JP2005333004A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005333004A JP2005333004A JP2004150441A JP2004150441A JP2005333004A JP 2005333004 A JP2005333004 A JP 2005333004A JP 2004150441 A JP2004150441 A JP 2004150441A JP 2004150441 A JP2004150441 A JP 2004150441A JP 2005333004 A JP2005333004 A JP 2005333004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- semiconductor device
- node
- inductors
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/10—Inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】
インダクタの配置に必要な占有面積を低減できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】
半導体基板上に平面形状が多角形ないし円形状の2以上のインダクタ1、2を備え、各インダクタは、互いにスパイラル部分の中心が一致するように配置されることを特徴とする。
【選択図】
図1
インダクタの配置に必要な占有面積を低減できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】
半導体基板上に平面形状が多角形ないし円形状の2以上のインダクタ1、2を備え、各インダクタは、互いにスパイラル部分の中心が一致するように配置されることを特徴とする。
【選択図】
図1
Description
本発明は、半導体基板上にインダクタを塔載した半導体装置に関し、特に、インダクタの配置に必要な占有面積を低減できる半導体装置に関する。
高周波LSIでは、LC電圧制御型発振器(LCVCO:LC Voltage Controlled Oscillater)等の高周波回路に使用する目的でインダクタを塔載する場合があり、例えば、異なる発振周波数を有する複数のLCVCOを設計するために複数のインダクタを塔載する高周波LSIがある。
高周波LSIにおいて、例えば、LCVCOを構成する主要な素子としてトランジスタの他にインダクタ、容量がある。1つのLCVCOに対して少なくとも1つのインダクタが必要であるので、複数のLCVCOをLSIに塔載する場合は、複数のインダクタが必要になる。従来の半導体装置では、必要な数だけインダクタを配置するための領域を確保し、インダクタを配置していた。
例えば、2つのインダクタを配置するには、1つのインダクタを配置するのに要する面積の約2倍の面積が必要になる。1つのインダクタを配設するのに要する占有面積は40000μm2以上となることがあるため、半導体基板上に複数のインダクタを配置する場合、著しく占有面積が増大し、チップの製造コストが増大する。
本発明の目的は、インダクタの配置に必要な占有面積を低減できる半導体装置を提供することである。
本発明の第1の視点においては、半導体装置において、半導体基板上に平面形状が多角形ないし円形状の2以上のインダクタを備え、各前記インダクタは、互いに多角形ないし円形部分の中心が一致するように配置されることを特徴とする。
本発明の第2の視点においては、半導体装置において、半導体基板上にスパイラル状の第1のインダクタ及び第2のインダクタを備え、前記第1のインダクタ及び前記第2のインダクタは、互いにスパイラル部分の中心が一致するように配置され、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとは、直列に接続され、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタの間を結ぶ配線から分岐して引き出された引出し配線を有することを特徴とする。
また、本発明の前記半導体装置において、前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタと交差する部分を迂回するコンタクト及び導電層を有することが好ましい。
また、本発明の前記半導体装置において、前記第2のインダクタは、前記第1のインダクタと交差する部分を迂回するコンタクト及び導電層を有することが好ましい。
また、本発明の前記半導体装置において、前記第1のインダクタのノード、前記第2のインダクタのノード、及び前記引出し配線のノードは、それぞれ内部回路に電気的に接続されており、前記引出し配線のノードと前記内部回路の間、及び、前記第2のインダクタのノードと前記内部回路の間のそれぞれの配線上には、スイッチが配設されることが好ましい。
本発明(請求項1−5)によれば、複数のインダクタを1箇所にまとめることで、インダクタの配置に必要な占有面積を低減できる。
本発明(請求項5)によれば、内部回路で使用する巻き数の異なるインダクタを選択的に用いることができる。
本発明の実施形態1について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る半導体装置におけるインダクタの構成の一例を模式的に示したレイアウト図である。図2は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示したA−A間の部分断面図である。
実施形態1の半導体装置においては、半導体基板10(例えば、シリコン)上に層間絶縁膜11(例えば、酸化シリコン)が形成され、この層間絶縁膜11上に多角形状(図1では、矩形状)の第1のインダクタ1及び第2のインダクタ2が形成され、第1のインダクタ1及び第2のインダクタ2を含む層間絶縁膜11上に保護絶縁膜13(例えば、酸化シリコン)が形成されている。第1のインダクタ1は、平面方向から見ると第2のインダクタ2と所定の間隔をおいて第2のインダクタ2の外周側に配されており(図1参照)、断面方向から見ると第2のインダクタ2と同一の層に配されている(図2参照)。第1のインダクタ1の中心(対角線上の中心、重心)は、第2のインダクタ2の中心(対角線上の中心、重心)と一致している。第1のインダクタ1及び第2のインダクタ2は、例えば、アルミニウム、銅等の導電材料から構成される。第1のインダクタ1のノード1a及びノード1bは、例えば、LCVCO等の内部回路(図示せず)に接続される。第2のインダクタ2のノード2a及びノード2bは、第1のインダクタ1に係る内部回路とは別の内部回路(図示せず)に接続される。
次に、実施形態1に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、半導体基板10上に所定の絶縁性薄膜を形成し、これを所定の形状にパターニングして層間絶縁膜11を形成する。次に、所定の導電性薄膜を形成し、これを所定の形状にパターニングして第1のインダクタ1及び第2のインダクタ2を形成する。最後に、保護絶縁膜13を形成する。
