JP2002503829A - ポジ作用光誘電性組成物 - Google Patents

ポジ作用光誘電性組成物

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JP2002503829A JP2000531767A JP2000531767A JP2002503829A JP 2002503829 A JP2002503829 A JP 2002503829A JP 2000531767 A JP2000531767 A JP 2000531767A JP 2000531767 A JP2000531767 A JP 2000531767A JP 2002503829 A JP2002503829 A JP 2002503829A
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チュー,チェンゼン
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アイソラ・ラミネート・システムズ・コーポレーション
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Abstract

(57)【要約】 化学線に露光すると酸を発生させることができる光酸発生剤、有機酸無水物ポリマー、エポキシ、窒素含有硬化触媒、及び任意成分のフェノール含有モノマー又はポリマーを有するポジ作用光結像性組成物を開示する。写真要素は、基板上にこの組成物をコートし乾燥させたものである。ポジ作用性画像は、その要素を画像を化学線に形成するように露光し、場合により後焼付けし、そして現像液で現像することにより製造される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の分野】
本発明は、写真平版法によるマイクロデバイス製作に関する。より特定的には
、本発明は、電子回路において永久誘電体として使用することができる感光性組
成物に関する。
【0002】
【先行技術の説明】
米国特許第3,666,473号;第4,115,128号及び第4,173
,470号に記載されたもののようなポジフォトレジスト組成物を製造すること
は、当業者に知られている。これらは、光感受性材料と共に非水溶性のアルカリ
水溶解性樹脂を含む。コートされた基板の一部を画像を形成するように化学線に
露光すると、その感光剤はアルカリ溶解性となるので、そのコーティングの露光
域は非露光域より溶けやすくなる。この溶解速度の差は、その基板をアルカリ性
現像液に浸した際、そのフォトレジストコーティングの露光域を溶解させる一方
で、非露光域は大きくは影響されないので、その基板上にポジレリーフパターン
を生ずる。露光され現像された基板は、通常、その後エッチング処理を受ける。
フォトレジストコーティングは、その基板のコート域をエッチング剤から保護す
るので、エッチング剤は、化学線に露光された領域に対応するその基板の非コー
ト域だけをエッチングすることができる。従って、現像の前に、コートされた基
板上に選択的露光パターンを造るため使用されたマスクのパターンに対応するエ
ッチングパターンを、その基板上に造ることができる。この方法により生ずる基
板上のフォトレジストのレリーフパターンは、小型化された集積回路の製作を含
む種々の用途に有用である。
【0003】 集積回路を配線結合する能力が技術の限界に到達するにつれて、チップの密度
が増加し、益々板面積を利用することが必要となっている。このことは、多層板
の外表面上に有意な量の相互連絡(interconnection)を有する高密度パッケー ジについて、並びにブラインドマイクロビア(blind microvia)の増加する使用
についての必要性をかりたてている。樹脂をコートした銅は、高密度堆積多層印
刷回路板を加工するために使用されている。現在のところ、そのような回路板に
おけるマイクロビアは、プラズマエッチング及びレーザードリリングを含む2つ
の方法により製造される。かくして、プラズマ又はレーザービアホール加工に従
事する加工者だけが、これらの進歩したブラインドビア板を提供することができ
る。プラズマ及びレーザー装置の高いコストは、樹脂コート銅の技術を広く採用
する妨げとなっている。そのうえ、プラズマの等方性エッチングによるアンダー
カット及びレーザーによる逐次的ドリリングによる低処理量のようなプラズマエ
ッチング及びレーザードリリングに付随する技術的不利益も、樹脂コート銅に基
づく高密度多層回路板の大規模商業化を制限している。光画定性(photodefinab
le)樹脂コート銅は、写真平版法によるマイクロビアの大量生産を可能とし、プ
ラズマ及びレーザーマイクロビア技術に関連する問題に対処するため開発された
。本発明は、水性現像可能なポジ作用(positive acting)光誘電性組成物であ って、光樹脂コート銅(photo resin coated copper)の技術によってマイクロ ビアを大量生産するために使用することができる組成物を提供する。本組成物は
、はんだマスクを製造することにも有用である。
【0004】 光樹脂コート銅は、写真平版法によるマイクロビアの大量生産を可能とする。
回路板加工者は写真平版法能力を有するので、その新しい技術を容易に採用する
ことができる。そのうえ、マイクロビアの光画定性(photodefinition)は、プ ラズマ法及びレーザー法それぞれに付随するアンダーカット問題及び低処理量の
問題を回避することができる。本発明は、水性現像可能なポジ作用光画定性樹脂
であって、光樹脂コート銅の技術を可能とする樹脂を提供する。
【0005】 写真平版法に有用な画像形成フォトレジストは、米国特許第4,968,58
1号及び第5,081,001号に例示されるように当技術分野においてよく知
られている。しかし、最も商業的なポジフォトレジストは永久誘電体としてデザ
インされておらず、マイクロデバイス製作の間に取り除かれる。商業的なフォト
レジスト組成物は、乏しい熱及び光安定性、高い水分吸収、及び不十分な誘電特
性を欠点として持っているので、永久的用途には適していない。本発明は、電子
回路において永久誘電体として使用することができる永久フォトレジストのため
の光誘電性組成物を提供する。この光誘電体はエポキシに基づいており、電子産
業において現在使用されている通常よくあるエポキシ誘電体と類似している。最
終硬化の後、この光誘電体は、優れた熱及び光安定性と良好な誘電性能とを提供
する。
【0006】 本組成物は、エポキシ樹脂類、スチレンマレイン酸無水物(SMA)コポリマ
ー類のような無水物ポリマー類、アミン触媒、光酸(photo acid)、及びフェノ
ール樹脂のような任意成分のフェノール含有ポリマー類を含む。アミン触媒は、
SMAとエポキシとの間及び/又はフェノールとエポキシとの間の硬化反応を触
媒する。光に曝すと、その光酸から酸が発生する。その酸はそのアミン触媒を中
和し、その触媒活性を減少させる。従って、露光した樹脂は、熱焼付けの間に露
光していない樹脂よりずっと遅く硬化する。硬化速度における差は、露光及び露
光していない樹脂の間の現像液中での溶解性の差をもたらす。その樹脂のフィル
ムをフォトマスクを通して光に曝す際、現像後にそのマスクのフィーチャー(fe
ature)特徴をそのフィルムに再生することができる。光曝露は熱硬化を抑制し 、露光部分を非露光部分より溶けやすくすることから、ポジ画像が得られる。
【0007】 本光誘電性組成物は種々の基板上にコートすることができる。望ましい構造体
は、写真平版法により得ることができる。その熱及び光安定性、及び良好な誘電
特性、並びにその優れた光分解能のために、この光誘電体は、マイクロビアのよ
うな細かいフィーチャーが要求される印刷配線板及び高密度パッケージング相互
連絡基板に永久誘電体として使用することができる。
【0008】
【発明の要旨】
本発明は、化学線に露光すると酸を発生させることができる少なくとも1の光
酸発生剤、少なくとも1の有機酸無水物モノマー又はポリマー、少なくとも1の
