JP6045153B2 - エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス装置に関する。該装置は基板と前記基板上の基板電極と、対向電極及び前記基板電極と前記対向電極の間に設けられる少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層を持つエレクトロルミネッセンス層スタック、及び前記エレクトロルミネッセンス層スタックを少なくとも被包する被包手段を含み、かつ該装置が、前記対向電極を電源に接続するための少なくともひとつの接触手段を含む。さらに本発明は、エレクトロルミネッセンス装置の基板電極を保護する方法に関する。

ＷＯ２００７／０１３００１Ａ２には、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が記載されている。有機発光ダイオードは、約１００ｎｍの薄さの有機材料を含み、２つの電極の間にサンドイッチ構造となっている。電極層は通常前記有機層と同様の厚さを持つ。電圧−通常２〜１０ボルト−が２つの電極に負荷されると有機材料が発光する。残念なことに、厚さが小さいことで該電極の抵抗が高く、該電極領域上の電圧の均一な分布を得ることが難しい。この結果を克服するために、上で説明した国際特許出願では導電性ポストがＯＬＥＤの対向電極に設けられている。該導電性ポストは、前記電極及びエレクトロルミネッセンス層により形成される層スタックを被包する被包手段に接続される。残念なことに、有機層及び対向電極は非常に敏感（壊れ易い）であり、従って、該導電性ポストを前記対向電極と接続する際しばしば短絡を生じる。かかる短絡は、例えば、該柔らかい有機層の局所的な破壊を起こし、対向電極及び基板電極を直接接触させる。

従って、本発明の課題は、上記の欠点を取り除くことである。特に本発明の課題は、短絡の恐れのない接続を可能とするエレクトロルミネッセンス装置を提供することである。

この課題は本発明の請求項１により教示されるエレクトロルミネッセンス装置により解決される。又この課題は、本発明の請求項１０により教示される方法により解決される。本発明のエレクトロルミネッセンス装置及び方法の好ましくは実施態様は従属請求項に定義される。本エレクトロルミネッセンス装置に関する構成及び詳細はまた、本発明の方法についても適用されるものであり、逆もそうである。

本発明は、該基板電極上に設けられる少なくともひとつの保護手段を開示し、前記保護手段は非導電性であり、少なくとも該接触手段の下の領域を完全にカバーする。

本発明の主な考えは、短絡を阻止するために保護手段を用いるということである。該短絡とは、前記接触手段と前記対向電極及び／又は前記接触手段自体との接続により生じるものである。前記対向電極の厚さにより前記接触手段による損傷は容易に短絡を生じる。有機エレクトロルミネッセンス層の厚さが小さいことから、損傷を受けた前記対向電極はこの有機エレクトロルミネッセンス層を突きぬけ前記基板電極に直接接触することもあり得る。これを阻止するために保護手段が基板電極上に設けられかつこれが非導電性である。従って、前記基板電極方向に曲げられる対向電極の要素は該保護手段により基板電極と直接接触することから阻止される。というのは、保護手段は少なくとも前記対向電極の下の領域を完全にカバーしているか又はさらに前記対向電極の下の領域を超えているからである。該保護手段により、接触手段について特に考慮することもなく開示されるエレクトロルミネッセンス装置は容易に電源と接続することができる。たとえ前記接触手段が対向電極を損傷したとしても、短絡の恐れはない。というのは前記保護手段が前記対向電極の接触手段と基板電極との直接の接触を阻止するからである。該目的を達成するために、前記保護手段でカバーされる領域は完全にその領域の下であるかその領域を超えてもよい。ここで前記接触手段は対向電極と接触している。そこで保護手段が前記接触手段の下を少なくとも完全にカバーする。

本発明においてエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）層スタックとは、前記基板電極及び前記対向電極の間に調製される全ての層を意味する。ＥＬ層スタックのひとつの実施態様において、基板電極と対向電極間に調製される少なくともひとつの発光有機エレクトロルミネッセンス層を含む。他の実施態様では、前記層スタックは基板電極と対向電極間に調製されるいくつかの層を含む。該いくつかの層は、例えばひとつ又はそれ以上のホール輸送層、電気ブロック層、電子輸送層、ホールブロック層、発光層などの有機層又は有機及び無機層の組み合わせなどである。該非有機層は、前記層スタック内の２つ又はそれ以上の発光層及び／又は荷電注入層である場合には、追加の電極であってもよい。好ましい実施態様では、基板電極及び又は対向電極は少なくともひとつの次の材料を含む。即ち、ＩＴＯ、アルミニウム、銀、ドープされたＺｎＯ又は酸化層である。
本発明において、基板とはベース材料であり、その上にエレクトロルミネッセンス装置の異なる層が堆積されるものを意味する。通常、基板は透明でありガラスである。さらに、基板が透明であり、好ましくは少なくともひとつの次の材料を含むことが好ましいい。即ち、銀、金、ガラス又はセラミックスである。また透明ポリマーシートやホイルであって、適切な湿度及び酸素バリア性を有し、エレクトロルミネッセンス層スタックに湿気及び／又は酸素が入ることを阻止するものが材料としてあり得る。また、非透明材料、例えば金属ホイルなどが基板として使用され得る。基板は通常は平坦であるが、又、望ましいいかなる３次元形状に形状化されてよい。

本発明において、基板電極とは、前記基板の上に堆積される電極を意味する。通常、透明のＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）からなるが、場合によりガラスから電極内に可動原子又はイオンの拡散を抑制するためにＳｉＯ_２又はＳｉＯのアンダーコートがなされていてよい。ＩＴＯ電極を持つガラス基板において、ＩＴＯは通常アノードである。ただし特別の場合、カソードであり得る。いくつかの場合において、薄い銀又は金層（８〜１５ｎｍ厚さ）が単一で又はＩＴＯと組み合わせて基板電極として使用される。金属ホイルが電極として使用される際には、これはまた基板電極、アノード又はカソードのいずれにも作用し得る。「の上に」という用語は、上げられる層の順を意味する。この用語は、明示的にさらなる層であって、それらの間に、示される層がそれぞれの上に存在する可能性を示す。例えば基板電極と基板の間に設けられる光アウトカップル強化のための追加の光学層である。

本発明において、対向電極とは、基板から離れた電極を意味する。通常は非透明であり、Ａｌ又はＡｇ層で十分な厚み（通常、Ａｌについて１００ｎｍ、Ａｇについて１００〜２００ｎｍ）を有し、該電極は反射性である。通常はカソードであるが、またアノードとしてバイアスされることもできる。上部発光又は透明エレクトロルミネッセンス装置については、対向電極は透明である必要がある。透明対向電極は、Ａｇ又はＡｌ層（５〜１５ｎｍ）又はＩＴＯ層からなり、他の既に堆積された層の上に堆積される。

本発明において、透明基板、透明基板電極及び非透明対向電極（通常反射性）を持つエレクトロルミネッセンス装置は、基板を通じて発光し、かかる基板は「ボトム発光」といわれる。さらなる電極を含むエレクトロルミネッセンス装置の場合において、ひとつの実施態様では、当該内部電極がカソード又はアノードとして駆動される場合には基板及び対向電極ともアノード又はカソードになり得る。さらに、本発明において、非透明基板及び透明対向電極を持つエレクトロルミネッセンス装置は対向電極を通じて発光し、「トップ発光」といわれる。

