JP5608683B2 - エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5608683B2
JP5608683B2 JP2011548816A JP2011548816A JP5608683B2 JP 5608683 B2 JP5608683 B2 JP 5608683B2 JP 2011548816 A JP2011548816 A JP 2011548816A JP 2011548816 A JP2011548816 A JP 2011548816A JP 5608683 B2 JP5608683 B2 JP 5608683B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrical
substrate
electrode
electroluminescent device
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011548816A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012517088A (ja
Inventor
エフ ベルナー,ヘルベルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2012517088A publication Critical patent/JP2012517088A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5608683B2 publication Critical patent/JP5608683B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/88Terminals, e.g. bond pads
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス装置に関し、該装置は基板及び基板上の基板電極、対向電極及び、前記基板電極及び対向電極間に設けられる少なくともひとつのエレクトロルミネッセンス層スタックを含み、少なくともひとつの電気的シャント手段(electrical shunt means)が前記基板電極のトップに適用され、前記基板電極に亘る電流分布を改良する。さらに、本発明は、エレクトロルミネッセンス装置の基板電極を電気的シャント手段によりシャントするための方法に関する。
WO2009/001241A1には、有機発光ダイオード(OLED)が記載されている。前記エレクトロルミネッセンス装置は、基板電極及び複数の相互に空間的に離された電気的シャント手段を含み、それぞれは前記基板電極に直接接触する。さらに、前記エレクトロルミネッセンス層スタックは基板電極上に設けられ、対向電極が前記エレクトロルミネッセンス層スタックの上に配置される。蓋(lid)が前記基板に付され、前記蓋と前記基板間で前記エレクトロルミネッセンス層スタックを密閉封止する。従って蓋は被包手段の形状を有する。前記エレクトロルミネッセンス装置はさらに、複数のスペーサ構造を有し、それぞれは前記蓋と前記基板間に、前記電気的シャント手段に応じた位置で設けられている。
前記電気的シャント手段は導電性構造を有し、前記基板電極と直接電気的に接触し、操作の際に前記エレクトロルミネッセンス装置の領域に亘る電流分布をより均一なものとする。これらの電気的シャント手段は、金属ストライプとして開示され、格子を形成していてよい。前記電気的シャント手段を基板電極に適用するために、異なる製造方法が開示され、一般的に材料堆積技術に基づく方法である。例えば、スクリーン印刷や十分に厚い(>30μm)レジスト層を用いるホトリソグラフが利用される。または、ホットメルトインクジェット印刷(「固体インクジェット印刷」とも参照される)も適用可能である。ホットメルトインクジェット印刷を用いる場合は、印刷パターンは十分に分離されており、その構造は適切な高さ、例えば30〜70μmを持ち、かつ滑らかな、前記スペーサ構造上に約60度以下の前記表面との接触角を有する浅いエッジを持つものでなければならない。
残念ながら、前記電気的シャント手段を製造するための材料堆積技術又は材料印刷技術を基板電極上の表面に適用する際に問題を生じる。つまりこれらの製造技術は基本的に手間と費用がかかる。
従って、本発明は、上記問題を解決することを課題とする。特に本発明の課題は基板電極上の電気的シャント手段の改良された適用を開示することである。
この課題は、本発明の特許請求の範囲で教示されるエレクトロルミネッセンス装置により解決される。また該課題は、本発明の特許請求の範囲で教示される方法で解決される。本発明の装置及び方法の有利な実施態様は従属請求項に記載される。本発明のエレクトロルミネッセンス装置に関して説明される構成及び詳細については、本発明の方法にも適用され、逆もまたそうである。
本発明は電気的シャント手段を開示する。該電気的シャント手段は、ワイヤ、金属ストライプ又はホイルを含む群から選択される少なくともひとつの要素である。前記電気的シャント手段は基板電極に保護手段により固定される。該保護手段は、前記基板電極上に影形成エッジの生成を防止するために適した形状で、前記電気的シャント手段を完全にカバーする。
本発明の主な考え方は、ワイヤ、金属ストライプ又はホイルを、単一の導電性要素として使用し、それを基板電極の表面上に適用して電気的シャント手段を形成する、ということである。該ワイヤは、直径が数ミクロンから数百ミクロンの構造とすることができる。ただし、本発明の範囲内で該ワイヤの直径は限定されるものではない。基板電極の表面に、導電性接着剤、導電性樹脂及び/又は導電性ラッカーを含む群からの少なくともひとつの要素による手段にて、電気的シャント手段を適用することで、前記基板電極の横方向に亘る電流分布を改良することができる。担体としての前記基板材料上に基板電極材料を堆積する際には、基板電極を小さい厚さにすることが目標とされる。というのはそれにより、前記有機エレクトロルミネッセンス層により生成される発光量を増加させることができるからである。残念なことに、基板電極内の前記電気抵抗は厚さが減少するにつれて増加することであり、従って、基板電極の端から中間への電圧降下が操作中に徐々に大きくなり、その結果電流分布及び発光が不均一となる。
この欠点を克服するために、電気的シャント手段を、前記基板電極の外側又はボーダー領域と基板電極の内部領域との間を小さい電気抵抗を持つ電気的接続を形成するように適用する。これにより、基板電極全体の領域に亘りより均一な電流分布は達成される。該電気的接続点のそれぞれは、前記基板電極を横切る前記電気的シャント手段を介して相互に接続され、操作の際でもほとんど同じ電位である。従って、前記全領域に亘る発光される光の明るさはより均一となる。本発明の一般的考えにおいて、単一の電気的接続要素を基板電極に適用して前記電気的シャント手段を形成することができる。これらの単一の電気的接続要素は、簡単な要素、例えばワイヤ、ケーブル、金属ストライプ又はホイルなどの要素として実施され得る。これらは基板電極の表面に配置され、それぞれ基板電極に電気的に接続される。これらの単一の導電性要素は基本的には、堆積技術では製造されず、前記電気的シャント手段の製造は、スクリーン印刷又はホトリソグラフ技術に基づくものではない。さらに、前記電気的シャント手段の製造は、ホットメルトインクジェット印刷(これはまた、固体インクジェット印刷と参照される)に基づくものでもない。
基板電極上に影生成エッジを形成し、前記エレクトロルミネッセンス層スタック及び対向電極を積層する上で問題を起こす欠点を解決するために、前記電気的シャント手段を形成する前記単一の導電性要素は、前記電気的シャント手段を完全にカバーする保護手段により前記基板電極に固定される。該保護手段は、前記基板電極上に影生成エッジを形成することを防止するために適した形状の構造を有する。さらに、該保護手段は、前記電気的シャント手段をひとつの形状で完全にカバーする。該形状とは、前記導電性要素により形成される前記電気的シャント手段と前記基板電極のその他の表面との間を滑らかに変化する特徴を持つ形状である。
