JP2003022517A - 磁気カード用フェライト磁性粉 - Google Patents
磁気カード用フェライト磁性粉Info
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- JP2003022517A JP2003022517A JP2001210382A JP2001210382A JP2003022517A JP 2003022517 A JP2003022517 A JP 2003022517A JP 2001210382 A JP2001210382 A JP 2001210382A JP 2001210382 A JP2001210382 A JP 2001210382A JP 2003022517 A JP2003022517 A JP 2003022517A
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- magnetic
- ferrite
- ferrite magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気カードの高密度記録化とオーパーライト
特性の改善を図る。 【解決手段】 平均粒径をＤ（μｍ）としたとき, 各粒
子の粒径がＤ±Ｄ／２（μｍ）の範囲内にある確率が５
０％以上であり，ＳＦＤ３２値が２以下，ＳＦＤ１２８
値が４以下を示すフェライト磁性粉である。
特性の改善を図る。 【解決手段】 平均粒径をＤ（μｍ）としたとき, 各粒
子の粒径がＤ±Ｄ／２（μｍ）の範囲内にある確率が５
０％以上であり，ＳＦＤ３２値が２以下，ＳＦＤ１２８
値が４以下を示すフェライト磁性粉である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高密度磁気記録が
でき且つ繰り返し重ね書きしたときに前の信号が残るこ
とのない磁気カードが得られるフェライト磁性粉に関す
る。
でき且つ繰り返し重ね書きしたときに前の信号が残るこ
とのない磁気カードが得られるフェライト磁性粉に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】塗布型磁気記録媒体のうち磁気カードの
磁性層を構成する磁性粉としてフェライト磁性粉が多く
使用されている。このフェライト磁性粉はマグネトプラ
ンバイト型フェライトからなり，酸化鉄と二価の金属化
合物例えばＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの酸化物や炭酸塩等の化合
物とを, 所要のモル比で配合して焼成し，その焼成品を
粉砕することによって得られる。そのさい，原料配合の
時点で，各種の特性向上のために，Ｂｉその他種々の金
属化合物を適量配合している。
磁性層を構成する磁性粉としてフェライト磁性粉が多く
使用されている。このフェライト磁性粉はマグネトプラ
ンバイト型フェライトからなり，酸化鉄と二価の金属化
合物例えばＢａ，Ｓｒ，Ｐｂの酸化物や炭酸塩等の化合
物とを, 所要のモル比で配合して焼成し，その焼成品を
粉砕することによって得られる。そのさい，原料配合の
時点で，各種の特性向上のために，Ｂｉその他種々の金
属化合物を適量配合している。
【０００３】このようなフェライト磁性粉を用いた磁気
記録媒体は，形状磁気異方性を示す針状のメタル粉やコ
バルト変成酸化鉄などの磁性粉を用いたものに比べて，
ＳＦＤ値（ Swiching Field Distribution) が非常に小
さくなるという特徴があり，このため，記録された信号
の磁化反転の遷移領域の幅が小さくなる。
記録媒体は，形状磁気異方性を示す針状のメタル粉やコ
