JP2003051727A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
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- JP2003051727A JP2003051727A JP2001238071A JP2001238071A JP2003051727A JP 2003051727 A JP2003051727 A JP 2003051727A JP 2001238071 A JP2001238071 A JP 2001238071A JP 2001238071 A JP2001238071 A JP 2001238071A JP 2003051727 A JP2003051727 A JP 2003051727A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受信電界強度が弱電界となると、高周波増幅
回路内部の雑音指数が劣化し、その結果、受信感度不足
が生じる。 【解決手段】 到来する高周波信号を受信する受信アン
テナ１０１の後段に配置し、受信した高周波信号を、直
流バイアス量に基づいて増幅するＬＮＡ部１１と、ＬＮ
Ａ部の後段に配置し、ＬＮＡ部で増幅した高周波信号
を、所定減衰量で減衰するアッテネータ回路１２と、減
衰出力した高周波信号に基づくＡＧＣ電圧を生成すると
共に、ＡＧＣ電圧に基づいてアッテネータ回路のＯＮ／
ＯＦＦ動作を設定するＡＧＣ回路１３と、ＡＧＣ電圧に
基づいて、ＬＮＡ部の直流バイアス量を設定する直流バ
イアス量制御回路１４とを有している。
回路内部の雑音指数が劣化し、その結果、受信感度不足
が生じる。 【解決手段】 到来する高周波信号を受信する受信アン
テナ１０１の後段に配置し、受信した高周波信号を、直
流バイアス量に基づいて増幅するＬＮＡ部１１と、ＬＮ
Ａ部の後段に配置し、ＬＮＡ部で増幅した高周波信号
を、所定減衰量で減衰するアッテネータ回路１２と、減
衰出力した高周波信号に基づくＡＧＣ電圧を生成すると
共に、ＡＧＣ電圧に基づいてアッテネータ回路のＯＮ／
ＯＦＦ動作を設定するＡＧＣ回路１３と、ＡＧＣ電圧に
基づいて、ＬＮＡ部の直流バイアス量を設定する直流バ
イアス量制御回路１４とを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば放送受信装
置等の高周波増幅回路に関する。
置等の高周波増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような放送受信装置の高周波
増幅回路としては図７に示すものがあげられる。図７は
従来技術の高周波増幅回路を備えた放送受信装置内部の
概略構成を示すブロック図である。
増幅回路としては図７に示すものがあげられる。図７は
従来技術の高周波増幅回路を備えた放送受信装置内部の
概略構成を示すブロック図である。
【０００３】図７に示す放送受信装置１００は、放送電
波等の高周波信号を受信する受信アンテナ１０１と、こ
の受信した高周波信号を増幅する高周波増幅回路１１０
と、この増幅した高周波信号にフィルタ処理を施すフィ
ルタ部１０２と、図示せぬＰＬＬ回路からのチューニン
グ電圧に基づいて発振周波数を発振する発振回路（以
下、単にＶＣＯと称する）１０３と、フィルタ処理を施
した高周波信号に発振周波数を混合することで中間周波
数信号を生成するミキサ部１０４と、この中間周波数信
号を出力信号として後段部位にバッファ出力するバッフ
ァ回路１０５とを有している。
波等の高周波信号を受信する受信アンテナ１０１と、こ
の受信した高周波信号を増幅する高周波増幅回路１１０
と、この増幅した高周波信号にフィルタ処理を施すフィ
ルタ部１０２と、図示せぬＰＬＬ回路からのチューニン
グ電圧に基づいて発振周波数を発振する発振回路（以
下、単にＶＣＯと称する）１０３と、フィルタ処理を施
した高周波信号に発振周波数を混合することで中間周波
数信号を生成するミキサ部１０４と、この中間周波数信
号を出力信号として後段部位にバッファ出力するバッフ
ァ回路１０５とを有している。
【０００４】高周波増幅回路１１０は、バッファ回路１
０５から中間周波数信号をレベル検波することで自動利
得制御電圧（以下、単にＡＧＣ電圧と称する）を生成す
るＡＧＣ回路１１１と、このＡＧＣ電圧に基づいて、受
信アンテナ１０１で受信した高周波信号を減衰するアッ
テネータ回路１１２と、この減衰した高周波信号を増幅
するローノイズアンプ（以下、単にＬＮＡと称する）部
１１３とを有している。
０５から中間周波数信号をレベル検波することで自動利
得制御電圧（以下、単にＡＧＣ電圧と称する）を生成す
るＡＧＣ回路１１１と、このＡＧＣ電圧に基づいて、受
信アンテナ１０１で受信した高周波信号を減衰するアッ
テネータ回路１１２と、この減衰した高周波信号を増幅
するローノイズアンプ（以下、単にＬＮＡと称する）部
１１３とを有している。
【０００５】このように従来の高周波増幅回路１１０に
よれば、ＡＧＣ回路１１１からのＡＧＣ電圧に基づいて
アッテネータ回路１１２の減衰量を制御する、例えば受
信電界強度が弱電界の場合、つまり受信アンテナ１０１
で受信する高周波信号の信号レベルが弱い場合には、そ
のアッテネータ回路１１２をＯＦＦ動作することで、高
周波信号を減衰することなく、そのままＬＮＡ部１１３
に伝送し、受信電界強度が強電界の場合、つまり受信し
た高周波信号の信号レベルが強い場合には、そのアッテ
ネータ回路１１２をＯＮ動作することで高周波信号を減
衰し、この減衰した高周波信号をＬＮＡ部１１３に伝送
するようにしたので、ＬＮＡ部１１３での歪を抑えるこ
とで、その高周波信号の受信ダイナミックレンジを広範
囲にとることができる。
よれば、ＡＧＣ回路１１１からのＡＧＣ電圧に基づいて
アッテネータ回路１１２の減衰量を制御する、例えば受
信電界強度が弱電界の場合、つまり受信アンテナ１０１