本発明においてエレクトロルミネッセンス(EL)層スタックとは、前記基板電極及び前記対向電極の間に調製される全ての層を意味する。EL層スタックのひとつの実施態様において、基板電極と対向電極間に調製される少なくともひとつの発光有機エレクトロルミネッセンス層を含む。他の実施態様では、前記層スタックは基板電極と対向電極間に調製されるいくつかの層を含む。該いくつかの層は、例えばひとつ又はそれ以上のホール輸送層、電気ブロック層、電子輸送層、ホールブロック層、発光層などの有機層又は有機及び無機層の組み合わせなどである。該非有機層は、前記層スタック内の2つ又はそれ以上の発光層及び/又は荷電注入層である場合には、追加の電極であってもよい。好ましい実施態様では、基板電極及び又は対向電極は少なくともひとつの次の材料を含む。即ち、ITO、アルミニウム、銀、ドープされたZnO又は酸化層である。
本発明において、基板材料とはベース材料であり、その上にエレクトロルミネッセンス装置の異なる層が堆積されるものを意味する。通常、基板は透明でありガラスである。さらに、基板が透明であり、好ましくは少なくともひとつの次の材料を含むことが好ましいい。即ち、銀、金、ガラス又はセラミックスである。また透明ポリマーシートやホイルであって、適切な湿度及び酸素バリア性を有し、エレクトロルミネッセンス層スタックに湿気及び/又は酸素が入ることを阻止するものが材料としてあり得る。また、非透明材料、例えば金属ホイルなどが基板として使用され得る。基板は通常は平坦であるが、又、望ましいいかなる3次元形状に形状化されてよい。
本発明において、基板電極とは、前記基板の上に堆積される電極を意味する。通常、透明のITO(インジウムスズ酸化物)からなるが、場合によりガラスから電極内に可動原子又はイオンの拡散を抑制するためにSiO又はSiOのアンダーコートがなされていてよい。ITO電極を持つガラス基板において、ITOは通常アノードである。ただし特別の場合、カソードであり得る。いくつかの場合において、薄い銀又は金層(8〜15nm厚さ)が単一で又はITOと組み合わせて基板電極として使用される。金属ホイルが電極として使用される際には、これはまた基板電極、アノード又はカソードのいずれにも作用し得る。「の上に」という用語は、挙げられた層の順を意味する。この用語は、明示的にさらなる層であって、それらの間に、示される層がそれぞれの上に存在する可能性を示す。例えば基板電極と基板の間に設けられる光アウトカップル強化のための追加の光学層である。
本発明において、対向電極とは、基板から離れた電極を意味する。通常は非透明であり、Al又はAg層で十分な厚み(通常、Alについて100nm、Agについて100〜200nm)を有し、該電極は反射性である。通常はカソードであるが、またアノードとしてバイアスされることもできる。上部発光又は透明エレクトロルミネッセンス装置については、対向電極は透明である必要がある。透明対向電極は、Ag又はAl層(5〜15nm)又はITO層からなり、他の既に堆積された層の上に堆積される。
本発明において、透明基板、透明基板電極及び非透明対向電極(通常反射性)を持つエレクトロルミネッセンス装置は、基板を通じて発光し、かかる基板は「ボトム発光」といわれる。さらなる電極を含むエレクトロルミネッセンス装置の場合において、ひとつの実施態様では、当該内部電極がカソード又はアノードとして駆動される場合には基板及び対向電極ともアノード又はカソードになり得る。さらに、本発明において、非透明基板及び透明対向電極を持つエレクトロルミネッセンス装置は対向電極を通じて発光し、「トップ発光」といわれる。
本発明において、透明エレクトロルミネッセンス装置とは、エレクトロルミネッセンス装置であって、基板、基板電極、対向電極及び被包手段が透明であるものを意味する。ここで、エレクトロルミネッセンス装置は、ボトム発光でもあり、トップ発光でもある。本発明において、層、基板又は電極は、可視領域の光の透過度が50%よりも高いものを意味し、残りは吸収されるか反射される。さらに、本発明において、層、基板又は電極が半透明であるとは、可視領域の光の透過度が10%〜50%の範囲であるものを意味し、残りは吸収されるか反射される。さらに、本発明において、光は可視光を意味し、450nm〜650nmの波長を持つ。本発明において、光が、エレクトロルミネッセンス装置の有機エレクトロルミネッセンス層から発光される場合には人工光と呼ばれる。
さらに、本発明においては、エレクトロルミネッセンス装置の層、コネクタ又は構成要素は、電気抵抗が100000Ohm以下の場合に電気的導電性であるという。本発明において、パッシブ電子コンポーネントには、抵抗、キャパシタ及びインダクタが含まれる。さらに、本発明においてアクティブ電子コンポーネントとしては、ダイオード、トランジスタ及び全てのタイプの集積回路が含まれる。
本発明において、エレクトロルミネッセンス装置の層、基板、電極又は構成要素は、当該物の境界に入射する光が反射の法則(即ち入射の巨視的角度が反射の巨視的角度に等しい)により戻る場合に反射性であるという。また鏡面反射なる用語もこの場合に使用する。さらに本発明において、エレクトロルミネッセンス装置の層、基板、電極又は構成要素は、当該物上に入射する光反射の法則(即ち入射の巨視的角度が反射の巨視的角度に等しい)により戻らない場合に散乱性であるという。また戻る光については角度の分布がある。散乱という言葉の代わりに拡散反射なる用語も使用される。
好ましい実施態様において、前記保護手段は、導電性保護手段として実施される。前記保護手段は好ましくは導電性接着剤を含む。前記電気的シャント手段は前記保護手段に埋め込まれてよい。前記電気的シャント手段及び前記基板電極との電気的接続は、前記シャント手段の全長に沿って導電性接着剤を介して前記導電性要素により形成される。前記シャント手段が前記基板電極上に適用され、前記導電性接着剤が前記シャント手段を埋め込む場合、前記導電性接着剤はとりわけ前記シャント手段に沿ってキャピラリ効果により平坦なカバーを形成する。導電性接着剤を保護手段として使用することで、単一の導電性要素により形成される、前記シャント手段の簡単な適用を可能とする。さらに、前記導電性接着剤の適用により、前記シャント手段と基板電極との電気的接続を含む前記シャント手段の機械的配置が達成される。
好ましい実施態様において、前記導電性接着剤はマトリックス及びフィラーを含む。好ましくは前記導電性接着剤は有機材料を前記マトリックスとして含み、かつ無機材料を前記フィラーとして含む。ひとつの実施態様では、前記導電性接着剤は、エポキシ系、ポリウレタン系又はシリコーン系のうち少なくともひとつを含む。前記フィラー及び/又は前記マトリックスは導電性であり、前記電源から前記基板電極への電流を伝達しなければならない。
従って、前記導電性接着剤及び/又は前記フィラーは導電性フレーク又は粒子を含むことが好ましい。前記フィラー粒子は低抵抗性、安定性及び堅牢性を持つべきである。従って、前記フィラーは、例えば銀、金、ニッケル、プラチナ、銅、パラジウム及び/又は他の金属など、又は例えば炭素、ガラス状炭素、グラファイト、カーボンナノチューブ、ドープZnO、SnO、導電性窒化物、導電性ホウ素化物、金属被覆ガラス又はプラスチックビーズ、金属被覆ガラス又はプラスチック中空ビーズ又は銅、金又は銀被覆グラファト粒子などの非金属などを含むことが好ましい。
好ましい実施態様では、前記導電性接着剤は非水及び/又は無水である。本発明において、無水及び/又は非水とは、エレクトロルミネッセンス装置の平均的寿命において裸眼観察により水による損傷をなんら見出せないことを意味する。水分による層スタック内への拡散により有機エレクトロルミネッセンス層の分解は視覚的には、黒点発生・成長や発光領域は端からの縮小などの形で起こる。無水及び/又は非水とは非導電性接着剤自体に依存するのみでなく、損傷を受けることなく前記有機エレクトロルミネッセンス層により吸収される水分量にも依存する。
さらなる好ましい実施態様において、エレクトロルミネッセンス装置は湿気及び/又は酸素バリアを含む。本発明において湿気及び/又は酸素バリアとは、前記層スタック内への有害な湿気及び/又は酸素の拡散を阻止する層を意味する。拡散は、発光の有意な寿命減少が観察され得る場合に、有害であることを意味する。従来技術による通常のOLED装置では、使用寿命の程度が100000時間以上を達成可能である。有意な現象とは、寿命減少因子が約2以上であることを意味する。
