JP2003035948A - ポジ型感放射線性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 活性光線の照射によるパターン形成におい
て、高感度、高解像度を示すポジ型感放射線性組成物を
提供すること。 【解決手段】 （Ａ）活性光線の照射により酸を発生す
る特定の構造の化合物少なくとも１種、及び（Ｂ）酸の
作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大
させる基を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ
型感放射線性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷板やＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基
板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程
に使用されるポジ型感放射線性組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】平版印刷板やＩＣ等の半導体製造工程、
液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更にその他
のフォトファブリケーション工程に使用される感光性組
成物としては、種々の組成物があり、一般的にフォトレ
ジスト感光性組成物が使用され、それは大きく分けると
ポジ型とネガ型の２種ある。ポジ型フォトレジスト感光
性組成物の一つとして、米国特許第４,４９１,６２８
号、欧州特許第２４９,１３９号等に記載されている化
学増幅系レジスト組成物がある。化学増幅系ポジ型レジ
スト組成物は、遠紫外光などの放射線の照射により露光
部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、
活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性
を変化させパターンを基板上に形成させるパターン形成
材料である。

【０００３】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタール又はＯ，Ｎ−アセタール化
合物との組合せ（特開昭４８−８９００３号）、オルト
エステル又はアミドアセタール化合物との組合せ（特開
昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセタール又はケタ
ール基を有するポリマーとの組合せ（特開昭５３−１３
３４２９号）、エノールエーテル化合物との組合せ（特
開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシルイミノ炭酸化合
物との組合せ（特開昭５５−１２６２３６号）、主鎖に
オルトエステル基を有するポリマーとの組合せ（特開昭
５６−１７３４５号）、第３級アルキルエステル化合物
との組合せ（特開昭６０−３６２５号）、シリルエステ
ル化合物との組合せ（特開昭６０−１０２４７号）、及
びシリルエーテル化合物との組合せ（特開昭６０−３７
５４９号、特開昭６０−１２１４４６号）等を挙げるこ
とができる。これらは原理的に量子収率が１を越えるた
め、高い感光性を示す。

【０００４】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭５９−４５４３９号、特開昭
６０−３６２５号、特開昭６２−２２９２４２号、特開
昭６３−２７８２９号、特開昭６３−３６２４０号、特
開昭６３−２５０６４２号、Polym.Eng.Sce.,２３巻、
１０１２頁（１９８３）；ACS.Sym.２４２巻、１１頁
（１９８４）；Semiconductor World １９８７年、１１
月号、９１頁；Macromolecules,２１巻、１４７５頁
（１９８８）；SPIE,９２０巻、４２頁（１９８８）等
に記載されている露光により酸を発生する化合物と、第
３級又は２級炭素（例えばt−ブチル、２−シクロヘキ
セニル）のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ
系が挙げられる。これらの系も高感度を有し、遠紫外光
領域での吸収が小さいことから、超微細加工が可能な光
源短波長化に有効な系となり得る。

【０００５】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有しアルカリ可溶性
樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系と、酸と
の反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂
と光酸発生剤からなる２成分系に大別できる。これら２
成分系あるいは３成分系のポジ型化学増幅レジストにお
いては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させて、
熱処理後現像してレジストパターンを得るものである。

【０００６】これらポジ型化学増幅レジストは、上述し
たように、超微細加工が可能な光源の短波長化に有効な
系となり得るものであるが、さらに解像力の向上が求め
られている。光酸発生剤としては、トリアリールスルホ
ニウム塩、フェナシルスルホニウム塩、ヨードニウム塩
等がよく知られている。特開２０００−２９２９１７号
には酸分解性重合体とトリフェニルスルホニウム塩とフ
ェナシルスルホニウム塩の酸発生剤混合物を含有するレ
ジスト組成物が記載されている。トリアリールスルホニ
ウム塩は光酸発生能に優れるが、吸収が大きいため、感
度向上のために多量に添加するとレジスト膜の光透過率
が低下してしまい、テーパーと呼ばれるプロファイルに
なってしまう。一方、フェナシルスルホニウム塩は吸収
は比較的小さいものの、光酸発生能が低いため、これを
用いたレジストは、感度が低下してしまうという問題が
あった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、活性光線の照射によるパターン形成において、
高感度、高解像度を示すポジ型感放射線性組成物を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
した結果、活性光線の照射により酸を発生する化合物と
して特定の構造の化合物を用いることによって、上記目
的を達成し得ることを見出し、本発明に至った。

【０００９】（１） （Ａ）活性光線の照射により酸を
発生する下記式（Ｉ）に示す化合物少なくとも１種、及
び（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での
溶解度を増大させる基を有する樹脂を含有することを特
徴とするポジ型感放射線性組成物。

【００１０】

【化４】

【００１１】式（Ｉ）中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アル
キルオキシカルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ₁〜
Ｒ₅のうち少なくとも２つ以上が結合して環構造を形成
してもよい。Ｒ₆及びＲ₇は、水素原子、アルキル基、シ
アノ基又はアリール基を表す。Ｙ₁及びＹ₂は、アルキル
基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳
香族基を表し、Ｙ₁とＹ₂とが結合して環を形成してもよ
い。Ｙ₃は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^-は、
非求核性アニオンを表す。但し、Ｒ₁からＲ₅の少なくと
も１つとＹ₁又はＹ₂の少なくとも一つが結合して環を形
成するか、若しくは、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つとＲ
₆又はＲ₇の少なくとも１つが結合して環を形成する。
尚、Ｒ₁からＲ₇のいずれか、若しくは、Ｙ₁又はＹ₂のい
ずれかの位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構
造を２つ以上有していてもよい。

【００１２】（２）（Ａ）の化合物が下記一般式（Ｉ
Ａ）または（ＩＢ）で表される化合物であることを特徴
とする前記（１）に記載のポジ型感放射線性組成物。

【化５】

【００１３】式（ＩＡ）中、Ｒ₁〜Ｒ₄、Ｒ₇、Ｙ₁、Ｙ₂
及びＸ^-は、上記式（Ｉ）中のものと同様であり、Ｙ
は、単結合又は２価の連結基を表す。式（ＩＢ）中、Ｒ
₁〜Ｒ₄、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｙ₁及びＸ^-は、上記式（Ｉ）中のも
のと同様であり、Ｙは、単結合又は２価の連結基を表
す。

【００１４】（３） （Ｃ）酸により分解しうる基を有
し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大
する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を更
に含有することを特徴とする、前記（１）又は（２）に
記載のポジ型感放射線性組成物。

【００１５】（４） （Ａ）活性光線の照射により酸を
発生する下記式（Ｉ）に示す化合物少なくとも１種、
（Ｃ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
での溶解度が酸の作用により増大する、分子量３０００
以下の低分子溶解阻止化合物、及び（Ｄ）水に不溶でア
ルカリ現像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とする
ポジ型感放射線性組成物。

【００１６】

【化６】

【００１７】式（Ｉ）中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アル
キルオキシカルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ₁〜
Ｒ₅のうち少なくとも２つ以上が結合して環構造を形成
してもよい。Ｒ₆及びＲ₇は、水素原子、アルキル基、シ
アノ基又はアリール基を表す。Ｙ₁及びＹ₂は、アルキル
基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳
香族基を表し、Ｙ₁とＹ₂とが結合して環を形成してもよ
い。Ｙ₃は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^-は、
非求核性アニオンを表す。但し、Ｒ₁からＲ₅の少なくと
も１つとＹ₁又はＹ₂の少なくとも一つが結合して環を形
成するか、若しくは、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つとＲ
₆又はＲ₇の少なくとも１つが結合して環を形成する。
尚、Ｒ₁からＲ₇のいずれか、若しくは、Ｙ₁又はＹ₂のい
ずれかの位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構
造を２つ以上有していてもよい。

【００１８】尚、本発明においては、照射用のエネルギ
ー線として電子線を使用した場合でも優れた性能を示す
ことができる。電子線で照射する場合、入射する電子が
電荷を持ち、レジストを構成する物質の原子核や電子と
相互作用を及ぼしあうため、電子線がレジスト膜に入射
すれば必ず散乱が起こり、そのためパターンプロファイ
ルが劣化するという問題があった。また、微細パターン
を解像するためにビーム径を絞って照射してもこの散乱
によって照射面積が広がり解像力が劣化するという問題
もあった。本発明の組成物は、これらの電子線照射によ
る問題も見事に解決できた。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明は、 １． （Ａ）活性光線の照射により酸を発生する上記式
（Ｉ）に示す化合物を少なくとも１種、及び（Ｂ）酸の
作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大
させる基を有する樹脂を必須成分として含有するポジ型
感放射線性組成物（以下「第１組成物」ともいう）と、 ２． （Ａ）活性光線の照射により酸を発生する上記式
（Ｉ）に示す化合物を少なくとも１種、（Ｃ）酸の作用
により分解し、アルカリ現像液への溶解性が増大する分
子量３０００以下の化合物、及び（Ｄ）水に不溶でアル
カリ現像液に可溶な樹脂（以下単にアルカリ可溶性樹脂
とも言う。）を必須成分として含有するポジ型感放射線
性組成物（以下「第２組成物」ともいう）を包含する。
以下、単にポジ型感放射線性組成物あるいは組成物と称
する場合は、第１組成物及び第２組成物の両者を含む。
また、本発明において、活性光線とは、遠紫外線（Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー）、電子
線、Ｘ線、イオン線を表す。

