TWI526116B - 電致發光裝置 - Google Patents
電致發光裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI526116B TWI526116B TW099103048A TW99103048A TWI526116B TW I526116 B TWI526116 B TW I526116B TW 099103048 A TW099103048 A TW 099103048A TW 99103048 A TW99103048 A TW 99103048A TW I526116 B TWI526116 B TW I526116B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrical
- substrate
- substrate electrode
- electroluminescent device
- electrode
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本發明係關於一種電致發光裝置,其包括一基板以及該基板之頂部上之一基板電極、一反電極及具有至少一個有機電致發光層之一電致發光層堆疊,該至少一個有機電致發光層配置於該基板電極與該反電極之間,而至少一個電分路構件施加於該基板電極之頂部上改良該基板電極上之電流分佈。此外,本發明係針對一種用於藉由一電分路構件分路一電致發光裝置之一基板電極之方法。
在WO 2009/001241 A1中闡述一有機發光二極體(OLED)。該電致發光裝置包括一基板,該基板具有一基板電極及複數個相互間隔開之電分路構件,每一電分路構件與該基板電極直接電接觸。此外,一電致發光層堆疊提供於該基板電極之頂部上,且一反電極配置於該電致發光層堆疊之頂部上。一蓋附接至該基板以將該電致發光層堆疊氣密性地包封於該蓋與該基板之間,因此,該蓋形成一囊封構件。該電致發光裝置進一步包括複數個絕緣間隔件結構,每一絕緣間隔件構件在該蓋與該基板之間配置於對應於該電分路構件之一位置中。
該等電分路構件係導電結構,其係提供成與該基板電極直接電接觸以使得在運作期間跨越電致發光裝置之區域之電流分佈較均質。此等電分路構件揭示為可形成一格柵之金屬條帶。為將該等電分路構件施加於基板電極上,揭示通常基於一材料沈積技術之不同製造製程。舉例而言,可利用使用一充分厚(>30μm)的抗蝕劑層之網板印刷或光微影。另一選擇為,可應用熱熔噴墨印刷(有時亦稱為「固體噴墨印刷」)。當使用熱熔噴墨印刷時,應清晰地界定印刷圖案且結構應具有一適合高度(例如在30μm與70μm之間)及平滑之淺邊緣,該等平滑之淺邊緣與其上印刷有間隔件結構之表面具有約60°或更小之一接觸角度。
遺憾地,應用材料沈積技術或材料印刷技術來在基板電極之表面上製造該等電分路構件會導致不同的問題。該等製造技術之應用基本上係費力且昂貴的。
因此,本發明出於其目標而必須消除上述缺點。特定而言,本發明之一目標係揭示電分路構件在基板電極之表面上之一經改良施加。
此目標係藉由如本發明之技術方案1所教示之一電致發光裝置達成。該目標亦係藉由如本發明之技術方案14所教示之一方法達成。該電致發光裝置及該方法之有利實施例界定於附屬申請專利範圍中。針對該電致發光裝置所闡述之特徵及細節亦適用於該方法且反之亦然。
本發明揭示一種電分路構件,其被選擇為一導線、一金屬條帶或一箔片之群組中之至少一個元件,而該電分路構件藉由一保護構件固定至基板電極,該保護構件完全覆蓋該電分路構件,具有適合於防止在該基板電極上出現一陰影邊緣之一形狀。
本發明之主導思想係使用一導線、一金屬條帶或箔片作為一單導電元件,其隨後係施加於該基板電極之表面上且形成一電分路構件。該導線之特徵可係幾微米至高達數百微米之一直徑,而在本發明之範疇中該導線之該直徑不受限制。在該基板電極之表面上施加電分路構件導致在該基板電極之橫向延伸上之一經改良電流分佈。當在作為載體之基板材料上沈積一基板電極材料時,一目標係施加一低厚度之基板電極以增加由有機電致發光層產生之所發射光之量。遺憾地,該基板電極內之電阻隨著厚度之減小而增加,且因此自該基板電極之邊緣至中心之電壓降在運作期間會變得較大且因此電流分佈及照度係非均質的。
為克服此缺點,電分路構件係施加成形成主要在該基板電極之一外部或邊界區域至該基板電極之一內部區域之間的具有小電阻率之一電連接,從而達成該基板電極之區域上之一較均質電流分佈。經由跨越該基板電極之該等電分路構件互連之電接觸點中之每一者甚至在運作下係在幾乎相同之電位上。因此,跨越整個區域之所發射光之亮度係較均質的。在本發明之一般思想中,可將單導電元件施加於基板電極上,從而形成電分路構件。此等單導電元件可係實施為如一導線、一電纜、一金屬條帶或一箔片之簡單元件,其擱置於基板電極之表面上且分別電接觸基板電極。此等單導電元件基本上係不經由一沈積技術來製造,且該等電分路構件之製造不基於網板印刷或一光微影技術。此外,該等分路構件之製造不基於熱熔噴墨印刷(亦稱為一固體噴墨印刷)。
為克服在基板電極上出現陰影邊緣從而導致在分別分層電致發光層堆疊及反電極時之問題之缺點,藉由完全覆蓋電分路構件之一保護構件將形成電分路構件之單導電元件固定至基板電極。此保護構件之特徵係適合於防止在基板電極上出現一陰影邊緣之一形狀。此外,該保護構件完全覆蓋該電分路構件,具有特徵係在由該導電元件形成之分路構件與基板電極之剩餘表面之間的一平滑轉換之一形狀。
在本發明之上下文中,概念電致發光(EL)層堆疊表示在基板與反電極之間所製備之所有層。在一電致發光層堆疊之一個實施例中,其包括在基板與反電極之間所製備之至少一個發光有機電致發光層。在其他實施例中,層堆疊可包括在基板與反電極之間所製備之數個層。該數個層可係有機層,例如一個或多個電洞傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電洞阻擋層、發射層,或有機及非有機層之一組合。該等非有機層可係在層堆疊內之兩個或更多個發光層及/或電荷注入層之情形下之額外電極。在一較佳實施例中,基板電極及/或反電極包括以下材料中之至少一者:ITO、鋁、銀、經摻雜ZnO、氧化物層。
在本發明之上下文中,概念基板材料表示該電致發光裝置之不同層所述沈積至的一基底材料。通常,該基板係透明的且由玻璃製成。此外,該基板係透明的可係較佳的,較佳地包括以下材料中之至少一者:銀、金、玻璃或陶瓷。其亦可係由具有一適合濕氣及氧氣障壁之一透明聚合物薄片或箔片製成以實質上防止濕氣及/或氧氣進入電致發光裝置層堆疊。亦可使用類似金屬箔片之非透明材料作為基板。該基板可包括其他層,例如,用於類似光輸出耦合增強之光學目的或其他目的。該基板通常係扁平的,但其亦可成形為所期望之任一三維形狀。