本発明の他の実施態様によれば、すべての電気的シャント手段は基板電極に少なくとも2つの電気的接続手段により固定される。前記電気的接続手段は好ましくは前記保護手段に完全にカバーされるよう設けられ、かつ本実施態様による前記保護手段が好ましくは、非導電性保護手段として実施される。前記電気的接続手段は単一の接触点を形成して前記単一の導電性要素の終端を形成するか、又は前記電気的接続手段は前記電気的シャント手段の長手方向に沿って複数の電気的接続ポストを形成することができる。前記保護手段が非導電性保護手段として実施される場合、前記電気的シャント手段及び対向電極との短絡が防止される。さらに、前記電気的シャント手段及び基板電極との電気的接続は、前記接続ポストを形成する前記電気的接続手段により制限される。前記非導電性保護手段には非導電性接着剤を含むことができ、導電性接着剤の代わりとして導電性保護手段を形成する。前記保護手段が非導電性である場合のみ、前記電気的接続手段は前記シャント手段が基板電極に接続するために必要である。
本発明の他の好ましい実施態様において、前記電気的接手段は、導電性接着剤、導電性樹脂及び/又は導電性ラッカーを含む群の少なくともひとつの要素である。該剤は前記電気的シャント手段上に容易に適用でき、液滴形状で前記接ポストを形成する。また該剤を適用後に硬化が始まる。電気的接手段の該剤の性質に依存して、導電性接着剤からなる前記保護手段は前記接手段の適用後直接適用し共に硬化させることができ、接手段及び保護手段を同時に形成することができる。
他の実施態様として、電気的シャント手段に適用される電気的接手段は、対称的な配列をなす複数の電気的接続手段として形成され得る。好ましくは該配列は六角形である。この配列は一種のマトリックスを形成し、電気的接手段の配置がエレクトロルミネッセンス装置の完全な発光範囲に亘り伸びている。前記電気的接手段の間を前記シャント手段が電気的接ラインを形成する。前記電気的接手段は水平ライン及び垂直カラムに配置され得る。有利には、前記シャント手段は六角形状で配列を形成する。配列が六角形の場合、人の眼にはみえ難くなる。残念ながら、前記電気的接手段は前記エレクトロルミネッセンス装置の発光範囲内に暗い領域を生じる可能性があり、従って、前記電気的接手段を六角形配列で配置することでかかる暗い領域が見え難くなる。
更なる実施態様において、対向電極と電源を接続する少なくともひとつの接触手段が設けられる。前記非導電性保護手段は少なくとも前記接触手段の下の領域を完全にカバーし、前記電気的接触手段は好ましくは導電性接着剤である。これにより、短絡の恐れを最小限とする3次元の接触手段が適用される。
接触手段として導電性接着剤を使用することにより達成される利点は、単一の連続電極を持つ基板が使用できることであり、これは前記エレクトロルミネッセンス装置の基板電極として作用する。知られたOLEDでは、基板上の電極は少なくとも2つの離れた領域内に構造化される。ひとつは基板電極として作用し、他は対向電極へ接続される。従って基板電極及び対向電極とも基板のリムへひとつの面内に導かれ、これらは標準方法によりコンタクトを取られ得る。この2次元コンタクト方法の欠点は、基板電極が対向電極同様にOLEDの周辺をコンタクトのために分けなければならず、従って、装置が短絡を生じないように基板上の電極は少なくとも2つの分離した領域(基板電極及び対向電極とコンタクトされる第二の電極)に分ける必要があるということである。開示される3次元コンタクト方法は、この2次元コンタクト方法の重大な欠点を除去する。
前記接触手段の下の領域を完全にカバーする非導電性保護手段を設けることは、基板電極及び対向電極の短絡が対向電極上に接着剤を供する際に防止することができる。接着剤の種類の制限を望まない場合、及び対向電極がより厚く製造できない場合、前記非導電性保護手段は基板電極に適用でき、前記導電性接着剤による短絡の恐れを防止する。少なくともひとつの保護手段の使用はエレクトロルミネッセンス装置を、前記導電性接着剤の特定の性質から完全に切り離す。従って、すべての知られる接着剤が対向電極及び電源と接続するために使用できる。保護手段は前記接触手段が前記対向電極に適用される領域をすべてカバーしなければならない。というのは、これが短絡の原因となり得るからであり。ただし、前記接触領域よりも大きい領域をカバーすることも可能である。前記対向電極及び基板電極の短絡を防止するために、好ましくは、前記保護手段が、前記接触手段が前記基板電極に電気的に接触することができない程度の厚さと硬さを有する。該目的を達成するために、保護手段は非導電性接着剤及び/又はホトレジスト及び/又はラッカー及び/又は塗料及び/又はガラス層(再溶融ガラスフリットからなる)を含む。該保護手段はまた、例えば陽極酸化アルミニウムなどの酸化金属層を含んでいてよい。当業者は本発明の範囲内で非導電性材料を選択できる。
保護手段は、一方では非導電性であることを保証する性質をもつ必要がある。さらに前記接触手段から前記基板電極をシールドするに十分な厚さ及び/又は硬さをもつ必要がある。該厚さ及び硬さは実際の接触手段により圧力に依存するが、通常1〜100ミクロン厚さで十分である。望ましい保護は1.5ミクロン厚さのホトレジストで、非導電性接着剤10〜200ミクロン厚さと同様に達成される。これよりも厚い層もまた使用され得る。さらに、保護手段が、基板電極、有機エレクトロルミネッセンス層、対向電極のいずれをも損傷しないことを保証すべきである。好ましくは実施態様においては保護手段は非導電性接着剤を含む。さらに、好ましくは保護手段の非導電性接着剤は無水及び/又は非水性である。
有利には、エレクトロルミネッセンス装置は被包手段を構成し、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層スタックを被包するように設けられ、前記電気的接触手段が好ましくは前記被包手段及び対向電極の間に設けられ前記対向電極と前記被包手段を電気的接続する。被包手段のトップが導電性の場合、前記電気的接触手段は被包手段トップによる電流が供給される。この場合、被包手段のサイドは基板電極及び対向電極間の電気的分離を保証するために分離されてもよい。保護手段のサイドは導電性であり、基板電極と接触する場合、前記電気的接触手段は導電性被包手段のトップで電気的に分離されたフィードスルーへ接続されることができる。被包手段のトップが非導電性の場合、簡単な導電性フィードスルーがその代わりに適用され得る。
被包手段はまた、エレクトロルミネッセンス装置の層スタック全体を、又は層スタック全体の一部である複数の層のみを被包することができる。好ましくは、被包手段は、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス層及び対向電極をカバーするガスタイト要素として適用される。ガスタイト被包手段を用いることで、水又は酸素などの環境因子が被包層を損傷することが防止される。該被包手段はガスタイト蓋を形成できる。この蓋はガラス又は金属から形成されてよい。また、エレクトロルミネッセンス装置又はその一部に適用されるひとつ又は複数の層により被包手段を形成することも可能である。層はシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム又は酸化窒化シリコンなどを含むことができる。これら全ての被包手段は、機械的及び/又は環境因子がエレクトロルミネッセンス装置に対して悪影響を与えることを防止する。一例として、被包手段は、金属、ガラス、セラミックス又はこれらの組み合わせから形成され得る。これは基板に導電性接着剤、溶融ガラスフリット又は金属はんだにより付される。従って、これはまたエレクトロルミネッセンス装置へ機械的安定性を与えることができ、一方で前記層及び被包手段間に適用される接着剤の少なくとも部分が対向電極に接続するため導電性である。
好ましくは、前記電気的シャント手段は、銅、金及び/又は銀合金からなる金属ワイヤ、金属ストライプ又は金属ホイルを含み、また前記金属ストライプ又は金属ホイルは好ましくはダイカットされたものである。電気的シャント手段を形成する合金は、当業者に知られる導電体として使用される合金から選択され得る。前記導電性要素がダイカットにより製造される場合、安価な大量生産技術がシャント手段を形成するため適用できる。特にシャント手段が格子状に設けられる場合、該格子全体を数回のダイ処理、又は特に一回のダイ処理で実施され得る。