【００２０】以下、まずこれらポジ型感放射線性組成物
に含有される化合物、樹脂等の成分について詳細に説明
する。

【００２１】〔組成物に含有される各成分の説明〕 〔１〕 （Ａ）活性光線の照射により酸を発生する上記
式（Ｉ）に示す化合物（以下単に（Ａ）成分又は酸発生
剤ともいう） 本発明に用いられる酸発生剤は、活性光線又は放射線の
照射により酸を発生する上記式（Ｉ）に示す化合物であ
り、式（ＩＡ）又は式（ＩＢ）で示される化合物がより
好ましい。式（Ｉ）中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキ
ルオキシカルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₅
のうち少なくとも２つ以上が結合して環構造を形成して
もよい。Ｒ₆及びＲ₇は、水素原子、アルキル基、シアノ
基又はアリール基を表す。Ｙ₁及びＹ₂は、アルキル基、
アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族
基を表し、Ｙ₁とＹ₂とが結合して環を形成してもよいＹ
₃は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^-は、非求核
性アニオンを表す。但し、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つ
とＹ₁又はＹ₂の少なくとも一つが結合して環を形成する
か、若しくは、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つとＲ₆又は
Ｒ₇の少なくとも１つが結合して環を形成する。尚、Ｒ₁
からＲ₇のいずれか、若しくは、Ｙ₁又はＹ₂のいずれか
の位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２
つ以上有していてもよい。

【００２２】Ｒ₁〜Ｒ₇のアルキル基は、置換あるいは無
置換のアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜５のア
ルキル基であり、無置換のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ
る。Ｒ₁〜Ｒ₅のアルコキシ基及びアルキルオキシカルボ
ニル基におけるアルコキシ基は、置換あるいは無置換の
アルコキシ基であり、好ましくは炭素数１〜５のアルコ
キシ基であり、無置換のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等を挙げることができる。Ｒ₁〜Ｒ₇、Ｙ₁、Ｙ₂のアリ
ール基は、置換あるいは無置換のアリール基であり、好
ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、無置換の
アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、
ナフチル基等を挙げることができる。Ｒ₁〜Ｒ₅のハロゲ
ン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子等を挙げることができる。

【００２３】Ｙ₁及びＹ₂のアルキル基は、置換あるいは
無置換のアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜３０
のアルキル基である。無置換のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しく
は分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノル
ボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げるこ
とができる。

【００２４】Ｙ₁及びＹ₂のアラルキル基は、置換あるい
は無置換のアラルキル基であり、好ましくは炭素数７〜
１２のアラルキル基であり、無置換のアラルキル基とし
ては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等
を挙げることができる。

【００２５】ヘテロ原子を含む芳香族基とは、例えば炭
素数４〜１４のアリール基等の芳香族基に、ヘテロ原
子、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する
基を表す。Ｙ₁及びＹ₂のヘテロ原子を含む芳香族基とし
ては、置換あるいは無置換のヘテロ原子を含む芳香族基
であり、無置換のものとしては、例えば、フラン、チオ
フェン、ピロール、ピリジン、インドール等の複素環式
芳香族炭化水素基が挙げられる。

【００２６】Ｙ₁とＹ₂とは結合して、式（Ｉ）中のＳ⁺
とともに、環を形成してもよい。この場合、Ｙ₁とＹ₂と
が結合して形成する基としては、例えば、炭素数４〜１
０のアルキレン基、好ましくはブチレン基、ペンチレン
基、ヘキシレン基、特に好ましくはブチレン基、ペンチ
レン基を挙げることができる。また、Ｙ₁とＹ₂と結合し
て、式（Ｉ）中のＳ⁺とともに形成した環の中に、ヘテ
ロ原子を含んでいても良い。

【００２７】上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコ
キシカルボニル基、アリール基、アラルキル基の各々
は、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ま
しくは炭素数１〜５)等で置換されていてもよい。更に
アリール基、アラルキル基については、アルキル基（好
ましくは炭素数１〜５）で置換されていてもよい。ま
た、アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子が好ま
しい。

【００２８】Ｙ₃は、単結合または２価の連結基を表
し、２価の連結基としては、置換していてもよいアルキ
レン基、アルケニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、
−ＣＯＮＲ−（Ｒは、水素、アルキル基、アシル基であ
る。）、及びこれらのうち２つ以上を含んでもよい連結
基が好ましい。

【００２９】Ｘ^-の非求核性アニオンとしては、例え
ば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン等を挙げ
ることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起
こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応
による経時分解を抑制することができるアニオンであ
る。これによりレジストの経時安定性が向上する。スル
ホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸
アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファース
ルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオ
ンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、ア
リールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニ
オンなどが挙げられる。

【００３０】アルキルスルホン酸アニオンにおけるアル
キル基としては、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル
基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタ
デシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマン
チル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることがで
きる。アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基
としては、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、例
えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げるこ
とができる。

【００３１】上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリ
ールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基及びアリー
ル基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、
例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基等を挙げることができる。

【００３２】ハロゲン原子としては、例えば、塩素原
子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることがで
きる。アルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数
１〜１５のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、
テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコ
シル基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、例えば、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基等を挙げることができる。アルキルチオ基として
は、例えば、好ましくは炭素数１〜１５のアルキルチオ
基、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブ
チルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、
ネオペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ
基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウ
ンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、
テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシ
ルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、
ノナデシルチオ基、エイコシルチオ基等を挙げることが
できる。尚、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ
基は、更にハロゲン原子(好ましくはフッ素原子）で置
換されていてもよい。

【００３３】アルキルカルボン酸アニオンにおけるアル
キル基としては、アルキルスルホン酸アニオンにおける
アルキル基と同様のものを挙げることができる。アリー
ルカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、ア
リールスルホン酸アニオンにおけるアリール基と同様の
ものを挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニ
オンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数
６〜１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネ
チル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチ
ルメチル基等を挙げることができる。

【００３４】上記アルキルカルボン酸アニオン、アリー
ルカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオ
ンにおけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は
置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、
アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を
挙げることができる。

【００３５】その他の非求核性アニオンとしては、例え
ば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げ
ることができる。

【００３６】尚、本発明の式（Ｉ）において、Ｒ₁から
Ｒ₅の少なくとも１つとＹ₁又はＹ₂の少なくとも一つが
結合して環が形成されるか、若しくは、Ｒ₁からＲ₅の少
なくとも１つとＲ₆又はＲ₇の少なくとも１つが結合して
環が形成されている。式（Ｉ）に示す化合物は、環を形
成することにより、立体構造が固定され、光分解能が向
上する。また、Ｒ₁からＲ₇のいずれか、若しくは、Ｙ₁
又はＹ₂のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、
式（Ｉ）の構造を２つ以上有していてもよい。

【００３７】また、本発明の式（Ｉ）の化合物は、上記
した一般式（ＩＡ）又は（ＩＢ）であるのが好ましい。
式（ＩＡ）中、Ｒ₁〜Ｒ₄、Ｒ₇、Ｙ₁、Ｙ₂及びＸ^-は、式
（Ｉ）中のものと同様であり、Ｙは、単結合又は２価の
連結基を表す。式（ＩＢ）中、Ｒ₁〜Ｒ₄、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｙ
₁及びＸ^-は、式（Ｉ）中のものと同様であり、Ｙは、単
結合又は２価の連結基を表す。

【００３８】Ｙは、単結合又は２価の連結基を表し、２
価の連結基としては、置換していてもよいアルキレン
基、アルケニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ
ＯＮＲ−（Ｒは、水素、アルキル基、アシル基であ
る。）、及びこれらのうち２つ以上を含んでもよい連結
基が好ましい。式（ＩＡ）中、Ｙとしてはアルキレン基
又は酸素原子を含むアルキレン基、硫黄原子を含むアル
キレン基が好ましく、具体的にはメチレン基、エチレン
基、プロピレン基、−ＣＨ₂−Ｏ−、−ＣＨ₂−Ｓ−が好
ましく、最も好ましくはエチレン基、−ＣＨ₂−Ｏ−、
−ＣＨ₂−Ｓ−のように６員環を形成する連結基であ
る。６員環を形成することによりカルボニル平面とＣ−
Ｓ＋シグマ結合がより垂直に近くなり、軌道相互作用に
より光分解効率が向上する。

