JP2003001624A - 被加工物から基板を切り離す方法 - Google Patents

被加工物から基板を切り離す方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被加工物の加熱に結びつく欠点を有効に回避
すること 【解決手段】 ソーを用いて棒状又はブロック状の被加
工物を切り離す方法において、切り離しの間に前記の被
加工物の温度を測定しかつこの測定信号を調整ユニット
に転送し、この調整ユニットが調整信号を作成し、この
調整信号を被加工物温度の調整のために使用するか、又
は切り離しの間に前記の被加工物の温度を、予め決定さ
れた調整曲線に基づく調整信号によって調整することを
特徴とする、被加工物を切り離す方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明の対象は、被加工物か
ら基板を切り出す方法、特に棒状又はブロック状の半導
体材料から半導体基板を切り離す方法である。
【0002】
【従来の技術】半導体基板は、一般に半導体材料からな
る棒状又はブロック状の単結晶又は多結晶の被加工物
を、ワイヤソーを用いて1作業工程で同時に多数の半導
体基板に切り離すことにより製造される。
【0003】このワイヤソーの主要な構成要素には装置
フレーム、送り装置及び平行なワイヤ部分からなるマル
チワイヤ部からなるソー工具が属する。出願番号199
59414.7−14のドイツ国特許出願に記載されて
いるように、このマルチワイヤ部(Drahtgatter)は、
相互に平行に1つのフレームによって張設された多数の
個々のワイヤからなる。一般に、このマルチワイヤ部は
多数の平行なワイヤ部分により構成され、このワイヤ部
分は少なくとも2本のワイヤガイドローラ間に張架され
ており、この場合、ワイヤガイドローラは回転可能に支
承されており、このワイヤガイドローラの少なくとも一
方は駆動している。このワイヤ部分は1本の有端のワイ
ヤであり、このワイヤはローラシステムをスパイラル状
に取り巻くようにガイドされており、一方の繰り出しロ
ーラから一方の巻き取りローラに繰り出される。米国特
許第4655191号明細書には、それに対して、多数
の有端のワイヤが設けられておりかつマルチワイヤ部の
各ワイヤ部分がこの複数のワイヤの1つに属しているワ
イヤソーが開示されている。欧州特許出願公開第522
542号明細書から、多数のエンドレスワイヤループが
ローラシステムを取り巻いて走行するワイヤソーも公知
である。
【0004】スライシングプロセスの間に、送り装置は
ワイヤ部分と被加工物との相互に反対に向かう相対運動
を生じさせる。この送り運動の結果として、例えば炭化
ケイ素からなる砥粒を吹き付けられたワイヤが、被加工
物に平行なスライシングギャップを形成しながら作動す
る。ドイツ国特許出願公開第3942671号明細書に
よると、被加工物を停止しているマルチワイヤ部に対し
てガイドする送り装置も、ワイヤソーのソーヘッドを停
止している被加工物に対してガイドする送り装置も公知
である。この砥粒はワイヤに吹きかけられる「スラリ
ー」ともいわれるスライシング懸濁液中に含まれるか、
又は例えば欧州特許出願公開第0990498号明細書
に記載されたように、ワイヤ上に強固に固定されていて
ることができる。
【0005】棒状又はブロック状の半導体材料から、例
えば単結晶棒から半導体基板を製造する際に、ワイヤソ
ーに高い要求がなされている。このスライシング方法
は、一般に、それぞれのスライシングされた半導体基板
ができる限り平坦でかつ相互に平行な端面を有するとい
う目的を有する。この基板のいわゆる「ワープ」とは、
目標とされる理想形からの実際の基板のずれについての
公知の尺度である。このワープは一般に高くても数μm
である。このワープは、スライシングプロセスの進行に
おいて被加工物に対して軸方向に発生する、ソーワイヤ
部分の被加工物に対する相対運動によって生じてしま
う。この相対運動は、例えばスライシングの際に生じる
切断力、熱膨張によるワイヤガイドローラの軸方向のず
れ、軸受の遊び又は被加工物の熱膨張に原因がある。
【0006】被加工物とワイヤ部分との間の、被加工物
に関する軸方向の相対運動の最大の原因は、砥粒による
被加工物の研削が著しい熱量を放出し、この熱量がスラ
イシングプロセスの進行において被加工物を加熱し、ひ
いては熱膨張させることにある。これは、ワープの増大
だけでなく、スライシングされた基板の明らかなうねり
を生じさせる。特に著しい温度上昇は、被加工物をスラ
イシングし始めた後の最初の数ミリメーターの切断で生
じる。切断長さが増大すると共に、被加工物の温度もさ
らに上昇する。最大切断長さの範囲内で、被加工物温度
も最大値に達し、その後は軽度に低下し、このことは研
削熱が減少するほかに、生じた基板の冷却リブ効果に起
因する。
【0007】スライシング助剤としてスラリーを使用す
る場合、使用したスラリーがソーワイヤに供給される前
に、このスラリーを所定の温度にすることにより被加工
物の熱膨張を制限することができる。このことは、特開
平5−200734号公報の要約書に記載されたよう
に、スラリータンク中の熱交換器によって達成される。
この場合、スラリーの温度は一定に保持される。特開平
7−171753号公報の要約書には、貯蔵タンク中の
スラリーの温度を測定し、冷却液の流れの調整のために
測定信号を使用し、この冷却液が熱交換器中で貯蔵タン
クを貫流し、それにより一定のスラリー温度を達成すr
る方法が記載されている。同様の方法が特開平10−1
80750号公報の要約書に記載されている。この要約
書では、スラリーは熱交換器を通過して流動し、この熱
交換器はワイヤソーへの供給管中に組み込まれている。
熱交換器とワイヤソーの間の供給管内の温度センサは、
熱交換器中の冷媒の流れを調整することができ、それに
より同様に一定のスラリー温度を保証することができ
る。この熱処理されたスラリーは被加工物の温度変動を
減少させる。
【0008】WO 00/43162も同様に、スライ
シングの間の被加工物温度の変動を制限する複数の方法
を開示している。スライシングの間に被加工物に、一定