他の有利な実施態様において、前記保護手段は有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光を散乱するための少なくともひとつの散乱手段を含み、前記散乱手段は好ましくは、前記保護手段及び/又は電気的接手段内に埋め込まれる。開示されるように、保護手段は非導電性接着剤を含む。この非導電性接着剤は透明、不透明又は散乱性であり得る。保護手段として使用する材料に依存して、前記保護手段が適用される領域がエレクトロルミネッセンス装置の通常の操作において暗く見えるということが実験的に見出された。というのは、前記対向電極からエレクトロルミネッセンス層スタックへの電荷注入がブロックされるからである。従って、他の好ましい実施態様では、保護手段が少なくともひとつの散乱手段を含み、有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光を散乱するものである。好ましくは前記散乱手段は前記保護手段に埋め込まれる。前記散乱手段は基板に案内される光を散乱及び又は反射する。この結果、本来なら非発光である領域が明るくなる。基板はしばしば一種の光ガイドとして作用することから、前記保護手段の散乱手段はこの光を散乱及び反射してエレクトロルミネッセンス装置から外へ出す。散乱手段は保護手段に埋め込まれている複数の色素及び/又はフレークで実施できる。該色素及び/又はフレークは例えば、アルミニウム、マイカ様色素、二酸化チタン又は有機エレクトロルミネッセンス装置の人工光を散乱及び/又は反射するものとして知られる他のフレーク又は粒子が挙げられる。
エレクトロルミネッセンス装置の操作下で対向電極の領域に亘る電圧の均一分布を達成するために、複数の接触手段を対向電極に適用することが好ましい。
複数の接触手段を用いることで、達成される電圧の分布はより均一となる。接触手段が導電性接着剤で形成される場合、複数の接触手段を適用することは容易である−例えば数滴の導電性接着剤を対向電極に適用する。該数滴に導電性接着剤は前記被包手段と直接接触することができる。従って、エレクトロルミネッセンス装置を電源と接続するために、前記被包手段と電源と接続することが必要となる。被包手段はある抵抗値をもつことがあり得るが、前記対向電極の抵抗値と比べて桁違いに小さい。従って、全ての接触手段は同じ電位で接続することが可能である。これにより有機エレクトロルミネッセンス層に対して均一な電圧及び電流分布が可能となり、従って有機エレクトロルミネッセンス層から均一な光が発光することができる。対向電極に適用する接触手段の数は一方では対向電極の抵抗値に依存するが、他方では対向電極のサイズにも依存する。知られるエレクトロルミネッセンス装置において、次の数の接触手段が対向電極に適用されることが好ましい。即ち、2、4、5、8、16又は32である。
他の好ましい実施態様において、前記対向電極は複数の電気的に分離される対向電極セグメントとして構成される。それぞれの対向電極セグメントは少なくともひとつの接触手段を持つ。上で説明したように、それぞれの対向電極セグメントと電源といかに接続するかについては複数の実施態様がある。
他の実施態様において、保護手段が染色されている。これは保護手段自身を染色することで実施されるか、又は保護手段に染料色素を適用するかにより実施され得る。
他の実施態様において、保護手段は特定に幾何学的形状に構成される。これにより有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光のアウトカップリングが向上される。前記特定の幾何学的形状は、導電性及び好ましくは非導電性接着剤から形成される保護手段内に形成され得る。例えば前記保護手段の形成及び前記シャント手段を被包する既定の接着剤形状を提供する特別の接着剤供給を介して実施され得る。
保護手段により形成される好ましい特別の空間的幾何学的形状によれば、保護手段は光学的アウトカップリング体を含み、前記特別の幾何学的形状を形成し、有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光のアウトカップリングを改良する。また前記アウトカップリング体は好ましくは、前記基板の屈折率とほぼ同じ又はより高い屈折率を持つ光学材料からなる。該光学アウトカップリング体は接着剤により形成される保護手段により完全に埋め込まれることができる。該光学的アウトカップリング体の屈折率を基板材料の屈折率と整合させることで、有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光のアウトカップリング効果が、前記光学的アウトカップリング体及び前記基板材料との間の最適化光学遷移により、最大化される。
他の実施態様によれば、前記電気的シャント手段は基板電極の表面上に設けることができ、前記アウトカップリング体は、前記電気的シャント手段が前記基板電極及び前記光学的アウトカップリング体との間にサンドイッチ状に形成されるように前記電気的シャント手段をカバーする。従って、光学的アウトカップリング体は、好ましくは基板の屈折率と合致する高い屈折率を持つ光学的透明接着剤により前記基板電極上に接着されることができる。光学的アウトカップリング及び基板との接着剤は、前記光学的アウトカップリング体を埋め込む前記保護手段の接着剤と異なっていてもよい。前記光学的アウトカップリング体の断面は、四角形状、三角形状、プリズム形状、放物線形状、半円形状又は長楕円形状であってよく、また光学的アウトカップリング体は好ましくは射出成形で製造される。
さらに、前記光学的アウトカップリング体は格子構造を構成する。好ましくは長方形格子、六角形格子又は不規則格子として形成され基板電極上に適用される。光学的アウトカップリング体の格子構造は、前記電気的シャント手段の格子構造に適合され得る。また、前記光学的アウトカップリング体及び基板電極間のシャント手段のサンドイッチ状配置は、エレクトロルミネッセンス装置の全発光範囲に亘って実施される。異なる電気的接手段が、前記電気的シャント手段を基板電極と電気的に接触させるために複数の接触ポストを形成する場合、光学的アウトカップリング体は前記電気的接手段を受け入れるためにキャビティ構造としてもよく、好ましくは、前記電気的接手段は前記光学的アウトカップリング体及び基板電極との間のある領域での接着ポイントとして実施される。ここで前記接着ポイントは導電性接着ポイントとして実施される。
本発明はまた、エレクトロルミネッセンス装置の基板電極を、電気的シャント手段によりシャントする方法であり、前記エレクトロルミネッセンス装置が、基板及び前記基板上の基板電極、対向電極及び前記基板電極と前記対向電極との間に設けられる少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層を持つエレクトロルミネッセンス層スタックを含み、前記方法が、ワイヤ、金属ストライプ又はホイルを含む群の少なくともひとつの要素を、前記基板電極へ固定して前記電気的シャント手段を形成するステップ、前記基板電極に、影形成エッジの形成を防止するために適した形状で前記電気的シャント手段を完全にカバーするステップ、及び前記エレクトロルミネッセンス層スタック及び前記基板電極上の対向電極に、保護手段によりカバーされるシャント手段を設けるステップを含む方法である。
前記シャント方法の最初において、単一の導電性要素又は複数の単一の導電性要素を形成するワイヤ、金属ストライプ又はホイルが前記基板電極の表面に固定される。該固定は、スプリング系ホルダーで又は前記導電性要素を前記基板電極の表面に固定するために適する全ての類似の配置で実施され得る。前記電気的シャント手段を形成する前記導電性要素を固定後、前記保護手段が、前記電気的シャント手段を完全にカバーする。その際前記基板電極上に影形成エッジの形成を防止するために適した形状でカバーする。
ひとつの実施態様においてはさらに、前記電気的シャント手段と基板電極との電気的接続のために、好ましくは前記電気的接手段を形成する導電性接着剤を用いて電気的接手段を基板電極に設けるステップを含む。
他の実施態様によれば、前記電気的接手段は前記電気的シャント手段の最初の固定を行い、前記電気的シャント手段を基板電極の表面に、前記電気的接手段により適用して、前記保護手段を前記電気的シャント手段を完全にカバーするように、かつ前記電気的接手段を完全にカバーするように適用する。
