JPH09183838A - 芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学用材料に適した芳香族ポリカーボネート
樹脂の優れた透明性、機械物性を保持しつつ、成形性、
熱安定性および耐金型腐食性が良好で、かつ低複屈折の
成形品を与える芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法
を提供する。 【解決手段】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
８０モル％が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンおよび
（ｂ）２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンの特定割合である芳香族ジヒドロキシ成
分と炭酸ジエステルを溶融重合させる芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の製造方法に関する。さらに詳しくは成形
性、熱安定性および耐金型腐食性が良好で、かつ低複屈
折の成形品を与える芳香族ポリカーボネート樹脂を製造
する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（いわゆるビスフェノールＡ）とホスゲン
との界面重縮合から得られる芳香族ポリカーボネート樹
脂は、その優れた機械的特性、熱的特性から各種用途に
幅広く用いられているが、有毒であるホスゲンを利用す
ることで安全性などに問題があり、また、溶媒として塩
化メチレンを使用することでポリマー中に塩素化合物の
残存が生じ、金型を腐食し、さらに、光学材料として用
いた場合、金属の記録膜を腐食するなどの問題点が多
い。そこで、最近、塩化メチレンやホスゲンを使用しな
いエステル交換法が脚光を浴びている。

【０００３】また、ビスフェノールＡから得られる芳香
族ポリカーボネート樹脂は、特に透明性に優れることか
ら光学材料としての用途も多い。しかしながら、かかる
ポリカーボネート樹脂はベンゼン環の光学異方性から光
弾性定数が大きく、従って成形品の複屈折が大きい欠点
があり、この改善が求められている。

【０００４】特開平２−８８６３４号公報には、特定構
造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれからの
新規な芳香族ポリカーボネートについて記載されてい
る。この公報に開示されている代表的例は、１,１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチル
シクロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２モル
％使用した芳香族ポリカーボネートである。具体的に
は、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,
５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０モル％の
割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネートが示
され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビスフ
ェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使用さ
れている。

【０００５】上記公報には、得られた前記芳香族ポリカ
ーボネートは、従来のポリカーボネートの用途、例えば
電気分野、被覆および透明板ガラスの分野において使用
され、高い耐熱性において優れていることが開示されて
いる。しかしながら、かかる芳香族ポリカーボネート
は、溶融流動性が悪く良好な成形品が得られ難い。ま
た、他の種々の共重合体に関する記載はあるが、その具
体的事例は示されていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適した芳香族ポリカーボネート樹脂の優れた透
明性、機械物性を保持しつつ、成形性、熱安定性および
耐金型腐食性が良好で、かつ低複屈折の成形品を与える
芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法を提供すること
にある。本発明者は、この目的を達成せんとして鋭意研
究を重ねた結果、特定の２種の二価フェノールと炭酸ジ
エステルを溶融重合することにより得られた芳香族ポリ
カーボネート樹脂が光学用材料として好適であることを
見出し、本発明に到達した。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％
が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ）および
（ｂ）２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン（成分ｂ）であり、かつ成分ａと成分ｂ
の割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲である芳
香族ジヒドロキシ成分と炭酸ジエステルを溶融重合させ
る芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法が提供され
る。

【０００８】本発明において、使用される芳香族ジヒド
ロキシ成分として、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）および２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン（成分ｂ）が全芳香族ジヒドロキシ
成分の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９
０モル％であるのが有利であり、典型的には、芳香族ジ
ヒドロキシ成分が、成分ａおよび成分ｂによって実質的
になることが望ましい。この成分ａおよび成分ｂの割合
が８０モル％未満の場合、本発明の目的である光学用材
料として不満足な性質となり好ましくない。

【０００９】本発明の芳香族ジヒドロキシ成分におい
て、成分ａと成分ｂとの割合がモル比で９９：１〜２
０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：８０の範囲
が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲がさらに好
ましい。成分ａの割合が９９モル％より多く、成分ｂの
割合が１モル％より少なくなると、得られた樹脂の溶融
流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が
得られ難くなる。また成分ａの割合が２０モル％より少
なく、成分ｂの割合が８０モル％より多くなると、得ら
れた樹脂の光弾性定数が大きくなり、またガラス転移温
度も低下する傾向にあるので好ましくない。また、成分
ａと成分ｂの合計量に対して、成分ｂの割合が４０モル
％以上、殊に５０モル％以上のものは成形性に優れてい
る。

【００１０】本発明の芳香族ジヒドロキシ成分は、成分
ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくと
も８０モル％、好ましくは少なくとも９０モル％を占め
ることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分（成分ｃ）
を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％以下、好ま
しくは１０モル％以下含有していても特に差支えない。

【００１１】かかる成分ｃとしては、通常芳香族ポリカ
ーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、
成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハ
イドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ビフェノー
ル、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,
２−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブ
タン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−
フェニルエタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ペンタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）オクタン、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノール、４,４’−（ｐ−フェニレ
ンジイソプロピリデン）ジフェノール、９,９−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、１,１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロ
ヘキサン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４,
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４,４’
−ジヒドロキシジフェニルスルホンなどが挙げられ、な
かでも２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）
ジフェノールおよび９,９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレンが好ましい。

【００１２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の製
造方法は、前記芳香族ジヒドロキシ成分と炭酸ジエステ
ルとを加熱溶融下重縮合させる方法である。かかる方法
を採用することにより、芳香族ポリカーボネート樹脂中
に、金型腐食を起こし易い塩素化合物の混入のおそれが
少なくなり、また製造時の安全性が高くなる。

【００１３】本発明において、原料として使用される芳
香族ジヒドロキシ成分と炭酸ジエステルは、各芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの等モル混合物
を、大気中２００℃において測定した溶融ハーゼン色数
が１５０番以下、好ましくは１３０番以下、さらに好ま
しくは１００番以下であるものが好ましく使用される。
本明細書での溶融ハーゼン色数とは、ＪＩＳ Ｋ−４１
０１に記載される方法によって測定され、かかる混合物
を特定温度で完全溶融後、溶液が特定温度に到達したと
きの溶融ハーゼン色数をもって測定される。このような
溶融ハーゼン色数が特定値以下である芳香族ジヒドロキ
シ化合物は、特公昭４１−１７４７８号公報に示される
ような晶析法、特公昭４９−３９６６９号公報や特公昭
４７−１０３８４号公報に示されるような有機溶媒によ
る抽出精製などの公知の方法を１種または２種以上組み
合わせて、繰り返し精製することによって製造され、精
製を本発明の溶融ハーゼン色数を達成するまで行うこと
によって得ることができる。かかるそれぞれの芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの等モル混合物の
２００℃において測定された溶融ハーゼン色数が１５０
番以下であると、得られる芳香族ポリカーボネート樹脂
およびそれから形成される成形品は、良好な色相を有す
ることとなる。

