JP2003031744A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
熱する。 【解決手段】 基板と、基板上に搭載された半導体チッ
プと、前記基板の背面に備えられ、半導体チップの電極
を外部に接続するための外部電極と、前記半導体チップ
を前記基板上に封止する封止部材と、前記封止部材によ
り固着された放熱板とを含む半導体装置において、半導
体チップの半導体素子が形成された主面に対向するよう
に放熱板を配置する。
Description
する。さらに具体的には、放熱効率を改善した放熱構造
を有する半導体装置に関する。
化や、ロジックの多機能化、高集積化に伴い、半導体装
置の消費電力は増加している。消費電力の増加は、半導
体装置の発熱量増加の原因となり、半導体装置の温度上
昇が生じることとなる。半導体装置の温度上昇は、半導
体装置の特性の劣化、信頼性の低下につながるため問題
である。従ってこのような半導体装置の温度上昇に伴う
問題を改善すべく、放熱機構を設けた様々な半導体装置
が提案されている。
置の1例を説明するための断面模式図である。また図8
は、既知の放熱フィンを有する半導体装置の1例を説明
するための断面模式図である。図7において、半導体チ
ップ12は、ボンディングワイヤ23により、封止部材
24の内部において、インナーリード25Aに接続され
ている。インナーリード25Aは、封止部材24外部の
アウターリード25Bと一続きになっている。このアウ
ターリード25Bが、半導体装置700と、外部の電極
とを接続する外部電極端子となる。
する熱を外部に効率よく解放するために設けられ、封止
部材24により半導体装置700に固着されている。放
熱板20は、外部に効率よく放熱するため、熱伝導率の
良い材料、例えば、アルミ、銅などにより形成されてい
る。半導体12で発する熱の多くは、この放熱板7に熱
伝導し、放熱板7の封止部材14から露出する面におい
て放熱される。また、図7に示すように、放熱板7の封
止部材24から露出する面には凹凸部7Aが設けられて
いる。この凹凸部7Aを設けることにより、放熱板7の
外部と接触する表面積が増え、より効率よく放熱を行う
ことができる。
封止部材24から露出する面に、羽形状の放熱フィン8
Aを設けた半導体装置800もある。これによっても、
同様に、外部との接触面積を増やして、効率の良い放熱
を行うことができる。
多機能化、高集積化に伴い半導体装置の動作時に発する
熱は大きくなっているため、より効率よく放熱できる放
熱構造が望まれている。これに対して、放熱板のサイズ
を大きくすることも考えられるが、半導体装置を組み合
わせてなる電機機器全体のサイズの制約等から、半導体
装置に備えられる放熱板の大きさには限界がある。ま
た、高集積化等に伴って、1つの半導体装置に備えられ
るリードの数は増加している。従って、リード1つ1つ
は細くなり、リードの強度が不足するため、例えば、図
8で説明したような放熱フィン8Aを大きくして外部と
の接触面積を増加させることも考えにくい。
の半導体装置700あるいは半導体装置800において
は、放熱板7あるいは放熱板8は、半導体チップ12の
半導体素子が設けられた主面12Aとは反対側の面に対
向して配置されている。ところが、半導体チップ12に
おいて、発熱する場所は、半導体素子が形成されている
主面12Aの部分に集中している。この主面12Aは、
半導体チップ12の表面10μm程度の最表層である。
即ち、この最表層の主面12Aにおいて発生した熱が、
半導体装置700あるいは半導体装置800に設けられ
た放熱板7あるいは放熱板8に熱伝導し、放熱されるた
めには、半導体チップの、主面12Aの下の層を通って
放熱板7あるいは放熱板8に伝わらなくてはならない。
従って、半導体チップ12の厚さの分だけ、熱伝導の距
離が長くなり、放熱効率が悪くなるという問題がある。
昇を抑えるため、効率よく放熱することが要求されてい
る。しかし、半導体装置を組み合わせてなる電気機器全
体のサイズの制約や、半導体装置に備えられたリードの
強度不足から、単純に、放熱板を大きくすることは考え
にくい。また、半導体チップの半導体素子が形成されて
いる主面において発熱した熱が放熱板で放熱するために
は、半導体チップ自身を通って熱伝導し、放熱板に伝わ
らなければならないため、放熱の効率が悪い。
半導体装置において発した熱を迅速に放熱板に伝え、ま
た効率よく、より多くの熱を放熱することができる放熱
機構を備えた半導体装置を提案するものである。
は、基板と、前記基板上に搭載された半導体チップと、
前記基板の背面に備えられ、前記半導体チップの電極を
外部に接続するための外部電極と、前記半導体チップを
前記基板上に封止する封止部材と、前記封止部材により
固着された放熱板と、を含み、前記放熱板は、露出面に
凹凸が形成され、前記半導体チップの半導体素子が形成
された主面に対向するように配置されたものである。
板が、前記半導体チップの前記主面上の薄い封止部材を
挟んで前記主面に隣接して配置されたものである。
板が、前記半導体素子の前記主面に接して配置されたも
のである。
板が、前記凸部が前記封止部材の表面より外側へ突出す
るように形成されているものである。
前記基板上に搭載された半導体チップと、前記基板の背
面に備えられ、前記半導体チップの電極を外部に接続す
るための外部電極と、前記半導体チップを前記基板上に
封止する封止部材と、前記封止部材により固着された放
熱板と、を含み、前記放熱板と一体となった放熱フィン
を有するものである。
板と、前記放熱フィンが、互いに係合する係合部を有
し、これによって前記放熱フィンを脱着できるようにし
たものである。
部が、それぞれ前記放熱板または前記放熱フィンに形成
されて互いに嵌合するねじとねじ穴とからなるものであ
る。
施の形態について説明する。なお、各図において、同一
または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡
略化ないし省略する。
形態1における半導体装置を説明するための断面模式図
である。図1において、100は、この実施の形態の半
導体装置である。
に搭載された半導体チップを示す。12Aは、半導体チ
ップ12の半導体素子が形成された主面を示す。13
は、半導体チップ主面12Aに形成された素子電極(図
示せず)と、基板11上に形成された電極(図示せず)
とを接続する接続ワイヤを示す。また、15は、基板1
1の背面11Aに備えられた外部電極端子を示す。外部
電極端子15は、この実施の形態における半導体装置1
00と外部の電極とを接続するために用いられる。半導
体チップ12は、外部電極端子15、基板上の電極、接
続ワイヤ3、半導体チップ主面12Aの素子電極を介し
て、外部と電気信号の受け渡しを行うことができる。
は、半導体チップの外部との接触を避け、信頼性を高め
るために用いるものである。
装置100に固着された放熱板を示す。この放熱板1
は、半導体チップにおいて発する熱を、より効率よく放
熱するために設けられるものであり、従って、アルミ、
銅などの熱伝導率の良い材料により形成される。1A
は、放熱板1の、封止部材14から露出する面に設けら
れた凹凸部を示す。この凹凸部1Aにより、放熱板1が
外部に接触する表面積は大きくなり、これによって放熱
の効率も高くなっている。
Aは、その間に封止部材14の薄い層の部分を挟んで、
対向して形成されている。即ち、半導体チップ12は、
主面12Aと同じ側に放熱板1が配置され、主面12A
と反対の面において基板11に接触して搭載されてい
る。
が大きいのは、半導体チップ12の最表層10μmの、
半導体素子の形成された主面12Aである。従って、こ
の実施の形態で説明したように放熱板1と主面12Aを
隣接して配置すれば、放熱板1が主面12Aと反対の面
に対向して配置された場合よりも、主面12Aにおいて
発した熱が放熱板1に伝わる熱伝導が早く、効率よく放
熱させることができる。
1の背面11A全体に外部電極端子を設けることができ
る。従って、図7に示したような、半導体装置の側面か
ら突き出るリードフレームを有する半導体装置に比べ
て、半導体装置全体を小さくでき、かつ、多くのリード
を得ることができ、半導体装置の微細化、多機能化に対
応することができる。さらに、このように背面11A全
体に余裕を持って外部電極端子15を設けることができ
るため、1つ1つの外部電極端子を、リードフレームの
ように、細くする必要がなく、放熱板1がある程度の大
きさを有しても、その重みに耐えうるだけの強度を失う
ことはない。
部の電極と、半導体チップ主面1Aの電極とを接続する
ために接続ワイヤ13を用いたがこれに限るものではな
く、両者の間で、接続が取れるものであればよい。
形態2における半導体装置を説明するための断面模式図
である。図2において、200は、実施の形態2におけ
る半導体装置を示す。
00に固着された放熱板を示す。この放熱板2は、封止
部材14から露出する面に、外部との接触面積を大きく
するための凹凸部2Aを有する。また、放熱板2は、凹
凸部2Aと反対側、即ち、半導体チップ主面12Aと対
向する側に、接続部2Bを有する。この接続部2Bの表
面において、放熱板2は、半導体チップ主面12Aに接
するようにして配置されている。その他の部分は実施の
形態1と同様であるから説明を省略する。
12の最も発熱の大きい部分である主面12Aとは、直
接、あるいは、半導体チップ主面12A上に薄い保護膜
が形成されている場合にはこの保護膜を介して、接する
ように配置されている。従って、半導体チップ主面12
Aにおいて発した熱は、直接、迅速に放熱板2に伝導さ
せることができ、さらに効率よく放熱することができ
る。
形態3における半導体装置を説明するための断面模式図
である。図3において、300は、実施の形態3におけ
る半導体装置を示す。
00に固着された放熱板を示す。この放熱板3は、封止