上記エレクトロルミネッセンス装置及び/又は方法は、請求されるコンポーネント及び実施態様において記載された発明によって使用されるコンポーネントは、サイズ、形状、選択された材料に関して特別の例外の対象とするものではない。例えば関連技術分野において知られる選択基準などの技術的コンセプトはここでは限定なく適用され得る。本発明の課題に対するさらなる詳細、特徴及び利点については従属請求項に記載され、以下の対応する図面の説明に従い−例示する方法のみである−本発明によるエレクトロルミネッセンス装置の複数の好ましい実施態様が示される。
以下、本発明のさらなる実施態様について次の図面を参照して説明する。
図1は、本発明によるエレクトロルミネッセンス装置の第1の実施態様である。 図2は、被包手段への接触手段を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図3は、図2によるエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図4は、本発明のよるエレクトロルミネッセンス装置の他の実施態様を示す。 図5は、前記電気的シャント手段の配置の他の実施態様を持つエレクトロルミネッセンス装置の変更実施態様を示す。 図6は、図5によるエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図7は、他の実施態様によるエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図8は、保護手段内に散乱手段を適用したエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図9は、第一の幾何学的実施態様による電気的シャント手段を説明するエレクトロルミネッセンス装置の断面図である。 図10は、第二の幾何学的実施態様による電気的シャント手段を含むエレクトロルミネッセンス装置の断面図である。
図1には本発明の第1の実施態様によるエレクトロルミネッセンス装置10が示される。エレクトロルミネッセンス装置10は基板電極20、対向電極30及びここで及び次の例でエレクトロルミネッセンス層スタックを表す有機エレクトロルミネッセンス層50を含む。有機エレクトロルミネッセンス層50は、基板電極20及び対向電極30間に前記層スタックを形成するように設けられる。これらの層は、エレクトロルミネッセンス装置10の支持体を形成する基板40上に配置される示される実施態様においては基板電極20は約100nm厚さの透明かつ導電性のITO層により形成される。前記ITO電極は通常単位面積当たり10〜20Ohmの抵抗を持つことから、高発光効率設計のOLEDは、基板電極の端(可視化開始)から1.5〜2cm離れると光度の50%低下を示す。この基板電極20上に有機エレクトロルミネッセンス層50が堆積される。基板電極20及び対向電極30間に電圧が供給されると有機エレクトロルミネッセンス層50内のいくらかの有機分子が励起され、その結果人工光を発光し、有機エレクトロルミネッセンス層50から放射される。前記対向電極30はアルミニウム層により形成され、基板電極20及び基板40を通じる人工光を鏡面反射するように作用する。周囲環境に光放射するためにこの実施態様での基板40はガラスからなる。従ってエレクトロルミネッセンス装置10はこの場合、ボトム発光OLEDとなる。以下の図面で示されるエレクトロルミネッセンス装置10及びそのコンポーネント、及び本発明により使用されるコンポーネントはその寸法の通りには描かれていない。特に電極20及び30、有機エレクトロルミネッセンス層50及び基板40の厚さは実際の寸法を表していない。全ての図は本発明を明瞭にするための目的である。
図1に示されるように、エレクトロルミネッセンス装置50及び対向電極30は被包手段90により被包されている。被包手段90は、蓋状形状を持ち被包手段のトップ95及びサイド96を持ち、前記層の複合体を完全に被包する。対向電極30及び基板電極20に電流を供給するために、接手段93及び93’が設けられる。対向電極30に接する接手段93は例示的に示されてるにすぎず、被包手段90内の対向電極30のより詳細な電気的接は以下に示される。
被包手段90はガスタイトであって、有機エレクトロルミネッセンス層50又は被包手段内に被包される電極20又は30を環境雰囲気が損傷することを防止しなければならない。示されるエレクトロルミネッセンス装置10はさらに、ゲッター170を被包手段90内に有してよい。該ゲッターは湿気又有害ガスを吸収する。というのはこれらは被包手段90内に保護領域に拡散する恐れがあるからである。該ゲッター170は、CaO又はゼオライトを含むことができる。他の材料は当業者に知られている。
基板電極の表面上に、電気的シャント手段122が示されており、抽象的な形状で示される。電気的シャント手段122は基板電極20を横切る電圧を揃える。従って、電気的シャント手段122は、基板電極20の外部領域に対して異なる距離を持って配置される少なくとも2つの電気的接続手段120間の電気的相互接続を形成する。従って、第一の電気的接続手段120は基板電極20の発光範囲の中心又は中心付近に設けられ、第二の電気的接続手段120は前記発光範囲のボーダー領域に設けられる。一般的に、従来技術における異なる電気的シャント手段122がすでに知られてる。知られているシャント手段122は基板電極20上にスクリーン印刷又はホトリソグラフにより適用される。さらに、ホットメルトインクジェット印刷が電気的シャント手段122に適用されることも知られており、前記電気的シャント手段122はシャント手段122の全長に沿って基板電極20上に直接配置されている。本発明によると、電気的シャント手段122は、ワイヤ、金属ストライプ又はホイルを含む群からの少なくともひとつの要素である。前記ワイヤ、金属ストライプ又はホイルは単一の導電性要素を形成し、前記接続手段120より実施される電気的接続を介して基板電極20の表面へ適用されなければならない。0.1mm直径の非常に薄い銅ワイヤでも通常1メータで2.2Ohmの抵抗値、又は10cmで0.22Ohmの抵抗値を持ち、単位面積当たり10〜20OhmのITOでカバーされる通常の15cm長さのOLED上でシャントするために容易に使用できる。基板電極の端から中間部への電圧降下の改良結果は、使用するシャントラインの数に依存するが、90%改良は容易に達成される。該シャント方式の利点は、通常の基板電極上で使用される薄い金属フィルムよりもずっと厚いものをシャント手段として使用できる、点である。
電気的シャント手段122を基板電極20に機械的に固定することは保護手段70で実施される。該保護手段70は基板電極20上に影形成エッジを防止するに適する形状で前記電気的シャント手段122を完全にカバーする。示されるように、前記保護手段70は電気的シャント手段122を完全に封止する。電気的シャント手段122は長く伸びた形状で構造化され、保護手段70は該伸びた形状に適合され、電気的シャント手段122に沿って一種の保護トラックとして実施される。さらに、電気的接続手段120は同様に、保護手段70でカバーされる。この結果、滑らかな、柔軟な移行が電気的シャント手段122及び基板電極20の残りの表面との間に形成される。これによる利点は次の点である。すなわち、続く層(少なくとも有機エレクトロルミネッセンス層50及び対向電極30を有する)を前記保護手段70上に、影形成エッジの発生なしで堆積することができということである。
図2は接触手段60を含む図1の配置を示す。エレクトロルミネッセンス装置10は少なくともひとつ又は複数の示される接触手段60を含んでよく、これらは対向電極30及び電源と電気的に接触する。接触手段60は従って、対向電極30から電源へ導くパスの一部である。接触手段60は非導電性保護手段70の上に完全に配置されており、それにより、その下にある層の機械的損傷(これは最終的には対向電極30と基板電極20との間の短絡に結びつく)を防止する。接触手段60の材料は導電性接着剤であってよい。これは対向電極30に穏やかな条件で適用することができ、それにより対向電極30及び有機エレクトロルミネッセンス層50及び/又はエレクトロルミネッセンス層スタック一般に何ら損傷(これにより2つの電極20、30間の短絡を生じる)を与えない。