本発明において、透明エレクトロルミネッセンス装置とは、エレクトロルミネッセンス装置であって、基板、基板電極、対向電極及び被包手段が透明であるものを意味する。ここで、エレクトロルミネッセンス装置は、ボトム発光でもあり、トップ発光でもある。本発明において、層、基板又は電極は、可視領域の光の透過度が５０％よりも高いものを意味し、残りは吸収されるか反射される。さらに、本発明において、層、基板又は電極が半透明であるとは、可視領域の光の透過度が１０％〜５０％の範囲であるものを意味し、残りは吸収されるか反射される。さらに、本発明において、光は可視光を意味し、４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの波長を持つ。本発明において、光が、エレクトロルミネッセンス装置の有機エレクトロルミネッセンス層から発光される場合には人工光と呼ばれる。

さらに、本発明においては、エレクトロルミネッセンス装置の層、コネクタ又は構成要素は、電気抵抗が１０００００Ｏｈｍ以下の場合に電気的導電性であるという。本発明において、パッシブ電子コンポーネントには、抵抗、キャパシタ及びインダクタが含まれる。さらに、本発明においてアクティブ電子コンポーネントとしては、ダイオード、トランジスタ及び全てのタイプの集積回路が含まれる。

本発明において、エレクトロルミネッセンス装置の層、基板、電極又は構成要素は、当該物の境界に入射する光が反射の法則（即ち入射の巨視的角度が反射の巨視的角度に等しい）により戻る場合に反射性であるという。また鏡面反射なる用語もこの場合に使用する。さらに本発明において、エレクトロルミネッセンス装置の層、基板、電極又は構成要素は、当該物上に入射する光反射の法則（即ち入射の巨視的角度が反射の巨視的角度に等しい）により戻らない場合に散乱性であるという。また戻る光については角度の分布がある。散乱という言葉の代わりに拡散反射なる用語も使用される。

本発明において保護手段には非導電性接着剤を含む。非導電性接着剤は、容易に適用でき、基板電極を損傷しないという利点がある。さらに、これは空気中で適用でき、真空チャンバもクリーンルームも不要である。従って、非導電性接着剤の一滴を容易に基板電極に適用でき、保護手段として２つの電極間のすべての短絡を阻止することができる。

持続的な非導電性接着剤を得るために、エポキシ系、ポリウレタン系、アクリル系又はシリコーン系の材料の少なくともひとつが挙げられる。

酸素又は水分は有機エレクトロルミネッセンス層又は対向電極を損傷する恐れがある。前記保護手段は前記有機エレクトロルミネッセンス層と直接接触することから、保護手段の非導電性接着剤は非水及び／又は無水であることが好ましい。本発明において、無水及び／又は非水とは、エレクトロルミネッセンス装置の平均的寿命において裸眼観察により水による損傷をなんら見出せないことを意味する。水分による層スタック内への拡散により有機エレクトロルミネッセンス層の分解は視覚的には、黒点発生・成長や発光領域は端からの縮小などの形で起こる。無水及び／又は非水とは非導電性接着剤自体に依存するのみでなく、損傷を受けることなく前記有機エレクトロルミネッセンス層により吸収される水分量にも依存する。

さらなる好ましい実施態様において、エレクトロルミネッセンス装置は湿気及び／又は酸素バリアを含む。本発明において湿気及び／又は酸素バリアとは、前記層スタック内への有害な湿気及び／又は酸素の拡散を阻止する層を意味する。拡散は、発光の有意な寿命減少が観察され得る場合に、有害であることを意味する。従来技術による通常のＯＬＥＤ装置では、使用寿命の程度が１０００００時間以上を達成可能である。有意な現象とは、寿命減少因子が約２以上であることを意味する。

他の実施態様において、前記保護手段は、ホトレジスト、ラッカー、塗料又は再溶融ガラスフリットからのガラス層又は酸化金属層、好ましくは電解酸化アルミニウムなどの少なくともひとつのを含む。保護手段は、前記対向電極及び前記基板電極が直接接触（短絡を起こす可能性がある）することを阻止する必要がある。ここで挙げた材料は前記基板電極に容易に適用される。しかもクリーンルームや真空チャンバの必要もない。従って前記保護手段の適用は容易かつ経済的に行われる。当業者は本発明の範囲内で、他の非導電性材料を選択することができる。

保護手段は一方で非導電性であることを保証する性質を持たなければならない。さらに、前記基板電極を前記接触手段から遮蔽する十分厚くて及び／又は硬いものである必要がある。正確な厚さ又は硬さは前記接触手段により実際に生じる圧力などに依存するが、通常１〜１００ミクロンメーター厚さで十分である。望ましい保護は、１．５ミクロンメーター厚さのホトレジスト層で、１０〜２００ミクロンメーター厚さの非導電性接着剤と同様に達成され得る。しかしより厚い層も使用され得る。さらに、該保護手段は基板電極、有機エレクトロルミネッセンス層又は前記対向電極のいずれをも損傷しないことが保証されるべきである。好ましい実施態様において、該保護手段は非導電性接着剤を含む。さらに好ましくは、保護手段の非導電性接着剤が非水及び／又は無水である。

本発明によるエレクトロルミネッセンス装置は前記エレクトロルミネッセンス層スタックを被包する被包手段を含む。前記被包手段はまた、エレクトロルミネッセンス装置の全層スタックを被包するか、又は全層スタックの部分を形成する複数の層のみを被包する。好ましくは、被包手段は、ガスタイト要素であり、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス層及び対向電極をカバーする。ガスタイト被包手段を用いることで、水や酸素などの外環境因子が被包される層を損傷することを防止する。前記被包手段は、ガスタイト蓋（ｌｉｄ）を形成してよい。この蓋はガラス又は金属で形成されてよい。前記被包手段は、ひとつ又は複数の層であって、前記エレクトロルミネッセンス装置又はその一部に適用される層により形成されてよい。該層はシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム又は酸化窒化シリコンなどを含んでいてよい。すべてのこれらの被包手段は、機械的及び／又は環境因子が、エレクトロルミネッセンス装置の層スタックに対し有害な影響を与えることを防止する。

一例として、被包手段は金属、ガラス、セラミックス又はそれらの組み合わせからなってよい。被包手段は、基板に導電性層又は非導電性接着剤、溶融ガラスフロット又は金属はんだで付けられる。従って機械的安定性をエレクトロルミネッセンス装置に与えることができる。

好ましい実施態様において、前記被包手段は電気的に前記接触手段に接続される。前記接触手段及び前記被包手段との電気的接続は直接でも間接であってもよい。直接方法では、被包手段は直接前記接触手段に接続される。間接方法では、ワイヤなどの手段が前記被包手段及び前記接触手段とを接続するために使用され得る。ここでワイヤ以外の当業者に知られている他の手段もまた前記被包手段と前記接触手段とを接続するために使用され得る。前記被包手段を用いて電源に接続することが可能である。従ってワイヤなどが前記被包手段に付され、これにより電流が前記接触手段を介して前記対向電極に輸送される。該実施態様は、前記被包手段が少なくともひとつの部分的に導電性であることを要求する。短絡を防止するために、前記被包手段は従って前記基板電極に対して絶縁性である必要がある。これは、前記被包手段を２つの領域に分けることで実行できる。そのひとつは、導電性接触領域であり、もうひとつは非導電性接触領域である。前記被包手段は、前記導電性接触領域が前記接触手段と接続されるように設計されなければならない。

