JP2003016857A - 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 - Google Patents
基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical group O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 24
- 239000002585 base Substances 0.000 description 15
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 241000143980 Satyrinae Species 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温でかつ簡便な工程により透明導電膜を低
抵抗化する方法、特に、プラスチック基材上に設けた透
明導電膜を低抵抗化する方法を提供すること。 【解決手段】 基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、
真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、２５℃以
上で３００℃以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫
外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明
導電膜を低抵抗化する方法。
抵抗化する方法、特に、プラスチック基材上に設けた透
明導電膜を低抵抗化する方法を提供すること。 【解決手段】 基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、
真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、２５℃以
上で３００℃以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫
外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明
導電膜を低抵抗化する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基材上に設けた透
明導電膜を低抵抗化する方法に関し、特に、プラスチッ
ク基材に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法に関す
る。
明導電膜を低抵抗化する方法に関し、特に、プラスチッ
ク基材に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯなどの透明導電膜は、液晶表示素
子、プラズマ発光表示素子、太陽電池、光デバイス等に
用いる透明電極など、様々な分野で用いられその需要は
ますます増大しつつある。基材上に透明導電膜を形成す
るには、通常、基材を２００℃以上に加熱しながら、電
子ビーム蒸着法（ＥＢ法）、スパッタリング法、または
イオンプレーティング法などにより、基材上にアモルフ
ァス酸化物や結晶化した酸化物を形成する方法等が行わ
れている。一般に、基材加熱を行わない場合には、抵抗
値が高いアモルファス状態の酸化物しか成膜できず、抵
抗値が高い膜となるが、２００度以上に基板を加熱する
と結晶化が進んで多結晶の酸化物薄膜が形成される。多
結晶の酸化物は、一般にアモルファスの酸化物に比較し
て抵抗値が低い膜となる。この方法を用いて、プラスチ
ック基材に抵抗値が低い多結晶の透明導電膜を形成する
ことは、プラスチック基板の耐熱性の観点から困難であ
り、一部の耐熱性プラスチック基板を除いて、現時点で
は実現されていない。
子、プラズマ発光表示素子、太陽電池、光デバイス等に
用いる透明電極など、様々な分野で用いられその需要は
ますます増大しつつある。基材上に透明導電膜を形成す
るには、通常、基材を２００℃以上に加熱しながら、電
子ビーム蒸着法（ＥＢ法）、スパッタリング法、または
イオンプレーティング法などにより、基材上にアモルフ
ァス酸化物や結晶化した酸化物を形成する方法等が行わ
れている。一般に、基材加熱を行わない場合には、抵抗
値が高いアモルファス状態の酸化物しか成膜できず、抵
抗値が高い膜となるが、２００度以上に基板を加熱する
と結晶化が進んで多結晶の酸化物薄膜が形成される。多
結晶の酸化物は、一般にアモルファスの酸化物に比較し
て抵抗値が低い膜となる。この方法を用いて、プラスチ
ック基材に抵抗値が低い多結晶の透明導電膜を形成する
ことは、プラスチック基板の耐熱性の観点から困難であ
り、一部の耐熱性プラスチック基板を除いて、現時点で
は実現されていない。
【０００３】また、ＩＴＯなどは透明性が良好な導電膜
であるとして広く用いられているが、透明であるといっ
てもその光吸収は、用途によっては無視できない程であ
る。光の吸収性はその膜厚に大きく影響され、膜厚が厚
くなるほど光吸収は大きくなる。一方、膜厚を小さくす
ると光吸収は小さくなるものの、電気抵抗が大きくな
る。したがって、光吸収が無視できる程度に小さくかつ
電気抵抗が小さい導電成膜の出現が望まれているが、現
在のところこのような要求を満たすＩＴＯ導電性膜は得
られていない。さらに、プラスチック基材に前記のごと
き導電性薄膜を設けることはプラスチック基材の耐熱性
が低い（現在のところ高だか２２３℃程度である）こと
から、より一層困難となっている。
であるとして広く用いられているが、透明であるといっ
てもその光吸収は、用途によっては無視できない程であ
る。光の吸収性はその膜厚に大きく影響され、膜厚が厚
くなるほど光吸収は大きくなる。一方、膜厚を小さくす
ると光吸収は小さくなるものの、電気抵抗が大きくな
る。したがって、光吸収が無視できる程度に小さくかつ
電気抵抗が小さい導電成膜の出現が望まれているが、現
在のところこのような要求を満たすＩＴＯ導電性膜は得
られていない。さらに、プラスチック基材に前記のごと
き導電性薄膜を設けることはプラスチック基材の耐熱性
が低い（現在のところ高だか２２３℃程度である）こと
から、より一層困難となっている。
【０００４】これに対し、ＩＴＯに代わる透明導電膜と
して、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、酸素
（Ｏ）の３成分を含む複酸化物をターゲットとしてスパ
ッタリングを行い、欠陥蛍石型結晶構造を有する複合酸
化物であって、一般式：Ｉｎ 3Ｓｂ1-XＯ7-δ（−０．２
≦Ｘ≦０．２、および−０．５≦δ≦０．５の範囲であ
る）で表され、高価なＩｎの含有量が少なくてもすみ、
低い抵抗率と高い可視光透過性の導電膜が、特開平１１
−３０２０１７号公報に記載されている。この方法は、
基板温度を５００℃という高温に加熱した状態でスパッ
タリングを行うことにより結晶性の薄膜を得るものであ
るので、プラスチック基材の上に同方法を適用して前記
複酸化物の導電性膜を形成することはできない。同公報
には、さらに、得られた結晶性の膜を１００〜１３００
℃・０．１〜１０時間の還元アニールすることにより酸
素空孔を生成させ、それによる電荷補償から生じるキャ
リア電子の注入も可能にすることが記載されているが、
このアニール処理は、結晶膜に対するアニール処理であ
り、アモルファス薄膜を結晶性膜に変換させるための処
理ではない。
