层，然后清除第一覆盖层(401)；
k)对复合电极进行退火处理；
其中，第一覆盖层(401)为光刻胶，厚度均为1000nm～3000nm。
步骤(f)和(j)中，因在蒸镀电极金属层时，各覆盖层上方也蒸镀了电极金属层，采用胶带剥离方法去除覆盖层上方的各电极层。
由于在步骤(g)的第二次曝光时，制作的电极图案大于第一次制作的电极图案，所以在步骤(h)中，湿法刻蚀出的电极图案变大，进行第二次蒸镀时，第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)覆盖面积会大于第一次蒸镀的欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的覆盖面积，实现第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)覆盖在欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部。
步骤(k)中，退火温度优选为300-500摄氏度，退火时间优选为1-30分钟。
此外，该生产方法中，为了减少各覆盖层对发光外延层(102)表面的损伤，可在在第一覆盖层(401)与发光外延层(102)之间添加了第三覆盖层(403)，第三覆盖层(403)为SiO2、Ti或ITO(因锡金属氧化物，Indium Tin Oxides)，厚度为厚度为100nm～500nm，步骤(d)中，也对第三覆盖层(403)进行湿法刻蚀，并在步骤(k)中清除第三覆盖层(403)。因为SiO2、Ti或ITO性质稳定、质地较硬，可以在整个过程中对发光外延层起保护作用。当第三覆盖层(403)为SiO2或ITO时，由于SiO2或ITO为透明物质，对LED芯片出光效率基本无影响，可以将该SiO2或ITO覆盖层保留。
一种发光二极管芯片的复合电极的制作方法(下文称方法二)，包括以下步骤：
a)提供一片LED外延片(100)；
b)在LED外延片(100)的发光外延层(102)上表面自下而上依次制作第一覆盖层(401)、第二覆盖层(402)；
c)对第二覆盖层(402)进行曝光，制作电极图案；
d)对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第二覆盖层(402)、第一覆盖层(401)腐蚀去除，形成倒漏斗状镂空区域，露出下方的发光外延层(102)的上表面；
e)使用蒸发镀膜设备进行第一次蒸镀，在经过上述处理的LED外延片上依次蒸镀欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)；
f)去除第二覆盖层(402)表面的各电极层，然后清除第二覆盖层(402)；
g)使用蒸发镀膜设备进行第二次蒸镀，在LED外延片上依次蒸镀第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)；
h)去除第一覆盖层(401)表面的各电极层，然后清除第一覆盖层(401)；
i)对复合电极进行退火处理；
其中，第一覆盖层(401)为光刻胶，厚度为1000nm～3000nm。
第二覆盖层(402)可以为芯片生产工艺中普通常用覆盖层，只要能够通过湿法刻蚀构建形成倒漏斗状镂空区域的材料即可。本发明优选使用乳胶、硅胶、光刻胶或者橡胶，厚度为2000nm～3500nm。
步骤(d)中，对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第二覆盖层(402)、第一覆盖层(401)腐蚀去除，形成倒漏斗状镂空区域，露出下方的发光外延层(102)的上表面，其中各覆盖层腐蚀形成的窗口为各覆盖层的蒸镀窗口。因为湿法刻蚀特点为各向同性，腐蚀液对第二、第一覆盖层进行腐蚀时会向各个方向腐蚀，即垂直腐蚀和横向腐蚀同时进行，所以第一覆盖层形成的蒸镀窗口会比第二覆盖层的蒸镀窗口大，即全部蒸镀窗口自上而下依次变大，蒸镀窗口边缘呈阶梯状分布，所形成的镂空区域呈开口小底部大的倒漏斗状。
步骤(e)中，进行第一次蒸镀时因为镂空区域呈倒漏斗状，开口小底部大，所以通过蒸镀窗口蒸镀在LED外延片的欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)不能完全覆盖镂空区域的底部，位于镂空区域底部中央。
步骤(f)和(h)中，因在蒸镀电极金属层时，各覆盖层上方也蒸镀了电极金属层，采用胶带剥离方法去除覆盖层上方的各电极层。
步骤(g)中，进行第二次蒸镀时，因为蒸镀窗口变大，所以本次蒸镀的第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)覆盖面积会大于第一次蒸镀的欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的覆盖面积，实现第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)覆盖在欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部。
步骤(i)中，退火温度优选为300-500摄氏度，退火时间优选为1-30分钟。
此外，该生产方法中，为了减少各覆盖层对发光外延层(102)表面的损伤，第一覆盖层(401)与发光外延层(102)之间添加了第三覆盖层(403)，该第三覆盖层(403)为SiO2、Ti或ITO，厚度为厚度为100nm～500nm，步骤(d)中，也对第三覆盖层(403)进行湿法刻蚀，并在步骤(h)中清除第三覆盖层(403)，该覆盖层作用及原理同方法一。当第三覆盖层(403)为SiO2或ITO时，由于SiO2或ITO为透明物质，对LED芯片出光效率影响较小，可以将该SiO2或ITO覆盖层保留。
