JP4249324B2 - ポリカーボネート樹脂組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリカーボネート組成物それからなる光記録媒体基板およびポリカーボネートの流動性改善剤に関する。さらに詳しくは、耐熱性、耐衝撃性、透明性を低下させることなく流動性を改善したポリカーボネート組成物、それからなる光記録媒体用基板、およびポリカーボネートの流動性改善剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐熱性、機械的強度等の多くの、優れた物性を有するために、幅広い分野で多量に使用されている。特に、ポリカーボネートは、透明性がよく、使用時の高温環境下での耐熱性、取り扱い上の耐衝撃性に優れているため、光ディスク基板用に多量に使用されている。しかしながら、ポリカーボネート樹脂は、他の射出成形用の熱可塑性樹脂に比して、溶融粘度が高く、流動性が低く成形性に劣るという難点を持つ。この解決策の一つに流動性をよくするため重合度の低いポリカーボネートを使用したり、あるいはポリカーボネートの重合体鎖構造の一部に柔軟鎖構造を導入する方法が提案されている。
【０００３】
米国特許第４，２１６，３０５号には下記式（３）
【０００４】
【化６】
【０００５】
（式中、Ｒ1は炭素数６〜３０の二価の芳香族基であり、Ｒ2は炭素数１〜１３のアルキレン又はアルキレンアリレン基である）
で示される構造単位を１重量％以上共重合させたポリカーボネート樹脂が提案されている。しかしながら、この共重合ポリカーボネート樹脂は、流動性はある程度改良されているものの、耐熱性が大幅に低下する問題が生じている。
【０００６】
例えば上記米国特許の実施例では、ガラス転移温度がベースポリカーボネートの１５０℃に比べ１２５℃と大幅に低下した共重合ポリカーボネートが得られている。さらに重要な点はポリカーボネートの、構造中に導入されているアルキレン残基のため空気中での熱分解開始温度が大幅に低下し、その為、成形時ポリマーが熱分解する問題が発生する。従って実際には、かかる問題を避ける為、添加成分を導入することなく、単に重合度を低下させ、流動性を向上させたポリカーボネート樹脂が使用されている。
【０００７】
しかしながら、ポリカーボネートの重合度を低下させると、ポリカーボネート樹脂の特徴の一つである耐衝撃性を悪化させる問題が発生する。このため特にポリカーボネートの重合度を低下させることなく、成形性を向上させ、ポリカーボネート樹脂本来のもつ耐熱性、耐衝撃性、透明性を保持する技術の出現が待たれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、本発明の上記ポリカーボネート組成物を与えるに好適な、ポリカーボネートの流動性改善剤を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、本発明の上記ポリカーボネート組成物より、ポリカーボネート本来の性質すなわち透明性、耐熱性、耐衝撃性を備えた光記録媒体用基板を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記本発明の基板を用いた光記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、
（Ａ）線状芳香族ポリカーボネート１００重量部および
（Ｂ）下記式（１）
【００１０】
【化７】
【００１１】
（ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０アルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１１のフェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である。ＸおよびＸ’は同一もしくは異なり、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン原子炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基でありそしてｎは１〜６の数である）
で表わされる環状芳香族カーボネート０.００１〜１００重量部
からなることを特徴とするポリカーボネート組成物によって達成される。
【００１２】
本発明で対象とする線状芳香族ポリカーボネート（Ａ）は、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体とを反応させて得られる線状芳香族ポリカーボネートである。ここで使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例えば下記式（４）に示される化合物が好ましく用いられる。
【００１３】
【化８】
【００１４】
（上記式（４）において、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ミクロアルキル基またはフェニル基であり、そしてＷは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１１のフェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である。）
【００１５】
このような芳香族ジヒドロキシ化合物としては具体的にはビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、４，４−ビス（４−ビドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェ二ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）−プロパン、ビス（４−ヒドロキジフェニル）オキサイド、ビス（３，５−シクロロ−４−ヒドロキシフェニル）オキサイド、ｐ，ｐ’−ジヒドロキジフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、レゾルシノール、ハイドロキノン、１，４−ジヒドロキシ−２，５−ジクロロベンゼン、１，４−ジヒドロキシ−３−メチルベンゼン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。これらのうち、特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましい。
【００１６】
またこれら芳香族ジヒドロキシ化合物の芳香環はアルキル基、フェニル基、シクロアルキル基で置換されていてもよい。又これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独で用いても、あるいは２種以上を併用してもよい。
【００１７】
カーボネート前駆体としては、例えばカルボニルハライド、炭酸ジエステル、ハロホーメート等が挙げられる。
【００１８】
具体的にはホスゲン、二価フェノールのジハロホーメート、並びに、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（ｏ−クロロフェニル）カーボネート、ビス（ｐ−ニトロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートの如き炭酸ジエステル等が挙げられる。
【００１９】
本発明の線状芳香族ポリカーボネートには、ガラス転移温度の低減あるいばその他の必要に応じ、例えばエチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，１０−デカンジオール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等の脂肪族ジオール類、例えばコハク酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、アジピン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、テレフタル酸等のジカルボン酸類、あるいは例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、乳酸等のオキシ酸類の一種またはそれ以上を含有させてもよい。
【００２０】
ポリカーボネートの代表的な製造法としては、通常溶液重縮合法（界面重縮合法）及び溶融重縮合法（エステル交換法）がある。
【００２１】
ホスゲンを使用する界面重縮合法では、通常、酸結合剤の水溶液に、芳香族ジヒドロキシ化合物を溶解し、溶媒の存在下に反応させる。
【００２２】
酸結合剤としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物が好ましく使用され、溶媒としては、たとえば塩化メチレン、クロルベンゼン、等のハロゲン化炭化水素が好ましく使用される。
【００２３】
重合反応に際し通常末端停止剤が使用される。末端停止剤としては、例えばｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、クミルフェノールのような芳香族モノヒドロキシ化合物が好ましく使用される。その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対し０.０１〜１０モル％、好ましくは０.０３〜８モル％である。
【００２４】
反応温度は、０〜４０℃、好ましくは、２０〜３０℃であり、反応時間は、１０分〜１０時間程度である。反応の進行にともない、反応系のｐＨを９以上に保持するのが好ましい。又反応を促進させるために触媒を使用してもよい。触媒としては例えば、トリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、等の三級アミン、四級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物等が挙げられる。
【００２５】
炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物を使用するエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下、好ましくは触媒の存在下、加熱、攪拌し芳香族ヒドロキシ化合物を留出させることで行われる。
【００２６】
反応温度は、通常１２０℃〜３００℃の範囲である。生成する芳香族モノヒドロキシ化合物の留出を促進するため、反応初期においては、２００〜１００ｍｍＨｇの弱真空下、１２０〜２５０℃の反応温度で、又反応後期においては１０ｍｍＨｇ以下の高真空下、２００〜３００℃の反応温度で反応させる。
【００２７】
反応時間は通常１時間〜１０時間で所望の重合度に達するまで行われる。
