JP2002533494A - フリース量の低減したビスフェノールａポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

フリース量の低減したビスフェノールａポリカーボネートの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、フリース含有量の非常に低い（例えば、５ｐｐｍを上回り３６０ｐｐｍ未満）を有するポリカーボネートを含む組成物を提供する。本発明は、溶融法で製造されフリース含有量の非常に低いポリカーボネートを提供する。このポリカーボネートは、高い延性及び高い衝撃強さを有する。本発明は、これらの組成物を製造する方法を提供する。本発明の別の態様は、溶融法で製造されフリース含有量の非常に低いポリカーボネートからなる光ディスクである。かかる光ディスクは曲げに対する破損耐性をもつ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術的背景】
本発明は、特定の枝分れ種の含有量の低いポリカーボネートを含む組成物に関
する。この枝分れ種は後記の式（Ｉ）で表されるもので、「フリース（Ｆｒｉｅ
ｓ）」枝分れ種（以下「フリース」と呼ぶ）として周知である。さらに具体的に
は、本発明は、溶融合成法で製造される低フリースポリカーボネートに関する。
さらに、本発明は、かかる低フリースポリカーボネートからなる光ディスク並び
にかかるポリカーボネートを用いる射出成形法にも関する。
【０００２】 従来の工業プラントでは、ポリカーボネートの合成はジヒドロキシ化合物（例
えばビスフェノールＡ）の水溶液と、ハロゲン化カルボニル（例えばホスゲン）
を含む有機溶剤（例えばジクロロメタン）を共に混合することによって行われる
。非混和性の有機相と水相を混合すると、ジヒロドキシ化合物は相界面でハロゲ
ン化カルボニルと反応する。通例、第三アミン等の相間移動触媒を水相に加えて
反応を促進する。この合成法は、ポリカーボネート生産のための「界面」合成法
として周知である。
【０００３】 ポリカーボネート製造用の界面法は幾つかの固有の短所を有する。第一に、反
応体としてホスゲンを要するプロセスを操業するのは、明らかに安全性の問題が
あるので不利である。第二に、大量の有機溶剤を用いる必要のあるプロセスを操
業するのは、環境へのあらゆる悪影響を防ぐため経費のかかる予防措置を講じな
ければならないので不利である。第三に、界面法は比較的大規模な装置及び設備
投資を要する。第四に、マテリアルプロセスによって生成したポリカーボネート
は、色にバラツキがみられ、粒状物の含有量が高く、腐食を起こすおそれのある
塩素含有量が高い傾向にある。
【０００４】 界面法の問題点の幾つかを回避する新たな製造方法が開発されている。具体的
には、新型工業ポリカーボネートプラントにはエステル交換反応でポリカーボネ
ートを合成するものがあり、この反応では炭酸ジエステル（例えば炭酸ジフェニ
ル）をジヒドロキシ化合物（例えばビスフェノールＡ）と縮合させる。この反応
は無溶剤で行われ、減圧及び高温下で、反応で生じたフェノールを同時に蒸留し
ながら反応体を混合することによって反応を完遂させる。この合成法は、一般に
「溶融」法と呼ばれる。溶融法は、ホスゲンを用いず、溶剤を必要とせず、用い
る装置がさほど大掛かりでないので、界面法よりも優れている。さらに、溶融法
で合成したポリカーボネートは、反応体由来の塩素汚染物を含まず、粒状物含有
量が低く、色のバラツキが少ない。従って、工業生産プロセスに溶融法を用いる
のが非常に望ましい。実際、本願出願人は溶融法を用いた世界初の工業プラント
を構築している。
【０００５】 溶融法は、界面法で合成されるポリカーボネートとは異なるポリカーボネート
を生ずる。具体的には、従来の界面法で合成されるポリカーボネートに枝分れが
生ずるのはゼロに近い。非常に高い延性が必要とされるような用途には枝分れ量
が低いことが望ましいが、高い溶融強度が必要とされる分野には高レベルの枝分
れが望ましい。界面法で合成されるポリカーボネートに枝分れが所望される場合
、重合時に枝分れ剤を添加して枝分れを導入しなければならない。また、界面型
ポリカーボネートには通例フリース枝分れ種は認め得る量では存在しない。対照
的に、溶融法は、フリース含有量の高いポリカーボネートを生じる傾向にある。
高レベルのフリースは低い延性を伴うので、用途によっては溶融法で低フリース
のポリカーボネートを合成するのが望まれる。以下に述べる通り、本願出願人は
この問題を解決した。
【０００６】 帝人の特開平９−５９３７１号公報（以下「帝人の公開公報」と呼ぶ）には、
溶融法によるポリカーボネートの製造方法が開示されており、ポリカーボネート
はフリースと第二の枝分れ種を合計０．００１〜０．３モル％、第二の枝分れ種
を０．００１モル％以上含んでいる。従って、帝人の公開公報には、０．２９９
モル％未満のフリースを有する溶融型ポリカーボネートについて規定されている
。ただし、帝人の公開公報には、フリース含有量の非常に低いポリカーボネート
を溶融法で如何にして製造するかは教示されていない。事実、帝人の公開公報に
は、溶融法で製造されたフリース含有量が約３６０ｐｐｍを超えるポリカーボネ
ート（実施例３）が開示されているにすぎず、フリース含有量を大幅に下げるの
に有効な触媒は記載されていない。さらに、帝人の公開公報は、フリース含有量
の非常に低い溶融型ポリカーボネートを特殊な用途に用いることの利点について
開示されていない。
【０００７】 ポリカーボネートは光ディスク用に広く用いられている。光ディスクの例には
、オーディオ用コンパクトディスク「ＣＤ」、ビデオディスク「ＶＤ」及びＣＤ
−ＲＯＭの各フォーマットのようなデータ再生専用のディスクがある。また、新
しい光ディスクは記録と再生の双方に使用できる。かかる用途の例には、ライト
ワンス型光ディスク、及び書換え可能型読み書き用光ディスクがある。かかるデ
ィスクは典型的には、トレイに載せると電気サーボを介して装置内に摺動挿入さ
れ、ディスクを装置奥に移動させる。ディスクがトレイに正しく載せられていな
いと、ディスクがトレイを開けた状態に維持するときディスクは横方向の応力を
受ける。この事態は頻繁に起こるので、多くの製造業者は装置を逆方向に動くよ
うに改造して、モータが十分な抵抗を受けたときはトレイを摺動させて外に戻す
ようにしている。かかる事情及びその他の事情（例えば郵送した光ディスクの屈
曲）に鑑みて、光ディスクは曲げても容易く折れないように十分に高い延性をも
つように製造しなければならない。界面法で製造されるポリカーボネートは、通
例、改質しなくても光ディスク用途に用いることのできる十分高い延性を有する
。しかし、溶融法で製造されるポリカーボネートは、通例、フリース含有量が高
いため延性がかなり低い。そこで、溶融法で製造される低フリースポリカーボネ
ートから光ディスクを製造する方法に対するニーズが存在する。後述するように
