JP2003037176A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
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- H01Q9/16—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
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- H01Q9/27—Spiral antennas
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6611—Wire connections
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/06179—Corner adaptations, i.e. disposition of the bonding areas at the corners of the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/1901—Structure
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Abstract
いQ値を有するコイルを形成することができる半導体装
置を提供すること。 【解決手段】 半導体装置10は、矩形形状の半導体基
板12と、この半導体基板12の4箇所の角部近傍に形
成された複数のパッド20と、角部以外の各辺に沿った
周辺領域に形成された複数のパッド30と、隣接するパ
ッド20間を接続するボンディングワイヤ40とを含ん
で構成されている。角部に形成されたパッド20を用い
て半導体基板12の周辺に沿ってボンディングワイヤ4
0を周回させることにより、コイルが形成されている。
Description
が半導体基板上に形成された半導体装置に関する。
渦巻き形状のパターンを形成し、このパターンをコイル
として利用する半導体回路が知られている。図7は、半
導体基板上に形成されたコイルの具体例を示す図であ
る。図7に示すように、半導体基板100の表面に金属
パターン(例えば銅や金の薄膜パターン)によって渦巻
き形状のコイル110が形成される。コイル110を半
導体基板100の表面に形成することにより、コイルを
含んで構成される発振器等の全部品を半導体基板110
上に一体形成して、外付け部品をなくすことができるた
め、部品点数の低減や工程の簡略化が可能になり、大幅
にコストを削減することが可能になる。
うに半導体基板100上にコイル110を形成する場合
には、コイル110の直径を大きくすることができない
ため、大きなインダクタンスを確保することができない
という問題があった。また、コイル110の直下に半導
体基板が存在するため、この半導体基板の表面に渦電流
が発生し、高いQ値を得ることができないという問題が
あった。
たものであり、その目的は、半導体基板に大きなインダ
クタンスおよび高いQ値を有するコイルを形成すること
ができる半導体装置を提供することにある。
ために、本発明の半導体装置は、矩形形状を有する半導
体基板の角部の近傍に形成された第1のパッドと、少な
くとも一方端がパッドに接続されたボンディングワイヤ
とを備えている。半導体基板の角部近傍に形成された第
1のパッドを用いることにより、コイルとして使用する
ボンディングワイヤを長くすることができ、大きなイン
ダクタンスを得ることができる。また、一般に半導体基
板の角部は、パッドが形成されていない空き領域となっ
ているため、この領域を用いて第1のパッドを形成する
ことにより、半導体基板表面の有効利用を図ることが可
能になる。また、一般にボンディングワイヤは、半導体
基板の表面から若干隔たった位置に形成されるため、こ
のボンディングワイヤをコイルとして用いた場合に半導
体基板表面に発生する渦電流を低減することができ、高
いQ値を得ることが可能になる。
周辺領域に、内部回路の配線用に用いられる第2のパッ
ドを備えることが望ましい。半導体基板の角部に上述し
た第1のパッドを配置するとともに、それ以外の周辺領
域に内部回路の配線用の第2のパッドを配置することに
より、第2のパッドを形成する領域を減らすことなく、
コイル形成用の第1のパッドおよびこの第1のパッドに
接続されるボンディングワイヤを形成することができ
る。
接する角部に対応する2つの第1のパッド間を連続的に
つなぐ周回状に形成されていることが望ましい。各角部
に形成された第1のパッド間を周回状につなぐことによ
り、半導体基板の限られた表面積に対して大きなインダ
クタンスを得ることができる。
パッドが形成されている場合に、上述したボンディング
ワイヤは、隣接する角部に対応する2つの第1のパッド
間を連続的かつ多重につなぐ周回状に形成されているこ
とが望ましい。これにより、さらに大きなインダクタン
スのコイルを形成することが可能になる。
された複数の第1のパッドは、この角部に隣接する辺に
対して斜め方向に配置されていることが望ましい。一の
角部の形成する複数の第1のパッドを斜め方向に配置す
ることにより、隣接するボンディングワイヤの相互の接
触を回避することができる。
形形状の対角線上に存在する角部に対応する2つの第1
のパッド間に形成されていることが望ましい。対角線上
に形成されたボンディングワイヤを用いることにより、
外周に沿って形成されたボンディングワイヤを用いた場