重合触媒としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの如きアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属の水酸化物、硼素や、アルミニウムの水素化物の塩、硼素や、アルミニウムのアルコキシド、一価あるいは二価以上の多価有機酸のフェノラート、有機酸塩、炭酸塩、炭化水素化合物、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、硼酸塩、あるいは有機スズ化合物、亜鉛化合物、珪素化合物、ゲルマニウム化合物、鉛化合物、アンチモン化合物、マンガン化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合物その他含窒素塩基性化合物等の通常のエステル交換触媒、エステル化触媒が使用される。触媒は単独で用いても又二種以上併用してもよい。触媒の使用量はアルカリ金属化合物では通常、原料の芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し１×１０-8〜１×１０-5、ポリマー物性上好ましくは１×１０-7〜１×１０-6モル、より好ましくは、１×１０-7〜２×１０-6モル使用することができる。
また、線状芳香族ポリカーボネートは、下記式（２）
【００２８】
【化９】
【００２９】
（ここで、Ａ1は置換基を有していてもよいｍ価の炭化水素基であり、Ｙ1は単結合または酸素原子であり、Ｘ1は２級または３級の１価の炭化水素基、アンモニウムカチオンまたはホスホニウムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。）で表わされる化合物の添加によって安定化されているのが好ましい。
【００３０】
上記式（２）で表わされる化合物の具体例としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。
【００３１】
Ｙ1が単結合であり、Ｘ1が２級または３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場合の化合物として、ベンゼンスルホン酸ベンジル、ベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、ベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−ブチル、トルエンスルホン酸ベンジル、トルエンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、トルエンスルホン酸２−プロピル−２−ブチル、オクチルベンゼンスルホン酸ベンジル、オクチルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、オクチルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−ブチル、ドデシルベンゼンスルホン酸ベンジル、ドデシルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、ドデシルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−ブチルなどをあげることができる。
【００３２】
Ｙ1が単結合であり、Ｘ1がホスホニウムカチオンでありそしてｍが１である場合の化合物として、ヘキシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩等が挙げられる。
【００３３】
Ｙ1が酸素原子であり、Ｘ1が２級もしくは３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場合の化合物としては、Ａ1とＸ1の炭素数の合計が８〜４０であるのが好ましい。かかる具体例として、ジブチルサルフェート、ジペンチルサルフェート、ジヘキシルサルフェート、ジオクチルサルフェート、ジノニルサルフェート、ジデシルサルフェート、ジトリデシルサルフェート、ジテトラデシルサルフェート、ジヘキサデシルサルフェート、ジシクロヘキシルサルフェート、ジベンジルサルフェート等が挙げられる。これらの具体例のアルキル基はいずれも２級もしくは３級であると理解されるべきである。
【００３４】
Ｙ1が酸素原子であり、Ｘ1がアンモニウムカチオンである場合の化合物として、アンモニウムオクチルサルフェート、アンモニウムデシルサルフェート、アンモニウムドデシルサルフェート、アンモニウムヘキサデシルサルフェートの如きアンモニウム塩があげられる。
【００３５】
また、メチルアンモニウムヘキシルサルフェート、メチルアンモニウムオクチルサルフェート、メチルアンモニウムヘキサデシルサルフェート、エチルアンモニウムヘキシルサルフェート、ブチルアンモニウムノナデシルサルフェート、ヘキシルアンモニウムオクタデシルサルフェート、デシルアンモニウムエチルサルフェート、デシルアンモニウムブチルサルフェート、デシルアンモニウムデシルサルフェート、ドデシルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルアンモニウムオクチルサルフェート、テトラデシルアンモニウムブチルサルフェート、ペンタデシルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムブチルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムオクチルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムデシルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムドデシルサルフェートの如き１級アンモニウム塩があげられる。
【００３６】
またジメチルアンモニウムヘキシルサルフェート、ジメチルアンモニウムオクチルサルフェート、ジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ジエチルアンモニウムオクタデシルサルフェート、ブチルメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ヘキシルメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、デシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルメチルアンモニウムオクチルサルフェート、ドデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、テトラデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、テトラデシルエチルアンモニウムサルフェート、ペンタデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエチルサルフェートの如き２級アンモニウム塩があげられる。
【００３７】
また、トリメチルアンモニウムオクチルサルフェート、トリメチルアンモニウムデシルサルフェート、ブチルジメチルアンモニウムデシルサルフェート、ヘキシルジメチルアンモニウムドデシルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムトリデシルサルフェート、ドデシルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルジブチルアンモニウムブチルサルフェート、ドデシルジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、テトラデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、テトラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートの如き３級アンモニウム塩があげられる。
【００３８】
また、テトラメチルアンモニウムヘキシルサルフェート、テトラエチルアンモニウムトリデシルサルフェート、ブチルトリメチルアンモニウムオクチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルトリエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニウムヘキサデシルサルフェート、ペンタデシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートの如き４級アンモニウム塩が挙げられる。
【００３９】
この中で、リチウムデシルサルフェート、ナトリウムデシルサルフェート、ナトリウムドデシルサルフェート、カリウムドデシルサルフェート、リチウムテトラデシルサルフェート、ナトリウムテトラデシルサルフェート、リチウムヘキサデシルサルフェート、ナトリウムオレイルサルフェート、ドデシルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、テトラデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、テトラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムトリデシルサルフェート、テトラデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、テトラデシルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルトリエチルアンモニウムエチルサルフェートがより好ましく用いられる。
【００４０】
線状芳香族ポリカーボネート樹脂の重合度は、特に限定されない。粘度平均分子量であらわして、好ましくは１３,０００〜２００,０００、より好ましくは、１３,０００〜５０,０００である。特にディスク基板用のポリカーボネート樹脂は、粘度平均分子量１３,０００〜２０,０００のものが通常好ましく使用される。
【００４１】
又線状芳香族ポリカーボネートには、本発明の目的を損なわない範囲で、従来公知の、耐熱安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、且剤、防曇剤、天然油、合成油、ワックス、有機、無機系充填剤などを、添加してもよい。かかる添加剤は、環状芳香族カーボネートと同時に添加してもよいし、環状芳香族カーボネートの添加に先立ち、あるいは添加の後、添加してもよい。