なお、図1の構成では2つのインダクタを有する半導体装置の一形態を示したが、図3のように3つ又はそれ以上のインダクタを有する構成であってもよい。この場合、各インダクタ1、2、9は全て同一の導電層で構成され、いずれのインダクタの中心(矩形状部分の対角線上の中心、重心)と一致する。また、各インダクタの平面形状は、多角形状に限定されるものではなく、円形状等であってもよい。
実施形態1によれば、従来は異なるエリアに配置されていた2つのインダクタを、インダクタの中心を一致させることで、1つのエリアに2つのインダクタを配置できる。そのため、インダクタの配置に必要な占有領域を削減できるので、チップコストを下げることができる。また、1つの領域に3つ以上のインダクタを配置することで、さらに効果的にインダクタの配置に必要な占有面積を低減できる。
次に、本発明の実施形態2について図面を用いて説明する。図4は、本発明の実施形態2に係る半導体装置におけるインダクタの構成の一例を模式的に示したレイアウト図である。図5は、本発明の実施形態2に係る半導体装置の構成を模式的に示したB−B間の部分断面図である。図6は、本発明の実施形態2に係る半導体装置におけるインダクタの回路図である。
実施形態2の半導体装置においては、半導体基板10上に第1の層間絶縁膜11及び第2の層間絶縁膜12が順次積層され、第1の層間絶縁膜11乃至第2の層間絶縁膜12上に第1のインダクタ3及び第2のインダクタ4が形成されている。第1のインダクタ3及び第2のインダクタ4のそれぞれの中心(スパイラルの中心、重心)は、一致している。第1のインダクタ3及び第2のインダクタ4は、ノード3aとノード4aの間で直列に接続された形態で配置されており、第1のインダクタ3と第2のインダクタ4の間を結ぶ配線の分岐点Yから分岐してノード5aへの引出し配線5が引き出されている。
第1のインダクタ3及び第2のインダクタ4は、下層導電層6、上層導電層7、コンタクト8で構成されている。下層導電層6は、断面方向から見て第1の層間絶縁膜11の表面に形成され(図5参照)、平面方向から見て上層導電層7のおける第1のインダクタ3と第2のインダクタ4のいずれか一方が分離した部位を結び付ける構成となっており、平面方向から見て上層導電層7と重なる部分を有する(図4参照)。上層導電層7は、断面方向から見て第2の層間絶縁膜12の表面に形成され(図5参照)、平面方向から見て第1のインダクタ3と第2のインダクタ4とが交差する部位について第1のインダクタ3と第2のインダクタ4のいずれか一方が分離した構成となっている(図4参照)。下層導電層6及び上層導電層7には、例えば、アルミニウム、銅等の導電材料が用いられる。コンタクト8は、断面方向から見て第2の層間絶縁膜12に形成されたビアに充填された導電部であり(図5参照)、平面方向から見て下層導電層6と上層導電層7が重なる部分に配されており(図4参照)、下層導電層6と上層導電層7とを電気的に接続する。なお、コンタクト8は、上層導電層7と一体的に形成するものであってもよい。
ノード3a、ノード4a、及びノード5aは、例えば、LCVCO等の内部回路(図示せず)に電気的に接続されており、ノード5aと内部回路の間、及び、ノード4aと内部回路の間のそれぞれの配線上には、トランジスタ等によるスイッチ(図示せず)が配置される。これらのスイッチの制御により、内部回路で使用するインダクタを、スパイラルを1回巻いたもの(第1のインダクタ3)と、同じく3回巻いたもの(第1のインダクタ3+第2のインダクタ4)と、で選択することができる。なお、インダクタの巻き数は、1回、3回に限定されるものではない。
次に、実施形態2に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、半導体基板10上に所定の絶縁性薄膜を形成し、これを所定の形状にパターニングして第1の層間絶縁膜11を形成する。次に、所定の導電性薄膜を形成し、これを所定の形状にパターニングして下層導電層6を形成する。次に、第2の層間絶縁膜12を形成し、これを所定の形状にパターニングしてビアを形成する。次に、第2の層間絶縁膜12のビア内にコンタクト8を形成する。次に、所定の導電性薄膜を形成し、これを所定の形状にパターニングして上層導電層7を形成する。最後に、保護絶縁膜13を形成する。なお、コンタクト8の形成については、上層導電層7と同時に形成するものであってもよい。
スパイラルの巻き数の多いインダクタは、1回だけ巻いたインダクタと比べて、インダクタの中心の空き領域が狭くなるとともに、インダクタを配置するのに要する面積が大きくなる傾向があるため、2つのインダクタを同じ位置にレイアウトすることが困難であるが、実施形態2によれば、1回巻き(第1のインダクタ3)と3回巻き(第1のインダクタ3+第2のインダクタ4)のインダクタを同じ場所にレイアウトできる。
1、3 第1のインダクタ
1a、1b、2a、2b、3a、4a、5a ノード
2、4 第2のインダクタ
5 引出し線
6 下層導電層
7 上層導電層
8 コンタクト
9 第3のインダクタ
10 半導体基板
11 層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)
12 第2の層間絶縁膜
13 保護絶縁膜
1a、1b、2a、2b、3a、4a、5a ノード
2、4 第2のインダクタ
5 引出し線
6 下層導電層
7 上層導電層
8 コンタクト
9 第3のインダクタ
10 半導体基板
11 層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)
12 第2の層間絶縁膜
13 保護絶縁膜
Claims (5)
- 半導体基板上に平面形状が多角形ないし円形状の2以上のインダクタを備え、
各前記インダクタは、互いに多角形ないし円形部分の中心が一致するように配置されることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に平面形状がスパイラル状の第1のインダクタ及び第2のインダクタを備え、
前記第1のインダクタ及び前記第2のインダクタは、互いにスパイラル部分の中心が一致するように配置され、
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとは、直列に接続され、
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタの間を結ぶ配線から分岐して引き出された引出し配線を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のインダクタは、前記第2のインダクタと交差する部分を迂回するコンタクト及び導電層を有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記第2のインダクタは、前記第1のインダクタと交差する部分を迂回するコンタクト及び導電層を有することを特徴とする請求項2又は3記載の半導体装置。
- 前記第1のインダクタのノード、前記第2のインダクタのノード、及び前記引出し配線のノードは、それぞれ内部回路に電気的に接続されており、
