CN1883234A - 显示面板 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 1
- 208000034699 Vitreous floaters Diseases 0.000 description 43
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 102000045246 noggin Human genes 0.000 description 2
- 108700007229 noggin Proteins 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N iridium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000010094 polymer processing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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Abstract
本发明涉及一种显示面板(1)，其形成在基板(5)上并包括具有至少一个光发射层(9)和沉积在所述光发射层(9)之上或上面的至少一个电极层(10)或阴极的多个显示像素(3)。显示面板(1)还包括分路所述电极层(10)的导电结构(7)。分隔显示像素(3)的阻挡结构最好用作导电结构(7)。本发明允许阴极(10)将适当的透明度和合理的低电阻率相结合。
Description
本发明涉及一种显示面板，其形成在基板上，并包括具有至少一个光发射层和沉积在所述光发射层之上或上面的至少一个电极层的多个显示像素。
将包括电致发光材料的显示像素用在基板之上或上面的显示面板变得越来越普及。这些发光元件可以是发光二极管(LED)，结合在或形成按行和列矩阵排列的显示像素。如果通过诸如特殊聚合的(PLED)或小分子有机(SMOLED)材料等这些材料传送电流，那么用于这种LED中的材料适于生成光。由此，LED必须排列成使得可以通过这些电致发光材料驱动电流的流动。通常分为无源和有源驱动式矩阵显示。对于有源矩阵显示来说，显示像素本身包括诸如一个或多个晶体管的有源电路。
由于PLED材料在水溶液或溶剂中固有的热稳定性、灵活性和可溶性特性，PLED材料提供了优于SMOLED材料的优点。因此，PLED材料可以应用于诸如旋涂或喷墨式沉积等湿式化学技术中。
EP-A-0 892 028公开一种有机EL元件，其中在透明基板上形成透明像素电极。在像素电极之间形成以光平版印刷术定义的光致抗蚀剂台以防止包括电致发光材料的液体墨滴无意间流到相邻的显示像素。
对于例如那些具有顶部发射或半透明显示面板的一些显示面板来说，用于将电流施加到电致发光材料的顶部电极层对于从显示像素发射的光应当是透明的。这种透明电极层固有相对高的电阻。因此，对于这种显示面板来说，存在的矛盾是：或者增大电极层的厚度以牺牲透明度而减小电阻率；或者减小顶部电极层的厚度以提高透明度，结果得到对采用这种显示面板的装置的功耗有不利影响的甚至更高的电阻率。
本发明的目的是提供一种具有低阻的光透明电极层的显示面板。
此目的是通过提供还包括分路(shunt)所述电极层的导电结构的显示面板来实现的。在分路时，电极层通过一个或多个所述导电结构交叉连接，所述导电结构能够通过这些导电结构上的电极层传送部分电流。在这种显示装置中，由不影响电极层厚度的外部度量来减小电极层的电阻。由此，可合理地将电极层的厚度保持为薄，而不会导致电极层电阻的无法接受的增大。
在本发明的实施例中，显示像素由形成所述导电结构的阻挡结构分隔，并且所述电极层与用于分路所述电极层的所述阻挡结构相接触。由于阻挡结构本身通常已经存在于显示像素之间，所以使用这些用于分路的阻挡结构避免了额外的制造步骤，并且这种导电结构没有减小显示像素的孔径。阻挡结构形成充满发光聚合物的“小杯子”，其对应于像素。与有机阻挡结构相对比，金属阻挡结构形成用于从一个像素向另一个像素进行水扩散的阻挡层。
在本发明的实施例中，相邻显示像素的阻挡结构是电接触的。虽然不是必需的，但由于电极层本身已经连接了阻挡结构，因此阻挡结构之间的电接触还可减小电路径的电阻，得到改进的分路性能。
在本发明的实施例中，绝缘层将光发射层与所述阻挡结构分隔。由于光发射层是导电的，所以该绝缘层避免了经由阻挡结构在光发射层下面的电极和电极层之间的漏电流的流动。此外，诸如PEDOT电洞(hole)注入层等特殊物质的化学活性可以腐蚀或氧化阻挡结构，导致在该区域与电极层的不良电接触。阻挡结构最好包括由作为绝缘隔离层的诸如光致抗蚀剂层或非晶硅层等疏水绝缘层覆盖的侧壁。备选地，阻挡结构可包括相对于所述基板具有基本倾斜方向的侧壁，所述侧壁由阳极化的绝缘隔离层覆盖。
在本发明的实施例中，显示面板还包括局部分隔所述电极层的结构。这种结构可以是内置荫罩，其可用于以通常用在无源矩阵显示面板中的多个条带分隔电极层。这些条带还由特定条带的显示像素的阻挡结构进行分路。
在本发明的实施例中，在显示面板的至少一个边缘处或附近可得到阻挡结构，例如以与外部电路接触。
在本发明的实施例中，阻挡结构至少部分由至少一个吸光导电层覆盖。这种吸光层有利于顶部发射显示面板减少金属阻挡结构的光散射，以提高例如日光对比度。吸光层最好包括氧化物材料或金属氧化物材料组合。这种层可固有地是吸光料，或者可与显示面板的其它层反应，诸如随后要沉积的电极层，以在沉积后变为或保持吸光料。