バルト変成酸化鉄などの磁性粉を用いたものに比べて，
ＳＦＤ値（ Swiching Field Distribution) が非常に小
さくなるという特徴があり，このため，記録された信号
の磁化反転の遷移領域の幅が小さくなる。
【０００４】ＳＦＤ値は，周知のように磁気テープやシ
ートのヒステリシスループにおいてＨc の微分曲線をと
ったとき，該曲線の頂点の半分の高さにおけるＨ幅（該
ループの微分半値幅：ΔＨ）を保磁力Ｈc で除した値，
すなわちΔＨ／Ｈｃの値を言う。このＳＦＤ値が小さい
ほど磁化の立ち上がりが急峻であり，このために記録信
号の磁化反転の遷移領域の幅が狭くなる。通常のバリウ
ムフェライト磁性粉のＳＦＤ値は 0.1〜 0.3程度であ
り，メタル磁性粉やコバルト変成酸化鉄のものに比べる
と，一般に小さい値を示す。
ートのヒステリシスループにおいてＨc の微分曲線をと
ったとき，該曲線の頂点の半分の高さにおけるＨ幅（該
ループの微分半値幅：ΔＨ）を保磁力Ｈc で除した値，
すなわちΔＨ／Ｈｃの値を言う。このＳＦＤ値が小さい
ほど磁化の立ち上がりが急峻であり，このために記録信
号の磁化反転の遷移領域の幅が狭くなる。通常のバリウ
ムフェライト磁性粉のＳＦＤ値は 0.1〜 0.3程度であ
り，メタル磁性粉やコバルト変成酸化鉄のものに比べる
と，一般に小さい値を示す。
【０００５】他方，磁気カードの用途拡大につれてその
オーバーライト特性の改善要求も強くなっている。すな
わち，繰り返し重ね書きしたときに前の信号が残ること
のないＳＦＤ値の良い，すなわちオーバーライト消磁率
の高い磁気カードであることが必要である。
オーバーライト特性の改善要求も強くなっている。すな
わち，繰り返し重ね書きしたときに前の信号が残ること
のないＳＦＤ値の良い，すなわちオーバーライト消磁率
の高い磁気カードであることが必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって，本発明の
課題は，磁気記録に適すると共にオーバーライト消磁率
の高い磁気カードを得るためのフェライト磁性粉を提供
するにある。
課題は，磁気記録に適すると共にオーバーライト消磁率
の高い磁気カードを得るためのフェライト磁性粉を提供
するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，前記の
課題を解決するフェライト磁性粉として，平均粒径をＤ
（μｍ）としたとき, 各粒子の粒径がＤ±Ｄ／２（μ
ｍ）の範囲内にある確率が５０％以上であり，下記に定
義するＳＦＤ測定法に従って測定したときのＳＦＤ３２
値が２以下，さらにはＳＦＤ１２８値が４以下である磁
気カード用フェライト磁性粉を提供する。ここで，Ｄは
０.３μｍ以上，０.８μｍ以下の範囲内にあるのが好ま
しい。
課題を解決するフェライト磁性粉として，平均粒径をＤ
（μｍ）としたとき, 各粒子の粒径がＤ±Ｄ／２（μ
ｍ）の範囲内にある確率が５０％以上であり，下記に定
義するＳＦＤ測定法に従って測定したときのＳＦＤ３２
値が２以下，さらにはＳＦＤ１２８値が４以下である磁
気カード用フェライト磁性粉を提供する。ここで，Ｄは
０.３μｍ以上，０.８μｍ以下の範囲内にあるのが好ま
しい。
【０００８】
【実施の形態】通常のフェライト磁性粉は，酸化鉄とＢ
ａ，ＳｒまたはＰｂ等の酸化物や炭酸塩等の化合物とを
所要のモル比で配合し，さらに必要に応じてその他の金
属化合物を配合したうえで，焼成し，その焼成品を粉砕
し，歪み取り焼鈍して粉砕時の歪みを除去し，分級また
は湿式解砕して粒度調整と洗浄または可溶物分離を行う
という一連の工程を経て製造される。このような各種の