、本願出願人は、高い延性を有する低フリース溶融型ポリカーボネートを製造す
る方法を見出し、この問題を解決した。
【０００８】 さらに、溶融法で製造されるフリース含有量の非常に低いポリカーボネートに
対する一般ニーズが明らかに存在する。溶融法で低フリースポリカーボネートを
製造する方法に対するニーズも存在する。
【０００９】
【発明の概要】
上述の従来技術の短所は本発明によって実質的に解決される。具体的には、本
発明は、フリース含有量の非常に低い（例えば、５ｐｐｍを超え３６０ｐｐｍ未
満）ポリカーボネートを含む組成物を提供する。本発明は、溶融法で製造される
フリース含有量の非常に低いポリカーボネートも提供する。このポリカーボネー
トは高い延性と高い衝撃強さを有する。本発明は、これらの組成物の製造方法も
提供する。本発明の別の態様は、溶融法で製造されたフリース含有量の非常に低
いポリカーボネートからなる光ディスクである。かかる光ディスクは曲げによる
破損耐性をもつ。
【００１０】 本発明の上記その他の特徴、態様及び利点は、以下の記載、特許請求の範囲及
び添付図面を参照するとさらに十分に理解されよう。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本明細書中で用いる「フリース」という用語は、ポリカーボネート中の次式の
繰返し単位をいう。
【００１２】
【化１】
【００１３】 式中、Ｘは二価基であり、式（II）で説明する。ポリカーボネート中のこの繰返
し単位の含有量は、以下の実施例１に記載の手順で求めることができる。
【００１４】 本明細書中で用いる「溶融型ポリカーボネート」という用語は、炭酸ジエステ
ルとジヒドロキシ化合物のエステル交換で製造されるポリカーボネートをいう。
【００１５】 本明細書中で用いる「界面型ポリカーボネート」という用語は、ジヒドロキシ
化合物の水溶液を、ハロゲン化カルボニルを含む非混和性有機相と共に混合する
ことで製造されるポリカーボネートをいう。
【００１６】 本発明は、フリース含有量の非常に低い溶融型ポリカーボネートを含む組成物
を提供する。具体的には、フリース含有量は３６０ｐｐｍ未満であり、通常の界
面型ポリカーボネートで予想される含有量よりは多い。界面型ポリカーボネート
は典型的にはフリース含有量５ｐｐｍ未満であり、大概は２５ｐｐｍ未満である
。本発明は、フリース含有量３６０ｐｐｍ未満の溶融型ポリカーボネートを含む
組成物も提供する。
【００１７】 本発明はさらに、フリース含有量の低いポリカーボネートを含む組成物を提供
する。このポリカーボネートは溶融型ポリカーボネートでもよいし、溶融型ポリ
カーボネートと界面型ポリカーボネートの混合物であってもよい。具体的には、
フリース含有量は好ましくは５〜３６０ｐｐｍである。本発明のさらに好ましい
実施形態では、フリース含有量は２９０ｐｐｍ未満である。さらに一段と好まし
い実施形態では、フリース含有量は２５〜２９０ｐｐｍである。本発明の最も好
ましい実施形態では、フリース含有量は２００ｐｐｍ未満である。
【００１８】 別の態様では、本発明は、５〜３０のＭＦＲを有するポリカーボネートを含む
組成物を提供する。本明細書に記載のＭＦＲ値はすべてＩＳＯ１１３３に従って
荷重１．２ｋｇで２５０℃で測定したものである。なお、この規格は文献の援用
によって本明細書に取り込まれる。本発明の好ましい実施形態では、ＭＦＲは１
０〜１７である。さらに好ましい実施形態では、ＭＦＲは１５．５未満である。
本発明の最も好ましい好ましい実施形態では、ＭＦＲは１４未満である。
【００１９】 ポリカーボネートを含む組成物は、多種多様な追加ポリマーを含んでいてもよ
い。かかる追加ポリマーの非限定的な例には、ＡＢＳ、ポリエステル及びポリア
ミドがある。
【００２０】 別の態様では、本発明は、５〜３０のＭＦＲを有する溶融型ポリカーボネート
を提供する。本発明の好ましい実施形態では、溶融型ポリカーボネートのＭＦＲ
は１０〜１７である。さらに好ましい実施形態では、ＭＦＲは１５．５未満であ
る。本発明の最も好ましい実施形態では、ＭＦＲは１４未満である。
【００２１】 界面型ポリカーボネートに典型的なフリース含有量を上回るが３６０ｐｐｍ未
満のフリース含有量を有するポリカーボネート組成物の製造方法には少なくとも
２つの異なるものがある。最も単純な方法は、単に、適量の溶融型ポリカーボネ
ートを界面型ポリカーボネートにブレンドすることである。これは、適当な比率
の高フリース溶融型ポリカーボネートと界面型ポリカーボネートを押出機に単に
加えるなど様々な方法で達成できる。実施例４に記載の試料（２）及び（３）は
この方法で製造した。別法として、実施例２に記載したような方法で低フリース
溶融型ポリカーボネートを製造することもでき、不都合な量のフリースを含まな
い他の所望の成分を添加できる。以下に、フリース含有量が３６０ｐｐｍ未満の
溶融型ポリカーボネートの製造方法を総括的に説明する。
【００２２】 前述の通り、ポリカーボネート製造のための溶融法は、ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルを反応させることを含む。
【００２３】 本発明に使用し得るジヒドロキシ化合物の種類には特に制限はない。例えば、
次の一般式（II）で表されるビスフェノール化合物を使用し得る。
【００２４】
【化２】
【００２５】 式（II）中、各Ｒa及びＲbはハロゲン原子又は一価炭化水素基を表し、同一で
も異なるものでもよい。ｐ及びｑは０〜４の整数を表す。Ｘは
【００２６】
【化３】
【００２７】 を表す。Ｒc及びＲdは各々独立に水素原子又は一価炭化水素基を表す。Ｒc及び
Ｒdは環構造を形成していてもよい。Ｒeは二価炭化水素基である。
【００２８】 式（II）で表されるタイプのビスフェノール化合物の具体例には以下のものが
ある。 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、 ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下「ビスフェノールＡ」
と呼ぶ）、 ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、 ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｎ−ブタン、 ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、 ２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１−メチルフェニル）プロパン、 １，１−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、 ２，２−（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン等のビス（ヒドロキ