して、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、酸素
（Ｏ）の３成分を含む複酸化物をターゲットとしてスパ
ッタリングを行い、欠陥蛍石型結晶構造を有する複合酸
化物であって、一般式：Ｉｎ 3Ｓｂ1-XＯ7-δ（−０．２
≦Ｘ≦０．２、および−０．５≦δ≦０．５の範囲であ
る）で表され、高価なＩｎの含有量が少なくてもすみ、
低い抵抗率と高い可視光透過性の導電膜が、特開平１１
−３０２０１７号公報に記載されている。この方法は、
基板温度を５００℃という高温に加熱した状態でスパッ
タリングを行うことにより結晶性の薄膜を得るものであ
るので、プラスチック基材の上に同方法を適用して前記
複酸化物の導電性膜を形成することはできない。同公報
には、さらに、得られた結晶性の膜を１００〜１３００
℃・０．１〜１０時間の還元アニールすることにより酸
素空孔を生成させ、それによる電荷補償から生じるキャ
リア電子の注入も可能にすることが記載されているが、
このアニール処理は、結晶膜に対するアニール処理であ
り、アモルファス薄膜を結晶性膜に変換させるための処
理ではない。
【０００５】また、プラスチック基材上のアモルファス
状薄膜に熱処理を施して結晶性の薄膜を作る方法とし
て、プラスチック基材に半導体薄膜を形成する方法が知
られている。たとえば、特開平６−１１７３８号公報
に、ＭＩＭ装置の半導電性結晶性シリコン膜を作製する
方法として、絶縁性シリコンベース化合物材料の薄膜表
面を、レーザ光等のエネルギービームで照射し、表面層
を溶融し、表面層を結晶性シリコン膜に変換し、その下
層に絶縁性シリコンベース化合物材料を残す方法が記載
されている。また、特開平５−３１５３６１号公報に
は、プラスチックフィルム上に半導体薄膜を形成する方
法として、プラスチックフィルムに非晶質材料膜と酸化
物絶縁膜この順に形成し、酸化物絶縁膜側からレーザ光
を照射し、非晶質材料膜と酸化物絶縁膜の界面近傍にお
いて非晶質材料膜を溶融し結晶化させるという、プラス
チックフィルムにレーザ光による熱的ダメージを与え
ず、結晶化した半導体膜を作製する方法が記載されてい
る。さらに、特開平５−３２６４０２号公報には、同様
に、プラスチックフィルムにレーザ光による熱の影響を
なくすため、プラスチックフィルムに熱バリア層を形成
した後、アモルファスシリコン層をこの上に形成し、次
いでレーザ光を照射して多結晶シリコン層を形成する方
法が記載されている。
状薄膜に熱処理を施して結晶性の薄膜を作る方法とし
て、プラスチック基材に半導体薄膜を形成する方法が知
られている。たとえば、特開平６−１１７３８号公報
に、ＭＩＭ装置の半導電性結晶性シリコン膜を作製する
方法として、絶縁性シリコンベース化合物材料の薄膜表
面を、レーザ光等のエネルギービームで照射し、表面層
を溶融し、表面層を結晶性シリコン膜に変換し、その下
層に絶縁性シリコンベース化合物材料を残す方法が記載
されている。また、特開平５−３１５３６１号公報に
は、プラスチックフィルム上に半導体薄膜を形成する方
法として、プラスチックフィルムに非晶質材料膜と酸化
物絶縁膜この順に形成し、酸化物絶縁膜側からレーザ光
を照射し、非晶質材料膜と酸化物絶縁膜の界面近傍にお
いて非晶質材料膜を溶融し結晶化させるという、プラス
チックフィルムにレーザ光による熱的ダメージを与え
ず、結晶化した半導体膜を作製する方法が記載されてい
る。さらに、特開平５−３２６４０２号公報には、同様
に、プラスチックフィルムにレーザ光による熱の影響を
なくすため、プラスチックフィルムに熱バリア層を形成
した後、アモルファスシリコン層をこの上に形成し、次
いでレーザ光を照射して多結晶シリコン層を形成する方
法が記載されている。
【０００６】これらの方法は、いずれも、アモルファス
の半導体膜をレーザ光でアニールすることにより結晶化
させる方法であるが、レーザ光による熱（１０００℃に
なることがある）の影響がプラスチックフィルムに及ぼ
さないように、アモルファス半導体層の表面だけを溶融
して結晶化させるか、あるいは、熱バリア層を設ける方
法である。したがって、これらの方法は、アモルファス
層全体を結晶化させることは不可能であるし、また、熱
バリア層を設けるという他の工程を要するほか、高価な
レーザ光照射装置が必要である。その上、レーザ光スポ
ットをフィルム全体に走査することが必要であるので、
フィルムを大面積化することが難しく、また、全体を結
晶化させるのに長時間かかるという不利な点もある。
の半導体膜をレーザ光でアニールすることにより結晶化
させる方法であるが、レーザ光による熱（１０００℃に
なることがある）の影響がプラスチックフィルムに及ぼ
さないように、アモルファス半導体層の表面だけを溶融
して結晶化させるか、あるいは、熱バリア層を設ける方
法である。したがって、これらの方法は、アモルファス
層全体を結晶化させることは不可能であるし、また、熱
バリア層を設けるという他の工程を要するほか、高価な
レーザ光照射装置が必要である。その上、レーザ光スポ
ットをフィルム全体に走査することが必要であるので、
フィルムを大面積化することが難しく、また、全体を結
晶化させるのに長時間かかるという不利な点もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のごと
き問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低
温でかつ簡便な工程により透明導電膜を低抵抗化する方
法、特に、プラスチック基材上に設けた透明導電膜を低
抵抗化する方法を提供することにある。
き問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低
温でかつ簡便な工程により透明導電膜を低抵抗化する方
法、特に、プラスチック基材上に設けた透明導電膜を低
抵抗化する方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題は、以下の透明
導電膜の製造方法を提供することにより解決される。 （１）基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あ
るいは還元性ガス雰囲気下において、２５℃以上で３０
０℃以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照
射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を
低抵抗化する方法。 （２）前記酸化物透明導電膜がアモルファス酸化物透明
導電膜であることを特徴とする前記（１）に記載の基材
上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 （３）前記還元性ガス雰囲気が水素ガスを含む還元性ガ
ス雰囲気であることを特徴とする前記（１）または
（２）に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化す
る方法。
導電膜の製造方法を提供することにより解決される。 （１）基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あ
るいは還元性ガス雰囲気下において、２５℃以上で３０
０℃以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照
射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を