【００１４】本発明で使用される炭酸ジエステルとして
は、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール
基、アラルキル基あるいは炭素数１〜４のアルキル基な
どのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカー
ボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニ
ル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフ
チルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチ
ルカーボネートなどが挙げられる。これらのうち特にジ
フェニルカーボネートが好ましい。

【００１５】本発明でポリカーボネートを製造するに際
して、炭酸ジエステルは、芳香族ジヒドロキシ成分１モ
ルに対して、好ましくは１.００〜１.３０モル、より好
ましくは１.００５〜１.１０モルの量で用いられる。

【００１６】本発明では、上記のような芳香族ジヒドロ
キシ成分と炭酸ジエステルとのエステル交換反応により
ポリカーボネートを製造するに際し、重合速度を速める
ために重合触媒を用いることができる。

【００１７】このような重合触媒としては、（ｉ）アル
カリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物を主成
分として使用し、必要に応じさらに（ii）含窒素塩基性
化合物を従成分として使用することが好ましい。

【００１８】アルカリ金属化合物としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリ
ウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナト
リウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸リチウ
ム、ビスフェノールＡのナトリウム塩、カリウム塩、リ
チウム塩、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安
息香酸リチウムなどが挙げられる。

【００１９】アルカリ土類金属化合物としては、水酸化
カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水
酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バ
リウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロンチウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウ
ム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウ
ム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステアリ
ン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸
マグネシウム、ステアリン酸ストロンチウムなどが挙げ
られる。

【００２０】含窒素塩基性化合物としては、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、ト
リメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルベンジル
アミン、トリフェニルアミンなどが挙げられる。上記の
重合触媒は単独で使用してもよいし、組み合わせて使用
してもよい。

【００２１】本発明におけるこれらの重合触媒の使用量
はアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物の
場合は芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し、好まし
くは１×１０^-7〜１×１０^-4当量、より好ましくは１×
１０^-6〜５×１０^-5当量の範囲で選ばれる。また、含窒
素塩基性化合物を従成分として使用する場合は芳香族ジ
ヒドロキシ化合物１モルに対し、好ましくは１×１０^-5
〜１×１０^-3当量、より好ましくは１×１０^-5〜５×１
０^-4当量の範囲で選ばれる。

【００２２】アルカリ金属化合物またはアルカリ土類金
属化合物と含窒素塩基性化合物とを組み合わせて使用す
る場合は、好ましい使用量は上記範囲の和に相当し、芳
香族ジヒドロキシ化合物１モルに対し、好ましくは１×
１０^-7〜１×１０^-3当量、より好ましくは１×１０^-6〜
５×１０^-4当量の範囲で選ばれる。

【００２３】本発明において、必要に応じその他の化合
物を補助触媒として用いることもできる。このような化
合物としては、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアル
カリ金属やアルカリ土類金属塩、第４級アンモニウム塩
類、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜
鉛化合物類、ホウ素化合物類、珪素化合物類、ゲルマニ
ウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスニ
ウム化合物類、アンチモン化合物類、ジルコニウム化合
物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使
用される触媒を用いることができるが、これらに限定さ
れるものではない。補助触媒を用いる場合１種だけを用
いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２４】本発明の芳香族ジヒドロキシ成分と炭酸ジ
エステルとのエステル交換反応は、従来知られているよ
うに不活性ガス雰囲気下で加熱しながら撹拌して生成す
るモノヒドロキシ化合物を留出させることで行われる。
反応温度は通常１２０〜３５０℃の範囲であり、反応後
期には系の減圧度を１０〜０.１Ｔｏｒｒに高めて、生
成するモノヒドロキシ化合物の留出を容易にさせて反応
を完結させる。

【００２５】本発明においては、フェノール性末端基を
減少するために、重縮合反応の後期あるいは終了後に電
子吸引性の置換基を持ったジアリールカーボネートを加
えることが好ましい。例えばビス（クロロフェニル）カ
ーボネート、ビス（ブロモフェニル）カーボネート、ビ
ス（ニトロフェニル）カーボネート、ビス（フェニルフ
ェニル）カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボ
ネート、ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロ
フェニルフェニルカーボネート、フェニルフェニルフェ
ニルカーボネートなどが挙げられる。

【００２６】本発明によって得られる芳香族ポリカーボ
ネート樹脂はそのポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化
メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が０.２〜
０.５のものが好ましく、０.２５〜０.４の範囲のもの
がより好ましい。比粘度が０.２未満では成形品が脆く
なり、０.５より高くなると溶融流動性が悪く、成形不
良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。

【００２７】かかる芳香族ポリカーボネート樹脂は、Ａ
SＴM Ｄ−０５７０によって測定した吸水率が０.２重量
％以下であることが好ましく、０.１８量％以下である
ことがより好ましい。吸水率が０.２重量％を超える
と、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂が好適に用いら
れる光ディスク基板の表面上に金属膜を形成させた光デ
ィスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラッキン
グエラーを起こし易くなるので好ましくない。特に好ま
しい吸水率は０.１５重量％以下である。

【００２８】かかる芳香族ポリカーボネート樹脂は、全
光線透過率が少なくとも８５％、好ましくは少なくとも
９０％であることが望ましい。全光線透過率が８５％よ
りも低くなると、光学用材料、殊に光ディスク基板とし
て不適当であり好ましくない。また、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍ以
下、好ましくは４０ｎｍ以下であるのが適当である。こ
の斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍを越えると、光
ディスク基板として使用した場合記録の読み取りに支障
を来すことになり不適当である。また芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の流動性はＭＦＲの値で２５ｇ／１０分以上
が好ましく、３０ｇ／１０分以上がより好ましく、４５
ｇ／１０分以上がさらに好ましい。溶融流動性が低くな
ると成形性に劣り光学的に良好な成形品が得られ難くな
る。

【００２９】さらに、かかる芳香族ポリカーボネート樹
脂は、その光弾性定数の値が６０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ以下、好ましくは５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下の
ものが有利に利用される。光弾性定数の値が前記値より
も大きい場合、光学用材料、殊に光ディスクとして適さ
なくなる。また、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂
は、そのガラス転移点が１２０℃以上が好ましく、１３
０℃以上がより好ましく、１４５℃以上がさらに好まし
い。ガラス転移点が低くなると光学用材料、殊にディス
ク基板としての耐熱性が不足する。