シアリール）アルカン類、 １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、又は １，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等のビス（ヒドロキシ
アリール）シクロアルカン類。
【００２９】 本発明では、上記の式に示すビスフェノールのＸは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ
−又は−ＳＯ2−基を表していてもよく、例えば以下のものがある。 ４，４′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、 ４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルフェニルエーテル等のビス（ヒド
ロキシアリール）エーテル、 ４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド ４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルジフェニルスルフィド等のビス（
ヒドロキシアリール）スルフィド、 ４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、 ４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルジフェニルスルホキシド等のビス
（ヒドロキシアリール）スルホキシド、 ４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、又は ４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルジフェニルスルホン等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルホン。
【００３０】 さらに、用いるビスフェノールは次の式（III）で表される化合物でもよい。
【００３１】
【化４】
【００３２】 式（III）中、Ｒfは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０の炭化水素基又はハ
ロゲン置換炭化水素基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。ｎが２以上のとき、Ｒ f で表される基は同一でも異なるものでもよい。
【００３３】 式（III）で表されるビスフェノールには、次のものがある。レゾルシノール
；３−メチルレゾルシノール、３−エチルレゾルシノール、３−プロピルレゾル
シノール、３−ブチルレゾルシノール、３−ｔ−ブチルレゾルシノール、３−フ
ェニルレゾルシノール、３−クミルレゾルシノール、２，３，４，６−テトラフ
ルオロレゾルシノール及び２，３，４，６−テトラブロモレゾルシノール等の置
換レゾルシノール化合物；カテコール；ヒドロキノン；又は３−メチルヒドロキ
ノン、３−エチルヒドロキノン、３−プロピルヒドロキノン、３−ブチルヒドロ
キノン、３−ｔ−ブチルヒドロキノン、３−フェニルヒドロキノン、３−クミル
ヒドロキノン、２，３，５，６−テトラメチルヒドロキノン、２，３，５，６−
テトラ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，３，５，６−テトラフルオロヒドロキノ
ン及び２，３，５，６−テトラブロモヒドロキノン等の置換ヒドロキノン化合物
。
【００３４】 或いは、式（III）で表されるビスフェノールは次の式（IV）の化合物でもよ
い。
【００３５】
【化５】
【００３６】 式中、ＲeはＣ1-3アルキル基又はフェニル基を表す。式（IV）の好ましい化合物
は、２，２，２′，２′−テトラヒドロ−３，３，３′，３′−テトラメチル−
１，１′−スピロビ［１Ｈ−インダン］−６，６′−ジオールである。
【００３７】 上記化合物の中では、式（II）で表されるビスフェノール類が好ましい。最も
好ましい化合物はビスフェノールＡである。
【００３８】 ２種類、３種類又はそれ以上の上記ジヒドロキシ化合物を共重合してコポリカ
ーボネートを製造することも可能である。
【００３９】 本発明で用いる炭酸ジエステル化合物は、炭酸ジフェニル、炭酸ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）、炭酸ビス（２，４−ジクロロフェニル）、炭酸ビス（２，
４，６−トリクロロフェニル）、炭酸ビス（２−シアノフェニル）、炭酸ビス（
ｏ−ニトロフェニル）、炭酸ジトリル、炭酸ｍ−クレゾール、炭酸ジナフチル、
炭酸ビス（ジフェニル）、炭酸ジエチル、炭酸ジメチル、炭酸ジブチル又は炭酸
ジシクロヘキシルでよい。これらの中では、炭酸ジフェニルが好ましい。これら
の化合物２種類以上を組合せる場合には、組合せの一成分として炭酸ジフェニル
を用いるのが好ましい。
【００４０】 本発明で用いる炭酸ジエステルは、ジカルボン酸又はジカルボン酸エステルを
含んでいてもよい。具体的には、炭酸ジエステルに対して、ジカルボン酸又はジ
カルボン酸エステルは好ましくは５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％
以下で存在すべきである。
【００４１】 これらのジカルボン酸又はジカルボン酸エステルには、テレフタル酸、イソフ
タル酸、セバシン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェニル、テレ
フタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニル、デカン二酸ジフェニル又はドデ
カン二酸ジフェニルがある。炭酸ジエステルは、２種以上のジカルボン酸及び／
又はジカルボン酸エステルの組合せを含んでいてもよい。
【００４２】 また、上記種類のジカルボン酸及び／又はジカルボン酸エステルを含む炭酸ジ
エステルと、上記芳香族ジヒドロキシ化合物との重縮合によってポリエステルポ
リカーボネートを製造することができる。
【００４３】 低フリースポリカーボネートの製造に際して、上記のタイプの炭酸ジエステル
の量は、使用する芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当たり０．９５〜１．３０モ
ル、さらに好ましくは１．０１〜１．２０モルの比に維持すべきである。
【００４４】 共重合によりポリカーボネートを製造するため、上述の芳香族ジヒドロキシ化
合物及び炭酸ジエステルに、１分子当たり３以上の官能基を有する多官能性化合
物を加えてもよい。但し、低フリースポリカーボネートを製造しようとするとき
は、かかる多官能性化合物を用いるのは概して好ましくない。
