JPH02261223A - 超高周波受信機 - Google Patents
超高周波受信機Info
- Publication number
- JPH02261223A JPH02261223A JP8281289A JP8281289A JPH02261223A JP H02261223 A JPH02261223 A JP H02261223A JP 8281289 A JP8281289 A JP 8281289A JP 8281289 A JP8281289 A JP 8281289A JP H02261223 A JPH02261223 A JP H02261223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- voltage
- low
- mixer
- agc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波帯やミリ波帯の超高周波受信機に関
し、特に、シソグルゲー）ＦＥＴを用いた低雑音増幅器
を具備する超高周波受信機に関する。
し、特に、シソグルゲー）ＦＥＴを用いた低雑音増幅器
を具備する超高周波受信機に関する。
一般にマイクロ波、ミリ波帯の超高周波受信機は、スレ
ショルドレベルを下げるため低雑音増幅器をフロントエ
ンドに具備している。この低雑音増幅器としては、ヘテ
ロジャンクションＦＥＴＭＥＳ ＦＥＴ等が使用され
ているがいずれもシングルゲート型のＦＥＴであり、Ａ
ＧＣをかけるのに適したデュアルゲー）ＦＥＴは、構造
上低雑音指数が得にくいため、使用されていない。この
ため従来のこの種超高周波受信機では、固定利得低雑音
増幅器を用い、必要に応じてＰＩＮダイオードによる減
衰器を付加していた。
ショルドレベルを下げるため低雑音増幅器をフロントエ
ンドに具備している。この低雑音増幅器としては、ヘテ
ロジャンクションＦＥＴＭＥＳ ＦＥＴ等が使用され
ているがいずれもシングルゲート型のＦＥＴであり、Ａ
ＧＣをかけるのに適したデュアルゲー）ＦＥＴは、構造
上低雑音指数が得にくいため、使用されていない。この
ため従来のこの種超高周波受信機では、固定利得低雑音
増幅器を用い、必要に応じてＰＩＮダイオードによる減
衰器を付加していた。
上述した従来の超高周波受信機では固定利得増幅器を使
用しているので、特に移動回線用としての機器や、フェ
ーディング等、入力レベルの変動が大きいものに対して
、受信入力レベルが過入力になることがある。受信レベ
ルが過入力になると増幅器の直線性が失われたり、次段
ミクサに過入力となり、混変調歪を発生させる等の不都
合を生じる。
用しているので、特に移動回線用としての機器や、フェ
ーディング等、入力レベルの変動が大きいものに対して
、受信入力レベルが過入力になることがある。受信レベ
ルが過入力になると増幅器の直線性が失われたり、次段
ミクサに過入力となり、混変調歪を発生させる等の不都
合を生じる。
この不都合を解決するため考案実用化されている低雑音
増幅器のＦＥＴトランジスタ段間又は出力にＰＩＮダイ
オードによる減衰器を付加するものがある。このＰＩＮ
ダイオード減衰器を付加するものはＰＩＮダイオード減
衰器の最小減衰量が零でないので、挿入損失がありこの
ため雑音指数（ＮＦ）の劣化、利得の減少を生じるとい
う欠点があり、かつ超高周波用ＰＩＮダイオードは高価
であるため不経済であるという欠点もある。
増幅器のＦＥＴトランジスタ段間又は出力にＰＩＮダイ
オードによる減衰器を付加するものがある。このＰＩＮ
ダイオード減衰器を付加するものはＰＩＮダイオード減
衰器の最小減衰量が零でないので、挿入損失がありこの
ため雑音指数（ＮＦ）の劣化、利得の減少を生じるとい
う欠点があり、かつ超高周波用ＰＩＮダイオードは高価
であるため不経済であるという欠点もある。
本発明による超高周波受信機によれば、シングルゲー）
ＦＥＴによる低雑音増幅器と、ＩＦＡＧＣ回路と、ＩＦ
ＡＧＣ電圧により前記シングルゲートＦＥＴのゲート
バイアス電圧を制御する制御回路とを有する。
ＦＥＴによる低雑音増幅器と、ＩＦＡＧＣ回路と、ＩＦ
ＡＧＣ電圧により前記シングルゲートＦＥＴのゲート
バイアス電圧を制御する制御回路とを有する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路ブロック図、第２
図は第１図のシソグルゲー）ＦＥＴによる増幅、減衰特
性を示す図である。
図は第１図のシソグルゲー）ＦＥＴによる増幅、減衰特
性を示す図である。
ＲＦ倍信号低雑音増幅器１により低雑音増幅され、ミク
サ２及び局部発振器３によりＩＦ倍信号変換される。こ
のＩＦ倍信号ＩＦ ＡＧＣ増幅器４により、増幅され
ＩＦ比出力なる。ここでＩＦ比出力一部はＡＧＣ制御回
