JP2003012965A - 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置 - Google Patents

透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置

Info

Publication number
JP2003012965A
JP2003012965A JP2001194728A JP2001194728A JP2003012965A JP 2003012965 A JP2003012965 A JP 2003012965A JP 2001194728 A JP2001194728 A JP 2001194728A JP 2001194728 A JP2001194728 A JP 2001194728A JP 2003012965 A JP2003012965 A JP 2003012965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating
refractive index
low
conductive
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001194728A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4959067B2 (ja
Inventor
Mitsuaki Kumazawa
沢 光 章 熊
Toshiharu Hirai
井 俊 晴 平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JGC Catalysts and Chemicals Ltd
Original Assignee
Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd filed Critical Catalysts and Chemicals Industries Co Ltd
Priority to JP2001194728A priority Critical patent/JP4959067B2/ja
Publication of JP2003012965A publication Critical patent/JP2003012965A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4959067B2 publication Critical patent/JP4959067B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Paints Or Removers (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】102〜108Ω/□程度の低い表面抵抗を有
し、優れた帯電防止性、電磁遮蔽性および反射防止性を
併せ持ち、信頼性にも優れた透明低反射導電性被膜を形
成しうる経済性に優れた透明低反射導電性被膜形成用塗
布液を提供する。 【解決手段】平均粒子径(D1)が1〜200nmの範囲
にある導電性微粒子と、平均粒子径(D2)が1.5〜30
0nmの範囲にあり、かつ前記導電性微粒子よりも屈折
率の低い低屈折率粒子と、極性溶媒とを含んでなり、低
屈折率粒子の平均粒子径(D2)と導電性微粒子の平均粒
子径(D1)との比(D2)/(D1)が1.2〜10の範囲にあ
ることを特徴とする透明低反射導電性被膜形成用塗布
液。前記導電性微粒子の屈折率(n1)と前記低屈折率粒
子の屈折率(n2)との屈折率差((n1)−(n2))が0.1以
上であることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の技術分野】本発明は、透明低反射導電性被膜形
成用塗布液、および該塗布液を用いて得られる透明低反
射導電性被膜付基材、該基材を備えた表示装置に関す
る。さらに詳しくは、帯電防止性、電磁遮蔽性、反射防
止性および表示性能等に優れた透明低反射導電性被膜の
形成に用いる透明低反射導電性被膜形成用塗布液、およ
び該塗布液を用いて得られる透明低反射導電性被膜付基
材、該基材を備えた表示装置に関する。
【0002】
【発明の技術的背景】従来より、陰極線管、蛍光表示
管、液晶表示板などの表示パネルのような透明基材の表
面の帯電防止および反射防止を目的として、これらの表
面に帯電防止機能および反射防止機能を有する透明被膜
を形成することが行われていた。ところで、陰極線管な
どから放出される電磁波が人体に及ぼす影響が、最近問
題にされており、従来の帯電防止、反射防止に加えてこ
れらの電磁波および電磁波の放出に伴って形成される電
磁場を遮蔽することが望まれている。
【0003】これらの電磁波などを遮蔽する方法の一つ
として、陰極線管などの表示パネルの表面に電磁波遮断
用の導電性被膜を形成する方法がある。しかし、従来の
帯電防止用導電性被膜であれば表面抵抗が少なくとも1
7Ω/□程度の表面抵抗を有していれば十分であるの
に対し、電磁遮蔽用の導電性被膜では102〜104Ω/
□のような低い表面抵抗を有することが必要であった。
【0004】このように表面抵抗の低い導電性被膜を、
従来のSbドープ酸化錫またはSnドープ酸化インジウム
のような導電性酸化物を含む塗布液を用いて形成しよう
とすると、従来の帯電防止性被膜の場合よりも膜厚を厚
くする必要があった。しかしながら、導電性被膜の膜厚
は、10〜200nm程度の薄い膜厚にしないと反射防止
効果は発現しないため、従来のSbドープ酸化錫または
Snドープ酸化インジウムのような導電性酸化物では、
表面抵抗が低く、電磁波遮断性に優れるとともに、反射
防止にも優れた導電性被膜を得ることが困難であるとい
う問題があった。
【0005】また、低表面抵抗の導電性被膜を形成する
方法の一つとして、Agなどの金属微粒子を含む導電性
被膜形成用塗布液を用いて基材の表面に金属微粒子含有
被膜を形成する方法がある。この方法では、金属微粒子
含有被膜形成用塗布液として、コロイド状の金属微粒子
が極性溶媒に分散したものが用いられている。このよう
な塗布液では、コロイド状金属微粒子の分散性を向上さ
せるために、金属微粒子表面がポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンまたはゼラチンなどの有機系安定
剤で表面処理されている。しかしながら、このような金
属微粒子含有被膜形成用塗布液を用いて形成された導電
性被膜は、被膜中で金属微粒子同士が安定剤を介して接
触するため、粒界抵抗が大きく、被膜の表面抵抗が低く
ならないことがあった。このため、製膜後、400℃程
度の高温で焼成して安定剤を分解除去する必要がある
が、安定剤の分解除去をするため高温で焼成すると、金
属微粒子同士の融着や凝集が起こり、導電性被膜の透明
性やヘーズが低下するという問題があった。また、陰極
線管などの場合は、高温に晒すと劣化してしまうという
問題もあった。
【0006】さらに従来のAg等の金属微粒子を含む透
明導電性被膜では、金属が酸化されたり、イオン化によ
る粒子成長したり、また場合によっては腐食が発生する
ことがあり、塗膜の導電性や光透過率が低下し、表示装
置が信頼性を欠くという問題があった。上記した導電性
酸化物微粒子または金属微粒子からなる導電性被膜上に
は通常反射防止性能を付与して表示性能を向上するため
に、あるいは導電性被膜を保護するために反射防止膜あ