で受信する高周波信号の信号レベルが弱い場合には、そ
のアッテネータ回路１１２をＯＦＦ動作することで、高
周波信号を減衰することなく、そのままＬＮＡ部１１３
に伝送し、受信電界強度が強電界の場合、つまり受信し
た高周波信号の信号レベルが強い場合には、そのアッテ
ネータ回路１１２をＯＮ動作することで高周波信号を減
衰し、この減衰した高周波信号をＬＮＡ部１１３に伝送
するようにしたので、ＬＮＡ部１１３での歪を抑えるこ
とで、その高周波信号の受信ダイナミックレンジを広範
囲にとることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高周波増幅回路１１０によれば、受信アンテナ１０
１の後段に、挿入損失を伴うアッテネータ回路１１２が
配置されていることから、受信電界強度が弱くなると、
高周波増幅回路１１０内部の雑音指数（ＮＦ：Ｎｏｉｓ
ｅ Ｆｉｇｕｒｅ）が悪化するため、その受信感度が上
がらなくなる。
来の高周波増幅回路１１０によれば、受信アンテナ１０
１の後段に、挿入損失を伴うアッテネータ回路１１２が
配置されていることから、受信電界強度が弱くなると、
高周波増幅回路１１０内部の雑音指数（ＮＦ：Ｎｏｉｓ
ｅ Ｆｉｇｕｒｅ）が悪化するため、その受信感度が上
がらなくなる。
【０００７】また、上記従来の高周波増幅回路１１０に
よれば、受信アンテナ１０１の後段にアッテネータ回路
１１２が配置されていることから、そのアッテネータ回
路１１２の後段に、いくら雑音指数特性が良好なＬＮＡ
部１１３を配置したとしても、同様に、受信電界強度が
弱くなると、高周波増幅回路１１０内部の雑音指数が悪
化するため、その受信感度が上がらなくなる。
よれば、受信アンテナ１０１の後段にアッテネータ回路
１１２が配置されていることから、そのアッテネータ回
路１１２の後段に、いくら雑音指数特性が良好なＬＮＡ
部１１３を配置したとしても、同様に、受信電界強度が
弱くなると、高周波増幅回路１１０内部の雑音指数が悪
化するため、その受信感度が上がらなくなる。
【０００８】本発明は上記点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、高周波信号の受信ダイナ
ミックレンジを広範囲にとることができるようにしなが
ら、受信電界強度が弱電界となったとしても、高周波増
幅回路内部の雑音指数を良好にし、ひいては、その受信
感度の向上を図ることができる高周波増幅回路を提供す
ることにある。
り、その目的とするところは、高周波信号の受信ダイナ
ミックレンジを広範囲にとることができるようにしなが
ら、受信電界強度が弱電界となったとしても、高周波増
幅回路内部の雑音指数を良好にし、ひいては、その受信
感度の向上を図ることができる高周波増幅回路を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の高周波増幅回路は、到来する高周波信号を受
信する受信アンテナの後段に配置し、この受信アンテナ
で受信した高周波信号を、直流バイアス量に基づいて増
幅する増幅手段と、この増幅手段の後段に配置し、前記
増幅手段で増幅した高周波信号を、所定減衰量で減衰す
る減衰手段と、この減衰手段にて減衰出力した高周波信
号に基づく自動利得制御電圧を生成する自動利得制御電
圧生成手段と、この自動利得制御電圧に基づいて、前記
増幅手段の直流バイアス量を設定する直流バイアス量設
定制御手段と、前記自動利得制御電圧に基づいて、前記
減衰手段の動作を設定する減衰設定制御手段とを有する
ようにした。
に本発明の高周波増幅回路は、到来する高周波信号を受
信する受信アンテナの後段に配置し、この受信アンテナ
で受信した高周波信号を、直流バイアス量に基づいて増
幅する増幅手段と、この増幅手段の後段に配置し、前記
増幅手段で増幅した高周波信号を、所定減衰量で減衰す
る減衰手段と、この減衰手段にて減衰出力した高周波信
号に基づく自動利得制御電圧を生成する自動利得制御電
圧生成手段と、この自動利得制御電圧に基づいて、前記
増幅手段の直流バイアス量を設定する直流バイアス量設
定制御手段と、前記自動利得制御電圧に基づいて、前記
減衰手段の動作を設定する減衰設定制御手段とを有する
ようにした。
【００１０】従って、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、受信アンテナの後段にＬＮＡ等の増幅手段を配置
し、さらに、この増幅手段の後段に、挿入損失を伴うア
ッテネータ回路等の減衰手段を配置するようにしたの
で、減衰手段の挿入損失等による雑音指数が無視できる
程度に小さくなることで、その受信感度を上げることで
きる。
ば、受信アンテナの後段にＬＮＡ等の増幅手段を配置
し、さらに、この増幅手段の後段に、挿入損失を伴うア
ッテネータ回路等の減衰手段を配置するようにしたの
で、減衰手段の挿入損失等による雑音指数が無視できる
程度に小さくなることで、その受信感度を上げることで
きる。
【００１１】さらに、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、自動利得制御電圧に基づいて、増幅手段の直流バイ
アス量及び、減衰手段の動作を設定するようにしたの
で、受信ダイナミックレンジを広げることができる。
ば、自動利得制御電圧に基づいて、増幅手段の直流バイ
アス量及び、減衰手段の動作を設定するようにしたの
で、受信ダイナミックレンジを広げることができる。
【００１２】本発明の高周波増幅回路は、前記直流バイ
アス量設定制御手段が、前記自動利得制御電圧が所定電
圧以上となると、前記増幅手段内の歪特性が最小となる
ような直流バイアス量を設定し、前記自動利得制御電圧
が所定電圧未満となると、前記増幅手段内の雑音指数が
最小となるような直流バイアス量を設定すると共に、前
記減衰設定制御手段は、前記自動利得制御電圧が所定電
圧以上となると、前記減衰手段をＯＮ動作し、前記自動
利得制御電圧が所定電圧未満となると、前記減衰手段を
