RU2457584C2 - Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией - Google Patents
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией Download PDFInfo
- Publication number
- RU2457584C2 RU2457584C2 RU2009143902/28A RU2009143902A RU2457584C2 RU 2457584 C2 RU2457584 C2 RU 2457584C2 RU 2009143902/28 A RU2009143902/28 A RU 2009143902/28A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A RU 2457584 C2 RU2457584 C2 RU 2457584C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- metal
- light emitting
- shunt
- conductive layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 171
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 171
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 243
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Изобретение относится к органическим светоизлучающим устройствам. Сущность изобретения: органическое светоизлучающее устройство содержит первый металлический шунт и второй металлический шунт, причем указанный первый металлический шунт находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем, а указанный второй металлический шунт находится в электрическом контакте со вторым электропроводным слоем. Техническим результатом изобретения является получение светоизлучающего устройства, которое предусматривает использование электроизолирующего материала между металлическими шунтами и катодом без уменьшения эффективной площади элемента изображения устройства. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству, содержащему подложку, первый электропроводный слой, светоизлучающий слой и второй электропроводный слой. Органическое светоизлучающее устройство также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт, который находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем. Изобретение также относится к способу изготовления такого органического светоизлучающего устройства.
Предпосылки изобретения
Благодаря их высокому разрешению, высококачественным изображениям и независимости от источников заднего освещения, органические светоизлучающие диоды привлекли значительное внимание для применения в отображающих и осветительных средствах.
Органический светоизлучающий диод электрически возбуждает флуоресцентные или фосфоресцирующие органические составы для излучения света. Органические светоизлучающие диоды могут быть или с пассивной матрицей, или с активной матрицей, в зависимости от способа, используемого для возбуждения элементов изображения, которые расположены в матрице.
Будучи коммерчески успешными в вариантах применения с малой площадью, таких как дисплеи сотовых телефонов, органические устройства с большой площадью сталкиваются с техническими трудностями. Так как слои анода и катода представляют собой тонкие пленки, имеющие ограниченную электрическую проводимость, они не способны проводить сильный ток без существенной потери энергии. Эта проблема дополнительно усиливается, когда один из электродных слоев также должен быть оптически прозрачен для того, чтобы допускать прохождение света. Для ламп на органических светоизлучающих диодах эти проблемы еще более уместны, так как они работают с относительно сильными токами.
Для решения этой проблемы могут быть введены металлические шунты, которые компенсируют потерю энергии и служат средствами для направления и ускорения распространения разряда.
Как правило, металлические шунты отделены от катодного слоя при помощи изолирующего резистного слоя.
Такое устройство раскрыто в документе WO 2005/053053. Эта заявка касается органического светоизлучающего устройства, содержащего пакет из слоев подложки, анодного слоя, светоизлучающего слоя, катодного слоя, структурированных металлических шунтов и травленый защитный слой. Резистные линии изоляции катода расположены на металлических шунтах, которые совместно определяют форму элемента изображения устройства.
Хотя изобретение, раскрытое в документе WO 2005/053053, решает другую проблему, оно иллюстрирует последовательность использования резистов для изоляции металлических шунтов от катодного слоя. Для функционирования в качестве электроизолирующих слоев резистные слои, расположенные поверх металлических шунтов, должны проходить по большей поверхности, чем верхняя поверхность металлических шунтов. Это приводит к тому, что эффективная площадь элемента изображения, то есть передающая свет поверхность, ограниченная между шунтами, уменьшена.
Таким образом, в данной области техники существует потребность в получении органического светоизлучающего устройства, содержащего металлический шунт (шунты), который может быть изолирован от катода без уменьшения эффективной площади элемента изображения.
Сущность изобретения
Целью настоящего изобретения является, по меньшей мере, частичное преодоление вышеупомянутых проблем и удовлетворение требованиям в данной области техники.
В частности, целью настоящего изобретения является получение светоизлучающего устройства, которое предусматривает использование электроизолирующего материала между металлическими шунтами и катодом без уменьшения эффективной площади элемента изображения устройства.
Таким образом, согласно первому объекту, настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, содержащему подложку, первый электропроводный слой, светоизлучающий слой и второй электропроводный слой.