在本發明之上下文中,概念基板電極表示沈積於基板頂部上之一電極。通常,其由透明ITO(氧化銦錫)組成,該透明ITO視情況而具有SiO2或SiO之一底塗層以抑制行動原子或離子自玻璃擴散至電極中。對於具有一ITO電極之一玻璃基板,該ITO通常係陽極,但在特殊情形中其亦可用作陰極。在某些情形中,單獨地或結合ITO使用薄Ag或Au層(8至15nm厚)作為基板電極。若使用一金屬箔片作為基板,則其亦起到基板電極之作用,陽極或陰極。記法在...頂部上表示所列出層之序列。此記法明確地包括將層之間的其他層表示為位於彼此頂部上之可能性。舉例而言,基板電極與基板之間可配置有用以增強光輸出耦合之額外光學層。
在本發明之上下文中,記法反電極表示遠離基板之一電極。其通常係非透明的且由充足厚度之Al或Ag層製成以使得該電極係反射性(通常,對於Al為100nm且對於Ag為100至200nm)。其通常係陰極,但其亦可被偏壓為陽極。對於頂部發射或透明電致發光裝置,反電極必須係透明的。透明反電極係由沈積於其他先前所沈積之層頂部上之薄Ag或Al層(5至15nm)或由ITO層製成。
在本發明之上下文中,具有一透明基板、一透明基板電極及一非透明反電極(通常係反射性)之一組合從而發射光透過該基板之一電致發光裝置稱為「底部發射」。在包括其他電極之一電致發光裝置之情形中,在某些實施例中,當驅動內部電極作為陰極或陽極時,基板及反電極兩者可係兩個陽極或兩個陰極。此外,在本發明之上下文中,具有一非透明基板電極及一透明反電極之一組合從而發射光透過該反電極之一電致發光裝置稱為「頂部發射」。
在本發明之上下文中,概念透明電致發光裝置表示其中基板、基板電極、反電極及囊封構件係透明之一電致發光裝置。此處,電致發光裝置既係底部發射亦係頂部發射。在本發明之上下文中,若可見範圍中之光之透射多於50%而其餘部分被吸收或反射,則一層(一基板或一電極)稱為透明。此外,在本發明之上下文中,若可見範圍中之光之透射在10%與50%之間而其餘部分被吸收或反射,則一層(一基板或一電極)稱為半透明。另外,在本發明之上下文中,當光具有在450nm與650nm之間的一波長時,其稱為可見光。在本發明之上下文中,當光由電致發光裝置之有機電致發光層發射時,其稱為人工光。
此外,在本發明之上下文中,若一電致發光裝置之一層(連接器或構造元件)之電阻小於100000歐,則該層稱為導電。在本發明之上下文中,被動電子組件包括電阻器、電容器及感應率。此外,在本發明之上下文中,主動電子組件包括二極體、電晶體及所有類型之積體電路。
在本發明之上下文中,若入射於一電致發光裝置之一層(一基板、一電極或一構造元件)之介面上之光根據反射定律(宏觀入射角等於宏觀反射角)而返回,則該層稱為反射性。此情形中亦使用術語鏡面反射。此外,在本發明之上下文中,若入射於一電致發光裝置之一層(一基板、一電極或一構造元件)上之光不根據反射定律(宏觀入射角不等於返回光之宏觀角)而返回,則該層稱為散射。亦存在返回光之一角度分佈。亦使用術語漫反射來替代散射。
在其較佳實施例中,該保護構件係實施為一導電保護構件,而該保護構件較佳包括導電膠。電分路構件可嵌入於該保護構件內,且分路構件與基板電極之間的電接觸係經由該導電膠沿著由導電元件形成之分路構件之整個長度形成。當將分路構件施加於基板電極上且導電膠將分路構件嵌入時,由於毛細管效應導電膠尤其沿著分路構件形成一扁平罩構件。使用導電膠作為一保護構件導致由單導電元件形成之分路構件之一簡單施加及包括該分路元件至該基板電極之電接觸之該分路元件之機械配置,此兩者皆係藉由該導電膠之施加達成。
在一較佳實施例中,該導電膠包括一基質及填充物。較佳地,該導電膠包括作為該基質之有機材料及作為該填充物之無機材料。在一個實施例中,該導電膠可包括以下基質中之至少一者:環氧樹脂、聚氨酯或聚矽氧。該填充物及/或該基質必須係導電的以將電流自電源傳導至反電極。
因此,較佳該導電膠及/或該填充物包括導電片或粒子。該等填充物粒子必須具有低電阻、穩定性及持久性。因此,該填充物包括以下片或粒子係較佳的:銀、金、鎳、鉑、銅、鈀及/或其他金屬或者類似碳、玻璃碳、石墨、碳奈米管、經摻雜ZnO、SnO、導電氮化物、導電硼化物之其他非金屬、金屬覆蓋之玻璃或塑膠珠、金屬覆蓋之玻璃或塑膠中空珠或覆蓋有銅、金或銀之金屬或石墨粒子。
在一較佳實施例中,該導電膠係無水及/或不含水的。在本發明之上下文中,概念不含水及/或無水闡述藉由肉眼可觀察不到在一電致發光裝置之平均壽命期間由於水分含量所致的降級之事實。由於擴散至層堆疊中之水分所致之有機電致發光層之一可見降級可呈現生長黑點或發射區自邊緣收縮之形式。概念不含水及/或無水不僅取決於導電膠自身且亦取決於可由有機電致發光層吸收而不損壞其之水分量。
在一其他較佳實施例中,該電致發光裝置可包括濕氣及/或氧氣障壁。在本發明之上下文中,防止濕氣及/或氧氣至層堆疊中之有害擴散之層稱為濕氣及/或氧氣障壁。若可觀察到所發射光之一顯著壽命減少,則一擴散表示為有害。根據目前工藝水平之標準OLED裝置達成約100000小時或更多之擱置壽命。一顯著減少表示約二分之一或更多之一減少之壽命。
根據本發明之另一實施例,每一電分路構件藉由至少兩個電連接構件固定至基板電極,而該等電連接構件較佳地係配置成由保護構件完全覆蓋,且進而根據該實施例之該保護構件較佳地係實施為一非導電保護構件。該電連接構件形成單接觸點,其可形成單導電元件之端柱或該電連接構件沿著電分路構件之縱向延伸形成複數個電接觸柱。當將保護構件實施為一非導電保護構件時,避免了在電分路構件與反電極之間的一短路之風險。此外,分路構件與基板電極之間的電連接限制於形成接觸柱之電連接構件。非導電保護構件可包括非導電膠,且形成導電膠(形成一導電保護構件)之一替代方案,且僅當保護構件係非導電時該電連接構件係將分路構件接觸至基板電極所必需的。
根據本發明之另一較佳實施例,該電連接構件係導電膠、導電樹脂及/或導電漆之群組中之至少一個元件。可容易地將指定劑以液滴形式施加至該電分路構件以形成接觸柱,而在施加該等劑之後開始一後續固化。端視電連接構件之劑之行為,可在施加連接構件之後直接施加由非導電膠製成之該保護構件,且同時可發生該連接構件及該保護構件兩者之固化。
作為另一實施例,施加至電分路構件之電連接構件可形成一對稱電連接構件陣列,而該陣列較佳地係實施為一六邊形陣列。該陣列可形成一種矩陣,且該電連接構件之配置可跨越電致發光裝置之整個發射場延伸。在電連接構件之間,該等分路構件形成電連接線路。該等電連接構件可係配置成水平線及垂直行,但就其優點而言,該等電分路構件以一六邊形方式形成一陣列。當該陣列係實施為一六邊形陣列時,此產生人眼之可見性降低之優點。遺憾地,該等電連接構件可導致電致發光裝置之發射場內之暗區,且因此當將該等電連接構件配置成一六邊形陣列時,該等暗區之可見性降低。
