JP2002504133A - トリフルオロメチルアセトフェノンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ａ）式（II）（式中、Ｘは塩素、臭素またはヨウ素、好ましくは臭素；Ｙおよびｍは式（Ｉ）で定義される通り）の化合物を、溶媒中、塩基および一座配位のまたは二座配位のホスフィンリガンドを含むパラジウム化合物の触媒量の存在下で、式（IIIａ）のビニルエーテルまたは式（IIIｂ）のエナミド：ＣＨ₂＝ＣＨ−ＯＲ₁（IIIａ）、ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｎ（Ｒ₂）−ＣＯ−Ｒ₃（IIIｂ）（式中、Ｒ₁およびＲ₂は、互いに独立に、各々の基が所望により置換されているＣ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキル、またはＣ₁〜Ｃ₈アシルであり；Ｒ₃は、各々の基が所望により置換されているＣ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、またはフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキルである）と反応させて；ｂ）得られた式（ＩＶａ）、および式（ＩＶｂ）それぞれの中間体を、式（Ｉ）（式中、Ｙは反応に対して不活性な基、好ましくはヒドロカルビル）であり；およびｍは０〜４；好ましくは０である）の化合物に加水分解する、式（Ｉ）の化合物の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】 トリフルオロメチルアセトフェノンの製造方法 本発明は、ａ）式II （式中、Ｘは塩素、臭素またはヨウ素、好ましくは臭素；Ｙおよびｍは下記の式 Ｉで定義される通り） の化合物を、溶媒中、塩基と、一座配位（monodental）または二座配位のホスフ ィンリガンドを含むパラジウム化合物の触媒量との存在下で、式IIIａのビニル エーテル、または式IIIｂのエナミド、 ＣＨ₂＝ＣＨ−ＯＲ₁ （IIIａ） ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｎ（Ｒ₂）−ＣＯ−Ｒ₃ （IIIｂ） （式中、Ｒ₁およびＲ₂は、互いに独立に、各々の基が所望により置換されている Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜 Ｃ₆シクロアルキル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキル、またはＣ₁〜Ｃ₈アシルであ り、 Ｒ₃は、各々の基が所望により置換されているＣ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈ア ルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、またはフェ ニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキルである） と反応させて、 ｂ）得られた式ＩＶａ、およびＩＶｂ 個々の中間体を、式Ｉ（式中、Ｙはその反応に対して不活性な基、好ましくはヒドロカルビル（hydroc arbyl））であり；および ｍは０〜４；好ましくは０である） の化合物に加水分解する、式Ｉのトリフルオロメチルアセトフェノン誘導体の製 造方法に関する。 これらの化合物は、薬剤、農薬（pesticides）、色素、香料および他の生成物 の製造のための重要な中間体である。 芳香族ハロゲン化合物のパラジウムにより触媒されたビニル化は、「ヘック（ Heck）反応」として周知である。この反応において、ビニルエーテルは（ａ）ま たは（ｂ）の位置において反応して、スキーム１に示されるように、化合物Ａお よびＢそれぞれを与えることができる。化合物Ａのみが、アセトフェノンＣに加 水分解されることができる。したがって、ヘック反応によりアセトフェノンを製 造するためには、最初のビニル化反応は、主に（ａ）位置で起こるべきである。 ＥＰ−Ａ−６８８，７５７号は、パラジウム／ホスフィン触媒の存在下におけ るハロゲン・ベンゼン誘導体のビニル化を開示している；ビニル基に関する反応 の位置選択性（regioselectvity）は、そこでは議論されていないが、実施例（w orking examples）によれば、そのビニル基は、主に（ｂ）位置において反応す る。 ハロゲン化アリールのビニルエーテルとのパラジウムで触媒された反応による アセトフェノンの製造は、J．Org Chem．