合に比べて、異なるインダクタンスのコイルを形成する
こと可能になる。
ボンディングワイヤは、第2のパッドに接続されるそれ
以外のボンディングワイヤの形成が終了した後に形成さ
れることが望ましい。これにより、第1のパッドに対応
するボンディングワイヤの形成工程を最後に追加するだ
けでコイルの形成を行うことができるため、工程の変更
を最小限に抑えることができる。
ボンディングワイヤを用いてアンテナ用コイルを形成す
るとともに、このアンテナ用コイルを半導体基板に形成
された回路に接続することが望ましい。これにより、ア
ンテナ用コイルとこれに接続される回路の全体を半導体
基板上に形成することが可能になり、外付け部品として
のアンテナを用いる場合に比べて、部品点数の減少によ
る部品コスト、製造コスト等の低減が可能になる。
ボンディングワイヤを用いてインダクタ用コイルを形成
するとともに、このインダクタ用コイルを半導体基板に
形成された回路に接続することが望ましい。これによ
り、インダクタ用コイルとこれに接続される回路の全体
を半導体基板上に形成することが可能になり、外付け部
品としてのインダクタ用コイルを用いる場合に比べて、
部品点数の減少による部品コスト、製造コスト等の低減
が可能になる。
態の半導体装置について、図面を参照しながら具体的に
説明する。図1は、本実施形態の半導体装置を示す平面
図である。また、図2は図1に示す半導体装置の部分的
な斜視図である。これらの図に示すように、本実施形態
の半導体装置10は、矩形形状の半導体基板12と、こ
の半導体基板12の4箇所の角部近傍に形成された複数
のパッド20と、角部以外の各辺に沿った周辺領域に形
成された複数のパッド30と、隣接するパッド20間を
接続するボンディングワイヤ40とを含んで構成されて
いる。
に形成された2つのパッド20間を連続的につないでい
る。具体的には、一の角部にパッド20aが、この角部
に隣接する角部にパッド20bがそれぞれ形成されてお
り、これら2つのパッド20a、20b間をつなぐよう
にボンディングワイヤ40aが形成されている。また、
パッド20bが形成された角部に隣接する角部にパッド
20cが形成されており、2つのパッド20b、20c
間をつなぐようにボンディングワイヤ40bが形成され
ている。同様に、パッド20cが形成された角部に隣接
する角部にパッド20dが形成されており、2つのパッ
ド20c、20d間をつなぐようにボンディングワイヤ
40cが形成されている。さらに、パッド20aとパッ
ド20dの間であってパッド20aの近傍にパッド32
が形成されており、パッド20d、32間をつなぐよう
にボンディングワイヤ40dが形成されている。このよ
うに、パッド20a、32によってボンディングワイヤ
40a、40dの各一方端を終端するとともに、パッド
20b、20c、20dによってボンディングワイヤ4
0a、40b、40c、40dのそれぞれを中継するす
ることにより、全体として半導体基板12の外周に沿っ
てほぼ1周するコイルが形成されている。
けるボンディングワイヤの形成順序を示す図である。本
実施形態の半導体装置10が配線基板(図示せず)の所
定位置に固定されると、まず最初に、図3に示すよう
に、角部以外の周辺領域に形成されたパッド30に対し
てボンディングワイヤ50を用いたワイヤボンディング
による配線が行われる。この工程は、従来から行われて
いるワイヤボンディング工程と同じである。次に、図1
および図2に示すように、角部あるいは角部近傍に設け
られたパッド20間あるいはパッド20、32間をつな
ぐワイヤボンディングによる配線が行われる。このとき
形成されるボンディングワイヤ40は、隣接するパッド
20間あるいはパッド20とパッド32との間を飛び越
すように形成されるため、その下側に形成されたパッド
30やこのパッド30に接続されたボンディングワイヤ
50から離間した状態を維持することができる。
0によって形成されるコイルは、アンテナ用コイルとし
て使用する場合が考えられる。これにより、アンテナ用
コイルとこれに接続される送信回路や受信回路等の全体
を半導体基板12上に形成することが可能になり、外付
け部品としてのアンテナを用いる場合に比べて部品点数
の減少による部品コストや製造コストの低減が可能にな
る。
0によって形成されるコイルは、インダクタ用コイルと
して使用する場合が考えられる。これにより、インダク
タ用コイルとこれに接続される発振器や同調回路等の全
体を半導体基板12上に形成することが可能になり、外
付け部品としてのインダクタ用コイルアンテナを用いる
場合に比べて部品点数の減少による部品コストや製造コ
ストの低減が可能になる。
近傍に形成されたパッド20を用いることにより、コイ
ルとして使用するボンディングワイヤ40を形成してい
るので、半導体基板12の限られた表面積に対してボン
ディングワイヤ40の長さを長くすることができ、大き
なインダクタンスを得ることができる。
部回路の配線に用いられるパッド30が形成されていな
い空き領域となっているため、この領域を用いてコイル
として使用するボンディングワイヤ40を形成するため
に用いられるパッド20を形成することにより、半導体
基板12表面の有効利用を図ることが可能になる。
体基板12の表面から若干隔たった位置に形成されるた
め、このボンディングワイヤ40をコイルとして用いた
場合に半導体基板12表面に発生する渦電流を低減する
ことができ、高いQ値を得ることが可能になる。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変