低抵抗化する方法。 （２）前記酸化物透明導電膜がアモルファス酸化物透明
導電膜であることを特徴とする前記（１）に記載の基材
上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 （３）前記還元性ガス雰囲気が水素ガスを含む還元性ガ
ス雰囲気であることを特徴とする前記（１）または
（２）に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化す
る方法。
【０００９】（４）前記酸化物が酸化インジウムまたは
酸化インジウムと他の金属を含む酸化物であることを特
徴とする前記（１）ないし（３）のいずれか１に記載の
基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 （５）前記酸化物が酸化スズまたは酸化スズと他の金属
を含む酸化物であることを特徴とする前記（１）ないし
（３）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜
を低抵抗化する方法。 （６）前記酸化物が酸化インジウムと酸化スズを含む酸
化物であることを特徴とする前記（１）ないし（３）の
いずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗
化する方法。 （７）前記酸化物が酸化亜鉛または酸化亜鉛と他の金属
を含む酸化物であることを特徴とする前記（１）ないし
（３）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜
を低抵抗化する方法。
酸化インジウムと他の金属を含む酸化物であることを特
徴とする前記（１）ないし（３）のいずれか１に記載の
基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 （５）前記酸化物が酸化スズまたは酸化スズと他の金属
を含む酸化物であることを特徴とする前記（１）ないし
（３）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜
を低抵抗化する方法。 （６）前記酸化物が酸化インジウムと酸化スズを含む酸
化物であることを特徴とする前記（１）ないし（３）の
いずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗
化する方法。 （７）前記酸化物が酸化亜鉛または酸化亜鉛と他の金属
を含む酸化物であることを特徴とする前記（１）ないし
（３）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜
を低抵抗化する方法。
【００１０】（８）前記紫外線がエキシマランプからの
光であることを特徴とする前記（１）ないし（７）のい
ずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化
する方法。 （９）前記維持温度が５０℃以上２５０℃の温度範囲に
あることを特徴とする前記（１）ないし（８）のいずれ
か１に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する
方法。
光であることを特徴とする前記（１）ないし（７）のい
ずれか１に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化
する方法。 （９）前記維持温度が５０℃以上２５０℃の温度範囲に
あることを特徴とする前記（１）ないし（８）のいずれ
か１に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する
方法。
【００１１】（１０）前記基材がプラスチック基材であ
り、前記維持温度が５０℃以上からプラスチック基材の
耐熱温度までの温度範囲であることを特徴とする前記
（１）ないし（９）のいずれか１に記載の基材上に設け
た透明導電膜を低抵抗化する方法。 （１１）前記プラスチック基材の耐熱温度が１００〜２
３０℃の範囲であることを特徴とする前記（１）ないし
（１０）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明導電
膜を低抵抗化する方法。 （１２）前記アモルファス酸化物透明導電膜をスパッタ
リング法により形成することを特徴とする前記（１）な
いし（１１）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明
導電膜を低抵抗化する方法。
り、前記維持温度が５０℃以上からプラスチック基材の
耐熱温度までの温度範囲であることを特徴とする前記
（１）ないし（９）のいずれか１に記載の基材上に設け
た透明導電膜を低抵抗化する方法。 （１１）前記プラスチック基材の耐熱温度が１００〜２
３０℃の範囲であることを特徴とする前記（１）ないし
（１０）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明導電
膜を低抵抗化する方法。 （１２）前記アモルファス酸化物透明導電膜をスパッタ
リング法により形成することを特徴とする前記（１）な
いし（１１）のいずれか１に記載の基材上に設けた透明
導電膜を低抵抗化する方法。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、真空下あるいはガス雰
囲気下において、基材の上に設けた酸化物透明導電膜を
２５℃（室温）以上で３００℃以下の温度に維持しなが
ら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を行うことに
より、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法で
ある。本発明は、酸化物透明導電膜が、紫外線照射のも
とでは低温においてもその結晶性が増し、低抵抗化する
ことを発見したことに基づくものである。本発明の透明
導電膜の低抵抗化法は、導電性膜の成膜時に基材を高温
に加熱する従来方法に比較して、加熱温度は非常に低く
てもよい。また、紫外線照射は紫外線照射装置により全
面に紫外線を照射するだけでよく、レーザ照射装置を必
要としない。したがって、従来の方法に比較して、短時
間で、かつ大掛かりな装置も必要とせず、また、得られ
る透明導電膜は、膜厚を薄くしても抵抗値が低く、その
結果、光吸収率が小さい低抵抗導電膜である。また、加
熱温度が低くてもよいことにより基材としてプラスチッ
ク基材を用いることが可能となり、本発明により初め
て、プラスチック基材の上に抵抗値が低く光吸収が小さ
い透明導電膜を形成することが達成された。従来法では
プラスチック基材の上に簡便な方法により前記のごとき
性能の優れた透明導電膜を作製することは困難であっ
た。
囲気下において、基材の上に設けた酸化物透明導電膜を
２５℃（室温）以上で３００℃以下の温度に維持しなが
ら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を行うことに
より、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法で
ある。本発明は、酸化物透明導電膜が、紫外線照射のも
とでは低温においてもその結晶性が増し、低抵抗化する
ことを発見したことに基づくものである。本発明の透明
導電膜の低抵抗化法は、導電性膜の成膜時に基材を高温
に加熱する従来方法に比較して、加熱温度は非常に低く
てもよい。また、紫外線照射は紫外線照射装置により全
面に紫外線を照射するだけでよく、レーザ照射装置を必