他の好ましい実施態様では、前記被包手段は導電性ガスタイトフィードスルーを含む。このガスタイトフィードスルーは導電性要素を含み、前記接触手段と接続される。これは、直接接触か又はワイヤ又は当業者に知られる他の手段により間接接触で実施され得る。前記被包手段が導電性であり、前記基板電極に接続される場合、前記ガスタイトフィードスルーは前記被包手段に対して電気的に絶縁されることが好ましい。これは、前記導電性要素が埋め込まれる絶縁手段を設けることで実施され得る。前記ガスタイトフフィードスルーの該絶縁手段は、例えば、ガラス又はセラミックスで、前記導電性要素を囲むように成形されることができる。

他の実施態様において、前記被包手段は導電性接触領域を含む。該実施態様では、被包手段２つの異なる要素を持つ。ひとつは前記接触領域を形成及び他のひとつは絶縁領域を形成する要素である。好ましくは、前記接触領域は前記被包手段のトップに設けられる。又は前記接触領域は、前記被包手段内に埋め込まれる要素により形成され、該埋め込まれる要素が導電性である。例えば、金属ディスクがガスタイト多層構造内に埋め込まれて前記被包手段を形成することができる。該金属ディスクは前記接触領域を形成し、前記エレクトロルミネッセンス装置の前記接触手段と電気的に接続される。好ましくは前記接触領域は前記被包手段に対して電気的に絶縁されている。これは、前記接触領域をガラス又はセラミックス又は他の当業者に知られる材料で埋め込むことで実施され得る。

本発明の考え方は、開示されるエレクトロルミネッセンス装置において２つの電極間の前記接触手段及び／又は前記接触手段を対向電極へ適用することにより生じるすべての短絡を、保護手段を用いて防止することである。
従って、種々の接触手段を、開示されるエレクトロルミネッセンス装置に短絡の恐れなく適用することができる。短絡の可能性をさらに低減するために、複数の接触手段が本発明の範囲内で開示され、前記エレクトロルミネッセンス装置を接続するために、特に対向電極を電源に接続するために使用することができる。たとえ、上の接触手段が、ある領域（前記接触手段が対向電極と接触する）での対向電極を損傷するつもりで使用されたとしても、いかなる短絡も生じないであろう。というのは保護手段が前記対向電極の損傷を受けた領域の下に完全に設けられているからである。

前記接触手段はスプリングを含み、前記被包手段と対向電極の間に設けられる。このスプリングは従って前記対向電極と直接接触し、被包手段から対向電極へ電流を伝達する。該スプリングは前記対向電極に、例えば、はんだ付け、レーザー溶接又は超音波溶接で付される。該処理により、前記対向電極及び／又はエレクトロルミネッセンス層スタックを突き抜けることがあり得る。ここで再び、その下の保護手段が短絡を防止する。他の実施態様では、該スプリングはコイン上の接触プレートを前記対向電極に押し付ける。たとえ、該コイン状の要素の表面が完全な平坦でなく、前記対向電極の一部分を突き抜けたとしても、短絡は防止される。というには保護手段が、該接触手段の表面が前記対向電極と電気的に接触することを阻止するからである。

他の好ましい実施態様では、前記接触手段はアーク状のスプリングを含む。該アーク状スプリングは被包手段に容易に付することができ、前記接触手段及び対向電極との接触を容易に確立することができる。他の好ましい実施態様では、接触手段は丸チップ（丸められた）である。これはまたスプリングを含み、丸チップを対向電極に押し付ける。該丸チップと対向電極の大きな領域により、確実な接触が確立される。

開示されるように、保護手段は非導電性接着剤を含むことができる。この非導電性接着剤は透明、非透明であってよく、又は散乱性を有していてよい。保護手段として用いる材料に依存して、エレクトロルミネッセンス装置の通常の操作では保護手段が適用される領域は暗くなることが実験的に示される。というのは前記基板電極から前記エレクトロルミネッセンス層スタックへの荷電注入がブロックされているからである。従って他の好ましい実施態様では、保護手段が少なくともひとつの散乱手段を含む。該散乱手段は、有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光を散乱する。好ましくは前記散乱手段は保護手段に埋め込まれる。該散乱手段は、基板に案内される人工光の一部を散乱及び／又は反射する。この結果、本来非発光領域を明るくする。基板はしばしば光ガイドとして作用することから、保護手段の前記散乱手段は、該光をエレクトロルミネッセンス装置の外へ散乱及び反射する。散乱手段は、前記保護手段に埋め込まれた複数の色素及び／又はフレークにより形成されてよい。該色素及び／又はフレークは例えば、アルミニウム、マイカ様色素、二酸化チタン又は有機エレクトロルミネッセンス層の人工光を散乱及び／又は反射するものとして当業者に知られている他のフレーク又は粒子などを含む。

他の好ましい実施態様では、保護手段は染色されている。これは保護手段自体を染色することで、又は保護手段に染色剤を適用することで実施できる。

他の実施態様において、保護手段は、前記エレクトロルミネッセンス層スタックを形成する内部端部と外部端部を持つ閉鎖輪郭として設けられる。ここで前記対向電極は部分的に前記閉鎖輪郭をカバーして前記輪郭の外部端部及び対向電極の端部との間に連続するギャップを確立し、該ギャップは前記対向電極と基板電極とを十分分離する。係る閉鎖輪郭により、前記エレクトロルミネッセンス層スタック及び前記対向電極を堆積するために同じマスクを使用することができ、製造をより容易にする。前記層スタックを形成する基板電極上の非導電性閉鎖輪郭なしで、前記エレクトロルミネッセンス装置及び対向電極の体積のために同じマスクを適用することは、両方の電極が前記対向電極の端のどこかで電気的に接触する可能性が高くなる。この実施態様で、基板及び対向電極間の分離は、対向電極及び非導電性保護手段の輪郭の外部端部との連続するギャップにより維持される。

対向電極の領域に亘る電圧の均一分布を達成するために、複数の接触手段を対向電極に適用することが好ましい。複数の接触手段を使用することで、電圧の達成される分布はより均一となる。全ての接触手段を電源の同じ電位に接続することは適切である。これにより、エレクトロルミネッセンス層への均一な電圧及び電流を伝達し、従って有機エレクトロルミネッセンス層による人工光の均一な生成させる結果となる。短絡を防止するために、基板電極に適用される複数の保護手段の数は接触手段の数に依存する。従って複数の保護手段が基板電極上に設けられることが好ましい。知られたエレクトロルミネッセンス装置については、次の数、２、４、５、１６又は３２の保護手段が基板電極に適用されることが好ましいことが示されている。

他の好ましい実施態様では、対向電極は複数の電気的に分離した対向電極セグメントの構成を持つ。ここでそれぞれの対向電極セグメントは少なくともひとつの保護手段を持つ。この実施態様では、対向電極は全体としては電源に接続されていない。むしろ、分離した対向電極セグメントの構造として対向電極は構造化されている。従って分離された対向電極間には直接電流は流れることはない。対向電極は被包手段の使用により接続され得る。それぞれの対向電極セグメントは被包手段に接続される少なくともひとつの接触手段を持つことから、被包手段を介して対向電極セグメント間に接触が可能である。それぞれの接触手段についてひとつの保護手段が基板電極に適用され、全ての種類の短絡を防止する。さらに、保護手段は、複数の接触手段の下に設けられ得る。

本発明の課題はさらに、エレクトロルミネッセンス装置の基板電極の保護方法により解決される。ここで、エレクトロルミネッセンス装置は、基板電極と基板上の対向電極間に設けられる少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層スタック及び前記エレクトロルミネッセンス層スタックを被包する被包手段を含み、かつ前記エレクトロルミネッセンス装置が、前記対向電極を電源に接合するための接触手段を含み、前記方法が次のステップを含む。すなわち、前記基板電極上に少なくともひとつの保護手段を適用し、前記保護手段が非導電性であり、少なくともひとつの前記接触手段の下の領域を完全にカバーするステップである。