【００３９】以下に、本発明の上記式（Ｉ）で表される
化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定される
ものではない。

【００４０】

【化７】

【００４１】

【化８】

【００４２】

【化９】

【００４３】

【化１０】

【００４４】

【化１１】

【００４５】

【化１２】

【００４６】

【化１３】

【００４７】上記式（Ｉ）の化合物は、１種単独で又は
２種以上を組み合わせて使用することができる。

【００４８】式（ＩＡ）に示す化合物は、対応するα−
ハロ環状ケトンとスルフィド化合物を反応させる方法、
或いは対応する環状ケトンをシリルエノールエーテルに
変換した後、スルホキシドと反応させることにより得る
ことができる。式（ＩＢ）に示す化合物は、アルールア
ルキルスルフィドにα−又はβ−ハロゲン化ハライドを
反応させることにより得ることができる。

【００４９】（Ａ）成分の化合物の本発明のポジ型感光
性組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、
０．１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは０．５
〜１０重量％、更に好ましくは１〜７重量％である。

【００５０】（Ａ）成分以外の併用しうる酸発生化合物
本発明においては、成分（Ａ）以外に、活性光線又は放
射線の照射により分解して酸を発生する化合物を併用し
てもよい。本発明の成分（Ａ）と併用しうる光酸発生剤
の使用量は、モル比（成分（Ａ）／その他の酸発生剤）
で、通常１００／０〜２０／８０、好ましくは１００／
０〜４０／６０、更に好ましくは１００／０〜５０／５
０である。そのような併用可能な光酸発生剤としては、
光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始
剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレ
ジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適
宜に選択して使用することができる。

【００５１】たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。

【００５２】また、これらの活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主
鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第
３,８４９,１３７号、独国特許第３９１４４０７号、特
開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４
号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０
３８ 号、特開昭６３−１６３４５２ 号、特開昭６２−
１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に記載
の化合物を用いることができる。

【００５３】さらに米国特許第３,７７９,７７８号、欧
州特許第１２６,７１２号等に記載の光により酸を発生
する化合物も使用することができる。

【００５４】上記併用可能な活性光線又は放射線の照射
により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に
用いられるものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００５５】

【化１４】

【００５６】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。

【００５７】具体的には以下の化合物を挙げることがで
きるがこれらに限定されるものではない。

【００５８】

【化１５】

【００５９】

【化１６】

【００６０】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。

【００６１】

【化１７】

【００６２】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基及びハロゲン原子が挙げられる。

【００６３】Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は各々独立に、置換
もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ま
しくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８の
アルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい置
換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のア
ルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カ
ルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、
アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カ
ルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。

【００６４】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。

【００６５】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。

【００６６】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００６７】

【化１８】

【００６８】

【化１９】

【００６９】

【化２０】

【００７０】

【化２１】

【００７１】

【化２２】

【００７２】

【化２３】

【００７３】

【化２４】

【００７４】

【化２５】

【００７５】

【化２６】

【００７６】

【化２７】

【００７７】

【化２８】

【００７８】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第
２,８０７,６４８ 号及び同４,２４７,４７３号、特開
昭５３−１０１,３３１号等に記載の方法により合成す
ることができる。

【００７９】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。

【００８０】

【化２９】

【００８１】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰⁶は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。

【００８２】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００８３】

【化３０】

【００８４】

【化３１】

【００８５】

【化３２】

【００８６】

【化３３】

【００８７】

【化３４】

【００８８】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。

【００８９】

【化３５】

【００９０】ここでＲは、直鎖状、分岐状又は環状アル
キル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表
す。

【００９１】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００９２】

【化３６】

【００９３】〔２〕（Ｂ）酸の作用により分解し、アル
カリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
（（Ｂ）成分） （Ｂ）成分は、本発明の第１組成物に必須成分として用
いられる。（Ｂ）成分は、酸により分解し、アルカリ現
像液中での溶解性を増大させる基（酸で分解しうる基と
もいう）を有する樹脂としては、樹脂の主鎖又は側鎖、
あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基を
有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に
有する樹脂がより好ましい。

【００９４】酸で分解し得る基として好ましい基は、−
ＣＯＯＡ⁰、−Ｏ−Ｂ⁰基であり、更にこれらを含む基と
しては、−Ｒ⁰−ＣＯＯＡ⁰、又は−Ａｒ−Ｏ−Ｂ⁰で示
される基が挙げられる。ここでＡ⁰は、−Ｃ（Ｒ⁰¹）
（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ^{0 3}）も
しくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ⁰
は、Ａ⁰ 又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ⁰基を示す（Ｒ⁰、Ｒ⁰¹〜Ｒ
⁰⁶及びＡｒは後述のものと同義）。

【００９５】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、エノールエーテル基、エノー
ルエステル基、第３級のアルキルエーテル基、第３級の
アルキルエステル基、第３級のアルキルカーボネート基
等である。更に好ましくは、第３級アルキルエステル
基、第３級アルキルカーボネート基、クミルエステル
基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテル基で
ある。特に好ましくはアセタール基である。

【００９６】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−ＯＨもし
くは−ＣＯＯＨ、好ましくは−Ｒ⁰−ＣＯＯＨもしくは
−Ａｒ−ＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。

【００９７】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、０．２６１Ｎテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して１７０
Ａ／秒以上のものが好ましい。特に好ましくは３３０Ａ
／秒以上のものである（ここでＡはオングストロー
ム）。また、矩形プロファイルを達成する点から遠紫外
光やエキシマレーザー光に対する透過率が高いアルカリ
可溶性樹脂が好ましい。好ましくは、１μｍ膜厚の２４
８ｎｍでの透過率が２０〜９０％である。このような観
点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ｏ−、ｍ
−、ｐ−ポリ（ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重
合体、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲンも
しくはアルキル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ
（ヒドロキシスチレン）の一部、Ｏ−アルキル化もしく
はＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重
合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合
体及び水素化ノボラック樹脂である。本発明の酸分解性
樹脂としては、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を含有
する樹脂であることが好ましい。

【００９８】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、欧州特許２５４８５３号、特開平２−２５
８５０号、同３−２２３８６０号、同４−２５１２５９
号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸
で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で
分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを
種々のモノマーと共重合して得ることができる。

【００９９】酸分解性樹脂としてはヒドロキシスチレン
繰り返し単位及び酸分解性基を有する繰り返し単位を含
有する樹脂が好ましい。好ましくはヒドロキシスチレン
及び酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン繰り返
し単位を有する樹脂、又はヒドロキシスチレン及び酸分
解性基を有する（メタ）アクリル酸エステル繰り返し単
位を有する樹脂である。また、酸分解性基としてはアセ
タール基が好ましい。これにより照射から後加熱までの
間の経時による性能変動が小さくなる。アセタール基と
しては１−アルコキシエチルアセタール基が好ましい。
さらに好ましくはアセタール残基中に環状炭化水素基ま
たは芳香族基を有する１−アルコキシエチルアセタール
基である。これを用いることによりドライエッチング耐
性が向上する。

【０１００】本発明に使用される酸により分解し得る基
を有する樹脂の具体例を以下に示すが、本発明はこれら
に限定されるものではない。

【０１０１】ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキ
シスチレン共重合体、ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ｐ
−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／
ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、４−（ｔ−ブトキシ
カルボニルメチルオキシ）−３−メチルスチレン／４−
ヒドロキシ−３−メチルスチレン共重合体、ｐ−（ｔ−
ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒド
ロキシスチレン（１０％水素添加物）共重合体、ｍ−
（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｍ
−ヒドロキシスチレン共重合体、ｏ−（ｔ−ブトキシカ
ルボニルメチルオキシ）スチレン／ｏ−ヒドロキシスチ
レン共重合体、ｐ−（クミルオキシカルボニルメチルオ
キシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ク
ミルメタクリレート／メチルメタクリレート共重合体、
４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン／マレイン酸ジメ
チル共重合体、ベンジルメタクリレート／テトラヒドロ
ピラニルメタクリレート、

【０１０２】ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキ
シ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重
合体、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチ
レン／フマロニトリル共重合体、ｔ−ブトキシスチレン
／ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、スチレン
／Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）マレイミド／Ｎ−
（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）マレイ
ミド共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルメ
タクリレート共重合体、スチレン／ｐ−ヒドロキシスチ
レン／ｔ−ブチルメタクリレート共重合体 ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート共重
合体、スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチル
アクリレート共重合体 ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン
／ｐ−ヒドロキシスチレン／Ｎ−メチルマレイミド共重
合体、ｔ−ブチルメタクリレート／１−アダマンチルメ
チルメタクリレート共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン
／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−アセトキシスチレン共
重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレ
ート／ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン
共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリ
レート／ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）
スチレン共重合体、