路５に加えられ、検波されてＡＧＣ電圧となり直流増幅
されて前記ＩＦＡＧＣ増幅器及び低雑音増幅器ゲートバ
イアス制御回路６（以下単にバイアス制御回路と呼ぶ）
に加えられる。ＩＦ ＡＧＣ増幅器は通常のＩＦＡＧ
Ｃ増幅動作を行ないＩＰ出力レベルを一定にするよう働
く。
サ２及び局部発振器３によりＩＦ倍信号変換される。こ
のＩＦ倍信号ＩＦ ＡＧＣ増幅器４により、増幅され
ＩＦ比出力なる。ここでＩＦ比出力一部はＡＧＣ制御回
路５に加えられ、検波されてＡＧＣ電圧となり直流増幅
されて前記ＩＦＡＧＣ増幅器及び低雑音増幅器ゲートバ
イアス制御回路６（以下単にバイアス制御回路と呼ぶ）
に加えられる。ＩＦ ＡＧＣ増幅器は通常のＩＦＡＧ
Ｃ増幅動作を行ないＩＰ出力レベルを一定にするよう働
く。
バイアス制御回路は、ＲＦ入カレベルが充分低い場合に
最大利得行違で雑音指数の最も小さいバイアス電圧とな
るよう設定し、ＲＦ入力レベルの増大に従い、ＡＧＣ制
御電圧によって、バイアス電圧が負の方向に進み最も深
いバイアス電圧が、減衰量最大値付込に設定されるよう
に働くこのため受信機はＲＦ大入力小さいときは従来の
固定利得低雑音増幅器付き受信機と同等の性能となり、
ＲＦ大入力大きい場合には入力回路に減衰器を持ち、ミ
キサ入力ＲＦレベルを抑制し、過大なＲＦ大入力ミキサ
に加わらないようにする。
最大利得行違で雑音指数の最も小さいバイアス電圧とな
るよう設定し、ＲＦ入力レベルの増大に従い、ＡＧＣ制
御電圧によって、バイアス電圧が負の方向に進み最も深
いバイアス電圧が、減衰量最大値付込に設定されるよう
に働くこのため受信機はＲＦ大入力小さいときは従来の
固定利得低雑音増幅器付き受信機と同等の性能となり、
ＲＦ大入力大きい場合には入力回路に減衰器を持ち、ミ
キサ入力ＲＦレベルを抑制し、過大なＲＦ大入力ミキサ
に加わらないようにする。
、〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はシングルゲートＦＥＴの
バイアス電圧を、ＩＦ ＡＧＣ電圧で制御しＲＦでの
ＡＧＣも付加する構成としたため、低受信入力時は低雑
音増幅器として最適な動作をしながら、ＲＦ入力過大時
にもミキサに過大なＲＦ倍信号加えることがなく従って
ミキサ段での混変調の発生を抑制し、直線性の良好な受
信機を得る効果がある。
バイアス電圧を、ＩＦ ＡＧＣ電圧で制御しＲＦでの
ＡＧＣも付加する構成としたため、低受信入力時は低雑
音増幅器として最適な動作をしながら、ＲＦ入力過大時
にもミキサに過大なＲＦ倍信号加えることがなく従って
ミキサ段での混変調の発生を抑制し、直線性の良好な受
信機を得る効果がある。
又、低雑音増幅器を２段のトランジスタで構成し、股間
にＰＩＮダイオードを挿入するＲＦ利得可変増幅器も考
案されているがこのダイオード付き増幅器に比して■Ｐ
ＩＮダイオードの挿入損失がないので、ＲＦ大入力小さ
い場合の利得が大きく、かつＮＦの劣化がない、■高価
なＰＩＮダイオードを用いないので経済的、という特長
を有する。
にＰＩＮダイオードを挿入するＲＦ利得可変増幅器も考
案されているがこのダイオード付き増幅器に比して■Ｐ
ＩＮダイオードの挿入損失がないので、ＲＦ大入力小さ
い場合の利得が大きく、かつＮＦの劣化がない、■高価
なＰＩＮダイオードを用いないので経済的、という特長
を有する。
第１図は本発明の一実施例の回路ブロックを示す図、第
２図は第１図のシングルゲー）ＦＥＴ増幅器のゲートバ
イアス電圧対増幅減衰特性を示す図である。 ｌ・・・・・・シングルゲートＦＥＴによる低雑音増幅
器、２・・・・・・ミキサ、３・・・・・・局部発振器
、４・・・・・・ＩＦＡＧＣ増幅器、５・・・・・・Ａ
ＧＣ制御回路、６・・・・・・低雑音増幅器ゲートバイ
アス制御回路。 代理人 弁理士 内 原 晋
２図は第１図のシングルゲー）ＦＥＴ増幅器のゲートバ
イアス電圧対増幅減衰特性を示す図である。 ｌ・・・・・・シングルゲートＦＥＴによる低雑音増幅
器、２・・・・・・ミキサ、３・・・・・・局部発振器
、４・・・・・・ＩＦＡＧＣ増幅器、５・・・・・・Ａ
ＧＣ制御回路、６・・・・・・低雑音増幅器ゲートバイ
アス制御回路。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- シングルゲートのテロジャンクションＦＥＴやＭＥＳＦ
ＥＴによる低雑音増幅器を具備した、マイクロ波帯やミ
リ波帯の受信機において、受信入力レベルに応じて利得
を可変し、出力レベルを略一定とする中間周波数ＡＧＣ
増幅器を持ち、このＡＧＣ帰環電圧により、前記低雑音
増幅器のシングルゲートＦＥＴのゲート電圧を制御する
制御回路を付加した構成とした事を特徴とする超高周波