根據又一實施例,至少一個電接觸構件經配置用於將反電極電接觸至一電源,而非導電保護構件係配置成至少完全覆蓋該接觸構件下面之區域,且進而較佳地該電接觸構件之特徵係導電膠。此產生提供具有一最小短路風險之一三維接觸方案之優點。
藉由使用導電膠作為一接觸構件所達成之一其他優點係可使用僅具有一個相連電極之一基板,其用作電致發光裝置之一基板電極。在習知OLED中,基板上之電極係至少結構化為兩個電分離區:一個區用作基板電極且另一區連接至反電極。因此,基板及反電極兩者係在一個平面中被引導至基板之邊沿,可藉由標準構件使該兩者在該邊沿處接觸。此2維接觸方案之缺點係基板電極以及反電極必須共享OLED之週邊來進行接觸,以致需要將基板上之電極分割成至少兩個分開之區(基板電極及欲與反電極接觸之第二電極)以避免短接裝置。所揭示之3維接觸消除2維接觸之此嚴重缺點。
非導電保護構件至少完全覆蓋接觸構件下面之區域之配置產生以下優點:在使膠凝固於反電極上期間避免基板電極與反電極之間的短路。若不期望對膠類型之限定,且若無法使反電極更薄,則施加該非導電保護構件至基板電極以防止因導電膠所致的一可能短路。使用至少一個保護構件使得電致發光裝置對導電膠之特定性質完全不敏感。因此,可使用所有習知導電膠來將反電極接觸至一電源。該保護構件必須覆蓋其中接觸構件施加至反電極之全部區域,此乃因此可係短路之源,但其亦可大於接觸構件之區域。為防止反電極與基板電極之間的一直接接觸,該保護構件具有確保接觸構件無法與基板電極形成電接觸之一厚度及/或一硬度係較佳的。為達成此目標,該保護構件可包括非導電膠及/或一光阻劑及/或一漆及/或一塗料及/或由再熔玻璃料製成之一玻璃層。該保護構件亦可包括類似陽極氧化鋁之一經氧化金屬層。熟習此項技術者可選擇本發明範疇內之其他非導電材料。
該保護構件必須具有一方面確保其係非導電之性質。此外,其必須係足夠厚及/或硬以遮蔽基板電極免受接觸構件之影響。精確厚度及硬度取決於由接觸構件所施加之實際壓力,但通常1至100微米之厚度即充足。已藉助1.5微米厚度之光阻劑層以及藉助10至200微米厚度之非導電膠層來達成所期望之保護,但亦可使用更厚之層。此外,必須確保該保護構件不損壞基板電極、有機電致發光層或反電極。在其較佳實施例中,該保護構件包括非導電膠。此外,該保護構件之非導電膠係無水及/或不含水係較佳的。
有利地,該電致發光裝置之特徵係一囊封構件,其經配置用於囊封至少該電致發光層堆疊,而該電接觸構件較佳地係配置於該囊封構件與反電極之間以將該反電極電接觸至該囊封構件。當囊封構件頂部係導電時,該電接觸構件由該囊封構件頂部供應電流。在此情形中,囊封構件側可係絕緣的,以確保基板電極與反電極之間的電隔離。當該囊封構件側係導電且接觸至基板電極時,該電接觸構件可接觸至一導電囊封構件頂部中之一電隔離饋通線。在該囊封構件之一非導電頂部之情形中,可替代地施加一簡單導電饋通線。
該囊封構件亦可囊封該電致發光裝置之整個層堆疊或僅形成該整個層堆疊之一部分之複數個層。較佳地,該囊封構件係提供為一氣密元件,其覆蓋至少有機電致發光層及反電極。藉由使用一氣密囊封構件,防止了類似水分或氧氣之環境因素損壞經囊封之層。該囊封構件可形成一氣密蓋。此蓋可係由玻璃或金屬形成。亦可由供應至該電致發光裝置或其僅部分之一個或複數個層形成該囊封構件。該等層可包括矽、氧化矽、氮化矽、氧化鋁或氮氧化矽。所有指定囊封構件防止機械及/或環境因素不利地影響該電致發光裝置之層堆疊。作為一實例,囊封構件可由金屬、玻璃、陶瓷或此等材料之組合製成。其藉由導電或非導電膠、熔融玻璃料或金屬焊料附接至基板。因此,其亦可為電致發光裝置提供機械穩定性,而該等層與囊封構件之間的所施加之膠之至少部分係導電的以用於接觸反電極。
較佳地,電分路構件包括較佳地係由銅、金及/或銀合金製成之一金屬線、一金屬條帶或一金屬箔片,而該金屬條帶或該金屬箔片較佳地係藉由模切製成。形成電分路構件之合金可係選自如熟習此項技術者已知的用於電導體之合金。當該等導電元件係藉由模切製造時,可應用一廉價大量生產技術來形成該等分路構件,尤其係當分路構件係配置成一格柵形式且整個格柵可僅由幾個模衝程或特定而言僅一個模衝程完成時。
根據另一有利實施例,該保護構件包括用於散射由有機電致發光層產生之光之至少一個散射構件,而該散射構件較佳地係嵌入、溶解及/或含納於該保護構件及/或該電連接構件內。如所揭示,該保護構件可包括非導電膠。此非導電膠可係透明、不透明的或包括散射性質。端視用於該保護構件之材料,實驗已顯示保護構件所施加至的區域可在電致發光裝置之正常運作時顯得暗,此乃因自反電極或基板電極至電致發光層堆疊之電荷注入受到阻擋。因此,另一較佳實施例之特徵在於該保護構件包括用於散射由有機電致發光層產生之光之至少一個散射構件;較佳地該散射構件係嵌入於該保護構件中。此散射構件散射及或反射基板所導引之人工光之部分。此導致原本為非發射區域之一發亮。由於基板通常用作一種光導,保護構件之該散射構件使得此光能夠自電致發光裝置散射及反射出。該散射構件可由嵌入於該保護構件中之複數個顏料及/或片形成。此等顏料及/或片可(例如)包括:鋁、雲母效應片、二氧化鈦粒子或熟習此項技術者已知的散射及/或反射有機電致發光裝置之人工光之其他片或粒子。
為達成在電致發光裝置之運作下跨越反電極之區域之一均質電壓分佈,施加複數個接觸構件至反電極係較佳的。藉由使用若干接觸構件,所達成之電壓分佈係較均質的。由於接觸構件係由導電膠形成,因此易於施加複數個接觸構件-例如導電膠滴-至反電極。此等導電膠滴可與囊封構件直接接觸。因此,為將電致發光裝置連接至一電源,僅需要將該囊封構件連接至該電源。該囊封構件將最可能具有係比反電極之彼等數量級小之數量級之一電阻。因此,所有接觸構件將連接至相同電位。此導致至有機電致發光層之一均勻電壓及電流分佈及有機電致發光層之一均質人工光產生。施加至反電極之接觸構件之數目一方面取決於反電極之電阻且另一方面取決於反電極之大小。對於習知電致發光裝置,已顯示出施加以下數目個接觸構件至反電極係較佳的:2、4、5、8、16或32。
在另一較佳實施例中,反電極係結構化成複數個電斷開之反電極段,其中每一反電極段包括至少一個接觸構件。如上所述,存在如何將每一反電極段之接觸構件連接至電源之複數個實施例。
在另一較佳實施例中,給該保護構件染色。此可藉由給該保護構件自身著色或藉由施加彩色顏料至該保護構件來完成。