の温度に保たれた冷媒を流すことが提案されている。こ
の冷媒は、熱交換器を貫流する流体であり、その後にこ
の流体は被加工物と接触する。例えば、一定の温度のス
ラリーがソーワイヤに供給されるだけでなく、被加工物
に直接供給され、それによりより良好な冷却が保証され
る。この被加工物には、一定の温度の他の液体又はガ
ス、例えば空気を供給することもできる。
【0009】前記のすべての方法の欠点は、被加工物の
温度変動を十分に補償できないことである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の根底
をなす課題は、被加工物の加熱に結びつく前記の欠点を
有効に回避することであった。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、ソーを用
いて棒状又はブロック状の被加工物を切り離す方法にお
いて、切り離しの間に前記の被加工物の温度を測定しか
つこの測定信号を調整ユニットに転送し、この調整ユニ
ットが調整信号を作成し、この調整信号を被加工物温度
の調整のために使用することを特徴とする、被加工物を
切り離す方法により解決される。
【0012】本発明による方法の利点は、基板に切り離
す間の被加工物の温度を把握し、温度変化の際に意図的
な対抗制御(Gegensteuerung)を可能にする。本発明に
よる方法とは反対に、先行技術によると冷媒、たいてい
はスラリーの温度を一定に保持しているにすぎない。そ
れにより被加工物の温度変化は十分に低減することがで
きない。
【0013】本発明の範囲内で、被加工物の温度に影響
を与えるのに適当なそれぞれの方法を使用できる。この
目的で、熱交換器中で所望の温度にされかつ引き続き被
加工物にノズルを介して供給される流体を使用するのが
有利である。このノズルは被加工物の上方又は横側の上
方に取り付けられる。流体の中でもガスと比べてより高
い熱容量をに基づき液体が特に有利である。スライシン
グ助剤としてスラリーを使用する場合、このスラリーを
被加工物の温度制御のために使用するのが特に有利であ
る、それというのもこの場合付加的な液体容器が必要な
いためである。スラリーの温度処理は同様に熱交換器内
で行われる。被加工物の端面に取り付けられたか又は固
定ストリップに取り付けられたペルチェ素子を用いて被
加工物を熱電冷却することも有利である。ペルチェ素子
を用いた熱電冷却は、わずかな遅れに基づき温度の標準
サイズの調整を迅速に行うことができることが特に有利
である。
【0014】熱交換器もしくはペルチェ素子の調整は、
被加工物の温度測定の測定信号を記憶しかつこの測定信
号を調整信号に変換する調整ユニットによって行われ
る。被加工物温度の測定は、温度センサ、例えば熱電素
子又は抵抗温度計によって行われる。この温度センサは
被加工物の端面の少なくとも一方の取り付けられるのが
有利である。例えばシリコン基板の製造の際に通常のよ
うに、被加工物の固定ストリップ上での切り離しのため
に固定する場合に、固定ストリップ上での温度測定も有
利である。固定ストリップの温度は、その表面又は温度
センサを収容する穿孔中で測定される。
【0015】本発明による方法の特に有利な実施態様
は、まず同じ材料及び同じ形状寸法の被加工物の種類に
対する調整曲線を測定することにある。これは、少なく
とも被加工物の場合には有利に複数の同じ種類の被加工
物を切り離しの間に被加工物温度を次々に(引き続き平
均値を作成して)測定し、前記した方法で可変の冷却に
より調整することにより有利に行われる。この場合、測
定信号又は調整ユニットが作成しかつ冷却を調整する調
整信号を時間の関数として記録する。このように測定さ
れた調整曲線を、次に他の同様の被加工物の切り離しの
際に被加工物冷却の調整のために使用する。この実施態
様の場合に、各被加工物において切り離しの間に被加工
物温度を測定しなくてもよい、それというのもこの温度
測定はすでに所定の調整曲線により置き換えられるため
である。この方法は、多くの同じ種類の被加工物を同じ
方法で加工する場合に特に有利である。異なる種類の被
加工物を加工する場合には、各種類のためにまず調整曲
線を決定し、次に各被加工物において材料及び形状寸法
に適合した調整曲線を選択する。
【0016】図1は、温度制御されたスラリーを介して
被加工物温度の調整を行う、本発明により取り付けられ
たワイヤソーの略図である。
【0017】図2は、200mmの直径を有するシリコ
ン多結晶の例に関して、先行技術による温度推移と本発
明による温度制御を用いた場合の温度推移との比較をグ
ラフで示した図である。
【0018】図1を用いて本発明による方法の有利な実
施態様を次に記載する。
【0019】被加工物1は固定ストリップ2と取付プレ
ート3とを介して、先行技術によるワイヤソーの図示さ
れていない装置フレームに固定されている。ソーワイヤ
4はスパイラル状に4本のワイヤガイドローラ5を介し
て走行し、このようにマルチワイヤ部を形成する。この
ソーワイヤはスラリーノズル6を通してスラリーを吹き
かけられ、この場合、スラリーは運動しているワイヤに
よって切断箇所に運ばれる。(図1中ではスライシング
プロセスの開始の前の状態を示す。)このスラリーは、
モータ8により駆動する攪拌機9が取り付けられている
容器7から、スラリー循環路10を介してポンプを用い
てスラリーノズル6に運ばれる。このスラリーはスライ
シングプロセスで利用した後に容器7に返送される。ポ
ンプ11とスラリーノズル6との間でスラリーは熱交換
器12を通過する。この熱交換器は、容器7中のスラリ
の温度を測定する温度センサ13の測定信号により制御
される。この種の温度制御は先行技術である。付加的
に、このワイヤソーは第2のスラリー循環路14を備え
ている。この第2のスラリー循環路を介して、スラリー
は容器7からポンプ15を通して添加物ノズル16にま
で運ばれる。この添加物ノズルは被加工物の上方又は上
方の横側に取り付けられており、被加工物にスラリーを
吹きかける。ポンプ15と添加物ノズル16との間でス
ラリーは熱交換器18を通過する。この熱交換器は調整
ユニット18を介して調整される。本発明の場合、スラ