【００４５】 上述のジヒドロキシ化合物及び炭酸ジエステル中に不純物として存在するアル
カリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物の合計量は、ジヒドロキシ化合物１
モル当たり１×１０-6モル以下、好ましくは５×１０-7モル以下とすべきである
。
【００４６】 上述のジヒドロキシ化合物及び炭酸ジエステル中に不純物として存在するアル
カリ金属化合物及び／又はアルカリ土類金属化合物の合計量がジヒドロキシ化合
物１モル当たり１×１０-7モルを超えると、触媒の有効性を損なうおそれがある
。
【００４７】 かかる高純度ジヒドロキシ化合物及び炭酸ジエステルは、不純物を含むジヒド
ロキシ化合物及び炭酸ジエステルを精製することにより得ることができる。かか
る目的には、蒸留、再結晶及びその他周知の方法が適する。
【００４８】 ポリカーボネートは好ましくは、原材料製造装置とポリカーボネート製造装置
とが直接接続された密閉系で製造される。この種の密閉系でポリカーボネートを
製造すると、不純物の混入をなくすのに役立つ。
【００４９】 本発明のポリカーボネートの製造中、上述の芳香族ジヒドロキシ化合物及び炭
酸ジエステルと共に停止剤を用いてもよい。
【００５０】 停止剤は好ましくは次の一般式（Ｖ）で表されるアリールオキシ化合物であり
、製造されるポリカーボネート分子の終端に末端基を導入できる。
【００５１】 ＡｒＯ− （Ｖ） 式（Ｖ）中、Ａｒは炭素原子数６〜５０の芳香族炭化水素基を表す。芳香族炭
化水素基の種類に特に制限はない。フェニル基、ナフチル基又はアントラニル基
等の縮合環構造を用いてもよい。さらに、芳香族環は飽和炭素原子（１若しくは
複数）及び／又は異なる原子と共に環構造を形成していてもよい。さらに、これ
らの芳香族環はハロゲン又は炭素原子数１〜９のアルキル基で置換されていても
よい。
【００５２】 かかるタイプのアリールオキシ化合物には次のものがある。フェノール、炭酸
ジフェニル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、炭酸ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルフェニル、炭酸ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、ｐ−クミルフェノール、炭
酸ｐ−クミルフェニルフェニル、炭酸ｐ−クミルフェニル；並びに２，２，４−
トリメチル−４−（４−ヒドロキシフェニル）クロマン、２，２，４，６−テト
ラメチル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）クロマン、２，
２，３−トリメチル−３−（４−ヒドロキシフェニル）クロマン、２，２，３，
６−テトラメチル−３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）クロマ
ン、２，４，４−トリメチル−２−（２−ヒドロキシフェニル）クロマン及び２
，４，４，６−テトラメチル−２−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）クロマン等のクロマン化合物。
【００５３】 本発明では、上記のアリールオキシ化合物を１種類で用いても或いは組合せて
用いてもよい。
【００５４】 これらのアリールオキシ化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当たり０
．０１〜０．２モル、好ましくは０．０２〜０．１５モル、さらに好ましくは０
．０２〜０．１モルの量で存在すべきである。
【００５５】 この溶融型ポリカーボネートの末端封鎖基量は、好ましくは８５％以上、さら
に好ましくは９６％以上である。上記以外の末端封鎖法及び末端封鎖剤が米国特
許第５１８７２４２号に記載されており、文献の援用によって本明細書に取り込
まれる。
【００５６】 次の式（VI）の脂肪族モノカルボキシ化合物のような他の停止剤を用いてもよ
い。
【００５７】
【化６】
【００５８】 式（VI）中、Ｒは炭素原子数１０〜３０のアルキル基を表す。アルキル基は線
状でも枝分れでもよい。また、アルキル基はハロゲン置換されていてもよい。
【００５９】 かかる脂肪族モノカルボキシ化合物の具体例には、ウンデカン酸、ラウリル酸
、トリデカン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン
酸、ノナデカン酸、ヘンエイコサン酸、トリコサン酸及びメリシン酸等のアルキ
ルモノカルボン酸、並びにステアリン酸メチル、ステアリン酸エチル及びステア
リン酸フェニル等のアルキルモノカルボン酸のメチルエステル、エチルエステル
及びフェニルエステルを始めとするアルキルモノカルボン酸エステルがある。
【００６０】 本発明では、かかる停止剤を１種類で用いても或いは組合せて用いてもよい。
これらの脂肪族モノカルボキシ化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当た
り、０．０１〜０．２０モル、好ましくは０．０２〜０．１５モル、さらに好ま
しくは０．０２〜０．１０モルの量で存在すべきである。芳香族ジヒドロキシ化
合物１モル当たり０．２モルを超える合計量で上記停止剤を使用すると、重合速
度を低下させる可能性がある。
【００６１】 幾つかの触媒が、フリース含有量３６０ｐｐｍ未満のポリカーボネートの製造
に適している。実験による検討の結果、質量数の増す順にアルカリ金属系列、つ
まりリチウム、ナトリウム及びカリウムを比較すると、リチウム塩が最低レベル
のフリースを与えることが判明した。但し、低フリースポリカーボネートの合成
にはセシウム触媒の方がカリウムよりも優れている。実験の結果、以下のアニオ
ンは次の関係でフリース生成量が増すことが判明した。ハロゲン化物＞ＡｒＣＯ
Ｏ＞Ｈ2ＰＯ4＞ＨＰＯ4 -2＜ＯＨ-。この順序は、フリースの形成が、添加する触
媒の相対的塩基性度から予測し得ることを示唆している。
【００６２】 さらに、アミン、アンモニウム塩及びホスホニオン塩はリチウム塩よりもフリ
ース生成量がさらに一段と少ないことが判明した。従って、これらの触媒が好ま
しい。さらに好ましい触媒には、セシウム塩、アミン類、テトラアルキルアンモ
ニウム塩、テトラアルキルホスホニウム塩及びグアニジン類がある。これらの中
で最も好ましい触媒は、グアニジン類、亜リン酸アルカリ金属塩及び亜リン酸ア
ルカリ土類金属塩である。例えば米国特許第５３１９０６６号には、数多くの好
適な種類のグアニジン触媒が記載されており、文献の援用によって本明細書に取
り込まれる。また、米国特許仮出願第６０／１０９４９６号、同第６０／１０９
４９５号、同第６０／１０９４７２号及び同第６０／１０９４７３号（いずれも
１９９８年１１月２３日出願）には、多数の好適な亜リン酸アルカリ金属塩触媒
及び亜リン酸アルカリ土類金属塩触媒が記載されており、文献の援用によって本