工程を適正に管理することのほか，焼結品を粉砕するさ
いに，粉砕機として振動ミルを使用し，その粉砕条件を
できるだけ高速で且つ所要の時間に設定して粉砕する
と，粒径の小さいものと大きいものが混在する量が少な
くなり，一定の粒径のものに収斂した粒度分布をもつ
（粒径の揃った粒子群からなる）フェライト磁性粉が得
られることがわかった。そして，粒径が小さいものも大
きいものも混ざっていないフェライト磁性粉であれば，
オーバーライト特性の優れた磁気カードが得られること
が判明した。
ａ，ＳｒまたはＰｂ等の酸化物や炭酸塩等の化合物とを
所要のモル比で配合し，さらに必要に応じてその他の金
属化合物を配合したうえで，焼成し，その焼成品を粉砕
し，歪み取り焼鈍して粉砕時の歪みを除去し，分級また
は湿式解砕して粒度調整と洗浄または可溶物分離を行う
という一連の工程を経て製造される。このような各種の
工程を適正に管理することのほか，焼結品を粉砕するさ
いに，粉砕機として振動ミルを使用し，その粉砕条件を
できるだけ高速で且つ所要の時間に設定して粉砕する
と，粒径の小さいものと大きいものが混在する量が少な
くなり，一定の粒径のものに収斂した粒度分布をもつ
（粒径の揃った粒子群からなる）フェライト磁性粉が得
られることがわかった。そして，粒径が小さいものも大
きいものも混ざっていないフェライト磁性粉であれば，
オーバーライト特性の優れた磁気カードが得られること
が判明した。
【０００９】例えば，後記実施例に示したように，１２
００ｒｐｍで高速回転する振動ミルで焼結品を乾式微粉
砕した場合，電子顕微鏡観察ではその殆んどの粒子の粒
径が０.７μｍに揃っており，０.７±０.０７μｍを外
れる粒子は，１００個のうち数個しか観察されないとい
った粉体が得られる。このものは，ＳＦＤ３２値＝１.
３で，ＳＦＤ１２８値＝３.２を示す磁気シートにする
ことができ，これまでにないオーバライト特性の優れた
磁気記録が可能である。
００ｒｐｍで高速回転する振動ミルで焼結品を乾式微粉
砕した場合，電子顕微鏡観察ではその殆んどの粒子の粒
径が０.７μｍに揃っており，０.７±０.０７μｍを外
れる粒子は，１００個のうち数個しか観察されないとい
った粉体が得られる。このものは，ＳＦＤ３２値＝１.
３で，ＳＦＤ１２８値＝３.２を示す磁気シートにする
ことができ，これまでにないオーバライト特性の優れた
磁気記録が可能である。
【００１０】一般に，フェライト磁性粉を用いた高密度
磁気記録媒体のＳＦＤ特性を示す場合に，ヒテリシスル
ープ微分曲線の半値幅（微分曲線の頂点の１／２高さレ
ベルでのＨ幅：ΔＨ）ではＳＦＤ値が少数点以下１桁の
値となることが多く，これでは特性値の差異を表すには
必ずしも適切ではないので，その代わりに，該微分曲線
の頂点の１／３２や１／１２８の高さのＨ幅（ΔＨ32，
ΔＨ128）をＨｃで除した値（ΔＨ32／Ｈｃ，ΔＨ128／
Ｈｃ）をとり，これらをＳＦＤ３２値，ＳＦＤ値１２８
値として表すと，ヒテリシスループの磁化の立ち上がり
が殆んど垂直に近いようなものでも，少数点以下の値に
なることはめったになく，磁化の立ち上がりが急峻なも
のを表現するのに都合がよい。
磁気記録媒体のＳＦＤ特性を示す場合に，ヒテリシスル
ープ微分曲線の半値幅（微分曲線の頂点の１／２高さレ
ベルでのＨ幅：ΔＨ）ではＳＦＤ値が少数点以下１桁の
値となることが多く，これでは特性値の差異を表すには
必ずしも適切ではないので，その代わりに，該微分曲線
の頂点の１／３２や１／１２８の高さのＨ幅（ΔＨ32，
ΔＨ128）をＨｃで除した値（ΔＨ32／Ｈｃ，ΔＨ128／
Ｈｃ）をとり，これらをＳＦＤ３２値，ＳＦＤ値１２８
値として表すと，ヒテリシスループの磁化の立ち上がり