【００４２】
本発明において用いられる環状芳香族カーボネートは、上記式の如く、下記式（１）で表わされる。
【００４３】
【化１０】
【００４４】
（ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ2−であり、ＸおよびＸ’は同一もしくは異なり、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基であり、そしてｎは１〜６の数である。）
上記式（１）で表わされる化合物のうち、下記式（１）−１
【００４５】
【化１１】
【００４６】
（ここで、Ｒ，Ｘ，Ｘ’およびｎの定義は上記式（１）に同じである。）
で表わされる化合物、下記式（１）−２
【００４７】
【化１２】
【００４８】
（ここで、Ｒ，Ｘ，Ｘ’およびｎの定義は上記式（１）に同じである。）
で表わされる化合物および下記式（１）−３
【００４９】
【化１３】
【００５０】
（ここで、Ｒ，Ｘ，Ｘ’およびｎの定義は上記式（１）に同じである。）
で表わされる化合物が好ましい。
【００５１】
上記式（１）（式（１）−１、（１）−２および（１）−３を含む。以下同じ）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ2−である。
【００５２】
炭素数１〜１０のアルキレン基としては例えば、メチレン、１，２−エチレン、１，２−プロピレン、２，２−プロピレン、１，３−トリメチレン、１，４−テトラメチレン、１，６−ヘキサメチレン、１，１０−デカメチレン等を挙げることができる。炭素数６〜１０のシクロアルキレン基としては、例えばシクロへキシレン、シクロへキシリデン、シクロへプチレン等を挙げることができる。
【００５３】
また、ＸおよびＸ’水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基である。
【００５４】
炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ノニルおよびデシルを挙げることができる。
炭素数６〜１０のシクロアルキル基としては、例えばシクロヘキシル、シクロペンチル、デカリル等を挙げることができる。
【００５５】
ハロゲン原子としては、例えばフッ素、塩素、臭素を挙げることができる。
【００５６】
炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉｓｏ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、ノニルオキシ、およびデシルオキシを挙げることができる。
【００５７】
さらに炭素数６〜２０のアリール基としては、例えばフェニル、トリル、ナフチル、ビフェニル等を挙げることができる。
【００５８】
また、ｎは１〜６の数であり、好ましくは１〜５、さらに好ましくは１〜３である。
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートを構成する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例えばビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２’−ジヒドロキシジフエニル、２，２’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，２−ビス（２’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２’−ジヒドロキシジフェニルケトン、２，２’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、２，２’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、２，２’−ジヒドロキシ−５，５’−ジメトキシジフェニルスルフィド、２，２’−ジヒドロキシジ−５，５’−ジメチルジフェニルエーテル、２，２’−ジヒドロキシジ−５，５’−ジエチルジフェニルエーテルなどを挙げることができる。
【００５９】
また、上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートとしては、例えば下記式で表わされる化合物を挙げることができる。
【００６０】
【化１４】
【００６１】
【化１５】
【００６２】
【化１６】
【００６３】
【化１７】
【００６４】
【化１８】
【００６５】
【化１９】
【００６６】
【化２０】
【００６７】
【化２１】
【００６８】
環状芳香族カーボネートは単独で使用することができ、あるいは、また２種以上一緒に使用してもよい。２種以上使用した場合、該環状芳香族カーボネートの融点が低下し、取り扱い上好ましくない。
【００６９】
かかる環状芳香族カーボネートは、従来公知の製造法、例えば、Ｄ．Ｊ，Ｂｒｕｎｅｌｌｅ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏ ｌｅｃｕｌｅｓ，１９９１ ｖｏｌ.２４ ｐｐ３０３５、特公昭４１−３４５５号公報、特公昭４１−１５１７７号公報、特公昭４１−１５１７８号公報、および特公昭４１−１９７０９号公報記載の方法等により製造することができる。
【００７０】
例えば上記の如き芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネート等の芳香族炭酸ジエステル、ジメチルカーボネート等の脂肪族炭酸ジエステル、およびフォスゲンなどのカルボニルハライドから、上記特許記載の方法によりかかる環状芳香族カーボネートを合成することができる。
【００７１】
又かかる環状芳香族カーボネートは、不純物として少量の線状ポリカーボネートあるいは環状のオリゴカーボネートを含有していてもかまわない。
【００７２】
又環状芳香族カーボネートの分子量は、あまり大きくないほうが、成形性、転写性改良の点より、さらにまた取り扱い性の点よりも好ましく、環状芳香族カーボネートの分子量が２１２から１５００であることが好ましい。
【００７３】
本発明で用いられる上記環状芳香族カーボネートが線状芳香族ポリカーボネートと混合した際、線状芳香族ポリカーボネートの溶融流動性を改善することが本発明者により見い出された。
【００７４】
それ故、本発明によれば、さらに、
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートを線状芳香族カーボネートと混合して線状芳香族ポリカーボネートの溶融流動性を改善するために使用すること、並びに
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートからなる、線状芳香族ポリカーボネート、例えば光記録媒体用基板を製造するための素材としての線状芳香族ポリカーボネートの流動性改善剤が同様に提供される。
【００７５】
さらに、本発明で用いられる上記環状芳香族カーボネートが線状芳香族ポリカーボネートの成型時形状転写性を改善することも本発明者により見い出された。
【００７６】
それ故、本発明によれば、さらに、
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートを、線状芳香族ポリカーボネートと混合して線状芳香族ポリカーボネートの成型時形状転写性を改善するために使用すること、および上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートからなる、線状芳香族ポリカーボネート、例えば光記録媒体用基板を製造するための素材として線状芳香族ポリカーボネートの形状転写性改善剤が同様に提供される。
【００７７】
本発明で用いられる上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートは、線状芳香族ポリカーボネート１００重量部に対し０.００１〜１００重量部の混合割合で用いられる。この割合は、同じ基準に対して、好ましくは０.００３〜１００重量部、より好ましくは０.００５〜１００重量部、さらに好ましくは０.００５〜５０重量部である。この範囲において、さらに０.００１〜５０重量部、０.００１〜２０重量部、特に０.０５〜２０重量部が好ましい。環状芳香族カーボネートの、割合があまりに少ないと、添加効果が発現し難く、他方あまりに多いとコストの点から望ましくない。
【００７８】
本発明において、環状芳香族ポリカーボネートを線状芳香族ポリカーボネートに添加する供給機及び添加方法は、特に制限はない。環状芳香族カーボネートを固体のまま、あるいは、加熱溶融して、あるいは各種溶媒に溶解して添加してもよい。線状芳香族ポリカーボネートが、最終重合機から冷却されてペレタイズされる間の溶融状態時に添加することもできるし、押し出し成形時添加することもできる。
【００７９】
このようにして得られるポリカーボネート組成物は、耐熱性、耐衝撃性、透明性を低下させることなく流動性を改善したものであることから、光学材料用途、特に光記録用ディスク基板用途に好ましく用いることができる。つまり本発明で得られるポリカーボネート組成物は、流動性に優れ、ディスクに成型した際の転写性に大変優れているので、特に光記録用ディスク基板用途に好ましく用いることができる。
【００８０】
本発明のポリカーボネート組成物は、好ましくは、溶融粘度変化率が０.５％以下である。かかる値の溶融粘度変化率を示す組成物は溶融粘度安定性に優れ、光記録媒体用基板を製造する際に好適に用いられる。
【００８１】
本発明によれば、それ故、本発明のポリカーボネート組成物からなる光記録媒体用基板、および上記の光記録媒体用基板および該基板の片面上に直接または中間層を介して存在する光記録層からなる光記録媒体が同様に提供される。
【００８２】
この光記録媒体は、公知の光記録媒体と同様に、必要により誘電体層および反射層を備えることができる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明により耐熱性、耐衝撃性、透明性を低下させることなく流動性を改善したポリカーボネート組成物を得ることができる。さらに、該ポリカーボネート組成物からなる光記録媒体用基板を得ることができる。
【００８４】
【実施例】
以下実施例を挙げて更に説明する。なお実施例中の％は重量％であり、各項目の測定は下記の方法によった。
【００８５】
１）ガラス転移温度；Ｔｇ：デュポンインスツルメント社製９１０ＤＳＣにより窒素気流下２０℃の昇温速度で測定した。
【００８６】
２）５％重量減少温度； デュポンインスツルメント社製９５１ＴＧＡにより空気、気流下２０℃の昇温速度で測定した。
【００８７】