要としない。したがって、従来の方法に比較して、短時
間で、かつ大掛かりな装置も必要とせず、また、得られ
る透明導電膜は、膜厚を薄くしても抵抗値が低く、その
結果、光吸収率が小さい低抵抗導電膜である。また、加
熱温度が低くてもよいことにより基材としてプラスチッ
ク基材を用いることが可能となり、本発明により初め
て、プラスチック基材の上に抵抗値が低く光吸収が小さ
い透明導電膜を形成することが達成された。従来法では
プラスチック基材の上に簡便な方法により前記のごとき
性能の優れた透明導電膜を作製することは困難であっ
た。
【００１３】本発明の製造方法に用いられる基材として
は、ガラス基材、プラスチックのフィルム、シートまた
は板等のプラスチック基材、セラミックスシート、セラ
ミック板等のセラミック基材、Ｓｉ、ＧａＮ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＰ等の単結晶基板が制限なく用いられる。前記
プラスチック基材としては、例えば、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテル
ケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポ
リエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリア
リレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ノルボルネ
ン樹脂（ＪＳＲ社製、商品名：アートン）等のプラスチ
ックのフィルム、シートあるいは板が挙げられる。上記
の樹脂の中でノルボルネン樹脂は、広い波長範囲におい
て光透過率が高くかつ耐熱性に優れた樹脂として近年注
目されているものである（月刊「化学経済」１９９７年
１２月号別冊）。また、プラスチック基材はフレキシブ
ルであることが好ましい
は、ガラス基材、プラスチックのフィルム、シートまた
は板等のプラスチック基材、セラミックスシート、セラ
ミック板等のセラミック基材、Ｓｉ、ＧａＮ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＰ等の単結晶基板が制限なく用いられる。前記
プラスチック基材としては、例えば、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテル
ケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポ
リエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリア
リレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ノルボルネ
ン樹脂（ＪＳＲ社製、商品名：アートン）等のプラスチ
ックのフィルム、シートあるいは板が挙げられる。上記
の樹脂の中でノルボルネン樹脂は、広い波長範囲におい
て光透過率が高くかつ耐熱性に優れた樹脂として近年注
目されているものである（月刊「化学経済」１９９７年
１２月号別冊）。また、プラスチック基材はフレキシブ
ルであることが好ましい
【００１４】以下で述べるように、本発明の加熱温度で
ある２５〜３００℃の温度範囲において、温度が高い方
が酸化物透明導電膜を低抵抗化するのに効率がよいの
で、基材としてプラスチック材料を用いる場合には、耐
熱性が高いプラスチック材料を用いることが好ましい。
耐熱性プラスチックとしてはポリイミドが代表的である
が、基材に透明性が要求される場合には、ポリカーボネ
ート（ＰＣ）（耐熱温度２０５℃）、ポリエーテルサル
フォン（ＰＥＳ）（耐熱温度２２３℃）、ポリサルフォ
ン（ＰＳ）（耐熱温度１９０℃）、アートン（ＡＲＴＯ
Ｎ）（耐熱温度１７１℃）などが好適に用いられる。中
でも耐熱性の観点からはＰＥＳが好ましく、透明性の観
点ではポリカーボネートやアートンが好ましい。また、
本発明において、プラスチック基材の耐熱温度とはガラ
ス転移点のことで、１００〜２３０℃程度である。
ある２５〜３００℃の温度範囲において、温度が高い方
が酸化物透明導電膜を低抵抗化するのに効率がよいの
で、基材としてプラスチック材料を用いる場合には、耐
熱性が高いプラスチック材料を用いることが好ましい。
耐熱性プラスチックとしてはポリイミドが代表的である
が、基材に透明性が要求される場合には、ポリカーボネ
ート（ＰＣ）（耐熱温度２０５℃）、ポリエーテルサル
フォン（ＰＥＳ）（耐熱温度２２３℃）、ポリサルフォ
ン（ＰＳ）（耐熱温度１９０℃）、アートン（ＡＲＴＯ
Ｎ）（耐熱温度１７１℃）などが好適に用いられる。中
でも耐熱性の観点からはＰＥＳが好ましく、透明性の観
点ではポリカーボネートやアートンが好ましい。また、
本発明において、プラスチック基材の耐熱温度とはガラ
ス転移点のことで、１００〜２３０℃程度である。
【００１５】本発明において、酸化物透明導電膜の材料
としては、ＳｎＯ2にＳｂ、Ｚｎ、またはこれらの酸化
物、またはＦ等を添加したもの、Ｉｎ2Ｏ3にＳｂ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの酸化物、または
Ｆ等を添加したもの、ＺｎＯにＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、またはこれらの酸化物等を添加したもの、ＩｎＧａ
Ｏ 2、ＭｇＩｎ2Ｏ4、ＣｄＯ、ＣｄＳｎＯ4、ＣｄＧａＯ
4、Ｃｄ2ＳｎＯ4等の無機材料の透明導電材料が用いら
れる。前記酸化物透明導電膜を結晶状態からみると、ア
モルファス状のもの、結晶化度が低くアモルファス部分
を含むものなどが挙げられる。酸化物透明導電膜の形成
法としては、スパッタリング法、ＲＦスパッタリング
法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等が用いられ
る。プラスチック基材に前記酸化物透明導電膜を作製す
る場合には、比較的低温、たとえば、現在、透明性のよ
いプラスチックスとして種々知られているものの耐熱温
度以下においても成膜が可能で、また、基材に対する損
傷が少ない、スパッタリング法が好ましく用いられる。
としては、ＳｎＯ2にＳｂ、Ｚｎ、またはこれらの酸化
物、またはＦ等を添加したもの、Ｉｎ2Ｏ3にＳｂ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの酸化物、または
Ｆ等を添加したもの、ＺｎＯにＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、またはこれらの酸化物等を添加したもの、ＩｎＧａ
Ｏ 2、ＭｇＩｎ2Ｏ4、ＣｄＯ、ＣｄＳｎＯ4、ＣｄＧａＯ
4、Ｃｄ2ＳｎＯ4等の無機材料の透明導電材料が用いら
れる。前記酸化物透明導電膜を結晶状態からみると、ア
モルファス状のもの、結晶化度が低くアモルファス部分
を含むものなどが挙げられる。酸化物透明導電膜の形成
法としては、スパッタリング法、ＲＦスパッタリング
法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等が用いられ
る。プラスチック基材に前記酸化物透明導電膜を作製す
る場合には、比較的低温、たとえば、現在、透明性のよ
いプラスチックスとして種々知られているものの耐熱温
度以下においても成膜が可能で、また、基材に対する損
傷が少ない、スパッタリング法が好ましく用いられる。
【００１６】本発明における酸化物透明導電膜の加熱維