明細書に取り込まれる。
【００６３】 本発明では、ポリカーボネートは、上述の触媒の存在下での前述のジヒドロキ
シ化合物と炭酸ジエステルの溶融重縮合によって製造される。具体的には、ジヒ
ドロキシ化合物及び炭酸ジエステルは好ましくは第一段反応において大気圧下で
８０〜２５０℃、好ましくは１００〜２３０℃、さらに好ましくは１２０〜１９
０℃の温度で、一般に０〜５時間、好ましくは０〜４時間、さらに一段と好まし
くは０〜３時間反応させる。次に、系の圧力を下げ、温度を上げて、ジヒドロキ
シ化合物と炭酸ジエステルを反応させるべきである。最後に、ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルの重縮合反応を２４０〜３２０℃で５ｍｍＨｇ未満、好まし
くは１ｍｍＨｇ未満で実施すべきである。
【００６４】 上述の重縮合反応は連続法又は回分法で実施し得る。上述の反応の実施に用い
る装置は、容器、管又は塔状構造のいずれでもよい。
【００６５】 ２０℃の塩化メチレン中で測定するポリカーボネート生成物の固有粘度は、０
．１０〜１．０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．３０〜０．６５ｄｌ／ｇであるべきで
ある。
【００６６】 上述の製造方法で色安定性に優れたポリカーボネートを得ることができる。
【００６７】 フリース触媒を定量するには、加水分解して下記の一般式（VII）及び（VIII
）で表される枝分れ化合物を生じさせるため、製造したポリカーボネートに水酸
化ナトリウム等のアルカリを加えればよい。
【００６８】
【化７】
【００６９】 次に、これらの化合物の量を高性能液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で検
定すればよい。この手順は以下の実施例１にも記載する。
【００７０】 このようにして得られたポリカーボネート反応生成物は冷却する必要はない。
その代わり、重縮合反応の直後に、含イオウ酸性化合物から形成される誘導体及
び／又はｐＫａ３以下の酸性化合物（以下、酸性化合物とも呼ぶ）を加えてもよ
い。この誘導体は、亜硫酸、硫酸、スルフィン酸化合物、スルホン酸化合物又は
関連誘導体でよい。具体例には、ベンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン
酸ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンスルホン酸エチル及び
ｐ−トルエンスルホン酸ブチルがある。
【００７１】 誘導体の存在量は、上述のポリカーボネート反応に用いる亜リン酸アルカリ金
属塩の量の０．１〜５０モル倍とすべきであり、好ましくは０．１〜１５モル倍
、さらに好ましくは０．１〜７モル倍である。このような量の酸性化合物を反応
生成物（ポリカーボネート）に加えると、ポリカーボネート中に残留するあらゆ
る亜リン酸アルカリ金属塩が中和又は希釈され、最終的に安定性及び耐湿性の向
上したポリカーボネートを与える。
【００７２】 さらに、上記酸性化合物と共に水を加えてもよい。ポリカーボネートに加える
水の量は、５〜１０００ｐｐｍとすべきであり、好ましくは１０〜５００ｐｐｍ
、さらに好ましくは２０〜３００ｐｐｍである。酸性化合物と水を加えると、ポ
リカーボネート中の重縮合触媒の中和効率がさらに高まり、溶融時の良好な安定
性と共に、優れた初期色、透明性、耐湿性及び耐候性を兼ね備えたポリカーボネ
ートを製造できる。
【００７３】 ポリカーボネートの混合は、一軸押出機、二軸押出機又はスタティックミキサ
のような他の従来の混練機を用いて行うことができる。ベンドをもつ混練機もも
たない混練機も有効に使用し得る。
【００７４】 さらに、重縮合反応で得られるポリカーボネートが反応器又は押出機中で溶融
状態にある際に酸性化合物及び水を加えてもよい。酸性化合物と水は別々に加え
てもよいし一緒に加えてもよい。加える順序は制限されていないが、好ましくは
同時に加えるべきである。
【００７５】 また、本発明の基本的目的に悪影響を及ぼさない限り、ポリカーボネート生成
物に添加剤を加えてもよい。かかる添加剤には、ポリカーボネートに様々な目的
で従来添加されている広範な物質がある。具体例には、熱安定剤、エポキシ化合
物、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、スリップ剤、粘着防止剤、滑
剤、防曇剤、天然油、合成油、ワックス、有機充填剤、難燃剤、無機充填剤その
た周知のあらゆる添加剤がある。
【００７６】 本発明の方法で合成されるポリカーボネートは、多くの用途に理想的であり、
特に高い延性及び衝撃強さを要する用途に理想的である。例えば、これらのポリ
カーボネートは、自動車用ヘッドライトレンズ、眼鏡の光学レンズ、及び光記録
材料に有用である。これらのポリカーボネートは特に光ディスク用成形材料とし
ての使用に理想的である。
【００７７】 本発明を以下の実施例でさらに詳しく説明する。これらの実施例は、本発明を
例示するためのものにすぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００７８】
【実施例】
実施例１−フリース含有量の異なる溶融型ポリカーボネートの製造 ポリカーボネート生成物のフリース含有量に触媒が如何なる影響を及ぼすかを
決定するため、溶融合成法で多数の異なる触媒を選別調査した。結果を下記の表
１にまとめる。
【００７９】
【表１】
【００８０】 以下に、表１の試料番号５の製造をどのようにして行ったか説明する。その他
の試料は、表１に示す別の触媒を用いた点を除いて同一の手順で製造した。
【００８１】 試料１の合成 ＢＰＡ（１３６．９ｇ、０．６００ｍｏｌ）及びＤＰＣ（１３８．９ｇ、０．
６４８ｍｏｌ）を粉末としてテトラブチルホスホニウムヒドロキシド（０．２０
６×１０-4ｍｏｌ）と共に１リットルのガラス製溶融重合反応器に加えた。ガラ
ス製反応器の表面は、酸洗浄し、濯いだ後、７０℃で一晩乾燥して予め不動態化
しておいた。反応容器を約１ｔｏｒｒまで排気した後に精製窒素で再充填して酸
素を除去した。この酸素除去手順を計３回繰り返した。反応容器を予め１８０℃
に加熱した流動式熱浴に浸した。反応混合物を放置溶融させると、無色の均一な
液体が生じた。一旦、固形物質の大部分が溶融したら、残りの粉末懸濁液をゆっ
くりと攪拌して、さらに十分な熱交換を促した。完全な溶液が形成したら、系を
５〜１０分間放置して熱的に平衡にした。次いで、溶液を２５０ｒｐｍで攪拌し
た。この時点で、反応温度は２１０℃まで上がっており、圧力は１７５ｍｍＨｇ
まで低下していた。直ちに反応器からフェノールが蒸留し始めた（約３〜４滴／
秒）。３５分後に反応器の圧力を１００ｍｍＨｇまで下げ、この圧力にさらに３
５分間保った。フェノールは蒸留し続けて、受け器のフラスコに入り（２滴／秒