在本发明的实施例中，阻挡结构是全反射的，或由反射层覆盖，并且显示面板还包括阻光层，例如圆偏振器。任何进入的光都完全由阻挡结构反射，并且随后被全部阻断，以便减少或消除光散射。
应当理解，上述显示面板可构成电子装置的部分，或同样的电子装置。这种电子装置例如可涉及诸如移动电话、个人数字助理(PDA)或便携式计算机等手持式装置，以及诸如个人计算机的监视器、电视机或例如车载仪表板上的显示器等装置。
本发明还涉及用于在基板上制造显示面板的方法，该方法包括以下步骤：
-通过在所述基板之上或上面沉积导电阻挡结构来限定多个显示像素区域；
-用至少一种形成光发射层的物质填充由所述阻挡结构所界定的所述分隔的显示像素区域；
-在所述光发射层之上或上面沉积电极层，并与所述阻挡结构相接触。
该方法产生一种显示面板，其中电极层的厚度可以合理地保持为薄，而不会导致电极层电阻的无法接受的增大。由于阻挡结构本身已经存在于显示像素之间，所以使用这些用于分路的阻挡结构避免了额外的制造步骤，并且附加的导电结构没有减小显示像素的孔径。
在本发明的实施例中，该方法还包括在所述聚合物物质和所述阻挡结构之间形成绝缘隔离层的步骤。这种绝缘层可以减少或消除漏电流，并避免阻挡结构的化学降解。
在本发明的优选实施例中，该方法还包括以下步骤：
-在所述阻挡结构之上或上面提供掩膜层；
-底蚀(underetching)所述掩膜层，以形成所述阻挡结构的基本倾斜的侧壁；
-在阳极化槽(bath)中，通过利用反电极并将所述导电阻挡结构连接为第二电极而执行阳极化处理，来沉积氧化物绝缘隔离层。
发现这些步骤是有利的，因为导电阻挡结构可用于外部连接，以使在阳极化槽中阻挡结构可构成电极。意外的是，发现水作为理想液体来将TiW和Al的堆叠用于阻挡结构且Al用作第一电极而执行阳极化处理。
本发明还将参考附图进行说明，附图示出了根据本发明的优选实施例。要理解到，本发明不以任何方式限制于这些具体和优选实施例。
在附图中：
图1示出根据本发明实施例具有显示面板的电子装置示意图；
图2示出根据本发明第一实施例的部分显示面板；
图3示出沿图2的I-I的剖面图；
图4示出根据本发明第二实施例的部分显示面板的剖面图；
图5示出根据本发明第三实施例的部分显示面板的剖面图；
图6示出在制造图5显示面板的过程中部分显示面板的剖面图；
图7示意性说明对图6所示显示面板所执行的阳极化处理；
图8示出根据本发明第四实施例的部分显示面板的剖面图；以及
图9示出根据本发明第五实施例的部分显示面板的剖面图。
图1示意性地示出电子装置2的显示面板1，该显示面板1具有多个以行和列矩阵排列的显示像素3。显示面板2可以是包括聚合物发光二极管(PLED)或小分子发光二极管(SMOLED)的有源矩阵显示面板或无源矩阵显示面板1。
图2示意性地说明根据本发明第一实施例具有三个显示像素3的部分显示面板1。图3示出沿图2所示的部分显示面板1的线I-I的剖面图。
例如通过真空蒸发或喷涂，将通常称为阳极的第一电极层4沉积在基板5之上或上面。随后可用光刻法对阳极4进行图案化，如图2中由虚线界定的区域所示。根据显示面板1所需的发射类型，阳极4可以是透明的、吸收的或反射的。对于显示面板1的底部发射类型，阳极4通常是透明的，其中光通过基板5发射，或对于半透明显示面板1，其中显示面板1是全透明的。例如，可以使用诸如氧化铟锡(ITO)等透明电洞注入电极材料。对于显示面板1的顶部发射类型，阳极4通常是反射的，其中光从显示面板1远离基板5发射。在这种情况下，阳极4可以是金属，或覆盖有ITO的金属。
在阳极4图案化之后，沉积例如二氧化硅的绝缘层6以及例如铝和钼层的一个或多个导电层。随后对导电层进行图案化，以定义导电结构7。在该实施例中，导电结构7用作限定或分隔相邻显示像素3的阻挡结构7。如有需要，还定义SiO2层6，以在部分显示像素区域A处露出阳极4，并可为交叉电连接定义电洞。
阻挡结构7形成“小杯子”，其对应于像素，在稍后阶段充满发光聚合物。与有机阻挡结构相对比，金属阻挡结构7形成用于从一个像素向另一个像素进行水扩散的阻挡层。该水例如可存在于沉积在由阻挡结构7形成的杯子中的导电聚合物中。阻挡结构7最好是电接触的，如图2所示。阻挡结构的厚度或高度通常在0.1-5μm范围内变化，更为适宜的是在0.5-3μm范围内，诸如1.5μm。阻挡结构7的极小宽度可在1-10μm范围内，例如5μm。接近显示面板1的边缘，阻挡结构7的宽度可以更大，例如几厘米。
对于无源矩阵显示面板1，以及偶尔也对于有源矩阵显示面板1，可以采用另外的结构8。
随后，例如通过喷墨印刷沉积聚合物9。注意，显示像素3可包括几个导电聚合物层，诸如聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)层和聚苯撑亚乙烯基(PPV)层，后者是发光聚合物(LEP)。对于彩色发光显示，可使用不同的发光材料。金属阻挡结构7通常是疏水的，而SiO2层6是亲水的。因此，发光材料适当遍布在显示像素区域A上。
最后，通常称为阴极的电极层10沉积在显示面板上。为了清晰起见，在图2中未示出这个阴极10。通常对于有源矩阵显示面板1，阴极是非断续板层(slab)，即，对于所有显示像素3使用公共阴极，而对于无源矩阵显示面板1，由另外的结构8为每行或每列分隔阴极。阴极10可以是透明的或反射的。特别对于透明的阴极10，存在高电阻率。通过导电阻挡结构7对阴极10进行分路，以便可相当大地缩减阴极10的厚度。阴极10的厚度最好在10-100nm范围内，并且更好的情况是在10-80nm范围内，诸如30nm。这个大大缩减的厚度极大提高了阴极的透明度。阻挡结构7可以是金属的，或者包括使阴极10能够导电的金属部分。注意，由于阴极10至少与阻挡结构7的顶部表面电接触，所以阻挡结构7的壁可以是陡峭的。但是，阻挡结构7的壁最好相对基板5具有倾斜的方向，例如图5所示，以得到允许由阴极层10以良好步骤进行覆盖的浅阻挡结构。