持温度は、加熱時間にも依存するが、２５℃以上、好ま
しくは５０℃以上であれば充分に前記導電膜を低抵抗化
させることができる。酸化物透明導電膜の結晶化度が高
い方が膜の抵抗値が低くなるため、結晶化度を上げるた
めには加熱温度は高い方がよい。したがって、加熱の上
限温度は特に制限はないが、加熱方法の選択、加熱温度
の制御、エネルギーロス等の観点から、３００℃程度、
好ましくは２５０℃程度であることが好ましい。また、
低抵抗化を効率よく達成し、また、加熱条件を妥当なも
のとするためには、酸化物透明導電膜を１００〜２００
℃程度に加熱することが好ましい。また、基材がプラス
チック基材の場合には、その加熱上限温度は、プラスチ
ック基材の耐熱温度である。プラスチック基材の耐熱温
度とは、前記に挙げたプラスチック基材の場合、最も高
いもので２３０℃程度である。また、前記２つの観点か
らプラスチック基材の場合も１００〜２００℃程度（た
だし、プラスチック基材の耐熱温度が２００℃以下の場
合はその耐熱温度までの範囲）に加熱することが好まし
い。
持温度は、加熱時間にも依存するが、２５℃以上、好ま
しくは５０℃以上であれば充分に前記導電膜を低抵抗化
させることができる。酸化物透明導電膜の結晶化度が高
い方が膜の抵抗値が低くなるため、結晶化度を上げるた
めには加熱温度は高い方がよい。したがって、加熱の上
限温度は特に制限はないが、加熱方法の選択、加熱温度
の制御、エネルギーロス等の観点から、３００℃程度、
好ましくは２５０℃程度であることが好ましい。また、
低抵抗化を効率よく達成し、また、加熱条件を妥当なも
のとするためには、酸化物透明導電膜を１００〜２００
℃程度に加熱することが好ましい。また、基材がプラス
チック基材の場合には、その加熱上限温度は、プラスチ
ック基材の耐熱温度である。プラスチック基材の耐熱温
度とは、前記に挙げたプラスチック基材の場合、最も高
いもので２３０℃程度である。また、前記２つの観点か
らプラスチック基材の場合も１００〜２００℃程度（た
だし、プラスチック基材の耐熱温度が２００℃以下の場
合はその耐熱温度までの範囲）に加熱することが好まし
い。
【００１７】紫外線照射は、市販の紫外線照射装置によ
り十分可能であるが、中でもエキシマランプが好ましく
用いられる。また、紫外線の波長は短い方が光エネルギ
ーが大きく、３６５ｎｍ以下、好ましくは３０８ｎｍ以
下が好ましく用いられる（たとえば、３０８ｎｍ、２０
２ｎｍ、１７２ｎｍの紫外線）。紫外線照射量は、１〜
５０ｍＷ／ｃｍ2程度でも充分、酸化物透明導電膜を低
抵抗化することができる。また、紫外線照射時間は一般
的に長い方が、酸化物透明導電膜をより低抵抗の導電性
膜に変換させることができる。加熱温度や作製すべき酸
化物透明導電膜の種類にもよるが、たとえば、ＩＴＯを
１５０℃に加熱維持する場合、１０〜３０分程度が適切
である。
り十分可能であるが、中でもエキシマランプが好ましく
用いられる。また、紫外線の波長は短い方が光エネルギ
ーが大きく、３６５ｎｍ以下、好ましくは３０８ｎｍ以
下が好ましく用いられる（たとえば、３０８ｎｍ、２０
２ｎｍ、１７２ｎｍの紫外線）。紫外線照射量は、１〜
５０ｍＷ／ｃｍ2程度でも充分、酸化物透明導電膜を低
抵抗化することができる。また、紫外線照射時間は一般
的に長い方が、酸化物透明導電膜をより低抵抗の導電性
膜に変換させることができる。加熱温度や作製すべき酸
化物透明導電膜の種類にもよるが、たとえば、ＩＴＯを
１５０℃に加熱維持する場合、１０〜３０分程度が適切
である。
【００１８】加熱および紫外線照射時の雰囲気は、真空
あるいはガス雰囲気が好ましく、特に低い酸素分圧を有
する雰囲気とすることが好ましい。酸素分圧を低くする
ことにより酸化物透明導電膜の加熱温度をより低温にす
ることができる。前記の「真空」とは、一般的に１０-2
Ｐａ程度以下の真空度をさすが、他の条件を考慮するこ
とにより適宜決定することができる。ガス雰囲気は、水
素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ
等の希ガス、一酸化炭素ガスなどの１種以上が用いられ
るが、水素ガスを含む還元性雰囲気であることが好まし
い。たとえば、水素を２〜５％（爆発限界以下）含む純
度の高い窒素ガス還元雰囲気下（たとえば１ｌの内容量
を有する装置を用いる場合、流量を０．５〜２ ｌ／ｍ
ｉｎとする）でアニール処理を行うと、酸化物透明導電
膜が結晶化することにより低抵抗化するし、また酸素の
格子欠陥が生じてキャリアー濃度が増加し、導電性膜が
より低抵抗化する。還元性雰囲気の圧力は常圧（大気
圧）でよいが、減圧条件でもよい。
あるいはガス雰囲気が好ましく、特に低い酸素分圧を有
する雰囲気とすることが好ましい。酸素分圧を低くする
ことにより酸化物透明導電膜の加熱温度をより低温にす
ることができる。前記の「真空」とは、一般的に１０-2
Ｐａ程度以下の真空度をさすが、他の条件を考慮するこ
とにより適宜決定することができる。ガス雰囲気は、水
素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ
等の希ガス、一酸化炭素ガスなどの１種以上が用いられ
るが、水素ガスを含む還元性雰囲気であることが好まし
い。たとえば、水素を２〜５％（爆発限界以下）含む純
度の高い窒素ガス還元雰囲気下（たとえば１ｌの内容量
を有する装置を用いる場合、流量を０．５〜２ ｌ／ｍ
ｉｎとする）でアニール処理を行うと、酸化物透明導電
膜が結晶化することにより低抵抗化するし、また酸素の
格子欠陥が生じてキャリアー濃度が増加し、導電性膜が
より低抵抗化する。還元性雰囲気の圧力は常圧（大気
圧）でよいが、減圧条件でもよい。
【００１９】次に本発明の方法に用いるアニール装置に
ついて説明する。図１はガス雰囲気下において低抵抗化
を行うアニール装置の一例を示す模式的概念図であり、
アニール装置２０は、酸化物透明導電膜を設けた基材
（以下においてこれを基板ということがある。）を収容
するチャンバー２１、紫外線照射手段２２、加熱手段２
４、加熱手段からの熱を伝導するための熱伝導板２６、
図示しない雰囲気ガス導入および排出手段、雰囲気ガス
導入路２７、雰囲気ガス排出路２８、真空排気手段４０
を有している。１０は基材に酸化物透明導電膜を設けた
基板である。また、図示していないが、基板１０と熱伝
導板２６の間には、温度検知手段が設けられ、図示しな
い温度制御手段により基板の温度（酸化物透明導電膜の
温度）が制御される。また、この装置を用いる際、チャ
ンバー内の酸素分圧を下げるが、酸素分圧を下げるの
に、真空排気手段を用いず還元性ガスを一定時間流すこ
とにより酸素分圧を下げることも可能であるので、この
場合には、真空排気手段を設けない構造とすることがで
きる。紫外線照射手段としては、エキシマランプが好ま
しく、加熱手段としては電気的に加熱するヒーターが、
また、熱伝導板としては、たとえば、熱伝導性セラミッ
ク板が用いられ、温度検知手段として、たとえば熱電対
が用いられる。真空排気手段としてはたとえばターボ分
子ポンプが用いられる。また、本発明の低抵抗化方法を
真空下で行う場合のアニール装置では、図１のアニール
装置における雰囲気ガス導入および排出手段に代えて、
装置内のガスを排気する真空排気手段、たとえばターボ
分子ポンプを設ければよい。本発明の低抵抗化方法は、
低温アニールが可能であるので、加熱手段、温度制御手
段などに特別な仕様のものを用いる必要がなく、安価な
手段でよいというメリットがある。
ついて説明する。図１はガス雰囲気下において低抵抗化