【００３０】本発明においては、さらに下記式（Ｉ）〜
（IV）で示される化合物からなる安定剤を用いることが
好ましい。

【００３１】安定剤を重縮合生成物に添加する方法とし
ては、例えば、反応生成物であるポリカーボネートが溶
融状態にある間にこれらを添加してもよいし、一旦ポリ
カーボネートをペレタイズした後、再溶融して添加して
もよい。前者においては、重縮合反応が終了して得られ
る溶融状態にある反応機内または押出機内の反応生成物
であるポリカーボネートが溶融状態にある間に、これら
を添加してもよいし、また、重縮合反応で得られたポリ
カーボネートが反応機から押出機を通ってペレタイズさ
れる間に、安定剤を添加して混練することもできる。以
下、式（Ｉ）〜（IV）で示される各安定剤について具体
的に説明する。

【００３２】 Ａ¹−（Ｙ¹−ＳＯ₃Ｘ¹）_m ・・・（Ｉ）

【００３３】［ここで、Ａ¹は置換基を有していてもよ
いｍ価の炭化水素基であり、Ｙ¹は単結合または酸素原
子であり、Ｘ¹は２級または３級の１価の炭化水素基、
１当量の金属カチオン、アンモニウムカチオンまたはホ
スホニウムカチオンであり、ｍは１〜４の整数、好まし
くは１または２である、但しＹ¹が単結合であるときｍ
個のＸ¹の全てが１当量の金属カチオンであることはな
い。］

【００３４】ｍ価の炭化水素基としては、例えばｍ価の
飽和脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または飽和脂
肪族―芳香族炭化水素基などを好ましいものとして挙げ
ることができる。

【００３５】Ｙ¹は単結合または酸素原子であり、ま
た、Ｘ¹は２級または３級の１価の炭化水素基、１当量
の金属カチオン、アンモニウムカチオンまたはホスホニ
ウムカチオンである。

【００３６】２級または３級の１価の炭化水素基として
は、例えば下記式（Ｉ）−ｄ

【００３７】

【化１】

【００３８】［ここで、Ｒ¹⁵は水素原子もしくは炭素数
１〜５のアルキル基であり、Ｒ¹⁶は水素原子、フェニル
基もしくは炭素数１〜５のアルキル基であり、そしてＲ
¹⁷はＲ ¹⁵と同一もしくは異なりＲ¹⁵の定義と同じであ
る。］で表わされる２級または３級のアルキル基が好ま
しい。これらのうち、特にＲ¹⁵およびＲ¹⁷が同一もしく
は異なり、水素原子、メチル基、エチル基またはプロピ
ル基でありそしてＲ¹⁶がメチル基またはフェニル基であ
るのがより好ましい。

【００３９】一当量の金属カチオンとしては、例えばリ
チウム、ナトリウム、カリウムの如きアルカリ金属カチ
オン；カルシウム、バリウムの如きアルカリ土類金属カ
チオンの１／２あるいはアルミニウムの如き３価の金属
カチオンの１／３などを挙げることができる。

【００４０】アンモニウムカチオンとしては、例えば下
記式（Ｉ）−ａ

【００４１】

【化２】

【００４２】［ここで、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、互
いに独立して水素原子または１価の炭化水素基であ
る。］で表わされるカチオンを挙げることができる。

【００４３】式（Ｉ）−ａにおいて、Ｒ¹などが表わす
１価の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０のア
ルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１
０のアラルキル基などが好ましい。

【００４４】また、ホスホニウムカチオンとしては、例
えば下記式（Ｉ）−ｂ

【００４５】

【化３】

【００４６】［ここで、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸は、互
いに独立した水素原子または１価の炭化水素基であ
る。］で表わされるカチオンを挙げることができる。

【００４７】式（Ｉ）−ｂにおいて、Ｒ⁵などが表わす
１価の炭化水素基としては、式（Ｉ）−ａについて例示
した１価の炭化水素基と同じものを挙げることができ
る。

【００４８】これらのうち、Ｘ¹としては２級または３
級のアルキル基、アルカリ金属カチオン、上記式（Ｉ）
−ａで表わされるカチオンおよび上記式（Ｉ）−ｂで表
わされるカチオンが好ましい。

【００４９】上記式（Ｉ）で表わされる化合物は、Ｙ¹
の定義に従って便宜的に２群に分けられる。すなわち、
Ｙ¹が単結合である化合物群とＹ¹が酸素原子である化合
物群である。Ｙ¹が単結合である化合物群は、例えばｍ
＝１の場合、下記式（Ｉ）−１

【００５０】Ａ¹―ＳＯ₃Ｘ¹ ・・・（Ｉ）−１

【００５１】［ここで、Ａ¹およびＸ¹の定義は上記式
（Ｉ）に同じである。］で表わされる。

【００５２】上記式（Ｉ）−１で表わされる化合物のう
ち、Ａ¹が一価の飽和脂肪族炭化水素基または飽和脂肪
族―芳香族炭化水素基であるのが好ましく、とりわけ下
記式（Ｉ）−ｃ

【００５３】

【化４】

【００５４】［ここで、Ａ¹¹は炭素数１〜１８のアルキ
ル基であり、ｊは０または１の整数である。］で表わさ
れる基であるのが特に好ましい。

【００５５】また、Ｙ¹が酸素原子である化合物群は、
例えばｍ＝１の場合、下記式（Ｉ）−２

【００５６】 Ａ¹―Ｏ―ＳＯ₃Ｘ¹ ・・・（Ｉ）−２

【００５７】［ここで、Ａ¹およびＸ¹の定義は上記式
（Ｉ）に同じである。］で表わされる。

【００５８】上記式（Ｉ）−２で表わされる化合物のう
ち、Ａ¹が一価の飽和脂肪族炭化水素基であるのが好ま
しく、とりわけ炭素数１〜１８のアルキル基であるのが
特に好ましい。

【００５９】上記式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例
としては、例えば下記の化合物を挙げることができる。

【００６０】（ａ）Ｙ¹が単結合であり、Ｘ¹が２級また
は３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１である場
合の化合物：ベンゼンスルホン酸ベンジル、ベンゼンス
ルホン酸２―フェニル―２―プロピル、ベンゼンスルホ
ン酸２―フェニル―２―ブチル、トルエンスルホン酸ベ
ンジル、トルエンスルホン酸２―フェニル―２―プロピ
ル、トルエンスルホン酸２―フェニル―２―ブチル、オ
クチルベンゼンスルホン酸ベンジル、オクチルベンゼン
スルホン酸２―フェニル―２―プロピル、オクチルベン
ゼンスルホン酸２―フェニル―２―ブチル、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸ベンジル、ドデシルベンゼンスルホン
酸２―フェニル―２―プロピル、ドデシルベンゼンスル
ホン酸２―フェニル―２―ブチルなどを挙げることがで
きる。