）、２１０℃段階の終わりまでに合計体積で６８ｍｌが回収された。次いで、反
応器温度を２４０℃（１５ｔｏｒｒ）に上げ、これらの条件を４０分間維持した
。この間に、フェノールは約１滴／３〜５秒の平均速度で蒸留した（この時点ま
でに合計１０５ｍｌが回収された）。再び反応温度を２０分間２７０℃（２ｔｏ
ｒｒ）に上げ、最終的には０．７５ｔｏｒｒで３００℃に上げ、この温度に６５
分間維持した。次いで、反応を終了させた。反応過程全体で合計１２２．１グラ
ムの蒸留物が回収された。無色の高分子量ポリカーボネートが回収され、次の分
析データが得られた。フリース含有量１０００ｐｐｍ、ＭW＝５３４４７、Ｍn＝
１８２５６、ＭW／Ｍn＝２．９２８、ＭZ＝１０３９０７、及びＯＨ＝０．１２
０重量％。
【００８２】 フリース含有量の測定 表１に示す溶融型ポリカーボネートの各々について、以下の通りフリースの含
有量を決定した。まず、０．５０グラムのポリカーボネートを４．０ｍｌのＴＨ
Ｆ（内部標準としてｐ−テルフェニルを含む）に溶解した。次に、３．０ｍｌの
１８％ＫＯＨのメタノール溶液を上記溶液に加えた。得られた混合物を室温で２
時間攪拌した。次に、１．０ｍｌの酢酸を加えて、混合物を５分間攪拌した。１
時間放置して酢酸カリウムを結晶化させた。固形物を濾過して除去し、内部標準
としてｐ−テルフェニルを用いて、得られた濾液を液体クロマトグラフィーで分
析した。
【００８３】 実施例２−フリース含有量３６０ｐｐｍ未満の溶融型ポリカーボネートの製造 表２に示す触媒を用いて、溶融合成法でポリカーボネートを製造した。
【００８４】
【表２】
【００８５】 以下に、試料番号１についてどのように実験を行ったか説明する。試料２〜７
は、表１に示す通り触媒及び触媒濃度が異なっていた点を除けば全く同一の手順
で合成した。
【００８６】 試料１の合成 観察し易くするとともに純度を維持するため、固体ニッケル製の螺旋式撹拌子
を備えた１リットルガラス製回分式反応器で溶融エステル交換反応を行った。反
応器の底には最終溶融部の除去のため取外し可能なガラスニップルが備えてあっ
た。ガラスからナトリウムをすべて除去するため、反応器を３ＮのＨＣｌに１２
時間以上浸漬し、続いて１８ＭΩの水に１２時間以上浸漬した。次いで、オーブ
ンで反応器を一晩乾燥し、使用時まで覆いをして貯蔵した。流動式砂浴をＰＩＤ
コントローラと併用して反応器の温度を維持し、温度は反応器と砂浴の界面近く
で測定した。反応器全体の圧力は、蒸留物回収用のフラスコの下流に設けた真空
ポンプへの窒素抽気によって制御し、比較的高い圧力（７６０〜４０ｍｍＨｇ）
では水銀気圧計を用い、比較的低い圧力（４０〜１ｍｍＨｇ）ではＥｄｗａｒｄ
ｓ製ピラニ真空計を用いて測定した。
【００８７】 反応器を組み立てる前に、反応器に固形ビスフェノールＡ（日本ジーイープラ
スチックス株式会社製、０．６５７０ｍｏｌ）及び固形炭酸ジフェニル（日本ジ
ーイープラスチックス株式会社、０．７０９６ｍｏｌ）を投入した。次いで、反
応器を組み立てて密閉し、雰囲気を窒素で３回交換した。最後の窒素交換によっ
て、反応器は大気圧に近くなり、この反応器を１８０℃の流動式浴に沈めた。５
分後に、２５０ｒｐｍでの攪拌を開始した。さらに１０分間の後に、反応体は完
全に溶融し、均一混合物の様相を呈した。テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド（Ｓａｃｈｅｍ社製、１．３２×１０-4ｍｏｌ）及びＮａＯＨ（Ｊ．Ｔ．Ｂａ
ｋｅｒ社製、５．００×１０-7ｍｏｌ）を脱イオン水（１８ＭΩ）で適正な濃度
（０．２２０ＭのＴＭＡＨ及び１．００×１０-3ＭのＮａＯＨ）に希釈した後、
順次加えた。最後の触媒を加えた後に、時間計測を開始して、５分間かけて温度
を２１０℃に上げた。この温度に達した時点で圧力を１８０ｍｍＨｇに下げると
、直ちにフェノールが留出した。２５分後に、圧力を再び１００ｍｍＨｇに下げ
、４５分間維持した。次いで、温度を５分間かけて２４０℃に上げ、圧力を１５
ｍｍＨｇに下げた。これらの条件を４５分間維持した。次いで、温度を５分間か
けて２７０℃に上げ、圧力を２ｍｍＨｇに下げた。これらの条件を１０分間維持
した。次いで、温度を５分間かけて最終的な仕上げ温度に高め、圧力を１．１ｍ
ｍＨｇまで下げた。表１に示す通り、実験に応じて最終温度は２８０℃又は３１
０℃のいずれかとした。３０分後に、反応器を砂浴から取り出し、溶融物を液体
窒素中に押出して、反応を急冷させた。
【００８８】 実施例３ コンパクトディスクの成形 ポリカーボネートから製造したコンパクトディスク（ＣＤ）の延性にフリース
含有量が及ぼす影響を決定するため、コンパクトディスクを成形した。具体的に
は、フリース含有量の異なる２種類の溶融型ポリカーボネート試料から４０枚の
ＣＤを２組成形した。
【００８９】 コンパクトディスクは住友製射出成形機を用いて成形した。バレル温度は３３
０℃に設定し、金型温度は８０℃に設定した。サイクル時間は６秒であった。
【００９０】 異なる２種類の溶融型ポリカーボネート試料を、特開平６−３２８８６号公報
及び特開平２−１５３９２５号公報（その開示内容は文献の援用によって本明細
書に取り込まれる）に記載のものと同様の溶融ポリカーボネート反応器中で合成
した。
【００９１】 これらの試料を製造するのに上記二つの系列で用いた条件を下記の表３に示す
。
【００９２】
【表３】
【００９３】 次いで、ＣＤを試験して延性を決定した。具体的には、延性（Ｋｇｆ×ｍｍ単
位でのエネルギー）は、特殊設計のジグ１０及び２０を用いてＩｎｓｔｒｏｎ試
験機で決定した。概略図を図１に示す。この試験は、コンパクトディスクを屈曲
させるのに必要なエネルギーを測定するために特に開発した。ディスク２０（φ
＝１２０ｍｍ、厚み１．２ｍｍ）をジグ１０の間に固定して、５００ｍｍ／分の
クロスヘッド速度で圧迫した。最大行程は９５ｍｍであった。ディスクを曲げる
のに必要な延性に関係するエネルギーは自動的に監視した。
【００９４】 この測定法についての再現性は極めて良好であり、本書についてはゲージＲ＆
Ｒ（繰り返し性及び再現性）は２７％で測定した。
【００９５】 フリース含有量１４００ｐｐｍの溶融型ポリカーボネート（ロットＡ）から成
形したＣＤは１５０Ｋｇｆ×ｍｍの延性を有する一方、フリース含有量７００ｐ
ｐｍの溶融型ポリカーボネート（ロットＢ）から成形したＣＤは３４５Ｋｇｆ×
ｍｍの延性を有することが判明した。従って、光ディスクの耐久性を高めるには
光ディスク製造にフリース含有量の低い溶融型ポリカーボネートを用いるのが望
ましい。
【００９６】 実施例４−低フリース溶融型ポリカーボネートからのコンパクトディスクの成 形 フリース含有量０ｐｐｍ、７９ｐｐｍ、１９８ｐｐｍ、２９０ｐｐｍ及び３６
０ｐｐｍのポリカーボネートを製造し、ＣＤを成形して、ＣＤを実施例３に記載
の通り試験した。
【００９７】 結果を下記の表４に示す。
【００９８】