本发明中的一种发光二极管芯片的复合电极及其制造方法的优点是：
(1)本发明中的用于发光二极管芯片的复合电极中，第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)自下而上依次覆盖在欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部。这种结构可以实现使用成本廉价的Al、Ag等活泼金属替代电极中的部分Au，降低了电极的成本；由于Al、Ag等活泼金属被完全包裹在电极内部，不与外界接触，具有更强的环境适应能力，不会因为遇到酸性或碱性环境而变质。
(2)本发明提出了两种复合电极的制作方法，分别为方法一和方法二。方法一中，采用分别分两次曝光，特点为第二次曝光制作的电极图案大于第一次制作的电极图案，所以第二次蒸镀时，可实现第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)对下面各金属层的全面覆盖。方法二中，巧妙地在LED外延片上方构建倒漏斗状镂空区域，利用不同大小的蒸镀窗口进行电极金属层蒸镀的方法，此方法同样实现了第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)对下面各金属层的全面覆盖。方法二不但提出通过在外延片上设置蒸镀窗口，通过蒸镀窗口制作各电极层，而且由于采用大小可变的蒸镀窗口，巧妙控制了各电极层的覆盖面积，大蒸镀窗口制作的电极可以完全包裹住小蒸镀窗口制作的电极。
经本人多次试验，方法一和方法二都可以制作出本发明提出的用于发光二极管芯片的复合电极。此外，两种制作方法都简单可行、可操作性高，便于规模化生产：方法一需要经过两次曝光于显影，制作工艺较为繁琐；而方法二只需要一次曝光和显影，在曝光工艺上进行了大量简化，所以方法二比方法一更简单，更适合于规模化生产。
附图说明：
图1：具有常规电极发光二极管芯片结构图
图2：具有复合电极的发光二极管芯片结构图
图3：方法一中经过步骤(d)的LED外延片结构图
图4：方法一中经过步骤(e)的LED外延片结构图
图5：方法一中经过步骤(g)的LED外延片结构图
图6：方法一中经过步骤(h)的LED外延片结构图
图7：方法一中经过步骤(d)的带有第三覆盖层的LED外延片的结构图
图8：方法二中经过步骤(b)的LED外延片结构图
图9：方法二中经过步骤(d)的LED外延片结构图
图10：方法二中经过步骤(e)的LED外延片结构图
图11：方法二中经过步骤(g)的LED外延片结构图
附图标记：
100：LED外延片
101：衬底
102：发光外延层
200：正面电极
202：隔离金属层
203：Au层
300：复合电极
301：欧姆接触金属层
302：第一隔离金属层
303：填充金属层
304：第二隔离金属层
305：表面金属层
401：第一覆盖层
402：第二覆盖层
403：第三覆盖层
500：背面电极
具体实施方式
实施例1
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构自下而上分别为：欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)、填充金属层(303)、第二隔离金属层(304)、表面金属层(305)，其中，第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)覆盖在欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部，如图2。其中，欧姆接触金属层(301)为AuBe合金，厚度为10nm；第一隔离金属层(302)为Ti，厚度为5nm；填充金属层(303)Al，为100nm；第二隔离金属层(304)为Ti，其厚度为5nm；表面金属层(305)为Au，其厚度为50nm。
上述用于发光二极管芯片的复合电极(300)的制作方法为：
a)提供一片LED外延片(100)；
b)在LED外延片(100)的发光外延层(102)制作第一覆盖层(401)。在第一覆盖层(401)上进行曝光，制作电极图案；
c)对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第一覆盖层(401)去除，露出下方的发光外延层(102)的上表面，如图3；
d)使用蒸发镀膜设备进行第一次蒸镀，在经过上述处理的LED外延片上依次蒸镀欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)，如图4；
e)去除第一覆盖层(401)表面的各电极层；
f)在第一覆盖层(401)上方进行第二次曝光，制作电极图案，其中此步骤电极图案应比步骤(c)中制作的电极图案大，将步骤(c)中的电极图案外围向外扩大2～3微米，如图5；
g)对经过步骤(h)的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第一覆盖层(401)去除，露出电极图案处的发光外延层(102)和填充金属层(303)，如图5；
h)使用蒸发镀膜设备进行第二次蒸镀，在LED外延片上依次蒸镀第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)，如图6；
i)去除第一覆盖层(401)表面的各电极层，然后清除第一覆盖层(401)；
j)对复合电极进行退火处理；
其中，第一覆盖层(401)为光刻胶，厚度为1000nm。
步骤(f)和(j)中，因在蒸镀电极金属层时，各覆盖层上方也蒸镀了电极金属层，采用胶带剥离方法去除覆盖层上方的各电极层。