３）溶融粘度安定性；レオメトリックス社のＲＡＡ型流動解析装置を用い窒素気流下、せん断速度１ｒａｄ／ｓｅｃ．、２７０℃で測定した溶融粘度値の変化を３０分間測定し、１分あたりの変化率を求めた。溶融粘度は、通常２７０℃での溶融後５分程度を過ぎると直線的に変化するので、溶融粘度（単位：ポイズ）の時間変化を記録し、その直線的変化の開始時点における溶融粘度をＶ１、その３０分後の溶融粘度をＶ２としたときに、
（Ｖ１−Ｖ２）×１００／（Ｖ１×３０）（％）
を溶融粘度変化率とした。
【００８８】
４）流動性；ペレットを１２０℃で６時間乾燥した後、ＪＩＳ Ｋ−７２１０熱可塑性プラスチックの流れ試験に従って、１０分間あたりのＭＦＲ（２８０℃、２１６０ｇ荷重下、径２．０９５ｍｍ、長さ８．０００ｍｍのダイスを通過するポリマー量（ｇ））を測定した。
【００８９】
５）色相；５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板を住友重機（株）製ネオマットＮ１５０／７５射出成形機によりシリンダー温度２８０℃、成形サイクル３．５秒で成形し、平板のｂ値を日本電色（株）製Ｚ−１００１ＤＰ色差計により測定した。ｂ値が大きいほど色相が悪いことを示す。
【００９０】
６）透明性；平板の全光線透過率を日本電色（株）製ＮＤＨ−Σ８０により測定した。全光線透過率が高いほど透明性がよいことを示す。
【００９１】
７）耐衝撃性；アイゾット衝撃強度ＡＳＴＭＤ−７９０（ノッチ付き）による。厚さ１／８インチの試験片を用いた。
【００９２】
８）転写性；成形ディスクピット深さ 住友重機械工業（株）製ディスク成形装置Ｄｉｓｋ５ ＭIIIにて、シリンダー温度３４５℃、金型温度７５℃、射出速度１００ｍｍ／ｓｅｃ，および射出圧８０ＫｇにてＣＤ用ディスクを成形して該ディスクのピット深さ（単位ｎｍ）を測定した。
【００９３】
[ポリマーＡの製造]
ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、容量５０ｌの反応槽に、ビスフェノールＡ、５，０２８ｇ（２２．１モル）、７．２％水酸化ナトリウム水溶液、２２．１ｌ（水酸化ナトリウム４１．９モル）及び、ハイドロサルファイトナトリウム、９．８ｇ（０．０５６モル）を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン、１２．７ｌ及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０７ｇ（水酸化ナトリウム、９．８モル）を加えた後、ホスゲン、２，５０８ｇ（２５．３モル）を２５℃で９０分かけて加え、ホスゲン化反応を行った。
【００９４】
ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、１７５．１ｇ（１．１７モル）、４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０４ｇ（９．７モル）及び、触媒としてトリエチルアミン、１８．１ｍｌ（０．１３モル）を加え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗により精製して、粘度平均分子量１５，３００のポリカーボネート樹脂を得た。このポリマーの物性を以下の表１に示す。
【００９５】
[ポリマーＢの製造]
ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、容量５０リットルの反応槽に、ビスフェノールＡ、５，０２８ｇ（２２．１モル）、７．２％水酸化ナトリウム水溶液、２２．１リットル（水酸化ナトリウム４１．９モル）及び、ハイドロサルファイトナトリウム、９．８ｇ（０．０５６モル）を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン、１２．７ｌ及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０７ｇ（水酸化ナトリウム、９．８モル）を加えた後、ホスゲン、２，５０８ｇ（２５．３モル）を２５℃で９０分かけて加え、ホスゲン化反応を行った。
【００９６】
ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、９３．０ｇ（０．６２モル）、４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０４ｇ（９．７モル）及び触媒としてトリエチルアミン、１８．１ｍｌ（０．１３モル）を加え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗により精製して、粘度平均分子量２５，１００のポリカーボネート樹脂を得た。このポリマーの物性を下記表２に示す。
【００９７】
[ポリマーＣ、Ｄ、Ｃ’、およびＤ’の製造]
ビスフェノールＡ，２２８重量部，ジフェニルカーボネート２２０重量部及びエステル交換触媒；ビスフェノールＡ−Ｎａ2塩（１．６×１０-5重量部；ｏ．１μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドイド（９．１×１０-3重量部；１００μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）を攪拌装置，蒸留塔及び減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換した後，１４０℃で溶解した。３０分間攪拌後、内温を１８０℃に昇温し，内圧１００ｍｍＨｇ３０分間反応させ，生成するフェノールを溜去した。ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ反応させた。
【００９８】
更に２２０℃，３０ｍｍＨｇまで徐々に昇温，減圧し，同温度，同圧下で３０分間，更に、２４０℃、１０ｍｍＨｇ、２６０℃，１ｍｍＨｇ，まで上記と同じ手順で昇温，減圧を繰り返し反応を続行した。
【００９９】
最終的に２６０℃で且つ２７０℃を超えない温度でカボネートの重縮合を継続しつつポリマーの一部を取し分子量を測定した。分子量が１５，３００（ポリマーＣ）及び２５，１００（ポリマーＤ）になるまで重縮合を継続した。
【０１００】
重合終了後ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を１．７５×１０-4重量部（０．３μｍｏｌ／１ｍｏｌ−ビスフェノールＡ）添加し、触媒を失活した。また重合終了後ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を添加しなかったものについて、分子量が１５，３００のものをポリマーＣ’、及び分子量が２５，１００のものをポリマーＤ’とした。重縮合終了時の粘度平均分子量、及び其の他の物性を下記表１、２に示す。
【０１０１】
［実施例１〜１０、比較例１〜４］
上記のように製造したポリカーボネートＡ〜Ｄ、Ｃ’、Ｄ’を二軸押し出し機（Ｌ／Ｄ＝２０、バレル温度２８５℃）で下記式（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）
【０１０２】
【化２２】
【０１０３】
で表される芳香族環状カーボネートの所定量（表中記載の線状芳香族ポリカーボネート１００重量部当たりの添加量：重量部）と混練した。得られた組成物及び該組成物成形品の物性を測定した。結果をポリマーＡ、Ｃ、Ｃ’については表１中に、又ポリマーＢ、Ｄ、Ｄ’については表２中に記す。
【０１０４】
表中に示される如く本発明のポリマーは流動性が高く、耐熱性、耐衝撃性、透明性等は、ベースポリカーボネート並みに良好である。
【０１０５】
また比較例として芳香族環状カーボネートを添加しないポリカーボネートＡ〜Ｄについて、それぞれ同様に物性を測定した。
【０１０６】
結果をポリマーＡ、Ｃ、Ｃ’については表１中に、又ポリマーＢ，Ｄについては表２中に記す。
【０１０７】
［光記録用ディスク成形：実施例１〜５、比較例１〜２］
上記のように製造したポリマーＡ、Ｃ、Ｃ’から得られた実施例１〜５、比較例１〜２のポリカーボネート組成物を使用して、住友重機械工業（株）製ディスク成形装置Ｄｉｓｋ５ ＭIIIにて、シリンダー温度３４５℃、金型温度７５℃、射出速度１００ｍｍ／ｓｅｃ，および射出圧８０ＫｇにてＣＤ用ディスクを成形して該ディスクのピット深さ（単位ｎｍ）を測定した。結果を表１中に記す。深さが大であるほど、転写性が良好なことを示す。
【０１０８】
表１中に示される如く本発明のポリマーは流動性が高く、耐熱性、耐衝撃性、透明性等は、ベースポリカーボネート並みに良好であり、しかもディスク成形時の転写性も良好である。
【０１０９】
【表１】
【０１１０】
*1 Ｃ’はポリマーＣにおいてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を使用しない場合
*2 芳香族ポリカーボネート１００重量部当たりの添加量、重量部
【０１１１】
【表２】
【０１１２】
*1 Ｄ’はポリマーＤにおいてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を使用しない場合
【発明の属する技術分野】
本発明はポリカーボネート組成物それからなる光記録媒体基板およびポリカーボネートの流動性改善剤に関する。さらに詳しくは、耐熱性、耐衝撃性、透明性を低下させることなく流動性を改善したポリカーボネート組成物、それからなる光記録媒体用基板、およびポリカーボネートの流動性改善剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリカーボネート樹脂は、透明性、耐熱性、機械的強度等の多くの、優れた物性を有するために、幅広い分野で多量に使用されている。特に、ポリカーボネートは、透明性がよく、使用時の高温環境下での耐熱性、取り扱い上の耐衝撃性に優れているため、光ディスク基板用に多量に使用されている。しかしながら、ポリカーボネート樹脂は、他の射出成形用の熱可塑性樹脂に比して、溶融粘度が高く、流動性が低く成形性に劣るという難点を持つ。この解決策の一つに流動性をよくするため重合度の低いポリカーボネートを使用したり、あるいはポリカーボネートの重合体鎖構造の一部に柔軟鎖構造を導入する方法が提案されている。
【０００３】
米国特許第４，２１６，３０５号には下記式（３）
【０００４】
【化６】
（式中、Ｒ1は炭素数６〜３０の二価の芳香族基であり、Ｒ2は炭素数１〜１３のアルキレン又はアルキレンアリレン基である）
で示される構造単位を１重量％以上共重合させたポリカーボネート樹脂が提案されている。しかしながら、この共重合ポリカーボネート樹脂は、流動性はある程度改良されているものの、耐熱性が大幅に低下する問題が生じている。