根據本發明之又一實施例,該保護構件之特徵係一特定空間幾何結構,從而導致由有機電致發光層產生之光之一經改良輸出耦合。該特定幾何結構可形成於該保護構件內,該保護構件係(例如)經由一特殊膠施加工具由導電、且較佳地非導電膠製成,從而產生形成該保護構件之膠之一預定形狀且囊封分路構件。
根據由保護構件形成之一較佳特定空間幾何結構,該保護構件包括一光學輸出耦合本體,該光學輸出耦合本體形成該特定空間幾何結構且導致由有機電致發光層產生之光之一經改良輸出耦合,而該光學輸出耦合本體較佳地係由一光學透明材料製成,該光學透明材料之特徵係幾乎等於或高於基板之折射率之一折射率。可藉由由膠形成之保護構件完全嵌入該光學輸出耦合本體。藉由將該光學輸出耦合本體之光學折射率與基板材料之折射率對準,可因該光學輸出耦合本體與該基板材料之間的最佳化光學轉變而最大化由有機電致發光層產生之光之輸出耦合效應。
根據又一實施例,電分路構件可係配置於基板電極之表面上,而該光學輸出耦合本體以像夾入於該基板電極與該光學輸出耦合本體之間中那樣執行電分路構件之配置的一方式覆蓋電分路構件。因此,該光學輸出耦合本體可藉由一光學透明膠膠合至基板電極,該光學透明膠之特徵係較佳地匹配基板之折射率之一高折射率。該光學輸出耦合本體與基板之間的膠可不同於嵌入有該光學輸出耦合本體之保護構件之膠。該光學輸出耦合本體之橫截面可形成為矩形、三角形、棱形、抛物線形、半圓形或橢圓形,且進而該光學輸出耦合本體較佳地係藉由一注入模製製程製造。
此外,該光學輸出耦合本體之特徵可係一格柵結構,其較佳地係實施為施加於基板電極上之一矩形格柵、一六邊形格柵或一不規則格柵。該光學輸出耦合本體之格柵結構可與電分路構件之格柵結構對準,且跨越電致發光裝置之整個發射場實現分路構件像夾入於光學輸出耦合本體與基板電極之間那樣的配置。若不同的電連接構件形成用於將電分路構件電接觸至基板電極之若干接觸柱,則光學輸出耦合本體之特徵可係空穴以接納電連接構件,且較佳地該等電連接構件係實施為光學輸出耦合本體與基板電極之間的某些區域中之膠點,而該等膠點係實施為導電膠點。
本發明亦係針對一種用於藉由一電分路構件分路一電致發光裝置之一基板電極之方法,該電致發光裝置包括:一基板以及該基板之頂部上之該基板電極、一反電極及具有至少一個有機電致發光層的一電致發光層堆疊,該至少一個有機電致發光層配置於該基板電極與該反電極之間,該方法包括以下步驟:將一導線、一金屬條帶或箔片之群組中之至少一個元件固定至該基板電極,從而形成該電分路構件;施加一保護構件,該保護構件完全覆蓋該電分路構件,具有適合於防止在該基板電極上出現一陰影邊緣之一形狀;將該電致發光層堆疊及該反電極施加於該基板電極之頂部上,其中由保護構件覆蓋所附接之分路構件。
在該分路方法之開始,將形成一單導電元件或複數個單導電元件之一導線、一金屬條帶或一箔片固定至該基板電極之表面。可藉助類似一基於彈簧之支架之一固定裝置或適合於將導電元件固定至該基板電極之表面之任一類似配置來執行該固定。在固定導電元件從而形成電分路構件之後,將該保護構件施加成完全覆蓋該電分路構件、具有適合於防止在基板電極上出現陰影邊緣之一形狀。
在一實施例中,該方法進一步包括以下步驟:較佳地藉由使用形成一電連接構件之導電膠施加該電連接構件至該基板電極以用於將該電分路構件電接觸至該基板電極。
根據又一實施例,該電連接構件可導致該分路構件之一第一固定,且在藉由使用該電連接構件施加該分路構件至該基板電極之表面之後,將該保護構件施加成完全覆蓋該電分路構件且完全覆蓋該電連接構件。
前述電致發光裝置及/或方法以及所主張之組件及根據本發明欲用於所闡述實施例中之組件在大小、形狀或材料選擇方面不受任何特殊例外。在無限制之情形下,可應用相關領域中已知的選擇準則之技術概念。本發明目標之額外細節、特性及優點揭示於附屬申請專利範圍及各別圖之以下說明中,該等圖僅係一實例性方式,顯示根據本發明之電致發光裝置之複數個較佳實施例。
在圖1中,顯示根據本發明之一第一實施例之一電致發光裝置10。電致發光裝置10包括一基板電極20、一反電極30及一有機電致發光層50(表示此實例及以下實例中之電致發光層堆疊)。有機電致發光層50配置於基板電極20與反電極30之間以形成該層堆疊。此等層配置於一基板40上,從而形成電致發光裝置10之載體材料。在所示之實施例中,基板電極20由一約100nm厚之ITO層形成,ITO係透明且導電的。由於ITO電極之一典型電阻為每平方10至20歐,因此具有一高發光效力之OLED設計顯示出在遠離基板電極之邊緣1.5至2cm之後有50%的一照度下降,其開始變為可見。將有機電致發光層50沈積至此基板電極20上。若在基板電極20與反電極30之間施加一電壓,則激發有機電致發光層50內之有機分子中之某些有機分子,從而導致由電致發光層50發射之人工光之發射。反電極30由一鋁層形成,從而用作使該人工光反射透過基板電極20及基板40之一鏡。為將光發射至周圍環境中,此實施例中之基板40由玻璃製成。因此,電致發光裝置10係一底部發射OLED。以下各圖中所示之電致發光裝置10以及組件及根據本發明所使用之組件並非係按真實比例顯示。尤其係電極20及30、有機電致發光層50及基板40之厚度並非係按真實比例繪製。所有圖僅用於闡明本發明。
如圖1中所示,有機電致發光層50及反電極30由一囊封構件90囊封。囊封構件90包括一蓋狀形狀,包括一囊封構件頂部95及一囊封構件側96,從而完全包封該等層之組成。為將一電流供應提供至反電極30及基板電極20,提供連接構件93及93'。用於接觸反電極30之連接構件93係僅以一實例性方式顯示,且在下文中顯示反電極30在囊封構件90內之一詳細電連接。
囊封構件90必須係氣密的以防止環境大氣損壞囊封於囊封構件90中之有機電致發光層50或兩個電極20及30中之任一者。此外,所示電致發光裝置10可包括配置於囊封構件90內之一吸收劑170。此吸收劑用於吸收碰巧擴散至囊封構件90內之一受保護區域中之濕氣或其他損壞性氣體。吸收劑170可包括CaO或沸石。熟習此項技術者亦已知其他材料。
在基板電極之表面上顯示以一抽象形式繪示之一電分路構件122。電分路構件122導致電壓跨越基板電極20之一對準。因此,電分路構件122在以不同距離配置至基板電極20之外部區域之至少兩個電連接構件120之間形成一電互連,且因此,一第一電連接構件120係配置於跨越基板電極20之發射場之中心或接近該發射場之中心,且一第二電連接構件120係配置於該發射場之邊界區域中。一般而言,已知根據先前技術之不同電分路構件122。習知分路構件122係藉由網板印刷或藉由使用光微影施加於基板電極20上。此外,已知熱熔噴墨印刷用於電分路構件122之施加,且電分路構件122係沿分路構件122之整個長度直接配置於基板電極20上。根據本發明,電分路構件122係導線、一金屬條帶或一箔片之群組中之至少一個元件。該導線、金屬條帶或箔片形成一單個導電元件,其必須經由由該連接構件120執行之一電連接施加至基板電極20之表面。甚至一直徑為0.1mm之極細銅線通常具有每米長度僅2.2歐或每10cm長度0.22歐之一電阻,因此其可容易地用於在覆蓋有一每平方10至20歐之ITO之一原型15cm大OLED基板上進行分路。所產生之自基板電極之邊緣至中心之電壓降之改良取決於所使用之分路線之數目,但可容易地達成一90%改良。此分路方案之優點係在基板電極頂部上使用比通常所使用之薄金屬膜厚得多的分路構件。
電分路構件122至基板電極20之機械固定係由完全覆蓋電分路構件122之具有適合於防止在基板電極20上出現一陰影邊緣之一形狀之一保護構件70執行。如在繪示中所示,該保護構件70完全包封電分路構件122。電分路構件122之特徵係一繪製得較長之細長形狀,且保護構件70適於該細長形狀且係實施為沿著電分路構件122之一種保護軌道。此外,電連接構件120同樣由保護構件70覆蓋。結果,在電分路構件122與基板電極20之剩餘表面之間形成一平滑軟轉變。此產生以下優點:以下層(包括至少有機電致發光層50及反電極30)可在不出現陰影邊緣之情形下沈積至保護構件70及基板電極20之表面兩者上。
圖2顯示包括一所施加之接觸構件60之圖1之配置。電致發光裝置10可包括經配置用於將反電極30電接觸至一電源之至少一個或複數個所繪示之接觸構件60。因此,接觸構件60係自反電極30通向該電源之路徑之部分。接觸構件60完全配置於非導電保護構件70上面以防止對下方層之任何機械損壞而最終導致反電極30與基板電極20之間的短路。接觸構件60之材料可係導電膠,其可以一和緩方式施加至反電極30,以使得不存在通常會導致兩個指定電極20與30之間的一短路的對反電極30與有機電致發光層50及/或電致發光層堆疊之損壞。
接觸構件60可以一導電膠來執行,其係配置成與反電極30以及與囊封構件90直接電接觸。因此,易於經由該囊封構件90將反電極30電連接至一電源。使用者僅須將一導電構件施加至囊封構件90,該導電構件顯示為一連接構件93。囊封構件90與反電極30之間的導電膠然後將電流引導至反電極30。在所示實施例中,囊封構件90一方面連接至基板電極20而另一方面與接觸構件60之導電膠接觸。為防止一短路,囊封構件90之至少一部分及/或整個囊封構件90必須與基板電極20絕緣。在所示實施例中,一囊封構件頂部95係導電的,而一囊封構件側96係電絕緣的。因此,防止反電極30與基板電極20之間經由該囊封構件90的一短路。
當使用導電膠來形成電接觸構件60時,所揭示電致發光裝置10之一較佳實施例包括該保護構件70,其係實施為一非導電保護構件70。非導電保護構件70係配置成至少完全覆蓋接觸構件60下面之區域。保護構件70配置於基板電極20上,且保護構件70可保護接觸構件60下面之區域且亦可包封電分路構件122。使用保護構件70之此配置滿足兩個目標,亦即,完全覆蓋分路構件122及完全覆蓋電接觸構件60下面之區域,且其需要形成保護構件70之一非導電膠。此產生以下結果:防止在具有所施加之接觸構件60之反電極30與基板電極20之間發生短路。
圖3顯示根據圖2之電致發光裝置10之背側上之一視圖。為更容易理解,電致發光裝置10未與囊封構件90一起顯示。保護構件70配置於基板電極20上且其特徵係非導電膠。保護構件70之目的係囊封配置於電連接構件120之間的分路構件122,該等分路構件亦由保護構件70覆蓋。根據繪示,分路構件122及該等電連接構件120之配置分別配置於電接觸構件60之配置旁邊。因此,當電接觸構件60配置於該發射場內之一第一位置處且分路構件122配置於一第二位置處時,該保護構件70覆蓋電致發光裝置10之區域之一大部分。
圖4中顯示電致發光裝置10之另一實施例,其包括用於分路基板電極20之一分路構件122及用於將反電極30接觸至囊封構件頂部95之一電接觸構件60。根據所繪示實施例,該電接觸構件60與電分路構件122之配置重疊。因此囊封電分路構件122之保護構件70完全覆蓋電接觸構件60下方之區域。此配置需要保護構件70之一非導電行為,其可係實施為非導電膠。電分路構件122係藉助一電連接構件120接觸至基板電極20。電連接構件120以及電分路構件122囊封於非導電保護構件70內。基於此配置,最小化了電致發光裝置10之發射場內之非發射區域,此乃因保護構件70之配置既覆蓋電分路構件122且亦與電接觸構件60下面之區域重疊。
圖5顯示電致發光裝置10之又一實施例。在此實施例中,基板電極20之特徵係電致發光裝置10之邊界區域中之一接觸區域21。用於給基板電極20供應電力之連接構件93'電連接至由一額外施加之導電材料22組成之接觸區域21。此額外施加之導電材料22之特徵係高於基板電極20之導電性之一高導電性。接觸區域21之橫向延伸行進經過囊封構件90之配置且特定而言跨越過囊封構件側96。因此,該連接構件93'可配置於囊封構件90之外側,而在囊封構件90內用於連接電分路構件122之電連接構件120之特徵可係藉由將一電連接構件120施加於接觸區域21之表面之頂部上而達成的至連接構件93'之一直接電接觸。根據此實施例,由非導電膠形成之保護構件70囊封在有機電致發光層50下面以及在反電極30下面之區域中之電分路構件122。藉由使用該保護構件70,電分路構件122通往穿過該層系統且在電連接構件120中終止。
圖6係根據圖5之電致發光裝置10之一背側視圖。如所示,額外施加之導電材料22配置於電致發光裝置10之邊界側處,而根據實例性繪示之該額外施加之導電材料22之配置僅限制於電致發光裝置10之一個側。如所示,用於將電分路構件122電接觸至導電材料22之電連接構件120配置於接觸區域21內。電致發光層50及反電極30限制於接觸區域21旁邊之一區域,且電分路構件122自有機電致發光層50之區域行進至接觸區域21。
圖7顯示分路一電致發光裝置10之基板電極20之另一實施例。如所示,配置兩個電分路構件122,亦即,沿一垂直延伸之一第一電分路構件122及特徵為一水平延伸之一第二電分路構件122。藉由使用電連接構件120將電分路構件122電連接至基板電極20,該等電連接構件係實施為由導電膠製成之數個導電柱。電連接構件120可分別被分割成有機電致發光層50及反電極30外側之電連接構件以及有機電致發光層50及反電極30之發光區域內之電連接構件120。每一電連接構件120之特徵係相同電位,從而導致光跨越整個發射場之一對準強度。保護構件70經配置以完全覆蓋電分路構件122及電連接構件120,而根據另一實施例,該保護構件70亦可覆蓋電接觸構件60下面之區域(未詳細顯示)。