エレクトロルミネッセンス装置に関する構成及び詳細な説明は該方法にも適用され、逆もそうである。

上で記載された開示されるエレクトロルミネッセンス装置は好ましくはここで開示される方法に従い製造される。

保護手段は、有機層及び対向電極を前記接触手段から生じる全ての悪影響から、前記対向電極に対して確実に前記基板電極を絶縁する方法で保護する層である。従ってたとえ、接触手段が対向電極及び有機層を損傷しても、保護手段が２つの電極が直接接触することを防止することで、短絡を阻止する。保護手段は、非導電性接触手段又はホトレジストを含む。保護手段の領域は前記接触領域を超えて伸びていてよい。

本発明はまた、少なくともひとつの接触手段を含む、基板電極及び対向電極間の短絡を防止するための保護手段の使用を開示する。該保護手段は基板電極上に設けられ、従ってたとえ前記接触手段が前記対向電極及び前記有機層の一部を突き抜けても、基板電極及び対向電極との直接の接触を阻止する。

更に本発明は、少なくともひとつの接触手段を持つ、基板電極及び対向電極間の短絡を防止する保護手段としての非導電性接着剤の使用を開示する。非導電性接着剤を保護手段として使用することは、非導電性接着剤を基板電極に容易に適用できるという利点を持つ。非導電性接着剤のほとんどは粘性流体であり、容易に基板電極に付着できる。クリーンルームや真空チャンバは必要ない。さらに、非導電性接着剤は、保護手段でカバーすることにより有機エレクトロルミネッセンス層及び対向電極を損傷することはない。

本発明はまた、本発明によるエレクトロルミネッセンス装置において基板電極として使用される唯一の連続する電極によりカバーされる基板に関する。前記連続電極は、すべての電極を意味するように構成されていない。前記基板電極となるべき前記電極でコートされる前記基板領域は、電気的に基板電極と分離されている被包手段によりカバーされる有機エレクトロルミネッセンス装置の前記基板領域の前記被包される領域内の基板上に第二の導電性領域を適用するには適合されていない。

開示された本発明の装置を製造するために、前記層スタックの異なる層が基板上に堆積される。基板上に基板電極を堆積した後、保護手段が基板電極へ適用されてよい。後ほど有機層が堆積される。最後に、対向電極が堆積される。従来技術に従い、有機層及び対向電極の好ましい堆積技術は真空蒸着である。真空蒸着は堆積技術であって、堆積される材料が蒸発源から基板に直線パスに沿って堆積し直接堆積を生じる。保護手段が急な端部又はオーバーハング端部を持つ場合、影形成効果が生じ、有機層及び対向電極にホール形成を起こす可能性がある。この望ましくない効果を避けるために、保護手段は滑らかな及び急でない端部を持つ。従って、本発明はまた、基板電極上の影部分の形成を防止する、材料性質及び／又は適用手順を含む保護手段を請求する。好ましい実施態様において、影部分形成を防止する材料性質は粘度であり、例えば高温での粘度である。好ましくは、粘度は低い。非導電性接着剤が保護手段として使用される場合、基板電極上に例えば一滴として適用される。この保護手段としての非導電性接着剤は流れて丘状の形状の保護手段を可能とし、その結果影形成効果を抑制する。単一の堆積源を使用すると影形成効果を生じる急な端部を与える結果となる保護手段のために材料が使用される場合、いくつかの堆積源を基板に対して異なる方向から材料を堆積するために用いることができる。また、保護手段の上に連続層が堆積することを保証するために、堆積処理の際に基板を回転させるか又は移動させることが薦められる。

上記エレクトロルミネッセンス装置及び／又は方法は、請求されるコンポーネント及び実施態様において記載された発明によって使用されるコンポーネントは、サイズ、形状、選択された材料に関して特別の例外の対象とするものではない。

例えば関連技術分野において知られる選択基準などの技術的コンセプトはここでは限定なく適用され得る。本発明の課題に対するさらなる詳細、特徴及び利点については従属請求項に記載され、以下の対応する図面の説明に従い−例示する方法のみである−本発明によるエレクトロルミネッセンス装置の複数の好ましい実施態様が示される。

以下、本発明のさらなる実施態様について、次の図面を参照して説明する。
図１は、本発明による保護手段を持つエレクトロルミネッセンス装置の第一の実施態様を示す。 図２は、図１による前記エレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図３は、接触手段を持つ前記エレクトロルミネッセンス装置の他の実施態様を示す。 図４は、前記接触手段の他の実施態様を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図５は、前記接触手段の異なる実施態様を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図６は、前記接触手段の異なる実施態様を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図７は、ガスタイトフィードスルーを持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図８は、導電性接触領域を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図９は、前記接触手段のさらなる実施態様を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図１０は、複数の保護手段を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図１１は、図１０によるエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図１２は、セグメント化された対向電極を持つエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図１３は、導電性層接触領域を持つ図１２によるエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図１４は、保護手段の他の実施態様を持つ図１３によるエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図１５は、図１４によるエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。 図１６は、保護手段及び接触手段を持つエレクトロルミネッセンス装置を示す。 図１７は、前記保護手段がエレクトロルミネッセンス層スタックを形成する閉鎖輪郭として配置される保護手段を持つエレクトロルミネッセンス装置の側面図である。 図１８は、図１７の前記保護手段がエレクトロルミネッセンス層スタックを形成する閉鎖輪郭として配置される保護手段を持つエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。

図１には、本発明の第１の実施態様によるエレクトロルミネッセンス装置１０が示される。前記エレクトロルミネッセンス装置は、基板電極２０、対向電極３０及び、ここで及び以下の例で前記エレクトロルミネッセンス装置スタックとして表される有機エレクトロルミネッセンス層５０を含む。前記有機エレクトロルミネッセンス層５０は、前記基板電極２０及び前記対向電極３０の間に設けられて層スタックを形成する。該層スタックは基板４０に設けられる。示される実施態様においては、前記基板電極２０は約１００ｎｍ厚さのＩＴＯ層により形成され、透明かつ導電性である。該基板電極２０上に、前記有機エレクトロルミネッセンス層５０が堆積される。前記基板電極２０と前記対向電極３０間に電圧を供すると、前記有機エレクトロルミネッセンス層５０内のいくつかの有機分子が励起され、その結果人工光を発光し、該エレクトロルミネッセンス層５０により発光する。対向電極３０は、アルミニウムの層から形成され、前記基板電極２０及び基板４０を通る前記人工光を反射する作用をもつ。光を環境へ発光するために、該実施態様における基板４０はガラスからなる。従って、図１によるエレクトロルミネッセンス装置はボトム発光ＯＬＥＤである。以下の図で示されるエレクトロルミネッセンス装置１０、同様にそのコンポーネント及び本発明により使用されるコンポーネントについては寸法通りには描かれていない。特に電極２０、３０、有機エレクトロルミネッセンス層５０及び基板４０については寸法が正しく描かれていない。全ての図は本発明を明瞭に説明するためだけの目的を持つ。