るいは保護膜が形成されている。
【0007】このときの反射防止膜の形成には、下層の
導電性被膜よりも屈折率の低い被膜形成成分を含む反射
防止膜形成用塗布液が用いられ、たとえば被膜形成成分
としては、樹脂、有機ケイ素化合物の加水分解物やこれ
らに低屈折粒子としてフッ化マグネシウムやシリカ粒子
などを配合されて用いられている。しかしながら、この
ように導電性被膜層と反射防止膜とを、たとえば導電性
被膜層形成用塗布液を塗布乾燥し、ついで反射防止膜形
成用塗布液を塗布乾燥して形成する場合は、工程が2重
であるので経済性および生産効率が低く、また下層の導
電性被膜層と上層の反射防止膜との密着性が不充分とな
ったり、膜の強度が不充分となることがあった。
【0008】本発明者らは、鋭意検討した結果、平均粒
子径の異なる異種の粒子を用いた塗布液を基材上に塗布
して得られる被膜では、小さい粒子径の粒子が基材上に
層を形成し、その上に大きな粒子径の粒子が層を形成す
ることを発見し、小さい粒子として導電性微粒子を用
い、大きい粒子として低屈折率粒子を用いることによっ
て、帯電防止性および電磁波遮蔽性に優れるとともに反
射防止性にも優れた透明導電性被膜が得られることを見
出して本発明を完成するにいたった。
【0009】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術の問題
点を解決し、102〜108Ω/□程度の低い表面抵抗を
有し、優れた帯電防止性、電磁遮蔽性および反射防止性
を併せ持ち、信頼性にも優れた透明低反射導電性被膜を
形成しうる経済性に優れた透明低反射導電性被膜形成用
塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および該基材を備
えた表示装置を提供することを目的としている。
【0010】
【発明の概要】本発明に係る透明低反射導電性被膜形成
用塗布液は、平均粒子径(D1)が1〜200nmの範囲
にある導電性微粒子と、平均粒子径(D2)が1.5〜30
0nmの範囲にあり、かつ前記導電性微粒子よりも屈折
率の低い低屈折率粒子と、極性溶媒とを含んでなり、低
屈折率粒子の平均粒子径(D2)と導電性微粒子の平均粒
子径(D1)との比(D2)/(D1)が1.2〜10の範囲にあ
ることを特徴としている。
【0011】本発明では、前記導電性微粒子の屈折率
(n1)と前記低屈折率粒子の屈折率(n 2)との屈折率差
((n1)−(n2))が0.1以上であることが好ましい。ま
た、前記導電性微粒子の密度(ρ1)と前記低屈折率粒子
の密度(ρ2)の比(ρ1)/(ρ2)が、1〜10の範囲にあ
ることが好ましい。前記低屈折率粒子の屈折率(n2)
は、1.45以下であることが好ましい。
【0012】本発明に係る透明低反射導電性被膜形成用
塗布液は、さらに、マトリックス形成成分を含むことが
好ましい。本発明に係る透明低反射導電性被膜付基材
は、前記記載の透明導電性被膜形成用塗布液を用いて、
塗布し、乾燥し、加熱処理して得られることを特徴とし
ている。
【0013】本発明に係る表示装置は、前記記載の透明
低反射導電性被膜付基材で構成された前面板を備え、透
明低反射導電性被膜が該前面板の外表面に形成されてい
ることを特徴としている。
【0014】
【発明の具体的説明】以下、本発明について具体的に説
明する。透明低反射導電性被膜形成用塗布液 まず、本発明に係る透明低反射導電性被膜形成用塗布液
について説明する。本発明に係る透明低反射導電性被膜
形成用塗布液は、平均粒子径(D1)が1〜200nmの
範囲にある導電性微粒子と、平均粒子径(D2)が1.5〜
300nmの範囲にあり、かつ前記導電性微粒子よりも
屈折率の低い低屈折率粒子と極性溶媒とを含んでなり、
低屈折率粒子の平均粒子径(D2)と導電性微粒子の平均
粒子径(D1)との比(D2)/(D1)が1.2〜10の範囲に
あることを特徴としている。
【0015】このような粒子を含む塗布液を用いて被膜
を形成すると、図1に示すように、被膜内の下層(基材
側)では、選択的に導電性粒子を多く含む層が形成さ
れ、上層では低屈折率粒子を含む層が形成される。その
結果、従来は、透明被膜と透明導電性被膜の2層を設け
ていたものが、1層被膜を形成するだけ双方の特性を具
備したものが得られる。 [導電性微粒子]本発明で用いる導電性微粒子として
は、帯電防止性、電磁遮蔽性を示す導電性微粒子であれ
ば従来公知の導電性微粒子を用いることができる。
【0016】たとえば、金属微粒子や複合金属微粒子、
導電性無機酸化物微粒子は好適に用いることができる。
前記複合金属微粒子を構成する2種以上の金属は、固溶
状態にある合金であっても、固溶状態に無い共晶体であ
ってもよく、合金と共晶体が共存していてもよい。この
ような複合金属微粒子は、金属の酸化やイオン化が抑制
されるため、複合金属微粒子の粒子成長等が抑制され、
複合金属微粒子の耐腐食性が高く、導電性、光透過率の
低下が小さいなど信頼性に優れている。
【0017】金属微粒子としてはAu、Ag、Pd、Pt、
Rh、Ru、Cu、Fe、Ni、Co、Sn、Ti、In、Al、
Ta、Sbなどの金属から選ばれる金属微粒子が挙げられ
る。また、複合金属微粒子としては、Au、Ag、Pd、
Pt、Rh、Ru、Cu、Fe、Ni、Co、Sn、Ti、In、
Al、Ta、Sbなどの金属から選ばれる少なくとも2種
以上の金属からなる複合金属微粒子が挙げられる。好ま
しい2種以上の金属の組合せとしては、Au-Cu、Ag-
Pt、Ag-Pd、Au-Pd、Au-Rh、Pt-Pd、Pt-Rh、
Fe-Ni、Ni-Pd、Fe-Co、Cu-Co、Ru-Ag、Au-
Cu-Ag、Ag-Cu-Pt、Ag-Cu-Pd、Ag-Au-Pd、A
u-Rh-Pd、Ag-Pt-Pd、Ag-Pt-Rh、Fe-Ni-Pd、
Fe-Co-Pd、Cu-Co-Pd などが挙げられる。
【0018】導電性無機酸化物微粒子としては、たとえ
ば酸化錫、Sb、FまたはPが ドーピングざれた酸化
錫、酸化インジウム、SnまたはFがドーピングされた
酸 化インジウム、酸化アンチモン、低次酸化チタンな
どが挙げられる。このような導電性微粒子の平均粒径
(D1)は、1〜200nm、好ましくは2〜70nmの範囲
にあることが望ましい。
【0019】導電性微粒子が金属微粒子または複合金属
微粒子である場合、平均粒径が200nmを越えると、金
属による光の吸収が大きくなり、粒子層の光透過率が低
下するとともにへーズが大きくなる。このため被膜付基
材を、たとえば陰極線管の前面板として用いると、表示
画像の解像度が低下することがある。また、複合金属微
粒子の平均粒径が1nm未満の場合には粒子層の表面抵抗
が急激に大きくなるため、本発明の目的を達成しうる程
度の低抵抗値を有する被膜を得ることができないことも
ある。
【0020】また、導電性微粒子が導電性無機酸化物微
粒子である場合は、平均粒径が200nmを越えると、導
電性微粒子層の粒子間隙が多くなり、このため導電性微
粒子層としての屈折率が低下し、導電性微粒子層上に形
成される低屈折率層との屈折率差が小さくなり、反射防
止性能が不充分となることがあり、場合によってはヘー
ズが大きくなることがある。
【0021】平均粒径が1nm未満の場合には、金属微粒
子の場合と同様に粒子層の表面抵抗が急激に大きくなる
ことがある。前記導電性微粒子は密度(ρ1)が概ね2.
5〜23g/cm3、好ましくは4〜22g/cm3の範囲にある
ことが望ましい。 [低屈折率粒子]本発明では、導電性微粒子に加えて低屈
折率粒子を混合して用いる。