圖8顯示具有一保護構件70之電致發光裝置10之一實施例,該保護構件完全覆蓋電連接構件120及在該等連接構件120之間的電分路構件122。如所揭示,保護構件70包括用於散射由有機電致發光層50產生之光之至少一個散射構件180,較佳地散射構件180係嵌入於保護構件70內。此散射構件180散射及/或反射基板40所導引之人工光之部分。此導致原本為非發射區域之一發亮。由於基板40通常用作一種光導,因此保護構件70之散射構件180使得此光能夠自該電致發光裝置中被散射及反射出去。散射構件180可係由嵌入於保護構件70中之複數個顏料及/或片形成。
圖9顯示穿過電致發光裝置10之嵌入於保護構件70內之所施加分路構件122之區域中之橫截面之一詳細繪示。包括基板電極20、有機電致發光層50及反電極30之層之系統係以一非真實比例顯示且僅以一實例性方式顯示以闡明由非導電膠製成之保護構件70內之分路構件122之配置。如詳細所示,電致發光層50及反電極30施加於基板電極20及保護構件70兩者之表面上。電分路構件122係顯示成一導線之形式,該導線可係分路基板電極20之一銅線或具有一圓形形狀之任一導電元件。在覆蓋基板電極20之保護構件70之區域內,施加一電接觸構件60以用於將反電極30接觸至囊封構件90,該囊封構件係顯示成該層系統頂部上之蓋之形式。
圖10顯示呈一金屬條帶或箔片之形式之電分路構件122之另一實施例。形成電分路構件122之金屬條帶完全囊封於保護構件70內且形成一扁平、但實例性非平面之形狀。作為一基本原則,形成電分路構件122之導電元件之特徵可係任何的任意橫截面,且特定而言該導電元件可係直接施加於基板電極20之表面上。
作為一實例,所闡述之實施例包括該層堆疊內之一有機電致發光層50。在此發明範疇內之替代實施例中,除有機電致發光層50以外,該電致發光層堆疊亦可包括例如全透明層、全阻擋層、電子傳輸層、電子阻擋層、電荷注入層、其他導電層等層。
10...電致發光裝置
20...基板電極
21...接觸區域
22...額外施加之導電材料
30...反電極
40...基板
50...有機電致發光層
60...電接觸構件
70...保護構件
90...囊封構件
93...連接構件
93'...連接構件
94...接合構件
95...囊封構件頂部
96...囊封構件側
98...絕緣構件
120...電連接構件
122...電分路構件
170...吸收劑
180...散射構件
將針對以下各圖闡述本發明之進一步實施例,該等圖顯示:
圖1根據本發明之一電致發光裝置之一第一實施例,
圖2具有至一囊封構件之一接觸構件之電致發光裝置,
圖3根據圖2之電致發光裝置之一俯視圖,
圖4根據本發明之電致發光裝置之另一實施例,
圖5包括電分路構件之配置之另一實施例之電致發光裝置之一經修改之實施例,
圖6根據圖5之電致發光裝置之一俯視圖,
圖7根據另一實施例之電致發光裝置之一俯視圖,
圖8保護構件內具有所施加之散射構件之電致發光裝置,
圖9圖解說明根據一第一幾何實施例之一電分路構件之電致發光裝置之一橫截面,及
圖10包括根據一第二幾何實施例之一電分路構件之電致發光裝置之一橫截面。
10...電致發光裝置
20...基板電極
30...反電極
40...基板
50...有機電致發光層
70...保護構件
90...囊封構件
93...連接構件
93'...連接構件
95...囊封構件頂部
96...囊封構件側
120...電連接構件
122...電分路構件
170...吸收劑
Claims (14)
- 一種電致發光裝置(10),其包括:一基板(40)以及該基板(40)之頂部上之一基板電極(20)、一反電極(counter electrode)(30)及具有至少一個有機電致發光層(50)的一電致發光層堆疊,該至少一個有機電致發光層(50)配置於該基板電極(20)與該反電極(30)之間;及至少一個電分路(electrical shunt)構件(122),其施加於該基板電極(20)之頂部上,俾使該電分路構件(122)藉由導電膠(glue)、導電樹脂及導電漆(lacquer)所組成群組中之至少之一而電連接至該基板電極(20),以改良該基板電極(20)上之電流分佈,其中該至少一個電分路構件(122)係一導線、一金屬條帶(stripe)或箔片(foil)之群組中之至少之一,該電分路構件(122)係藉由一保護構件(70)固定至該基板電極(20),該保護構件(70)完全覆蓋該電分路構件(122),以在該電分路構件(122)及該基板電極(20)之表面之間具有一平滑轉換(smooth transition)之特徵之一形狀,俾使避免在該基板電極(20)上出現(emergence)一陰影邊緣(shadowing edge)。
- 如請求項1之電致發光裝置(10),其中該保護構件(70)包括導電膠。
- 如請求項2之電致發光裝置(10),其中該導電膠包括作為一基質(matrix)之有機材料,及作為一填充物之無機材料。
- 如請求項1之電致發光裝置(10),其中該等電分路構件 (122)中之至少一者係藉由至少兩個電連接構件(120)固定至該基板電極(20),而該等電連接構件(120)較係配置成完全由該保護構件(70)覆蓋,且進而該保護構件(70)係實施為一非導電保護構件(70)。
- 如請求項4之電致發光裝置(10),其中施加至該電分路構件(122)之該等電連接構件(120)形成一對稱電連接構件(120)陣列。
- 如請求項4之電致發光裝置(10),其中至少一個電接觸構件(60)經配置用於將該反電極(30)電接觸至一電源,而該非導電保護構件(70)係配置成至少完全覆蓋該接觸構件(60)下面之區域。
- 如請求項6之電致發光裝置(10),其中一囊封構件(90)經配置用於囊封至少該電致發光層堆疊,而該電接觸構件(60)係配置於該囊封構件(90)與該反電極(30)之間以用於將該反電極(30)電接觸至該囊封構件(90)。
- 如請求項1之電致發光裝置,其中該電分路構件(122)之特徵係一金屬線、一金屬條帶或一金屬箔片。
- 如請求項1之電致發光裝置(10),其中該保護構件(70)包括用於散射由該有機電致發光層(50)產生之光之至少一個散射構件(180)。
- 如請求項1之電致發光裝置(10),其中該保護構件(70)之特徵係一特定空間幾何結構,從而導致由該有機電致發光層(50)產生之光之一經改良輸出耦合。