【０１０３】本発明において、酸で分解し得る基を有す
る樹脂（（Ｂ）成分）としては、下記の一般式（IV）及
び一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造単位を含む樹脂
が好ましい。これにより、高解像を有し、且つ照射から
加熱までの経時における性能変化がより少なくなる。

【０１０４】

【化３７】

【０１０５】（上記一般式（ＩＶ）中、Ｌは、水素原
子、置換されていてもよい、直鎖、分岐もしくは環状の
アルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を
表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環
状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル
基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成し
てもよい。）

【０１０６】一般式（ＩＶ）のＬ及びＺにおけるアルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル
基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数１
〜２０個の直鎖、分岐あるいは環状のものが挙げられ
る。

【０１０７】アルキル基の好ましい置換基としてはアル
キル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基等
が挙げられ、例えばシクロヘキシルエチル基、アルキル
カルボニルオキシメチル基やアルキルカルボニルオキシ
エチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラル
キルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル
基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル
基、アルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル
基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル
基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、
アルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラル
キルチオエチル基等が挙げられる。この場合のアルキル
は特に限定しないが、鎖状、環状、分岐状のいずれでも
よく、例えばシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基
やｔ−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル
基、ｎ−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル
基のような基を挙げることができる。また、アリールも
限定しないが、例えばフェニルオキシエチル基等が挙げ
られ、更に置換されても良く、例えばシクロヘキシルフ
ェニルオキシエチル基等を挙げることができる。アラル
キルも特に限定しないが、例えばベンジルカルボニルオ
キシエチル基等を挙げることができる。

【０１０８】Ｌ、Ｚにおけるアラルキル基としては、置
換又は未置換のベンジル基、置換又は未置換のフェネチ
ル基などの炭素数７〜１５個のものが挙げられる。アラ
ルキル基の好ましい置換基としてはアルコキシ基、水酸
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、アラルキルチオ基等が挙げられ、例えば、アルコ
キシベンジル基、ヒドロキシベンジル基、フェニルチオ
フェネチル基等が挙げられる。上記Ｚが、置換アルキル
基や置換アラルキル基であることが、更にエッジラフネ
スの向上が認められる点で好ましい。ここで、アルキル
基の置換基としては、環状アルキル基、アリールオキシ
基、アルキルカルボキシ基、アリールカルボキシ基、ア
ラルキルカルボキシ基が好ましく、アラルキル基の置換
基としては、アルキル基、環状アルキル基、水酸基が好
ましい。また、Ｚが、芳香族基、または単環もしくは多
環の環状アルキル基を有する基であることがドライエッ
チング耐性向上の観点から好ましい。

【０１０９】ＬとＺが互いに結合して形成する５又は６
員環としては、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロフ
ラン環等が挙げられる。

【０１１０】上記樹脂中の一般式（ＩＶ）で示される繰
り返し構造単位と一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造
単位との比率は、好ましくは１／９９〜６０／４０であ
り、より好ましくは５／９５〜５０／５０であり、更に
好ましくは１０／９０〜４０／６０である。

【０１１１】上述の一般式（ＩＶ）及び一般式（Ｖ）で
示される繰り返し構造単位を含む樹脂には、他のモノマ
ーから誘導される構造単位が含まれてもよい。他のモノ
マーとしては、水素化ヒドロキシスチレン；ハロゲン、
アルコキシもしくはアルキル置換ヒドロキシスチレン；
スチレン；ハロゲン、アルコキシ、アシロキシもしくは
アルキル置換スチレン；無水マレイン酸；アクリル酸誘
導体；メタクリル酸誘導体；Ｎ−置換マレイミド等を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。一般式（ＩＶ） 及び一般式（Ｖ）の構造単位と他
のモノマーの構造単位との比率は、モル比で、〔（Ｉ
Ｖ） ＋（Ｖ）〕／〔他のモノマー成分〕＝１００／０
〜５０／５０、好ましくは１００／０〜６０／４０、更
に好ましくは１００／０〜７０／３０である。

【０１１２】上述の一般式（ＩＶ） 及び一般式（Ｖ）
で示される繰り返し構造単位を含む樹脂、及びその他に
本発明において用いることができる樹脂の具体例として
は、下記のものが挙げられる。

【０１１３】

【化３８】

【０１１４】

【化３９】

【０１１５】

【化４０】

【０１１６】

【化４１】

【０１１７】

【化４２】

【０１１８】

【化４３】

【０１１９】

【化４４】

【０１２０】

【化４５】

【０１２１】

【化４６】

【０１２２】

【化４７】

【０１２３】

【化４８】

【０１２４】上記具体例において、Ｍｅはメチル基、Ｅ
ｔはエチル基、ｎＢｕはｎ−ブチル基、ｉｓｏ−Ｂｕは
イソブチル基、ｔＢｕはｔ−ブチル基を表す。

【０１２５】酸分解性基としてアセタール基を用いる場
合、アルカリ溶解速度調整及び耐熱性向上のために合成
段階においてポリヒドロキシ化合物を添加してポリマー
主鎖を多官能アセタール基で連結する架橋部位を導入し
てもよい。ポリヒドロキシ化合物の添加量は樹脂の水酸
基の量に対して、０．０１〜５ｍｏｌ％、更に好ましく
は０．０５〜４ｍｏｌ％である。ポリヒドロキシ化合物
としては、フェノール性水酸基あるいはアルコール性水
酸基を２〜６個持つものがあげられ、好ましくは水酸基
の数が２〜４個であり、更に好ましくは水酸基の数が２
又は３個である。以下にポリヒドロキシ化合物の具体例
を示すが、これに限定されるものではない。

【０１２６】

【化４９】

【０１２７】（Ｂ）酸で分解し得る基を有する樹脂の重
量平均分子量（Ｍｗ）は、２，０００〜３００，０００
の範囲であることが好ましい。２，０００未満では未照
射部の現像により膜減りが大きく、３００，０００を越
えると樹脂自体のアルカリに対する溶解速度が遅くなり
感度が低下してしまう。ここで、重量平均分子量は、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン
換算値をもって定義される。

【０１２８】また、本発明のポジ型感放射線性組成物の
（Ｂ）成分、即ち酸で分解し得る基を有する樹脂は、２
種類以上混合して使用してもよい。（Ｂ）成分の使用量
は、本発明の第１組成物の固形分を基準として、４０〜
９９重量％、好ましくは６０〜９８重量％である。

【０１２９】〔３〕（Ｃ）酸の作用により分解し、アル
カリ現像液への溶解性が増大する分子量３０００以下の
化合物（（Ｃ）成分） （Ｃ）成分は、第２組成物に必須成分として含有される
成分であり、第１組成物には必要に応じて配合される成
分である。（Ｃ）成分は、酸により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大
する、分子量３０００以下、好ましくは２００〜２，０
００、更に好ましくは３００〜１，５００の低分子量化
合物である。この（Ｃ）成分は、非照射部のアルカリ現
像液に対する溶解阻止剤として機能している。なお、以
下の記載において、「酸分解性溶解阻止化合物」は
（Ｃ）成分と同義である。

【０１３０】好ましい（Ｃ）成分、即ち好ましい酸分解
性溶解阻止化合物は、その構造中に酸で分解し得る基を
少なくとも２個有し、且つ該酸分解性基間の距離が、最
も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少
なくとも８個経由する化合物である。より好ましい酸分
解性溶解阻止化合物は、（イ）その構造中に酸で分解し
得る基を少なくとも２個有し、且つ該酸分解性基間の距
離が、最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合
原子を少なくとも１０個、好ましくは少なくとも１１
個、更に好ましくは少なくとも１２個経由する化合物、
及び（ロ）酸分解性基を少なくとも３個有し、該酸分解
性基間の距離が、最も離れた位置において、酸分解性基
を除く結合原子を少なくとも９個、好ましくは少なくと
も１０個、更に好ましくは少なくとも１１個経由する化
合物である。また、上記結合原子の上限は、好ましくは
５０個、より好ましくは３０個である。

【０１３１】酸分解性溶解阻止化合物が、酸分解性基を
３個以上、好ましくは４個以上有する場合、また酸分解
性基を２個有する場合においても、該酸分解性基が互い
にある一定の距離以上離れていれば、アルカリ可溶性樹
脂に対する溶解阻止性が著しく向上する。なお、酸分解
性基間の距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で
示される。例えば、下記の化合物（１）、（２）の場
合、酸分解性基間の距離は、各々結合原子４個であり、
化合物（３）では結合原子１２個である。

【０１３２】

【化５０】

【０１３３】また、酸分解性溶解阻止化合物は、１つの
ベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有していてもよい
が、好ましくは、１つのベンゼン環上に１個の酸分解性
基を有する骨格から構成される化合物である。