を行うアニール装置の一例を示す模式的概念図であり、
アニール装置２０は、酸化物透明導電膜を設けた基材
（以下においてこれを基板ということがある。）を収容
するチャンバー２１、紫外線照射手段２２、加熱手段２
４、加熱手段からの熱を伝導するための熱伝導板２６、
図示しない雰囲気ガス導入および排出手段、雰囲気ガス
導入路２７、雰囲気ガス排出路２８、真空排気手段４０
を有している。１０は基材に酸化物透明導電膜を設けた
基板である。また、図示していないが、基板１０と熱伝
導板２６の間には、温度検知手段が設けられ、図示しな
い温度制御手段により基板の温度（酸化物透明導電膜の
温度）が制御される。また、この装置を用いる際、チャ
ンバー内の酸素分圧を下げるが、酸素分圧を下げるの
に、真空排気手段を用いず還元性ガスを一定時間流すこ
とにより酸素分圧を下げることも可能であるので、この
場合には、真空排気手段を設けない構造とすることがで
きる。紫外線照射手段としては、エキシマランプが好ま
しく、加熱手段としては電気的に加熱するヒーターが、
また、熱伝導板としては、たとえば、熱伝導性セラミッ
ク板が用いられ、温度検知手段として、たとえば熱電対
が用いられる。真空排気手段としてはたとえばターボ分
子ポンプが用いられる。また、本発明の低抵抗化方法を
真空下で行う場合のアニール装置では、図１のアニール
装置における雰囲気ガス導入および排出手段に代えて、
装置内のガスを排気する真空排気手段、たとえばターボ
分子ポンプを設ければよい。本発明の低抵抗化方法は、
低温アニールが可能であるので、加熱手段、温度制御手
段などに特別な仕様のものを用いる必要がなく、安価な
手段でよいというメリットがある。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 実施例１ 厚さ０．７mmの無アルカリガラス基板（コーニング１７
３７ガラス）を１５０℃に保持しながら、スパッタリン
グ法を用いてＩＴＯを１００ｎｍの膜厚になるように成
膜した。次いで、図１に示すような実験装置（内容積お
よそ１ｌ）を用い、あらかじめ真空処理（１０-2Ｐａ）
をして酸素を除去した後、水素ガスを３％含む高純度窒
素ガス雰囲気下（流量：１ｌ／ｍｉｎ、大気圧）で、前
記のＩＴＯを形成したガラス基板が１５０℃になるよう
に加熱し、その温度を保ちながら、エキシマランプ（ウ
シオ電機（株）製）により、紫外線（波長：１７２ｎ
ｍ、光強度：１０ｍＷ／ｃｍ2）を１０分間照射した。
得られた膜を、アニール処理の前後でＸ線回折装置を使
って回折強度を調べた。アニール処理前には、Ｘ線の回
折ピークは認められず、アモルファスＩＴＯであった。
これに対し、アニール処理後には、２θが３０．３４で
ｄ＝２．９４３６Åと２θが３５．２６でｄ＝２．５４
３４ÅのところにＸ線の回折ピークが観察され結晶化し
ていることが観測された。また、アニール処理前のＩＴ
Ｏ皮膜の抵抗値が５０Ω/□であったのに対して、アニ
ール処理後では２０Ω/□と、大幅に低下した。この結
果から、前記アニール処理により、アモルファスのＩＴ
Ｏが結晶化して抵抗値が下がっていることが裏付けられ
る。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 実施例１ 厚さ０．７mmの無アルカリガラス基板（コーニング１７
３７ガラス）を１５０℃に保持しながら、スパッタリン
グ法を用いてＩＴＯを１００ｎｍの膜厚になるように成
膜した。次いで、図１に示すような実験装置（内容積お
よそ１ｌ）を用い、あらかじめ真空処理（１０-2Ｐａ）
をして酸素を除去した後、水素ガスを３％含む高純度窒
素ガス雰囲気下（流量：１ｌ／ｍｉｎ、大気圧）で、前
記のＩＴＯを形成したガラス基板が１５０℃になるよう
に加熱し、その温度を保ちながら、エキシマランプ（ウ
シオ電機（株）製）により、紫外線（波長：１７２ｎ
ｍ、光強度：１０ｍＷ／ｃｍ2）を１０分間照射した。
得られた膜を、アニール処理の前後でＸ線回折装置を使
って回折強度を調べた。アニール処理前には、Ｘ線の回
折ピークは認められず、アモルファスＩＴＯであった。
これに対し、アニール処理後には、２θが３０．３４で
ｄ＝２．９４３６Åと２θが３５．２６でｄ＝２．５４
３４ÅのところにＸ線の回折ピークが観察され結晶化し
ていることが観測された。また、アニール処理前のＩＴ
Ｏ皮膜の抵抗値が５０Ω/□であったのに対して、アニ
ール処理後では２０Ω/□と、大幅に低下した。この結
果から、前記アニール処理により、アモルファスのＩＴ
Ｏが結晶化して抵抗値が下がっていることが裏付けられ
る。
【００２１】実施例２
基材を厚さ０．１５ｍｍのプラスチックシート（住友ベ
ークライト製 ＰＥＳフィルム）にし、また、アニール
処理温度を１３０℃に変更する他は、実施例１と同様に
して、プラスチックシートの上にＩＴＯ膜を形成した。
得られたＩＴＯ膜のＸ線回折強度を調べたところ、２θ
が３０．３４でｄ＝２．９４３６Åと２θが３５．２６
でｄ＝２．５４３４ÅのところにＸ線の回折ピークが観
察された。また、アニール処理前のＩＴＯ膜の抵抗値が
６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後では２
５Ω/□であった。この結果から、前記アニール処理に
より、アモルファスのＩＴＯが結晶化して抵抗値が下が
っていることが裏付けられる。
ークライト製 ＰＥＳフィルム）にし、また、アニール
処理温度を１３０℃に変更する他は、実施例１と同様に
して、プラスチックシートの上にＩＴＯ膜を形成した。
得られたＩＴＯ膜のＸ線回折強度を調べたところ、２θ
が３０．３４でｄ＝２．９４３６Åと２θが３５．２６
でｄ＝２．５４３４ÅのところにＸ線の回折ピークが観
察された。また、アニール処理前のＩＴＯ膜の抵抗値が
６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後では２
５Ω/□であった。この結果から、前記アニール処理に
より、アモルファスのＩＴＯが結晶化して抵抗値が下が
っていることが裏付けられる。
【００２２】実施例３
実施例２において、アニール温度を１８０℃に、アニー
ル時間を５分に変更する他は、実施例２と同様にして透
明導電膜を作製した。アニール処理前のＩＴＯ膜の抵抗
値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後で
は２５Ω/□であった。 実施例４ 実施例２において、アニール温度を５０℃に、アニール
時間を１２０分に変更する他は、実施例２と同様にして
透明導電膜を作製した。アニール処理前のＩＴＯ膜の抵
抗値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後
では３０Ω/□であった。
ル時間を５分に変更する他は、実施例２と同様にして透
明導電膜を作製した。アニール処理前のＩＴＯ膜の抵抗
値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後で
は２５Ω/□であった。 実施例４ 実施例２において、アニール温度を５０℃に、アニール
時間を１２０分に変更する他は、実施例２と同様にして
透明導電膜を作製した。アニール処理前のＩＴＯ膜の抵
抗値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後
では３０Ω/□であった。
【００２３】実施例５
基材を厚さ０．１８８ｍｍのプラスチックシート（ＪＳ
Ｒ製 ＡＲＴＯＮフィルム）にし、また、アニール処理