【0022】このような低屈折率粒子としては、導電性
微粒子より屈折率の低い従来公知の金属酸化物粒子を用
いることができる。低屈折率粒子の平均粒子径(D2)は
1.5〜300nmの範囲にあり、導電性微粒子の平均
粒子径(D1)と低屈折率粒子の平均粒子径(D2)の比
(D2)/(D1)が1.2〜10、好ましくは2〜8の範囲
にある。
【0023】低屈折率粒子の平均粒子径(D2)が1.5n
m未満の場合は、粒子径が小さすぎ、前述した導電性微
粒子との分離が不完全となり、透明導電性被膜の表面抵
抗が不充分となったり、反射防止性能が不充分となるこ
とがある。低屈折率粒子の平均粒子径(D2)が300n
mを越えると、導電性微粒子層と低屈折率粒子層の密着
性が不充分となり、また透明導電性被膜としての膜の強
度が不充分となることがある。
【0024】また、平均粒子径の比(D2)/(D1)が1.
2未満の場合は、粒子径の差が小さすぎ、前述した導電
性微粒子と低屈折率粒子の分離が不完全となり、透明導
電性被膜の表面抵抗が不充分となったり、反射防止性能
が不充分となることがある。平均粒子径の比(D2)/(D
1)が10を越えると、導電性微粒子層と低屈折率粒子層
の密着性が不充分となり、また透明導電性被膜としての
膜の強度が不充分となることがある。
【0025】上記した導電性微粒子の屈折率(n1)と低
屈折率粒子の屈折率 (n2)との屈折率差((n1)−(n2))
は0.1以上、好ましくは0.2以上であることが望まし
い。屈折率差が0.1以上であれば、得られる透明低反
射導電性被膜付基材は基材や低屈折率粒子の粒子径にも
よるが、視感反射率が低く反射防止性能に優れている。
【0026】さらに、前記低屈折率粒子の屈折率 (n2)
は1.45以下、好ましくは1.41〜1.25である
ことが好ましい。低屈折率粒子の屈折率(n2)が1.4
5以下であれば、導電性微粒子が導電性無機酸化物微粒
子であっても、多くの場合、屈折率差が0.2以上とな
り、このため反射防止性能に優れた透明導電性被膜が得
られる。
【0027】また、低屈折率粒子の密度(ρ2)は、導電
性微粒子の密度(ρ1)との比(ρ1)/(ρ2)が1〜10、
好ましくは2〜10、より好ましくは2〜8の範囲にあ
ることが望ましい。密度の比(ρ1)/(ρ2)が1未満の場
合は、粒子径比が前記範囲にあっても、導電性微粒子が
下層に、低屈折率粒子が上層にと分離することが困難と
なり、導電性微粒子層に低屈折率粒子が混ざった場合は
透明導電性被膜の表面抵抗が不充分となることがあり、
低屈折率粒子層に導電性微粒子が混じった場合は透明導
電性被膜の反射防止性能が不充分となることがある。
【0028】密度の比(ρ1)/(ρ2)が10を越えると、
上記のような2層分離が不完全となることはないが、2
層の屈折率差が大きすぎ、このためボトム反射率(可視
光の波長領域400〜700nmの中央波長500nm
付近における反射率)は低いものの、視感反射率(可視光
全域にわたる平均反射率)が高くなる傾向があり、目で
感じる反射(映り込み)が強く感じられたり、反射色の色
付を抑えることが困難となることがある。
【0029】このような低屈折率粒子としては、たとえ
ばシリカ、アルミナ、シリカアルミナ、ジルコニア等の
金属酸化物から構成される粒子が挙げられる。なかで
も、本願出願人の出願による特開平7−133105号
公報に開示したシリカ系微粒子、特願2000−482
77号で提案しているシリカ系微粒子は屈折率が1.4
0以下と低く、このようなシリカ系微粒子を用いて得ら
れる透明低反射導電性被膜付基材は反射防止性能に優
れ、視感反射率が低く、このため目で感じる反射(映り
込み)は弱く、反射色の色付を抑えることができる。こ
のシリカ系微粒子は真球状でかつ低密度であるので、導
電性微粒子との粒子径比が前記範囲にあれば、透明低反
射導電性被膜を形成する際に、導電性微粒子と混合した
導電性被膜とならず、導電性微粒子が下層に、低屈折率
粒子が上層にと分離した反射防止性に優れた透明低反射
導電性被膜を形成することができる。 [極性溶媒]本発明で用いられる極性溶媒としては、
水;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テ
トラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコー
ル、ヘキシレングリコールなどのアルコール類;酢酸メ
チルエステル、酢酸エチルエステルなどのエステル類;
ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテルなどのエーテル類;アセトン、メチルエチル
ケトン、アセチルアセトン、アセト酢酸エステルなどの
ケトン類などが挙げられる。これらは単独で使用しても
よく、また2種以上混合して使用してもよい。
【0030】透明低反射導電性被膜形成用塗布液中の導
電性微粒子濃度は、導電性微粒子の密度および粒子径等
によっても異なるが0.05〜5重量%、好ましくは0.
1〜4重量%の範囲にあることが望ましい。また、同様
に低屈折率粒子濃度は、密度および粒子径等によっても
異なるが0.1〜3重量%、さらに好ましくは0.3〜2
重量%の範囲にあることが望ましい。
【0031】導電性微粒子の重量(WC)と低屈折率粒
子の重量(WL)との重量比(WL/W C)は、粒子の密度
によっても異なるが、0.1〜5、好ましくは0.2〜
3の範囲にあることが望ましい。上記のような重量およ
び量比で導電性微粒子と低屈折率粒子を配合しておく
と、導電性微粒子層の厚さが約5〜200nm、とくに1
0〜150nmの範囲となり、低屈折率粒子層の厚さが5
0〜300nm、とくに80〜200nmの範囲となるよう
に、透明低反射導電性を形成できる。
【0032】このような透明低反射導電性被膜形成用塗
布液には、前記導電性微粒子以外にカーボン微粒子、染
料、顔料など着色剤、フッ化マグネシウムなどの低屈折
率材料からなる粒子などが含まれていてもよい。これら
のカーボン微粒子などの平均粒径は、前記導電性微粒子
と同様の範囲にあることが好ましい。
【0033】着色剤は、前記導電性微粒子1重量部当た
り、0.5重量部以下、好ましくは0.2重量部以下の量
で含まれていればよい。着色剤量が0.5重量部を超え
る場合は、透過率が低くなる過ぎることがあり、また得
られる透明低反射導電性被膜の厚さが不均一になるとと
もに導電性が低下し電磁波遮蔽効果が低下することがあ
る。
【0034】本発明に係る透明低反射導電性被膜形成用
塗布液には、被膜形成後の導電性微粒子と低屈折率粒子
のバインダーとして作用するマトリックス形成成分が含
まれていてもよい。このようなマトリックス形成成分と
しては、シリカからなるものが好ましく、具体的には、
下記式[1]で表されるアルコキシシランなどの有機ケ
イ素化合物の加水分解重縮合物(部分加水分解物も含
む)またはアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリし
て得られるケイ酸重縮合物などが挙げられる。
【0035】RaSi(OR')4-a [1] (式中、Rはビニル基、アリール基、アクリル基、炭素
数1〜8のアルキル基、水素原子またはハロゲン原子で
あり、R'はビニル基、アリール基、アクリル基、炭系
数1〜8のアルキル基、−C24OCn2n+1(n=1〜
4)または水素 原子であり、aは1〜3の整数であ
る。) このようなアルコキシランとしては、テトラメトキシシ
ラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシ
ラン、テトラブトキシシラン、テトラオクチルシラン、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラ
ン、エチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポ
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリ
メトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメトキ
シメチル-3,3,3-トリフルオロプロピルシラン、3,3,3-
トリフルオロプロピルトリメトキシシランなどが挙げら
れる。
【0036】上記のアルコキシシランの1種または2種
以上を、たとえば水−アルコール混合溶媒中で酸触媒の
存在下、加水分解すると、アルコキシシランの加水分解
重縮合物であるマトリックス形成成分分散液が得られ
る。このようなマトリックス形成成分分散液に導電性微
粒子と低屈折率粒子を分散させることによってマトリッ
クス形成成を含む透明導電性被膜形成用塗布液が得られ
る。
【0037】このマトリックス形成成分は、前記導電性
微粒子と低屈折粒子の合計重量1重量部当たり、固形分
として0.01〜0.5重量部、好ましくは0.03〜0.
3重量部の量で含まれていればよい。またこのようなマ
トリックス形成成分の重量平均分子量は200〜500
0、好ましくは400〜2000の範囲にあるものが望
ましい。
【0038】また、本発明に係る透明導電性被膜形成用
塗布液では、使用される導電性微粒子が金属微粒子また
は複合金属微粒子である場合に、導電性微粒子の分散性
を向上させるため、透明低反射導電性被膜形成用塗布液
中に有機系安定剤が含まれていてもよい。このような有
機系安定剤として具体的には、ゼラチン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタール酸、アジピン酸、セバシン
酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸などの
多価カルボン酸およびその塩、複素環化合物あるいはこ
れらの混合物などが挙げられる。
【0039】このような有機系安定剤は、導電性微粒子
1重量部に対し、0.005〜0.5重量部、好ましくは
0.01〜0.2重量部含まれていればよい。有機系安定
剤の量が0.005重量部未満の場合は充分な分散性が
得られず、0.5重量部を超えて高い場合は導電性が阻
害されることがある。透明低反射導電性被膜形成用塗布
液中の固形分濃度(導電性微粒子と低屈折率粒子および
必要に応じて用いられるマトリックス形成成分、必要に
応じて添加されるカーボン微粒子、染料、顔料などの添
加剤の総量)は、液の流動性、塗布液中の導電性微粒子
と低屈折率粒子などの粒状成分の分散性などの点から、
15重量%以下、好ましくは0.15〜5重量%である
ことが好ましい。
【0040】透明低反射導電性被膜付基材 次に、本発明に係る透明低反射導電性被膜付基材につい
て具体的に説明する。本発明に係る透明低反射導電性被
膜付基材では、ガラス、プラスチック、セラミックなど
からなるフィルム、シートあるいはその他の成形体など
の基材上に、前記透明低反射導電性被膜形成用塗布液を
用いて形成された透明低反射導電性被膜を有している。
【0041】透明低反射導電性被膜では、導電性微粒子
からなる導電性微粒子層と、その層上に前記低屈折率粒
子からなる低屈折率粒子層とが一体化された透明低反射
導電性被膜が形成されている。透明低反射導電性被膜の
膜厚は、20〜300nm、好ましくは40〜200nmの
範囲にあることが望ましい。
【0042】透明低反射導電性被膜では、常に明瞭とは
限らないものの、透明導電性微粒子層と低屈折率粒子層
とに分離している。透明導電性微粒子層の厚さは、約5
〜200nm、好ましくは10〜150nmの範囲にあるこ
とが望ましく、この範囲の厚さであれば帯電防止性、電
磁遮蔽性に優れた透明低反射導電性被膜付基材を得るこ
とができる。
【0043】このような導電性微粒子層には、必要に応
じて、上記導電性微粒子以外にカーボン微粒子などの微
粒子、マトリックス成分を含んでいてもよく、具体的に
は、前記と同様のものが挙げられる。低屈折率粒子層の
厚さは、50〜300nm、好ましくは80〜200nmの
範囲にあることが好ましい。
【0044】このような低屈折率粒子層は、前記した低
屈折率粒子からなっている。また低屈折率粒子のバイン
ダーとして作用するマトリックス成分が含まれていても
よい。このようなマトリックス成分としては、シリカか
らなるものが好ましく、具体的には、アルコキシシラン
などの有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物またはアル
カリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリして得られるケイ
酸重縮合物、あるいは塗料用樹脂などが挙げられる。
【0045】このマトリックスは、前記低屈折率粒子1
重量部当たり、0.01〜3重量部、好ましくは0.03
〜2重量部の量で含まれていればよい。本発明では、マ
トリックス成分としては、特に加水分解性有機ケイ素化
合物の加水分解重縮合物、またはアルカリ金属ケイ酸塩
水溶液を脱アルカリして得られるケイ酸重縮合物からな
るシリカ系マトリックス成分が好ましい。このような低
屈折率層が形成された透明低反射導電性被膜付基材は、
反射防止性能に優れている。
【0046】また、上記低屈折率粒子層中には、必要に
応じて、フッ化マグネシウムなどの低屈折率材料で構成
された微粒子、染料、顔料などの添加剤が含まれていて
もよい。基材上に設けられた透明低反射導電性被膜の表
面に、さらにフッ化マグネシウム、シリカなどの低屈折
率被膜がさらに設けられていてもよい。
【0047】このような透明低反射導電性被膜付基材
は、前記した透明低反射導電性被膜形成用塗布液を基材
上に塗布・乾燥することによって形成することができ
る。透明低反射導電性被膜を形成する方法としては、前
記透明低反射導電性被膜形成用塗布液をディッピング
法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレ
キソ印刷法などの方法で、基材上に塗布したのち、常温
〜約90℃の範囲の温度で乾燥する。
【0048】透明低反射導電性被膜形成用塗布液中に上
記のようなマトリックス形成成分が含まれている場合に
は、マトリックス形成成分の硬化処理を行ってもよい。
硬化処理としては、このような透明低反射導電性被膜形
成用塗布液を塗布して形成した被膜を、乾燥時、または
乾燥後に、150℃以上で加熱するか、未硬化の被膜に
可視光線よりも波長の短い紫外線、電子線、X線、γ線
などの電磁波を照射するか、あるいはアンモニアなどの
活性ガス雰囲気中に晒してもよい。このようにすると、
マトリックス形成成分の硬化が促進され、得られる被膜
の硬度が高くなる。
【0049】表示装置 本発明に係る透明低反射導電性被膜付基材は、帯電防
止、電磁遮蔽に必要な101〜108Ω/□の範囲の表面
抵抗を有し、かつ可視光領域および近赤外領域で充分な
反射防止性能を有する透明低反射導電性被膜付基材は、
表示装置の前面板として好適に用いられる。
【0050】本発明に係る表示装置は、ブラウン管(C
RT)、蛍光表示管(FIP)、プラズマディスプレイ(P
DP)、液晶用ディスプレイ(LCD)などのような電気
的に画像を表示する装置であり、上記のような透明低反
射導電性被膜付基材で構成された前面板を備えている。
従来の前面板を備えた表示装置を作動させると、前面板
に画像が表示されると同時に電磁波が前面板から放出さ
れ、この電磁波が観察者の人体に影響を及ぼすが、本発
明に係る表示装置では、前面板が102〜104Ω/□の
表面抵抗を有する透明導電性被膜付基材で構成されてい
る場合は、このような電磁波、およびこの電磁波の放出
に伴って生じる電磁場を電磁場を効果的に遮蔽すること
ができる。
【0051】また、前面板が104〜108Ω/□の表面
抵抗を有する透明低反射導電性被膜付基材で構成されて
いる場合は、優れた帯電防止性を発揮する。また、表示
装置の前面板で反射光が生じると、この反射光によって
表示画像が見にくくなるが、本発明に係る表示装置で
は、前面板が可視光領域および近赤外領域で充分な反射
防止性能を有する透明低反射導電性被膜付基材で構成さ
れているので、このような反射光を効果的に防止するこ
とができる。
【0052】さらに、ブラウン管の前面板が、本発明に
係る透明低反射導電性被膜付基材で構成され、この透明
低反射導電性被膜に少量の微粒子カーボン、染料または
顔料が含まれている場合には、これらの微粒子カーボ
ン、染料または顔料がそれぞれ固有な波長の光を吸収
し、これによりブラウン管から放映される表示画像のコ
ントラストを向上させることができる。
【0053】
【発明の効果】本発明による透明低反射導電性被膜形成
用塗布液を用いると、透明低反射導電性被膜形成用塗布
液には粒子径の小さな導電性微粒子と、大きな粒子径の
低屈折率粒子が含まれているので、この塗布液を基材上
に塗布し、乾燥して得られる透明低反射導電性被膜は、
基材上に導電性微粒子層、導電性微粒子層上に低屈折率
粒子層が一体化して形成された透明低反射導電性被膜
を、1種の塗布液を使用し、一回の塗工で形成すること
ができる。このため、従来の塗布液では2回塗装工程
(導電性被膜と透明被膜)を必要であったものが1回の
みの塗工で充分であり、被膜形成工程が著しく簡素化で
きる。
【0054】本発明に係る透明低反射導電性被膜形成用
塗布液を用いて形成された透明低反射導電性被膜付基材
は、上記構成を有するため優れた帯電防止性、電磁遮蔽
性および反射防止性を有している。このような透明導電
性被膜付基材を表示装置の前面板として用いれば、電磁
遮蔽性に優れるとともに反射防止性にも優れた表示装置
を得ることができる。
【0055】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0056】
【製造実施例】a)導電性微粒子(A-1)分散液の調製 錫酸カリウム333gと吐酒石酸(K[Sb(C4H2O6)(OH
2)])69.5gとを純水1,019gに溶解させ、錫
酸カリウムと吐酒石酸の水溶液を調製した。ついで、5
0℃に保持された1,876gの純水中に濃硝酸を添加
して溶液のpHを10に維持しながら、上記錫酸カリウ
ムおよび吐酒石の水溶液を12時間かけて全量添加して
反応させ、アンチモン含有酸化スズ水和物を得た。
【0057】このアンチモン含有酸化スズ水和物を反応
液から限外濾過膜で濾過し、得られた濾過ケーキを純水
で洗浄した後、空気中で550℃の温度で3時間焼成
し、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)微粉末を得た。
得られたアンチモンドープ酸化スズ(ATO)微粉末40
0gを、40gの水酸化カリウムを含む水溶液1,60
0g中に加え、30℃に保持しながらサンドミルで6時
間撹拌し、アンチモンドープ酸化スズゾルを得た。この
ゾルをイオン交換樹脂で脱イオン処理し、表1に示す平
均粒子径、固形分濃度の導電性微粒子(A-1)分散液を調
製した。
【0058】導電性微粒子(A-2)分散液の調製 着色剤・導電性微粒子(A-2)としてカーボン微粒子(東海
カーボン(株)製)を濃度が20重量%となるようにエ
タノールに分散させて導電性微粒子(A-2)分散液を調製
した。導電性微粒子(A-3)分散液の調製 メタノール・水混合溶媒(メタノール40重量部/60
重量部)に、あらかじめポリビニルピロリドンを複合金
属1重量部当たり0.01重量部となるように加え、 分
散液中の複合金属微粒子の濃度が金属換算で2重量%で
あり、銀とパラジウムの重量比が7:3となるように、
硝酸銀と硝酸パラジウムを添加し、次いで還流器付フラ
スコで90℃、窒素雰囲気下5時間加熱して、導電性微
粒子(A-3)の分散液を得た。
【0059】5時間加熱した後、還流を止め、加熱しな
がらメタノールを除去し、水を加えて表1に示す濃度の
導電性微粒子(A-3)の分散液を調製した。導電性微粒子(A-4)分散液の調製 硝酸インジウム79.9gを水686gに溶解して得ら
れた溶液と、錫酸カリウム12.7gを濃度10重量%
の水酸化カリウム溶液に溶解して得られた溶液とを調製
し、これらの溶液を、50℃に保持された1000gの
純水に2時間かけて添加した。この間、系内のpHを1
1に保持した。得られたSnドープ酸化インジウム水和
物分散液からSnドープ酸化インジウム水和物を濾別・
洗浄した後、乾燥し、次いで空気中で350℃の温度で
3時間焼成し、さらに空気中で600℃の温度で2時間
焼成することによりSnドープ酸化インジウム微粒子を
得た。 これを濃度が30重量%となるように純水に分
散させ、さらに硝酸水溶液でpHを3.5に調製した
後、この混合液を30℃に保持しながらサンドミルで、
4時間粉砕してゾルを調製した。次に、このゾルをイオ
ン交換樹脂で処理して硝酸イオンを除去し、純水を加え
て表1に示す濃度のSnドープ酸化インジウム微粒子(A-
4)の分散液を調製した。
【0060】得られた微粒子の特性を表1に示す。な
お、微粒子の粒子径は、マイクロトラック粒度分析計
((株)日機装製)を使用し、評価した。また屈折率は、上
記した方法により評価した。
【0061】
【表1】
【0062】b)低屈折率粒子(B-1,B-2,B-5)分散液の調
シリカゾル(触媒化成工業(株)製:SI−30、平均粒
子径12nm)を両性イオン交換樹脂(三菱化学(株)
製:ダイヤイオン SMNUPB)で処理し、濃度20重量%の
低屈折率粒子(B-1)の分散液を調製した。シリカゾル(触
媒化成工業(株)製:SS−120、平均粒子径120n
m)を両性イオン交換樹脂で処理し、濃度18重量%の
低屈折率粒子(B-2)の分散液を調製した。
【0063】シリカゾル(触媒化成工業(株)製:SI−
550、平均粒子径5nm)を両性イオン交換樹脂で処
理し、濃度20重量%の低屈折率粒子(B-5)の分散液を
調製した。低屈折率粒子(B-3)分散液の調製 酸化チタンコロイド(触媒化成工業(株)製:HPW-15
R、平均粒子径15nm)を両性イオン交換樹脂で処理
し、濃度20重量%の低屈折率粒子(B-3)の分散液を調
製した。
【0064】低屈折率粒子(B-4)分散液の調製(外殻層内
部に空洞となっている粒子) 平均粒径5nm、SiO2濃度20重量%のシリカゾル
10gと純水190gとを混合して反応母液を調製し、
95℃に加温した。この反応母液のpHは10.5であ
り、同母液にSiO2として1.5重量%のケイ酸ナト
リウム水溶液24,900gと、Al23として0.5
重量%のアルミン酸ナトリウム水溶液36,800gと
を同時に添加した。その間、反応液の温度を95℃に保
持した。反応液のpHは、ケイ酸ナトリウムおよびアル
ミン酸ナトリウムの添加直後、12.5に上昇し、その
後、ほとんど変化しなかった。添加終了後、反応液を室