エポキシ、少なくとも1の窒素含有硬化触媒、及び、任意成分の芳香族ヒドロキ
シル基含有モノマー、ポリマー、又はそれらの混合物を含んでなるポジ作用光結
像性組成物を提供する。
【0009】 本発明は、また、基板及びその基板上の乾燥したポジ作用光結像性組成物を含
んでなる写真要素であって、その組成物が、化学線に露光すると酸を発生させる
ことができる少なくとも1の光酸発生剤、少なくとも1の有機酸無水物モノマー
又はポリマー、少なくとも1のエポキシ、少なくとも1の窒素含有硬化触媒、及
び、任意成分の芳香族ヒドロキシル基含有モノマー、ポリマー、又はそれらの混
合物を含んでなる要素を提供する。
【0010】 本発明は、更に、ポジ画像を形成する方法であって、 a)基板及びその基板上の乾燥したポジ作用光結像性組成物を含んでなる写真
要素であって、その組成物が、化学線に露光すると酸を発生させることができる
少なくとも1の光酸発生剤、少なくとも1の有機酸無水物モノマー又はポリマー
、少なくとも1のエポキシ、少なくとも1の窒素含有硬化触媒、及び、任意成分
の芳香族ヒドロキシル基含有モノマー、ポリマー、又はそれらの混合物を含んで
なる要素を提供し; b)その組成物を十分な化学線に画像を形成するように露光して、それによっ
てその組成物の画像形成露光部分及び画像形成非露光部分を提供し;そして c)その組成物の画像形成露光部分を現像液で取り除くこと を含んでなる方法を提供する。
【0011】
【好ましい態様の詳細な説明】
本発明の実施において、ポジ作用光結像性組成物を、化学線に露光すると酸を
発生させることができる光酸発生剤、有機酸無水物モノマー又はポリマー、エポ
キシ、窒素含有硬化触媒、及び、任意成分のフェノール含有モノマー又はポリマ
ーを混ぜることによって製造する。
【0012】 本明細書中で使用する光酸発生剤は、紫外線のような化学線に露光すると酸を
発生させるものである。光酸発生剤は光結像技術分野において知られており、ス
ルホニウム塩、ヨードニウム塩、及びジアゾニウム塩のアリール誘導体のような
オニウム化合物、及び、光不安定性ハロゲン原子を有する有機化合物を含むが、
これらに限定されない。
【0013】 好ましい光酸発生剤には、ヘキサフルオロリン酸アニオン、ヘキサフルオロア
ンチモン酸アニオン、ヘキサフルオロ砒酸アニオン、及びテトラフルオロホウ酸
アニオンと共にトリアリルスルホニウム塩及びジアリルヨードニウム塩が含まれ
る。適するヨードニウム塩類の非制限的な例は、ジフェニルヨードニウム、ジナ
フチルヨードニウム、ジ(4−クロロフェニル)ヨードニウム、トリル(ドデシ
ルフェニル)ヨードニウム、ナフチルフェニルヨードニウム、4−(トリフルオ
ロメチルフェニル)フェニルヨードニウム、4−エチルフェニル−フェニルヨー
ドニウム、ジ(4−アセチルフェニル)ヨードニウム、トリルフェニルヨードニ
ウム、4−ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、ジ(4−フェニルフェニル
)ヨードニウムなどの塩類である。ジ−フェニルヨードニウム塩類が好ましい。
適するスルホニウム塩類の非制限的な例は、トリフェニルスルホニウム、ジメチ
ルフェニルスルホニウム、トリトリルスルホニウム、ジ(メトキシナフチル)メ
チルスルホニウム、ジメチルナフチルスルホニウム、4−ブトキシフェニルジフ
ェニルスルホニウム、及び4−アセトキシ−フェニルジフェニルスルホニウムの
塩類である。トリフェニルスルホニウム塩類が好ましい。光不安定性ハロゲン原
子を有する有機化合物には、α−ハロ−p−ニトロトルエン類、α−ハロメチル
−s−トリアジン類、四臭化炭素などが含まれる。これらの酸発生剤は、単一で
又は2若しくはそれ以上を組合わせて使用することができる。
【0014】 本光酸発生剤成分は、好ましくは、本組成物の非溶媒部分の全重量の約0.0
5%〜20%、より好ましくは約0.2%〜10%、及び最も好ましくはその組
成物の非溶媒部分の重量基準で約0.5%〜5%の量で存在する。
【0015】 次に、本組成物は、有機酸無水物モノマー又はポリマー成分を含有する。適す
る酸無水物類は、約500〜50,000、好ましくは約1,000〜10,0
00の数平均分子量を有する無水物機能性ポリマーである。適する無水物の非制
限的な例は、スチレン−マレイン酸無水物、スチレン−メタクリル酸アルキル−
イタコン酸無水物、メタクル酸メチル−アクリル酸ブチル−イタコン酸無水物、
アクリル酸ブチル−スチレン−マレイン酸無水物などを含む。約1:1〜3:1
のスチレンのマレイン酸無水物に対するモル比を有するスチレン−マレイン酸無
水物ポリマーが好ましい。ドデセニルコハク酸無水物、トリメリト酸無水物、ク
ロロエンド(chloroendic)酸無水物、フタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフ タル酸無水物、1−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸
無水物、メチルナジン(methylnadic)酸無水物、メチルブテニルテトラヒドロ フタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロヘキ
センジカルボン酸無水物も適している。これらの酸無水物は、単独で又はそれら
の2若しくはそれ以上を組合わせて使用することができる。
【0016】 この無水物成分は、好ましくは、本組成物の非溶媒部分の重量基準で約10%
〜90%、より好ましくは約20%〜80%、及び最も好ましくは約35%〜6
5%の量でその組成物中に存在する。
【0017】 次に、本組成物はエポキシ成分を含有する。そのエポキシは、それらの主鎖及
び置換基の構造、並びに、分子量、等価エポキシ重量(equivalent epoxy weigh
t)(EEW)、及び1分子当たりのエポキシ基の数が変動してもよい。適する エポキシは、約100〜20,000、好ましくは約200〜5,000の数平
均分子量を有し、約50〜10,000、好ましくは約100〜2,500のE
EWを有し、そして、1分子当たり約1〜40、好ましくは約2〜10の平均値
のエポキシ基を有する。
【0018】 特に適するエポキシ樹脂には、例えば、レゾルシノール、カテコール、ヒドロ
キノン、ビフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノール
K、テトラブロモビスフェノールA、フェノール−ホルムアルデヒドノボラック
樹脂、アルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、フェノール−ヒドロキ
シベンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ジシ
クロペンタジエン−フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン−置換フェノール樹
脂テトラメチルビフェノール、テトラメチル−テトラブロモビフェノールのジグ
リシジルエーテル類、それらのあらゆる組み合わせなどが含まれる。ジヒドロキ
シフェノール類、ビフェノール類、ビスフェノール類、ハロゲン化ビスフェノー
ル類、アルキル化ビスフェノール類、トリスフェノール類、フェノール−アルデ
ヒドノボラック樹脂、ハロゲン化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、アル
キル化フェノールアルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズア
ルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂のエチレンオキシ
ド、プロピレンオキシド、又はブチレンオキシド付加体、それらのあらゆる組み
合わせのような、1分子当たり1より多い芳香族ヒドロキシル基をもつ化合物の
アルキレンオキシド付加体も適している。脂肪族ポリオール類及びポリエーテル
ポリオール類のような1分子当たり1より多い平均値の脂肪族ヒドロキシル基を