【０００６】
例えば上記米国特許の実施例では、ガラス転移温度がベースポリカーボネートの１５０℃に比べ１２５℃と大幅に低下した共重合ポリカーボネートが得られている。さらに重要な点はポリカーボネートの、構造中に導入されているアルキレン残基のため空気中での熱分解開始温度が大幅に低下し、その為、成形時ポリマーが熱分解する問題が発生する。従って実際には、かかる問題を避ける為、添加成分を導入することなく、単に重合度を低下させ、流動性を向上させたポリカーボネート樹脂が使用されている。
【０００７】
しかしながら、ポリカーボネートの重合度を低下させると、ポリカーボネート樹脂の特徴の一つである耐衝撃性を悪化させる問題が発生する。このため特にポリカーボネートの重合度を低下させることなく、成形性を向上させ、ポリカーボネート樹脂本来のもつ耐熱性、耐衝撃性、透明性を保持する技術の出現が待たれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、本発明の上記ポリカーボネート組成物を与えるに好適な、ポリカーボネートの流動性改善剤を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、本発明の上記ポリカーボネート組成物より、ポリカーボネート本来の性質すなわち透明性、耐熱性、耐衝撃性を備えた光記録媒体用基板を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記本発明の基板を用いた光記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、
（Ａ）線状芳香族ポリカーボネート１００重量部および
（Ｂ）下記式（１）
【００１０】
【化７】
（ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０アルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１１のフェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である。ＸおよびＸ’は同一もしくは異なり、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン原子炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基でありそしてｎは１〜６の数である）
で表わされる環状芳香族カーボネート０.００１〜１００重量部
からなることを特徴とするポリカーボネート組成物によって達成される。
【００１２】
本発明で対象とする線状芳香族ポリカーボネート（Ａ）は、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体とを反応させて得られる線状芳香族ポリカーボネートである。ここで使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例えば下記式（４）に示される化合物が好ましく用いられる。
【００１３】
【化８】
（上記式（４）において、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ミクロアルキル基またはフェニル基であり、そしてＷは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキリデン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１１のフェニル基置換アルキレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基またはスルホン基である。）
【００１５】
このような芳香族ジヒドロキシ化合物としては具体的にはビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、４，４−ビス（４−ビドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェ二ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）−プロパン、ビス（４−ヒドロキジフェニル）オキサイド、ビス（３，５−シクロロ−４−ヒドロキシフェニル）オキサイド、ｐ，ｐ’−ジヒドロキジフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、レゾルシノール、ハイドロキノン、１，４−ジヒドロキシ−２，５−ジクロロベンゼン、１，４−ジヒドロキシ−３−メチルベンゼン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。これらのうち、特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンが好ましい。
【００１６】
またこれら芳香族ジヒドロキシ化合物の芳香環はアルキル基、フェニル基、シクロアルキル基で置換されていてもよい。又これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独で用いても、あるいは２種以上を併用してもよい。
【００１７】
カーボネート前駆体としては、例えばカルボニルハライド、炭酸ジエステル、ハロホーメート等が挙げられる。
【００１８】
具体的にはホスゲン、二価フェノールのジハロホーメート、並びに、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（ｏ−クロロフェニル）カーボネート、ビス（ｐ−ニトロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートの如き炭酸ジエステル等が挙げられる。
【００１９】
本発明の線状芳香族ポリカーボネートには、ガラス転移温度の低減あるいばその他の必要に応じ、例えばエチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，１０−デカンジオール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等の脂肪族ジオール類、例えばコハク酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、アジピン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、テレフタル酸等のジカルボン酸類、あるいは例えばｐ−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、乳酸等のオキシ酸類の一種またはそれ以上を含有させてもよい。
【００２０】
ポリカーボネートの代表的な製造法としては、通常溶液重縮合法（界面重縮合法）及び溶融重縮合法（エステル交換法）がある。
【００２１】
ホスゲンを使用する界面重縮合法では、通常、酸結合剤の水溶液に、芳香族ジヒドロキシ化合物を溶解し、溶媒の存在下に反応させる。
【００２２】
酸結合剤としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物が好ましく使用され、溶媒としては、たとえば塩化メチレン、クロルベンゼン、等のハロゲン化炭化水素が好ましく使用される。
【００２３】
重合反応に際し通常末端停止剤が使用される。末端停止剤としては、例えばｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、クミルフェノールのような芳香族モノヒドロキシ化合物が好ましく使用される。その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対し０.０１〜１０モル％、好ましくは０.０３〜８モル％である。
【００２４】
反応温度は、０〜４０℃、好ましくは、２０〜３０℃であり、反応時間は、１０分〜１０時間程度である。反応の進行にともない、反応系のｐＨを９以上に保持するのが好ましい。又反応を促進させるために触媒を使用してもよい。触媒としては例えば、トリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、等の三級アミン、四級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物等が挙げられる。
【００２５】
炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物を使用するエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下、好ましくは触媒の存在下、加熱、攪拌し芳香族ヒドロキシ化合物を留出させることで行われる。
【００２６】
反応温度は、通常１２０℃〜３００℃の範囲である。生成する芳香族モノヒドロキシ化合物の留出を促進するため、反応初期においては、２００〜１００ｍｍＨｇの弱真空下、１２０〜２５０℃の反応温度で、又反応後期においては１０ｍｍＨｇ以下の高真空下、２００〜３００℃の反応温度で反応させる。
【００２７】
反応時間は通常１時間〜１０時間で所望の重合度に達するまで行われる。
重合触媒としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの如きアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属の水酸化物、硼素や、アルミニウムの水素化物の塩、硼素や、アルミニウムのアルコキシド、一価あるいは二価以上の多価有機酸のフェノラート、有機酸塩、炭酸塩、炭化水素化合物、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、硼酸塩、あるいは有機スズ化合物、亜鉛化合物、珪素化合物、ゲルマニウム化合物、鉛化合物、アンチモン化合物、マンガン化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合物その他含窒素塩基性化合物等の通常のエステル交換触媒、エステル化触媒が使用される。触媒は単独で用いても又二種以上併用してもよい。触媒の使用量はアルカリ金属化合物では通常、原料の芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し１×１０-8〜１×１０-5、ポリマー物性上好ましくは１×１０-7〜１×１０-6モル、より好ましくは、１×１０-7〜２×１０-6モル使用することができる。
また、線状芳香族ポリカーボネートは、下記式（２）
【００２８】
【化９】