在无源矩阵显示面板1的情况下，由另外的结构8沿线构造阴极10，而对于每条特定线，都存在由阻挡结构7进行分路。
在显示像素区域A中聚合物物质的沉积常常导致PEDOT和金属阻挡结构7之间的接触。由于PEDOT是导电的，因此漏电流可能通过导电结构7在阳极4和阴极10之间流动。此外，由于PEDOT溶液是酸性的，所以可能对阻挡结构7的铝造成不利影响，导致局部腐蚀。这最终可导致阻挡结构7和阴极10之间接触不良。
图4和5所示的实施例通过提供将聚合物9与阻挡结构7分隔开的绝缘层11而将这些影响考虑进去了。
在图4中，阻挡结构7包括由作为绝缘隔离层11的诸如非晶硅或光致抗蚀剂等疏水绝缘层覆盖的侧壁。在聚合物加工之前，隔离层11最好是疏水的，或制成疏水的，以使隔离层11不会被聚合物9弄湿。
在该实施例中，光致抗蚀剂例如通过旋涂沉积在显示面板上。在应当采用另外结构8的情况下，最好在定义这些另外结构8之前进行该步骤。光致抗蚀剂层沉积厚度最好不比阻挡结构7的高度大得太多，以避免显示面板1上光致抗蚀剂的平面化。在沉积抗蚀剂之后，用O2等离子体执行各向异性RIE蚀刻，以便在阻挡结构7的侧壁上形成绝缘隔离层11。隔离层11是光滑的，以使阴极10(图4中未示出)可以不间断地沉积在结构上。隔离层11保护金属阻挡结构7不碰到聚合物9，尤其是PEDOT，以使上述不利影响不会发生或可能很少发生。
在图5中，阻挡结构7包括相对于基板5具有基本倾斜方向的侧壁12。侧壁12由阳极化的绝缘隔离层11覆盖。绝缘隔离层11又保护金属阻挡结构7不受PEDOT材料的不利影响。
图6和图7示意性地示出图5所示实施例的优选制造工艺。在限定金属阻挡结构7之后，通过底蚀光致抗蚀掩膜13形成倾斜的侧壁12，光致抗蚀掩膜13用于通过湿蚀刻或等离子蚀刻来限定阻挡结构7。保留光致抗蚀掩膜13，以用在将绝缘隔离层11涂到倾斜侧壁12上的后续阳极化处理中。在显示面板1上，金属阻挡结构7可用于与接触元件14电连接。如果阻挡结构包括TiW和Al，则观察到水15可用作氧化剂，以将绝缘隔离层11涂到倾斜侧壁12上。发现电压源16在接触元件14和Al反电极17之间施加30V的电压，产生AlO隔离层11。在阳极化处理之后，去除光致抗蚀掩膜13。如果需要，随后可在显示面板1上定义另外的结构8。由于接触元件14造成各个阻挡结构7之间的短路，因此可以从显示面板1去除接触元件14。然而，对于具有公共阴极10的有源矩阵显示面板1，可保留元件14以与阴极10接触。
注意，所描述的实施例可全都包括另外的层或结构，并且通常由盖保护。
总之，本发明通过阴极10的电分路，最好通过使用显示像素3之间的阻挡结构7，允许阴极10将适当的透明度和合理的低电阻率相结合。阻挡结构7实现了通过形成液体发光聚合物的屏障来限定像素和分路阴极10的双重功能。
图8示意性示出顶部发射显示面板1的本发明实施例，其中阻挡结构7由至少一个吸光导电层18覆盖，下文也称为黑层18。在构建导电层之前，可将黑层18沉积在导电层顶部，以得到阻挡结构7。黑层18可包括具有一定电导的氧化材料，诸如RuO2、IrO2、Pb2Ru2O7、Bi2Ru2O7或Pb3Rh7O15。这种层18不与阴极10的材料发生反应，并固有地具有吸收性和传导性。另一类材料可以是将与阴极10发生反应，但具有一定电阻，以进一步处理这种发光聚合物的印刷、阴极10的沉积以及密封。在与阴极10反应之后，这些材料应当变成能吸收的，或保持吸收性和传导性。材料可包括SiO与Al、SiO与Ag或其它金属氧化物组合的混合物。黑层18最好具有有限的厚度，诸如在20-500nm的范围内，比如100nm。
图9示意性地示出本发明的实施例，其中阻挡结构7是全反射的，或由反射层19覆盖，并且显示面板1还包括对比度增强层20，例如圆偏振器。可添加反射层19以增加反射率。反射层19最好是薄的，诸如在20-100nm的范围内，以获得高反射层。在显示面板1的顶部上提供对比度增强层20，该层位于保护结构21的上面。任何进入的光全部由阻挡结构7或反射层19反射，并且随后完全由阻光层20阻断，以便减少或消除来自入射日光的光散射。
Claims (15)
1.显示面板(1)，其形成在基板(5)上，并包括具有至少一个光发射层(9)和沉积在所述光发射层(9)之上或上面的至少一个电极层(10)的多个显示像素(3)，其中所述显示面板(1)还包括分路所述电极层(10)的导电结构(7)。
2.如权利要求1所述的显示面板(1)，其中所述显示像素(3)由形成所述导电结构(7)的阻挡结构分隔，并且所述电极层(10)与用于分路所述电极层(10)的所述阻挡结构接触。
3.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中相邻显示像素(3)的所述阻挡结构(7)电接触。
4.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中至少一个绝缘层(11)将所述光发射层(9)与所述阻挡结构(7)分隔。
5.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中所述阻挡结构(7)包括由作为绝缘隔离层(11)的诸如非晶硅层或光致抗蚀剂层的疏水绝缘层(11)覆盖的所述壁。
6.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中所述阻挡结构(7)包括相对于所述基板(5)具有基本倾斜方向的侧壁(12)，所述侧壁(12)由阳极化的绝缘隔离层(11)覆盖。