形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、
半導体基板12の周辺に沿ってほぼ1周するようにボン
ディングワイヤ40を形成したが、この周回数を1周未
満あるいは2周以上に設定するようにしてもよい。
を2回に設定した半導体装置10Aを示す平面図であ
る。図4に示すように、半導体基板12の一の角部近傍
には、パッド20、24、32が形成されている。2つ
のパッド20、32は、一方がコイルの巻始めに、他方
が巻終わりに対応している。パッド24は、外周側コイ
ルを構成するボンディングワイヤ40と内周側コイルを
構成するボンディングワイヤ42とが接続されており、
これらの各コイルを中継接続する。
0、22が形成されている。これら2つのパッド20、
22は、対応する角部に隣接する辺に対して斜め方向に
配置されている。一方のパッド20は、外周側コイルを
構成する2本のボンディングワイヤ40が接続されてお
り、これらを中継する。他方のパッド22は、内周側コ
イルを構成する2本のボンディングワイヤ42が接続さ
れており、これらを中継する。
を2あるいはそれ以上に設定することにより、大きなイ
ンダクタンスを有するコイルを形成することが可能にな
る。また、図4に示すように、角部近傍においてパッド
20、22を斜め方向に配置することにより、これらの
パッド20、22を中継して形成される外周側コイルと
内周側コイルが重なることを防止して、隣接するボンデ
ィングワイヤ40、42の相互の接触を回避することが
できる。
12の周辺に沿ってボンディングワイヤ40を形成した
が、矩形形状を有する半導体基板12の対角線上に存在
する角部に形成されたパッド20をボンディングワイヤ
で接続するようにしてもよい。
する2つのパッド20間をボンディングワイヤ40Bを
介して接続したコイルを有する半導体装置10Bの概略
的な平面図である。図5に示すように、対角線に沿って
形成されたボンディングワイヤを用いることにより、あ
るいはこのボンディングワイヤと図1等に示したボンデ
ィングワイヤ40等を組み合わせることにより、半導体
基板12の周辺に沿ってボンディングワイヤ40を単に
周回させた場合と異なるインダクタンスを有するコイル
を形成することが可能になり、用途に応じて使い分ける
ことができる。
12上に1つのコイルを形成する場合を説明したが、半
導体基板12の表面を区切って、2種類あるいはそれ以
上の数のコイルを形成するようにしてもよい。図6は、
半導体基板12上に2種類のコイルが形成された半導体
装置10Cの概略的な構成を示す平面図である。図6に
示すように、半導体基板12の表面を2つの領域に分割
した場合を想定し、各分割領域の周辺に沿って別々にボ
ンディングワイヤを形成することにより、2種類のコイ
ルが形成することが可能になる。これらのコイルの用途
としては、一方をアンテナ用コイルとして使用し、他方
をインダクタ用コイルとして使用する場合や、一方を送
信用のアンテナ用コイルとして使用し、他方を受信用の
アンテナコイルとして使用する場合等が考えられる。
れば、半導体基板の角部近傍に形成された第1のパッド
を用いることにより、コイルとして使用するボンディン
グワイヤを長くすることができ、大きなインダクタンス
を得ることができる。また、一般に半導体基板の角部
は、パッドが形成されていない空き領域となっているた
め、この領域を用いて第1のパッドを形成することによ
り、半導体基板表面の有効利用を図ることが可能にな
る。また、一般にボンディングワイヤは、半導体基板の
表面から若干隔たった位置に形成されるため、このボン
ディングワイヤをコイルとして用いた場合に半導体基板
表面に発生する渦電流を低減することができ、高いQ値
を得ることが可能になる。
る。
順序を示す図である。
半導体装置を示す平面図である。
間をボンディングワイヤを介して接続したコイルを有す
る半導体装置の概略的な平面図である。
導体装置の概略的な構成を示す平面図である。
す図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 矩形形状を有する半導体基板の角部の近
傍に形成された第1のパッドと、 少なくとも一方端が前記パッドに接続されたボンディン
グワイヤと、 を備えることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記半導体基板は、前記角部を除く周辺領域に、内部回
路の配線用に用いられる第2のパッドを備えることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 請求項1または2において、 前記ボンディングワイヤは、隣接する角部に対応する2
つの前記第1のパッド間を連続的につなぐ周回状に形成
されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 請求項1または2において、 前記第1のパッドは、一の前記角部に対応して複数個が
形成されており、 前記ボンディングワイヤは、隣接する角部に対応する2
つの前記第1のパッド間を連続的かつ多重につなぐ周回
状に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 請求項4において、 一つの前記角部に対応して形成された複数の前記第1の
パッドは、この角部に隣接する辺に対して斜め方向に配
置されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項6】 請求項1または2において、 前記ボンディングワイヤは、前記矩形形状の対角線上に