イシングの間に被加工物の温度は少なくとも1箇所で測
定される。図1において、被加工物の端面で、鉛直線上
に配置された5つの温度センサ19により温度測定が行
われている。この測定信号は制御ユニット18内へ記憶
されるため、測定された被加工物温度をベースとして熱
交換器17の調整を行う。基準値を上回る被加工物温度
が測定された場合、熱交換器17内のスラリー温度を低
下させる。基準値を下回る被加工物温度の場合には、熱
交換器の冷却効率を低下させ、その結果、より高いスラ
リー温度が生じる。
【0020】
【実施例】本発明による方法の結果を、次に実施例及び
比較例を用いて示す。
【0021】比較例1:制御しないプロセス 先行技術によるスラリー−ワイヤソーを用いて、200
mmの直径を有する単結晶シリコン棒を多数の基板に切
り離した。スライス時間は約400分であった。V1で示
された曲線を図2に示したように、シリコン棒の温度は
棒にスライシングを始めた直後に急激に上昇し、スライ
シング開始から100分よりも若干後に、プロセスの開
始時の温度を約16℃上回る最大値に達する。その後、
この温度はゆっくりとプロセスの終わりまで約12℃ほ
ど低下する。Sで示された曲線はmmで表したソーヘッ
ドの位置ひいてはスライシングの進行距離を記入した。
【0022】例1:制御されたプロセス すべてのプロセスパラメータは比較例1と同様に選択し
た。付加的に、一定のスラリー温度を用いるのではな
く、本発明による温度制御を用いて作業し、被加工物に
ノズル16を介して温度を変えることができる冷媒をか
け、被加工物の温度変化をできる限り小さくする。被加
工物温度の変動は、この場合、図2にB1で示した曲線が
示すように、単に約5℃である。それにより、スライシ
ングされたウェハの最大ワープを一般に15μm〜10
μmに下げることができた。
【0023】本発明の適用範囲は、生成物の高い平面度
及びわずかなうねり(Welligkeit)が問題となるすべて
のスライシング法に広げられる。本発明はソーに固有な
特徴を利用していないため、任意のソーの場合に、特に
関連する切断砥粒(ダイアモンドワイヤ)又はスラリー
を用いて作業するワイヤソーの場合に、しかしながらバ
ンドソー及び内周刃式ソーの場合にも適用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】温度制御されたスラリーを介して被加工物温度
の調整を行う、本発明により取り付けられたワイヤソー
の略図
【図2】200mmの直径を有するシリコン多結晶の例
に関して、先行技術による温度推移と本発明による温度
制御を用いた場合の温度推移との比較をグラフで示す図
【符号の説明】
1 被加工物、 2 固定ストリップ、 3 取付プレ
ート、 4 ソーワイヤ、 5 ワイヤガイドローラ、
6 スラリーノズル、 7 容器、 8 モータ、
9 撹拌機、 10 スラリー循環路、 11 ポン
プ、 12 熱交換器、 13 温度センサ、 14
スラリー循環路、 15 ポンプ、 16添加物ノズ
ル、 17 熱交換器、 18 調整ユニット、 19
温度センサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロタール フーバー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ミッ テルガッセ 12 (72)発明者 ペーター ヴィースナー ドイツ連邦共和国 ロイト シュタウデン ポイント 2 Fターム(参考) 3C058 AA05 BA08 CB01 DA17 3C069 AA01 BA06 CA04 DA06 EA02 EA05

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ソーを用いて棒状又はブロック状の被加
    工物を切り離す方法において、切り離しの間に前記の被
    加工物の温度を測定しかつこの測定信号を調整ユニット
    に転送し、この調整ユニットが調整信号を作成し、この
    調整信号を被加工物温度の調整のために使用することを
    特徴とする、被加工物を切り離す方法。
  2. 【請求項2】 ソーを用いて棒状又はブロック状の被加
    工物を切り離す方法において、切り離しの間に前記の被
    加工物の温度を、予め決定された調整曲線に基づく調整
    信号によって調整することを特徴とする、被加工物を切
    り離す方法。
  3. 【請求項3】 切り離しの間に被加工物の温度を測定
    し、この測定により測定信号を作成し、この測定信号を
    被加工物温度の調整のために使用し、この場合、調整曲
    線を記録することにより調整曲線を決定する、請求項2
    記載の方法。
  4. 【請求項4】 材料及び被加工物の形状寸法に合わせて
    調整曲線を選択する、請求項2記載の方法。
  5. 【請求項5】 調整信号が熱交換器を調整し、この熱交
    換器が冷媒の温度を調節し、この冷媒を被加工物に供給
    し、前記の被加工物を温度調節する、請求項1から4ま
    でのいずれか1項記載の方法。
  6. 【請求項6】 冷媒が液体又はガスであり、この冷媒を
    被加工物の上方又は横側の上方に配置されているノズル
    を介して被加工物に供給する、請求項5記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記の液体が、被加工物の切り離しのた
    めに使用されるスラリーと同一である、請求項6記載の
    方法。
  8. 【請求項8】 調整信号が被加工物又は固定ストリップ
    に取り付けられた1つ以上のペルチェ素子を調整し、こ
    のペルチェ素子を被加工物の温度調節のために使用す
    る、請求項1又は2記載の方法。
  9. 【請求項9】 被加工物の温度を、被加工物の表面又は
    固定ストリップ又は固定ストリップ中の穿孔内の複数の
    箇所で測定する、請求項1又は3記載の方法。
  10. 【請求項10】 被加工物の温度を被加工物の端面で測
    定する、請求項1、3又は9項記載の方法。