温まで冷却し、限外濾過膜で洗浄して固形分濃度20重
量%のSiO2・Al23多孔質物質前駆体粒子の分散
液(F)を調製した。
【0065】次いで、この多孔質物質前駆体粒子の分散
液(F)500gを採取し、純水1,700gを加えて9
8℃に加温し、この温度を保持しながら、ケイ酸ナトリ
ウム水溶液を陽イオン交換樹脂で脱アルカリして得られ
たケイ酸液(SiO2 濃度3.5重量%)3,000gを
添加して多孔質物質前駆体粒子表面にシリカ保護膜を形
成した。得られた多孔質物質前駆体粒子の分散液を、限
外濾過膜で洗浄して固形分濃度13重量%に調整したの
ち、多孔質物質前駆体粒子の分散液500gに純水1,
125gを加え、さらに濃塩酸(35.5重量%)を滴下
してpH1.0とし、脱アルミニウム処理を行ったの
ち、pH3の塩酸水溶液10Lと純水5Lを加えながら
限外濾過膜で溶解したアルミニウム塩を分離し、粒子前
駆体分散液を調製した。
【0066】上記粒子前駆体分散液1500gと、純水
500g、エタノール1,750gおよび28%アンモ
ニア水626gとの混合液を35℃に加温した後、エチ
ルシリケート(SiO2 28重量%)104gを添加し、
粒子前駆体表面にエチルシリケートの加水分解重縮合物
でシリカ外殻層を形成することによって、外殻層内部に
空洞を有する粒子を作製した。次いで、エバポレーター
で固形分濃度5重量%まで濃縮した後、濃度15重量%
のアンモニア水を加えてpH10とし、オートクレーブ
で180℃、2時間加熱処理し、限外濾過膜を用いて溶
媒をエタノールに置換した固形分濃度20重量%の低屈
折率粒子(B-4)の分散液を調製した。
【0067】得られた低屈折率粒子(B-1)〜(B-5)の特性
について表2に示す。粒子の粒子径は、マイクロトラッ
ク粒度分析計((株)日機装製)を使用し、評価した。ま
た、屈折率は、上記した方法で評価した。
【0068】
【表2】
【0069】低屈折率粒子の屈折率の測定方法(I) (1)後述するマトリックス形成成分液(C-1)と無機化合
物粒子とを、酸化物換算の重量比(マトリックス(Si
2):無機化合物粒子(MOx+SiO2))が、それぞれ10
0:0、90:10、80:20、60:40、50:50、25:75となるよう
に、混合した屈折率測定用塗布液を調製した。 (2)各塗布液を、表面を50℃に保ったシリコンウェハ
ー上に300rpm、スピナー法で各々塗布し、次いで1
60℃で30分加熱処理した後、エリプソメーターで形
成した屈折率測定用被膜の屈折率を測定した。 (3)得られた屈折率と粒子混合割合(粒子:(MOx+Si
2)/[粒子:(MOx+SiO2)+マトリックス:Si
2])をプロットし、外挿によって粒子が100%のと
きの屈折率を求める。 (4)空隙率は、求めた屈折率を用いて、純粋なSiO2
の屈折率(1.45)との差から、空気に換算して含まれ
ている空隙を算出して求めた。
【0070】導電性微粒子の屈折率の測定方法(II) (1)導電性微粒子の濃度2重量%のエタノール分散液を
調製した。 (2)上記分散液を塗布液とし、表面を50℃に保ったシ
リコンウェハー上に300rpm、スピナー法で各々塗布
し、次いで160℃で30分加熱処理した後、エリプソ
メーターで形成した屈折率測定用被膜の屈折率を測定し
た。c)マトリックス形成成分液(C-1)の調製 正珪酸エチル(SiO2:28重量%)50g、エタノール
194.6g、濃硝酸1.0gおよび純水34gの混合溶
液を室温で1時間攪拌してSiO2濃度5重量%のマトリ
ックス形成成分を含む液(C-1)を調製した。
【0071】マトリックス形成成分液(C-2)の調製 正珪酸メチル(SiO2:51重量%)9.80g、エタノー
ル73.6g、濃塩酸4.7gおよび純水11.9gを混
合し、50℃で2時間攪拌し、SiO2濃度5重量%のマ
トリックス形成成分液(C-2)を調製した。
【0072】
【表3】
【0073】
【実施例1〜8、比較例1〜4】透明低反射導電性被膜
形成用塗布液(D-1)〜(D-13)の調製 表1に示す各導電性微粒子の分散液と、表2に示す各低
屈折率粒子分散液と上記表3に示すマトリックス形成成
分液(C-1)と、混合溶媒(エタノール:プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル:N,N-ジメチルホルムアミ
ド:N-メチルピロリドン=6:3:1.5:0.5)を、
混合して表4に示す組成の透明低反射導電性被膜形成用
塗布液(D-1)〜(D-13)を調製した。
【0074】透明低反射導電性被膜付パネルガラスの製
ブラウン管用パネルガラス(14")の表面を40℃で保
持しながら、スピナー法で100rpm、90秒の条件で
上記透明低反射導電性被膜形成用塗布液(D-1)〜(D-11)
をそれぞれ塗布し乾燥した。また、塗布液(D-12)、(D-1
3)については、塗布液(D-12)を塗布した後乾燥し、表面
を40℃で保持しながら塗布液(D-13)を塗布し乾燥し
た。塗布液(D-12)、(D-13)から得られた被膜の厚さは、
順に120nm、80nmであり、合計膜厚は約200nm
であった。
【0075】次いで、表4に示す条件で焼成して透明低
反射導電性被膜付基材を得た。これらの透明導電性被膜
付基材の表面抵抗を表面抵抗計(三菱油化(株)製:LOREST
A)で測定し、ヘーズをへーズコンピューター(日本電色
(株)製:3000A)で測定した。透過率は日本分光(株)
製:U-Vest560で測定した。反射率は反射率計(大
塚電子(株)製:MCPD-2000)を用いて測定し、波長400
〜700nmの範囲における平均反射率を視感反射率とし
て表示した。
【0076】消しゴム強度 また、上記で得た透明低反射導電性被膜付基材の被膜上
に消しゴム(ライオン(株)製:1K)をセットし、1±
0.1Kgの荷重をかけ、約25mmのストロークで25
往復させた。このとき発生する削り屑は、その都度高圧
エアーで除去した。
【0077】消しゴムを25往復させた後、1000ル
ックスの照明下で、被膜表面から45cm離れて表面の目
視観察を行った。 判断基準 A:引っ掻き傷が全く観察されない。 B:蛍光灯下で反射色が変化(紫色から赤色へ)。 C:蛍光灯下で反射がなく傷が観察される。
【0078】 D:下地(ガラス基板)が見える。 結果をあわせて表4に示す。
【0079】
【表4】
【0080】表4より、本発明に係る透明低反射導電性
被膜形成用塗布液によれば、視感反射率が低く、被膜強
度の高い導電性被膜を、1回の塗布液の塗工で形成でき
る。このため、従来の塗布液では2回塗装した工程(導
電性被膜と透明被膜)が著しく簡素化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る透明低反射導電性被膜形成用塗
布液を用いて形成した透明低反射導電性被膜の概略断面
図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 5/14 H01B 5/14 A Fターム(参考) 4J038 AA011 DL021 DL031 DL071 HA061 HA066 HA161 HA166 JA19 JA20 JA27 JA33 JA54 KA06 KA08 KA12 NA17 NA20 NA22 PA18 PA19 PB09 PB11 PC02 PC03 PC08 5G301 DA01 DA03 DA11 DA18 DA23 DA33 DD01 DD02 5G307 FA00 FA01 FB01 FB02 FC05 FC08

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平均粒子径(D1)が1〜200nmの範囲
    にある導電性微粒子と、 平均粒子径(D2)が1.5〜300nmの範囲にあり、か
    つ前記導電性微粒子よりも屈折率の低い低屈折率粒子
    と、 極性溶媒とを含んでなり、 低屈折率粒子の平均粒子径(D2)と導電性微粒子の平均
    粒子径(D1)との比(D2)/(D1)が1.2〜10の範囲に
    あることを特徴とする透明低反射導電性被膜形成用塗布
    液。
  2. 【請求項2】前記導電性微粒子の屈折率(n1)と前記低
    屈折率粒子の屈折率(n2)との屈折率差((n1)−(n2))
    が0.1以上であることを特徴とする請求項1に記載の
    透明低反射導電性被膜形成用塗布液。
  3. 【請求項3】前記導電性微粒子の密度(ρ1)と前記低屈
    折率粒子の密度(ρ2)の比(ρ1)/(ρ 2)が1〜10の範
    囲にあることを特徴とする請求項1または2に記載の透
    明低反射導電性被膜形成用塗布液。
  4. 【請求項4】前記低屈折率粒子の屈折率(n2)が1.4
    5以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか
    に記載の透明低反射導電性被膜形成用塗布液。
  5. 【請求項5】さらに、マトリックス形成成分を含むこと
    を特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の透明低反
    射導電性被膜形成用塗布液。
  6. 【請求項6】請求項1〜5のいずれかに記載の透明導電
    性被膜形成用塗布液を用いて、塗布し、乾燥し、加熱処
    理して得られることを特徴とする透明低反射導電性被膜
    付基材。
  7. 【請求項7】請求項6に記載の透明低反射導電性被膜付
    基材で構成された前面板を備え、透明低反射導電性被膜
    が該前面板の外表面に形成されていることを特徴とする
    表示装置。
JP2001194728A 2001-06-27 2001-06-27 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置 Expired - Lifetime JP4959067B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001194728A JP4959067B2 (ja) 2001-06-27 2001-06-27 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001194728A JP4959067B2 (ja) 2001-06-27 2001-06-27 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003012965A true JP2003012965A (ja) 2003-01-15
JP4959067B2 JP4959067B2 (ja) 2012-06-20

Family

ID=19032817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001194728A Expired - Lifetime JP4959067B2 (ja) 2001-06-27 2001-06-27 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4959067B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006018233A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Fuji Photo Film Co Ltd 光学フイルム、偏光板、及びそれを用いた画像表示装置
WO2006046431A1 (ja) * 2004-10-26 2006-05-04 Asahi Glass Company, Limited 無機塗料組成物、導電性塗膜及び導電性塗膜の形成方法
JP2007321049A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明被膜形成用塗料および透明被膜付基材
KR101154164B1 (ko) 2008-12-08 2012-06-14 삼성에스디아이 주식회사 광학 필터 및 그 제조방법
TWI385420B (zh) * 2004-05-31 2013-02-11 Fujifilm Corp 光學薄膜之製造方法
KR20140037759A (ko) 2012-09-19 2014-03-27 니끼 쇼꾸바이 카세이 가부시키가이샤 투명피막 형성용 도포액 및 투명피막부 기재
WO2014115793A1 (ja) * 2013-01-26 2014-07-31 株式会社 ジャパンナノコート 高屈折率薄膜形成用分散液
WO2018167914A1 (ja) * 2017-03-16 2018-09-20 ヒロセ株式会社 光触媒コーティング剤

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62252481A (ja) * 1986-04-24 1987-11-04 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 導電性塗料
JPH0598436A (ja) * 1991-10-08 1993-04-20 Nikko Kyodo Co Ltd Itoスパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法
JPH06119816A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜及びその製造方法
JPH06157819A (ja) * 1992-11-26 1994-06-07 Nitto Denko Corp 光学材料用組成物
JPH06212125A (ja) * 1992-10-02 1994-08-02 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 塗布液、その製造方法および被膜付基材
JPH07133105A (ja) * 1993-11-04 1995-05-23 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 複合酸化物ゾル、その製造方法および基材
JP2000268639A (ja) * 1999-01-14 2000-09-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法および透明導電性基材の製造に用いられる透明導電層形成用塗液とその製造方法
JP2001064540A (ja) * 1999-08-30 2001-03-13 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62252481A (ja) * 1986-04-24 1987-11-04 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 導電性塗料
JPH0598436A (ja) * 1991-10-08 1993-04-20 Nikko Kyodo Co Ltd Itoスパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法
JPH06119816A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜及びその製造方法
JPH06212125A (ja) * 1992-10-02 1994-08-02 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 塗布液、その製造方法および被膜付基材
JPH06157819A (ja) * 1992-11-26 1994-06-07 Nitto Denko Corp 光学材料用組成物
JPH07133105A (ja) * 1993-11-04 1995-05-23 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 複合酸化物ゾル、その製造方法および基材
JP2000268639A (ja) * 1999-01-14 2000-09-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法および透明導電性基材の製造に用いられる透明導電層形成用塗液とその製造方法
JP2001064540A (ja) * 1999-08-30 2001-03-13 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006018233A (ja) * 2004-05-31 2006-01-19 Fuji Photo Film Co Ltd 光学フイルム、偏光板、及びそれを用いた画像表示装置
TWI385420B (zh) * 2004-05-31 2013-02-11 Fujifilm Corp 光學薄膜之製造方法
WO2006046431A1 (ja) * 2004-10-26 2006-05-04 Asahi Glass Company, Limited 無機塗料組成物、導電性塗膜及び導電性塗膜の形成方法
JPWO2006046431A1 (ja) * 2004-10-26 2008-05-22 旭硝子株式会社 無機塗料組成物、導電性塗膜及び導電性塗膜の形成方法
JP2007321049A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明被膜形成用塗料および透明被膜付基材
KR101154164B1 (ko) 2008-12-08 2012-06-14 삼성에스디아이 주식회사 광학 필터 및 그 제조방법
KR20140037759A (ko) 2012-09-19 2014-03-27 니끼 쇼꾸바이 카세이 가부시키가이샤 투명피막 형성용 도포액 및 투명피막부 기재
WO2014115793A1 (ja) * 2013-01-26 2014-07-31 株式会社 ジャパンナノコート 高屈折率薄膜形成用分散液
WO2018167914A1 (ja) * 2017-03-16 2018-09-20 ヒロセ株式会社 光触媒コーティング剤

Also Published As

Publication number Publication date
JP4959067B2 (ja) 2012-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3563236B2 (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置
JP4183924B2 (ja) 金属微粒子および該微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4031624B2 (ja) 透明被膜付基材、透明被膜形成用塗布液、および表示装置
JP3302186B2 (ja) 透明導電性被膜付基材、その製造方法および該基材を備えた表示装置
JP2004055298A (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP3973330B2 (ja) 透明被膜付基材、透明被膜形成用塗布液、および表示装置
JP4343520B2 (ja) 透明被膜形成用塗布液および透明被膜付基材、表示装置
JP4522505B2 (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP4959067B2 (ja) 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置
JP5068298B2 (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP2003342602A (ja) インジウム系金属微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系金属微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4002435B2 (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP4837376B2 (ja) 透明被膜形成用塗布液および透明被膜付基材、表示装置
JP2000276941A (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP2003105268A (ja) 透明被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4519343B2 (ja) 結晶性導電性微粒子、該微粒子の製造方法ならびに透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP4033646B2 (ja) 導電性金属酸化物粒子、導電性金属酸化物粒子の製造方法、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP4372301B2 (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置
JP5187990B2 (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材ならびに表示装置
JP4425530B2 (ja) インジウム系酸化物微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP2003327428A (ja) インジウム系酸化物微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系酸化物微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4902048B2 (ja) 透明導電性被膜付基材および表示装置
JP2003261326A (ja) インジウム系酸化物微粒子、該微粒子の製造方法ならびに該微粒子を含んでなる透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP2004204174A (ja) 透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4782054B2 (ja) 透明導電性被膜付基材および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080515

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110819

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110913

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111209

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120313

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120321

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4959067

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term