が殆んど垂直に近いようなものでも，少数点以下の値に
なることはめったになく，磁化の立ち上がりが急峻なも
のを表現するのに都合がよい。
【００１１】したがって，本発明で得られるフェライト
磁性粉のように，磁化の立ち上がりが殆んど垂直に近い
ような磁性粉では，ＳＦＤ３２値やＳＦＤ１２８値でそ
の特性を表すのが便宜である。マグネトプランバイト型
フェライト磁性粉の分野において，これまでのところ，
ＳＦＤ３２値が２以下，ＳＦＤ１２８値が４以下を示す
ようなオーバーライト特性の優れた磁気記録に適する磁
性粉を工業的に生産されたとされる報告例はない。
磁性粉のように，磁化の立ち上がりが殆んど垂直に近い
ような磁性粉では，ＳＦＤ３２値やＳＦＤ１２８値でそ
の特性を表すのが便宜である。マグネトプランバイト型
フェライト磁性粉の分野において，これまでのところ，
ＳＦＤ３２値が２以下，ＳＦＤ１２８値が４以下を示す
ようなオーバーライト特性の優れた磁気記録に適する磁
性粉を工業的に生産されたとされる報告例はない。
【００１２】本明細書において，ＳＦＤ３２値とＳＦＤ
１２８値は次の測定法に従って得られた値を言う。ま
ず，測定用フェライト磁性粉を用いて下記組成の磁性塗
料を作成する。 測定用フェライト磁性粉 １００重量部 ポリ塩化ビニル共重合体 ２３重量部 （日本ゼオン株式会社製の商品名ＭＲ−１１０） メチルエチルケトン ５２重量部 シクロヘキサノン ５２重量部 次いで，得られた塗料をアプリケーターで厚み１８８μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフイルム上に膜厚２０
μｍで塗布し，磁場配向し乾燥させる。磁場配向は２Ｋ
Ｏe で行う。得られた磁気シートについてＶＳＭ測定を
行う，そのヒステリシスループからその微分曲線を求
め，該曲線の頂点の１／３２と１／１２８の高さのＨ幅
（ΔＨ 32とΔＨ128）をＨｃで除した値（ΔＨ32／Ｈｃ
とΔＨ128／Ｈｃ）を求め，これをＳＦＤ３２値とＳＦ
Ｄ値１２８値とする。
１２８値は次の測定法に従って得られた値を言う。ま
ず，測定用フェライト磁性粉を用いて下記組成の磁性塗
料を作成する。 測定用フェライト磁性粉 １００重量部 ポリ塩化ビニル共重合体 ２３重量部 （日本ゼオン株式会社製の商品名ＭＲ−１１０） メチルエチルケトン ５２重量部 シクロヘキサノン ５２重量部 次いで，得られた塗料をアプリケーターで厚み１８８μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフイルム上に膜厚２０
μｍで塗布し，磁場配向し乾燥させる。磁場配向は２Ｋ
Ｏe で行う。得られた磁気シートについてＶＳＭ測定を
行う，そのヒステリシスループからその微分曲線を求
め，該曲線の頂点の１／３２と１／１２８の高さのＨ幅
（ΔＨ 32とΔＨ128）をＨｃで除した値（ΔＨ32／Ｈｃ
とΔＨ128／Ｈｃ）を求め，これをＳＦＤ３２値とＳＦ
Ｄ値１２８値とする。
【００１３】このような特性を示す本発明のフェライト
磁性粉は， 一般式, ＭＯ・ｎ（Ｆｅ1-x-y・Ｍ'xＭ"y)2Ｏ3 ただし，式中, Ｍ：Ｂａ, ＳｒおよびＰｂからなる群より選ばれる１種
または２種以上の金属 Ｍ’：Ｖ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，ＷおよびＮｂからなる群
より選ばれる１種または２種以上の金属 Ｍ”：Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，ＮｉおよびＭｇからな
る群より選ばれる１種または２種以上の金属 ｎ：５〜６ ｘ：０〜０.２ ｙ：０〜０.２ で表されるマグネトプランバイト型フェライトであれば