前記接触手段６０を前記対向電極３０へ適用することは、前記対向電極３０及び／又は有機エレクトロルミネッセンス層５０の薄層を損なう恐れがある。すべての種類の接触手段を使用し及び／又は前記接触手段６０を前記対向電極３０に適用する際の複雑さを低減するために、本発明は保護手段７０を開示する。該保護手段７０は、基板電極２０上に設けられている。保護手段７０は非導電性であり、少なくとも前記接触手段６０の下部領域を完全にカバーする。前記保護手段７０でカバーされる前記接触手段６０の下部の前記基板電極２０の領域は前記接触手段６０と接触する前記対向電極３０の領域を超える。しかし、前記保護領域が前記接触領域を超えず、前記接触領域の下に完全に設けられる場合には十分である。前記保護手段７０は前記基板電極２０を前記接触手段６０から分離し及び／又は前記対向電極３０の全ての部分から分離する。というのは、該対向電極３０は、前記接触手段６０を適用することにより損傷を受け、前記有機エレクトロルミネッセンス層５０へ貫通する恐れがあるからである。従って、開示されるエレクトロルミネッセンス装置１０の前記対向電極３０へ前記接触手段６０を適用することは、短絡が発生する恐れを排除する。

保護手段７０は、導電性層接着剤であるか又はそれを含む。いくつかの試験の結果、市販品の非導電性接着剤−例えばＵＨＵｐｌｕｓ ｓｃｈｎｅｌｌｆｅｓｔ、硬化時間５分、２成分エポキシ接着剤−を前記基板電極２０に適用することができる。該種類の非導電性接着剤は、電極２０、３０又は有機エレクトロルミネッセンス層５０を損なうことはない。非導電性接着剤を前記保護手段７０として基板電極２０に適用することにより、保護領域が形成されここで短絡が阻止される。かかる短絡は、前記接触手段６０が前記対向電極３０に適用されることにより起こりうるものである。前記接触手段６０は、少なくとも部分的に前記対向電極３０及び有機エレクトロルミネッセンス層５０に孔を開け、前記対向電極３０及び基板電極２０の電気的接触を生じる恐れがある。保護手段７０は前記基板電極２０が前記接触手段６０に直接接触することを防止する。

図１に示されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス層５０及び前記対向電極３０は被包手段９０のより被包される。該被包手段９０は蓋状（ｌｉｄ−ｌｉｋｅ）の形状を持つ。さらに、エレクトロルミネッセンス装置１０は少なくともひとつの接触手段６０を持ち、これは前記対向電極３０を電源に電気的に接触させるものである。該接触手段６０は、従って、前記対向電極３０から前記電源への電流路の一部である。実施態様では、前記接触手段６０は導電性ポストであり、前記対向電極３０に供されている。該導電性ポストは、金属又は当業者に知られた他の導電性材料を含むことができる。

図１では、前記接触手段６０は、前記対向電極３０に直接接触し、同様に前記被包手段９０にも直接接触する。従って前記対向電極３０を電源と電気的に結合することは容易である。ユーザーは導電性手段を前記被包手段９０に適用するだけでよく、これにより前記ギャップを前記接触手段６０に繋げる。示された実施態様では、被包手段９０は一方で、基板電極２０と結合し及び他方では前記接触手段６０と結合する。短絡を避けるために、前記被包手段９０の少なくとも一部及び／又は被包手段９０全てを基板電極２０に対して絶縁しなければならない。示される実施態様では、前記被包手段９０のトップ９５が導電性であり、一方被包手段９０のサイド９６電気的に絶縁性である。従って、対向電極３０及び基板電極２０間の短絡が防止される。被包手段９０のタイプにより次の性質が挙げられる。

第１のケースでは、被包手段９０は基板電極２０に対して絶縁されていなければならない。従って、絶縁リム９４−図３に示される−が被包手段９０に適用されなければならない。第３のケースでは、絶縁リム９４は必要ない。被包手段９０のサイド９６が前記導電性トップ９５を基板電極２０に対して絶縁する。第２のケースでは、導電性フィードスルーを被包手段のトップ９５に適用されて前記接触手段６０と結合させてもよい。同じことが第４のケースでも当てはまる。ここでは被包手段９０のトップ９５と同様にサイド９６も絶縁性である。基板電極２０は前記結合手段９３’を介して電源と結合される。適切な結合手段９３’は当業者に知られている。

被包手段９０は、ガスタイトであり、周囲の大気により、被包手段９０内の有機エレクトロルミネッセンス層５０又は２つの電極２０、３０のいずれもが損なわれることを防止しなければならない。示される実施態様では、エレクトロルミネッセンス装置１０はさらに、ゲッター１７０を含み、被包手段９０内に設けられる。該ゲッターは湿気又は他の有害ガスを吸収するために使用される。というのは、該有害ガスは被包手段９０内の保護領域に拡散し得るからである。ゲッター１７０はＣａＯ又はゼオライトを含んでいてよい。他の物質は当業者に知られている。

図２は、図１に示される本発明のエレクトロルミネッセンス装置１０の背面図である。理解を容易にするためにエレクトロルミネッセンス装置１０は被包手段１０が省かれている。保護手段７０は基板電極２０上に設けられ、非導電性である。保護手段７０の目的は基板電極２０を前記接触手段６０からのいかなる影響からも保護することである。従って、前記接触手段６０の例えば前記対向電極３０及びエレクトロルミネッセンス層５０へ侵入する延長部分は基板電極２０に到達することはない。むしろ、前記保護手段７０で停止される。又保護手段７０は、前記接触手段６０が前記対向電極３０及び基板電極２０との間のいかなる短絡の原因となり得る可能性を低減するサイズを持つ。実施例において、驚くべきことに、非導電性接着剤は保護手段７０として使用される適切な材料であることが見出された。従って、有機エレクトロルミネッセンス層５０及び対向電極３０が基板４０に堆積される前に、非導電性の一滴が前記基板電極２０に適用され得る。図２は、有機エレクトロルミネッセンス層及び対向電極３０の下側に設けられる保護手段７０を示す。理解されるように、保護手段７０は前記対向電極３０の下に設けられる。さらに、保護手段７０は、基板電極２０の保護領域をカバーし、対向電極２０上の接触手段６０でカバーされる前記接触領域よりも広い。従って、前記結合手段６０の前記対向電極２０及び／又は有機エレクトロルミネッセンス層５０への影響は、全ての種類の前記基板電極２０への導電性橋渡しを生じることは全くない。このことは保護手段７０により抑制される。

基板電極上に結合手段９３’が適用される。すべての図において、基板電極２０の該結合手段９３’は該基板電極に付されるワイヤの形状を持つ。これは単に基板電極２０と電源を結ぶシンボルである。明らかに該結合手段９３’の示される実施態様は係る結合手段９３’の例示的設計である。当業者に知られる他の配置もまた前記基板電極２０と電源とを結ぶために使用可能である。