- 如請求項10之電致發光裝置(10),其中該保護構件(70) 包括一光學輸出耦合本體(71),該光學輸出耦合本體(71)形成該特定空間幾何結構且導致由該有機電致發光層(50)產生之光之一經改良輸出耦合,而該光學輸出耦合本體(71)係由一光學透明材料製成,該光學透明材料之特徵係幾乎等於或高於該基板(40)之折射率之一折射率。
- 如請求項11之電致發光裝置(10),其中該電分路構件(122)配置於該基板電極(20)之表面上且進而該光學輸出耦合本體(71)以像將該電分路構件(122)夾(sandwiched)於該基板電極(20)與該光學輸出耦合本體(71)之間之配置的一方式覆蓋該電分路構件(122)。
- 一種用於藉由一電分路構件(122)分路一電致發光裝置(10)之一基板電極(20)之方法,該電致發光裝置(10)包括:一基板(40)以及該基板(40)之頂部上之該基板電極(20)、一反電極(30)及具有至少一個有機電致發光層(50)的一電致發光層堆疊,該至少一個有機電致發光層(50)配置於該基板電極(20)與該反電極(30)之間,該方法包括以下步驟:藉由導電膠(glue)、導電樹脂及導電漆(lacquer)所組成群組中之至少之一將一導線、一金屬條帶或箔片之群組中之至少之一固定至該基板電極(20),俾使該電分路構件(122)電連接至該基板電極(20),從而形成該電分路構件(122),施加一保護構件(70),該保護構件(70)完全覆蓋該電分路構件(122),以在該電分路構件(122)及該基板電極 (20)之表面之間具有一平滑轉換(smooth transition)之特徵之一形狀,俾使避免在該基板電極(20)上出現一陰影邊緣,將該電致發光層堆疊及該反電極施加於該基板電極之頂部上,其中由保護構件覆蓋所附接之分路構件。
- 如請求項13之方法,其中該方法進一步包括以下步驟:藉由使用形成一電連接構件(120)之一導電膠施加該電連接構件(120)至該基板電極(20)以用於將該電分路構件(122)電接觸至該基板電極(20)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09152169 | 2009-02-05 | ||
EP09152170 | 2009-02-05 | ||
EP09159047 | 2009-04-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201038119A TW201038119A (en) | 2010-10-16 |
TWI526116B true TWI526116B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=41785849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099103048A TWI526116B (zh) | 2009-02-05 | 2010-02-02 | 電致發光裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8334651B2 (zh) |
EP (1) | EP2394313B1 (zh) |
JP (1) | JP5608683B2 (zh) |
KR (1) | KR101676394B1 (zh) |
CN (1) | CN102308406B (zh) |
TW (1) | TWI526116B (zh) |
WO (1) | WO2010089680A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6034035B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR20130064540A (ko) | 2011-12-08 | 2013-06-18 | 현대자동차주식회사 | 조향 제어 시스템 및 그 방법 |
DE102012214248A1 (de) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelemente und verfahren zum herstellen eines bauelementes |
DE102012219712A1 (de) * | 2012-10-29 | 2014-04-30 | Tridonic Dresden Gmbh & Co. Kg | Leuchtmodul mit optimierter Kontaktierung |
WO2015049854A1 (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに照明装置 |
KR102268900B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2021-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6802156B2 (ja) | 2015-06-26 | 2020-12-16 | 株式会社ホタルクス | 有機elデバイス、有機el照明パネル、有機el照明装置および有機elディスプレイ |
JP6470335B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2019-02-13 | 株式会社Subaru | 車両の表示システム及び車両の表示システムの制御方法 |
KR20210115022A (ko) * | 2019-01-18 | 2021-09-24 | 트리나미엑스 게엠베하 | 광학 센서 및 광학적 검출용 검출기 |
TWI737484B (zh) * | 2020-06-05 | 2021-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015268A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
DE60329638D1 (de) * | 2002-08-02 | 2009-11-19 | Idemitsu Kosan Co | Sputtertarget, Sinterkörper, unter deren Verwendung gebildeter leitfähiger Film, organische EL-Vorrichtung und für diesen verwendetes Substrat |
