JPS63149909A - 低雑音増幅回路 - Google Patents
低雑音増幅回路Info
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- JPS63149909A JPS63149909A JP61295736A JP29573686A JPS63149909A JP S63149909 A JPS63149909 A JP S63149909A JP 61295736 A JP61295736 A JP 61295736A JP 29573686 A JP29573686 A JP 29573686A JP S63149909 A JPS63149909 A JP S63149909A
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- JP
- Japan
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- low
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- noise amplifier
- gate bias
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- Pending
Links
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は振幅変調された信号の無線受信装置に使用して
好適な低雑音増幅回路に関する。
好適な低雑音増幅回路に関する。
無線受信装置では空間伝播状態の変化に伴って受信レベ
ルが変化するため、低受信レベルでは低い雑音特性を持
ち、高受信レベルでは高い飽和特性を持つ低雑音増幅器
が望ましい。このため、従来は低雑音増幅器の前に可変
減衰器を付加して、この特性を得る試みがなされている
。
ルが変化するため、低受信レベルでは低い雑音特性を持
ち、高受信レベルでは高い飽和特性を持つ低雑音増幅器
が望ましい。このため、従来は低雑音増幅器の前に可変
減衰器を付加して、この特性を得る試みがなされている
。
例えば、第３図に示すように低雑音増幅器２１の前に可
変減衰器２４を接続するとともに、これには増幅器２１
に接続した受信レベル検出器２２からの信号により駆動
される減衰量制御器２３を接続し、受信レベルに応じて
可変減衰器２４における減衰量を制御する構成がとられ
ている。
変減衰器２４を接続するとともに、これには増幅器２１
に接続した受信レベル検出器２２からの信号により駆動
される減衰量制御器２３を接続し、受信レベルに応じて
可変減衰器２４における減衰量を制御する構成がとられ
ている。
しかしながら、このように低雑音増幅器の前に可変減衰
器を設けると、その挿入損失が増大し、特に低受信レベ
ル時の受信雑音の増加を引き起こし、結果として低雑音
特性が得られないという間題がある。また、高受信レベ
ル時において歪特性が劣化されるという問題もある。
器を設けると、その挿入損失が増大し、特に低受信レベ
ル時の受信雑音の増加を引き起こし、結果として低雑音
特性が得られないという間題がある。また、高受信レベ
ル時において歪特性が劣化されるという問題もある。
本発明は低レベル時の低雑音特性及び高レベル時の低歪
特性を同時に改善することのできる低雑音増幅回路を提
供することを目的としている。
特性を同時に改善することのできる低雑音増幅回路を提
供することを目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の低雑音増幅回路は、ＧａＡｓＦＥＴ（電界効果
トランジスタ）を主体に構成した低雑音増幅器と、この
増幅器の受信レベルを検出する受信レベル検出器と、こ
の受信レベル検出回路の検出値に基づいて前記ＧａＡｓ
ＦＥＴのゲートバイアスを制御するゲートバイアス制御
器とを備え、前記受信レベルの増大に伴ってＧａＡｓＦ
ＥＴのドレイン電流を増大させ、低受信レベル時にはＮ
Ｆ（雑音指数）最良点にバイアスし、高受信レベル時に
は最大飽和出力点にバイアスするように構成している。
トランジスタ）を主体に構成した低雑音増幅器と、この
増幅器の受信レベルを検出する受信レベル検出器と、こ
の受信レベル検出回路の検出値に基づいて前記ＧａＡｓ
ＦＥＴのゲートバイアスを制御するゲートバイアス制御
器とを備え、前記受信レベルの増大に伴ってＧａＡｓＦ
ＥＴのドレイン電流を増大させ、低受信レベル時にはＮ
Ｆ（雑音指数）最良点にバイアスし、高受信レベル時に
は最大飽和出力点にバイアスするように構成している。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図であり、一部はブロ