Устройство, соответствующее настоящему изобретению, также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт, который находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем. По меньшей мере, один металлический шунт изолирован от второго электропроводного слоя, по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя. Органическое светоизлучающее устройство также содержит первый и второй металлические шунты. Первый металлический шунт находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем, и второй металлический шунт находится в электрическом контакте со вторым электропроводным слоем. Диэлектрический оксидный слой действует как электроизолирующий слой, который изолирует металлический шунт (шунты) от второго электропроводного слоя и предотвращает возникновение короткого замыкания в устройстве. Первый металлический шунт может использоваться для шунтирования первого электропроводного слоя, и второй металлический шунт для шунтирования второго электропроводного слоя.
При приложении напряжения к первому и второму электропроводным слоям от светоизлучающего слоя испускается свет и излучается от устройства через первый электропроводный слой и подложку.
По меньшей мере, один металлический шунт содержит первый металлический слой, который покрыт диэлектрическим оксидным слоем. Диэлектрический оксидный слой может быть оксидным слоем, который сформирован из первого металлического слоя металлического шунта.
В предпочтительных вариантах осуществления изобретения диэлектрический оксидный слой является анодированным металлическим слоем, то есть он сформирован посредством анодирования первого металлического слоя шунта. Анодирование металлического слоя предусматривает формирование самосовмещенного однородного оксидного слоя, проходящего по всей поверхности первого металлического слоя. В результате, площадь элемента изображения, то есть светоизлучающего района, ограниченного между элементами структуры металлических шунтов, увеличена.
Первый металлический слой металлического шунта может содержать материал, отобранный, например, из алюминия, циркония, титана и галлия. Такие материалы способны анодироваться, допуская формирование диэлектрического металлического оксидного слоя, который может действовать как электроизолирующий слой в светоизлучающих устройствах, содержащих металлические шунты. Такие металлы также являются металлами с хорошей электропроводностью, которые поддерживают устойчивые характеристики напряжения пробоя и электрического сопротивления.
Предпочтительно, по меньшей мере, один металлический шунт также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой, который нанесен для улучшения электрического контакта между первым электропроводным слоем и металлическим шунтом. Примеры металлов, которые могут использоваться, включают молибден, алюминий, хром, нитрид титана, медь, серебро, золото, вольфрам, цирконий, титан, гафний или их комбинации или сплавы. Такие металлы электрохимически устойчивы и будут защищать первый электропроводный слой от деградации из-за контакта с окисленным первым металлическим слоем.
В альтернативном варианте осуществления изобретения органическое светоизлучающее устройство содержит два металлических шунта, и второй металлический шунт, предпочтительно, расположен поверх первого металлического шунта. Шунты отделены друг от друга посредством второго диэлектрического слоя.
Второй диэлектрический слой используется для электрической изоляции первого металлического шунта от второго, таким образом изолируя первый и второй электропроводные слои друг от друга. Примерами материалов, которые используются в качестве второго диэлектрического слоя, являются SiO2, Si3N4, Al2O3.
Согласно второму объекту настоящее изобретение относится к способу изготовления органического светоизлучающего устройства описанного выше типа. Способ содержит:
a) выполнение подложки;
b) нанесение первого электропроводного слоя на подложку;
c) нанесение первого металлического слоя на подложку или на первый электропроводный слой;
d) структурирование первого металлического слоя для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта;
e) формирование диэлектрического оксидного слоя на первом металлическом слое металлического шунта;
f) нанесение светоизлучающего слоя на первый электропроводный слой; и
g) нанесение второго электропроводного слоя на светоизлучающий слой;
указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя на указанной подложке или указанном первом электропроводном слое до этапа с) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) с использованием диэлектрического оксидного слоя, сформированного на этапе е) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев).
Предпочтительно, диэлектрический оксидный слой, сформированный на указанном этапе c), формируют посредством анодирования первого металлического слоя, по меньшей мере, одного металлического шунта. Анодирование предпочтительно, поскольку оно позволяет формировать самосовмещенный оксидный слой, и, таким образом, не требуется какой-либо дополнительный этап совмещения в ходе процесса. Кроме того, толщина оксидного слоя может регулироваться.
Эти и другие объекты изобретения будут очевидны на основе вариантов (варианта) осуществления изобретения, описанных ниже.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 - вид одного варианта выполнения органического светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению.
Фиг.2a - вид сверху части органического светоизлучающего устройства согласно изобретению.
Фиг.2b - вид сверху части органического светоизлучающего устройства, соответствующего обычным светоизлучающим устройствам с использованием резистов в качестве электроизолирующих материалов.