受信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8281289A JPH02261223A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 超高周波受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8281289A JPH02261223A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 超高周波受信機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02261223A true JPH02261223A (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=13784823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8281289A Pending JPH02261223A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 超高周波受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02261223A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637130A2 (en) * | 1993-07-29 | 1995-02-01 | Japan Radio Co., Ltd | Receiver and method of receiving |
| JP2003051727A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Clarion Co Ltd | 高周波増幅回路 |
| JP2009118386A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 受信信号のレベル調整回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6361811A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Ebara Corp | 塊状燃焼物の燃焼方法 |
| JPS644122A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Nec Corp | Variable gain antenna |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8281289A patent/JPH02261223A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6361811A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Ebara Corp | 塊状燃焼物の燃焼方法 |
| JPS644122A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Nec Corp | Variable gain antenna |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0637130A2 (en) * | 1993-07-29 | 1995-02-01 | Japan Radio Co., Ltd | Receiver and method of receiving |
| EP0637130A3 (en) * | 1993-07-29 | 1995-05-10 | Japan Radio Co Ltd | Recipients and recipient procedures. |
| US5507023A (en) * | 1993-07-29 | 1996-04-09 | Japan Radio Co., Ltd. | Receiver with an AGC circuit capable of expanding a dynamic range |
| JP2003051727A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Clarion Co Ltd | 高周波増幅回路 |
| JP2009118386A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 受信信号のレベル調整回路 |
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