図３で、開示されたエレクトロルミネッセンス装置１０の他の実施態様が示される。図１のエレクトロルミネッセンス装置との違いは、接触手段６０は被包手段９０のトップ９５と直接接触していないということである。むしろ結合手段９３が使用される。この結合手段９３は、ワイヤであってよい。しかしまた、前記導電性トップ９５及び該接触手段６０とのギャップを橋渡しするための当業者に知られる全ての他の手段が使用可能である。実施例で示されるように、被包手段９０のトップ９５はサイド９６と同様に導電性である。従ってエレクトロルミネッセンス装置１０は、被包手段９０のいかなる点でも電源と結合され得る。この物性及び／又はサイズにより被包手段９０は、前記対向電極３０の抵抗と比べて低抵抗である。従ってユーザーは被包手段９０の最も便利な点で、電源と結合することができる。対向電極３０及び基板電極２０間の短絡を阻止するために、絶縁リム９４がエレクトロルミネッセンス装置１０に適用される。該絶縁リム９４は基板電極２０及び被包手段９５のサイド９６との間に設けられる。従って、基板電極２０及び被包手段９０さらには対向電極３０との間には直接接触することはない。保護手段７０は基板電極２０上に設けられ非導電性である。さらに、これは、接触手段６０の下部に設けられるが、それを超えることはない。短絡を阻止するために、少なくともひとつの保護手段７０は基板電極２０上に設けられ、そこで保護手段７０は非導電性であり、前記接触手段６０の下に少なくとも部分的に設けられる。ここで、保護手段７０が前記接触手段６０の下に設けられるとは、保護手段７０でカバーされる領域が、前記接触手段６０が対向電極３０と接触するか又は接触し得る領域の十分下にあるか又は該領域を超えている、ことを意味する。従って、保護手段７０は、前記対向電極３０上の前記接触手段６０により要求される前記領域を少なくとも完全にカバーすることができるサイズを持つ。その他の、図３によるエレクトロルミネッセンス装置１０の設計及び構成要素は図１に示される。

図４では、接触手段６０の他の実施態様が示される。この実施態様では、エレクトロルミネッセンス装置１０は、スプリングである接触手段６０を含む。該スプリングは、被包手段９０及び対向電極３０と結合される。従って、被包手段９０のトップ９５は導電性でなければならない。スプリングは、保護手段７０’として使用されてもよい。たとえスプリングが対向電極３０を突き抜けたとしても保護手段７０’がすべての短絡を阻止することができる。接触手段６０は保護手段７０により前記基板電極２０と直接接触することから阻止されている。この実施態様は次の点有利である。すなわち、開示のエレクトロルミネッセンス装置１０のユーザーは被包手段９０の外側を電源に接続するために使用することができるということである。従って、ワイヤ又は他の要素が容易に被包手段９０に付されて前記層スタックを電源と接続することができる。
図５に示されるエレクトロルミネッセンス装置１０は、図４のエレクトロルミネッセンス装置１０とは、前記接触手段６０の設計の点で異なる。図５では、接触手段６０はアーク状スプリングであり、これは一方では被包手段９０と接続され、他方では対向電極３０と接続されている。被包手段９０のトップ９５は再び、エレクトロルミネッセンス装置１０を電源と接続するために使用可能である。短絡を阻止するために、被包手段９０のサイド９６は絶縁性であるべきである。というのは、それらは前記基板電極２０と直接接触するからである。エレクトロルミネッセンス装置１０の保護手段７０は前記基板電極２０が前記接触手段６０及び／又は対向電極３０と直接接触することを阻止する。

図６には、接触手段６０の他の実施態様が示される。この実施態様では、接触手段６０は、丸チップ（ｒｏｕｎｄｅｄ ｔｉｐ）を持つ手段を含み、前記接触手段６０はスプリングにより前記対向電極３０に押し付けられる。
丸チップ及びスプリングを持つ前記手段はガイダンス内に設けられ、前記接触手段６０が横滑りしないように確保されている。丸チップを持つ前記手段は対向電極３０に押し付けられていることから、これが対向電極及び有機エレクトロルミネッセンス層を突き抜けて基板電極２０に到達し短絡を生じる恐れがある。これを阻止するために、保護手段７０は前記接触手段の下に設けられる。これにより丸チップが対向電極３０及び有機エレクトロルミネッセンス層５０を突き抜けても短絡は生じない。示される実施態様では、保護手段７０でカバーされている接触手段６０の下の基板電極２０の領域（保護領域）は、前記接触手段６０と接触する前記対向電極３０上の領域を超えている（接触領域）。しかし、前記保護領域が前記接触領域を超えないで前記接触領域の下に完全に設けられているならば十分である。図６のエレクトロルミネッセンス装置１０の全て他の構成は図４及び５のそれらに対応する。

図７では、被包手段９０の他の実施態様が開示される。この実施態様では、被包手段が導電性ガスタイトフィードスルー９２を含む。該フィードスルー９２は前記接触手段６０と接続される。これは−示されるように−結合手段９３により実行され、一方でフィードスルー９２と接続し、他方で前記接触手段６０と接続される。結合手段９３はワイヤ、ホイル又は他の当業者に知られる導電性要素であってよい。フィードスルー９２はまた前記接触手段６０と直接接触してもよい。被包手段９０の外部上で、ガスタイトフィードスルー９２は電源と接続されてもよい。示される実施態様において、被包手段９０は全体として導電性であることが前提とされている。従って、ガスタイトフィードスルー９２が絶縁手段９７を持つことは適切である。該絶縁手段９７は、フィードスルー９２−対向電極３０と接続される−と基板電極と接続される被包手段９０との間の短絡を阻止する。該絶縁手段９７は、セラミックス、ガラス又は再溶融ガラスフリットから形成されてよい。ガスタイトフィードスルー９２のために絶縁手段７２を用いない場合、被包手段９０のトップ９５がまた絶縁性であってよい。従って２つの電極２０，３０間の短絡がまた阻止される。保護手段７０は接触手段６０の領域の下に完全に設けられるが、この領域を超えてもよい。示される実施態様では、保護手段７０は、前記対向電極３０の上の前記接触手段６０よりもおおきな前記基板電極２０上の領域を占める。これにより、前記接触手段６０による対向電極３０及び有機エレクトロルミネッセンス層５０を突き抜けて短絡することを阻止することを保証する。というのは突き抜けた部分が保護手段７０で停止するからである。その他の、図７によるエレクトロルミネッセンス装置１０及び構成要素は、図１のそれらと同じである。

図８で、エレクトロルミネッセンス装置１０の好ましい他の実施態様が示される。このエレクトロルミネッセンス装置１０は、対向電極３０、有機エレクトロルミネッセンス層５０及び基板電極２０により形成される層のスタックを含む。対向電極３０のバックサイドに、接触手段６０が設けられる。保護手段７０が前記接触手段６０の下に設けられる。被包手段９０は導電性接触領域１００を含む。図８から、接触手段６０は前記被包手段９０の接触領域１００と直接接触する。図８のエレクトロルミネッセンス装置１０のユーザーは前記接触領域１００を、人工光を発生するために電源と接続するだけでよい。接触領域１００は前記接触手段６０及び／又は対向電極３０と比べてより大きくかつより丈夫であることから、電源への接続は知られる手段を用いて容易に実施できる。例えばワイヤを前記被包手段９０の接触領域１００に付すことができる。接触領域１００は被包手段に埋め込まれる金属ディスクにより形成され得る。該金属ディスクは導電性であり、従って、前記接触手段６０及び電源との間の橋渡しとして使用され得る。示される実施態様において、被包手段９０は前記基板電極２０上に位置されかつ導電性である。短絡を阻止するために、被包手段９０は絶縁ボーダー１０１を含む。これは前記接触領域１００を取り囲む。これにより、前記接触領域１００及び被包手段９０のトップ９５との直接の接触が阻止される。示される実施態様とは別に、前記接触領域１００は被包手段９０に埋め込まれる金属ディスクにより形成されなくてもよい。被包手段９０が一体要素であり、部分的に導電性粒子がドープされて前記接触領域１００が形成されるものであってよい。この実施態様では、被包手段の他の部分は導電性でなく、前記接触領域１００を基板電極２０に対して絶縁する。