部材14から露出する面に、外部との接触面積を大きく
するための凹凸部3Aを有する。この凹凸部3Aは、封
止部材14の表面14Aより、上に突き出るように長く
形成されている。その他の部分は実施の形態1または2
と同様であるから説明を省略する。
封止部材14の14Aより上に突き出るように長く形成
されているため、外部との接触面積はより大きくなり、
半導体装置の発する熱をより早く、効率よく放熱するこ
とができる。
外部電極端子を設けているため、強度を弱めることなく
多くの電極端子を設けることができる。従って、放熱板
3の、凹凸部3Aをある程度長くして、放熱板がある程
度大きなものとなっても、それに耐えうる強度を有す
る。
形態4における半導体装置を説明するための断面模式図
である。図4において、400は、実施の形態4におけ
る半導体装置を示す。
00に固着された放熱板を示す。この放熱板4は、封止
部材14から露出する面に、外部との接触面積を大きく
するための凹凸部4Aを有する。また、この凹凸部4A
は、封止部材14の表面14Aより、上に突き出るよう
に長く設けられ、より、外部との接触面積を大きくして
いる。
即ち、半導体チップ主面12Aと対向する側に、接続部
4Bを有する。この接続部4Bの表面において、放熱板
4は、半導体チップ主面12Aに接するようにして配置
されている。その他の部分は実施の形態1乃至3と同様
であるから説明を省略する。
12の最も発熱の大きい部分である主面12Aとは、直
接、あるいは、半導体チップ主面12A上に薄い保護膜
が形成されている場合にはこの保護膜を介して、接する
ように配置されている。従って、半導体チップ主面12
Aにおいて発した熱は、直接、迅速に放熱板2に伝導さ
せることができる。また、放熱板4の凹凸部4Aは、封
止部材から外部に突き出るように長く形成され、外部と
の接触面積が大きくなっている。従って、半導体装置に
おいて発した熱をより効率よく放熱することができる。
形態5における半導体装置を説明するための断面模式図
である。図5において、500は、実施の形態5におけ
る半導体装置を示す。
フィンを示す。放熱板5と、放熱フィン5Aは、一体と
なっていて、封止部材14により半導体装置500に固
着されている。放熱フィン5Aは、封止樹脂14の表面
14Aより外側に突き出るように配置されている。その
他の部分は、実施の形態1乃至4と同じであるから説明
を省略する。
気との接触面積を大きくとることができるため、さらに
放熱効率を上げることができる。また、外部電極端子を
基板の背面全体に設けることができるため、強度の問題
なく、ある程度大きな放熱フィンを設けることができ
る。
放熱板5が、半導体チップ主面12Aに接触してはいな
いものを説明したが、半導体チップに接触するような構
造にしても良い。これによれば、より早く熱を伝導で
き、効率よく放熱することができる。
形態6における半導体装置を説明するための断面模式図
である。図6において、600は、実施の形態6におけ
る半導体装置を示す。
熱フィンを示す。放熱板6は、封止部材14により半導
体装置600に固着されている。また、6B及び6C
は、互いに係合する係合部を示し、6Bは、放熱フィン
6Aに備えられたねじ、6Cは、放熱板6に備えられた
ねじ穴を示す。ねじ6Bを、ねじ穴6Cに挿入して、係
合させることにより、放熱フィン6Aを放熱板6に取り
付けることができる。また、ねじ6Bをねじ穴6Cから
外すことにより放熱フィン6Aを、放熱板6から取り外
すことができる。その他の部分は実施の形態1乃至5と
同様であるから説明を省略する。
板を用いれば、従来のパッケージに着脱機構を備えるこ
とにより容易に半導体装置を形成することができる。
して、ねじとねじ穴の組み合わせを用いたが、これに限
るものではなく、他の手段により放熱フィンを着脱でき
るものであっても良い。
導体チップの素子が形成されている主面に対向する位置
に、隣接して放熱板が配置される。従って、この主面に
対して反対側に放熱板が設けられているものより、半導
体チップの最も発熱の大きい主面から放熱板までの距離
が短くでき、主面で発した熱を迅速に伝導することがで
きる。従って、この発明における半導体装置は、発生す
る熱を効率よく迅速に放熱することができる。
背面に外部電極端子を設けることができる。従って、半
導体装置の微細化、多機能化の要求に対応でき、半導体
装置全体の大きさを小型化し、また、外部電極端子を多
く設けることができる。さらに、外部電極端子の数を増
やすために、外部電極端子の1つ1つのサイズを小さく
する必要がないため、強度の問題なくある程度大きな放
熱板を半導体装置に設けることができる。
面と、放熱板とが接するように配置されているものにお
いては、半導体チップ主面から発する熱を、より直接的
に、迅速に放熱板に伝えることができるため、より効率
よく放熱させることができる。
部材の表面より外側に突き出ているものにおいては、放