Фиг.3 - вид светоизлучающего устройства, содержащего два металлических шунта, представляющего альтернативный вариант осуществления настоящего изобретения.
Фиг.4 - вид сверху цветного элемента изображения с анодированным металлом.
Фиг.5a - этап процесса изготовления металлического шунта для использования в светоизлучающем устройстве согласно изобретению.
Фиг.5b - вид металлического шунта, содержащего несколько металлических слоев, которые структурированы с использованием диэлектрического оксидного слоя в качестве маски для травления.
Фиг.6 - вид альтернативного варианта выполнения светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению.
Подробное описание вариантов осуществления изобретения
Согласно одному объекту настоящая заявка касается светоизлучающего устройства, и согласно другому объекту она касается способа изготовления такого устройства.
Один вариант осуществления изобретения светоизлучающего устройства 100 согласно настоящему изобретению показан на фиг.1 и содержит подложку 101, первый электропроводный слой 102, светоизлучающий слой 103 и второй электропроводный слой 104. Светоизлучающее устройство также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт 105, который находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем 102.
Металлический шунт 105 изолирован от второго электропроводного слоя 104, по меньшей мере, при помощи диэлектрического оксидного слоя 106.
Когда прилагается напряжение, через устройство 100 начинает проходить ток. Ток проходит от первого электропроводного слоя 102 ко второму электропроводному слою 104. Соответственно, отрицательно заряженные электроны движутся от второго электропроводного слоя 104 в светоизлучающий слой 103. В этот момент положительные заряды, обычно называемые дырками, движутся от первого электропроводного слоя 102 в светоизлучающий слой 103. Когда положительные и отрицательные заряды встречаются, они повторно рекомбинируются и производят фотоны (свет).
Подложка 101 и первый электропроводный слой 102 прозрачны для произведенных фотонов, и свет будет испускаться от органического светоизлучающего устройства через подложку 101, которая может содержать, например, стекло.
В этом варианте осуществления изобретения первый электропроводный слой 102 служит анодным слоем, и второй электропроводный слой 104 служит катодным слоем. В альтернативных вариантах осуществления изобретения первый электропроводный слой служит катодом, и второй электропроводный слой служит анодом.
По меньшей мере, один из первого и второго электропроводных слоев 102 и 104 является тонкой пленкой с ограниченной электрической проводимостью. Вследствие этого они не способны проводить сильный ток без существенной потери энергии. Эта проблема дополнительно усиливается, когда один из электропроводных слоев также должен быть оптически прозрачен для прохождения света.
Металлический шунт (шунты) 105 компенсирует потерю энергии и служит средством для направления и ускорения распространения разряда для устройства отображения. Другая цель металлического шунта (шунтов) 105 состоит в уменьшении сопротивления в линии первого электропроводного слоя 102 и/или второго электропроводного слоя 104.
Используемый здесь термин "металлический шунт" относится к структурированному металлическому слою или структурированному пакету из нескольких металлических слоев, служащих низкоомным соединением между двумя точками в электрической цепи. Металлические шунты формируют альтернативный путь для части тока.
Металлический шунт 105 содержит первый металлический слой 107, который покрыт диэлектрическим оксидным слоем 106.
Предпочтительно, диэлектрический оксидный слой 106 сформирован первым металлическим слоем 107. Формирование диэлектрического оксидного слоя 106, предпочтительно, осуществляется посредством анодирования первого металлического слоя 107 таким образом, что получают самосовмещенный однородный оксидный слой 106, проходящий по всей поверхности первого металлического слоя 107.
Так как диэлектрический оксидный слой 106 обладает очень высоким сопротивлением току, он будет изолировать металлический шунт 105 от второго электропроводного слоя 104, таким образом предотвращая короткое замыкание в пределах устройства 100.
На фиг.2a показан вид сверху органического светоизлучающего устройства 200, согласно изобретению, который иллюстрирует преимущества использования диэлектрического оксидного слоя, сформированного посредством анодирования первого металлического слоя металлического шунта 201. Как можно видеть, сформирована большая площадь элемента 202 изображения по сравнению с обычными органическими светоизлучающими устройствами с использованием резистов (показаны пунктирными линиями), как электроизолирующих материалов (фиг.2b).
Первый металлический слой металлического шунта должен содержать металл, пригодный для анодирования. Примерами таких металлов являются алюминий, цирконий, титан и галлий. Эти металлы имеют хорошую электропроводность и поддерживают устойчивые характеристики напряжения пробоя и электрического сопротивления. Предпочтительно, первый металлический слой металлического шунта содержит алюминий.