図９はエレクトロルミネッセンス装置１０の他の実施態様を示す。示されるエレクトロルミネッセンス装置１０は接触領域１００を含む被包手段９０を含む。前記接触領域１００は絶縁ボーダー１０１を含み、２つの電極２０，３０の短絡を阻止する。被包手段９０の内側及び前記接触領域１００の下には接触手段６０が設けられる。この接触手段６０は丸チップを持つ手段を含み、対向電極にスプリングで押し付けられている。ガイダンスが、丸チップを持つ手段が対向電極３０の上に押し付けられることを保証する。接触手段６０の係る設計は次の利点を持つ。すなわち、対向電極３０と被包手段９５の間に異なる空間を持つ装置のために使用することができるということである。保護手段７０は基板電極２０の上に設けられ、そこで保護手段７０は非導電性であり、少なくとも前記接触手段６０の下の領域を完全にカバーする。

図１０は２つの接触手段６０を含むエレクトロルミネッセンス装置を示す。それぞれの接触手段６０の下に保護手段７０が設けられる。接触手段６０は対向電極３０及び被包手段９０の間のギャップを埋める。接触手段６０は被包手段のトップ９５の方に伸びている。示される実施態様で、被包手段９０のトップ９５及びサイド９６は導電性である。従って、前記対向電極３０を電源に接続することを容易にする。被包手段９０は知られている方法で電源と接続されることができる。４つの接触手段６０が対向電極３０と接続するために使用されるということは、対向電極３０に亘る電圧の均一な分布が達成されるということである。これにより有機エレクトロルミネッセンス層５０による人工光の均一な発生が可能となる。被包手段９０が全体として導電性であるので、絶縁リム９４が被包手段９０及び基板電極２０の間に設けられなければならない。これにより短絡の阻止が保証される。

図１１は図１に示されるエレクトロルミネッセンス装置１０の上面図である。ここでは４つの接触手段６０が対向電極３０の上に設けられている。これらの４つの接触手段６０により、エレクトロルミネッセンス装置１０でより均一な電圧及び／又は電流分配が達成される。より容易に理解するために、図１１のエレクトロルミネッセンス装置１０には被包手段９０は記載されていない。それぞれの接触手段６０はそれぞれ自体の保護手段７０を持つ。保護手段７０は接触手段６０の下に設けられる。

他の好ましい実施態様では、対向電極３０は複数の電気的に分離される対向電極セグメント３１内に構成される。これは図１２〜１５に示される。図１２ではエレクトロルミネッセンス装置１０の上面図が示される。より容易に理解するためにエレクトロルミネッセンス装置１０は被包手段９０なしで記載されている。対向電極３０は４つのセグメント３１で分離される。これらは電気的には接続されていない（図１２）。対向電極３０のそれぞれのセグメント３１は、それ自体の接触手段６０を持つ。図１３には、接触手段６０が、被包手段９０と直接接触するように適用されている態様が示される。被包手段９０は前記接触手段９０それぞれに対しひとつの接触領域１００を持つ。これらの接触領域１００は導電性であり、前記層スタックに電流を供給するために使用され得る。被包手段９０は基板電極２０の上に直接設けられており、接触領域１００のそれぞれは絶縁ボーダー１０１を持ち、短絡を阻止する。示されるエレクトロルミネッセンス装置１０のユーザーは個々にそれぞれの接触領域１００を電源に接続することができる。従って、エレクトロルミネッセンス装置１０の一部のみを活性化することが可能となる。対向電極セグメント３１に依存して、有機エレクトロルミネッセンス層５０の一部のみが電流供給され、この対向電極セグメントのみが人工光を発光する。接触手段６０のそれぞれは基板電極２０上に設けられるそれ自体の保護手段７０を持つ。非導電性手段７０のそれぞれは短絡を阻止する。エレクトロルミネッセンス装置１０の全ての構成は図１に示されるエレクトロルミネッセンス装置１０に対応する。

図１４は、類似のエレクトロルミネッセンス装置１０を示すが、保護手段７０が２つの接触手段６０の下に設けられる設計である。従ってひとつの小さな保護手段７０が対向電極に適用されるだけではない。例えば非導電性接着剤が保護手段７０として使用される場合、それは基板電極２０の上にバンク状に設けることができる。従って基板電極２０上に容易に適用され、エレクトロルミネッセンス装置１０を複数の接触手段６０の短絡を阻止する。さらに、保護手段７０が少なくともひとつの散乱手段１８０を含み、有機エレクトロルミネッセンス層５０で生成される光を散乱することが好ましい。散乱粒子１８０は色素及び／又は粒子を含むか又は色素及び／又は粒子である。これにより、保護手段７０の下の領域がその周囲よりもより暗く見える恐れを除去する。これらの散乱手段１８０はマイカ、アルミニウムフレーク又はＴｉＯ_２などの高屈折率を持つ材料を含むものであってよい。散乱手段１８０はまた、基板に案内される人工光及び／又は可視光の一部分を反射し、従って、保護手段７０の下の非発光層を明るくする。エレクトロルミネッセンス装置１０の全ての他の構成は、図１３に示されるエレクトロルミネッセンス装置１０に対応する。

図１５は、図１４によるエレクトロルミネッセンス装置１０の上面図である。ここで４つの接触手段６０が対向電極に適用されている。２つの接触手段６０の下に、単一の伸張された保護手段７０が示される。より容易な理解にために図１５のエレクトロルミネッセンス装置は、被包手段なしで示される。

図１６は、エレクトロルミネッセンス装置１０の部分を示す。図１６は、基板に堆積される層の拡大図である。留意すべきは、該層のサイズは実寸ではないということである。基板４０上に基板電極２０が堆積される。該基板電極２０上に保護手段７０が設けられる。保護手段７０は有機エレクトロルミネッセンス層５０及び対向電極でカバーされる。該有機エレクトロルミネッセンス層上に対向電極３０が堆積される。対向電極３０と電源とを接続する手段が適用される（図示されていない）。示される実施態様で、保護手段７０は非導電性接着剤を含む。異なる電極２０，３０及びエレクトロルミネッセンス層５０が基板４０へ層状で適用される。基板電極２０を適用後、保護手段７０は前記基板電極２０上に堆積されるべきである。保護手段７０は前記基板電極２０上の影形成部が形成されることを阻止する材料性質及び／又は適用手順を準備しなければならない。好ましい実施態様では、該材料性質は低粘度である。従って保護手段形成材料は基板電極２０上を流れて、滑らかなスロープを持つ丘状構造を形成する。これにより影形成部がなくなり、従って有機エレクトロルミネッセンス層５０及び対向電極３０を続いてカバーすることができる。保護手段７０は好ましくは高温度で低粘度であり、２段階処理を可能とするものである。初めのステップで保護手段形成のために−非導電性接着剤のように−基板電極２０の望ましい位置に適用する。その後、基板を加熱して高温にする。より低粘度のために、保護手段７０の材料はその後基板電極上に流れる。好ましくは保護手段７０の材料は、ゆっくりと流れて保護手段７０を既定の厚さ及び滑らかな丘形状を形成するものである。保護手段及び／又は保護手段の材料の温度が下がると、固体化し保護手段７０を形成する。保護手段が基板電極２０上に流れて、その結果影形成部を形成しないということ及び／又は材料性質により、開示されるエレクトロルミネッセンス装置１０の製造が可能となる。