接触手段60は導電性接着剤により実施できる。これを被包手段90及び対向電極30と直接電気的接触するように設ける。従って、対向電極30と電源との電気接続は前記被包手段90を介することで容易となる。ユーザーは、接続手段93と示される導電性手段を保護手段90に適用するだけでよい。被包手段90と対向電極30との間の導電性接着剤は電流を対向電極30に輸送する。示される実施態様において、被包手段90は一方では基板電極20と接続され、他方では前記接触手段60の導電性接着剤と接続される。短絡を防止するために、被包手段90の一部及び/又はその全部は基板電極20に対し絶縁されなければならない。示される実施態様では被包手段のトップ95は導電性であり、一方被包手段のサイド96は電気絶縁性である。従って、対向電極30及び基板電極20間の被包手段90を介する短絡は防止される。
導電性接着剤が電気的接触手段60形成に使用される場合、開示されるエレクトロルミネッセンス装置10の好ましい実施態様は該保護手段70を含み、これは非導電性保護手段70として実施される。非導電性保護手段70は、少なくとも前記接触手段60の下の領域を完全にカバーするように設けられる。該保護手段70は前記接触手段60の下の領域を保護し、また前記電気的シャント手段122を封止する。該保護手段70を用いるこの態様は次の2つの目的を満たす。前記電気的シャント手段122を完全にカバーすることと、前記接触手段60の下の領域を完全一般的カバーすることであり、これには保護手段70を形成する非導電性接着剤を必要とする。これにより、適用される接触手段60を持つ対向電極30と基板電極20間の短絡が生じることを防止する。
図3は図2によるエレクトロルミネッセンス装置10の背面図を示す。容易に理解できるようにエレクトロルミネッセンス装置10には被包手段90が省かれている。保護手段70は基板電極20上に配置され、非導電性接着剤で構成される。保護手段70の目的はシャント手段122を被包することであり、前記シャント手段は電気的接続手段120間に配置されこれはまた保護手段70でカバーされる。示されるように、シャント手段122及び電気的接続手段120はそれぞれ、電子的接触手段60と離れて設けられる。従って保護手段70はエレクトロルミネッセンス装置10の相当広い範囲の領域をカバーし、電子的接触手段60は該発光範囲の第一の位置に配置され、かつシャント手段122は該発光範囲の第二の位置に配置される。
図4には、基板電極20をシャントするシャント手段122及び対向電極30と被包手段のトップ95とを接続する電気的接触手段60を持つ、エレクトロルミネッセンス装置10の他の実施態様を示す。示される実施態様において、電気的接触手段60は前記電気的シャント手段122の配置と重なる。従って前記電気的シャント手段122を被包する保護手段70は前記電気的接触手段60の下の領域を完全にカバーする。該配置は保護手段70が非導電性であることを要求し、これは非導電性接着剤により実施され得る。電気的シャント手段122は基板電極20と電気的接手段120により接触する。電気的シャント手段122同様、電気的接手段120は非導電性保護手段70内に被包される。この配置に基づき、エレクトロルミネッセンス装置10の発光範囲内の非発光領域は最小化される。というのは保護手段70のこの配置により、電気的シャント手段122をカバーし、かつ前記電気的接触手段60の下の領域と重なるからである。
図5は、エレクトロルミネッセンス装置10の他の実施態様を示す。この実施態様では基板電極20はコンタクト領域21をエレクトロルミネッセンス装置10のボーダー領域に持つように構成される。基板電極20への電源供給のための接続手段93’が前記コンタクト領域21に電気的に接続されている。該コンタクト領域21は追加適用される導電性材料22からなる。この追加適用される導電性材料22は高導電性であり、基板電極20よりも高い導電性である。該コンタクト領域21の横方向伸張は被包手段90の端を越え、特に被包手段のサイド96を越える。従って、該接手段93’は被包手段90の外側に設けられてよい。一方前記電気的シャント手段122を接続するための被包手段90内の電気的接続手段120は、該コンタクト領域21の表面のトップに電気的接手段120を適用することで、該接手段93’と直接接触するように構成されてよい。この実施態様によれば、非導電性接着剤で形成される保護手段70は、電気的シャント手段122を、有機エレクトロルミネッセンス層50及び対向電極30の下の領域被包する。該保護手段70を用いることで、電気的シャント手段122は前記層システムを通り、電気的接手段120で終結する。
図6は、図5によるエレクトロルミネッセンス装置10の背面図を示す。示されるように、追加適用導電性材料22がエレクトロルミネッセンス装置10のボーダーサイドに設けられる。該追加的適用の導電性材料22は例示的目的で示されており、エレクトロルミネッセンス装置10の一方側のみが示されている。示されるように、電気的シャント手段122を該導電性材料22に接続するための電気的接手段120は前記コンタクト領域21内に設けられる。エレクトロルミネッセンス層50及び対向電極30は、前記コンタクト領域21とは別の領域に限定され、電気的シャント手段122は有機エレクトロルミネッセンス層50の領域を通過して前記コンタクト領域21へと伸びている。
図7は、エレクトロルミネッセンス装置10の基板電極20をシャントする他の実施態様を示す。示されるように、2つの電気的シャント手段122は設けられ、第一のシャント手段122は縦方向に伸び、第二の電気的シャント手段122は横方向に伸びるように設けられる。電気的シャント手段122は基板電極20に、電気的接手段120により接続され、これは導電性接着剤からなるいくつかの導電性ポストとして実施される。電気的接手段120は、有機エレクトロルミネッセンス層50及び対向電極30の外側の電気的接手段と、有機エレクトロルミネッセンス層50の発光領域及び対向電極30内の電気的接手段120とに分けることができる。それぞれの電気的接手段120は、同じ電位に構成され、全発光範囲に亘る光強度を揃える。保護手段70は前記電気的シャント手段122及び前記電気的接手段120を完全にカバーするように設けられる。一方他の実施態様によれば該保護手段70はまた、電気的接触手段60(詳細には図示されない)の下の領域をカバーすることができる。
図8に示されるエレクトロルミネッセンス装置10は、保護手段70を持ち、電気的接手段120及び該電気的接手段120の間の電気的シャント手段122を完全にカバーする。上で説明したように、保護手段70は少なくともひとつの散乱手段180を持ち、エレクトロルミネッセンス層50により生成される光を散乱する。ここで好ましくは、該散乱手段180は保護手段70に埋め込まれている。散乱手段180は基板40に案内される人工光の部分を散乱及び/又は反射する。この結果、でなければ非発光領域である部分を明るくする。基板40はしばしば光ガイドとして作用し、保護手段70の散乱手段180はこの光を散乱及び反射してエレクトロルミネッセンス装置の外に出す。該散乱手段180は保護手段70に埋め込まれた複数の色素及び/又はフレークにより形成され得る。
図9はエレクトロルミネッセンス装置10のうち、保護手段70に埋め込まれたシャント手段122部分の断面の詳細図である。該層のシステムは基板電極20、有機エレクトロルミネッセンス層50及び対向電極30を含む。これらは実際の寸法ではなく、非導電性接着剤による保護手段70内のシャント手段122を例示するものである。詳細に示されるように、エレクトロルミネッセンス層50及び対向電極30は共に基板電極及び保護手段70の表面上に適用される。電気的シャント手段122はワイヤ形状で示されるが、基板電極20をシャントする銅ワイヤ又は円形上のあらゆる導電性要素でもよい。保護手段70の、基板電極20をカバーする領域内で、電気的接触手段60は対向電極30を被包手段90に接続するために適用される。被包手段90は層システムのトップにある蓋の形状で示される。
図10は、電気的シャント手段122の他の実施態様を示し、金属ストライプ又はホイル形状である。電気的シャント手段122を形成する金属ストライプは保護手段70内で完全に被包され平坦形状を形成する。ただし該形状は例示である。基本的考え方として、電気的シャント手段122を形成する導電性要素はすべての任意の断面を持って構成されてよく、特に導電性要素は直接基板電極20表面上に適用され得る。