  11. 【請求項11】 被加工物の温度を一定に保持する、請
    求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005098953A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nec Corporation 磁化方向制御方法、及びそれを応用したmram
KR100713199B1 (ko) * 2004-10-21 2007-05-02 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 에칭 장치 및 에칭 방법
KR100713200B1 (ko) * 2004-10-21 2007-05-02 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 에칭 장치
WO2008035513A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Cutting method
WO2008035530A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale
WO2008108051A1 (ja) * 2007-03-06 2008-09-12 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 切断方法およびワイヤソー装置
WO2008149490A1 (ja) * 2007-06-08 2008-12-11 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 切断方法およびワイヤソー装置
JP2009029078A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Toyo Advanced Technologies Co Ltd ワイヤーソー装置
JP2009101542A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Daiichi Cutter Kogyo Kk 切断方法及び切断装置
KR100981254B1 (ko) * 2008-06-04 2010-09-10 주식회사 실트론 잉곳절단장치 및 방법
DE112008003339T5 (de) 2007-12-19 2010-12-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Verfahren zum Zerschneiden eines Werkstücks durch Verwendung einer Drahtsäge und Drahtsäge
WO2012043951A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 Lg Siltron Inc. Sawing apparatus of single crystal ingot
WO2012044105A3 (ko) * 2010-09-30 2012-06-07 삼성전자 주식회사 평활화 보간 필터를 이용하여 영상을 보간하는 방법 및 그 장치
JP2012143863A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Siltronic Ag ワイヤーソーイング時の半導体材料製被加工物の冷却方法
CN103153564A (zh) * 2010-10-12 2013-06-12 Lg矽得荣株式会社 用于锯切单晶锭的设备和方法
JP2016135529A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
JP2018083410A (ja) * 2016-11-23 2018-05-31 エスケー シルトロン カンパニー リミテッド インゴット加圧装置及びこれを含むインゴット切断装置
WO2019130806A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 信越半導体株式会社 ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030170948A1 (en) * 2002-03-07 2003-09-11 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for slicing semiconductor wafers
ITPD20030039A1 (it) * 2003-02-28 2004-09-01 Maus Spa Metodo di lavorazione per asportazione di truciolo di
US8066712B2 (en) * 2005-09-01 2011-11-29 Dfine, Inc. Systems for delivering bone fill material
US7878883B2 (en) * 2006-01-26 2011-02-01 Memc Electronics Materials, Inc. Wire saw ingot slicing system and method with ingot preheating, web preheating, slurry temperature control and/or slurry flow rate control
JP4791306B2 (ja) * 2006-09-22 2011-10-12 信越半導体株式会社 切断方法
DE102006060358A1 (de) 2006-12-20 2008-06-26 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zum Zersägen eines Werkstücks