【０１３４】酸により分解し得る基、即ち−ＣＯＯ−Ａ
⁰、−Ｏ−Ｂ⁰基を含む基としては、−Ｒ⁰−ＣＯＯ−
Ａ⁰、又は−Ａｒ−Ｏ−Ｂ⁰で示される基が挙げられる。
ここでＡ⁰は、−Ｃ（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ⁰³）、−Ｓｉ
（Ｒ⁰¹）（Ｒ⁰²）（Ｒ^{0 3}）もしくは−Ｃ（Ｒ⁰⁴）
（Ｒ⁰⁵）−Ｏ−Ｒ⁰⁶基を示す。Ｂ⁰は、Ａ⁰又は−ＣＯ−
Ｏ−Ａ⁰基を示す。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴及びＲ
⁰⁵は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示
し、Ｒ⁰⁶はアルキル基もしくはアリール基を示す。但
し、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³の内少なくとも２つは水素原子以外の基
であり、又、Ｒ⁰¹〜Ｒ⁰³及びＲ⁰⁴〜Ｒ⁰⁶の内の２つの基
が結合して環を形成してもよい。Ｒ⁰は置換基を有して
いてもよい２価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基
を示し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有して
いてもよい２価以上の芳香族基を示す。

【０１３５】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数３〜１０個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数２〜４個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６〜１
４個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子（フツ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキ
シプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミ
ル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、
プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。

【０１３６】酸分解性基として好ましくは、シリルエー
テル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒド
ロピラニルエーテル基、エノールエーテル基、エノール
エステル基、第３級のアルキルエーテル基、第３級のア
ルキルエステル基、第３級のアルキルカーボネート基等
を挙げることができる。更に好ましくは、第３級アルキ
ルエステル基、第３級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。

【０１３７】（Ｃ）成分は、好ましくは、特開平１−２
８９９４６号、特開平１−２８９９４７号、特開平２−
２５６０号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１
５８８５５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−
１９１３５１号、特開平３−２００２５１号、特開平３
−２００２５２号、特開平３−２００２５３号、特開平
３−２００２５４号、特開平３−２００２５５号、特開
平３−２５９１４９号、特開平３−２７９９５８号、特
開平３−２７９９５９号、特開平４−１６５０号、特開
平４−１６５１号、特開平４−１１２６０号、特開平４
−１２３５６号、特開平４−１２３５７号、特願平３−
３３２２９号、特願平３−２３０７９０号、特願平３−
３２０４３８号、特願平４−２５１５７号、特願平４−
５２７３２号、特願平４−１０３２１５号、特願平４−
１０４５４２号、特願平４−１０７８８５号、特願平４
−１０７８８９号、同４−１５２１９５号等の明細書に
記載されたポリヒドロキシ化合物のフエノール性ＯＨ基
の一部もしくは全部を上に示した基、−Ｒ⁰−ＣＯＯ−
Ａ⁰もしくはＢ⁰基で結合し、保護した化合物を包含す
る。

【０１３８】更に好ましくは、特開平１−２８９９４６
号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５
５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−２００２
５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００
２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７
９９５８号、特開平４−１６５０号、特開平４−１１２
６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５
７号、特願平４−２５１５７号、特願平４−１０３２１
５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８
８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９
５号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。

【０１３９】本発明において、（Ｃ）成分の好ましい化
合物骨格の具体例を以下に示す。

【０１４０】

【化５１】

【０１４１】

【化５２】

【０１４２】

【化５３】

【０１４３】

【化５４】

【０１４４】

【化５５】

【０１４５】

【化５６】

【０１４６】

【化５７】

【０１４７】

【化５８】

【０１４８】

【化５９】

【０１４９】

【化６０】

【０１５０】

【化６１】

【０１５１】

【化６２】

【０１５２】

【化６３】

【０１５３】化合物（１）〜（４４）中のＲは、水素原
子、

【０１５４】

【化６４】

【０１５５】を表す。但し、少なくとも２個、もしくは
構造により３個は水素原子以外の基であり、各置換基Ｒ
は同一の基でなくてもよい。

【０１５６】第１組成物の場合、（Ｃ）成分の含量は、
第１組成物の固形分を基準として、好ましくは３〜４５
重量％、より好ましくは５〜３０重量％、更に好ましく
は１０〜２０重量％である。第２組成物の場合の（Ｃ）
成分の含量は、上記第１組成物と同様である。

【０１５７】〔４〕（Ｄ）アルカリ可溶性樹脂（（Ｄ）
成分） （Ｄ）アルカリ可溶性樹脂は、本発明の第２組成物に必
須の成分である。本発明の第１組成物には添加してもよ
い成分である。（Ｄ）アルカリ可溶性樹脂は、水に不溶
でアルカリ現像液に可溶な樹脂であり、第２組成物のア
ルカリ溶解性を調節するために用いられる。この樹脂
は、酸で分解し得る基を実質上有さない。（Ｄ）成分と
しては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹
脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ｏ−ポリヒドロキシ
スチレン、ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒド
ロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロ
ゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒ
ドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ｏ／
ｐ−及びｍ／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒ
ドロキシスチレンの水酸基に対する一部Ｏ−アルキル化
物（例えば、５〜３０モル％のＯ−メチル化物、Ｏ−
（１−メトキシ）エチル化物、Ｏ−（１−エトキシ）エ
チル化物、Ｏ−２−テトラヒドロピラニル化物、Ｏ−
（ｔ−ブトキシカルボニル）メチル化物等）もしくはＯ
−アシル化物（例えば、５〜３０モル％のＯ−アセチル
化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシ）カルボニル化物等）、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシ
スチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシス
チレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂
及びその誘導体、ポリビニルアルコール誘導体を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。

【０１５８】特に好ましい（Ｄ）アルカリ可溶性樹脂
は、ノボラック樹脂及びｏ−ポリヒドロキシスチレン、
ｍ−ポリヒドロキシスチレン、ｐ−ポリヒドロキシスチ
レン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキ
シスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキ
ル化、もしくはＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシ
スチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシス
チレン共重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノ
マーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類
と付加縮合させることにより得られる。

【０１５９】ノボラック樹脂の重量平均分子量は、１，
０００〜３０，０００の範囲であることが好ましい。
１，０００未満では未照射部の現像後の膜減りが大き
く、３０，０００を越えると現像速度が小さくなってし
まう。特に好適なのは２，０００〜２０，０００の範囲
である。また、ノボラック樹脂以外の前記ポリヒドロキ
シスチレン、及びその誘導体、共重合体の重量平均分子
量は、２０００以上、好ましくは５０００〜２００００
０、より好ましくは８０００〜１０００００である。ま
た、レジスト膜の耐熱性を向上させるという観点から
は、１００００以上が好ましい。ここで、重量平均分子
量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリス
チレン換算値をもって定義される。本発明に於けるこれ
らのアルカリ可溶性樹脂は２種類以上混合して使用して
もよい。

【０１６０】アルカリ可溶性樹脂の使用量は、第２組成
物の固形分を基準として、好ましくは４０〜９７重量
％、より好ましくは６０〜９０重量％である。

【０１６１】〔５〕その他の成分 本発明のポジ型感放射線性組成物には、必要に応じてそ
の他の成分を配合することができるが、その中でも特に
配合するのが好ましい成分について説明する。

【０１６２】（Ｅ）有機塩基性化合物（（Ｅ）成分） 本発明のポジ型感放射線性組成物に配合することのでき
る好ましい（Ｅ）有機塩基性化合物は、フェノールより
も塩基性の強い化合物である。なかでも下記（Ａ）〜
（Ｅ）で示される構造を含む有機塩基性化合物が好まし
い。有機塩基性化合物を用いることにより、照射から後
加熱までの経時によっても性能変化が小さい。

【０１６３】

【化６５】

【０１６４】ここで、Ｒ²⁵⁰、Ｒ²⁵¹及びＲ²⁵²は、同一
または異なって、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル
基、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数１〜２
０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数６〜２０の置換
もしくは非置換のアリール基である。また、ここでＲ
²⁵¹とＲ²⁵²は互いに結合して環を形成してもよい。

【０１６５】

【化６６】

【０１６６】（式中、Ｒ²⁵³、Ｒ²⁵⁴、Ｒ²⁵⁵およびＲ²⁵⁶
は、同一または異なり、炭素数１〜６のアルキル基を示
す）。好ましい具体例としては、置換もしくは未置換の
グアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もし
くは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換の
インダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換
もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリ
ミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未
置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリ
ン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未
置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミ
ノアルキルモルフォリン等が挙げられ、モノ、ジ、トリ
アルキルアミン、置換もしくは未置換のアニリン、置換
もしくは未置換のピペリジン、モノあるいはジエタノー
ルアミン、オニウムヒドロキシド化合物、オニウムカル
ボキシレート化合物、ジアザビシクロ化合物等が挙げら
れる。これらの中で好ましい化合物としては、オニウム
ヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、ジ
アザビシクロ構造、イミダゾール構造、トリアルキルア
ミン構造、アニリン構造を含有する化合物を挙げること
ができる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキ
ル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリール
アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、
水酸基、シアノ基である。