【００６１】（ｂ）Ｙ¹が単結合であり、Ｘ¹が上記式
（Ｉ）−ｂで表わされるホスホニウムカチオンでありそ
してｍが１である場合の化合物：ヘキシルスルホン酸テ
トラメチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラ
エチルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラブチ
ルホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラヘキシル
ホスホニウム塩、ヘキシルスルホン酸テトラオクチルホ
スホニウム塩、オクチルスルホン酸テトラメチルホスホ
ニウム塩、オクチルスルホン酸テトラエチルホスホニウ
ム塩、オクチルスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、オクチルスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム
塩、オクチルスルホン酸テトラオクチルホスホニウム
塩、デシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、デ
シルスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、デシルス
ルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、デシルスルホン
酸テトラヘキシルホスホニウム塩、デシルスルホン酸テ
トラオクチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テト
ラメチルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラエ
チルホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラブチル
ホスホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラヘキシルホ
スホニウム塩、ドデシルスルホン酸テトラオクチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラメチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラエチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラヘキシルホ
スホニウム塩、ヘキサデシルスルホン酸テトラオクチル
ホスホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラメチルホス
ホニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニ
ウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、ベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム
塩、ベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホニウム
塩、トルエンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、
トルエンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、トル
エンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、トルエン
スルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩、トルエンス
ルホン酸テトラオクチルホスホニウム塩、ドデシルベン
ゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシル
ベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデ
シルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、
ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウ
ム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホス
ホニウム塩などが挙げられる。

【００６２】（ｃ）Ｙ¹が酸素原子であり、Ｘ¹が２級も
しくは３級の１価の炭化水素基でありそしてｍが１であ
る場合の化合物：Ａ¹とＸ¹の炭素数の合計が８〜４０で
あるのが好ましい。かかる具体例として、ジブチルサル
フェート、ジペンチルサルフェート、ジヘキシルサルフ
ェート、ジオクチルサルフェート、ジノニルサルフェー
ト、ジデシルサルフェート、ジトリデシルサルフェー
ト、ジテトラデシルサルフェート、ジヘキサデシルサル
フェート、ジシクロヘキシルサルフェート、ジベンジル
サルフェートなどが挙げられる。これらの具体例のアル
キル基はいずれも２級もしくは３級であると理解される
べきである。

【００６３】（ｄ）Ｙ¹が酸素原子であり、Ｘ¹が一当量
の金属カチオンでありそしてｍが１である場合の化合
物：ナトリウムオクチルサルフェート、カリウムオクチ
ルサルフェート、セシウムオクチルサルフェート、リチ
ウムデシルサルフェート、ナトリウムデシルサルフェー
ト、ナトリウムドデシルサルフェート、カリウムドデシ
ルサルフェート、リチウムテトラデシルサルフェート、
ナトリウムテトラデシルサルフェート、カリウムデシル
サルフェート、リチウムヘキサデシルサルフェート、ナ
トリウムオレイルサルフェート、カリウムヘキサデシル
サルフェートが挙げられる。

【００６４】（ｅ）Ｙ¹が酸素原子であり、Ｘ¹が上記式
（Ｉ）−ａで表わされるアンモニウムカチオンである場
合の化合物：アンモニウムオクチルサルフェート、アン
モニウムデシルサルフェート、アンモニウムドデシルサ
ルフェート、アンモニウムヘキサデシルサルフェートの
如きアンモニウム塩が挙げられる。

【００６５】また、メチルアンモニウムヘキシルサルフ
ェート、メチルアンモニウムオクチルサルフェート、メ
チルアンモニウムヘキサデシルサルフェート、エチルア
ンモニウムヘキシルサルフェート、ブチルアンモニウム
ノナデシルサルフェート、ヘキシルアンモニウムオクタ
デシルサルフェート、デシルアンモニウムエチルサルフ
ェート、デシルアンモニウムブチルサルフェート、デシ
ルアンモニウムデシルサルフェート、ドデシルアンモニ
ウムメチルサルフェート、ドデシルアンモニウムエチル
サルフェート、ドデシルアンモニウムオクチルサルフェ
ート、テトラデシルアンモニウムブチルサルフェート、
ペンタデシルアンモニウムメチルサルフェート、ヘキサ
デシルアンモニウムブチルサルフェート、ヘキサデシル
アンモニウムオクチルサルフェート、ヘキサデシルアン
モニウムデシルサルフェート、ヘキサデシルアンモニウ
ムドデシルサルフェートの如き１級アンモニウム塩が挙
げられる。

【００６６】また、ジメチルアンモニウムヘキシルサル
フェート、ジメチルアンモニウムオクチルサルフェー
ト、ジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、
ジエチルアンモニウムオクタデシルサルフェート、ブチ
ルメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、ヘキ
シルメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、デ
シルメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシルエ
チルアンモニウムエチルサルフェート、デシルメチルア
ンモニウムオクチルサルフェート、ドデシルメチルアン
モニウムメチルサルフェート、テトラデシルメチルアン
モニウムメチルサルフェート、テトラデシルエチルアン
モニウムサルフェート、ペンタデシルメチルアンモニウ
ムメチルサルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウ
ムエチルサルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウ
ムメチルサルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウ
ムエチルサルフェートの如き２級アンモニウム塩が挙げ
られる。

【００６７】また、トリメチルアンモニウムオクチルサ
ルフェート、トリメチルアンモニウムデシルサルフェー
ト、ブチルジメチルアンモニウムデシルサルフェート、
ヘキシルジメチルアンモニウムドデシルサルフェート、
デシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、デシ
ルジメチルアンモニウムトリデシルサルフェート、ドデ
シルジエチルアンモニウムエチルサルフェート、ドデシ
ルジブチルアンモニウムブチルサルフェート、ドデシル
ジメチルアンモニウムテトラデシルサルフェート、テト
ラデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェート、テ
トラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサルフェー
ト、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサルフェ
ート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサルフ
ェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエチル
サルフェートの如き３級アンモニウム塩が挙げられる。