ここで記載された実施態様では、層スタック内のひとつの有機エレクトロルミネッセンス層50を例として含む。本発明の範囲内でエレクトロルミネッセンス層スタックは、別の実施態様として、例えば、ホール輸送層、ホールブロック層、電子輸送層、電子ブロック層、荷電注入層、さらなる導電性層などの追加の有機エレクトロルミネッセンス層50を含んでよい。
10 エレクトロルミネッセンス装置
20 基板電極
21 接触領域
22 追加適用導電性材料
30 対向電極
40 基板
50 有機エレクトロルミネッセンス層
60 電気的接触手段
70 保護手段
90 被包手段
93、93’ 接手段
94 結合手段
95 被包手段のトップ
96 被包手段のサイド
98 絶縁手段
120 電気的接続手段
122 電気的シャント手段
170 ゲッター
180 散乱手段

Claims (8)

  1. エレクトロルミネッセンス装置であり、
    前記装置は:
    基板及び前記基板上の基板電極、
    対向電極及び前記基板電極と前記対向電極の間に設けられる少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層を含むエレクトロルミネッセンス層スタック、及び
    前記基板電極上に適用される少なくともひとつの電気的シャント手段を含み、前記電気的シャント手段が電気的に前記基板電極に、導電性接着剤、導電性樹脂及び/又は導電性ラッカーを含む群からの少なくともひとつの要素により、接続されて、前記基板電極に亘る電流分布を改良し、
    前記少なくともひとつの電気的シャント手段が、ワイヤ、金属ストライプ又はホイルを含む群からの少なくともひとつの要素であり、前記電気的シャント手段が前記基板電極に保護手段により固定され、前記保護手段は、前記電気的シャント手段を、前記電気的シャント手段と前記基板電極表面の間を滑らかに移行するように構成される形状で完全にカバーし、
    前記保護手段が導電性保護手段として実施され、前記保護手段が導電性接着剤を含み、
    前記保護手段が前記有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光を散乱させるための少なくともひとつの散乱手段を含み、前記散乱手段が、前記保護手段内に埋め込まれている、
    エレクトロルミネッセンス装置。
  2. 請求項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、導電性接着剤を含む前記保護手段がマトリックス及びフィラーを含み、前記導電性接着剤が前記マトリックスとして有機材料と前記フィラーとして無機材料を含む、エレクトロルミネッセンス装置。
  3. 請求項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記電気的シャント手段のうちの少なくともひとつは、少なくとも2つの電気的接手段により前記基板電極に固定され、前記電気的接手段が前記保護手段で完全にカバーされるように配置される、エレクトロルミネッセンス装置。
  4. 請求項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記電気的接手段が、導電性接着剤、導電性樹脂及び/又は導電性ラッカーを含む群からの少なくともひとつの要素である、エレクトロルミネッセンス装置。
  5. 請求項3又は4に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記電気的シャント手段に適用される前記電気的接手段が、対称的な配列をなす複数の電気的接手段を形成し、前記配列が六角形配列である、エレクトロルミネッセンス装置。
  6. 請求項乃至のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、少なくともひとつの電気的接触手段が前記対向電極電源に接触させるように設けられ、前記保護手段が少なくとも前記電気的接触手段の下の領域を完全にカバーするように設けられ、前記電気的接触手段が導電性接着剤である、エレクトロルミネッセンス装置。
  7. 請求項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、被包手段が少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層スタックを被包するように設けられ、前記電気的接触手段は、前記対向電極前記被包手段電気的に接触させるように、前記被包手段と前記対向電極との間に設けられる、エレクトロルミネッセンス装置。
  8. 請求項1乃至のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記電気的シャント手段が、銅材料、金材料及び/又は銀材料の金属ワイヤ、金属ストライプ又は金属ホイルで構成され、前記金属ストライプ又は金属ホイルはダイカットにより製造される、エレクトロルミネッセンス装置。
JP2011548816A 2009-02-05 2010-01-27 エレクトロルミネッセンス装置 Active JP5608683B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09152170.8 2009-02-05
EP09152169 2009-02-05
EP09152169.0 2009-02-05
EP09152170 2009-02-05
EP09159047 2009-04-29
EP09159047.1 2009-04-29
PCT/IB2010/050364 WO2010089680A1 (en) 2009-02-05 2010-01-27 Electroluminescent device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012517088A JP2012517088A (ja) 2012-07-26
JP5608683B2 true JP5608683B2 (ja) 2014-10-15

Family

ID=41785849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011548816A Active JP5608683B2 (ja) 2009-02-05 2010-01-27 エレクトロルミネッセンス装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8334651B2 (ja)
EP (1) EP2394313B1 (ja)
JP (1) JP5608683B2 (ja)
KR (1) KR101676394B1 (ja)
CN (1) CN102308406B (ja)
TW (1) TWI526116B (ja)
WO (1) WO2010089680A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6034035B2 (ja) * 2011-03-30 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20130064540A (ko) 2011-12-08 2013-06-18 현대자동차주식회사 조향 제어 시스템 및 그 방법
DE102012214248A1 (de) * 2012-08-10 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelemente und verfahren zum herstellen eines bauelementes
DE102012219712A1 (de) * 2012-10-29 2014-04-30 Tridonic Dresden Gmbh & Co. Kg Leuchtmodul mit optimierter Kontaktierung
WO2015049854A1 (ja) * 2013-10-01 2015-04-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに照明装置