В предпочтительном варианте осуществления изобретения металлический шунт 105 содержит дополнительный металлический слой 108, предназначенный для улучшения электрического контакта между первым электропроводным слоем 102 и металлическим шунтом 105.
Примеры металлов, которые можно использовать в качестве дополнительного слоя (слоев) 108, имеют хорошую электрическую проводимость и могут быть отобраны, например, из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов. Эти металлы электрохимически устойчивы и защищают первый электропроводный слой 102 от деградации при контакте с окисленным первым металлическим слоем 107, что могло бы иметь место, когда в шунте 105 используется только первый металлический слой 107.
Предпочтительно, металлический шунт 105 содержит первый металлический слой 107 из алюминия и дополнительный металлический слой 108 из олова. Другими предпочтительными металлами для слоя 108 являются молибден и хром, к которым может быть добавлена присадка других металлов, например, к молибдену может быть добавлен хром.
В альтернативных вариантах осуществления настоящего изобретения органическое светоизлучающее устройство содержит два металлических шунта.
Такой вариант осуществления изобретения показан на фиг.3, где первый металлический шунт 303 находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем 302, и второй металлический шунт 304 находится в электрическом контакте со вторым электропроводным слоем (не показан). Следовательно, первый металлический шунт 303 используется для шунтирования первого электропроводного слоя 302, и второй металлический шунт 304 используется для шунтирования второго электропроводного слоя.
Предпочтительно, второй металлический шунт 304 расположен поверх первого металлического шунта 303, и они отделены друг от друга вторым диэлектрическим слоем 305.
Второй диэлектрический слой 305 электрически изолирует металлические шунты 303 и 304 друг от друга, таким образом изолируя первый электропроводный слой 302 от второго электропроводного слоя.
Примеры материалов, которые могут использоваться в качестве второго диэлектрического слоя в этом варианте осуществления изобретения, могут быть отобраны, например, из SiO2, Si3N4 и Al2O3. Другие материалы для использования в качестве второго диэлектрического слоя известны специалистам в данной области техники.
Предпочтительно, в этом варианте осуществления изобретения только первый металлический шунт 303 содержит диэлектрический оксидный слой 308, сформированный посредством анодирования первого металлического слоя 306, так как второй металлический шунт 304 должен создавать электрический контакт со вторым электропроводным слоем. Предпочтительно, по меньшей мере, часть шунта 304 не накрыта светоизлучающим слоем.
В органическом светоизлучающем устройстве, соответствующем настоящему изобретению, первый электропроводный слой может быть анодным слоем или катодным слоем. Соответственно, второй электропроводный слой может быть или катодным слоем, или анодным слоем. Предпочтительно, первый электропроводный слой представляет собой анодный слой, и второй электропроводный слой представляет собой катодный слой.
В вариантах осуществления изобретения, таких как вариант, показанный на фиг.1, свет, испускаемый от органического светоизлучающего слоя 103, излучается перпендикулярно вниз, и, таким образом, первый электропроводный слой 102 должен быть прозрачным для произведенного света. Следовательно, первый электропроводный слой должен содержать материал с хорошим светопропусканием.
Такие материалы включают, например, оксид индия и олова, оксид олова (например, с добавкой флуоресцирующего агента или сурьмы), оксид цинка (например, с добавкой алюминия), полиэтилендиокситиофен, оксид индия и цинка, пакеты из нескольких электропроводных металлов. В первом электропроводном слое может использоваться множество материалов и комбинаций материалов, и они известны специалистам в данной области техники.
Предпочтительно, первый электропроводный слой содержит оксид индия и олова или полиэтилендиокситиофен.
Второй электропроводный слой 104, который служит катодным слоем в варианте осуществления изобретения, показанном фиг.1, может содержать металл с низкой работой выхода, например щелочной металл, щелочноземельный металл или их сплавы. Специалистам в данной области техники известны несколько материалов, которые могут использоваться во втором электропроводном слое.
Согласно настоящему изобретению светоизлучающий слой 103 содержит полимерный светоизлучающий состав и/или органический светоизлучающий состав низкого молекулярного веса. Специалистам в данной области техники известны пригодные светоизлучающие составы с малым молекулярным весом или полимерные светоизлучающие составы.
В целом, светоизлучающий слой 103 существует как многослойная структура, включающая слой переноса электронов, электролюминесцентный слой и слой дырочного перехода. При приложении электрического тока материал светоизлучающего слоя 103 будет излучать свет, произведенный рекомбинацией электронов и дырок в органическом материале.