7.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中所述显示面板(1)还包括局部分隔所述电极层(10)的结构(8)。
8.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中所述阻挡结构(7)在所述显示面板(1)的至少一个边缘处或附近可得到。
9.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中所述阻挡结构(7)至少部分由至少一个吸光导电层(18)覆盖。
10.如权利要求9所述的显示面板(1)，其中所述吸光导电层(18)包括氧化物材料或金属氧化物材料组合。
11.如权利要求2所述的显示面板(1)，其中所述阻挡结构(7)是全反射的，或者由反射层(19)覆盖，并且所述显示面板(1)还包括偏振层(20)。
12.在基板(5)上制造显示面板(1)的方法，包括如下步骤：
-通过在所述基板(5)之上或上面沉积导电阻挡结构(7)来限定多个显示像素区域(A)；
-用至少一种形成光发射层(9)的物质填充由所述阻挡结构(7)界定的所述分隔的显示像素区域(A)；
-在所述光发射层(9)之上或上面沉积电极层(10)，并与所述阻挡结构(7)相接触。
13.如权利要求12所述的制造显示面板(1)的方法，还包括在所述聚合物物质(9)和所述阻挡结构(7)之间形成绝缘隔离层(11)的步骤。
14.如权利要求12所述的制造显示面板(1)的方法，还包括如下步骤：
-在所述阻挡结构(7)之上或上面提供掩膜层(13)；
-底蚀所述掩膜层(13)，以形成所述阻挡结构(7)的基本倾斜的侧壁(12)；
-在阳极化槽中，通过利用反电极(17)并将所述导电阻挡结构(7)连接为第二电极而执行阳极化处理，来沉积氧化物绝缘隔离层(11)。
15.如权利要求14所述的制造显示面板(1)的方法，其中所述阳极化槽含有用于氧化所述侧壁(12)的水(15)。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP03104322.7 | 2003-11-21 | ||
| EP03104322 | 2003-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1883234A true CN1883234A (zh) | 2006-12-20 |
Family
ID=34610122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2004800337838A Pending CN1883234A (zh) | 2003-11-21 | 2004-11-16 | 显示面板 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7573195B2 (zh) |
| EP (1) | EP1688020B1 (zh) |
| JP (1) | JP4897491B2 (zh) |
| KR (1) | KR101163087B1 (zh) |
| CN (1) | CN1883234A (zh) |
| TW (1) | TW200523594A (zh) |
| WO (1) | WO2005051049A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109983148A (zh) * | 2016-11-25 | 2019-07-05 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置和有机el显示装置的制造方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7999458B2 (en) * | 2004-08-26 | 2011-08-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof |
| WO2006064443A2 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display panel and method for manufacturing the same |
| KR100745332B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2007-08-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| DE102006026981A1 (de) * | 2006-06-10 | 2007-12-13 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht auf einem Trägersubstrat |