【０１６７】好ましい化合物として、グアニジン、１，
１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テトラメ
チルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノピリ
ジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジ
ン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノ
ピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ
−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジ
ン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６
−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−ア
ミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−
アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，
６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジ
ン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）
ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラ
ゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラ
ゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチル
ピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、
４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３
−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）モルフォリン、１，５−ジアザビシクロ
〔４，３，０〕ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシク
ロ〔５，４，０〕ウンデカ−７−エン、２，４，５−ト
リフェニルイミダゾール、トリ（ｎ−ブチル）アミン、
トリ（ｎ−オクチル）アミン、Ｎ−フェニルジエタノー
ルアミン、Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジン、２，６−
ジイソプロピルアニリン、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’−
モルホリノエチルチオ尿素、Ｎ−ヒドロキシエチルモル
ホリン等が挙げられるがこれに限定されるものではな
い。

【０１６８】これらの中でも特に好ましい化合物として
は、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−
エン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ
−７エン、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ト
リ（ｎ−ブチル）アミン、トリ（ｎ−オクチル）アミ
ン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、Ｎ−ヒドロキシ
エチルピペリジン、２，６−ジイソプロピルアニリン、
Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’−モルホリノエチルチオ尿
素、Ｎ−ヒドロキシエチルモルホリン、テトラブチルア
ンモニウムヒドロキシド、ジシクロヘキシルメチルアミ
ン、トリス（メトキシエトキシエチル）アミンである。
これらの有機塩基性化合物は、１種単独であるいは２種
以上を組み合わせて使用することができる。

【０１６９】有機塩基性化合物の使用量は、組成物の固
形分を基準として、通常、０．００１〜１０重量％、好
ましくは０．０１〜５重量％である。０．００１重量％
未満では上記有機塩基性化合物の添加の効果が得られな
い。一方、１０重量％を超えると感度の低下や非照射部
の現像性が悪化する傾向がある。

【０１７０】（Ｆ）フッ素系及び／又はシリコン系界面
活性剤（（Ｆ）成分） 本発明のポジ型感放射線性組成物は、（Ｆ）成分を含有
することが好ましい。（Ｆ）成分としては、フッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素
原子の両方を含有する界面活性剤の少なくとも１種の界
面活性剤である。本発明のポジ型感放射線性組成物が上
記界面活性剤とを含有することにより、２５０ｎｍ以
下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源の使用時に、感度、
解像力、基板密着性、耐ドライエッチング性が優れ、経
時保存後のパーティクル発生が少なく、更に現像欠陥と
スカムの少ないレジストパターンが得られる。これらの
界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号、
特開昭６１−２２６７４６号、特開昭６１−２２６７４
５号、特開昭６２−１７０９５０号、特開昭６３−３４
５４０号、特開平７−２３０１６５号、特開平８−６２
８３４号、特開平９−５４４３２号、特開平９−５９８
８号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の
界面活性剤をそのまま用いることもできる。使用できる
市販の界面活性剤として、例えばエフトップＥＦ３０
１、ＥＦ３０３、(新秋田化成(株)製)、フロラードＦＣ
４３０、４３１(住友スリーエム(株)製)、メガファック
Ｆ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大
日本インキ（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１
０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝
子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル
（株）製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面
活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリ
マーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン
系界面活性剤として用いることができる。

【０１７１】上記界面活性剤の配合量は、本発明の組成
物中の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２
重量％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。
これらの界面活性剤は１種単独であるいは２種以上を組
み合わせて用いることができる。

【０１７２】本発明のポジ型感放射線性組成物には必要
に応じて、更に染料、顔料、可塑剤、上記以外の界面活
性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させ
るフェノール性ＯＨ基を２個以上有する化合物などを含
有させることができる。

【０１７３】本発明で使用できるフェノール性ＯＨ基を
２個以上有する化合物は、好ましくは分子量１０００以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も２個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが１０を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が０．５未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が１．４を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。

【０１７４】このフェノール化合物の好ましい添加量
は、アルカリ可溶性樹脂に対して２〜５０重量％であ
り、更に好ましくは５〜３０重量％である。５０重量％
を越えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時に
パターンが変形するという新たな欠点が発生して好まし
くない。

【０１７５】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８号、特開
平２−２８５３１号、米国特許第４９１６２１０号、欧
州特許第２１９２９４号等に記載の方法を参考にして、
当業者に於て容易に合成することが出来る。フェノール
化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化
合物はこれらに限定されるものではない。

【０１７６】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１７７】〔ポジ型感放射線性組成物の調製及びその
使用〕以上、本発明のポジ型感放射線性組成物に含有さ
れる各成分を説明した。次に、本発明のポジ型感放射線
性組成物の調製方法及びその使用方法について説明す
る。本発明の組成物は、上記各成分を溶解する前記溶媒
に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶媒と
しては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクト
ン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキ
シプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸
エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を
単独あるいは混合して使用する。

【０１７８】上記の中でも、好ましい溶媒としては２−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸
メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エ
トキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、テ
トラヒドロフランを挙げることができる。

【０１７９】本発明において、有機溶剤としては、単独
で用いても混合して用いても良いが、構造中に水酸基を
含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した
混合溶剤を使用することが好ましい。これによりレジス
ト液保存時のパーティクル発生を軽減することができ
る。水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレン
グリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル
等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。
水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエト
キシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラク
トン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、Ｎ−メチルピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル
エトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロ
ラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好まし
く、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノンが
最も好ましい。

【０１８０】水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しな
い溶剤との混合比（重量）は、１／９９〜９９／１、好
ましくは１０／９０〜９０／１０、更に好ましくは２０
／８０〜６０／４０である。水酸基を含有しない溶剤を
５０重量％以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特
に好ましい。特にプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエー
テルを９０：１０〜５０：５０（重量比）で混合した混
合溶剤が好ましい。

【０１８１】この際、上記溶媒に上記した（Ｆ）フッ素
系及び／又はシリコン系界面活性剤を加えることが好ま
しい。また、（Ｆ）成分以外の界面活性剤を添加するこ
とができる。そのような界面活性剤として、具体的に
は、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエ
チレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレ
ンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオ
キシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノ
ラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタン
モノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビ
タントリオレエート、ソルビタントリステアレート等の
ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタン
モノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノ
ステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレ
エート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレー
ト等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類
等のノニオン系界面活性剤；アクリル酸系もしくはメタ
クリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９
５（共栄社油脂化学工業（株）製）等を挙げることがで
きる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物
中の固形分を基準として、通常、２重量％以下、好まし
くは１重量％以下である。

【０１８２】上記組成物を精密集積回路素子の製造に使
用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被
覆、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＳＯＧ）上にスピナー、コータ
ー等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通
して照射し、ベークを行い現像することにより良好なレ
ジストパターンを得ることができる。

【０１８３】また、露光光源がＤＵＶ光の場合、反射防
止膜を設けた基板上へレジスト膜を塗布することが好ま
しい。これにより定在波が低減され、解像力が向上す
る。好ましい反射防止膜としてはブリュワーサイエンス
社のＤＵＶシリーズ、あるいはシプレー社のＡＲシリー
ズ等が挙げられる。

【０１８４】本発明のポジ型感放射線性組成物の現像液
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、
アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−
プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ
−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチル
エタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコー
ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アン
モニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等
のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上
記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当
量添加して使用することもできる。

【０１８５】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明の範囲がこれによりいささかも限定される
ものではない。

【０１８６】合成例１（（Ａ）成分である酸発生剤；Ｉ
Ａ−１の合成） 窒素気流下テトラロン１０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド１００ｍｌに溶解させ、これにトリエチルアミン
５０ｍｌを加えた。この溶液にクロロトリメチルシラン
１４．９ｇをゆっくり加え、１２０℃で２時間反応させ
た。反応液を室温まで冷却した後ヘキサン２００ｍｌを
加え、これを飽和炭酸水素ナトリウム溶液で２回洗浄
し、乾燥、濃縮した。組成生物を減圧蒸留により精製す
るとテトラロンのエノールシリルエーテル１３ｇを得
た。窒素気流下テトラロンのエノールシリルエーテル５
ｇとテトラメチレンスルホキシド２．４ｇをクロロホル
ム５０ｍｌに溶解させ、この溶液をー１０℃に冷却し
た。これにトリフロロ酢酸無水物４．８ｇを３０分かけ
て加え、そのまま３０分反応させた。反応液にノナフロ
ロブタンスルホン酸カリウム７．７ｇの水溶液を加え、
よく撹拌した後クロロホルム相を分液、さらに水相をク
ロロホルムで抽出した。クロロホルム相を濃縮し、粗生
成物を得た。これをジイソプロピルエーテルで洗浄する
と化合物例（ＩＡ−１）を４．２ｇ得た。（ＩＡ−２）
〜（ＩＡ−４８）についても同様の方法で合成した。