ＯＦＦ動作するようにした。
アス量設定制御手段が、前記自動利得制御電圧が所定電
圧以上となると、前記増幅手段内の歪特性が最小となる
ような直流バイアス量を設定し、前記自動利得制御電圧
が所定電圧未満となると、前記増幅手段内の雑音指数が
最小となるような直流バイアス量を設定すると共に、前
記減衰設定制御手段は、前記自動利得制御電圧が所定電
圧以上となると、前記減衰手段をＯＮ動作し、前記自動
利得制御電圧が所定電圧未満となると、前記減衰手段を
ＯＦＦ動作するようにした。
【００１３】従って、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、自動利得制御電圧が所定電圧以上となると、受信電
界強度が強電界と判断し、前記増幅手段内の歪特性が最
小となるような直流バイアス量を設定し、さらに前記減
衰手段をＯＮ動作すると共に、自動利得制御電圧が所定
電圧未満となると、受信電界強度が弱電界と判断し、前
記増幅手段内の雑音指数が最小となるような直流バイア
ス量を設定し、さらに前記減衰手段をＯＦＦ動作するよ
うにしたので、受信ダイナミックレンジを広範囲にする
ことができる。
ば、自動利得制御電圧が所定電圧以上となると、受信電
界強度が強電界と判断し、前記増幅手段内の歪特性が最
小となるような直流バイアス量を設定し、さらに前記減
衰手段をＯＮ動作すると共に、自動利得制御電圧が所定
電圧未満となると、受信電界強度が弱電界と判断し、前
記増幅手段内の雑音指数が最小となるような直流バイア
ス量を設定し、さらに前記減衰手段をＯＦＦ動作するよ
うにしたので、受信ダイナミックレンジを広範囲にする
ことができる。
【００１４】また、本発明の高周波増幅回路は、到来す
る高周波信号を受信する受信アンテナの後段に配置し、
この受信アンテナで受信した高周波信号を、直流バイア
ス量に基づいて増幅する増幅手段と、この増幅手段の後
段に配置し、前記増幅手段で増幅した高周波信号を、減
衰量に基づいて減衰する減衰手段と、この減衰手段にて
減衰出力した高周波信号に基づく電界レベル信号を生成
する電界レベル生成手段と、この電界レベル信号に基づ
いて、前記増幅手段の直流バイアス量を設定する直流バ
イアス量設定制御手段と、前記電界レベル信号に基づい
て、前記減衰手段の動作を設定する減衰設定制御手段と
を有するようにした。
る高周波信号を受信する受信アンテナの後段に配置し、
この受信アンテナで受信した高周波信号を、直流バイア
ス量に基づいて増幅する増幅手段と、この増幅手段の後
段に配置し、前記増幅手段で増幅した高周波信号を、減
衰量に基づいて減衰する減衰手段と、この減衰手段にて
減衰出力した高周波信号に基づく電界レベル信号を生成
する電界レベル生成手段と、この電界レベル信号に基づ
いて、前記増幅手段の直流バイアス量を設定する直流バ
イアス量設定制御手段と、前記電界レベル信号に基づい
て、前記減衰手段の動作を設定する減衰設定制御手段と
を有するようにした。
【００１５】従って、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、受信アンテナの後段にＬＮＡ等の増幅手段を配置
し、さらに、この増幅手段の後段に、挿入損失を伴うア
ッテネータ回路等の減衰手段を配置するようにしたの
で、減衰手段の挿入損失等による雑音指数が無視できる
程度に小さくなることで、その受信感度を上げることで
きる。
ば、受信アンテナの後段にＬＮＡ等の増幅手段を配置
し、さらに、この増幅手段の後段に、挿入損失を伴うア
ッテネータ回路等の減衰手段を配置するようにしたの
で、減衰手段の挿入損失等による雑音指数が無視できる
程度に小さくなることで、その受信感度を上げることで
きる。
【００１６】さらに、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、電界レベル信号に基づいて、増幅手段の直流バイア
ス量及び、減衰手段の動作を設定するようにしたので、
受信ダイナミックレンジを広げることができる。
ば、電界レベル信号に基づいて、増幅手段の直流バイア
ス量及び、減衰手段の動作を設定するようにしたので、
受信ダイナミックレンジを広げることができる。
【００１７】また、本発明の高周波増幅回路は、前記直
流バイアス量設定制御手段が、前記電界レベル信号が所
定値以上となると、前記増幅手段内の歪特性が最小とな
るような直流バイアス量を設定し、前記電界レベル信号
が所定値未満となると、前記増幅手段内の雑音指数が最
小となるような直流バイアス量を設定すると共に、前記
減衰設定制御手段は、前記電界レベル信号が所定値以上
となると、前記減衰手段をＯＮ動作し、前記電界レベル
信号が所定値未満となると、前記減衰手段をＯＦＦ動作
するようにした。
流バイアス量設定制御手段が、前記電界レベル信号が所
定値以上となると、前記増幅手段内の歪特性が最小とな
るような直流バイアス量を設定し、前記電界レベル信号
が所定値未満となると、前記増幅手段内の雑音指数が最
小となるような直流バイアス量を設定すると共に、前記
減衰設定制御手段は、前記電界レベル信号が所定値以上
となると、前記減衰手段をＯＮ動作し、前記電界レベル
信号が所定値未満となると、前記減衰手段をＯＦＦ動作
するようにした。
【００１８】従って、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、電界レベル信号が所定電圧以上となると、受信電界
強度が強電界と判断し、前記増幅手段内の歪特性が最小
となるような直流バイアス量を設定し、さらに前記減衰
手段をＯＮ動作すると共に、電界レベル信号が所定電圧
未満となると、受信電界強度が弱電界と判断し、前記増
幅手段内の雑音指数が最小となるような直流バイアス量
を設定し、さらに前記減衰手段をＯＦＦ動作するように
したので、受信ダイナミックレンジを広範囲にすること
ができる。
ば、電界レベル信号が所定電圧以上となると、受信電界
強度が強電界と判断し、前記増幅手段内の歪特性が最小