| JP5212032B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-06-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| WO2009133680A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | パナソニック株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| JP5199773B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP5199772B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP5185007B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-04-17 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2394313B1 (en) | 2009-02-05 | 2018-09-26 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Electroluminescent device |
| JP5361466B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2013-12-04 | 富士フイルム株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
| JP5113865B2 (ja) | 2010-03-11 | 2013-01-09 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| JP2010182700A (ja) * | 2010-05-26 | 2010-08-19 | Casio Computer Co Ltd | 成膜方法及びディスプレイパネル |
| JP5421218B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2014-02-19 | 出光興産株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| KR101810048B1 (ko) | 2011-09-22 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2015128003A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| US9359686B1 (en) | 2015-01-09 | 2016-06-07 | Apple Inc. | Processes to reduce interfacial enrichment of alloying elements under anodic oxide films and improve anodized appearance of heat treatable alloys |
| US9970080B2 (en) | 2015-09-24 | 2018-05-15 | Apple Inc. | Micro-alloying to mitigate the slight discoloration resulting from entrained metal in anodized aluminum surface finishes |
| US10174436B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-01-08 | Apple Inc. | Process for enhanced corrosion protection of anodized aluminum |
| US11352708B2 (en) | 2016-08-10 | 2022-06-07 | Apple Inc. | Colored multilayer oxide coatings |
| US11242614B2 (en) | 2017-02-17 | 2022-02-08 | Apple Inc. | Oxide coatings for providing corrosion resistance on parts with edges and convex features |
| CN108630728B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
| CN110767677A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
| US11549191B2 (en) | 2018-09-10 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Corrosion resistance for anodized parts having convex surface features |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2177540B (en) * | 1985-07-03 | 1989-01-25 | Cherry Corp | Phosphorescent material for electroluminescent display |
| JP3551475B2 (ja) * | 1994-06-25 | 2004-08-04 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜型ｅｌ素子 |