【０１８７】合成例２（ＩＢ−１の合成） 塩化アルミニウム２２．７ｇを四塩化炭素１００ｍｌに
溶解させ、氷冷下これにチオアニソール１０ｇ、クロロ
酢酸クロリド２０ｇを滴下して加えた。混合液を２時間
還流して反応させた。反応液を氷に注ぎ、濃塩酸１５ｍ
ｌを加えて３０分撹拌した。水相を取り出しこれにノナ
フロロブタンスルホン酸カリウム２４．５ｇの水溶液を
加えると粉体が析出した。これをろ取し酢酸エチル／ア
セトンから再結晶すると化合物例（ＩＢ−１）が１２．
６ｇ得られた（ＩＢ−２）〜（ＩＡ−２４）についても
同様の方法で合成した。

【０１８８】合成例３〔（Ｂ）成分である樹脂の合成〕 （１）＜ｐ−（１−（シクロヘキシルエトキシ）エトキ
シ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン（３０／７０）
（樹脂Ａ−２５）の合成＞ ｐ−ヒドロキシスチレン（日本曹達製ＶＰ−８０００）
７０ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート（ＰＧＭＥＡ）３２０ｇに加熱溶解させ、減圧留
去により脱水した後２０℃まで冷却した。この溶液にピ
リジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．３５ｇおよ
びシクロヘキサンエタノール２２．４ｇを加えた。この
溶液にｔ−ブチルビニルエーテル１７．５ｇをゆっくり
加え、２０℃で５時間反応させた。反応液にトリエチル
アミン０．２８ｇ、酢酸エチル３２０ｍｌを加え、これ
を蒸留水１５０ｍｌで３回洗浄した。溶剤を留去、濃縮
した。得られたオイルをアセトン１００ｍｌに溶解させ
これを、蒸留水２Ｌにゆっくりと注いだ。析出した粉体
をろ取、乾燥すると目的物が５４ｇ得られた。

【０１８９】（２）＜ｐ−（１−（シクロヘキシルエト
キシ）エトキシ）スチレン／ｐ−アセトキシスチレン／
ｐ−ヒドロキシスチレン（３０／１０／６０）樹脂Ａ−
３８の合成＞ ｐ−ヒドロキシスチレン（日本曹達製ＶＰ−８０００）
７０ｇをプロピレングリコールモノメテルエーテルアセ
テート（ＰＧＭＥＡ）３２０ｇに加熱溶解させ、減圧留
去により脱水した後２０℃まで冷却した。この溶液にビ
リジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．３５ｇおよ
びシクロヘキサンエタノール２２．４ｇを加えた。この
溶液にｔ−ブチルビニルエーテル１７．５ｇをゆっくり
加え、２０℃で５時間反応させた。反応液にピリジン
５．５３ｇを加え、これに無水酢酸５．９ｇをゆっくり
加えた。室温で１時間反応させ、この溶液に酢酸エチル
３２０ｍｌを加え、これを蒸留水１５０ｍｌで３回洗浄
した。溶剤を留去、濃縮した。得られたオイルをアセト
ン１００ｍｌに溶解させこれを、蒸留水２Ｌにゆっくり
と注いだ。析出した粉体をろ取、乾燥すると目的物が５
８ｇ得られた。

【０１９０】（３）上記（１）及び（２）と同様の方法
を用いることにより下記樹脂を合成した。 Ａ−１；ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン／ｐ
−ヒドロキシスチレン（３０／７０）分子量１３００
０、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．２ Ａ−３；ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン／ｐ−
ヒドロキシスチレン（３５／６５）分子量１５０００、
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．１ Ａ−７；ｐ−（１−ｉｓｏブトキシエトキシ）スチレン
／ｐ−ヒドロキシスチレン（３０／７０）分子量６００
０、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．２ Ａ−１５；ｐ−（１−ｉ−ブトキシエトキシ）スチレン
／ｐ−ヒドロキシスチレン／架橋構造を有する繰り返し
単位（２５／７４／１）分子量１０００００、分散度
（Ｍｗ／Ｍｎ）２．５ Ａ−３６；ｐ−（１−フェネチルオキシエトキシ）スチ
レン／ｐ−アセトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレ
ン（３０／１０／６０）分子量１１０００、分散度（Ｍ
ｗ／Ｍｎ）１．２ Ａ−４１；ｐ−（１−（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル
カルボキシエトキシ）エトキシスチレン／ｐ−アセトキ
シスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン（３０／１０／６
０）分子量１２０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．１ Ａ−４３；ｐ−（１−（シクロヘキシルエトキシ）エト
キシ）スチレン／ｐ−ｔ−ブチルスチレン／ｐ−ヒドロ
キシスチレン（３０／８／６２）分子量１８０００、分
散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．３ Ａ−２２；ｐ−（１−ベンジルオキシエトキシ）スチレ
ン／ｐ−ヒドロキシスチレン（２５／７５）分子量１３
０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．３ Ａ−３５；ｐ−（１−ベンジルオキシエトキシ）スチレ
ン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−アセトキシスチレン
（２０／７０／１０）分子量９０００、分散度（Ｍｗ／
Ｍｎ）１．２

【０１９１】さらに、（Ｂ）成分である下記の樹脂を合
成した。 （４）＜Ａ−４８；ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチ
ルアクリレート（７９／２１）の合成＞ ｐ−ビニルフェノール８４．１ｇ、ｔ−ブチルアクリレ
ート２２，４ｇをジオキサン１５０ｇに溶解し、１時間
窒素気流を導入した。２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメ
チル６．９１ｇを添加し、窒素気流下混合液を７５℃に
加熱し１２時間重合を行った。重合終了後、反応液を室
温まで冷却し、アセトン１５０ｇを添加して希釈後大量
のヘキサン中に滴下し、固体のポリマーを得た。アセト
ン希釈と、ヘキサンへの投入を３回繰り返し、残存モノ
マーを除去した。得られたポリマーを、６０℃で減圧乾
燥し、ポリマーＡ−４８を得た。ＮＭＲによる分析の結
果、ｐ−ビニルフェノール：ｔ−ブチルアクリレートの
組成比率は７９：２１であった。Ｍｗは１２，０００、
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．６であった。

【０１９２】（５）＜Ａ−１６；ｐ−（１−ｉｓｏブト
キシエトキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ
−ブチルアクリレート（２０／５９／２１）の合成＞ 上記ポリマー（Ａ−４８）２０ｇをプロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）８０ｇ
に溶解し、６０℃に加熱した後徐々に系を減圧にして２
０ｍｍＨｇとし、ＰＧＭＥＡと系中の水を共沸脱水し
た。共沸脱水の後２０℃まで冷却し、イソブチルビニル
エーテルを２．２gを添加し、更にｐ−トルエンスルホ
ン酸を３ｍｇ添加した。添加後反応を２時間行い、トリ
エチルアミン少量添加により酸を中和した。その後、反
応液に酢酸エチルを投入し、イオン交換水で洗浄するこ
とで塩を除去した。更に、反応液から酢酸エチルと水を
減圧留去することで目的物であるポリマーＡ−１６を得
た。

【０１９３】（６）Ａ−５１；ｐ−ヒドロキシスチレン
／スチレン／ｔ−ブチルアクリレート（７８／７／１
５）（分子量１３１００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．
７）の合成を、上記樹脂Ａ−４８と同様に合成した。 （７）＜Ａ−４９；ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（ｔ
−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン（６０／４０）
の合成＞ ポリｐ−ヒドロキシスチレン（日本曹達製ＶＰ−８００
０、重量平均分子量１１０００）をピリジン４０ｍｌに
溶解させ、これに室温攪拌下二炭酸ジ−ｔ−ブチル１．
２８ｇを添加した。室温で３時間反応させた後、イオン
交換水１リットル／濃塩酸２０ｇの溶液に投入した。析
出した粉体を、ろ過、水洗、乾燥し、ｐ−ヒドロキシス
チレン／ｐ−（ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシ）ス
チレン共重合体（６０／４０）を得た。

【０１９４】実施例１〜３０、比較例１ 表１、２に示す配合に従い、各成分を溶剤に溶解して、
固形分濃度１５重量％に調液し、この溶液を０．１μｍ
のポリエチレン製フィルターでろ過してレジスト溶液を
調製した。このレジスト溶液について下記の評価を行っ
た。