【００６８】また、テトラメチルアンモニウムヘキシル
サルフェート、テトラエチルアンモニウムトリデシルサ
ルフェート、ブチルトリメチルアンモニウムオクチルサ
ルフェート、デシルトリメチルアンモニウムメチルサル
フェート、デシルトリエチルアンモニウムエチルサルフ
ェート、デシルトリメチルアンモニウムヘキサデシルサ
ルフェート、ペンタデシルトリメチルアンモニウムメチ
ルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモニ
ウムエチルサルフェートの如き４級アンモニウム塩が挙
げられる。

【００６９】これらの中で、リチウムデシルサルフェー
ト、ナトリウムデシルサルフェート、ナトリウムドデシ
ルサルフェート、カリウムドデシルサルフェート、リチ
ウムテトラデシルサルフェート、ナトリウムテトラデシ
ルサルフェート、リチウムヘキサデシルサルフェート、
ナトリウムオレイルサルフェート、ドデシルアンモニウ
ムエチルサルフェート、ドデシルメチルアンモニウムメ
チルサルフェート、デシルメチルアンモニウムメチルサ
ルフェート、デシルエチルアンモニウムエチルサルフェ
ート、テトラデシルエチルアンモニウムエチルサルフェ
ート、テトラデシルメチルエチルアンモニウムメチルサ
ルフェート、ペンタデシルエチルアンモニウムエチルサ
ルフェート、ヘキサデシルメチルアンモニウムメチルサ
ルフェート、ヘキサデシルエチルアンモニウムエチルサ
ルフェート、デシルジメチルアンモニウムメチルサルフ
ェート、ヘキサデシルジメチルアンモニウムメチルサル
フェート、ペンタデシルジメチルアンモニウムメチルサ
ルフェート、ヘキサデシルメチルエチルアンモニウムエ
チルサルフェート、ペンタデシルジメチルエチルアンモ
ニウムエチルサルフェート、デシルジメチルアンモニウ
ムトリデシルサルフェート、テトラデシルジメチルアン
モニウムメチルサルフェート、ドデシルジエチルアンモ
ニウムエチルサルフェート、テトラデシルジエチルアン
モニウムエチルサルフェート、デシルトリメチルアンモ
ニウムメチルサルフェート、ペンタデシルトリメチルア
ンモニウムメチルサルフェート、デシルトリエチルアン
モニウムエチルサルフェートがより好ましく用いられ
る。

【００７０】⁺ Ｘ²−Ａ²−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^- ・・・（II）

【００７１】［ここで、Ａ²は２価の炭化水素基であ
り、⁺Ｘ²は２〜４級のアンモニウムカチオンまたはホス
ホニウムカチオンであり、そしてＹ¹の定義は上記に同
じである。］

【００７２】上記式（II）中、Ａ²の２価の炭化水素基
としては２価の飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。この
飽和脂肪族炭化水素基としては炭素数１〜２０のものが
より好ましい。

【００７３】⁺Ｘ²はアンモニウムカチオンもしくはホス
ホニウムカチオンである。アンモニウムカチオンとして
は、下記式（II）−ａ

【００７４】

【化５】

【００７５】［ここで、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、およびＲ¹¹は、互
いに独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］
で表わされるカチオンが好ましい。

【００７６】Ｒ⁹などの１価の炭化水素基としては上記
式（Ｉ）−ａについて例示したものと同じものをここで
も例示できる。

【００７７】ホスホニウムカチオンとしては、下記式
（II）−ｂ

【００７８】

【化６】

【００７９】［ここで、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、互い
に独立に水素原子または１価の炭化水素基である。］で
表わされるカチオンが好ましい。Ｒ¹²などが表わす１価
の炭化水素基としては、上記式（Ｉ）−ｂについて例示
したものと同じものを例示できる。

【００８０】上記式（II）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を例示することができる。

【００８１】^-ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₃−Ｎ⁺（ＣＨ₃）₃、^- ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₃−Ｎ⁺（Ｃ₂Ｈ₅）₃、^- ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₃−Ｐ⁺（Ｃ₄Ｈ₉）₃、^- ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₃−Ｐ⁺（Ｃ₆Ｈ₅）₃、^- ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₁₅−Ｎ⁺（Ｃ₂Ｈ₅）₃、^- ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₁₅−Ｐ⁺（Ｃ₆Ｈ₅）₃、^- ＳＯ₃−（ＣＨ₂）₁₅−Ｐ⁺（Ｃ₄Ｈ₉）₃、

【００８２】 Ａ³−（⁺Ｘ³）_n・（Ｒ−Ｙ¹−ＳＯ₃ ^-）_n ・・・（III）

【００８３】［ここで、Ａ³はｎ価の炭化水素基であ
り、⁺Ｘ³はアンモニウムカチオンもしくはホスホニウム
カチオンであり、Ｒは１価の炭化水素基でありｎは２〜
４の整数でありそしてＹ¹の定義は上記に同じであ
る。］

【００８４】Ａ³のｎ価の炭化水素基としては、例えば
ｎ価の飽和脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または
飽和脂肪族―芳香族炭化水素基が好ましい。

【００８５】また、⁺Ｘ³はアンモニウムカチオンおよび
ホスホニウムカチオンとしてはそれぞれ例えば前記式
（II）−ａおよび（II）−ｂで表わされるものを挙げる
ことができる。

【００８６】Ｒは１価の炭化水素基であり、その例とし
てはアルキル基、アリール基およびアラルキル基が好ま
しい。アルキル基としては炭素数１〜２０のものが好ま
しく、アリール基としては炭素数６〜２０のものが好ま
しく、アラルキル基とは炭素数７〜２０のものが好まし
い。ｎは２、３または４であり、Ｙ¹の定義は前記と同
じく、単結合もしくは酸素原子である。

【００８７】上記式（III）で表わされる化合物の具体
例としては下記の化合物を例示することができる。Ｙ¹
が単結合であり、⁺Ｘ³が前記式（II）−ａで表わされる
アンモニウムカチオンであり、そしてｎ＝２の化合物と
して、次のものを挙げることができる。

【００８８】

【化７】

【００８９】Ｙ¹が酸素原子であり、⁺Ｘ³が前記式（I
I）−ａで表わされるアンモニウムカチオンであり、そ
してｎ＝２の化合物として、次のものを挙げることがで
きる。