となるような直流バイアス量を設定し、さらに前記減衰
手段をＯＮ動作すると共に、電界レベル信号が所定電圧
未満となると、受信電界強度が弱電界と判断し、前記増
幅手段内の雑音指数が最小となるような直流バイアス量
を設定し、さらに前記減衰手段をＯＦＦ動作するように
したので、受信ダイナミックレンジを広範囲にすること
ができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の高
周波増幅回路における実施の形態を示す放送受信装置に
ついて説明する。図１は本実施の形態を示す放送受信装
置内部の概略構成を示すブロック図である。尚、図７に
示す放送受信装置１００と同一の構成については同一符
号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明につ
いては省略する。
周波増幅回路における実施の形態を示す放送受信装置に
ついて説明する。図１は本実施の形態を示す放送受信装
置内部の概略構成を示すブロック図である。尚、図７に
示す放送受信装置１００と同一の構成については同一符
号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明につ
いては省略する。
【００２０】図１に示す放送受信装置１が図７に示す放
送受信装置１００と異なるところは、高周波増幅回路１
０の内部構成にあり、到来する高周波信号を受信する受
信アンテナ１０１の後段に配置され、この受信アンテナ
１０１で受信した高周波信号を、直流バイアス量に基づ
いて増幅するＬＮＡ部１１と、このＬＮＡ部１１の後段
に配置され、ＬＮＡ部１１で増幅した高周波信号を所定
減衰量で減衰するアッテネータ回路１２と、バッファ回
路１０５からの中間周波数信号をレベル検波することで
ＡＧＣ電圧を生成すると共に、このＡＧＣ電圧に基づい
て、アッテネータ回路１２のＯＮ／ＯＦＦ動作を設定す
るＡＧＣ回路１３と、ＡＧＣ電圧に基づいて、ＬＮＡ部
１１の直流バイアス量を設定する直流バイアス量制御回
路１４とを有している。
送受信装置１００と異なるところは、高周波増幅回路１
０の内部構成にあり、到来する高周波信号を受信する受
信アンテナ１０１の後段に配置され、この受信アンテナ
１０１で受信した高周波信号を、直流バイアス量に基づ
いて増幅するＬＮＡ部１１と、このＬＮＡ部１１の後段
に配置され、ＬＮＡ部１１で増幅した高周波信号を所定
減衰量で減衰するアッテネータ回路１２と、バッファ回
路１０５からの中間周波数信号をレベル検波することで
ＡＧＣ電圧を生成すると共に、このＡＧＣ電圧に基づい
て、アッテネータ回路１２のＯＮ／ＯＦＦ動作を設定す
るＡＧＣ回路１３と、ＡＧＣ電圧に基づいて、ＬＮＡ部
１１の直流バイアス量を設定する直流バイアス量制御回
路１４とを有している。
【００２１】直流バイアス量制御回路１４は、ＡＧＣ電
圧が所定電圧以上となると、受信電界強度が強電界であ
ると判断し、ＬＮＡ部１１内の歪特性が最小となるよう
な直流バイアス量（ベース電流Ｉｂ）を設定するもので
ある。尚、強電界時においては雑音指数の影響を受ける
ことが少ないが、ＬＮＡ部１１内で歪を生じることが多
いことから、歪対策を考慮する必要があるため、歪特性
が最小となるように直流バイアス量を設定した。
圧が所定電圧以上となると、受信電界強度が強電界であ
ると判断し、ＬＮＡ部１１内の歪特性が最小となるよう
な直流バイアス量（ベース電流Ｉｂ）を設定するもので
ある。尚、強電界時においては雑音指数の影響を受ける
ことが少ないが、ＬＮＡ部１１内で歪を生じることが多
いことから、歪対策を考慮する必要があるため、歪特性
が最小となるように直流バイアス量を設定した。
【００２２】また、直流バイアス量制御回路１４は、Ａ
ＧＣ電圧が所定電圧未満となると、受信電界強度が弱電
界と判断し、ＬＮＡ部１１内の雑音指数が最小となるよ
うな直流バイアス量（ベース電流Ｉｂ）を設定するよう
にした。尚、弱電界時においては雑音指数の影響が非常
に大きいことから、雑音指数が最小となるように直流バ
イアス量を設定した。
ＧＣ電圧が所定電圧未満となると、受信電界強度が弱電
界と判断し、ＬＮＡ部１１内の雑音指数が最小となるよ
うな直流バイアス量（ベース電流Ｉｂ）を設定するよう
にした。尚、弱電界時においては雑音指数の影響が非常
に大きいことから、雑音指数が最小となるように直流バ
イアス量を設定した。
【００２３】ＡＧＣ回路１３は、ＡＧＣ電圧が所定電圧
以上となると、受信電界強度が強電界であると判断し、
アッテネータ回路１２をＯＮ動作すると共に、ＡＧＣ電
圧が所定電圧未満となると、受信電界強度が弱電界であ
ると判断し、アッテネータ回路１２をＯＦＦ動作するよ
うにした。
以上となると、受信電界強度が強電界であると判断し、
アッテネータ回路１２をＯＮ動作すると共に、ＡＧＣ電
圧が所定電圧未満となると、受信電界強度が弱電界であ
ると判断し、アッテネータ回路１２をＯＦＦ動作するよ
うにした。
【００２４】図２は本実施の形態の要部である高周波増
幅回路１０内部の回路構成を示す回路構成図である。
幅回路１０内部の回路構成を示す回路構成図である。
【００２５】図２に示すようにＬＮＡ部１１は、バイポ
ーラトランジスタＱ１で構成している。アッテネータ回
路１２は、２つのＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ２と、３つ
の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ１４とで構成し、直流バイアス量
制御回路１４は、抵抗Ｒ１０と、オペアンプＩＣ１とで
構成し、ＡＧＣ回路１３は、図示せぬＡＧＣ電圧生成部
と、３つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２，Ｒ１３と、オペアンプ
ＩＣ２とで構成している。
ーラトランジスタＱ１で構成している。アッテネータ回
路１２は、２つのＰＩＮダイオードＤ１，Ｄ２と、３つ