ひとつの実施例において、前記保護手段は２成分エポキシ接触剤（ＵＨＵ ｐｌｕｓ ｓｃｈｎｅｌｌｆｅｓｔ 硬化時間５分）から作られた。バインダ及びハードナーを既定の１：１で混合し、室温でＩＴＯでカバーされたガラス基板の一点に供給した。その後、基板をホットプレートで６０℃で１５分間加熱して、接着剤を初め滑らかな丘状に流し、その後急速に固体化させた。手順はグローブボックス内で窒素ガス雰囲気下で行った（水分１ｐｐｍ未満）。硬化した保護手段を持つ基板をその後真空チャンバに導入し、有機層及び対向電極を堆積した。この装置をその後、保護手段の位置にホールを持つガラスカバー蓋で被包した。カバーはＵＶ硬化接着剤で適用された。水分ゲッターを前記基板及び蓋で形成されたキャビティ内に設けた。最後に、接触手段−小さな真鍮スプリングを持つ真鍮プレート−を前記カバー蓋のホールを通じて、前記保護手段の位置の対向電極に適用した。すべての接着剤を硬化させた後（約１時間）、電源のプラス側を基板のリム（そこで基板電極が露出する）に、さらにマイナス側を前記カバー蓋の真鍮プレートに接続することで確実に駆動させた。保護手段でカバーされたエレクトロルミネッセンス層スタック及びアルミニウムでできた対向電極はクラックやホール形成なく保護手段でカバーされていた。保護手段の位置では発光はなかった。

第二の実施例で、前記接着剤のバインダがＴｉＯ_２粒子と混合した。後の手順は正確に上で記載したとおりであった。すべての接着剤が硬化した後（約１時間）、ＯＬＥＤは、電源のプラス側を基板のリム（そこで基板電極が露出する）に、さらにマイナス側を前記カバー蓋の真鍮プレートに接続することで確実に駆動させた。保護手段でカバーされたエレクトロルミネッセンス層スタック及びアルミニウムでできた対向電極はクラックやホール形成なく保護手段でカバーされていた。保護手段の位置では、前記接着剤に埋め込まれたＴｉＯ_２粒子により基板内に案内された光の散乱による発光はなかった。

図１７及び１８は、保護手段７０が前記基板電極２０の上で外部端部７１を持つ閉鎖輪郭として設けられる、エレクトロルミネッセンス装置を示す。図１８は、図１７の装置のエレクトロルミネッセンス装置の上面図である。保護手段７０は、少なくとも部分的に対向電極３０によりカバーされ、前記対向電極３０と、前記保護手段７０の前記閉鎖輪郭の外部側端７１との間のギャップ７２を確立する。対向電極３０及び基板電極２０との間に直接接触がなく、かつ保護手段７０の前記閉鎖輪郭が非導電性材料からなることから、電極２０、３０ともそれぞれ分離されている。有機エレクトロルミネッセンス層５０は、基板電極３０を、前記閉鎖輪郭内で完全にカバーしており、保護手段７０のトップ上に部分的に伸びており、好ましくは有機エレクトロルミネッセンス層５０の端部と保護手段７０の前記閉鎖輪郭の外部端部７１との間の同じギャップを形成する。接触手段６０は対向電極３０の領域で適用され、そこで保護層が前記接触手段６０の下に完全に位置する。図２２では、前記閉鎖輪郭のカバーされていない領域のみ見えている。閉鎖輪郭７０はさらに対向電極３０の下を伸張し図２１に示されるように接触手段６０と接触する。閉鎖輪郭は、エレクトロルミネッセンス層スタック及び対向電極を堆積するための同じマスクを適用することを可能とする。

記載された実施態様は、エレクトロルミネッセンス層５０が層スタック内である例として含む。本発明の範囲に属する他の実施態様において、前記層スタックは層５０に追加する層、例えばホール移動層、ホールブロック層、電子移動層、電子ブロック層、電荷注入層、さらなる導電性層などを含むことができる。

１０ エレクトロルミネッセンス装置
２０ 基板電極
３０ 対向電極
３１ 対向電極セグメント
４０ 基板
５０ 有機エレクトロルミネッセンス層
６０ 接触手段
７０ 保護手段
７１ 閉鎖輪郭としての保護手段の外部端部
７２ 対向電極及び閉鎖輪郭外部端部との連続するギャップ
９０ 被包手段
９２ ガスタイトフィードスルー
９３，９３’ 接続手段
９４ 絶縁リム
９５ 被包手段のトップ
９６ 被包手段のサイド
９７ ガスタイトフィードスルー９２の絶縁手段
１００ 接触領域
１０１ 接触領域１００の絶縁ボーダー
１７０ ゲッター
１８０ 散乱手段

Claims (10)

1. エレクトロルミネッセンス装置であり：
   基板と前記基板上の基板電極と、対向電極と前記基板電極と前記対向電極の間に設けられる、少なくともひとつの有機エレクトロルミネッセンス層を持つエレクトロルミネッセンス層スタック；及び
   少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層スタックを被包する被包手段を含み、
   前記エレクトロルミネッセンス装置が、前記対向電極と電源を電気的に接続するための少なくともひとつの接触手段を含み、前記接触手段は、前記エレクトロルミネッセンス層スタックの上部に配置され、前記対向電極の少なくとも1つの領域をカバーし、
   前記基板電極上に直接的に設けられる少なくともひとつの保護手段が設けられ、
   前記保護手段が非導電性であり、前記接触手段の下に位置する前記基板電極の領域を少なくとも完全にカバーする、エレクトロルミネッセンス装置。
2. 請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記保護手段が、非導電性接着剤、ホトレジスト、ラッカー、塗料又は再溶融ガラスフリットからなるガラス層又は酸化金属層、好ましくは陽極酸化アルミニウムのうちの少なくともひとつを含む、エレクトロルミネッセンス装置。
3. 請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記保護手段が無水物の非導電性接着剤である、エレクトロルミネッセンス装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記被包手段が前記接触手段と電気的に結合する導電性接触領域を含む、エレクトロルミネッセンス装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記被包手段が導電性のガスタイトフィードスルーを含み、前記フィードスルーは前記接触手段と結合する結合手段を含む、エレクトロルミネッセンス装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記保護手段が、前記有機エレクトロルミネッセンス層により生成される光を散乱するための少なくともひとつの散乱手段を含み、好ましくは前記散乱手段が前記保護手段に埋め込まれている、エレクトロルミネッセンス装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記保護手段が、前記エレクトロルミネッセンス層スタックを囲む外部端部と内部端部を持つ閉鎖輪郭として設けられ、前記対向電極が部分的に前記閉鎖輪郭をカバーして、前記輪郭の前記外部端部と前記対向電極の端部との間の連続するギャップを確立し、前記ギャップは、前記対向電極を前記基板電極から分離する、エレクトロルミネッセンス装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、複数の保護手段が前記基板電極上に設けられる、エレクトロルミネッセンス装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置であり、前記対向電極が、複数の電気的に分離された対向電極セグメントとして構成され、それぞれの対向電極セグメントが少なくともひとつの保護手段を含む、エレクトロルミネッセンス装置。
10. エレクトロルミネッセンス装置の基板電極を保護する方法であり：
    前記エレクトロルミネッセンス装置が、
    基板電極及び対向電極との間に設けられる少なくともひとつのエレクトロルミネッセンス層スタックと；
    前記エレクトロルミネッセンス層スタックを少なくとも被包する被包手段を含み、
    前記エレクトロルミネッセンス装置が、前記対向電極を電源に電気的に接続するための少なくともひとつの接触手段を含み、前記接触手段は、前記エレクトロルミネッセンス層スタックの上部に配置され、前記対向電極の少なくとも1つの領域をカバーし、
    前記方法が：
    少なくともひとつの保護手段を前記基板電極上に直接的に堆積するステップを含み、前記保護手段が非導電性であり、前記接触手段の下に位置する前記基板電極の領域を少なくとも完全にカバーする、方法。
    
    

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