（ここで、Ａ1は置換基を有していてもよいｍ価の炭化水素基であり、Ｙ1は単結合または酸素原子であり、Ｘ1は２級または３級の１価の炭化水素基、アンモニウムカチオンまたはホスホニウムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。）で表わされる化合物の添加によって安定化されているのが好ましい。
【００３０】
上記式（２）で表わされる化合物の具体例としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。
【００３１】
Ｙ1が単結合であり、Ｘ1が２級または３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場合の化合物として、ベンゼンスルホン酸ベンジル、ベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、ベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−ブチル、トルエンスルホン酸ベンジル、トルエンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、トルエンスルホン酸２−プロピル−２−ブチル、オクチルベンゼンスルホン酸ベンジル、オクチルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、オクチルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−ブチル、ドデシルベンゼンスルホン酸ベンジル、ドデシルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−プロピル、ドデシルベンゼンスルホン酸２−フェニル−２−ブチルなどをあげることができる。
【００３２】
Ｙ1が単結合であり、Ｘ1がホスホニウムカチオンでありそしてｍが１である場合の化合物として、ヘキシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、トルエンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩等が挙げられる。
【００３３】
Ｙ1が酸素原子であり、Ｘ1が２級もしくは３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場合の化合物としては、Ａ1とＸ1の炭素数の合計が８〜４０であるのが好ましい。かかる具体例として、ジブチルサルフェート、ジペンチルサルフェート、ジヘキシルサルフェート、ジオクチルサルフェート、ジノニルサルフェート、ジデシルサルフェート、ジトリデシルサルフェート、ジテトラデシルサルフェート、ジヘキサデシルサルフェート、ジシクロヘキシルサルフェート、ジベンジルサルフェート等が挙げられる。これらの具体例のアルキル基はいずれも２級もしくは３級であると理解されるべきである。
【００３４】
Ｙ1が酸素原子であり、Ｘ1がアンモニウムカチオンである場合の化合物として、アンモニウムオクチルサルフェート、アンモニウムデシルサルフェート、アンモニウムドデシルサルフェート、アンモニウムヘキサデシルサルフェートの如きアンモニウム塩があげられる。
【００３５】
また、メチルアンモニウムヘキシルサルフェート、メチルアンモニウムオクチルサルフェート、メチルアンモニウムヘキサデシルサルフェート、エチルアンモニウムヘキシルサルフェート、ブチルアンモニウムノナデシルサルフェート、ヘキシルアンモニウムオクタデシルサルフェート、デシルアンモニウムエチルサルフェート、デシルアンモニウムブチルサルフェート、デシルアンモニウムデシルサルフェート、ドデシルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルアンモニウムオクチルサルフェート、テトラデシルアンモニウムブチルサルフェート、ペンタデシルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムブチルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムオクチルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムデシルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウムドデシルサルフェートの如き１級アンモニウム塩があげられる。
【００３６】
またジメチルアンモニウムヘキシルサルフェート、ジメチルアンモニウムオクチルサルフェート、ジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ジエチルアンモニウムオクタデシルサルフェート、ブチルメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ヘキシルメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、デシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルメチルアンモニウムオクチルサルフェート、ドデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、テトラデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、テトラデシルエチルアンモニウムサルフェート、ペンタデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエチルサルフェートの如き２級アンモニウム塩があげられる。
【００３７】
また、トリメチルアンモニウムオクチルサルフェート、トリメチルアンモニウムデシルサルフェート、ブチルジメチルアンモニウムデシルサルフェート、ヘキシルジメチルアンモニウムドデシルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムトリデシルサルフェート、ドデシルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルジブチルアンモニウムブチルサルフェート、ドデシルジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、テトラデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、テトラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートの如き３級アンモニウム塩があげられる。
【００３８】
また、テトラメチルアンモニウムヘキシルサルフェート、テトラエチルアンモニウムトリデシルサルフェート、ブチルトリメチルアンモニウムオクチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルトリエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニウムヘキサデシルサルフェート、ペンタデシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェートの如き４級アンモニウム塩が挙げられる。
【００３９】
この中で、リチウムデシルサルフェート、ナトリウムデシルサルフェート、ナトリウムドデシルサルフェート、カリウムドデシルサルフェート、リチウムテトラデシルサルフェート、ナトリウムテトラデシルサルフェート、リチウムヘキサデシルサルフェート、ナトリウムオレイルサルフェート、ドデシルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、テトラデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、テトラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウムトリデシルサルフェート、テトラデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、ドデシルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、テトラデシルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、デシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、ペンタデシルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルトリエチルアンモニウムエチルサルフェートがより好ましく用いられる。
【００４０】
線状芳香族ポリカーボネート樹脂の重合度は、特に限定されない。粘度平均分子量であらわして、好ましくは１３,０００〜２００,０００、より好ましくは、１３,０００〜５０,０００である。特にディスク基板用のポリカーボネート樹脂は、粘度平均分子量１３,０００〜２０,０００のものが通常好ましく使用される。
【００４１】
又線状芳香族ポリカーボネートには、本発明の目的を損なわない範囲で、従来公知の、耐熱安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、且剤、防曇剤、天然油、合成油、ワックス、有機、無機系充填剤などを、添加してもよい。かかる添加剤は、環状芳香族カーボネートと同時に添加してもよいし、環状芳香族カーボネートの添加に先立ち、あるいは添加の後、添加してもよい。
【００４２】
本発明において用いられる環状芳香族カーボネートは、上記式の如く、下記式（１）で表わされる。
【００４３】
【化１０】
（ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ2−であり、ＸおよびＸ’は同一もしくは異なり、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基であり、そしてｎは１〜６の数である。）
上記式（１）で表わされる化合物のうち、下記式（１）−１
【００４５】
【化１１】
（ここで、Ｒ，Ｘ，Ｘ’およびｎの定義は上記式（１）に同じである。）
で表わされる化合物、下記式（１）−２
【００４７】
【化１２】
（ここで、Ｒ，Ｘ，Ｘ’およびｎの定義は上記式（１）に同じである。）
で表わされる化合物および下記式（１）−３
【００４９】
【化１３】
（ここで、Ｒ，Ｘ，Ｘ’およびｎの定義は上記式（１）に同じである。）
で表わされる化合物が好ましい。
【００５１】
