JP2008263074A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インダクタ3,4は、シリコン基板9の上方から見た場合に、シリコン基板9の主表面の面内方向に沿って並べられる。インダクタ3,4は、シリコン基板9の上方から見た場合に、主表面の所定の領域RGを囲むように渦巻状に形成される。フィルタ50には複数のインダクタが含まれるので、急峻な減衰特性を得ることが可能になる。領域RGを囲むようにインダクタ3,4を渦巻状に形成することによって、インダクタ3,4をシリコン基板9の主表面の面内方向に単に並べて配置するよりもインダクタ3,4の占有面積を小さくできる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置の要部を示す透過平面図である。なお図1は、半導体基板の上方から半導体装置を見た図である。
図10は、本発明の実施の形態2による半導体装置の要部を示す透過平面図である。図10、および図1を参照して、フィルタ50Aは、インダクタ4の終端部と出力端子2とを接続する接続部21、および、シールド22をさらに備える点でフィルタ50と異なる。シールド22は、インダクタ3とシリコン基板9との間およびインダクタ4とシリコン基板9との間に配置される。なお図10では、図1と同様にインダクタ3を実線Aで示し、インダクタ4を破線Bで示す。
図16は、本発明の実施の形態3による半導体装置の要部を示す透過平面図である。図17は、図16のフィルタ50Bの等価回路図である。図16および図17を参照して、フィルタ50Bは、入力端子1と、出力端子2と、インダクタ3と、インダクタ4と、接続部21と、容量25とを備える。実施の形態1,2と同様にインダクタ3を実線Aで示し、インダクタ4を破線Bで示す。インダクタ3とインダクタ4とはともに、点Oを中心とする正方形(領域RG)を囲むように渦巻状に形成される。インダクタ3とインダクタ4とでは渦を巻く方向が逆である。
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板の上方から見た場合に、前記半導体基板の主表面の面内方向に沿って並べられる第1および第2のインダクタとを備え、
前記第1および第2のインダクタは、前記半導体基板の上方から見た場合に、前記主表面の所定の領域を囲むように渦巻状に形成される、半導体装置。 - 前記第1および第2のインダクタは、前記所定の領域内に位置する共通の中心点の周りに配置され、
前記第1のインダクタの直径は、前記第2のインダクタの直径と異なる、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記所定の領域の形状は、正方形であり、
前記共通の中心点は、前記正方形の中心点である、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1および第2のインダクタの各々は、
前記半導体基板上に積層され、かつ互いに接続された複数の配線を含む、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の配線のうちの1つの配線の厚みは、他の配線の厚みよりも小さく、
前記1つの配線の幅は、前記他の配線の幅より広い、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記所定の領域に配置される容量をさらに備える、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記容量は、複数の容量素子を含み、
前記半導体装置は、
前記複数の容量素子を接続する配線をさらに備え、
前記配線は、前記半導体基板の上方から見た場合に、閉ループを含まないように形成される、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、入力端子と出力端子とをさらに備え、
前記第1および第2のインダクタは、前記入力端子と前記出力端子との間に直列に接続され、
前記容量は、前記第1および第2のインダクタの接続点と、接地ノードとの間に接続される、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、入力端子と出力端子とをさらに備え、
前記第1のインダクタは、前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第2のインダクタの一方端は、前記出力端子に接続され、
前記容量は、前記第2のインダクタの他方端と接地ノードとの間に接続される、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、
前記絶縁層内において、前記半導体基板と前記第1のインダクタとの間、および、前記半導体基板と前記第2のインダクタとの間に設けられ、基準電位と接続されるシールド部をさらに備え、
前記シールド部は、
前記第1および第2のインダクタを構成する配線と直交する複数の配線を含む、請求項1に記載の半導体装置。
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JP2007105007A JP2008263074A (ja) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | 半導体装置 |
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JP2007105007A Pending JP2008263074A (ja) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | 半導体装置 |
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JP (1) | JP2008263074A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2007
- 2007-04-12 JP JP2007105007A patent/JP2008263074A/ja active Pending
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