【００９０】［（ＣＨ₃）₃Ｎ⁺−（ＣＨ₂）₁₀−Ｎ⁺（Ｃ
Ｈ₃）₃］・（Ｃ₁₅Ｈ₃₁−ＳＯ₄ ^-）₂ ［（ＣＨ₃）₃Ｎ⁺−（ＣＨ₂）₁₅−Ｎ⁺（ＣＨ₃）₃］・
（Ｃ₁₅Ｈ₃₁−ＳＯ₄ ^-）₂ ［（Ｃ₄Ｈ₉）₃Ｎ⁺−（ＣＨ₂）₁₀−Ｎ⁺（Ｃ₄Ｈ₉）₃］・
（Ｃ₁₅Ｈ₃₁−ＳＯ₄ ^-）₂

【００９１】Ｙ¹が単結合であり、⁺Ｘ³が前記式（II）
−ｂで表わされるホスホニウムカチオンであり、そして
ｎ＝２の化合物としては、次のものが例示される。

【００９２】

【化８】

【００９３】Ｙ¹が酸素原子であり、⁺Ｘ³が前記式（I
I）−ｂで表わされるホスホニウムカチオンであり、そ
してｎ＝２の化合物としては、

【００９４】［（Ｃ₄Ｈ₉）₃Ｐ⁺−（ＣＨ₂）₁₀−Ｐ⁺（Ｃ
₄Ｈ₉）₃］・（Ｃ₁₅Ｈ₃₁−ＳＯ₄ ^-）₂ ［（Ｃ₆Ｈ₅）₃Ｐ⁺−（ＣＨ₂）₁₀−Ｐ⁺（Ｃ₆Ｈ₅）₃］・
（Ｃ₁₅Ｈ₃₁−ＳＯ₄ ^-）₂

【００９５】を挙げることができる。

【００９６】 Ａ⁵−Ａｄ¹−Ａ⁴−（Ａｄ²−Ａ⁵）_k ・・・（IV）

【００９７】ここで、Ａ⁵は１または２価の炭化水素基
であり、Ａ⁴は２価の炭化水素基であり、Ａｄ¹およびＡ
ｄ²は、同一もしくは異なり―ＳＯ₂―Ｏ―ＳＯ₂―、―
ＳＯ₂―Ｏ―ＣＯ―または―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂―から選ば
れる酸無水物基であり、ｋは０または１である。但し、
ｋが０のとき、―（Ａｄ²―Ａ⁵）_k は水素原子を表わす
かあるいはＡ⁴とＡ⁵とを結合する結合手を表わす（この
場合、Ａ⁵は２価の炭化水素基または単結合である）。

【００９８】上記式（IV）で表わされる化合物は、上記
ｋの定義に従って、便宜的に、下記式（IV）−１

【００９９】 Ａ⁵―Ａｄ¹―Ａ⁴―Ａｄ²―Ａ⁵ ・・・（IV）−１

【０１００】［ここで、Ａ⁴、Ａｄ¹およびＡｄ²の定義
は上記式（IV）に同じであり、そしてＡ⁵は１価の炭化
水素基である。］で表わされる化合物、下記式（IV）−
２

【０１０１】 Ａ⁵―Ａｄ¹―Ａ⁴―Ｈ ・・・（IV）−２

【０１０２】［ここで、Ａｄ¹、Ａ⁴の定義は上記式（I
V）に同じであり、そしてＡ⁵は１価の炭化水素基であ
る。］で表わされる化合物および下記式（IV）−３

【０１０３】

【化９】

【０１０４】［ここでＡｄ¹、Ａ⁴の定義は上記式（IV）
に同じでありそしてＡ⁵は２価の炭化水素基または単結
合である。］で表わされる化合物に分けて表示できる。

【０１０５】上記式（IV）、（IV）−１および（IV）−
２において、Ａ⁵が表わす１価の炭化水素基としては、
例えばアルキル基、アリール基またはアラルキル基を好
ましいものとして挙げることができる。アルキル基とし
ては炭素数１〜２０のものが好ましく、アリール基とし
ては炭素数６〜２０のものが好ましく、またアラルキル
基としては炭素数７〜２０のものが好ましい。

【０１０６】また、上記式（IV）および（IV）−３にお
いて、Ａ⁵が表わす２価の炭化水素基としては、例えば
アルキレン基、アリーレン基およびアラルキレン基を挙
げることができる。アルキレン基は炭素数１〜２０のも
のが好ましく、アリーレン基は炭素数６〜２０のものが
好ましく、またアラルキル基としては炭素数７〜２０の
ものが好ましい。

【０１０７】Ａ⁴は２価の炭化水素基であり、その例と
してはＡ⁵の２価の炭化水素基と同じものを挙げること
ができる。

【０１０８】Ａｄ₁およびＡｄ₂は、同一もしくは異な
り、―ＳＯ₂―Ｏ―ＳＯ₂―、―ＳＯ₂―Ｏ―ＣＯ―もし
くは―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂―のいずれかの酸無水物基であ
る。これらの酸無水物基は、スルホン酸とスルホン酸の
間の無水物基（―ＳＯ₂―Ｏ―ＳＯ₂―）であるかあるい
はスルホン酸とカルボン酸の間の無水物基（―ＳＯ₂―
Ｏ―ＣＯ―または―ＣＯ―Ｏ―ＳＯ₂―）である。

【０１０９】かかるスルホン酸化合物は、一価もしくは
二価のスルホン酸化合物であり、具体的には、メチルス
ルホン酸、エチルスルホン酸、プロピルスルホン酸、ブ
チルスルホン酸、ヘキシルスルホン酸、デシルスルホン
酸、ヘキサデシルスルホン酸、フェニルスルホン酸、ｐ
―トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、
オクタデシルベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン
酸、トルエンジスルホン酸などが用いられる。

【０１１０】同様に、カルボン酸化合物は一価もしくは
二価のカルボン酸化合物であり、具体的には、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、吉草酸、ステアリン酸、ミリスチン
酸、オレイン酸、安息香酸、フェニル酢酸、トルイル
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フタル酸、イ
ソフタル酸、テレフタル酸などが用いられる。

【０１１１】上記式（IV）で表わされる化合物の具体例
としては下記の化合物を挙げることができる。すわな
ち、式（IV）−１で表わされる化合物として、例えば、

【０１１２】

【化１０】

【０１１３】などが挙げられる。また、式（IV）−２で
表わされる化合物としては、次の化合物が挙げられる。

【０１１４】

【化１１】

【０１１５】

【化１２】

【０１１６】などが挙げられる。式（IV）−３で表わさ
れる化合物としては、例えば、

【０１１７】

【化１３】

【０１１８】などが挙げられる。

【０１１９】上記式（Ｉ）〜（IV）の安定剤の中で、ホ
スホニウムもしくはアンモニウム塩型の安定剤はそれ自
身２００℃以上でも安定であり、ポリマーに添加した場
合速やかに触媒を無毒化し、目的とする色調の良好なポ
リマーを得ることができる。この様な安定剤のなかでも
スルホン酸のアンモニウム塩、ホスホニウム塩が好まし
く、さらにドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホ
スホニウム塩などのドデシルベンゼンスルホン酸の上記
塩類やパラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウ
ム塩などのパラトルエンスルホン酸の上記塩類が好まし
い。