上記式（１）（式（１）−１、（１）−２および（１）−３を含む。以下同じ）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜１０のシクロアルキレン基、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ2−である。
【００５２】
炭素数１〜１０のアルキレン基としては例えば、メチレン、１，２−エチレン、１，２−プロピレン、２，２−プロピレン、１，３−トリメチレン、１，４−テトラメチレン、１，６−ヘキサメチレン、１，１０−デカメチレン等を挙げることができる。炭素数６〜１０のシクロアルキレン基としては、例えばシクロへキシレン、シクロへキシリデン、シクロへプチレン等を挙げることができる。
【００５３】
また、ＸおよびＸ’水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール基である。
【００５４】
炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ノニルおよびデシルを挙げることができる。
炭素数６〜１０のシクロアルキル基としては、例えばシクロヘキシル、シクロペンチル、デカリル等を挙げることができる。
【００５５】
ハロゲン原子としては、例えばフッ素、塩素、臭素を挙げることができる。
【００５６】
炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉｓｏ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、ノニルオキシ、およびデシルオキシを挙げることができる。
【００５７】
さらに炭素数６〜２０のアリール基としては、例えばフェニル、トリル、ナフチル、ビフェニル等を挙げることができる。
【００５８】
また、ｎは１〜６の数であり、好ましくは１〜５、さらに好ましくは１〜３である。
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートを構成する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例えばビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２’−ジヒドロキシジフエニル、２，２’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，２−ビス（２’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２’−ジヒドロキシジフェニルケトン、２，２’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、２，２’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、２，２’−ジヒドロキシ−５，５’−ジメトキシジフェニルスルフィド、２，２’−ジヒドロキシジ−５，５’−ジメチルジフェニルエーテル、２，２’−ジヒドロキシジ−５，５’−ジエチルジフェニルエーテルなどを挙げることができる。
【００５９】
また、上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートとしては、例えば下記式で表わされる化合物を挙げることができる。
【００６０】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
環状芳香族カーボネートは単独で使用することができ、あるいは、また２種以上一緒に使用してもよい。２種以上使用した場合、該環状芳香族カーボネートの融点が低下し、取り扱い上好ましくない。
【００６９】
かかる環状芳香族カーボネートは、従来公知の製造法、例えば、Ｄ．Ｊ，Ｂｒｕｎｅｌｌｅ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏ ｌｅｃｕｌｅｓ，１９９１ ｖｏｌ.２４ ｐｐ３０３５、特公昭４１−３４５５号公報、特公昭４１−１５１７７号公報、特公昭４１−１５１７８号公報、および特公昭４１−１９７０９号公報記載の方法等により製造することができる。
【００７０】
例えば上記の如き芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネート等の芳香族炭酸ジエステル、ジメチルカーボネート等の脂肪族炭酸ジエステル、およびフォスゲンなどのカルボニルハライドから、上記特許記載の方法によりかかる環状芳香族カーボネートを合成することができる。
【００７１】
又かかる環状芳香族カーボネートは、不純物として少量の線状ポリカーボネートあるいは環状のオリゴカーボネートを含有していてもかまわない。
【００７２】
又環状芳香族カーボネートの分子量は、あまり大きくないほうが、成形性、転写性改良の点より、さらにまた取り扱い性の点よりも好ましく、環状芳香族カーボネートの分子量が２１２から１５００であることが好ましい。
【００７３】
本発明で用いられる上記環状芳香族カーボネートが線状芳香族ポリカーボネートと混合した際、線状芳香族ポリカーボネートの溶融流動性を改善することが本発明者により見い出された。
【００７４】
それ故、本発明によれば、さらに、
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートを線状芳香族カーボネートと混合して線状芳香族ポリカーボネートの溶融流動性を改善するために使用すること、並びに
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートからなる、線状芳香族ポリカーボネート、例えば光記録媒体用基板を製造するための素材としての線状芳香族ポリカーボネートの流動性改善剤が同様に提供される。
【００７５】
さらに、本発明で用いられる上記環状芳香族カーボネートが線状芳香族ポリカーボネートの成型時形状転写性を改善することも本発明者により見い出された。
【００７６】
それ故、本発明によれば、さらに、
上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートを、線状芳香族ポリカーボネートと混合して線状芳香族ポリカーボネートの成型時形状転写性を改善するために使用すること、および上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートからなる、線状芳香族ポリカーボネート、例えば光記録媒体用基板を製造するための素材として線状芳香族ポリカーボネートの形状転写性改善剤が同様に提供される。
【００７７】
本発明で用いられる上記式（１）で表わされる環状芳香族カーボネートは、線状芳香族ポリカーボネート１００重量部に対し０.００１〜１００重量部の混合割合で用いられる。この割合は、同じ基準に対して、好ましくは０.００３〜１００重量部、より好ましくは０.００５〜１００重量部、さらに好ましくは０.００５〜５０重量部である。この範囲において、さらに０.００１〜５０重量部、０.００１〜２０重量部、特に０.０５〜２０重量部が好ましい。環状芳香族カーボネートの、割合があまりに少ないと、添加効果が発現し難く、他方あまりに多いとコストの点から望ましくない。
【００７８】
本発明において、環状芳香族ポリカーボネートを線状芳香族ポリカーボネートに添加する供給機及び添加方法は、特に制限はない。環状芳香族カーボネートを固体のまま、あるいは、加熱溶融して、あるいは各種溶媒に溶解して添加してもよい。線状芳香族ポリカーボネートが、最終重合機から冷却されてペレタイズされる間の溶融状態時に添加することもできるし、押し出し成形時添加することもできる。
【００７９】
このようにして得られるポリカーボネート組成物は、耐熱性、耐衝撃性、透明性を低下させることなく流動性を改善したものであることから、光学材料用途、特に光記録用ディスク基板用途に好ましく用いることができる。つまり本発明で得られるポリカーボネート組成物は、流動性に優れ、ディスクに成型した際の転写性に大変優れているので、特に光記録用ディスク基板用途に好ましく用いることができる。
【００８０】
本発明のポリカーボネート組成物は、好ましくは、溶融粘度変化率が０.５％以下である。かかる値の溶融粘度変化率を示す組成物は溶融粘度安定性に優れ、光記録媒体用基板を製造する際に好適に用いられる。
【００８１】
本発明によれば、それ故、本発明のポリカーボネート組成物からなる光記録媒体用基板、および上記の光記録媒体用基板および該基板の片面上に直接または中間層を介して存在する光記録層からなる光記録媒体が同様に提供される。
【００８２】
この光記録媒体は、公知の光記録媒体と同様に、必要により誘電体層および反射層を備えることができる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明により耐熱性、耐衝撃性、透明性を低下させることなく流動性を改善したポリカーボネート組成物を得ることができる。さらに、該ポリカーボネート組成物からなる光記録媒体用基板を得ることができる。
【００８４】
【実施例】
以下実施例を挙げて更に説明する。なお実施例中の％は重量％であり、各項目の測定は下記の方法によった。
【００８５】
１）ガラス転移温度；Ｔｇ：デュポンインスツルメント社製９１０ＤＳＣにより窒素気流下２０℃の昇温速度で測定した。
【００８６】
２）５％重量減少温度； デュポンインスツルメント社製９５１ＴＧＡにより空気、気流下２０℃の昇温速度で測定した。
【００８７】
３）溶融粘度安定性；レオメトリックス社のＲＡＡ型流動解析装置を用い窒素気流下、せん断速度１ｒａｄ／ｓｅｃ．、２７０℃で測定した溶融粘度値の変化を３０分間測定し、１分あたりの変化率を求めた。溶融粘度は、通常２７０℃での溶融後５分程度を過ぎると直線的に変化するので、溶融粘度（単位：ポイズ）の時間変化を記録し、その直線的変化の開始時点における溶融粘度をＶ１、その３０分後の溶融粘度をＶ２としたときに、
（Ｖ１−Ｖ２）×１００／（Ｖ１×３０）（％）
を溶融粘度変化率とした。
【００８８】
４）流動性；ペレットを１２０℃で６時間乾燥した後、ＪＩＳ Ｋ−７２１０熱可塑性プラスチックの流れ試験に従って、１０分間あたりのＭＦＲ（２８０℃、２１６０ｇ荷重下、径２．０９５ｍｍ、長さ８．０００ｍｍのダイスを通過するポリマー量（ｇ））を測定した。
【００８９】
５）色相；５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板を住友重機（株）製ネオマットＮ１５０／７５射出成形機によりシリンダー温度２８０℃、成形サイクル３．５秒で成形し、平板のｂ値を日本電色（株）製Ｚ−１００１ＤＰ色差計により測定した。ｂ値が大きいほど色相が悪いことを示す。