第５２巻、１９８７，３５２９〜３５ ３６頁に記述されている。 この反応の位置選択性は、とりわけ、その触媒およびアリール基上の置換基に 依存する。（ａ）の位置における置換は、そのパラジウム触媒にホスフィンリガ ンドを加えることによって増大し（J．Org．Chem．第５７巻、１９９２、１４８ １〜１４８６頁）、他方、アリール部分上の電子吸引性基は、（ｂ）位置での置 換に有利である（J．Org．Chem．第５２巻、１９８７、３５２９〜３５３６頁） 。 したがって、強い電子吸引性のトリフルオロメチル基は、（ａ） の位置に対して、（ｂ）位置での置換に有利であると予測され、結果としてトリ フルオロメチルアセトフェノンの低い収率を与える。 驚くべきことに、（ｂ）−置換に対する（ａ）−置換の高い比が、本発明の反 応に従って得ることができ、結果として加水分解の後に、対応するトリフルオロ メチルアセトフェノンの良好な収率を与えることが見出された。これにより与え られる方法は、出発材料の入手容易性、および良好な技術的実現可能性（feasib ility）によって特徴づけられ、且つ経済的および生態学的に有利である。 基Ｒ₁、Ｒ₂およびＲ₃は、その反応に悪影響を及ぼさない任意の官能基によっ て置換することができる；その例は、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル、ハロ−Ｃ₁〜Ｃ₈アルキ ル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、ハロ−Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアル キル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、フェニル、フェノキシ、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂ア ルキル、ヘタリール（hetaryl）、ヘタリーロキシ（hetaryloxy）またはＣ₁〜Ｃ₈ アシルである。 触媒として使用可能な適当なパラジウム化合物は、例えば、パラジウムビス− （ジベンザルアセトン）−パラジウム、酢酸パラジウム、二塩化パラジウム、二 臭化パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、、およびパラジウム−ビス（ト リフェニルホスフィン）ジクロリド、およびパラジウム−ビス（トリフェニルホ スフィン）酢酸等のパラジウム−ジホスフィンハロゲン化物複合体（complex） および酢酸複合体；更にパラジウムテトラクロロ複合体；ビス（ジベンザルアセ トン）−パラジウムが好ましい。 適当なホスフィンリガンドは、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホ スフィン、または１，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン等のアリー ルホスフィンであり、好ましくはトリフェニルホスフィンである。 パラジウム触媒の量は、式IIの化合物に関して、０．０１〜１０モル％、好ま しくは０．１〜１モル％である。 ホスフィンに対するパラジウムのモル比は、１：１〜１：４、好ましくは約１ ：２である。 反応工程ａ）に適当な溶媒は、非プロトン性の極性溶媒であり、好ましくは、 炭酸プロピレン、アニソール、Ｎ^-メチル−２ピロリドン、Ｎ，Ｎ^-ジメチルアセ トアミド、ジメチルホルムアミド、テトラメチル尿素、ガンマ−ブチロラクトン 、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、およびジメチルスルホキシドである。 適当な塩基は、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、シクロヘキシルア ミン、Ｎシクロヘキシル−Ｎ，Ｎ^-ジメチル−アミン、Ｎ，Ｎ^-ジエチルアニリン 、ピリジン、４−（Ｎ，Ｎ^-ジメチルアミノ）ピリジン、Ｎ^-メチルモルホリン、 および１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデク−５−エン（ＤＢＵ）等 のアミン；アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素 塩、およびリン酸塩、好ましくはカリウム塩；またはカルボン酸塩、好ましくは Ｃ₂〜Ｃ₄カルボン酸のアルカリ塩である。トリエチルアミン、炭酸、炭酸水素、 リン酸、および水酸化カリウム、酢酸ナトリウムが好ましく；トリエチルアミン が特に好ましい。 