US20090199836A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-13 Memc Electronic Materials, Inc. Carbon nanotube reinforced wiresaw beam used in wiresaw slicing of ingots into wafers
US20100126488A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Abhaya Kumar Bakshi Method and apparatus for cutting wafers by wire sawing
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US8960177B2 (en) * 2008-12-20 2015-02-24 Cabot Microelectronics Corporation Wiresaw cutting method
JP5540072B2 (ja) * 2009-04-01 2014-07-02 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 自浄式ワイヤソー装置および方法
US20120186572A1 (en) * 2009-07-28 2012-07-26 Helmuth Treichel Silicon wafer sawing fluid and process for use thereof
JP5515593B2 (ja) * 2009-10-07 2014-06-11 株式会社Sumco ワイヤーソーによるシリコンインゴットの切断方法およびワイヤーソー
DE102010007459B4 (de) 2010-02-10 2012-01-19 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial
DE102011005949B4 (de) 2011-03-23 2012-10-31 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
DE102011005948B4 (de) * 2011-03-23 2012-10-31 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
JP5427822B2 (ja) * 2011-04-05 2014-02-26 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト ワイヤーソーによるワークの切断方法
CN102744798A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 上海闽盛机械设备制造有限公司 一种对锯切机切割硬质材料的控制方法
US20130174828A1 (en) * 2011-12-09 2013-07-11 Memc Electronic Materials, Spa Systems and Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
DE102012201938B4 (de) 2012-02-09 2015-03-05 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Trennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
CN102744796A (zh) * 2012-06-20 2012-10-24 常州天合光能有限公司 硅锭切片质量监控系统及监测方法
CN103862585A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 浙江瑞翌新材料科技有限公司 一种基于金刚石线切割机的换热器和冷却循环系统
DE102013223344B3 (de) * 2013-11-15 2015-05-07 Siltronic Ag Verfahren zum Zersägen eines temperierten Werkstückes mit einer Drahtsäge
DE102013225104B4 (de) 2013-12-06 2019-11-28 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück mittels einer Drahtsäge
CN106313353B (zh) * 2015-07-03 2019-01-08 天津职业技术师范大学 一种多线切割机线网线弓在线监测装置及方法
TWI614080B (zh) * 2016-09-13 2018-02-11 財團法人工業技術研究院 加工恆溫控制系統及其利用方法
CN108724495B (zh) * 2017-04-24 2020-04-10 上海新昇半导体科技有限公司 硅片切割装置
CN108044819B (zh) * 2017-12-07 2020-04-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种硅棒切割方法
CN109129948B (zh) * 2018-10-24 2023-09-01 乐山新天源太阳能科技有限公司 自动循环喷淋硅片切割机
DE102018221922A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
CN110733139B (zh) * 2019-10-14 2021-05-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶棒切割装置及方法
EP3922386A1 (de) 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben von werkstücken mittels einer drahtsäge während einer abfolge von abtrennvorgängen
EP3922389A1 (de) 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen
EP3922388A1 (de) 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen
EP3922387A1 (de) 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4655191A (en) * 1985-03-08 1987-04-07 Motorola, Inc. Wire saw machine
DE3942671A1 (de) * 1989-12-22 1991-06-27 Wacker Chemitronic Drahtsaege zum abtrennen von scheiben von stab- oder blockfoermigen werkstuecken und ihre verwendung
DE4123095A1 (de) * 1991-07-12 1993-01-14 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur herstellung von nahtlosen band- und drahtschlaufen, und deren verwendung als trennwerkzeuge in band- und drahtsaegen
JP2516717B2 (ja) * 1991-11-29 1996-07-24 信越半導体株式会社 ワイヤソ―及びその切断方法
JP2535696B2 (ja) * 1992-01-27 1996-09-18 信越半導体株式会社 ワイヤソ―及びその切断方法
JPH07171753A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Nippei Toyama Corp ワイヤソー用のスラリ温度制御装置
DE19519460A1 (de) * 1995-05-26 1996-11-28 Wacker Siltronic Halbleitermat Drahtsäge und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
JPH0985737A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
JPH1052816A (ja) * 1996-08-13 1998-02-24 M Ii M C Kk ワイヤ式切断方法
JPH10180750A (ja) * 1996-12-25 1998-07-07 Nippei Toyama Corp ワイヤソーにおけるスラリー温度調節装置
DE19841492A1 (de) * 1998-09-10 2000-03-23 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem sprödharten Werkstück
JP3734018B2 (ja) * 1999-01-20 2006-01-11 信越半導体株式会社 ワイヤソーおよび切断方法
DE19959414A1 (de) * 1999-12-09 2001-06-21 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005098953A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nec Corporation 磁化方向制御方法、及びそれを応用したmram
KR100713199B1 (ko) * 2004-10-21 2007-05-02 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 에칭 장치 및 에칭 방법
KR100713200B1 (ko) * 2004-10-21 2007-05-02 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 에칭 장치
US7988530B2 (en) 2006-09-22 2011-08-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Slicing method
WO2008035513A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Cutting method
WO2008035530A1 (fr) * 2006-09-22 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale
JP2008078474A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd 切断方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法
JP2008073816A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Shin Etsu Handotai Co Ltd 切断方法
KR101402721B1 (ko) * 2006-09-22 2014-06-02 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 절단방법
KR101356190B1 (ko) * 2006-09-22 2014-01-24 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 절단방법 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법
US8210906B2 (en) 2006-09-22 2012-07-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Slicing method and method for manufacturing epitaxial wafer