【００９０】
６）透明性；平板の全光線透過率を日本電色（株）製ＮＤＨ−Σ８０により測定した。全光線透過率が高いほど透明性がよいことを示す。
【００９１】
７）耐衝撃性；アイゾット衝撃強度ＡＳＴＭＤ−７９０（ノッチ付き）による。厚さ１／８インチの試験片を用いた。
【００９２】
８）転写性；成形ディスクピット深さ 住友重機械工業（株）製ディスク成形装置Ｄｉｓｋ５ ＭIIIにて、シリンダー温度３４５℃、金型温度７５℃、射出速度１００ｍｍ／ｓｅｃ，および射出圧８０ＫｇにてＣＤ用ディスクを成形して該ディスクのピット深さ（単位ｎｍ）を測定した。
【００９３】
[ポリマーＡの製造]
ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、容量５０ｌの反応槽に、ビスフェノールＡ、５，０２８ｇ（２２．１モル）、７．２％水酸化ナトリウム水溶液、２２．１ｌ（水酸化ナトリウム４１．９モル）及び、ハイドロサルファイトナトリウム、９．８ｇ（０．０５６モル）を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン、１２．７ｌ及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０７ｇ（水酸化ナトリウム、９．８モル）を加えた後、ホスゲン、２，５０８ｇ（２５．３モル）を２５℃で９０分かけて加え、ホスゲン化反応を行った。
【００９４】
ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、１７５．１ｇ（１．１７モル）、４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０４ｇ（９．７モル）及び、触媒としてトリエチルアミン、１８．１ｍｌ（０．１３モル）を加え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗により精製して、粘度平均分子量１５，３００のポリカーボネート樹脂を得た。このポリマーの物性を以下の表１に示す。
【００９５】
[ポリマーＢの製造]
ホスゲン吹き込み管、温度計及び攪拌機を設けた、容量５０リットルの反応槽に、ビスフェノールＡ、５，０２８ｇ（２２．１モル）、７．２％水酸化ナトリウム水溶液、２２．１リットル（水酸化ナトリウム４１．９モル）及び、ハイドロサルファイトナトリウム、９．８ｇ（０．０５６モル）を仕込んで溶解し、攪拌下、塩化メチレン、１２．７ｌ及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０７ｇ（水酸化ナトリウム、９．８モル）を加えた後、ホスゲン、２，５０８ｇ（２５．３モル）を２５℃で９０分かけて加え、ホスゲン化反応を行った。
【００９６】
ホスゲン化終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、９３．０ｇ（０．６２モル）、４８．５％水酸化ナトリウム水溶液、８０４ｇ（９．７モル）及び触媒としてトリエチルアミン、１８．１ｍｌ（０．１３モル）を加え、３３℃に保持し２時間攪拌して反応を終了させた。反応混合液より、塩化メチレン層を分離し、水洗により精製して、粘度平均分子量２５，１００のポリカーボネート樹脂を得た。このポリマーの物性を下記表２に示す。
【００９７】
[ポリマーＣ、Ｄ、Ｃ’、およびＤ’の製造]
ビスフェノールＡ，２２８重量部，ジフェニルカーボネート２２０重量部及びエステル交換触媒；ビスフェノールＡ−Ｎａ2塩（１．６×１０-5重量部；ｏ．１μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドイド（９．１×１０-3重量部；１００μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）を攪拌装置，蒸留塔及び減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換した後，１４０℃で溶解した。３０分間攪拌後、内温を１８０℃に昇温し，内圧１００ｍｍＨｇ３０分間反応させ，生成するフェノールを溜去した。ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ反応させた。
【００９８】
更に２２０℃，３０ｍｍＨｇまで徐々に昇温，減圧し，同温度，同圧下で３０分間，更に、２４０℃、１０ｍｍＨｇ、２６０℃，１ｍｍＨｇ，まで上記と同じ手順で昇温，減圧を繰り返し反応を続行した。
【００９９】
最終的に２６０℃で且つ２７０℃を超えない温度でカボネートの重縮合を継続しつつポリマーの一部を取し分子量を測定した。分子量が１５，３００（ポリマーＣ）及び２５，１００（ポリマーＤ）になるまで重縮合を継続した。
【０１００】
重合終了後ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を１．７５×１０-4重量部（０．３μｍｏｌ／１ｍｏｌ−ビスフェノールＡ）添加し、触媒を失活した。また重合終了後ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を添加しなかったものについて、分子量が１５，３００のものをポリマーＣ’、及び分子量が２５，１００のものをポリマーＤ’とした。重縮合終了時の粘度平均分子量、及び其の他の物性を下記表１、２に示す。
【０１０１】
［実施例１〜１０、比較例１〜４］
上記のように製造したポリカーボネートＡ〜Ｄ、Ｃ’、Ｄ’を二軸押し出し機（Ｌ／Ｄ＝２０、バレル温度２８５℃）で下記式（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）
【０１０２】
【化２２】
で表される芳香族環状カーボネートの所定量（表中記載の線状芳香族ポリカーボネート１００重量部当たりの添加量：重量部）と混練した。得られた組成物及び該組成物成形品の物性を測定した。結果をポリマーＡ、Ｃ、Ｃ’については表１中に、又ポリマーＢ、Ｄ、Ｄ’については表２中に記す。
【０１０４】
表中に示される如く本発明のポリマーは流動性が高く、耐熱性、耐衝撃性、透明性等は、ベースポリカーボネート並みに良好である。
【０１０５】
また比較例として芳香族環状カーボネートを添加しないポリカーボネートＡ〜Ｄについて、それぞれ同様に物性を測定した。
【０１０６】
結果をポリマーＡ、Ｃ、Ｃ’については表１中に、又ポリマーＢ，Ｄについては表２中に記す。
【０１０７】
［光記録用ディスク成形：実施例１〜５、比較例１〜２］
上記のように製造したポリマーＡ、Ｃ、Ｃ’から得られた実施例１〜５、比較例１〜２のポリカーボネート組成物を使用して、住友重機械工業（株）製ディスク成形装置Ｄｉｓｋ５ ＭIIIにて、シリンダー温度３４５℃、金型温度７５℃、射出速度１００ｍｍ／ｓｅｃ，および射出圧８０ＫｇにてＣＤ用ディスクを成形して該ディスクのピット深さ（単位ｎｍ）を測定した。結果を表１中に記す。深さが大であるほど、転写性が良好なことを示す。
【０１０８】
表１中に示される如く本発明のポリマーは流動性が高く、耐熱性、耐衝撃性、透明性等は、ベースポリカーボネート並みに良好であり、しかもディスク成形時の転写性も良好である。
【０１０９】
【表１】
*1 Ｃ’はポリマーＣにおいてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を使用しない場合
*2 芳香族ポリカーボネート１００重量部当たりの添加量、重量部
【０１１１】
【表２】
*1 Ｄ’はポリマーＤにおいてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を使用しない場合
Claims (15)
- （Ａ）線状芳香族ポリカーボネート１００重量部および（Ｂ）下記式（１）−１および／または（１）−２
で表わされる環状芳香族カーボネート０.００１〜１００重量部からなることを特徴とするポリカーボネート組成物。） - 環状芳香族カーボネートが０.００３〜１００重量部である請求項１記載のポリカーボネート組成物。
- 環状芳香族カーボネートの分子量が２１２〜１５００の範囲である請求項１に記載のポリカーボネート組成物。
- 線状芳香族カーボネートが、重縮合触媒の存在下に芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを溶融縮重合させたことにより得られる線状芳香族カーボネートである請求項１〜３のいずれかに記載のポリカーボネート組成物。
- 重縮合触媒がアルカリ金属化合物であり、そして該触媒が芳香族ジヒドロキシ化合物1モル当り１×１０−７〜５×１０−６当量の割合で用いられる請求項４記載のポリカーボネート組成物。
- 線状芳香族ポリカーボネートが下記式（２）
【化２５】
Ａ１−（Ｙ１−ＳＯ３Ｘ１）ｍ （２）
（ここで、Ａ1は置換基を有していてもよいｍ価の炭化水素基であり、Ｙ1は単結合または酸素原子であり、Ｘ1は２級または３級の１価の炭化水素基、アンモニウムカチオンまたはホスホニウムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。）で表わされる化合物の添加によって安定化されている請求項４および５のいずれかに記載のポリカーボネート組成物。 - 溶融粘度変化率が０.５％以下である請求項１〜６のいずれかに記載のポリカーボネート組成物。
- 下記式（１）−１および／または（１）−２
で表わされる環状芳香族カーボネートを、線状芳香族ポリカーボネートと混合して線状芳香族ポリカーボネートの溶融流動性を改善するための使用。 - 下記式（１）−１および／または（１）−２
で表わされる環状芳香族カーボネートからなる、線状芳香族ポリカーボネートの流動性改善剤。 - 上記線状芳香族ポリカーボネートが光記録媒体用基板を製造するための素材である、請求項９に記載の流動性改善剤。
- 下記式（１）−１および／または（１）−２
で表わされる環状芳香族カーボネートを線状芳香族ポリカーボネートと混合して線状芳香族ポリカーボネートの成型時の形状転写性を改善するための使用。 - 下記式（１）−１および／または（１）−２
で表わされる環状芳香族カーボネートからなる、線状芳香族ポリカーボネートの成型時形状転写性改善剤。 - 上記線状芳香族ポリカーボネートが光記録媒体用基板を製造するための素材である、請求項１２に記載の形状転写性改善剤。
- 請求項１〜７のいずれかに記載のポリカーボネート組成物からなる光記録媒体用基板。
- 請求項１４に記載の光記録媒体用基板、および該基板の片面上に直接または中間層を介して存在する光記録層からなる光記録媒体。
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