の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ１４とで構成し、直流バイアス量
制御回路１４は、抵抗Ｒ１０と、オペアンプＩＣ１とで
構成し、ＡＧＣ回路１３は、図示せぬＡＧＣ電圧生成部
と、３つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２，Ｒ１３と、オペアンプ
ＩＣ２とで構成している。
【００２６】ＬＮＡ部１１のバイポーラトランジスタＱ
１は、そのベース側を受信アンテナ１０１で受信した高
周波信号の入力部ＲＦｉｎ及び直流バイアス量制御回路
１４に接続し、そのコレクタ側を電源部Ｖｃｃ及びアッ
テネータ回路１２に接続している。
１は、そのベース側を受信アンテナ１０１で受信した高
周波信号の入力部ＲＦｉｎ及び直流バイアス量制御回路
１４に接続し、そのコレクタ側を電源部Ｖｃｃ及びアッ
テネータ回路１２に接続している。
【００２７】尚、本願請求項記載の増幅手段はＬＮＡ部
１１、減衰手段はアッテネータ回路１２、自動利得制御
電圧生成手段及び減衰設定制御手段はＡＧＣ回路１３、
直流バイアス量設定制御手段は直流バイアス量制御回路
１４に相当するものである。
１１、減衰手段はアッテネータ回路１２、自動利得制御
電圧生成手段及び減衰設定制御手段はＡＧＣ回路１３、
直流バイアス量設定制御手段は直流バイアス量制御回路
１４に相当するものである。
【００２８】次に本実施の形態に関わる高周波増幅回路
１０の動作について説明する。
１０の動作について説明する。
【００２９】図２に示すＬＮＡ部１１のバイポーラトラ
ンジスタＱ１は、受信アンテナ１０１で受信した高周波
信号を高周波信号入力部ＲＦｉｎから入力し、この入力
した高周波信号を、結合コンデンサＣ９を経由してベー
ス側に供給する。
ンジスタＱ１は、受信アンテナ１０１で受信した高周波
信号を高周波信号入力部ＲＦｉｎから入力し、この入力
した高周波信号を、結合コンデンサＣ９を経由してベー
ス側に供給する。
【００３０】さらにバイポーラトランジスタＱ１は、電
源部Ｖｃｃによる所定電流を抵抗Ｒ２、コイルＬ１及び
抵抗Ｒ１を経由してコレクタ電流Ｉｃとし、このコレク
タ電流Ｉｃをコレクタ側に供給する。
源部Ｖｃｃによる所定電流を抵抗Ｒ２、コイルＬ１及び
抵抗Ｒ１を経由してコレクタ電流Ｉｃとし、このコレク
タ電流Ｉｃをコレクタ側に供給する。
【００３１】ＡＧＣ電圧入力部Ｖａｇｃは、ＡＧＣ回路
１３で生成したＡＧＣ電圧をかける。
１３で生成したＡＧＣ電圧をかける。
【００３２】オペアンプＩＣ１は、ＡＧＣ電圧に基づい
て直流バイアス電流を生成し、この直流バイアス電流を
抵抗Ｒ９，Ｒ８及びコイルＬ３を経由してベース電流Ｉ
ｂとし、このベース電流Ｉｂをベース側に供給する。
て直流バイアス電流を生成し、この直流バイアス電流を
抵抗Ｒ９，Ｒ８及びコイルＬ３を経由してベース電流Ｉ
ｂとし、このベース電流Ｉｂをベース側に供給する。
【００３３】バイポーラトランジスタＱ１は、ベース電
流Ｉｂに応じてコレクタ電流Ｉｃが変動することにな
る。このようにコレクタ電流Ｉｃが変動すると、後述す
る雑音指数特性や歪特性も変動することになる。
流Ｉｂに応じてコレクタ電流Ｉｃが変動することにな
る。このようにコレクタ電流Ｉｃが変動すると、後述す
る雑音指数特性や歪特性も変動することになる。
【００３４】ここで、コレクタ電流Ｉｃと雑音指数特性
及び歪特性との関係について説明する。図３（ａ）はＬ
ＮＡ部１１に関わるコレクタ電流Ｉｃと雑音指数との関
係で雑音指数特性を示す説明図、図３（ｂ）はコレクタ
電流ＩｃとＩＰ３との関係で歪特性を示す説明図であ
る。
及び歪特性との関係について説明する。図３（ａ）はＬ
ＮＡ部１１に関わるコレクタ電流Ｉｃと雑音指数との関
係で雑音指数特性を示す説明図、図３（ｂ）はコレクタ
電流ＩｃとＩＰ３との関係で歪特性を示す説明図であ
る。
【００３５】バイポーラトランジスタＱ１は、図３
（ａ）及び（ｂ）に示すようにコレクタ電流Ｉｃに応じ
て雑音指数特性及び歪特性が変動するものであり、コレ
クタ電流Ｉｃが小さくなると雑音指数が小さくなり、コ
レクタ電流Ｉｃが大きくなると歪が小さくなる傾向にあ
ることがわかる。
（ａ）及び（ｂ）に示すようにコレクタ電流Ｉｃに応じ
て雑音指数特性及び歪特性が変動するものであり、コレ
クタ電流Ｉｃが小さくなると雑音指数が小さくなり、コ
レクタ電流Ｉｃが大きくなると歪が小さくなる傾向にあ
ることがわかる。
【００３６】また、コレクタ電流Ｉｃはベース電流Ｉｂ
に応じて変動することは説明したが、その変動と高周波
信号との関係について説明する。図４（ａ）はＡＧＣ電
圧と高周波信号との関係を示す説明図、図４（ｂ）は高
周波信号とコレクタ電流Ｉｃ及びベース電流Ｉｂとの関
係を示す説明図である。
に応じて変動することは説明したが、その変動と高周波
信号との関係について説明する。図４（ａ）はＡＧＣ電
圧と高周波信号との関係を示す説明図、図４（ｂ）は高
周波信号とコレクタ電流Ｉｃ及びベース電流Ｉｂとの関
係を示す説明図である。
【００３７】ＡＧＣ回路１３で生成するＡＧＣ電圧は、
図４（ａ）に示すように、受信アンテナ１０１で受信す
る高周波信号の受信電界強度に応じて変動し、受信電界
強度が弱電界となると、ＡＧＣ電圧は小さくなり、受信
電界強度が強電界となると、ＡＧＣ電圧は大きくなる。
図４（ａ）に示すように、受信アンテナ１０１で受信す
る高周波信号の受信電界強度に応じて変動し、受信電界
強度が弱電界となると、ＡＧＣ電圧は小さくなり、受信
電界強度が強電界となると、ＡＧＣ電圧は大きくなる。
【００３８】また、図４（ｂ）に示すように高周波信号
の受信電界強度が弱電界となると、ＡＧＣ電圧と同様に
直流バイアス電流、つまりベース電流Ｉｂも小さくなる
ことから、コレクタ電流Ｉｃも小さくなり、さらに、受
信電界強度が強電界となると、ＡＧＣ電圧と同様に直流
バイアス電流、つまりベース電流Ｉｂも大きくなること