JP2008213110A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Shin Etsu Handotai Co Ltd 切断方法およびワイヤソー装置
US8567384B2 (en) 2007-03-06 2013-10-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Slicing method and wire saw apparatus
WO2008108051A1 (ja) * 2007-03-06 2008-09-12 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 切断方法およびワイヤソー装置
KR101476670B1 (ko) * 2007-06-08 2015-01-06 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 절단 방법 및 와이어 쏘 장치
JP2008302618A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Shin Etsu Handotai Co Ltd 切断方法およびワイヤソー装置
US8267742B2 (en) 2007-06-08 2012-09-18 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Slicing method and a wire saw apparatus
WO2008149490A1 (ja) * 2007-06-08 2008-12-11 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 切断方法およびワイヤソー装置
JP2009029078A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Toyo Advanced Technologies Co Ltd ワイヤーソー装置
JP2009101542A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Daiichi Cutter Kogyo Kk 切断方法及び切断装置
DE112008003339T5 (de) 2007-12-19 2010-12-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Verfahren zum Zerschneiden eines Werkstücks durch Verwendung einer Drahtsäge und Drahtsäge
US7959491B2 (en) 2007-12-19 2011-06-14 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for slicing workpiece by using wire saw and wire saw
KR100981254B1 (ko) * 2008-06-04 2010-09-10 주식회사 실트론 잉곳절단장치 및 방법
US8752537B2 (en) 2010-09-29 2014-06-17 Lg Siltron Inc. Sawing apparatus of single crystal ingot
WO2012043951A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 Lg Siltron Inc. Sawing apparatus of single crystal ingot
WO2012044105A3 (ko) * 2010-09-30 2012-06-07 삼성전자 주식회사 평활화 보간 필터를 이용하여 영상을 보간하는 방법 및 그 장치
JP2013539923A (ja) * 2010-10-12 2013-10-28 エルジー シルトロン インコーポレイテッド 単結晶インゴット切断装置及び単結晶インゴットの切断方法
CN103153564A (zh) * 2010-10-12 2013-06-12 Lg矽得荣株式会社 用于锯切单晶锭的设备和方法
JP2012143863A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Siltronic Ag ワイヤーソーイング時の半導体材料製被加工物の冷却方法
JP2016135529A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
WO2016117294A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
JP2018083410A (ja) * 2016-11-23 2018-05-31 エスケー シルトロン カンパニー リミテッド インゴット加圧装置及びこれを含むインゴット切断装置
US10486333B2 (en) 2016-11-23 2019-11-26 Sk Siltron Co., Ltd. Ingot pressing apparatus and ingot slicing apparatus including the same
WO2019130806A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 信越半導体株式会社 ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法
US11584037B2 (en) 2017-12-25 2023-02-21 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wire saw apparatus and method for manufacturing wafer

Also Published As

Publication number Publication date
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