【０１２０】本発明では、上記式（Ｉ）〜（IV）で表わ
される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の
安定剤を、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合
物より選ばれた前記主重縮合触媒１モルあたり０.５〜
５０モルの割合で、好ましくは０.５〜１０モルの割合
で、さらに好ましくは０.８〜５モルの割合で使用する
ことができる。これは通常、生成するポリカーボネート
に対し０.０１〜５００ｐｐｍの割合で使用することに
相当する。

【０１２１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の製
造方法において、エポキシ化合物を添加することも好ま
しく実施しうる。このようなエポキシ化合物として、１
分子中にエポキシ基を１個以上有する化合物が用いられ
る。

【０１２２】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。これらのうち、脂環族エポキシ化合物が
好ましく用いられ、特に３,４―エポキシシクロヘキシ
ルメチル―３’,４’―エポキシシクロヘキシルカルボ
キシレートが好ましく用いられる。

【０１２３】本発明では、このようなエポキシ化合物
を、ポリカーボネート樹脂に対して、１〜２０００ｐｐ
ｍの量で、好ましくは１〜１０００ｐｐｍの量で添加す
ることが好ましく、このようにエポキシ化合物を上記量
で添加すると、ポリカーボネート中に上記安定剤が過剰
に残存しても、これがエポキシ化合物と反応して無毒化
され、最終的に色相安定性に優れ、耐熱特性に優れると
ともに、特に耐水性が向上されたポリカーボネートが得
られるようになる。

【０１２４】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の製
造方法において、リン化合物を添加してもよい。このよ
うなリン化合物としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン
酸、亜ホスホン酸、ピロリン酸、ポリリン酸およびこれ
らのエステルを用いることができる。

【０１２５】上記のエステルとしては、例えばトリメチ
ルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチル
ホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリデシル
ホスフェート、トリオクタデシルホスフェート、ジステ
アリルペンタエリスリトールジホスフェート、トシル
（２―クロロエチル）ホスフェート、トリス（２,３―
ジクロロプロピル）ホスフェート、トリフェニルホスフ
ェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノニルフ
ェニル）ホスフェート、２―エチルフェニルジフェニル
ホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェ
ート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェー
ト、ジイソプロピルホスフェートなどのリン酸エステ
ル、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイ
ト、トリブチルホスファイト、トリオクチルホスファイ
ト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリ
ノニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオ
クタデシルホスファイト、トリステアリルホスファイ
ト、トリス（２―クロロエチル）ホスファイト、トリス
（２,３―ジクロロプロピル）ホスファイト、トリシク
ロヘキシルホスファイト、トリフェニルホスファイト、
トリクレジルホスファイト、トリス（エチルフェニル）
ホスファイト、トリス（２,４―ジ―ｔｅｒｔ―ブチル
フェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホ
スファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイ
ト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモ
ノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニル
ホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モ
ノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェ
ニルホスファイト、ビス（２,６−ジ―ｔｅｒｔ―ブチ
ル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホス
ファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ―ｔｅｒｔ
―ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニ
ルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビ
ス（２,４−ジ―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）ペンタエ
リスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリ
スリトールジホスファイトなどの亜リン酸エステル、ベ
ンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチ
ル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどのホスホン酸エ
ステル、テトラキス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−４,４−ジフェニレンホスホナイトなどの亜
ホスホン酸エステルなどが挙げられ、なかでもトリメチ
ルホスフェート、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）ホスファイトが好ましく使用される。

【０１２６】これらのリン化合物は、単独で、あるいは
組合せて用いることができる。これらは別々に添加して
もよいし、あるいは同時に添加してもよい。本発明で
は、上記の如きリン化合物を、ポリカーボネート樹脂に
対して１〜５００ｐｐｍ、好ましくは５〜２００ｐｐ
ｍ、より好ましくは１０〜１００ｐｐｍの量で添加する
ことができる。

【０１２７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の製
造方法において、酸化防止剤を添加することも好ましく
実施し得る。このような酸化防止剤としては、例えばト
リエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブ
チル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス
（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,
６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエ
ステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス
｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニ
ルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサス
ピロ（５,５）ウンデカンなどが挙げられる。

【０１２８】これらの酸化防止剤は、単独で用いても、
２種以上混合して用いてもよく、好ましい添加量の範囲
は、ポリカーボネート樹脂に対して１ｐｐｍ〜５００ｐ
ｐｍである。

【０１２９】さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹
脂の製造方法において、一価または多価アルコールの高
級脂肪酸エステルを加えることも好ましく実施し得る。
かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素原子数１〜２
０の一価または多価アルコールと炭素原子数１０〜３０
の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルである
のが好ましく、例えばステアリン酸モノグリセリド、ス
テアリン酸モノソルビテート、ベヘニン酸モノグリセリ
ド、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエ
リスリトールテトラステアレート、プロピレングリコー
ルモノステアレート、ステアリルステアレート、パルミ
チルパルミテート、ブチルステアレート、メチルラウレ
ート、イソプロピルパルミテート、２−エチルヘキシル
ステアレートなどが挙げられ、なかでもステアリン酸モ
ノグリセリド、ペンタエリスリトールテトラステアレー
トが好ましく用いられる。

【０１３０】これらの高級脂肪酸エステルは、単独で用
いても、２種以上混合して用いてもよく、その配合量
は、ポリカーボネート樹脂に対して０.０１〜２重量
％、好ましくは０.０１５〜０.５重量％、より好ましく
は０.０２〜０.２重量％の範囲である。このように、高
級脂肪酸エステルを上記量で添加すると、ポリカーボネ
ート樹脂の成形時の金型からの離型性が改良され、ディ
スク基板の成形においては、離型荷重が少なく離型不良
によるディスク基板の変形、ピットずれを防止できる。
また、芳香族ポリカーボネート樹脂の熱安定性が向上
し、さらに溶融流動性が改善される利点もある。

