JP2008004688A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008004688A JP2008004688A JP2006171477A JP2006171477A JP2008004688A JP 2008004688 A JP2008004688 A JP 2008004688A JP 2006171477 A JP2006171477 A JP 2006171477A JP 2006171477 A JP2006171477 A JP 2006171477A JP 2008004688 A JP2008004688 A JP 2008004688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- case member
- substrate
- refrigerant
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
【解決手段】半導体チップ20をプリント基板10上に搭載し、この半導体チップ20を金属製のケース部材30で覆う。そして、ケース部材30の内部には絶縁性の冷媒Rを封入する。このような構成によれば、半導体チップ20からの熱が冷媒Rの熱対流によってケース部材まで伝えられ、このケース部材30を介して外部空間に放出される。このとき、ケース部材30は熱伝導性の良い金属により形成されているので、外部空間への熱伝達効率を高めることができる。また、ケース部材30は熱膨張率が比較的大きく冷媒Rの熱膨張に追従するので、膨張圧に配慮して壁厚を大きくする必要がない。このため、半導体パッケージ1の小型化が図れる。
【選択図】図1
Description
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、大型化することなく高効率の放熱を可能とする半導体パッケージを提供することにある。
また、ケース部材は熱膨張率が比較的大きな金属により形成されており、冷媒の熱膨張に追従するから、冷媒の膨張による内圧の上昇に配慮して壁厚を大きくする必要がない。このため、半導体パッケージの小型化が図れる。
図1には、本発明を具体化した半導体パッケージ1の側断面図を、図2には、この半導体パッケージ1の分解側断面図をを示す。この半導体パッケージ1は、プリント基板10(本発明の基板に該当する)に半導体チップ20を実装し、半導体チップ20の周囲をケース部材30で封止したハーメチック構造のものである。
なお、冷媒Rは、沸点150℃以上の液体が好ましく、沸点200℃以上の液体であればさらに好ましい。
(1)上記実施形態では、ケース部材30は下ケース部31と上ケース部35に2分割されたものとなっていたが、ケース部材は必ずしも分割されている必要はなく、全体が一体に形成されたものであっても構わない。
(2)上記実施形態では、プリント基板10は絶縁層11の両面に所定の導体回路が形成された単層の基板であったが、複数の絶縁性基板と導体層とが積層された多層プリント配線板であっても構わない。プリント基板10は、ガラス基板あるいはセラミックス基板に貫通電極を設けた構造であれば、放熱効果が高く、機械剛性も向上するため、更に好適である。
(3)上記実施形態では、ケース部材は熱膨張係数の比較的大きい金属としたが、熱伝導性の高いガラスやセラミックスを使うのも好適である。
10…プリント基板(基板)
12A…表面側ランド(第1の基板側接続端子)
12B…裏面側ランド(第2の基板側接続端子)
20…半導体チップ
23…電極パッド(チップ側端子)
30…ケース部材
R…冷媒
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に実装された半導体チップと、
前記基板上に設けられて前記半導体チップを覆う金属製のケース部材と、
前記ケース部材の内部に封入される液状の冷媒と、
を備える半導体パッケージ。 - 一の前記基板にはただ1つの前記半導体チップが実装され、
かつ、前記基板に設けられるものであって前記半導体チップに設けられるチップ側端子と接続される第1の基板側接続端子、およびこの第1の基板側接続端子と電気的に接続されて外部基板との接続に使用される第2の基板側接続端子の配列が、前記チップ側端子の配列と等しくされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006171477A JP2008004688A (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006171477A JP2008004688A (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008004688A true JP2008004688A (ja) | 2008-01-10 |
Family
ID=39008847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006171477A Pending JP2008004688A (ja) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008004688A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011146497A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Toshiba Design & Manufacturing Service Corp | 半導体チップを内蔵するプリント配線板 |
CN103094227A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种三维芯片及其组合结构和制造方法 |
WO2013076909A1 (ja) | 2011-11-21 | 2013-05-30 | パナソニック株式会社 | 電気部品用樹脂、半導体装置、及び配線基板 |
CN105206645A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示模组及其显示器 |
JP2017520933A (ja) * | 2014-07-14 | 2017-07-27 | マイクロン テクノロジー, インク. | 高効率熱経路を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53135579A (en) * | 1977-05-02 | 1978-11-27 | Hitachi Ltd | Liquid sealing semiconductor device |
JPS5650548A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS5839043A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH04315458A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Sony Corp | 多層配線基板およびその製造方法 |
JPH07161866A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | Lsiチップキャリア構造 |
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006171477A patent/JP2008004688A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53135579A (en) * | 1977-05-02 | 1978-11-27 | Hitachi Ltd | Liquid sealing semiconductor device |
JPS5650548A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-07 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS5839043A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH04315458A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Sony Corp | 多層配線基板およびその製造方法 |
JPH07161866A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | Lsiチップキャリア構造 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011146497A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Toshiba Design & Manufacturing Service Corp | 半導体チップを内蔵するプリント配線板 |
CN103094227A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种三维芯片及其组合结构和制造方法 |
WO2013076909A1 (ja) | 2011-11-21 | 2013-05-30 | パナソニック株式会社 | 電気部品用樹脂、半導体装置、及び配線基板 |
US9265144B2 (en) | 2011-11-21 | 2016-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrical component resin, semiconductor device, and substrate |
JP2017520933A (ja) * | 2014-07-14 | 2017-07-27 | マイクロン テクノロジー, インク. | 高効率熱経路を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システム |
CN105206645A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示模组及其显示器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11425840B2 (en) | Heat sink with protrusions on multiple sides thereof and apparatus using the same | |
KR100299002B1 (ko) | 적층 반도체 장치 | |
US8970029B2 (en) | Thermally enhanced heat spreader for flip chip packaging | |
KR100752239B1 (ko) | 전력 모듈 패키지 구조체 | |
US20070120250A1 (en) | Thermal conductive electronics substrate and assembly | |
JP2008218669A (ja) | 半導体装置 | |
US20070045804A1 (en) | Printed circuit board for thermal dissipation and electronic device using the same | |
TWI508238B (zh) | 晶片散熱系統 | |
JP2002270743A (ja) | 半導体素子の実装構造 | |
JP2008091714A (ja) | 半導体装置 | |
JP4593616B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW202010072A (zh) | 半導體封裝裝置 | |
JP2007305761A (ja) | 半導体装置 | |
CN213752684U (zh) | 具有竖直热管理的堆叠式硅封装组件 | |
JP2016096329A (ja) | 複数の光素子からの熱除去 | |
JP2003031744A (ja) | 半導体装置 | |
US7723843B2 (en) | Multi-package module and electronic device using the same | |
JP2011035352A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008004688A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2010251427A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2611671B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007281201A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007324544A (ja) | 積層型半導体パッケージ | |
JP2007281043A (ja) | 半導体装置 | |
JP3164067U (ja) | 回路板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090603 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091026 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120515 |