反応工程ａ）は、５０℃〜２００℃、好ましくは７０℃〜１５０℃、最も好ま しくは９０℃〜１２０℃で行われる。反応工程ｂ）（加水分解）は、塩酸、硫酸 または酢酸等の希酸、好ましくは、その生成物が溶解可能な溶媒との混合物中で 行われる。温度は決定的（critical）ではなく、０℃〜＋７０℃まで変化するこ とができる。 好ましくは、３−ブロモベンゾトリフロリドが、式IIIａ ＣＨ₂＝ＣＨ−ＯＲ₁ （IIIａ） （式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₈アルキル、好ましくはＣ₄〜Ｃ₆アルキ ルである） のビニルエーテルと反応する３−トリフルオロメチルアセトフェノンの製造であ る。製造例 例１：３−トリフルオロメチル−１−ブトキシスチレン ａ） ２２．５ｇ（１００ミリモル）の３−ブロモ−ベンゾトリフロリドおよ び８０ｍｌの炭酸プロピレンに対して、アルゴンの下で、２０．２ｇ（２００ミ リモル）のトリエチルアミン、２０．０ｇ（２００ミリモル）のブチルビニルエ ーテル、５１８ｍｇ（０．５ミリモル）のビス−（ジベンザルアセトン）−クロ ロホルム−パラジウム、および５２５ｍｇ（２ミリモル）のトリフェニルホスフ ィンを加える。その反応混合物を２０時間１１０℃に加熱して、室温に冷却し、 濾過する。その濾液を、５０ｍｌのヘキサンで二回抽出する。ヘキサン相を５０ ｍｌの水で二回洗浄し、Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥し、その溶媒を蒸発させる。２６ｇの オイルが得られ、それは２１ｇのトリフルオロメチル−１−ブトキシスチレンを 含む（収率８０％）。 ｂ） ２２．５ｇ（１００ミリモル）の３−ブロモ−ベンゾトリフロリド、（ ２００ミリモル）の炭酸カリウム、および８０ｍｌの炭酸プロピレンに対して、 アルゴンの下で２０．０ｇ（２００ミリモル）のブチルビニルエーテル、５１８ ｍｇ（０．５ミリモル）のビス−（ジベンザルアセトン）−クロロホルム−パラ ジウム、および７８８ｍｇ（３ミリモル）のトリフェニルホスフィンを加える。 その反応混合物を、２０時間１４０℃に加熱して、室温に冷却して、濾過する。 その濾液を、５０ｍｌのヘキサンで二回抽出する。ヘキサン相を５０ｍｌの水で 二回洗浄し、Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥し、そ の溶媒を蒸発させる。２６ｇのオイルが得られ、それは２０ｇの３−トリフルオ ロメチル−１−ブトキシスチレンを含む（収率７７％）。例２：３−トリフルオロメチル−アセトフェノン 未精製（raw）の３−トリフルオロメチル−１−ブトキシスチレンの２６ｇ（ ８０ミリモル）に、３０ｍｌのＮ，Ｎ^-ジメチルホルムアミド、および３０ｍｌ の１Ｍ−塩酸を加え、混合物を１０時間室温で攪拌する。１００ｍｌの水を加え 、混合物を１００ｍｌの塩化メチレンで二回抽出する。有機相を５０ｍｌの水で 洗浄し、Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥し、その溶媒を減圧下で蒸発させる。その残渣を蒸留 して、１１ｇのトリフルオロメチル−アセトフェノン（沸点９６℃／５０ミリバ ール、７３％収率）を得る。例３：３−トリフルオロメチル−１−エトキシスチレン ２２．５ｇ（１００ｍｌ）の３−ブロモ−ベンゾトリフロリド、および８０ｍ ｌの炭酸プロピレンに対して、アルゴンの下で２０．２ｇ（２００ミリモル）の トリエチルアミン、１４．４ｇ（２００ミリモル）のエチルビニルエーテル、５ １８ｍｇ（０．５ミリモル）のビス−（ジベンザルアセトン）−クロロホルム− パラジウム、および５２５ｍｇ（２ミリモル）のトリフェニルホスフィンを加え る。その反応混合物をオートクレーブ中１２０℃で２０時間加熱し、室温に冷却 し、濾過し、その濾液を５０ｍｌのヘキサンで二回抽出する。ヘキサン相を５０ ｍｌの水で二回洗浄し、Ｎａ₂ＳＯ₄で乾燥し、溶媒を蒸発させる。その残渣を蒸 留して、１６ｇの３−トリフルオロメチル−１−エトキシスチレン（沸点１１３ ℃／５０ミリバール、収率７５％）を得る。 例２に従う加水分解により、トリフルオロメチル−アセトフェノン（７６％収 率）を得る。例４：異なるホスフィン−パラジウム比 ３−トリフルオロメチル−１−ブトキシスチレン ２６ｍｇ（０．０２５ミリモル）のビス−（ジベンザルアセトン）−クロロホ ルム−パラジウムと、異なる量のトリフェニルホスフィンとを、アルゴン下、シ ュレンク管（Schlenk tube）中に入れる。４ｍｌの炭酸プロピレン、１．１２ｇ （５ミリモル）の３−ブロモ−ベンゾトリフロリド、０．