В случае с полимерным светодиодом светоизлучающий слой 103 представляет собой главным образом двухслойный пакет, содержащий дырочный проводник и светоизлучающий полимер. Однако светоизлучающий слой может включать другие слои, такие как блокирующий дырки напыленный органический слой на светоизлучающем полимере.
В случае с органическим светоизлучающим диодом с малыми молекулами светоизлучающий слой более сложен и может содержать: слой инжекции дырок, слой дырочного перехода, излучающий слой, блокирующий дырки слой, слой переноса электронов. Он может также содержать дополнительные слои, например три различных излучающих слоя для генерирования излучения белого света.
В вариантах осуществления изобретения могут применяться дополнительные слои между подложкой 101 и первым электропроводным слоем 102, например, для защиты устройства от воды, ионов и т.д.
На фиг.4 показаны преимущества изобретения, когда оно используется в вариантах применения для отображения. В обычных пассивных матричных дисплеях требуется отдельный диэлектрический слой на краю элемента изображения для достижения хороших характеристик смачивания и предотвращения короткого замыкания в пределах устройства. Вариант осуществления настоящего изобретения с использованием анодированного металлического слоя 401 вместо обычных диэлектриков будет также действовать как средство предотвращения короткого замыкания, но имеет дополнительное преимущество сокращения сопротивления к элементу изображения, также увеличивая эффективную площадь элемента 402 изображения. Эффективная площадь элемента изображения увеличена, поскольку больше не требуется отдельный шунт. Резистные линии изоляции катода (встроенная теневая маска) обозначены ссылочной позицией 403, и гидрофобные барьерные линии обозначены ссылочной позицией 404. Конечно, изобретение может также использоваться для других типов дисплеев, например дисплеев на органических светоизлучающих диодах с активной матрицей.
Настоящее изобретение также относится к способу изготовления органического светоизлучающего устройства описанного выше типа. Этот способ содержит этапы:
a) изготовления подложки 101;
b) расположения первого электропроводного слоя 102 на подложке 101;
c) расположения первого металлического слоя 107 на подложке 101 или на первом электропроводном слое 102;
d) структурирования первого металлического слоя 107 для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта 105;
e) формирования диэлектрического оксидного слоя 106 на первом металлическом слое 107 указанного металлического шунта 105;
f) расположения светоизлучающего слоя 103 на первом электропроводном слое 102; и
g) расположения второго электропроводного слоя 104 на светоизлучающем слое 103.
В вариантах осуществления настоящего изобретения способ выполняют в порядке этапов a-b-c-d-e-f-g.
Этапы a-c) и f-g) способа, соответствующего изобретению, неограничены определенным техническим приемом, но могут быть выполнены при помощи любого пригодного технического приема, который известен специалистам в данной области техники.
Например, светоизлучающий слой 103 может быть расположен на первом электропроводном слое 102 при помощи вакуумного или мокрого осаждения. Второй электропроводный слой 104 может быть расположен на светоизлучающем слое 103, например, при помощи вакуумного процесса или напыления.
Обращаясь снова к фиг.2, которая показывает вид сверху органического светоизлучающего устройства, можно видеть предпочтительную структуру металлических шунтов. Металлический слой (слои), предпочтительно, структурирован таким образом, что шунты проходят по поверхности подложки или первого электропроводного слоя, таким образом определяя структуру элемента изображения устройства. Способы структурирования металлического слоя (слоев) известны специалистам в данной области техники, например, могут использоваться широко известные способы напыления и травления.
В альтернативных вариантах осуществления изобретения способ выполняют в порядке этапов a-c-d-e-b-f-g.
В предпочтительных вариантах осуществления изобретения способ содержит дополнительный этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя 108 на подложке 101 или на первом электропроводном слое 102 перед этапом c). Это делают для улучшения электрического контакта между металлическим шунтом 105 и первым электропроводным слоем 102. Устройство такого металлического слоя (слоев) известно специалистам в данной области техники.
Дополнительный металлический слой (слои) 108 может быть сформирован с использованием диэлектрического оксидного слоя 106, сформированного на этапе e), как маска для травления дополнительного металлического слоя (слоев) 108. На фиг.5a показан этап способа, на котором первый металлический слой 507 был структурирован обычными способами, например, посредством травления с использованием фотографической маски. Дополнительный слой (слои) 508 еще не структурирован, но существует как металлический слой, проходящий по поверхности первого электропроводного слоя 502.