【表４】
【００９９】 表４から、フリース量が低下すると延性が増すことが分かる。フリース量が約
８０〜１００ｐｐｍを下回ると、フリース量を下げても延性はそれ以上向上しな
い。ピーク射出圧力はフリース含有量によって大した影響は受けない。
【０１００】 成形して試料（１）〜（５）としたポリカーボネートは、次の手順で製造した
。
【０１０１】 フリース量ゼロのポリカーボネートは従来の界面合成法で製造した。この界面
型ポリカーボネートは、１０のメルトフローインデクスを有していた。このカー
ボネートはフェノールで末端封鎖され、０．０４％のモノステアリン酸グリセロ
ールを含んでいた。
【０１０２】 フリース量７９ｐｐｍ及び１９８ｐｐｍのポリカーボネートは、界面型ポリカ
ーボネートを溶融型ポリカーボネートとブレンドして製造した。具体的には、上
記界面型ポリカーボネートをフリース量８００〜９００ｐｐｍの溶融型ポリカー
ボネートとブレンドした。試料（２）及び（３）は、界面型樹脂を溶融型樹脂と
それぞれ７５／２５及び９０／１０の比率でブレンドして製造した。
【０１０３】 試料（４）及び（５）は、特開平６０３２８８６号公報及び特開平２−１５３
９２５号公報に記載の市販の溶融反応器で製造した。これら２つの反応では、ビ
スフェノールＡ供給原料中の残留不純物ナトリウムが触媒として作用した。他の
触媒は一切加えなかった。下記の表５に反応条件をまとめた。
【０１０４】
【表５】
【０１０５】 本発明のある好ましい形態についてかなり詳しく本発明を説明してきたが、そ
の他の形態も特許請求の範囲に包含される。従って、特許請求の範囲の技術的思
想及び範囲は本明細書中に記載した好ましい形態に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 コンパクトディスク成形に用いる樹脂の延性を決定するためのコ
ンパクトディスクの試験に用いる装置を示す図である。
【符号の説明】 １０ ジグ ２０ ディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３１Ｚ 7/26 ５２１ 7/26 ５２１ (72)発明者 下田 智明 千葉県市原市有秋台西２−５ 三井有秋西 Ｃ22−404 (72)発明者 ホークス，セオドラス・ランベルタス オランダ、エヌエル−4613・エーエス・ベ ルゲン・オプ・ゾーム、ハルスタースウェ ッグ・303番 (72)発明者 ホウト，ヘンリクス・フーベルタス・マリ ア オランダ、エヌエル−4661・ブイエック ス・ハルステレン、グリプケショフ−ジー （番地なし) (72)発明者 マルガン，モニカ・エム オランダ、エヌエル−4623・エックスゼッ ト・ベルゲン・オプ・ゾーム、スクエープ マンラーン・70番 (72)発明者 マックロスキー，パトリック・ジョセフ アメリカ合衆国、12189、ニューヨーク州、 ウォーターフリエ、メドウブルック・ロー ド、10番 (72)発明者 キング，ジョセフ・アンソニー，ジュニア アメリカ合衆国、23113、バージニア州、 ミドロシアン、ケントフォード・ロード、 2531番 (72)発明者 スミゲルスキー，ポール・エム，ジュニア アメリカ合衆国、12306、ニューヨーク州、 スケネクタデイ、966・バーデック・スト リート、アパートメント・３番 Ｆターム(参考） 4F071 AA50 AA80 AA88 AF21 AH14 AH19 BB05 BC01 BC03 BC12 4J002 BN152 CF002 CG011 CG021 CG031 CL002 GS02 4J029 AA09 AB07 AD01 AD10 AE04 AE05 BB04A BB04B BB05A BB05B BB12A BB12B BB12C BB13A BD09A BD10 BF14A BF14B BG05X BG08X BH02 BH07 DB07 DB11 DB13 FA07 HA01 HC04 HC05 JA251 JB171 JC021 JC091 JC631 JF021 JF031 JF041 JF051 KA03 KB02 KC02 KD01 KD07 KE05 5D029 KA07 5D121 DD05

Claims (48)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フリース含有量が５ｐｐｍ超で３６０ｐｐｍ未満のポリカー
    ボネートを含んでなる組成物。
  2. 【請求項２】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が２９０ｐｐｍ未満
    である、請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が２５ｐｐｍを超え
    る、請求項２記載の組成物。
  4. 【請求項４】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が２００ｐｐｍ未満
    である、請求項３記載の組成物。
  5. 【請求項５】 前記ポリカーボネートが５〜３０のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２
    ５０℃）を有する、請求項２記載の組成物。
  6. 【請求項６】 前記ポリカーボネートが１０〜１７のＭＦＲ（１．２ｋｇ、
    ２５０℃）を有する、請求項５記載の組成物。
  7. 【請求項７】 前記ポリカーボネートが１５．５未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ
    、２５０℃）を有する、請求項６記載の組成物。
  8. 【請求項８】 前記ポリカーボネートが１４未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２
    ５０℃）を有する、請求項７記載の組成物。
  9. 【請求項９】 ＡＢＳ樹脂をさらに含む、請求項１記載の組成物。
  10. 【請求項１０】 溶融法で製造された、フリース含有量２６０ｐｐｍ未満の
    ポリカーボネートを含んでなる組成物。
  11. 【請求項１１】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が２９０ｐｐｍ未
    満である、請求項１０記載の組成物。
  12. 【請求項１２】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が２００ｐｐｍ未
    満である、請求項１１記載の組成物。
  13. 【請求項１３】 ５〜３０のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）を有する、請
    求項１１記載の組成物。
  14. 【請求項１４】 １０〜１７のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）を有する、