【０１３１】本発明により得られる芳香族ポリカーボネ
ート樹脂には、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、
滑剤などの添加剤を透明性を損なわない範囲で加えるこ
とができる。また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑
性樹脂を本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加す
ることもできる。また、この芳香族ポリカーボネート樹
脂は、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法、溶
液キャスティング法など任意の方法により成形される。

【０１３２】本発明により得られる芳香族ポリカーボネ
ート樹脂は、成形性および熱安定性に優れているので種
々の成形品として利用することができる。殊に光学ディ
スク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フ
ィルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック
反射鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または
機能材料用途に適した光学用成形品として有利に使用す
ることができる。これらのうち、光ディスク基板として
特に有利に使用することができる。

【０１３３】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度 ：ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ） ：デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ） ：ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。吸水率 ：ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０によって測定した。

【０１３４】全光線透過率：ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に
準拠して日本電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数 ：理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差 ：オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。溶融ハーゼン色数（ＡＰＨＡ） ：ＪＩＳ Ｋ４１０１に
示される色数試験方法に基づき、直径２３ｍｍ、肉厚
１.５ｍｍの平底パイレックス比色管を用い、溶融状態
で液深１４０ｍｍのハーゼン色数をハーゼン標準比色液
と比較して測定した。また、溶融装置にもＪＩＳ Ｋ−
４１０１に示されるアルミニウムインゴットホットバス
を使用した。

【０１３５】実施例１ トルエン／シクロヘキサン混合溶媒にて再結晶した１,
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリ
メチルシクロヘキサン３４.１部（０.１１モル）とジフ
ェニルカーボネート２３.５部（０.１１モル）の等モル
混合物を平底パイレックス比色管に仕込み、２００℃に
おける溶融ハーゼン色数が４５番になることを確認し
た。また、上記と同様に再結晶した２,２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン２８.２部
（０.１１モル）とジフェニルカーボネート２３.５部
（０.１１モル）の等モル混合物を上記と同様にして、
溶融ハーゼン色数を測定し、３０番になることを確認し
た。

【０１３６】攪拌機、蒸留塔を備えた反応器に上記の
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサン（以下“ビスフェノールＴＭ
Ｃ”と略称することがある）２０.５部、２,２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下“ビスフェノールＣ”と略称することがある）３９.
４部、ジフェニルカーボネート（バイエル社製）４９.
２部および触媒として、水酸化ナトリウム０.００００
１部とテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０.００
１６部を仕込み、窒素置換を行った。この混合物を２０
０℃まで加熱して攪拌しながら溶解させた。次いで、減
圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱しながら、１時間で大半
のフェノールを留去した。さらに、２７０℃まで温度を
上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして２時間反応を行い、ビ
スフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモル比で
３０：７０であるポリマーを得た。このポリマーの比粘
度は０.２９８、Ｔｇは１５１℃、ＭＦＲは５５ｇ／１
０分、含水率は０.１６重量％であった。

【０１３７】このポリマーにトリス（２,４−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０.００３％、
トリメチルホスフェートを０.００５％、ステアリン酸
モノグリセリドを０.０４５％加え、住友重機製ＤＩＳ
Ｋ５Ｍｌｌｌを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みの
ディスク基板に射出成形した。このものの全光線透過率
は８９％、光弾性定数は４９×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、
斜め入射複屈折位相差は２４ｎｍであった。

【０１３８】実施例２ 実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４０.９部、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを２２.５部とした以外は実施例１と同様にして、
ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモル比
で６０：４０であるポリマーを得た。このポリマーの比
粘度は０.２９０、Ｔｇは１４６℃、ＭＦＲは４６ｇ／
１０分、吸水率は０.１８重量％であった。

【０１３９】このポリマーに実施例１と同様の添加剤を
加え、実施例１と同様に成形し、実施例１と同様に評価
したところ、このものの全光線透過率は８９％、光弾性
定数は４０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位
相差は２３ｎｍであった。

【０１４０】実施例３ トルエン／シクロヘキサン混合溶媒にて再結晶した９,
９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン３８.
５部（０.１１モル）とジフェニルカーボネート２３.５
部（０.１１モル）の等モル混合物を平底パイレックス
比色管に仕込み、２００℃における溶融ハーゼン色数が
４０番になることを確認した。実施例１の芳香族ジヒド
ロキシ成分を１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン１３.６部、２,
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン３６.６部および上記の９,９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン１１.５部（以下、“ビスフェ
ノールフルオレン”と略称することがある）とした以外
は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビス
フェノールＣとビスフェノールフルオレンの比がモル比
で２０：６５：１５のポリマーを得た。このポリマーの
比粘度は０.２７２、ＭＦＲは５０ｇ／１０分、Ｔｇは
１６５℃、吸水率は０.１８重量％であった。

【０１４１】このポリマーに実施例１と同様の添加剤を
加え、実施例１と同様に成形し、実施例１と同様に評価
したところ、このものの全光線透過率は８９％、光弾性
定数は４３×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位
相差は４０ｎｍであった。

【０１４２】

【発明の効果】本発明の製造方法により得られる芳香族
ポリカーボネート樹脂は、成形性、熱安定性および耐金
型腐食性が良好で、かつ低複屈折の成形品を与えるの
で、光学ディスク、光学レンズ、光カードなどの各種光
学用成形品として好適に用いられる。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも
   ８０モル％が（ａ）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
   ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分
   ａ）および（ｂ）２,２−ビス（３−メチル−４−ヒド
   ロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）であり、かつ成分
   ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範
   囲である芳香族ジヒドロキシ成分と炭酸ジエステルを溶
   融重合させる芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法。
2. 【請求項２】 成分ａと成分ｂの割合がモル比で８０：
   ２０〜２０：８０である請求項１記載の芳香族ポリカー
   ボネート樹脂の製造方法。
3. 【請求項３】 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、その
   ０.７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２
   ０℃において測定された比粘度が０.２〜０.５の範囲で
   ある請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂の製造
   方法。
4. 【請求項４】 炭酸ジエステルがジフェニルカーボネー
   トである請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂の
   製造方法。
5. 【請求項５】 該溶融重合を重合触媒の存在下に行う請
   求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法。
6. 【請求項６】 該重合触媒は、（ｉ）アルカリ金属化合
   物あるいはアルカリ土類金属化合物またはそれらと（i
   i）含窒素塩基性化合物との組合せである請求項５記載
   の芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法。
7. 【請求項７】 該芳香族ジヒドロキシ成分と炭酸ジエス
   テルは、その等モル混合物として、その混合物の大気中
   ２００℃において測定された溶融ハーゼン色数が１５０
   番以下である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹
   脂の製造方法。