熱板の外部に接する面積をより大きくできるため、さら
に効率よく放熱を行うことができる。
放熱フィンを有するものにおいては、外部との接触面積
を大きく取ることができ、効率よく熱を放熱することが
できる。
ンとを着脱できる機構を備えるものは、封止作業や、フ
ィンの取り付け作業、フィンの修正作業が容易であり、
半導体装置を効率よく製造することができる。
を説明するための断面模式図である。
を説明するための断面模式図である。
を説明するための断面模式図である。
を説明するための断面模式図である。
を説明するための断面模式図である。
を説明するための断面模式図である。
るための断面模式図である。
するための断面模式図である。
凹凸部、 2 放熱板、 2A 凹凸部、 2B 接続
部、 3 放熱板、 3A 凹凸部、 4 放熱板、
4A 放熱部、 4B 接続部、 5 放熱板、 5A
放熱フィン、6 放熱板、 6A 放熱フィン、 6
B ねじ、 6C ねじ穴、 7 放熱板、 7A凹凸
部、 8 放熱板、 8A 放熱フィン、 11 基
板、 11A 基板背面、 12 半導体チップ、 1
2A 主面、 13 接続ワイヤ、 14 封止部材、
14A 封止部材表面、 15 外部電極端子、 2
3ボンディングワイヤ、 24 封止部材、 25A
インナーリード、 25B アウターリード。
Claims (7)
- 【請求項1】 基板と、 前記基板上に搭載された半導体チップと、 前記基板の背面に備えられ、前記半導体チップの電極を
外部に接続するための外部電極と、 前記半導体チップを前記基板上に封止する封止部材と、 前記封止部材により固着された放熱板と、 を含み、 前記放熱板は、露出面に凹凸が形成され、前記半導体チ
ップの半導体素子が形成された主面に対向するように配
置されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記放熱板は、前記半導体チップの前記
主面上の薄い封止部材を挟んで前記主面に隣接して配置
されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記放熱板は、前記半導体素子の前記主
面に接して配置されたことを特徴とする請求項1に記載
の半導体装置。 - 【請求項4】 前記放熱板は、前記凸部が前記封止部材
の表面より外側へ突出するように形成されていることを
特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装
置。 - 【請求項5】 基板と、 前記基板上に搭載された半導体チップと、 前記基板の背面に備えられ、前記半導体チップの電極を
外部に接続するための外部電極と、 前記半導体チップを前記基板上に封止する封止部材と、 前記封止部材により固着された放熱板と、 を含み、 前記放熱板と一体となった放熱フィンを有することを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項6】 前記放熱板と、前記放熱フィンは、互い
に係合する係合部を有し、これによって前記放熱フィン
を脱着できるようにしたことを特徴とする請求項5に記
載の半導体装置。 - 【請求項7】 前記係合部は、それぞれ前記放熱板また
は前記放熱フィンに形成されて互いに嵌合するねじとね
じ穴とからなることを特徴とする請求項6に記載の半導
体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001211915A JP2003031744A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 半導体装置 |
US10/057,923 US20030011053A1 (en) | 2001-07-12 | 2002-01-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001211915A JP2003031744A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003031744A true JP2003031744A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19047158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001211915A Pending JP2003031744A (ja) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030011053A1 (ja) |
JP (1) | JP2003031744A (ja) |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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