Благодаря использованию диэлектрического оксидного слоя 506 в качестве маски, может быть вытравлен дополнительный слой (слои) 508 с получением металлического шунта 505 в соответствии с настоящим изобретением (фиг.5b).
Согласно способу, соответствующему настоящему изобретению, диэлектрический оксидный слой 106, сформированный в ходе указанного этапа c), сформирован посредством анодирования первого металлического слоя 107 металлического шунта 105.
Анодирование является хорошо известной техникой, используемой для покрытия поверхности металла оксидным слоем. Первый металлический слой 107 металлического шунта 105 анодирован посредством пропускания тока через раствор серной кислоты, при этом первый металлический слой служит анодом. Ток выделяет водород на катоде и окисляет поверхность анода, что приводит к наращиванию окисла металла. Преимущество использования анодирования при создании диэлектрического оксидного слоя 106 состоит в том, что этот процесс самосовмещающий и не требует дополнительного этапа совмещения, который часто имеет место, когда используют, например, резисты. Таким образом, диэлектрический оксидный слой однородно располагается по всей поверхности первого металлического слоя 107.
Анодирование также выгодно, поскольку оно увеличивает сопротивление коррозии и износостойкость устройства, допускает окрашивание и готовит поверхность для других обработок и покрытий.
Сформированный оксидный слой 106 является диэлектрическим и служит электрически изолирующим слоем, который предотвращает возникновение короткого замыкания в светоизлучающих устройствах, содержащих металлические шунты.
Некоторые металлы, например алюминий, когда они открыты для атмосферы, формируют пассивный слой окисла металла, который обеспечивает умеренную защиту от коррозии. Однако такой пассивный оксидный слой недостаточно толст для функционирования в качестве диэлектрического слоя.
Толщина диэлектрического оксидного слоя может находиться в диапазоне от 2 миллимикронов до более 25 микрометров. Предпочтительно, толщина диэлектрического оксидного слоя составляет от 20 до 100 миллимикронов.
Вариант осуществления способа, выполняемого в порядке этапов a-c-d-e-b-f-g, описан в отношении фиг.6, на которой показано органическое светоизлучающее устройство 600, которое изготовлено в этом последнем порядке этапов. Светоизлучающий слой и второй электропроводный слой не показаны на этом чертеже.
В этом варианте осуществления изобретения первый металлический слой 607 и, если он применим, дополнительный металлический слой (слои) 608 расположен(ны) непосредственно на подложке 601, и первый электропроводный слой 602 расположен на подложке 601 после того, как первый металлический слой 607 и дополнительный слой 608 были структурированы, и слой 607 был анодирован.
Когда первый электропроводный слой 602 нанесен, он не должен прикрепляться к диэлектрическому оксидному слою 606, окружающему первый металлический слой 607 металлического шунта 605 в существенной степени. Для исключения "прилипания" первого электропроводного материала 602 к шунту 605 может быть нанесен гидрофобный органический высокотемпературный кипящий (100-200°C) растворитель, который заполняет поры, содержащиеся в диэлектрическом оксидном слое.
Следовательно, первый электропроводный слой 602 заполняет области между несколькими металлическими шунтами, но не будет существенно приставать к диэлектрическому слою 606 металлического шунта 605.
Для удаления органического растворителя с диэлектрического оксидного слоя 606 так же, как и воды с первого электропроводного слоя 602, устройство 600 может быть спечено при температуре приблизительно 200°C.
Последующие этапы расположения светоизлучающего слоя и второго электропроводного слоя выполняют, как описано выше.
В вариантах осуществления настоящего изобретения способ также содержит этап структурирования первого электропроводного слоя или после этапа b), d) или e). Используемый здесь термин "структурирование первого электропроводного слоя" относится к структурированию посредством, например, травления, лазерной абляции, осаждения через теневую маску, печати и т.д.
Хотя изобретение было показано и описано подробно на чертежах и в предшествующем описании, такое иллюстрирование и описание следует рассматривать как иллюстративное или образцовое и не вносящее ограничений; изобретение не ограничено раскрытыми вариантами его осуществления.