有する化合物のグリシジルエーテル類も適している。非制限的な例には、ポリエ
チレングリコール類、ポリプロピレングリコール類、グリセロール、トリメチロ
ールプロパン、ブタンジオール、ソルビトール、ペンタエリトリトールのジグリ
シジルエーテル類、及びそれらの組み合わせが含まれる。
【0019】 本エポキシ成分は、本組成物の非溶媒部分の重量基準で、好ましくは約10%
〜90%、より好ましくは約20%〜80%、及び最も好ましくは約35%〜6
5%の量で存在する。 エポキシの無水物に対するモル比は、好ましくは0.1〜10、より好ましく
は0.2〜5、最も好ましくは0.5〜2.0である。
【0020】 次に、本組成物は、エポキシと無水物と任意成分のフェノール類との間の硬化
を触媒する窒素含有触媒を含有する。好ましい触媒は、第2及び第3アミン類並
びにホスフィン類及びアルシン類及びそれらのブレンドである。好ましいアミン
触媒は、イミダゾール類であり、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、
2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメ
チルイミダゾール、2−ヘキシルイミダゾール、2−シクロヘキシルイミダゾー
ル、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−
ベンジルイミダゾール、1−エチル−2−メチルベンズイミダゾール、2−メチ
ル−5,6−ベンズイミダゾール、1−ビニルイミダゾール、1−アリル−2−
メチルイミダゾール、2−シアノイミダゾール、2−クロロイミダゾール、2−
ブロモイミダゾール、1−(2−ヒドロキシプロピル)−2−メチルイミダゾー
ル、2−フェニル−4,5−ジメチロールイミダゾール、2−フェニル−4−メ
チル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−クロロメチルベンズイミダゾー
ル、2−ヒドロキシベンズイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール
、2−シクロヘキシル−4−メチルイミダゾール、2−ブトキシ−4−アリルイ
ミダゾール、2−カルボエチオキシブチル,4−メチル−イミダゾール、2−メ
チル−4−メルカプトエチルイミダゾール、及び2−フェニルイミダゾールであ
る。より好ましいのは、1−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2
−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−メチル−
4−ニトロイミダゾール、4−メチルイミダゾールである。それらの特性及び構
造式を含むイミダゾール類及びベンズイミダゾール類の詳細な化学的説明は、ニ
ューヨークのInterscience Publishers, Inc. により出版された “Imidazole a
nd Its Derivates”(1953)と題するKlaus Hofmannによる書籍中に見られ る。
【0021】 本発明で使用することができる他の好ましい複素環式第2及び第3アミン類又
は窒素含有化合物には、例えば、イミダゾリジン類、イミダゾリン類、オキサゾ
ール類、ピロール類、チアゾール類、ピリジン類、ピラジン類、モルホリン類、
ピリダジン類、ピリミジン類、ピロリジン類、ピラゾール類、キノキサリン類、
キナゾリン類、フィハロジン(phihalozines)キノリン類、プリン類、インダゾ
ール類、インドール類、インドラジン類、フェナジン類、フェナルサジン類、フ
ェノチアジン類、ピロリジン類、インドリン類、ピペリジン類、ピペラジン類、
及びそれらの組み合わせが含まれる。
【0022】 1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,4−ジアザビシ
クロ[2.2.2]オクタン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ
−7−エンのような他の脂肪族環式アミン類も適している。
【0023】 例えば、オクチルジメチルアミン、トリス−ジメチルアミノメチルフェノール
、ベンジルジメチルアミン、N,N−ジメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
メチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルブタン−ジアミン、N,N,
N’,N’−テトラメチルヘキサン−ジアミン、トリイソオクチルアミン、N,
N−ジメチルアニリン、トリフェニルアミンなどのような第2及び第3非環式ア
ミン類も好ましい。
【0024】 適するホスフィン類には、例えば、トリフェニルホスフィン、トリメチルホス
フィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリペンチルホスフ
ィン、トリヘプチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリノニルホスフィ
ン、トリデシルホスフィン、トリドデシルホスフィン、ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)−メタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)−エタン、1,3−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)−プロパン、1,2−ビス(ジメチルホスフィノ)
−エタン、1,3−ビス(ジメチルホスフィノ)−プロパン、及びそれらの組み
合わせが含まれる。適するアルシン類には、例えば、トリフェニルアルシン、ト
リブチルアルシン、及びそれらの組み合わせが含まれる。
【0025】 本触媒量は、好ましくは、本組成物の非溶媒部分の約0.01〜10重量%、
より好ましくは約0.02〜5重量%、及び最も好ましくは約0.05〜2重量
%の量で存在する。
【0026】 次に、本組成物は、フェノール性モノマー又はポリマー又はそれらの混合物の
ような任意成分の芳香族ヒドロキシル基含有化合物を含有する。本発明で使用す
ることができる適する芳香族ヒドロキシル基含有化合物には、1分子当たり1よ
り多い平均値のフェノールヒドロキシル基を有する化合物が含まれる。適するそ
のような化合物には、例えば、ジヒドロキシフェノール類、ビ−フェノール類、
ビスフェノール類、ハロゲン化ビスフェノール類、アルキル化ビスフェノール類
、トリスフェノール類、フェノール−アルデヒド樹脂、ハロゲン化フェノール−
アルデヒドノボラック樹脂、アルキル化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂
、フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、アルキル化フェノール−ヒド
ロキシベンズアルデヒド樹脂;ジヒドロキシフェノール類、ビフェノール類、ビ
スフェノール類、ハロゲン化ビスフェノール類、アルキル化ビスフェノール類、
トリスフェノール類、フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、ハロゲン化フェ
ノール−アルデヒドノボラック樹脂、アルキル化フェノール−アルデヒドノボラ
ック樹脂、クレゾール−アルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ビニルフ
ェノールポリマーのエチレンオキシド、プロピレンオキシド、又はブチレンオキ
シド付加体、それらのあらゆる組み合わせなどが含まれる。
【0027】 フェノール含有化合物又はポリマーを使用する際、それは、好ましくは、本組
成物の非溶媒部分の重量基準で約1%〜50%、より好ましくは約5%〜40%
、及び最も好ましくは約10%〜30%の量で存在する。 フェノール含有化合物又はポリマーを使用する際、その触媒量は、好ましくは