温度を１３０℃に変更する他は、実施例１と同様にし
て、プラスチックシートの上にＩＴＯ膜を形成した。得
られたアニール処理皮膜のＸ線回折強度を調べたとこ
ろ、２θが３０．３４でｄ＝２．９４３６Åと、２θが
３５．２６でｄ＝２．５４３４ÅのところにＸ線の回折
ピークが観察された。また、アニール処理前の皮膜の抵
抗値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後
では２５Ω/□であった。この結果から、前記アニール
処理により、アモルファスのＩＴＯが結晶化して抵抗値
が下がっていることが裏付けられる。
Ｒ製 ＡＲＴＯＮフィルム）にし、また、アニール処理
温度を１３０℃に変更する他は、実施例１と同様にし
て、プラスチックシートの上にＩＴＯ膜を形成した。得
られたアニール処理皮膜のＸ線回折強度を調べたとこ
ろ、２θが３０．３４でｄ＝２．９４３６Åと、２θが
３５．２６でｄ＝２．５４３４ÅのところにＸ線の回折
ピークが観察された。また、アニール処理前の皮膜の抵
抗値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後
では２５Ω/□であった。この結果から、前記アニール
処理により、アモルファスのＩＴＯが結晶化して抵抗値
が下がっていることが裏付けられる。
【００２４】実施例６
実施例５において、アニール温度を１５０℃に、アニー
ル時間を１０分に変更する他は、実施例５と同様にして
透明導電膜を作製した。アニール処理前のＩＴＯ膜の抵
抗値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後
では３０Ω/□であった。
ル時間を１０分に変更する他は、実施例５と同様にして
透明導電膜を作製した。アニール処理前のＩＴＯ膜の抵
抗値が６０Ω/□であったのに対して、アニール処理後
では３０Ω/□であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の透明導電膜の低抵抗化法は、導
電性膜の成膜時に基材を高温に加熱する従来方法に比較
して、加熱温度は非常に低くてもよい。また、紫外線照
射は紫外線照射装置により全面に紫外線を照射するだけ
でよく、レーザ照射装置を必要としない。したがって、
従来の方法に比較して、短時間で、かつ大掛かりな装置
も必要とせず、また、得られる透明導電膜は、膜厚を薄
くしても抵抗値が低く、その結果、光吸収率が小さい低
抵抗導電膜である。また、加熱温度が低くてもよいこと
により基材としてプラスチック基材を用いることが可能
となり、本発明により初めて、プラスチック基材の上に
抵抗値が低く光吸収が小さい透明導電膜を形成すること
が達成された。
電性膜の成膜時に基材を高温に加熱する従来方法に比較
して、加熱温度は非常に低くてもよい。また、紫外線照
射は紫外線照射装置により全面に紫外線を照射するだけ
でよく、レーザ照射装置を必要としない。したがって、
従来の方法に比較して、短時間で、かつ大掛かりな装置
も必要とせず、また、得られる透明導電膜は、膜厚を薄
くしても抵抗値が低く、その結果、光吸収率が小さい低
抵抗導電膜である。また、加熱温度が低くてもよいこと
により基材としてプラスチック基材を用いることが可能
となり、本発明により初めて、プラスチック基材の上に
抵抗値が低く光吸収が小さい透明導電膜を形成すること
が達成された。
【図１】本発明の方法に用いるアニール装置の一例を示
す模式図である。
す模式図である。
１０ 基板
２０ アニール装置
２１ チャンバー
２２ 紫外線照射手段
２４ 加熱手段
４０ 真空排気手段
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA24 BA45 BB10 BC09
CA02 CA04 CA06 EA05 EA08
GA01
5F033 GG04 HH38 PP15 PP19 PP20
QQ53 QQ73 WW03 XX10
5F051 CA12 CA13 CB14 CB15 CB27
CB29 CB30 FA03 FA04 FA24
5G323 BA02 BB04 BB05 BC03
Claims (14)
- 【請求項１】 基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、
真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、２５℃以
上で３００℃以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫
外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明
導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項２】 前記酸化物透明導電膜がアモルファス酸
化物透明導電膜であることを特徴とする請求項１に記載
の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項３】 前記還元性ガス雰囲気が水素ガスを含む
還元性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗
化する方法。 - 【請求項４】 前記酸化物が酸化インジウムまたは酸化
インジウムと他の金属を含む酸化物であることを特徴と
する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の基
材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項５】 前記酸化物が酸化スズまたは酸化スズと
他の金属を含む酸化物であることを特徴とする請求項１
ないし請求項３のいずれか１項に記載の基材上に設けた
透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項６】 前記酸化物が酸化インジウムと酸化スズ
を含む酸化物であることを特徴とする請求項１ないし請
求項３のいずれか１項に記載の基材上に設けた透明導電
膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項７】 前記酸化物が酸化亜鉛または酸化亜鉛と
他の金属を含む酸化物であることを特徴とする請求項１
ないし請求項３のいずれか１項に記載の基材上に設けた
透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項８】 前記紫外線がエキシマランプからの光で
あることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれ
か１項に記載の基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化す
る方法。 - 【請求項９】 前記維持温度が５０℃以上２５０℃の温
度範囲にあることを特徴とする請求項１ないし請求項８
のいずれか１項に記載の基材上に設けた透明導電膜を低
抵抗化する方法。 - 【請求項１０】 前記基材がプラスチック基材であり、
前記維持温度が５０℃以上からプラスチック基材の耐熱
温度までの温度範囲であることを特徴とする請求項１な
いし請求項９のいずれか１項に記載の基材上に設けた透
明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項１１】 前記プラスチック基材の耐熱温度が１
００〜２３０℃の範囲であることを特徴とする請求項１