JPWO2005049897A1 (ja) | 2003-11-21 | 2007-08-23 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 光学用材料、光学電子部品及び光学電子装置 |
JP4897491B2 (ja) | 2003-11-21 | 2012-03-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示パネル |
WO2005053053A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device comprising an etch-protective layer |
WO2005106573A1 (ja) | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100615234B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 무기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
WO2006030338A1 (en) | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transparent electrode for leds or oleds comprising inorganic metals |
JP4367346B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2008108439A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Nec Lighting Ltd | 電界発光素子および電界発光パネル |
JP5882563B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2016-03-09 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光素子 |
WO2008126267A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 発光装置 |
EP2145355B1 (en) * | 2007-04-27 | 2013-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming an organic light emitting device with anodized metallization |
TW200908413A (en) | 2007-05-02 | 2009-02-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method for manufacturing an OLED device and such an OLED device |
WO2009001241A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic functional device and method of manufacturing same |
-
2010
- 2010-01-27 JP JP2011548816A patent/JP5608683B2/ja active Active
- 2010-01-27 WO PCT/IB2010/050364 patent/WO2010089680A1/en active Application Filing
- 2010-01-27 KR KR1020117020654A patent/KR101676394B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-27 CN CN201080006743.XA patent/CN102308406B/zh active Active
- 2010-01-27 US US13/146,945 patent/US8334651B2/en active Active
- 2010-01-27 EP EP10703695.6A patent/EP2394313B1/en active Active
- 2010-02-02 TW TW099103048A patent/TWI526116B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8334651B2 (en) | 2012-12-18 |
KR101676394B1 (ko) | 2016-11-15 |
CN102308406B (zh) | 2015-08-26 |
EP2394313B1 (en) | 2018-09-26 |
KR20110131199A (ko) | 2011-12-06 |
JP2012517088A (ja) | 2012-07-26 |
TW201038119A (en) | 2010-10-16 |
WO2010089680A1 (en) | 2010-08-12 |
EP2394313A1 (en) | 2011-12-14 |
US20120019129A1 (en) | 2012-01-26 |
CN102308406A (zh) | 2012-01-04 |
JP5608683B2 (ja) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI526116B (zh) | 電致發光裝置 | |
US10217966B2 (en) | Method and an apparatus for an electroluminescent device with improved outcoupling | |
US8508122B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
US8358062B2 (en) | Electroluminescent device | |
TWI593309B (zh) | 電致發光裝置 | |
JP5714003B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス装置 | |
WO2010089684A1 (en) | Electroluminescent device |