、本組成物の非溶媒部分の重量基準で約0.01%〜10%、より好ましくは約
0.02%〜5%、及び最も好ましくは約0.05%〜2%の量で存在する。
【0028】 フェノール含有化合物又はポリマーを使用する際、その光酸量は、好ましくは
、本組成物全体の非溶媒部分の重量基準で約0.05%〜20%、より好ましく
は約0.2%〜10%、及び最も好ましくは約0.5%〜5%の量で存在する。 フェノール含有化合物又はポリマーを使用する際、そのエポキシは、好ましく
は、本組成物全体の非溶媒部分の重量基準で約10%〜90%、より好ましくは
約20%〜70%、及び最も好ましくは約30%〜60%の量で存在する。
【0029】 フェノール含有化合物又はポリマーを使用する際、その無水物は、好ましくは
、本組成物全体の非溶媒部分の重量基準で約10%〜90%、より好ましくは約
20%〜70%、及び最も好ましくは約30%〜60%の量で存在する。 フェノール含有化合物又はポリマーを使用する際、エポキシの無水物及びフェ
ノール類の組合せに対するモル比は、約0.1〜10、より好ましくは約0.2
〜5、及び最も好ましくは約0.5〜2.0である。無水物のフェノール類に対
するモル比は、約20〜0.5、好ましくは約10〜1.0である。
【0030】 本発明の組成物中に任意に含むことができる他の添加物は、充填剤、染料及び
顔料のような着色料、界面活性剤、難燃剤、可塑剤、酸化防止剤などである。本
発明に使用することができる着色料の他を排除しない例は次の通りである:パー
マネントイエローG(C.I.21095)、パーマネントイエローGR(C.
I.21100)、パーマネントイエローDHG(C.I.21090)、パー
マネントルビーL6B(C.I.15850:1)、パーマネントピンクF3B
(C.I.12433)、ホスタパームピンクE(73915)、ホスタパーム
レッドバイオレットER(C.I.46500)、パーマネントカルミンFBB
(12485)、ホスタパームブルーB2G(C.I.74160)、ホスタパ
ームブルーA2R(C.I.74160)、及びプリンテックス25。使用する
ことができる界面活性剤は、例えば、本組成物の10重量%まででノニルフェノ
キシポリ(エチレンオキシ)エタノール;オクチルフェノキシエタノールを含む
。使用することができる可塑剤は、例えば、本組成物の10重量%まででリン酸
トリ−(β−クロロエチル)−エステル;ステアリン酸;ジカンファー;ポリプ
ロピレン;アセタール樹脂;フェノキシ樹脂;及びアルキル樹脂を含む。それら
可塑剤添加物は、本材料のコーティング特性を向上させ、なめらかでかつ均一な
厚さのフィルムの基板への適用を可能にする。
【0031】 本組成物は、それら成分をそれら成分と適合性である適する溶媒と共にブレン
ドすることによって調製することができる。有用な溶媒には、アルコール類、エ
ーテル類、エステル類、ケトン類が含まれ、特に酢酸エステルである。好ましい
溶媒には、特に、テトラヒドロフラン、イソブチル酸イソブチル、プロピレング
リコール一メチルエーテル及びメチルセロソルブのようなグリコールエーテル類
、エタノール及びn−プロパノールのようなアルコール類、及びアセトン、メチ
ルエチルケトン(MEK)のようなケトン類、酢酸ブチル、キシレン、エチレン
グリコールモノメチルエーテル酢酸エステル、及びプロピレングリコールモノメ
チルエーテル酢酸エステルが含まれる。それらコーティング溶媒は、全組成物の
95重量%までの量でその組成物全体にわたって存在することができる。溶媒は
、もちろん、その溶液を基板上にコートし乾燥させた後に、実質的に取り除かれ
る。一般に、その溶媒組成物は、適切な基板に適用したらそのコーティング組成
物から蒸発する。しかし、ほんのわずかな量の溶媒は残留物として残ってもよい
【0032】 次いで、調製した溶媒溶液組成物を、スピンコーティング、スロットダイコー
ティング、押出し、Meyerロッド引き延ばし法、ブレード引き延ばし法、ス
クリーンコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、又はス
プレーコ−ティングのようなよく知られている手法により基板上にコートされる
が、これらに限定されるものではない。有用な基板の例には、アルミニウム、ア
ルミニウム合金、及び他の金属のような金属、及び、スチール、ステンレス鋼、
亜鉛、銅、及びクロムのような合金、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィル
ム、及びエポキシのようなポリマー、シリコンウェーハー、ガリウム砒素、ガラ
スなどが含まれる。そのコーティングを、高温で焼付けすることにより乾燥させ
るか又は固化させる。その焼付け条件は、その樹脂が完全に硬化することなく不
粘着性の乾燥フィルムを形成するように選択される。それら焼付け条件は、その
配合に伴って有意に変動する。焼付けは、典型的に、約50℃〜150℃、好ま
しくは約80℃〜120℃の温度で、約0.5〜60分間、好ましくは約1〜2
0分間行うことができる。そのコーティングを基板に適用したら、それら溶媒は
蒸発して、約0.7〜2g/m2、より好ましくは約1.0〜1.8g/m2、及
び最も好ましくは約1.2〜1.5g/m2の乾燥コーティング重量をもたらす 。
【0033】 本感光性組成物をその基板上に薄いか又は厚いフィルムに形成したら、光透過
領域の輪郭を描くために化学線をそのフィルム上に向ける。その照射パターンは
、その感光性組成物が望ましいパターンで画像を形成し、そしてそのフィルムの
他の領域が反応を起こさないままであるように、選択されなければならない。本
発明の感光性樹脂は、その組成物を、必要な波長と強度の化学線に必要な時間曝
すことによって慣用的に像を形成する。本明細書に使用される“化学線”は、可
視、紫外、又は赤外領域のスペクトルの光、並びに電子ビーム、イオン又は中性
子ビーム、又はX線として定義される。化学線は、非干渉性光又は、例えば、レ
ーザーからの光である干渉性光の形態であってもよい。化学線の線源、及び露光
手順、時間、波長及び強度は、望ましい光反応の程度及び当業者に知られている
他の諸因子に依存して広く変動することができる。そのような通例の光反応プロ
セス及びそれらの操作パラメーターは、当技術分野においてよく知られている。
化学線の線源及びその線の波長は広く変動することができ、あらゆる通例の波長
及び線源を使用することができる。水銀蒸気放電ランプは金属ハロゲンランプに
まさって好ましい。炭素アーク、パルス化キセノン、及びレーザーのような他の
線源も使用することができる。光吸収性フィルターを使用して、それら材料にお
ける光の散乱を減少させることができる。プロセシングの前に普通に遭遇する光
(例えば、室光)への曝露により早期に反応しないように、光化学励起を比較的
短い波長(又は高いエネルギー)線で行うのが好ましい。また、そのプロセシン
グは、レーザーのような高い強度の化学線源により開始される多光子プロセスを
利用することができる。従って、300〜400nmの波長の紫外光への曝露は
都合がよい。190〜300nmの波長の深い紫外光による曝露も有用である。
都合がよい線源は、プロセシングに望ましい波長を選択するため適切な光学フィ
ルターを備えた高圧キセノン又は水銀―キセノンアークランプである。
【0034】 化学線の空間的プロフィール、すなわち、それが感光性材料層のどこにあたる
かの制御は、通例の方法により達成することができる。例えば、一つの通例の方
法において、望ましい光透過パターンをもつマスクをその化学線源とその感光性
組成物フィルムとの間に置く。そのマスクは、その線がそのフィルム表面の望ま
しい領域だけにあたることを可能にする透明な領域及び不透明な領域を有する。
薄いフィルムのマスク露光は当技術分野においてよく知られており、そのフィル
ム上に光透過パターンを印刷するための接触、近接、及び投影手法が含まれ得る
。その感光性組成物を露光して、その感光性ポリマーの前もって決められたパタ
ーンをその基板の表面上に形成してから、そのパターンを後焼付けする。その後