ックとして図示している。
ックとして図示している。
図において、１はＧａＡｓ ＦＥＴＩ Ｏを能動素子と
した低雑音増幅器であり、これには受信レベル検出器２
と、ここで検出した受信レベル検出値によって前記低雑
音増幅器１のゲート電圧を制御するゲートバイアス制御
器３を接続して増幅回路を構成している。
した低雑音増幅器であり、これには受信レベル検出器２
と、ここで検出した受信レベル検出値によって前記低雑
音増幅器１のゲート電圧を制御するゲートバイアス制御
器３を接続して増幅回路を構成している。
前記低雑音増幅器１は、ＧａＡｓ ＦＥＴＩ Ｏのゲー
トＧはキャパシタンスＣＩを介してＲＦ信号入力端子１
１に接続し、同時にインダクタンスＬ１を介してゲート
バイアス端子１４に接続し、この端子を介して前記ゲー
トバイアス制御器３に接続している。また、ＧａＡｓＦ
ＥＴ１０のドレインＤはインダクタンスＬ２を介してド
レインバイアス端子１３に接続し、同時にキャパシタン
スＣ２を介してＲＦ信号出力端子１２に接続し、この端
子を介して前記受信レベル検出器２に接続している。な
お、ここではソースＳは接地している。
トＧはキャパシタンスＣＩを介してＲＦ信号入力端子１
１に接続し、同時にインダクタンスＬ１を介してゲート
バイアス端子１４に接続し、この端子を介して前記ゲー
トバイアス制御器３に接続している。また、ＧａＡｓＦ
ＥＴ１０のドレインＤはインダクタンスＬ２を介してド
レインバイアス端子１３に接続し、同時にキャパシタン
スＣ２を介してＲＦ信号出力端子１２に接続し、この端
子を介して前記受信レベル検出器２に接続している。な
お、ここではソースＳは接地している。
前記ＧａＡｓＦＥＴ１０は、例えば第２図に示すｒｏｓ
ｖｔ、ｓ特性を有しており、ここではｒ ｎｑｓ値
が５０ｍＡの場合を示している。この様な素子ではＮＦ
最良点はＩ Ｏ１９の１０〜１５％の点（Ａ点）でＮＦ
が最小となり、はぼＩ Ｄｓｓに近い点くＢ点）で最大
飽和出力が得られる。
ｖｔ、ｓ特性を有しており、ここではｒ ｎｑｓ値
が５０ｍＡの場合を示している。この様な素子ではＮＦ
最良点はＩ Ｏ１９の１０〜１５％の点（Ａ点）でＮＦ
が最小となり、はぼＩ Ｄｓｓに近い点くＢ点）で最大
飽和出力が得られる。
したがって、この構成では端子１３を通してＧａＡｓＦ
ＥＴ１０に定ドレインバイアス電圧を加えた上で、低雑
音増幅器１における受信レベルを受信レベル検出器２で
検出し、これに基づいてゲートバイアス制御器３を駆動
させ、低受信レベル時は第２図のＡ点にバイアスし、高
受信レベル時は同じくＢ点にバイアスするように制御を
行なわせる。この場合、飽和出力は７ｄＢ程度増加され
る。
ＥＴ１０に定ドレインバイアス電圧を加えた上で、低雑
音増幅器１における受信レベルを受信レベル検出器２で
検出し、これに基づいてゲートバイアス制御器３を駆動
させ、低受信レベル時は第２図のＡ点にバイアスし、高
受信レベル時は同じくＢ点にバイアスするように制御を
行なわせる。この場合、飽和出力は７ｄＢ程度増加され
る。
これにより、低受信レベル時にはＮＦ最良点にバイアス
され、高受信レベル時には最大飽和出力点にバイアスさ
れることになり、低受信レベル時にはＮＦ劣化が生ぜず
、かつ高受信レベル時には低歪特性を得ることができる
。
され、高受信レベル時には最大飽和出力点にバイアスさ
れることになり、低受信レベル時にはＮＦ劣化が生ぜず
、かつ高受信レベル時には低歪特性を得ることができる
。
以上説明したように本発明は、ＧａＡｓＦＥＴを主体に
構成した低雑音増幅器のゲートバイアスを、増幅器にお
ける受信レベルに応じて制御可能とし、低受信レベル時
にはＮＦ最良点にバイアスし、高受信レベル時には最大
飽和出力点にバイアスするように構成しているので、低
レベル時の低雑音特性と高レベル時の低歪特性を得るこ
とができるとともに構成の単純化をも可能にした高ダイ
ナミツクレンジの低雑音増幅回路を得ることができる。
構成した低雑音増幅器のゲートバイアスを、増幅器にお
ける受信レベルに応じて制御可能とし、低受信レベル時
にはＮＦ最良点にバイアスし、高受信レベル時には最大
飽和出力点にバイアスするように構成しているので、低
レベル時の低雑音特性と高レベル時の低歪特性を得るこ
とができるとともに構成の単純化をも可能にした高ダイ
ナミツクレンジの低雑音増幅回路を得ることができる。
第１図は本発明の低雑音増幅回路の一実施例の回路図、
第２図は低雑音増幅器を構成するＧａＡｓＦＥＴのｔｏ
ｓ ｖａｓの概略特性図、第３図は従来の低雑音増幅
回路の回路図である。 ■・・・低雑音増幅器、２・・・受信レベル検出器、３