    請求項１３記載の組成物。
  15. 【請求項１５】 １５．５未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）を有する
    、請求項１４記載の組成物。
  16. 【請求項１６】 １４未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）を有する、請
    求項１５記載の組成物。
  17. 【請求項１７】 前記ポリカーボネートの末端封鎖含有量が８５％以上であ
    る、請求項１１記載の組成物。
  18. 【請求項１８】 前記ポリカーボネートの末端封鎖含有量が９６％以上であ
    る、請求項１７記載の組成物。
  19. 【請求項１９】 ＡＢＳ樹脂をさらに含む、請求項１０記載の組成物。
  20. 【請求項２０】 溶融法で製造されたポリカーボネートを含んでなり、１５
    ０ｋｇｆ／ｍｍを上回る延性を有する光ディスク。
  21. 【請求項２１】 ２００ｋｇｆ／ｍｍを上回る延性を有する、請求項２０記
    載の光ディスク。
  22. 【請求項２２】 ３００ｋｇｆ／ｍｍを上回る延性を有する、請求項２１記
    載の光ディスク。
  23. 【請求項２３】 ４８０ｋｇｆ／ｍｍを上回る延性を有する、請求項２２記
    載の光ディスク。
  24. 【請求項２４】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が１４００ｐｐｍ
    未満である、請求項２０記載の光ディスク。
  25. 【請求項２５】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が１０００ｐｐｍ
    未満である、請求項２１記載の光ディスク。
  26. 【請求項２６】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が８００ｐｐｍ未
    満である、請求項２２記載の光ディスク。
  27. 【請求項２７】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が３６０ｐｐｍ未
    満である、請求項２３記載の光ディスク。
  28. 【請求項２８】 前記ポリカーボネートのフリース含有量が２９０ｐｐｍ未
    満である、請求項２７記載の光ディスク。
  29. 【請求項２９】 前記組成物が５〜３０のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）
    を有する、請求項２１記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記組成物が１０〜１７のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃
    ）を有する、請求項２９記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記組成物が１５未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）
    を有する、請求項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記組成物が１４未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）
    を有する、請求項３１記載の方法。
  33. 【請求項３３】 前記ポリカーボネートの末端封鎖含有量が８５％を上回る
    、請求項２８記載の光ディスク。
  34. 【請求項３４】 前記ポリカーボネートの末端封鎖含有量が９６％を上回る
    、請求項３４記載の光ディスク。
  35. 【請求項３５】 溶融法でポリカーボネートを製造し、該ポリカーボネート
    を含んでなる組成物を射出成形機に導入することを含んでなル射出成形方法であ
    って、前記ポリカーボネートが５超３６０未満のフリース含有量及び５〜３０の
    ＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）を有する、射出成形方法。
  36. 【請求項３６】 前記溶融法が、セシウム塩、アミン、アンモニウム塩、ホ
    スホニウム塩及びグアニジンからなる群から選択される触媒成分を用いる、請求
    項３５記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記触媒成分が亜リン酸アルカリ金属塩又は亜リン酸アル
    カリ土類金属塩である、請求項３６記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記触媒が助触媒をさらに含む、請求項３６記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記組成物のフリース含有量が２９０ｐｐｍ未満である、
    請求項３５記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記組成物のフリース含有量が２５ｐｐｍを超える、請求
    項３９記載の方法。
  41. 【請求項４１】 前記組成物のフリース含有量が２００ｐｐｍ未満である、
    請求項４０記載の方法。
  42. 【請求項４２】 前記組成物が５〜３０のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）
    を有する、請求項３９記載の方法。
  43. 【請求項４３】 前記組成物が１０〜１７のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃
    ）を有する、請求項４２記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記組成物が１５．５未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０
    ℃）を有する、請求項４３記載の方法。
  45. 【請求項４５】 前記組成物が１４未満のＭＦＲ（１．２ｋｇ、２５０℃）
    を有する、請求項４４記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記ポリカーボネートの末端封鎖含有量が８５％以上であ
    る、請求項３９記載の方法。
  47. 【請求項４７】 前記ポリカーボネートの末端封鎖含有量が９６％以上であ
    る、請求項４６記載の方法。
  48. 【請求項４８】 前記組成物がＡＢＳ樹脂をさらに含む、請求項３５記載の
    方法。
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