焼付け条件は、非露光域が露光域より速く硬化するように選択され、それは現像
溶液において後者より低い前者の溶解性により示される。適切な後焼付け条件は
、その配合及び光曝露に伴い有意に変動する。典型的な後ベーキングは、約90
℃〜200℃、好ましくは約110℃〜170℃の温度で、約0.5〜60分間
、好ましくは約1〜20分間行なわれる。
【0035】 基板上の後焼付けされたフィルムを現像して露光域を取り除くと、前もって決
められたパターンがあとに残る。例えば、スプレー現像及び浸漬現像などのあら
ゆる通例の現像方法を使用することができる。スプレー現像が好ましい。本発明
の組成物は、例えば、塩化メチレン、メチルエチルケトン、γ−ブチロラクトン
、アセトンなどのような普通の有機溶媒、及び、例えば、炭酸塩類、水酸化物類
、アミン類などの水溶液を含む種々の現像液を用いて現像することができる。水
性現像液が好ましい。適する水性現像液の例には、リン酸塩類、ケイ酸塩類、メ
タケイ酸塩類、水酸化物類、又はメタ重亜硫酸塩類の水溶液が含まれるがこれら
に限定されない。そのようなものには、水中の、モノ−、ジ−及びトリアルカリ
金属リン酸塩、ケイ酸ナトリウムのようなアルカリ金属ケイ酸塩類、アルカリ金
属メタケイ酸塩及びアルカリメタ重亜硫酸塩、及び、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム及び水酸化アンモニウムのようなアルカリ金属水酸化物類の溶液、モノ
エタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが含まれるが他を排除
するものではない。典型的な現像液組成物はアルカリ性であり、約8〜14、好
ましくは約10〜14のpH範囲を有する。それら現像液は、当技術分野で認識
されている界面活性剤、緩衝液、改質剤、及び他の成分も含有してもよい。2−
ブトキシエタノールのような界面活性剤又は他の有機改質剤を、その現像溶液に
任意に添加することができる。水性現像液の濃度は、好ましくは約0.5〜20
%、より好ましくは約1〜10%である。その現像液温度は、およそ室温から約
65℃、好ましくは約35〜50℃の範囲である。その現像時間は、好ましくは
約10秒〜20分、より好ましくは約0.5〜10分である。現像後、その基板
を脱イオン水ですすぎ、乾燥させ、そして場合により更に焼付けして更なる硬化
をもたらす。このようにして製造される層は、電子デバイスにおける誘電体又は
はんだマスクとしての用途がある。 次の非制限的な実施例は、本発明を例示するのに役立つ。
【0036】
【実施例】
実施例1 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる8重量%のEP
ON1001F及びNagase Chemicalによる16重量%のDenacolEX− 512、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc. による
24重量%のSMA、光酸としてSartomer Companyからの2.5重量%のCD1
011、0.3重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI)、及び
溶媒として49.2重量%のメチルエチルケトン(MEK)を室温において黄色
光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混合物を50
〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを90℃オー
ブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石英マスクを
通した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での60秒の曝 露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充分であるこ
とが分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホールをもた
らすようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコーティング
を150℃オーブンで2分間焼付けし、2%NaOH水溶液中での浸漬により現
像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成された。
【0037】 実施例2 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる8重量%のEP
ON1001F及びNagase Chemicalによる16重量%のDenacolEX− 614B、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.によ る24重量%のSMA、光酸としてSartomer Companyからの2重量%のCD10
11、0.1重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI)、及び溶
媒として49.9重量%のメチルエチルケトン(MEK)を室温において黄色光
のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混合物を50〜
100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを90℃オーブ
ンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石英マスクを通
した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での60秒の曝露 が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充分であること
が分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホールをもたら
すようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコーティングを
150℃オーブンで5分間焼付けし、2%NaOH水溶液中での浸漬により現像
した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成された。
【0038】 実施例3 1種のエポキシモノマーとしてNagase Chemicalによる24重量%のDena colEX−512、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem
Inc. による24重量%のSMA、光酸としてSartomer Companyからの2重量%
のCD1011、0.2重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI
)、及び溶媒として49.8重量%のメチルエチルケトン(MEK)を室温にお
いて黄色光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混合
物を50〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを9
0℃オーブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石英
マスクを通した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での1 00秒の曝露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充
分であることが分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホ
ールをもたらすようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコ
ーティングを140℃オーブンで5分間焼付けし、2%NaOH水溶液中での浸
漬により現像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成された。
【0039】 実施例4 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる8重量%のEP
ON1001F及びNagase Chemicalによる16重量%のDenacolEX− 512、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.による 24重量%のSMA2000、光酸としてSartomer Companyからの2重量%のC
D1011、0.2重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI)、
及び溶媒として49.8重量%のメチルエチルケトン(MEK)を室温において
黄色光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混合物を
50〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを90℃
オーブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石英マス
クを通した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での100 秒の曝露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充分で
あることが分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホール
をもたらすようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコーテ
ィングを140℃オーブンで5分間焼付けし、2%NaOH水溶液中での浸漬に
より現像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成された。
【0040】 実施例5 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる12重量%のE
PON828及びNagase Chemicalによる12重量%のDenacolEX−6 14B、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.による 24重量%のSMA1000、光酸としてSartomer Companyからの2重量%のC
D1011、0.2重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI)、
及び溶媒として49.8重量%のメチルエチルケトン(MEK)を室温において
黄色光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混合物を
50〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを90℃
オーブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石英マス
クを通した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での80秒 の曝露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充分であ
ることが分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホールを
もたらすようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコーティ
ングを150℃オーブンで5分間焼付けし、10%モノエタノールアミン水溶液
への浸漬により現像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成され
た。
【0041】 実施例6 エポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる24重量%のEPON
1163、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.によ る24重量%のSMA2000、光酸としてSartomer Companyからの2.5重量
%のCD1011、0.3重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EM
I)、及び溶媒として49.2重量%のメチルエチルケトン(MEK)を室温に
おいて黄色光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混
合物を50〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを
90℃オーブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石
英マスクを通した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での 80秒の曝露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充
分であることが分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホ
ールをもたらすようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコ
ーティングを140℃オーブンで10分間焼付けし、2%NaOH水溶液中での
浸漬により現像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成された。
【0042】 実施例7 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる20重量%のE
PON828及びNagase Chemicalによる5重量%のDenacolEX−61 4B、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.による2 4重量%のSMA2000、光酸としてSartomer Companyからの2重量%のCD
1011、0.2重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI)、及
び溶媒として48.8重量%のメチルエチルケトン(MEK)を、室温において
黄色光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。このモノマー混合物を
50〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコーティングを90℃
オーブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形成させた。石英マス
クを通した水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での60秒 の曝露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解をもたらすのに充分であ
ることが分かった。そのマスクは、25〜200μm径のマイクロビアホールを
もたらすようにデザインされたものであった。その露光に続いて、そのコーティ
ングを140℃オーブンで6分間焼付けし、10%モノエタノールアミン水溶液
中での浸漬により現像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形成さ
れた。