よい。
磁性粉は， 一般式, ＭＯ・ｎ（Ｆｅ1-x-y・Ｍ'xＭ"y)2Ｏ3 ただし，式中, Ｍ：Ｂａ, ＳｒおよびＰｂからなる群より選ばれる１種
または２種以上の金属 Ｍ’：Ｖ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，ＷおよびＮｂからなる群
より選ばれる１種または２種以上の金属 Ｍ”：Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，ＮｉおよびＭｇからな
る群より選ばれる１種または２種以上の金属 ｎ：５〜６ ｘ：０〜０.２ ｙ：０〜０.２ で表されるマグネトプランバイト型フェライトであれば
よい。
【００１４】ここで，Ｍはマグネトプランバイト型フェ
ライトを構成するのに必要な成分であり，Ｍ’とＭ”は
本発明のフェライト磁性粉の保磁力特性を調整するのに
有益であり，ＳＦＤ３２値とＳＦＤ１２８値を前記の値
に調整するのに有効に作用する。
ライトを構成するのに必要な成分であり，Ｍ’とＭ”は
本発明のフェライト磁性粉の保磁力特性を調整するのに
有益であり，ＳＦＤ３２値とＳＦＤ１２８値を前記の値
に調整するのに有効に作用する。
【００１５】このようなフェライト磁性粉の製造にあた
っては，前記の成分組成となるようなモル比に，酸化鉄
とＭ，Ｍ’Ｍ”の化合物（酸化物や炭酸塩など）の粉体
原料を秤量配合し，ポリビニールアルコール等のバイン
ダーを適量（例えば０.５〜２.５％）加えてペレット状
に造粒し，焼成炉において，１００〜３００℃，好まし
くは１２０〜１５０℃の昇温過程では乾燥処理を行い，
次いで１０００〜１２７０℃，好ましくは１０３０〜１
２４０℃で１時間以上の焼成を行う。雰囲気は大気雰囲
気でもよいが，窒素ガス中に酸素を意図する量だけ含有
させた人工雰囲気であってもよい。
っては，前記の成分組成となるようなモル比に，酸化鉄
とＭ，Ｍ’Ｍ”の化合物（酸化物や炭酸塩など）の粉体
原料を秤量配合し，ポリビニールアルコール等のバイン
ダーを適量（例えば０.５〜２.５％）加えてペレット状
に造粒し，焼成炉において，１００〜３００℃，好まし
くは１２０〜１５０℃の昇温過程では乾燥処理を行い，
次いで１０００〜１２７０℃，好ましくは１０３０〜１
２４０℃で１時間以上の焼成を行う。雰囲気は大気雰囲
気でもよいが，窒素ガス中に酸素を意図する量だけ含有
させた人工雰囲気であってもよい。
【００１６】次いで，焼成炉から取り出された焼成品を
粉砕処理工程に移し，振動ミルによって乾式粉砕する。
この場合，可及的に高速回転のもとで処理時間を調整す
ることによって，各粒子の粒径がＤ±Ｄ／２（μｍ）の
範囲内に５０％以上が入る，好ましくは６０％以上，更
には７０％以上が入る粒径の揃った粒子群の粉体とする
ことができる。Ｄは０.３μｍ以上，０.８μｍ以下の或
る値であるのがよい。次いで粉砕時の歪みを除去するた
めにアニール処理するが，これは２５０〜８５０℃で１
〜２時間の処理とすればよい。そのあと必要であればア
ニール処理で付着した粒子同士を解砕する処理を行う。
粉砕処理工程に移し，振動ミルによって乾式粉砕する。
この場合，可及的に高速回転のもとで処理時間を調整す
ることによって，各粒子の粒径がＤ±Ｄ／２（μｍ）の
範囲内に５０％以上が入る，好ましくは６０％以上，更
には７０％以上が入る粒径の揃った粒子群の粉体とする
ことができる。Ｄは０.３μｍ以上，０.８μｍ以下の或
る値であるのがよい。次いで粉砕時の歪みを除去するた
めにアニール処理するが，これは２５０〜８５０℃で１
〜２時間の処理とすればよい。そのあと必要であればア
ニール処理で付着した粒子同士を解砕する処理を行う。
【００１７】