から、コレクタ電流Ｉｃも大きくなる。
の受信電界強度が弱電界となると、ＡＧＣ電圧と同様に
直流バイアス電流、つまりベース電流Ｉｂも小さくなる
ことから、コレクタ電流Ｉｃも小さくなり、さらに、受
信電界強度が強電界となると、ＡＧＣ電圧と同様に直流
バイアス電流、つまりベース電流Ｉｂも大きくなること
から、コレクタ電流Ｉｃも大きくなる。
【００３９】そこで、バイポーラトランジスタＱ１は、
高周波信号の受信電界強度が弱電界となると、コレクタ
電流Ｉｃが小さくなり、その結果、雑音指数が小さくな
るように高周波信号を増幅することになる。従って、直
流バイアス電流、つまりベース電流Ｉｂは、このバイポ
ーラトランジスタＱ１で雑音指数が最小となるような高
周波信号が得られるように設定することになる。
高周波信号の受信電界強度が弱電界となると、コレクタ
電流Ｉｃが小さくなり、その結果、雑音指数が小さくな
るように高周波信号を増幅することになる。従って、直
流バイアス電流、つまりベース電流Ｉｂは、このバイポ
ーラトランジスタＱ１で雑音指数が最小となるような高
周波信号が得られるように設定することになる。
【００４０】また、バイポーラトランジスタＱ１は、高
周波信号の受信電界強度が強電界となると、コレクタ電
流Ｉｃが大きくなり、その結果、歪特性が小さくなるよ
うに高周波信号を増幅することになる。従って、直流バ
イアス電流、つまりベース電流Ｉｂは、このバイポーラ
トランジスタＱ１で歪特性が最小となるような高周波信
号が得られるように設定することになる。
周波信号の受信電界強度が強電界となると、コレクタ電
流Ｉｃが大きくなり、その結果、歪特性が小さくなるよ
うに高周波信号を増幅することになる。従って、直流バ
イアス電流、つまりベース電流Ｉｂは、このバイポーラ
トランジスタＱ１で歪特性が最小となるような高周波信
号が得られるように設定することになる。
【００４１】さらに、バイポーラトランジスタＱ１は、
このように増幅した高周波信号を、抵抗Ｒ１及び結合コ
ンデンサＣ２を経由して、アッテネータ回路１２のＰＩ
ＮダイオードＤ１及びＤ２に供給する。
このように増幅した高周波信号を、抵抗Ｒ１及び結合コ
ンデンサＣ２を経由して、アッテネータ回路１２のＰＩ
ＮダイオードＤ１及びＤ２に供給する。
【００４２】ＡＧＣ回路１３のオペアンプＩＣ２は、オ
ペアンプＩＣ１からのＡＧＣ電圧における抵抗Ｒ１１、
Ｒ１２の分圧値から、電源部Ｖｃｃからの所定電圧にお
けるＲ１３，Ｒ１５の分圧値を差分し、その差分電圧を
増幅することで、アッテネータ制御電圧Ｖａｔｔを生成
する。
ペアンプＩＣ１からのＡＧＣ電圧における抵抗Ｒ１１、
Ｒ１２の分圧値から、電源部Ｖｃｃからの所定電圧にお
けるＲ１３，Ｒ１５の分圧値を差分し、その差分電圧を
増幅することで、アッテネータ制御電圧Ｖａｔｔを生成
する。
【００４３】さらに、電源部Ｖｃｃは、所定電圧から、
抵抗Ｒ６，Ｒ７及びＲ５と、コイルＬ２とで基準電圧Ｖ
ｒｅｆを生成する。
抵抗Ｒ６，Ｒ７及びＲ５と、コイルＬ２とで基準電圧Ｖ
ｒｅｆを生成する。
【００４４】アッテネータ回路１２では、図５に示すよ
うにアッテネータ制御電圧Ｖａｔｔと基準電圧Ｖｒｅｆ
とで電位差が生じるため、Ｖｒｅｆ＜Ｖａｔｔ＜Ｖｃｃ
となると、高周波信号の受信電界強度が強電界であると
判断し、ＰＩＮダイオードＤ２側のアノード側に電圧が
かかることで導通状態（ＯＮ状態）となり、ＰＩＮダイ
オードＤ１は非導通状態（ＯＦＦ状態）となる。
うにアッテネータ制御電圧Ｖａｔｔと基準電圧Ｖｒｅｆ
とで電位差が生じるため、Ｖｒｅｆ＜Ｖａｔｔ＜Ｖｃｃ
となると、高周波信号の受信電界強度が強電界であると
判断し、ＰＩＮダイオードＤ２側のアノード側に電圧が
かかることで導通状態（ＯＮ状態）となり、ＰＩＮダイ
オードＤ１は非導通状態（ＯＦＦ状態）となる。
【００４５】その結果、アッテネータ回路１２では、バ
イポーラトランジスタＱ１で歪特性が最小となるように
増幅した高周波信号を、抵抗Ｒ１及び結合コンデンサＣ
２を経由して、ＰＩＮダイオードＤ２に流入し、バイパ
スコンデンサＣ４を通してアースに導通させ、ＰＩＮダ
イオードＤ１への高周波信号の流入量を減らし、さらに
ＯＦＦ状態にあるＰＩＮダイオードＤ１からは高周波信
号の漏れ分が高周波数信号出力部ＲＦｏｕｔへ出力され
ることになる。
イポーラトランジスタＱ１で歪特性が最小となるように
増幅した高周波信号を、抵抗Ｒ１及び結合コンデンサＣ
２を経由して、ＰＩＮダイオードＤ２に流入し、バイパ
スコンデンサＣ４を通してアースに導通させ、ＰＩＮダ
イオードＤ１への高周波信号の流入量を減らし、さらに
ＯＦＦ状態にあるＰＩＮダイオードＤ１からは高周波信
号の漏れ分が高周波数信号出力部ＲＦｏｕｔへ出力され
ることになる。
【００４６】また、アッテネータ回路１２では、０＜Ｖ
ａｔｔ＜Ｖｒｅｆとなると、高周波信号の受信電界強度
が弱電界であると判断し、ＰＩＮダイオードＤ１側のア
ノード側に電圧がかかることで導通状態（ＯＮ状態）と
なり、ＰＩＮダイオードＤ２は非導通状態（ＯＦＦ状
態）となる。
ａｔｔ＜Ｖｒｅｆとなると、高周波信号の受信電界強度
が弱電界であると判断し、ＰＩＮダイオードＤ１側のア
ノード側に電圧がかかることで導通状態（ＯＮ状態）と
なり、ＰＩＮダイオードＤ２は非導通状態（ＯＦＦ状
態）となる。
【００４７】その結果、アッテネータ回路１２では、バ
イポーラトランジスタＱ１で雑音指数が最小となるよう
に増幅した高周波信号を、抵抗Ｒ１及び結合コンデンサ
Ｃ２を経由して、そのまま減衰することなく、ＰＩＮダ
イオードＤ１に流入して高周波信号出力部ＲＦｏｕｔか
ら出力することになる。
イポーラトランジスタＱ１で雑音指数が最小となるよう
に増幅した高周波信号を、抵抗Ｒ１及び結合コンデンサ
Ｃ２を経由して、そのまま減衰することなく、ＰＩＮダ
イオードＤ１に流入して高周波信号出力部ＲＦｏｕｔか
ら出力することになる。
【００４８】従って、本実施の形態に示す高周波増幅回
路１０を使用することで、高周波信号の入出力特性は図