【0043】 実施例8 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる12重量%のE
PON828及びNagase Chemicalによる12重量%のDenacolEX−5 12、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.による2 4重量%のSMA1000、光酸としてSartomer Companyからの2重量%のCD
1011、0.2重量%の2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI)、1
0〜100nmの10重量%のシリカ粒子、及び溶媒として39.8重量%のメ
チルエチルケトン(MEK)を室温において黄色光のもとで混ぜることにより感
光性樹脂を調製した。このモノマー混合物を50〜100μmの厚さでガラス基
板にコートした。そのコーティングを90℃オーブンで5分間焼付けして、不粘
着性の乾燥フィルムを形成させた。石英マスクを通した水銀−キセノンアークラ
ンプからの10mW/cm2の光での100秒の曝露が、露光域において望まし い程度の光酸の光分解をもたらすのに充分であることが分かった。そのマスクは
、25〜200μm径のマイクロビアホールをもたらすようにデザインされたも
のであった。その露光に続いて、そのコーティングを150℃オーブンで2分間
焼付けし、2%NaOH水溶液中での浸漬により現像した。50〜200μm径
のマイクロビアホールが形成された。
【0044】 実施例9 2種のエポキシモノマーとしてShell Chemical Companyによる12重量%のE
PON1001F及びNagase Chemicalによる12重量%のDenacolEX −512、スチレンマレイン酸無水物オリゴマーとしてElf Autochem Inc.によ る16重量%のSMA1000、ノボラック樹脂としてSchenectady Internatio
nal Inc. による8重量%のHRJ1166、光酸としてSartomer Companyから の2.5重量%のCD1011、0.3重量%の2−エチル−4−メチルイミダ
ゾール(EMI)、及び溶媒として49.5重量%のメチルエチルケトン(ME
K)を室温において黄色光のもとで混ぜることにより感光性樹脂を調製した。こ
のモノマー混合物を50〜100μmの厚さでガラス基板にコートした。そのコ
ーティングを90℃オーブンで5分間焼付けして、不粘着性の乾燥フィルムを形
成させた。水銀−キセノンアークランプからの10mW/cm2の光での石英マ スクを通した100秒の曝露が、露光域において望ましい程度の光酸の光分解を
もたらすのに充分であることが分かった。そのマスクは、25〜200μm径の
マイクロビアホールをもたらすようにデザインされたものであった。その露光に
続いて、そのコーティングを150℃オーブンで5分間焼付けし、2%NaOH
水溶液への浸漬により現像した。50〜200μm径のマイクロビアホールが形
成された。
【0045】 実施例10 実施例2において調製された感光性樹脂を、剥離処理されたポリエステルフィ
ルム上にスロットダイコーターを用いてコートする。その湿ったフィルムを90
℃において5分間、前焼付けすることにより乾燥させ、50μmの厚さの乾燥フ
ィルムをもたらす。ポリエステルにより裏打ちされた感光性乾燥フィルムを、約
120℃のロール温度でのホットロールラミネーターにより、回路化された中間
層板に貼り合わせる。その剥離フィルムを、その回路板に貼り合わせたフォトレ
ジストを残して剥ぎ取る。その集合体を冷やして、その乾燥フィルムフォトレジ
ストを、10mW/cm2の水銀/キセノンアークランプを用いて望ましいフィ ーチャーを有するアートワーク(artwork)を通して100秒間露光する。露光 されたパネルを150℃で5分間後焼付けする。冷ました後、そのパネルを50
℃で5分間、2%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中に浸し噴霧して、感
光性層の画像を現像する。この方法を用いて、50〜200μmのサイズでマイ
クロビアホールが達成される。
【0046】 実施例11 実施例3において調製された感光性樹脂を、回路化された中間層板上に直接ス
クリーンコートする。その湿ったフィルムを、90℃で5分間、前焼付けするこ
とにより乾燥させ、25μmの厚さの乾燥フィルムをもたらす。感光性乾燥フィ
ルムを、UV光に望ましいフィーチャーを有するアートワークを通して曝露する
。露光されたパネルを140℃で5分間、後焼付けする。次いで、冷ました後、
そのパネルを40℃で5分間、2%NaOH水溶液中に浸し噴霧する。この方法
を用いて、50〜200μmのサイズでマイクロビアホールが達成される。
【0047】 実施例12 実施例7において調製された感光性樹脂を、#80Meyerロッドを用いて
銅ホイルに適用する。その湿ったフィルムを、90℃で5分間、前焼付けするこ
とにより乾燥させ、50μmの厚さの乾燥フィルムをもたらす。銅ホイルにより
裏打ちされた感光性乾燥フィルムを、約120℃のロール温度でのホットロール
ラミネーターにより、回路化された中間層板に貼り合わせる。同じ方法で、乾燥
フィルムフォトレジストの追加の層をその銅ホイルの最上面に貼り合わせる。そ
の集合体を冷やして、その乾燥フィルムフォトレジストを、UV光に望ましいフ
ィーチャーを有するアートワークを通して曝露する。その乾燥フィルムフォトレ
ジストを現像し、下になっている銅ホイルをあらわにする。次いで、その銅ホイ
ルを、塩化第2銅エッチング剤を用いて50℃でエッチングし、パターンを付け
たホイルをもたらす。すすいで乾燥させた後、そのパネルを、10mW/cm2 の水銀/キセノンアークランプを用いて100秒間フラッド(flood)露光する 。その露光されたパネルを、140℃で6分間、後焼付けし、冷ましてから、そ
のパネルを50℃で5分間10%、モノエタノールアミン水溶液中に浸し噴霧し
て、その乾燥フィルムフォトレジストを剥がし、そして感光性層の画像を現像す
る。50〜200μmのサイズでマイクロビアホールが達成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/38 511 G03F 7/38 511 H01L 21/027 H05K 3/00 F H05K 3/00 H01L 21/30 502R (72)発明者 ファン,ミン・メイ アメリカ合衆国カリフォルニア州90024, ロサンゼルス,ケルトン・アベニュー 433,アパートメント 311 (72)発明者 レイラー,ローラ・エム アメリカ合衆国ニュージャージー州07950, モーリス・プレーンズ,ゲイツ・コート 2410 Fターム(参考) 2H025 AA00 AB15 AB16 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AD03 BE00 BE07 CB10 CB13 CB28 CB43 CB45 CB55 CC17 CC20 FA03 FA12 FA15 FA17 2H096 AA25 AA26 BA09 BA20 EA02 EA04 EA05 EA06 EA07 EA08 FA01 GA02 GA03 GA08 JA03

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学線に露光すると酸を発生させることができる少なくとも
    1の光酸発生剤、少なくとも1の有機酸無水物モノマー又はポリマー、少なくと
    も1のエポキシ、少なくとも1の窒素含有硬化触媒、及び、任意成分の芳香族ヒ
    ドロキシル基含有モノマー、ポリマー、又はそれらの混合物を含んでなるポジ作
    用光結像性組成物。
  2. 【請求項2】 光酸発生剤がオニウム化合物である、請求項1記載の組成物
  3. 【請求項3】 光酸発生剤が、スルホニウム化合物、ヨードニウム化合物、
    ジアゾニウム化合物、及び光不安定性のハロゲン原子を有する有機化合物、及び