【実施例】次の原料配合で，ハイスピードミキサに装填
し１０分間攪拌混合した。 酸化鉄（市販のＦｅ2Ｏ3 ）：１６７Ｋｇ（フェライト
組成におけるＦｅの原子比で３.６６相当） 酸化亜鉛（市販の２種ＺｎＯ）：５.２６Ｋｇ（同Ｚｎ
の原子比で０.１１相当） 酸化チタン（市販のアナターゼ型）：１０.３３Ｋｇ
（同Ｔｉの原子比で０.２８相当） 酸化コバルト（市販のＣｏ3Ｏ4）：５.２８Ｋｇ（同Ｃ
ｏの原子比で０.１２相当） 炭酸バリウム（バライト工業株式会社製）：４０Ｋｇ
（同Ｂａの原子比で０.８８相当）
し１０分間攪拌混合した。 酸化鉄（市販のＦｅ2Ｏ3 ）：１６７Ｋｇ（フェライト
組成におけるＦｅの原子比で３.６６相当） 酸化亜鉛（市販の２種ＺｎＯ）：５.２６Ｋｇ（同Ｚｎ
の原子比で０.１１相当） 酸化チタン（市販のアナターゼ型）：１０.３３Ｋｇ
（同Ｔｉの原子比で０.２８相当） 酸化コバルト（市販のＣｏ3Ｏ4）：５.２８Ｋｇ（同Ｃ
ｏの原子比で０.１２相当） 炭酸バリウム（バライト工業株式会社製）：４０Ｋｇ
（同Ｂａの原子比で０.８８相当）
【００１８】得られた混合物を，０.５％ポリビニール
アルコール溶液をバインダーとして造粒機で直径３〜１
０ｍｍφのペレットに造粒した。ついで，このペレット
を十分に乾燥させたあと，１１５０℃で２時間空気中で
焼成した。この焼成品を振動ミルを用いて１２００ｒｐ
ｍで０.７μｍにまで乾式粉砕した。ついで６００℃で
１時間の歪み取り焼鈍を行い，その焼鈍品を湿式解砕
し，水洗・乾燥してフェライト磁性粉を得た。このフェ
ライト磁性粉の組成はＢａＯ・ 5.8Ｆｅ0.78Ｔｉ 0.11Ｃ
ｏ0.055Ｚｎ0.055）2Ｏ3 であり，炭素含有量＝0.03重
量％，ｐＨ＝8.2，水分量＝0.2 ％であった。この磁性
粉を電子顕微鏡で観察し，粒径を測定したところ，１０
０個の粒子中，０.７±0.7/2 （μｍ）の範囲内に存在
しない粒子数は４０個であった。
アルコール溶液をバインダーとして造粒機で直径３〜１
０ｍｍφのペレットに造粒した。ついで，このペレット
を十分に乾燥させたあと，１１５０℃で２時間空気中で
焼成した。この焼成品を振動ミルを用いて１２００ｒｐ
ｍで０.７μｍにまで乾式粉砕した。ついで６００℃で
１時間の歪み取り焼鈍を行い，その焼鈍品を湿式解砕
し，水洗・乾燥してフェライト磁性粉を得た。このフェ
ライト磁性粉の組成はＢａＯ・ 5.8Ｆｅ0.78Ｔｉ 0.11Ｃ
ｏ0.055Ｚｎ0.055）2Ｏ3 であり，炭素含有量＝0.03重
量％，ｐＨ＝8.2，水分量＝0.2 ％であった。この磁性
粉を電子顕微鏡で観察し，粒径を測定したところ，１０
０個の粒子中，０.７±0.7/2 （μｍ）の範囲内に存在
しない粒子数は４０個であった。
【００１９】本文に記載のＳＦＤ３２とＳＦＤ１２８の
測定法に従って，それらの値を測定したところ，ＳＦＤ
３２値＝１.３，ＳＦＤ１２８値＝３.２であった。また
ＳＦＤ値は０.０９であった。
測定法に従って，それらの値を測定したところ，ＳＦＤ
３２値＝１.３，ＳＦＤ１２８値＝３.２であった。また
ＳＦＤ値は０.０９であった。
【００２０】比較のために，振動ミルに代えてウエット
ミルを使用し，スラリー濃度が４０〜５０％のもとで湿
式粉砕して，平均粒子径が０．７μｍの磁性粉とした以
外は前記の実施例を繰り返した。得られた磁性粉を電子
顕微鏡観察したところ，１００個の粒子中，０.７±0.7
/2 （μｍ）の範囲内に存在しない粒子数は８０個であ
り，ＳＦＤ３２値＝2.3 ，ＳＦＤ１２８値＝4.8 ，ＳＦ
Ｄ値＝ 0.2であった。
ミルを使用し，スラリー濃度が４０〜５０％のもとで湿
式粉砕して，平均粒子径が０．７μｍの磁性粉とした以
外は前記の実施例を繰り返した。得られた磁性粉を電子