Другие варианты раскрытых вариантов осуществления изобретения могут быть поняты и выполнены специалистами в данной области техники при осуществлении заявленного изобретения при изучении чертежей, описания и прилагаемой формулы изобретения. Например, настоящее изобретение не ограничено определенной техникой выполнения этапов a-c) и f-g) данного способа изготовления, соответствующего изобретению, но может использоваться любой технический прием. Хотя анодирование является предпочтительным способом для формирования диэлектрического оксидного слоя, настоящее изобретение им не ограничено. Могут применяться несколько других способов для формирования такого диэлектрического оксидного слоя. Даже при том, что светоизлучающее устройство, соответствующее настоящему изобретению, предпочтительно, представляет собой органическое светоизлучающее устройство, оно не ограничено им. Светоизлучающее устройство, соответствующее настоящему изобретению, также может быть неорганическим. Когда устройство, соответствующее изобретению, является органическим, оно не ограничено определенным органическим или полимерным светоизлучающим составом; но вместо этого могут использоваться несколько возможных составов.
Claims (11)
1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302), и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104).
2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106).
3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
5. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический слой (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105) отобран из группы, состоящей из алюминия, циркония, титана и галлия.
6. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой (108), нанесенный для улучшения электрического контакта между указанным первым электропроводным слоем (102) и указанным, по меньшей мере, одним металлическим шунтом (105), причем указанный дополнительный металлический слой (слои) (108) может быть отобран из группы, состоящей из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов.
7. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный второй металлический шунт (304) расположен поверх указанного первого металлического шунта (303).
8. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический шунт (303) отделен от указанного второго металлического шунта (304) вторым диэлектрическим слоем (305).
9. Органическое светоизлучающее устройство (300) по п.8, в котором указанный второй диэлектрический слой (305) отобран из группы, состоящей из SiO2, Si3N4 и Аl2О3.
10. Способ изготовления органического светоизлучающего устройства (100) по п.1, содержащий:
a) обеспечение подложки (101);
b) расположение первого электропроводного слоя (102) на указанной подложке (101);
c) расположение первого металлического слоя (107) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102);
d) структурирование указанного первого металлического слоя (107) для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта (105);
e) формирование диэлектрического оксидного слоя (106) на указанном первом металлическом слое (107) указанного металлического шунта (105);
расположение светоизлучающего слоя (103) на указанном первом электропроводном слое (102); и
f) расположение второго электропроводного слоя (104) на указанном светоизлучающем слое (103); указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя (108) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102) до этапа с) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107) с использованием диэлектрического оксидного слоя (108), сформированного на этапе е) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107).
a) обеспечение подложки (101);
b) расположение первого электропроводного слоя (102) на указанной подложке (101);
c) расположение первого металлического слоя (107) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102);
d) структурирование указанного первого металлического слоя (107) для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта (105);
e) формирование диэлектрического оксидного слоя (106) на указанном первом металлическом слое (107) указанного металлического шунта (105);
расположение светоизлучающего слоя (103) на указанном первом электропроводном слое (102); и
f) расположение второго электропроводного слоя (104) на указанном светоизлучающем слое (103); указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя (108) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102) до этапа с) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107) с использованием диэлектрического оксидного слоя (108), сформированного на этапе е) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107).
11. Способ по п.10, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106), сформированный на указанном этапе е), формируют посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP07107086.6 | 2007-04-27 | ||
| EP07107086 | 2007-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009143902A RU2009143902A (ru) | 2011-06-10 |
| RU2457584C2 true RU2457584C2 (ru) | 2012-07-27 |
Family
ID=39580124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009143902/28A RU2457584C2 (ru) | 2007-04-27 | 2008-04-21 | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8004188B2 (ru) |
| EP (1) | EP2145355B1 (ru) |
| JP (1) | JP5063778B2 (ru) |
| CN (1) | CN101669228B (ru) |
| RU (1) | RU2457584C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008132655A2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2567118C1 (ru) * | 2014-07-10 | 2015-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2202819A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-06-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