    それらの混合物からなる群から選択される、請求項1記載の組成物。
  4. 【請求項4】 光酸発生剤成分が組成物の非溶媒部分の約0.05重量%〜
    20重量%の量で存在する、請求項1記載の組成物。
  5. 【請求項5】 酸無水物ポリマーが約500〜50,000の数平均分子量
    を有する、請求項1記載の組成物。
  6. 【請求項6】 酸無水物ポリマーが、スチレン−マレイン酸無水物、スチレ
    ン−メタクリル酸アルキル−イタコン酸無水物、メタクリル酸メチル−アクリル
    酸ブチル−イタコン酸無水物、アクリル酸ブチル−スチレン−マレイン酸無水物
    、ドデセニルコハク酸無水物、トリメリト酸無水物、クロロエンド酸無水物、フ
    タル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、1−メチルテトラヒドロフ
    タル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルナジン酸無水物、メチルブ
    テニルテトラヒドロフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
    、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、及びそれらの混合物からなる群か
    ら選択される、請求項1記載の組成物。
  7. 【請求項7】 酸無水物ポリマーが組成物の非溶媒部分の約10重量%〜9
    0重量%の量で存在する、請求項1記載の組成物。
  8. 【請求項8】 エポキシが、約100〜20,000の数平均分子量、約5
    0〜10,000の等価エポキシ重量、及び1分子当たり約1〜40の平均値の
    エポキシ基を有する、請求項1記載の組成物。
  9. 【請求項9】 エポキシが、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノン、
    ビフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールK、テト
    ラブロモビスフェノールA、フェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ア
    ルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズ
    アルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ジシクロペン
    タジエン−フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン−置換フェノール樹脂テトラ
    メチルビフェノール、テトラメチル−テトラブロモビフェノールのジグリシジル
    エーテル、及びそれらの混合物を含んでなる、請求項1記載の組成物。
  10. 【請求項10】 エポキシが組成物の非溶媒部分の約10重量%〜90重量
    %の量で存在する、請求項1記載の組成物。
  11. 【請求項11】 窒素含有触媒が、第2アミン類、第3アミン類、ホスフィ
    ン類、及びアルシン類、及びそれらのブレンドからなる群から選択される、請求
    項1記載の組成物。
  12. 【請求項12】 窒素含有触媒が、イミダゾール類、イミダゾリジン類、イ
    ミダゾリン類、オキサゾール類、ピロール類、チアゾール類、ピリジン類、ピラ
    ジン類、モルフォリン類、ピリダジン類、ピリミジン類、ピロリジン類、ピラゾ
    ール類、キノキサリン類、キナゾリン類、フィハロジン類、キノリン類、プリン
    類、インダゾール類、インドール類、インドラジン類、フェナジン類、フェナル
    サジン類、フェノチアジン類、ピロリン類、インドリン類、ピペリジン類、ピペ
    ラジン類、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1記載の組成
    物。
  13. 【請求項13】 窒素含有触媒が組成物の非溶媒部分の約0.01重量%〜
    10重量%の量で存在する、請求項1記載の組成物。
  14. 【請求項14】 芳香族ヒドロキシル基含有化合物が、ジヒドロキシフェノ
    ール類、ビフェノール類、ビスフェノール類、ハロゲン化ビスフェノール類、ア
    ルキル化ビスフェノール類、トリスフェノール類、フェノール−アルデヒド樹脂
    、ハロゲン化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、アルキル化フェノール−
    アルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ア
    ルキル化フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂;ジヒドロキシフェノー
    ル類、ビフェノール類、ビスフェノール類、ハロゲン化ビスフェノール類、アル
    キル化ビスフェノール類、トリスフェノール類、フェノール−アルデヒドノボラ
    ック樹脂、ハロゲン化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、アルキル化フェ
    ノール−アルデヒドノボラック樹脂、クレゾール−アルデヒドノボラック樹脂、
    フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズ
    アルデヒド樹脂、ビニルフェノールポリマーのエチレンオキシド、プロピレンオ
    キシド、ブチレンオキシド付加体;及びそれらの混合物からなる群から選択され
    る、請求項1記載の組成物。
  15. 【請求項15】 芳香族ヒドロキシル基含有化合物が組成物の非溶媒部分の
    重量基準で約1%〜50%の量で存在する、請求項1記載の組成物。
  16. 【請求項16】 基板及び該基板上の乾燥したポジ作用光結像性組成物を含
    んでなる写真要素であって、該組成物が、化学線に露光すると酸を発生させるこ
    とができる少なくとも1の光酸発生剤、少なくとも1の有機酸無水物モノマー又
    はポリマー、少なくとも1のエポキシ、少なくとも1の窒素含有硬化触媒、及び
    、任意成分の芳香族ヒドロキシル基含有モノマー、ポリマー、又はそれらの混合
    物を含んでなる要素。
  17. 【請求項17】 基板が、アルミニウム、スチール、ステンレス鋼、亜鉛、
    銅、クロム、ポリエステル、ポリイミド、エポキシ、シリコン、ガリウム砒素、
    及びガラスからなる群から選択される材料を含んでなる、請求項16記載の写真
    要素。
  18. 【請求項18】 ポジ画像を形成する方法であって、 a)基板及び該基板上の乾燥したポジ作用光結像性組成物を含んでなる写真要
    素であって、該組成物が、化学線に露光すると酸を発生させることができる少な
    くとも1の光酸発生剤、少なくとも1の有機酸無水物モノマー又はポリマー、少
    なくとも1のエポキシ、少なくとも1の窒素含有硬化触媒、及び、任意成分の芳
    香族ヒドロキシル基含有モノマー、ポリマー、又はそれらの混合物を含んでなる
    要素を提供し; b)該組成物を十分な化学線に画像を形成するように露光し、それによって該
    組成物の画像形成露光部分及び画像形成非露光部分を提供し;そして c)該組成物の画像形成露光部分を現像液で除去すること を含んでなる方法。
  19. 【請求項19】 更に、現像の前に組成物を後焼付けする工程を含んでなる
    、請求項18記載の方法。
  20. 【請求項20】 後焼付けを約90℃〜200℃の温度で約0.5〜60分
    間行う、請求項19記載の方法。
  21. 【請求項21】 工程(c)をアルカリ性水溶液で行う、請求項18記載の
    方法。
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