步骤(k)中，退火温度优选为300摄氏度，退火时间优选为10分钟。
实施例2
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构同实施例1。
不同于实施例1之处在于，该发光二极管芯片的复合电极(300)的制作方法，步骤为：
a)提供一片LED外延片(100)；
b)在LED外延片(100)的发光外延层(102)上表面自下而上依次制作第一覆盖层(401)、第二覆盖层(402)，如图8；
c)对第二覆盖层(402)进行曝光，制作电极图案；
d)对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第二覆盖层(402)、第一覆盖层(401)腐蚀去除，形成倒漏斗状镂空区域，露出下方的发光外延层(102)的上表面，如图9；
e)使用蒸发镀膜设备进行第一次蒸镀，在经过上述处理的LED外延片上依次蒸镀欧姆接触金属层(301)、第一隔离金属层(302)和填充金属层(303)，如图10；
f)去除第二覆盖层(402)表面的各电极层，然后清除第二覆盖层(402)，如图5；
g)使用蒸发镀膜设备进行第二次蒸镀，在LED外延片上依次蒸镀第二隔离金属层(304)和表面金属层(305)，如图11；
h)去除第一覆盖层(401)表面的各电极层，然后清除第一覆盖层(401)；
i)对复合电极进行退火处理；
其中，第一覆盖层(401)为光刻胶，厚度为1000nm～3000nm。第二覆盖层(402)为乳胶，厚度为2000nm～3500nm。
步骤(i)中，退火温度优选为300摄氏度，退火时间优选为10分钟。
实施例3
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构与实施例1不同之处在于：其欧姆接触金属层(301)为Ti和Zn，厚度为300nm，第一隔离金属层(302)为W，其厚度为50nm；填充金属层(303)为Ag，其厚度为1000nm；第二隔离金属层(304)为Pt，其厚度为50nm；表面金属层(305)为Au，厚度为200nm。
上述复合电极(300)的制作方法同实施例1，其中不同之处在于第一覆盖层(401)的厚度为2000nm。
实施例4
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构与实施例1不同之处在于：其欧姆接触金属层(301)为AuGe合金，厚度为500nm，第一隔离金属层(302)为Ni和Pt，其厚度为70nm；填充金属层(303)为Ag和Cu，其厚度为2000nm；第二隔离金属层(304)为Ni和Cr，其厚度为70nm；表面金属层(305)为Au，厚度为400nm。
上述复合电极(300)的制作方法同实施例1，其中不同之处在于第一覆盖层(401)的厚度为3000nm。
实施例5
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构与实施例1不同之处在于：欧姆接触金属层(301)为ITO，厚度为100nm。
上述复合电极(300)的制作方法同实施例1。
实施例6
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构与实施例1，如图8。
上述复合电极(300)的制作方法与实施例1不同之处在于：
为了防止制作过程中对LED外延片的影响，第一覆盖层(401)与发光外延层(102)之间添加了第三覆盖层(403)，第三覆盖层(403)为SiO2，厚度为100nm。步骤(d)中，也对第三覆盖层(403)进行湿法刻蚀，并在步骤(j)中清除第三覆盖层(403)。
步骤(k)中，退火温度优选为400摄氏度，退火时间优选为15分钟。
实施例7
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构同实施例1，其不同之处在于除芯片电极LED芯片的发光外延层表面还带有一层ITO。因为ITO为透明层，所以对芯片出光影响很小，为了简化生产工艺，可将其在制作过程中进行保留。
上述复合电极(300)的制作方法与实施例1不同之处在于：
为了防止制作过程中对LED外延片的影响，第一覆盖层(401)与发光外延层(102)之间添加了第三覆盖层(403)，第三覆盖层(403)为ITO，厚度为100nm。步骤(d)中，也对第三覆盖层(403)进行湿法刻蚀，并在步骤(j)中，将第三覆盖层(403)保留。
实施例8
一种发光二极管芯片的复合电极(300)，其结构同实施例2，其不同之处在于除芯片电极LED芯片的发光外延层表面还带有一层SiO2层。因为SiO2层为透明层，所以对芯片出光影响很小，为了简化生产工艺，可将其在制作过程中进行保留。
上述复合电极(300)的制作方法与实施例2不同之处在于：
第一覆盖层(402)为硅胶，厚度为2500nm；
为了减少各覆盖层对发光外延层(102)表面的损伤，第一覆盖层(401)与发光外延层(102)之间添加了第三覆盖层(403)，第三覆盖层(403)为ITO，厚度为200nm。步骤(d)中，也对第三覆盖层(403)进行湿法刻蚀，并在步骤(h)中清除第三覆盖层(403)。
Claims (11)
1.一种发光二极管芯片的复合电极，其特征在于其结构自下而上分别为：欧姆接触金属层301、第一隔离金属层302、填充金属层303、第二隔离金属层304和表面金属层305，其中第二隔离金属层304和表面金属层305覆盖在欧姆接触金属层301、第一隔离金属层302和填充金属层303的上面和侧面，完全将这三个电极层包裹在电极内部。