存在する角部に対応する2つの前記第1のパッド間に形
成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項7】 請求項2において、 前記第1のパッドに接続される前記ボンディングワイヤ
は、前記第2のパッドに接続されるそれ以外のボンディ
ングワイヤの形成が終了した後に形成されることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項8】 請求項1〜7のいずれかにおいて、 前記第1のパッドに接続された前記ボンディングワイヤ
を用いてアンテナ用コイルを形成するとともに、このア
ンテナ用コイルを前記半導体基板に形成された回路に接
続することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項9】 請求項1〜7のいずれかにおいて、 前記第1のパッドに接続された前記ボンディングワイヤ
を用いてインダクタ用コイルを形成するとともに、この
インダクタ用コイルを前記半導体基板に形成された回路
に接続することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001224893A JP5214082B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 半導体装置 |
US10/482,012 US6858946B2 (en) | 2001-07-25 | 2002-06-26 | Semiconductor device |
PCT/JP2002/006400 WO2003010824A1 (fr) | 2001-07-25 | 2002-06-26 | Dispositif a semi-conducteur |
TW091114616A TWI272700B (en) | 2001-07-25 | 2002-07-02 | Semiconductor device having a coil with large value of Q |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001224893A JP5214082B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003037176A true JP2003037176A (ja) | 2003-02-07 |
JP5214082B2 JP5214082B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=19057980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001224893A Expired - Fee Related JP5214082B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6858946B2 (ja) |
JP (1) | JP5214082B2 (ja) |
TW (1) | TWI272700B (ja) |
WO (1) | WO2003010824A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7295161B2 (en) | 2004-08-06 | 2007-11-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements |
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-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001224893A patent/JP5214082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-26 US US10/482,012 patent/US6858946B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-26 WO PCT/JP2002/006400 patent/WO2003010824A1/ja active Application Filing
- 2002-07-02 TW TW091114616A patent/TWI272700B/zh not_active IP Right Cessation
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---|---|
WO2003010824A1 (fr) | 2003-02-06 |
TWI272700B (en) | 2007-02-01 |
US20040173911A1 (en) | 2004-09-09 |
US6858946B2 (en) | 2005-02-22 |
JP5214082B2 (ja) | 2013-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080630 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100629 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |