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  1. レーザ光を発振する半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子から出射され空間を伝搬してきたレーザ光を受光して電気信号に変える受光素子とを備え、
    前記半導体レーザ素子は、前記受光素子における吸収係数が０．００１〜０．３μｍ-1の範囲となる波長の前記レーザ光を発振する、空間光伝送システム。
  2. 前記半導体レーザ素子は、前記受光素子における吸収係数が０．００７〜０．０４μｍ-1の範囲となる波長の前記レーザ光を発振する、請求項１に記載の空間光伝送システム。
  3. 前記半導体レーザ素子は、前記受光素子における吸収係数が０．０２〜０．３μｍ-1の範囲となる波長のレーザ光を発振する、請求項１に記載の空間光伝送システム。
  4. レーザ光を発振する半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子から出射され空間を伝搬してきたレーザ光を受光して電気信号に変える受光素子とを備え、
    前記受光素子がシリコン系フォトダイオードから構成され、前記半導体レーザ素子の発振波長が８８５〜９８０ｎｍの範囲にある、空間光伝送システム。
  5. レーザ光を発振する半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子から出射され空間を伝搬してきたレーザ光を受光して電気信号に変える受光素子とを備え、
    前記受光素子がＩｎＰ系フォトダイオードから構成され、前記半導体レーザ素子の発振波長が９００〜９４５ｎｍの範囲にある、空間光伝送システム。
  6. レーザ光を発振する半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子から出射され空間を伝搬してきたレーザ光を受光して電気信号に変える受光素子とを備え、
    前記受光素子がＧｅ系フォトダイオードから構成され、前記半導体レーザ素子の発振波長が１５５０〜１５９０ｎｍの範囲にある、空間光伝送システム。
  7. 前記受光素子が、Ｓｉ系フォトダイオードから構成され、前記レーザ光が入射する入射面側から、厚さ５〜２５μｍの第１導電型半導体層、その第１導電型半導体層の下に接して位置する厚さ６０〜２００μｍの真性半導体層、およびその真性半導体層の下に接して位置する第２導電型半導体層を備える、請求項１、２、４のいずれかに記載の空間光伝送システム。
  8. 前記受光素子が、ＩｎＰ系フォトダイオードから構成され、前記レーザ光が入射する入射面側から、厚さ５〜２５μｍの第１導電型半導体層、その第１導電型半導体層の下に接して位置する厚さ６０〜２００μｍの真性半導体層、およびその真性半導体層の下に接して位置する第２導電型半導体層を備える、請求項１〜３、５のいずれかに記載の空間光伝送システム。
  9. 前記受光素子が、Ｇｅ系フォトダイオードから構成され、前記レーザ光が入射する入射面側から、厚さ２０〜４０μｍの第１導電型半導体層、その第１導電型半導体層の下に接して位置する厚さ６０〜２５０μｍの真性半導体層、およびその真性半導体層の下に接して位置する第２導電型半導体層を備える、請求項１〜３、６のいずれかに記載の空間光伝送システム。
  10. 前記半導体レーザ素子は、出射するレーザ光の放射照度が距離に応じて減衰する発散光源である、請求項１から３のいずれかに記載の空間光伝送システム。
  11. 前記半導体レーザ素子は、拡散材を介してレーザ光を照射する、請求項１から３のいずれかに記載の空間光伝送システム。
  12. 回路基板と、
    前記回路基板に搭載された半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子の少なくとも光出射端面を覆う、硬化後のＪＩＳ−Ａ硬度がほぼゼロである、ゼリー状樹脂であるシリコン系樹脂と、
    前記シリコン系樹脂で覆われた半導体レーザ素子を前記回路基板に封止する第２の封止樹脂とを備える、半導体レーザモジュール。
  13. 回路基板と、
    前記回路基板に取り付けられ、その光出射面が前記回路基板の面と略平行になるように配置された半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子を前記回路基板に封止する封止樹脂とを備える、半導体レーザモジュール。
  14. 前記半導体素子は、前記回路基板に固定されたマウント材に固定され、前記光出射面が前記回路基板の面と略平行とされている、請求項１２に記載の半導体レーザモジュール。
  15. 前記マウント材はヒートシンクを備える、請求項１４に記載の半導体レーザモジュール。
  16. 相手側の受光素子に向けてレーザ光を出射させる、請求項１２〜１５のいずれかに記載の半導体レーザモジュールを備える空間光伝送システム。
  17. 空間を伝送される光にのせられたデータに応じて応答する電子機器であって、請求項１〜１１、１６のいずれかに記載の空間光伝送システムまたは請求項１２〜１５のいずれかに記載の半導体レーザモジュールを備える電子機器。
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