６に示すようになる。
路１０を使用することで、高周波信号の入出力特性は図
６に示すようになる。
【００４９】本実施の形態によれば、受信アンテナ１０
１の後段にＬＮＡ部１１を配置し、さらに、このＬＮＡ
部１１の後段に、挿入損失を伴うアッテネータ回路１２
を配置するようにしたので、アッテネータ回路１２の挿
入損失等による雑音指数が無視できる程度に小さくなる
ことで、その受信感度を上げることできる。
１の後段にＬＮＡ部１１を配置し、さらに、このＬＮＡ
部１１の後段に、挿入損失を伴うアッテネータ回路１２
を配置するようにしたので、アッテネータ回路１２の挿
入損失等による雑音指数が無視できる程度に小さくなる
ことで、その受信感度を上げることできる。
【００５０】さらに、本実施の形態によれば、受信電界
強度が強電界となると、ＬＮＡ部１１内の歪特性が最小
となるようなベース電流Ｉｂを設定することで、歪特性
が最小となるように高周波信号を増幅し、さらにアッテ
ネータ回路１２をＯＮ動作することで、この高周波信号
を減衰すると共に、受信電界強度が弱電界となると、Ｌ
ＮＡ部１１内の雑音指数が最小となるようなベース電流
Ｉｂを設定することで、雑音指数が最小となるように高
周波信号を増幅し、さらにアッテネータ回路１２をＯＦ
Ｆ動作することで高周波信号を減衰しないようにしたの
で、その受信ダイナミックレンジを広範囲にすることが
できる。
強度が強電界となると、ＬＮＡ部１１内の歪特性が最小
となるようなベース電流Ｉｂを設定することで、歪特性
が最小となるように高周波信号を増幅し、さらにアッテ
ネータ回路１２をＯＮ動作することで、この高周波信号
を減衰すると共に、受信電界強度が弱電界となると、Ｌ
ＮＡ部１１内の雑音指数が最小となるようなベース電流
Ｉｂを設定することで、雑音指数が最小となるように高
周波信号を増幅し、さらにアッテネータ回路１２をＯＦ
Ｆ動作することで高周波信号を減衰しないようにしたの
で、その受信ダイナミックレンジを広範囲にすることが
できる。
【００５１】尚、上記実施の形態においては、ＬＮＡ部
１１をバイポーラトランジスタＱ１で構成するようにし
たが、例えばＦＥＴ等の増幅素子で構成するようにして
も、同様の効果が得られ、このような他の増幅素子で構
成した場合には、その増幅素子の特性に応じて直流バイ
アス電流値を適宜変更する必要があることは言うまでも
ない。
１１をバイポーラトランジスタＱ１で構成するようにし
たが、例えばＦＥＴ等の増幅素子で構成するようにして
も、同様の効果が得られ、このような他の増幅素子で構
成した場合には、その増幅素子の特性に応じて直流バイ
アス電流値を適宜変更する必要があることは言うまでも
ない。
【００５２】また、上記実施の形態においては、ＡＧＣ
電圧に基づいてＬＮＡ部１１及びアッテネータ回路１２
を制御するようにしたが、例えば電界レベル信号に基づ
いて制御するようにしても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
電圧に基づいてＬＮＡ部１１及びアッテネータ回路１２
を制御するようにしたが、例えば電界レベル信号に基づ
いて制御するようにしても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
【００５３】
【発明の効果】上記のように構成された本発明の高周波
増幅回路によれば、受信アンテナの後段にＬＮＡ等の増
幅手段を配置し、さらに、この増幅手段の後段に、挿入
損失を伴うアッテネータ回路等の減衰手段を配置するよ
うにしたので、減衰手段の挿入損失等による雑音指数が
無視できる程度に小さくなることで、その受信感度を上
げることできる。
増幅回路によれば、受信アンテナの後段にＬＮＡ等の増
幅手段を配置し、さらに、この増幅手段の後段に、挿入
損失を伴うアッテネータ回路等の減衰手段を配置するよ
うにしたので、減衰手段の挿入損失等による雑音指数が
無視できる程度に小さくなることで、その受信感度を上
げることできる。
【００５４】さらに、本発明の高周波増幅回路によれ
ば、自動利得制御電圧に基づいて、増幅手段の直流バイ
アス量及び、減衰手段のＯＮ／ＯＦＦ動作を設定するよ
うにしたので、受信ダイナミックレンジを広げることが
できる。
ば、自動利得制御電圧に基づいて、増幅手段の直流バイ
アス量及び、減衰手段のＯＮ／ＯＦＦ動作を設定するよ
うにしたので、受信ダイナミックレンジを広げることが
できる。
【図１】本発明の高周波増幅回路における実施の形態を
示す放送受信装置内部の概略構成を示すブロック図であ
る。
示す放送受信装置内部の概略構成を示すブロック図であ
る。
【図２】本実施の形態に関わる高周波増幅回路内部の回
路構成を示す回路構成図である。
路構成を示す回路構成図である。
【図３】本実施の形態に関わる高周波増幅回路内部のＬ
ＮＡ部の特性説明図である。 ａ）コレクタ電流と雑音指数との関係で雑音指数特性を
示す説明図 ｂ）コレクタ電流とＩＰ３との関係で歪特性を示す説明
図
ＮＡ部の特性説明図である。 ａ）コレクタ電流と雑音指数との関係で雑音指数特性を
示す説明図 ｂ）コレクタ電流とＩＰ３との関係で歪特性を示す説明
図
【図４】本実施の形態に関わる高周波増幅回路内部の特
性説明図である。 ａ）ＡＧＣ電圧と高周波信号との関係を示す説明図 ｂ）コレクタ電流及びベース電流と高周波信号との関係
を示す説明図
性説明図である。 ａ）ＡＧＣ電圧と高周波信号との関係を示す説明図 ｂ）コレクタ電流及びベース電流と高周波信号との関係
を示す説明図
【図５】本実施の形態に関わる高周波増幅回路内部のア
ッテネータ回路の特性説明図であり、アッテネータ制御
電圧と高周波信号との関係を示す説明図である。
ッテネータ回路の特性説明図であり、アッテネータ制御
電圧と高周波信号との関係を示す説明図である。
【図６】本実施の形態に関わる高周波増幅回路に関わる
高周波信号の入出力特性を示す説明図である。
高周波信号の入出力特性を示す説明図である。