2.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于欧姆接触金属层301为Au、AuBe合金、AuGe合金、Ti、Cr、Ni、Sn、In、Zn中至少一种金属或ITO，其厚度为10～600nm。
3.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于第一隔离金属层302为Ti、Cr、Ni、W、Pt中至少一种金属，其厚度为5～100nm。
4.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于填充金属层303为Al、Ag、Ni、Cu、Fe、Zn中至少一种金属，其厚度为100～3000nm。
5.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于第二隔离金属层304为Ti、Cr、Ni、W、Pt中至少一种金属，其厚度为5～100nm。
6.如权利要求1所述的复合电极，其特征在于表面金属层305为Au，其厚度为50～500nm。
7.一种发光二极管芯片的复合电极的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
a)提供一片LED外延片100；
b)在LED外延片100的发光外延层102制作第一覆盖层401；
c)在第一覆盖层401上进行曝光，制作电极图案；
d)对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第一覆盖层401去除，露出下方的发光外延层102的上表面；
e)使用蒸发镀膜设备进行第一次蒸镀，在经过上述处理的LED外延片上依次蒸镀欧姆接触金属层301、第一隔离金属层302和填充金属层303；
f)去除第一覆盖层401表面的各电极层；
g)在第一覆盖层401上方进行第二次曝光，制作电极图案，其中此步骤电极图案应比步骤c中制作的电极图案大，将步骤c中的电极图案外围向外扩大2～3微米；
h)对经过步骤h的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第一覆盖层401去除，露出电极图案处的发光外延层102和填充金属层303；
i)使用蒸发镀膜设备进行第二次蒸镀，在LED外延片上依次蒸镀第二隔离金属层304和表面金属层305；
j)去除第一覆盖层401表面的各电极层，然后清除第一覆盖层401；
k)对复合电极进行退火处理；
其中，第一覆盖层401为光刻胶，厚度均为1000nm～3000nm；
步骤f和j中，采用胶带剥离方法去除覆盖层上方的各电极层。
8.如权利要求7中所述的复合电极的制作方法，其特征在于在第一覆盖层401与发光外延层102之间添加了第三覆盖层403，第三覆盖层为SiO2、Ti或ITO，厚度为厚度为100nm～500nm，步骤d中，也对第三覆盖层403进行湿法刻蚀，并在步骤j中清除第三覆盖层。
9.一种发光二极管芯片的复合电极的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
a)提供一片LED外延片100；
b)在LED外延片100的发光外延层102上表面自下而上依次制作第一覆盖层401、第二覆盖层402；
c)对第二覆盖层上402进行曝光，制作电极图案；
d)对曝光后的外延片进行湿法刻蚀，将电极图案处的第二覆盖层402、第一覆盖层401腐蚀去除，形成倒漏斗状镂空区域，露出下方的发光外延层102的上表面；
e)使用蒸发镀膜设备进行第一次蒸镀，在经过上述处理的LED外延片上依次蒸镀欧姆接触金属层301、第一隔离金属层302和填充金属层303；
f)去除第二覆盖层402表面的各电极层，然后清除第二覆盖层402；
g)使用蒸发镀膜设备进行第二次蒸镀，在LED外延片上依次蒸镀第二隔离金属层304和表面金属层305；
h)去除第一覆盖层402表面的各电极层，然后清除第一覆盖层401；
i)对复合电极进行退火处理；
其中，第一覆盖层401为光刻胶，厚度为1000nm～3000nm。
步骤f和h中，采用胶带剥离方法去除覆盖层上方的各电极层。
10.如权利要求9中所述的复合电极的制作方法，其特征在于第二覆盖层402为乳胶、硅胶、光刻胶或者橡胶，厚度为2000nm～3500nm。
11.如权利要求9中所述的复合电极的制作方法，其特征在于其特征在于第一覆盖层与发光外延层102之间添加了第三覆盖层403，该第三覆盖层为SiO2、Ti或ITO，厚度为厚度为100nm～500nm，并在步骤h中清除第三覆盖层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011100097516A CN102130259A (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN2011100097516A CN102130259A (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102130259A true CN102130259A (zh) | 2011-07-20 |
Family
ID=44268230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100097516A Pending CN102130259A (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN102130259A (zh) |
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Application publication date: 20110720 |