７６ｇ（７．５ミリモ ル）のトリエチルアミン、および０．７５ｇ（７．５ミリモル）のブチルビニル エーテルを加える。その反応混合物を、１２０℃に２０時間加熱する。それを室 温に冷却し、２００ｍｇのヘキサデカン（内部標準）、および１５ｍｌのジエチ ルエーテルを加える。その混合物を、ＧＣによって分析する。 例５：異なる溶媒 ３−トリフルオロメチル−１−ブトキシスチレン ２６ｍｇ（０．０２５ミリモル）のビス−（ジベンザルアセトン）−クロロホ ルム−パラジウム、および２７ｍｇ（０．１ミリモル）のトリフェニルホスフィ ンを、アルゴン下でシュレンク管内に入 れる。４ｍｌの溶媒、１．１２ｇ（５ミリモル）の３−ブロモ−ベンゾトリフロ リド、０．７６ｇ（７．５ミリモル）のトリエチルアミン、および０．７５ｇ（ ７．５ミリモル）のブチルビニルエーテルを加える。その反応混合物を、１２０ ℃に２０時間加熱する。それを室温に冷却し、２００ｍｇのヘキサデカン（内部 標準）、および１５ｍｌのジエチルエーテルを加える。 その混合物を、ＧＣによって分析する。 例６：異なるリガンド ３−トリフルオロメチル−１−ブトキシスチレン ２６ｍｇ（０．０２５ミリモル）のビス−（ジベンザルアセトン）−クロロホ ルム−パラジウム、および０．１ミリモルのリガンドを、アルゴン下でシュレン ク管内に入れる。４ｍｌのＮ，Ｎ^-ジメチルアセトアミド、１．１２ｇ（５ミリ モル）の３−ブロモ−ベンゾトリフロリド、０．７６ｇ（７．５ミリモル）のト リエチルアミン、および０．７５ｇ（７．５ミリモル）のブチルビニルエーテル を加える。その反応混合物を、１２０℃に２０時間加熱する。それを、室温に冷 却し、２００ｍｇのヘキサデカン（内部標準）、および１５ｍｌのジエチルエー テルを加える。その混合物をＧＣで分析する。 例７：３−ブロモ−ベンゾトリフロリド（遊離体）の製造 ３２８０ｇの臭素を、６０４６ｇのベンゾトリフロリド、６８ｇのＦｅＣｌ₃ 、および２ｇのＳｉＯ₂の混合物に対して、約２０℃で約２時間以内で加える。 次いで、約７時間以内で、約４０℃まで反応温度をゆっくりと上げ、３００ｇの 水と１３０ｇのＮａ₂Ｓ₂Ｏ₃を加えて、約１５分間攪拌する。相を分離し、有機 相を蒸留して、４１６０ｇのブロモ−ベンゾトリフロリド（異性体の比３：４が ９６：４）、および３２９０ｇのベンゾトリフロリドを得て、後者をリサイクル する。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年５月１１日（１９９９．５．１１） 【補正内容】 請求の範囲 １．ａ）式II （式中、Ｘは塩素、臭素またはヨウ素、好ましくは臭素；Ｙおよびｍは下記の式 Ｉで定義される通り） の化合物を、溶媒中、塩基および一座配位または二座配位のホスフィンリガンド を含むパラジウム化合物の触媒量の存在下で、式IIIａのビニルエーテルまたは 式IIIｂのエナミド、 ＣＨ₂＝ＣＨ−ＯＲ₁（IIIａ） ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｎ（Ｒ₂）−ＣＯ−Ｒ₃（IIIｂ） （式中、Ｒ₁およびＲ₂は、互いに独立に、各々の基が置換されていてもよいＣ₁ 〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆ シクロアルキル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキル、またはＣ₁〜Ｃ₈アシルであり、 Ｒ₃は、各々の基が置換されていてもよいＣ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケ ニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、またはフェニル −Ｃ₁〜Ｃ₂アルキルである） と反応させて、 ｂ）得られた式ＩＶａ、およびＩＶｂ それぞれの中間体を、式Ｉ（式中、Ｙはその反応に対して不活性な基、好ましくはヒドロカルビルであり； および ｍは０〜４；好ましくは０である） の化合物に加水分解する、式Ｉの化合物の製造方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ， ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，Ｌ Ｓ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ， ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，Ｍ Ｄ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ， ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，Ｕ Ｚ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ａ）式II （式中、Ｘは塩素、臭素またはヨウ素、好ましくは員素；Ｙおよびｍは下記の式 Ｉで定義される通り） の化合物を、溶媒中、塩基および一座配位または二座配位のホスフィンリガンド を含むパラジウム化合物の触媒量の存在下で、式IIIａのビニルエーテルまたは 式IIIｂのエナミド、 ＣＨ₂＝ＣＨ−ＯＲ₁ （IIIａ） ＣＨ₂＝ＣＨ−Ｎ（Ｒ₂）−ＣＯ−Ｒ₃（IIIｂ） （式中、Ｒ₁およびＲ₂は、互いに独立に、各々の基が置換されていてもよいＣ₁ 〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆ シクロアルキル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキル、またはＣ₁〜Ｃ₈アシルであり、 Ｒ₃は、各々の基が置換されていてもよいＣ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₈アルケ ニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、またはフェニル −Ｃ₁〜Ｃ₂アルキルであり、 Ｒ₃は、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルケニル、Ｃ₁〜Ｃ₈アルコキシアルキ ル、Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル、またはフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₂アルキルである） と反応させて、 ｂ）得られた式ＩＶａ、およびＩＶｂ それぞれの中間体を、式Ｉ（式中、Ｙはその反応に対して不活性な基、好ましくはヒドロカルビルであり； および ｍは０〜４；好ましくは０である） の化合物に加水分解する、式Ｉの化合物の製造方法。 ２．前記パラジウム化合物が、ビス−（ジベンザルアセトン）−パラジウム、 酢酸パラジウム、二塩化パラジウム、二臭化パラジウム、トリフルオロ酢酸パラ ジウム、パラジウム ジホスフィン ハロゲン化物複合体および酢酸塩複合体、 およびパラジウム テトラクロロ複合体から選ばれ；好ましくはビス−（ジベン ザルアセトン）パラジウムである請求項１に記載の方法。 ３．前記ホスフィンリガンドがアリールホスフィンである請求項１に記載の方 法。 ４．前記ホスフィンリガンドが、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニル ホスフィン、および１，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパンから選ば れ；好ましくはトリフェニルホスフィンである請求項３に記載の方法。 ５．前記パラジウム化合物の量が、式IIの化合物に対して、０．０１〜１０モ ル％、好ましくは０．１〜１モル％である請求項１に 記載の方法。 ６．前記ホスフィンに対するパラジウムのモル比が、１：１〜１：４、好まし くは約１：２である請求項１に記載の方法。 ７．前記反応工程ａ）のための溶媒が、非プロトン性の極性溶媒、好ましくは 炭酸プロピレン、アニソール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル アセトアミド、ジメチルホルムアミド、テトラメチル尿素、ガンマ−ブチロラク トン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、およびジメチルスルホキシドである 請求項１に記載の方法。 ８．前記塩基がアミン、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭 酸塩、炭酸水素塩およびリン酸塩；およびカルボン酸の塩から選ばれる請求項１ に記載の方法。 ９．前記反応工程ａ）が、５００Ｃ〜２００℃、好ましくは７０℃〜１５０℃ で行われ；反応工程ｂ）が０℃〜７０℃で行われる請求項１に記載の方法。 １０．３−ブロモ−ベンゾトリフロリドが、式IIIａ ＣＨ₂＝ＣＨ−ＯＲ₁ （IIIａ） （式中、Ｒ₁はＣ₁〜Ｃ₈アルキル；好ましくはＣ₄〜Ｃ₆アルキルである） のビニルエーテルと反応される、３−トリフルオロメチルアセトフェノンの製造 のための請求項１に記載の方法。