顕微鏡観察したところ，１００個の粒子中，０.７±0.7
/2 （μｍ）の範囲内に存在しない粒子数は８０個であ
り，ＳＦＤ３２値＝2.3 ，ＳＦＤ１２８値＝4.8 ，ＳＦ
Ｄ値＝ 0.2であった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によると，
高密度磁気記録に適し且つオーバーライト特性に優れた
磁気カード用のフェライト磁性粉が提供でき，高性能磁
気カードの普及に貢献できる。
高密度磁気記録に適し且つオーバーライト特性に優れた
磁気カード用のフェライト磁性粉が提供でき，高性能磁
気カードの普及に貢献できる。
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フロントページの続き
(72)発明者 酒井 敏行
東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同
和鉱業株式会社内
(72)発明者 三島 泰信
岡山県和気郡佐伯町塩田307 日本弁柄工
業株式会社内
Ｆターム(参考） 4G002 AA08 AB01 AD04 AE03
5D006 BA01 BA08 DA01 EA01 FA09
5E040 AB03 CA06
Claims (3)
- 【請求項１】 平均粒径をＤ（μｍ）としたとき, 各粒
子の粒径がＤ±Ｄ／２（μｍ）の範囲内にある確率が５
０％以上であり，本明細書中に定義するＳＦＤ測定法に
従って測定したときのＳＦＤ３２値が２以下である磁気
カード用フェライト磁性粉。 - 【請求項２】 平均粒径をＤ（μｍ）としたとき, 各粒
子の粒径がＤ±Ｄ／２（μｍ）の範囲内にある確率が５
０％以上であり，本明細書中に定義するＳＦＤ測定法に
従って測定したときのＳＦＤ１２８値が４以下である磁
気カード用フェライト磁性粉。 - 【請求項３】 Ｄは０.３μｍ以上，０.８μｍ以下の或
る値である請求項１または２に記載の磁気カード用フェ
ライト磁性粉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001210382A JP2003022517A (ja) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | 磁気カード用フェライト磁性粉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001210382A JP2003022517A (ja) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | 磁気カード用フェライト磁性粉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003022517A true JP2003022517A (ja) | 2003-01-24 |
Family
ID=19045860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001210382A Pending JP2003022517A (ja) | 2001-07-11 | 2001-07-11 | 磁気カード用フェライト磁性粉 |
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2001
- 2001-07-11 JP JP2001210382A patent/JP2003022517A/ja active Pending
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