ないし請求項１０のいずれか１項に記載の基材上に設け
た透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項１２】 前記アモルファス酸化物透明導電膜を
スパッタリング法により形成することを特徴とする請求
項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の基材上に
設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項１３】 前記アモルファス酸化物透明導電膜を
電子ビーム蒸着法により形成することを特徴とする請求
項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の基材上に
設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 - 【請求項１４】 前記アモルファス酸化物透明導電膜を
イオンプレーティング法により形成することを特徴とす
る請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の基
材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196560A JP4110752B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 |
| US10/013,371 US6783811B2 (en) | 2001-06-28 | 2001-12-13 | Method of reducing resistance for conductive film formed on base material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196560A JP4110752B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003016857A true JP2003016857A (ja) | 2003-01-17 |
| JP4110752B2 JP4110752B2 (ja) | 2008-07-02 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001196560A Expired - Fee Related JP4110752B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。 |
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| US (1) | US6783811B2 (ja) |
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| JPWO2006090448A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2008-07-17 | Jsr株式会社 | 透明導電性積層体の製造方法およびタッチパネル |
| JP2008181796A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
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| WO2012050186A1 (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法 |
| JP2013098241A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Kaneka Corp | 結晶シリコン系太陽電池及び結晶シリコン系太陽電池の製造方法 |
| KR101620255B1 (ko) | 2012-03-28 | 2016-05-23 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 금속산화막의 제조 방법 및 금속산화막 |
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|---|---|---|---|---|
| US20030134122A1 (en) * | 2002-01-14 | 2003-07-17 | Paul Wickboldt | High conductivity transparent conductor formed using pulsed energy process |
| US20070184573A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Guardian Industries Corp., | Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device |
| JP2012144384A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Tokyo Institute Of Technology | 導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
| KR20180058856A (ko) * | 2012-02-08 | 2018-06-01 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 금속산화막의 제조 방법 및 금속산화막 |
| JP2017075077A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
| JP7256960B2 (ja) | 2018-08-29 | 2023-04-13 | 王子ホールディングス株式会社 | 金属層一体型ポリプロピレンフィルムの製造方法 |
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| JPH05315361A (ja) | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Ricoh Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法及び半導体素子 |
| JPH05326402A (ja) | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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-
2001
- 2001-06-28 JP JP2001196560A patent/JP4110752B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| US20030003303A1 (en) | 2003-01-02 |
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| JP4110752B2 (ja) | 2008-07-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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