| JP5608683B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2014-10-15 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | エレクトロルミネッセンス装置 |
| CN102308411B (zh) * | 2009-02-05 | 2015-04-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光装置 |
| JP5553518B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-07-16 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
| EP2658350B1 (en) * | 2010-12-24 | 2019-11-13 | Nec Lighting, Ltd. | Organic electroluminescent element |
| WO2015047057A1 (ko) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 적층체 및 이의 제조방법 |
| KR102119453B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| US9978674B2 (en) | 2016-04-05 | 2018-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip-on-film semiconductor packages and display apparatus including the same |
| KR20230052951A (ko) * | 2020-08-21 | 2023-04-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고급 패터닝을 위한 금속 오버행 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2160470C2 (ru) * | 1994-12-13 | 2000-12-10 | Де Трастиз ов Принстон Юниверсити | Многоцветные органические светоизлучающие устройства |
| EP1331666A2 (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004134282A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置及びそれを用いた画像読取装置 |
| EP1555856A2 (en) * | 1996-03-12 | 2005-07-20 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134895A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nec Corp | 薄膜ｅｌパネル |
| JPH08180974A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nippondenso Co Ltd | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
| US6858847B1 (en) | 1998-10-08 | 2005-02-22 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Circuit and method for energy discrimination of coincident events in coincidence detecting gamma camera system |
| JP2004519719A (ja) * | 2001-03-06 | 2004-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
| KR100404203B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2003-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 |
| JP2003255857A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機ｅｌディスプレイ |
| KR100504472B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| DE10324880B4 (de) * | 2003-05-30 | 2007-04-05 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von OLEDs |
| WO2005053053A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device comprising an etch-protective layer |
| US7622338B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN100542363C (zh) * | 2005-09-27 | 2009-09-16 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光装置及电极基板 |
-
2008
- 2008-04-21 US US12/596,862 patent/US8004188B2/en active Active
- 2008-04-21 EP EP08737937.6A patent/EP2145355B1/en active Active
- 2008-04-21 JP JP2010504937A patent/JP5063778B2/ja active Active
- 2008-04-21 WO PCT/IB2008/051530 patent/WO2008132655A2/en active Application Filing
- 2008-04-21 RU RU2009143902/28A patent/RU2457584C2/ru active
- 2008-04-21 CN CN2008800138052A patent/CN101669228B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2160470C2 (ru) * | 1994-12-13 | 2000-12-10 | Де Трастиз ов Принстон Юниверсити | Многоцветные органические светоизлучающие устройства |
| EP1555856A2 (en) * | 1996-03-12 | 2005-07-20 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
| EP1331666A2 (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004134282A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置及びそれを用いた画像読取装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2567118C1 (ru) * | 2014-07-10 | 2015-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2009143902A (ru) | 2011-06-10 |
| US20100084963A1 (en) | 2010-04-08 |
| WO2008132655A3 (en) | 2009-02-05 |
| WO2008132655A2 (en) | 2008-11-06 |
| CN101669228A (zh) | 2010-03-10 |
| EP2145355A2 (en) | 2010-01-20 |
| US8004188B2 (en) | 2011-08-23 |
| CN101669228B (zh) | 2012-06-20 |
| JP2010525539A (ja) | 2010-07-22 |
| JP5063778B2 (ja) | 2012-10-31 |
| EP2145355B1 (en) | 2013-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2457584C2 (ru) | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией | |
| US8927325B2 (en) | Method for producing an organic radiation-emitting component and organic radiation-emitting component | |
| KR101315086B1 (ko) | 유기 전자 장치 및 그 제조 방법 | |
| RU2507638C2 (ru) | Устройство oled с покрытой шунтирующей линией | |
| US20080252205A1 (en) | Large Area Organic Diode Device and a Method of Manufacturing It | |
| CN109841749B (zh) | 有机发光装置 | |
| US8791490B2 (en) | Organic light-emitting diode, contact arrangement and method for producing an organic light-emitting diode | |
| KR20090028513A (ko) | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2000082588A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
| CN1883234A (zh) | 显示面板 | |
| KR20130063077A (ko) | 유기발광소자 및 그의 제조방법 | |
| WO2017016134A1 (zh) | 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法 | |
| US20100006827A1 (en) | Electroluminescent Device | |
| US20120295372A1 (en) | Method of maskless manufacturing of oled devices | |
| KR20220129601A (ko) | 미러를 갖는 oled(organic light-emitting diode) 디스플레이 디바이스들 및 이를 제조하기 위한 방법 | |
| WO2012131288A1 (en) | Surface planarisation | |
| KR100793314B1 (ko) | 다층 구조의 애노드 및 상기 애노드를 포함하는 상향 발광유기 발광소자 | |
| JP2012064387A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
| TW201004470A (en) | Electro-optic device and method for manufacturing the same | |
| KR100334239B1 (ko) | 유기물 전기발광 디스플레이 제조방법 | |
| KR20160085617A (ko) | Led용 고방열 금속 pcb 형성 기술 개발 | |
| CN111554750B (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板 | |
| KR20050107962A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190313 |