KR102268900B1 (ko) * 2014-11-19 2021-06-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2016208430A1 (ja) 2015-06-26 2016-12-29 Necライティング株式会社 有機elデバイス、有機el照明パネル、有機el照明装置および有機elディスプレイ
JP6470335B2 (ja) * 2017-03-15 2019-02-13 株式会社Subaru 車両の表示システム及び車両の表示システムの制御方法
US20220093811A1 (en) * 2019-01-18 2022-03-24 Trinamix Gmbh Optical sensor and detector for an optical detection
TWI737484B (zh) * 2020-06-05 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN113921675B (zh) * 2021-11-24 2024-07-19 固安翌光科技有限公司 可拉伸线型发光器及其制备方法、发光产品

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001015268A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Nippon Seiki Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
DE60329638D1 (de) * 2002-08-02 2009-11-19 Idemitsu Kosan Co Sputtertarget, Sinterkörper, unter deren Verwendung gebildeter leitfähiger Film, organische EL-Vorrichtung und für diesen verwendetes Substrat
US7999983B2 (en) 2003-11-21 2011-08-16 National Institute For Materials Science Lens material, optical electronic component and optical electronic device
EP1688020B1 (en) 2003-11-21 2013-04-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display panel
WO2005053053A1 (en) 2003-11-26 2005-06-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device comprising an etch-protective layer
WO2005106573A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 液晶表示装置及びその製造方法
KR100615234B1 (ko) * 2004-08-03 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 무기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
WO2006030338A1 (en) 2004-09-14 2006-03-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transparent electrode for leds or oleds comprising inorganic metals
JP4367346B2 (ja) * 2005-01-20 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2008108439A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Nec Lighting Ltd 電界発光素子および電界発光パネル
EP2106623B1 (en) * 2007-01-22 2014-01-01 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light emitting device
JP4968967B2 (ja) * 2007-03-30 2012-07-04 パイオニア株式会社 発光装置
US8004188B2 (en) * 2007-04-27 2011-08-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device with anodized metallization
TW200908413A (en) 2007-05-02 2009-02-16 Koninkl Philips Electronics Nv Method for manufacturing an OLED device and such an OLED device
WO2009001241A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic functional device and method of manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010089680A1 (en) 2010-08-12
TW201038119A (en) 2010-10-16
CN102308406B (zh) 2015-08-26
KR20110131199A (ko) 2011-12-06
JP2012517088A (ja) 2012-07-26
US20120019129A1 (en) 2012-01-26
US8334651B2 (en) 2012-12-18
EP2394313B1 (en) 2018-09-26
EP2394313A1 (en) 2011-12-14
KR101676394B1 (ko) 2016-11-15
TWI526116B (zh) 2016-03-11
CN102308406A (zh) 2012-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5608683B2 (ja) エレクトロルミネッセンス装置
US8653544B2 (en) OLEDs connected in series
US8508122B2 (en) Organic electroluminescent device
US8358062B2 (en) Electroluminescent device
US20170194603A1 (en) Electroluminescent device
US20110285277A1 (en) Electroluminescent device
JP6045153B2 (ja) エレクトロルミネッセンス装置
JP5714003B2 (ja) エレクトロルミネッセンス装置
WO2010089684A1 (en) Electroluminescent device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130903

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131203

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131210

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131226

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140805

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140901

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5608683

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250