【図７】従来技術の高周波増幅回路を内蔵した放送受信
装置内部の概略構成を示すブロック図である。
装置内部の概略構成を示すブロック図である。
１０ 高周波増幅回路
１１ ＬＮＡ部（増幅手段）
１２ アッテネータ回路（減衰手段）
１３ ＡＧＣ回路（自動利得制御電圧生成手段、減衰設
定制御手段） １４ 直流バイアス量制御回路（直流バイアス量設定制
御手段）
定制御手段） １４ 直流バイアス量制御回路（直流バイアス量設定制
御手段）
Claims (4)
- 【請求項１】 到来する高周波信号を受信する受信アン
テナの後段に配置し、この受信アンテナで受信した高周
波信号を、直流バイアス量に基づいて増幅する増幅手段
と、 この増幅手段の後段に配置し、前記増幅手段で増幅した
高周波信号を、所定減衰量で減衰する減衰手段と、 この減衰手段にて減衰出力した高周波信号に基づく自動
利得制御電圧を生成する自動利得制御電圧生成手段と、 この自動利得制御電圧に基づいて、前記増幅手段の直流
バイアス量を設定する直流バイアス量設定制御手段と、 前記自動利得制御電圧に基づいて、前記減衰手段の動作
を設定する減衰設定制御手段とを有することを特徴とす
る高周波増幅回路。 - 【請求項２】 前記直流バイアス量設定制御手段は、 前記自動利得制御電圧が所定電圧以上となると、前記増
幅手段内の歪特性が最小となるような直流バイアス量を
設定し、 前記自動利得制御電圧が所定電圧未満となると、前記増
幅手段内の雑音指数が最小となるような直流バイアス量
を設定すると共に、 前記減衰設定制御手段は、 前記自動利得制御電圧が所定電圧以上となると、前記減
衰手段をＯＮ動作し、 前記自動利得制御電圧が所定電圧未満となると、前記減
衰手段をＯＦＦ動作することを特徴とする請求項１記載
の高周波増幅回路。 - 【請求項３】 到来する高周波信号を受信する受信アン
テナの後段に配置し、この受信アンテナで受信した高周
波信号を、直流バイアス量に基づいて増幅する増幅手段
と、 この増幅手段の後段に配置し、前記増幅手段で増幅した
高周波信号を、減衰量に基づいて減衰する減衰手段と、 この減衰手段にて減衰出力した高周波信号に基づく電界
レベル信号を生成する電界レベル生成手段と、 この電界レベル信号に基づいて、前記増幅手段の直流バ
イアス量を設定する直流バイアス量設定制御手段と、 前記電界レベル信号に基づいて、前記減衰手段の動作を
設定する減衰設定制御手段とを有することを特徴とする
高周波増幅回路。 - 【請求項４】 前記直流バイアス量設定制御手段は、 前記電界レベル信号が所定値以上となると、前記増幅手
段内の歪特性が最小となるような直流バイアス量を設定
し、 前記電界レベル信号が所定値未満となると、前記増幅手
段内の雑音指数が最小となるような直流バイアス量を設
定すると共に、 前記減衰設定制御手段は、 前記電界レベル信号が所定値以上となると、前記減衰手
段をＯＮ動作し、 前記電界レベル信号が所定値未満となると、前記減衰手
段をＯＦＦ動作することを特徴とする請求項３記載の高
周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001238071A JP2003051727A (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001238071A JP2003051727A (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003051727A true JP2003051727A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=19069052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001238071A Pending JP2003051727A (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003051727A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649636B1 (ko) | 2005-03-10 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 위성 ｄｍｂ 수신기 |
| JP2007068143A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ整合器とこれを用いた高周波受信装置 |
| JP2010278949A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Sony Corp | 受信装置 |
| WO2014204717A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | Motorola Solutions, Inc. | Method and apparatus for selectively configuring a two-way radio device to operate in a control station mode or a non-control station mode |
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| JP2000312235A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-11-07 | Toshiba Corp | 自動利得制御装置 |
-
2001
- 2001-08-06 JP JP2001238071A patent/JP2003051727A/ja active Pending
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