・・・ゲートバイアス制御器、１０・・・ＧａＡｓＦＥ
Ｔ。 １１・・・ＲＦ信号入力端子、１２・・・ＲＦ信号出力
端子、１３・・・ドレインバイアス端子、１４・・・ゲ
ートバイアス端子、２１・・・低雑音増幅器、２２・・
・受信レベル検出器、２３・・・減衰量制御器、２４・
・・可変減衰器。 第１図 第３図
第２図は低雑音増幅器を構成するＧａＡｓＦＥＴのｔｏ
ｓ ｖａｓの概略特性図、第３図は従来の低雑音増幅
回路の回路図である。 ■・・・低雑音増幅器、２・・・受信レベル検出器、３
・・・ゲートバイアス制御器、１０・・・ＧａＡｓＦＥ
Ｔ。 １１・・・ＲＦ信号入力端子、１２・・・ＲＦ信号出力
端子、１３・・・ドレインバイアス端子、１４・・・ゲ
ートバイアス端子、２１・・・低雑音増幅器、２２・・
・受信レベル検出器、２３・・・減衰量制御器、２４・
・・可変減衰器。 第１図 第３図
Claims (2)
- （１）電界効果トランジスタを主体に構成した低雑音増
幅器と、この増幅器の受信レベルを検出する受信レベル
検出器と、この受信レベル検出回路の検出値に基づいて
前記電界効果トランジスタのゲートバイアスを制御する
ゲートバイアス制御器とを備え、前記受信レベルの増大
に伴って前記電界効果トランジスタのドレイン電流を増
大させ、低受信レベル時には雑音指数最良点にバイアス
し、高受信レベル時には最大飽和出力点にバイアスする
ように構成したことを特徴とする低雑音増幅回路。 - （２）電界効果トランジスタはＧａＡｓ電界効果トラン
ジスタである特許請求の範囲第１項記載の低雑音増幅回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61295736A JPS63149909A (ja) | 1986-12-13 | 1986-12-13 | 低雑音増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61295736A JPS63149909A (ja) | 1986-12-13 | 1986-12-13 | 低雑音増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149909A true JPS63149909A (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=17824507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61295736A Pending JPS63149909A (ja) | 1986-12-13 | 1986-12-13 | 低雑音増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63149909A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144259A (en) * | 1998-03-18 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Low-noise amplifier and circuit for controlling the same |
| WO2002078181A1 (fr) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
| JP2003051727A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Clarion Co Ltd | 高周波増幅回路 |
-
1986
- 1986-12-13 JP JP61295736A patent/JPS63149909A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144259A (en) * | 1998-03-18 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Low-noise amplifier and circuit for controlling the same |
| WO2002078181A1 (fr) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
| JP2003051727A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Clarion Co Ltd | 高周波増幅回路 |
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