【０１９５】Ａ．ＫｒＦエキシマレーザー照射評価 ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウエハー
上にＤＵＶ４２（ブリュワーサイエンス社製）を塗布し
２１５℃で６０秒加熱して、膜厚５５０オングストロー
ムの反射防止膜を設けた。これにレジスト溶液を、スピ
ンコーターを用いて、均一に塗布し、１２０℃で９０秒
間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．６μｍのレ
ジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、ＫｒＦ
エキシマレーザーステッパー（ＮＡ＝０．６３）を用い
ラインアンドスペース用マスクを使用してパターン照射
し、照射後すぐに１１０℃で９０秒間ホットプレート上
て加熱した。更に２．３８％テトラメチルアンモニウム
ヒドロオキサイド水溶液で２３℃下６０秒間現像し、３
０秒間純水にてリンスした後、乾燥した。このようにし
て得られたシリコンウェハー上のパターンから下記の方
法でレジストの性能を評価した。その結果を表３に示
す。

【０１９６】（感度評価法）０．２０μｍのラインアン
ドベースパターンを再現する照射量（ｍＪ／ｃｍ²）を
もって評価した。

【０１９７】（解像力）０．１８μｍのラインアンドス
ペース（１／１）のマスクパターンを再現する照射量に
おける限界解像力を表す。

【０１９８】

【表１】

【０１９９】

【表２】

【０２００】（表１及び２の成分の説明） 酸発生剤 ＰＡＧ３−１９及び３−２２、ＰＡＧ４−３、４−４、
４−５、４−３３、４−３６、４−３７及び４−３８、
並びに、ＰＡＧ７−３及び７−５は、前記詳細説明中で
例示した化合物に付記した参照番号に相当し、それぞれ
市販のものを使用した。

【０２０１】ＰＡＧ−Ａは、下記の構造の化合物であ
る。

【０２０２】

【化６７】

【０２０３】アルカリ可溶性樹脂（配合量は固形分とし
ての値である） ｐ−ＰＨＳは、ｐ−ヒドロキシスチレン重合体（重量平
均分子量；１３０００、分散度；１．１）であり、アル
カリ可溶性である。ｍ−ＰＨＳは、ｍ−ヒドロキシスチ
レン重合体（重量平均分子量；１２０００、分散度；
１．３）であり、アルカリ可溶性である。ｐ−ＰＨＳ／
Ｓｔは、ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン（モル比；
８５：１５）共重合体（重量平均分子量；２００００、
分散度；２．９）であり、アルカリ可溶性である。

【０２０４】（Ｂ'−１）〜（Ｂ'−３）は、下記の構造
の化合物である。

【０２０５】

【化６８】

【０２０６】（Ｄ−１）〜（Ｄ−３）は、下記の構造の
化合物である。

【０２０７】

【化６９】

【０２０８】（Ｅ）塩基性化合物成分 （１）；１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−
ノネン （２）；２，４，５−トリフェニルイミダゾール （３）；トリ−ｎ−ブチルアミン （４）；Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジン （５）；テトラブチルアンモニウムヒドロキシド

【０２０９】（Ｆ）界面活性剤成分 Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ（株）
製）（フッ素系） Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製）
（フッ素及びシリコン系） Ｗ−３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化
学工業（株）製） Ｗ−４；トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）
製）

【０２１０】溶剤 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート ＰＧＭＥ；プロピレングリコールモノメチルエーテル
（１−メトキシ−２−プロパノール） ＥＬ；乳酸エチル ＥＥＰ；エトキシプロピオン酸エチル ＢＬ；γ−ブチロラクトン ＣＨ；シクロヘキサノン 尚、表１、２において複数使用の場合の比は重量比であ
る。

【０２１１】

【表３】

【０２１２】表３に示された結果から下記のことが明ら
かである。本発明のポジ型感放射線性組成物である実施
例１〜３０のレジスト膜に遠紫外光線であるＫｒＦレー
ザー光線を照射にすることによって、高解像力、高感度
でパターンが形成される。一方、（Ａ）成分を用いない
比較例１の場合、解像力、感度が低くなる。

【０２１３】Ｂ．電子線照射評価 上記表１、２に記載の実施例のうち一部（表４に記載の
実施例）を固形濃度１４％に調製し、レジスト溶液を得
た。但し、実施例８、１３、２７の組成物には更にベン
ゾイルオキシビニルエーテル（安息香酸ビニルオキシエ
チル）１ｇを添加した。そのレジスト溶液をスピンコー
ターによりヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコ
ン基板上に均一に塗布し、１２０℃で６０秒間ホットプ
レート上で加熱、乾燥を行い、０．４μｍのレジスト膜
を形成した。このレジスト膜を、電子線プロジェクター
リソグラフィー装置（加速電圧１００ｋｅＶ）で照射
し、照射後直ぐに１１０℃で９０秒間ホットプレート上
で加熱した。更に２．３８重量％濃度のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃で６０秒間現像
し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥した。このよ
うにして得られたシリコンウェハー上のパターンから下
記の方法でレジストの性能を評価した。その結果を表４
に示す。

【０２１４】（感度評価法）０．１５μｍのコンタクト
ホールパターンを再現する照射量（μＣ／ｃｍ²）をも
って評価した。 （解像力評価法）解像力は０．１５μｍのコンタクトホ
ールパターンを再現する照射量における限界解像力を表
す。

【０２１５】

【表４】

【０２１６】上記表４の結果から、本発明の組成物は、
さらに電子線照射によって、高感度、高解像力でパター
ンが形成される。

【０２１７】

【発明の効果】本発明のポジ型感放射線性組成物は、超
微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅
レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、高感
度、高解像力でパターンが形成される。また、照射用エ
ネルギー線として電子線を用いた場合でも優れた性能を
示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）活性光線の照射により酸を発生す
   る下記式（Ｉ）に示す化合物少なくとも１種、及び
   （Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
   解度を増大させる基を有する樹脂を含有することを特徴
   とするポジ型感放射線性組成物。 【化１】 式（Ｉ）中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子、アルキル基、アル
   コキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキルオキシカ
   ルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₅のうち少な
   くとも２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。Ｒ
   ₆及びＲ₇は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はアリ
   ール基を表す。Ｙ₁及びＹ₂は、アルキル基、アリール
   基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表
   し、Ｙ₁とＹ₂とが結合して環を形成してもよい。Ｙ
   ₃は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^-は、非求核
   性アニオンを表す。但し、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つ
   とＹ₁又はＹ₂の少なくとも一つが結合して環を形成する
   か、若しくは、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つとＲ₆又は
   Ｒ₇の少なくとも１つが結合して環を形成する。尚、Ｒ₁
   からＲ₇のいずれか、若しくは、Ｙ₁又はＹ₂のいずれか
   の位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２
   つ以上有していてもよい。
2. 【請求項２】 （Ａ）の化合物が下記一般式（ＩＡ）ま
   たは（ＩＢ）で表される化合物であることを特徴とす
   る、請求項１に記載のポジ型感放射線性組成物。 【化２】 式（ＩＡ）中、Ｒ₁〜Ｒ₄、Ｒ₇、Ｙ₁、Ｙ₂及びＸ^-は、上
   記式（Ｉ）中のものと同様であり、Ｙは、単結合又は２
   価の連結基を表す。式（ＩＢ）中、Ｒ₁〜Ｒ₄、Ｒ₆、
   Ｒ₇、Ｙ₁及びＸ^-は、上記式（Ｉ）中のものと同様であ
   り、Ｙは、単結合又は２価の連結基を表す。
3. 【請求項３】 （Ｃ）酸により分解しうる基を有し、ア
   ルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、
   分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有
   することを特徴とする、請求項１又は２に記載のポジ型
   感放射線性組成物。
4. 【請求項４】 （Ａ）活性光線の照射により酸を発生す
   る下記式（Ｉ）に示す化合物少なくとも１種、（Ｃ）酸
   により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解
   度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低
   分子溶解阻止化合物、及び（Ｄ）水に不溶でアルカリ現
   像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とするポジ型感
   放射線性組成物。 【化３】 式（Ｉ）中、Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子、アルキル基、アル
   コキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキルオキシカ
   ルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₅のうち少な
   くとも２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。Ｒ
   ₆及びＲ₇は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はアリ
   ール基を表す。Ｙ₁及びＹ₂は、アルキル基、アリール
   基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表
   し、Ｙ₁とＹ₂とが結合して環を形成してもよい。Ｙ
   ₃は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ^-は、非求核
   性アニオンを表す。但し、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つ
   とＹ₁又はＹ₂の少なくとも一つが結合して環を形成する
   か、若しくは、Ｒ₁からＲ₅の少なくとも１つとＲ₆又は
   Ｒ₇の少なくとも１つが結合して環を形成する。尚、Ｒ₁
   からＲ₇のいずれか、若しくは、Ｙ₁又はＹ₂のいずれか
   の位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２
   つ以上有していてもよい。