| US6843937B1 (en) * | 1997-07-16 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element |
| GB9803764D0 (en) * | 1998-02-23 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| US6226171B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-05-01 | Fujitsu Limited | Power conducting substrates with high-yield integrated substrate capacitor |
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| KR100378994B1 (ko) * | 2000-11-07 | 2003-04-07 | 테스텍 주식회사 | 패턴화된 플로팅 전극이 구비된 지문인식소자 및 그제조방법 |
| DE10132699A1 (de) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Philips Corp Intellectual Pty | Organische elektrolumineszente Anzeigevorrichtung mit optischem Filter |
| JP2003186420A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| WO2003079441A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices, and their manufacture |
| AU2003209595A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture |
| AU2003212558A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture |
| AU2003260959A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
| US7217396B2 (en) * | 2003-05-05 | 2007-05-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microfabricated micro fluid channels |
-
2004
- 2004-11-16 WO PCT/IB2004/052449 patent/WO2005051049A1/en not_active Application Discontinuation
- 2004-11-16 EP EP04799167A patent/EP1688020B1/en active Active
- 2004-11-16 CN CNA2004800337838A patent/CN1883234A/zh active Pending
- 2004-11-16 KR KR1020067009571A patent/KR101163087B1/ko active IP Right Grant
- 2004-11-16 US US10/579,312 patent/US7573195B2/en active Active
- 2004-11-16 JP JP2006540725A patent/JP4897491B2/ja active Active
- 2004-11-17 TW TW093135251A patent/TW200523594A/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109983148A (zh) * | 2016-11-25 | 2019-07-05 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置和有机el显示装置的制造方法 |
| CN109983148B (zh) * | 2016-11-25 | 2021-01-15 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置和有机el显示装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005051049A1 (en) | 2005-06-02 |
| JP4897491B2 (ja) | 2012-03-14 |
| EP1688020B1 (en) | 2013-04-03 |
| EP1688020A1 (en) | 2006-08-09 |
| KR20060115877A (ko) | 2006-11-10 |
| US7573195B2 (en) | 2009-08-11 |
| US20070069619A1 (en) | 2007-03-29 |
| JP2007512666A (ja) | 2007-05-17 |
| TW200523594A (en) | 2005-07-16 |
| KR101163087B1 (ko) | 2012-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20061220 |