前記引出し配線のノードと前記内部回路の間、及び、前記第2のインダクタのノードと前記内部回路の間のそれぞれの配線上には、スイッチが配設されることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004150441A JP2005333004A (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 半導体装置 |
US11/111,786 US20050258508A1 (en) | 2004-05-20 | 2005-04-22 | Semiconductor device with inductors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004150441A JP2005333004A (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005333004A true JP2005333004A (ja) | 2005-12-02 |
Family
ID=35374405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004150441A Withdrawn JP2005333004A (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050258508A1 (ja) |
JP (1) | JP2005333004A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008263074A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI319232B (en) | 2006-10-02 | 2010-01-01 | Via Tech Inc | On-chip inductor |
US8143987B2 (en) | 2010-04-07 | 2012-03-27 | Xilinx, Inc. | Stacked dual inductor structure |
US9111675B1 (en) | 2010-04-07 | 2015-08-18 | Xilinx, Inc. | Stacked inductor structure |
US8717723B2 (en) | 2012-01-10 | 2014-05-06 | Xilinx, Inc. | Driver circuit and method of generating an output signal |
US9048017B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-06-02 | Xilinx, Inc. | Circuits for and methods of implementing a gain stage in an integrated circuit |
JP2017098334A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI645428B (zh) * | 2016-11-25 | 2018-12-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 積體電感 |
-
2004
- 2004-05-20 JP JP2004150441A patent/JP2005333004A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-04-22 US US11/111,786 patent/US20050258508A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008263074A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050258508A1 (en) | 2005-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7339452B2 (en) | Embedded inductor and application thereof | |
JP2022174321A (ja) | チップインダクタおよびその製造方法 | |
US20070090911A1 (en) | Embedded inductor element and chip package applying the same | |
JP2008060342A (ja) | 電子部品モジュールおよび電子部品モジュール製造方法 | |
JP2018174306A (ja) | チップインダクタおよびその製造方法 | |
US20090066457A1 (en) | Electronic device having transformer | |
KR101216946B1 (ko) | 온칩 적층형 스파이럴 인덕터 | |
JP2009130331A (ja) | 電子部品モジュール | |
US20150364241A1 (en) | Solenoidal series stacked multipath inductor | |
EP1498913B1 (en) | High-Q inductor for high frequency | |
JP2005333004A (ja) | 半導体装置 | |
JP7473437B2 (ja) | 電子部品 | |
JPH1074625A (ja) | インダクタ素子 | |
CN114127971A (zh) | 用于制造集成电感器和相关半导体器件的技术、电子系统和方法 | |
JP2005167468A (ja) | 電子装置および半導体装置 | |
JP2010192722A (ja) | 配線基板とその製造方法、チューナモジュール、及び電子機器 | |
JP2006066769A (ja) | インダクタ及びその製造方法 | |
JP2009266908A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
KR100863009B1 (ko) | 인덕터가 내장된 기판 구조체 및 그 제조방법 | |
US7502218B2 (en) | Multi-terminal capacitor | |
JPH10208940A (ja) | インダクタ素子 | |
JP5138260B2 (ja) | チップ型電子部品 | |
JP5358460B2 (ja) | 小型低損失インダクタ素子 | |
KR100218676B1 (ko) | 스피럴 인덕터의 구조 | |
JP6575312B2 (ja) | Lc複合デバイスおよびプロセッサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |