CN108255028A - 构图工艺及构图装置、阵列基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种构图工艺，包括以下步骤：提供辅助基板；在所述辅助基板上形成光刻胶；使所述光刻胶固化形成光刻胶干膜；将所述光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上且剥离所述辅助基板；以所述光刻胶干膜作为光刻胶层来继续构图。本发明还提供一种阵列基板的制备方法和构图装置。本发明不会出现造成部分区域光刻胶过曝或者部分区域曝光不足而产生部分光刻胶残留或者剥离等问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种构图工艺及构图装置、阵列基板的制备方法。
背景技术
黄光工艺是目前一种常用的构图工艺，在黄光工艺中光刻胶涂布方式分别包括以下两种形式：第一种是利用旋转(Spin)涂布的方式在待构图基板上涂布光刻胶，通过转速来控制涂布光刻胶的厚度，并通过甩胶的方式将多余的光刻胶甩出待构图基板，以去除多余的光刻胶；第二种是刮刀(slit)涂布的方式来进行光刻胶涂布。
然而，在实际应用中，采用上述两种方式在实际应用中会存在以下问题：若待构图基板的待构图表面不平整，则会造成形成的光刻胶层的厚度不均匀，因而会造成部分区域光刻胶过曝或者部分区域曝光不足而产生部分光刻胶残留或者剥离等问题，从而影响构图工艺的准确性。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题之一，提供构图工艺及构图装置、阵列基板的制备方法，不会出现造成部分区域光刻胶过曝或者部分区域曝光不足而产生部分光刻胶残留或者剥离等问题。
本发明提供一种构图工艺，包括以下步骤：
提供辅助基板；
在所述辅助基板上形成光刻胶；
使所述光刻胶固化形成光刻胶干膜；
将所述光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上且剥离所述辅助基板；
以所述光刻胶干膜作为光刻胶层来继续构图。
优选地，在形成光刻胶干膜之后还包括：
在所述光刻胶干膜上覆盖辅助盖板；
在将光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上之后，且在所述光刻胶干膜作为光刻胶层来构图之前还包括：
剥离所述辅助盖板。
优选地，将所述光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上包括：
将具有光刻胶干膜的辅助基板放置在滚轮上且使光刻胶干膜远离所述滚轮；
将待构图基板放置于滚轮下，通过滚轮滚动，使所述光刻胶干膜贴合在所述待构图表面上且辅助基板贴合在所述滚轮上，直至所述光刻胶干膜和所述辅助基板完全分离。
优选地，在使所述光刻胶干膜贴合在所述待构图表面上之后，且在进行构图之前还包括：
烘烤所述光刻胶干膜。
优选地，所述辅助基板为塑胶基板。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：采用本发明上述提供的构图工艺形成所需电极图形。
本发明还提供一种构图装置，包括：辅助基板；在所述辅助基板上形成的由光刻胶形成的光刻胶干膜；所述光刻胶干膜作为光刻胶层进行构图。
优选地，在所述光刻胶干膜上形成的辅助盖板。
优选地，还包括：烘烤器，用于烘烤所述光刻胶或所述光刻胶干膜。
优选地，还包括：滚轮，具有光刻胶干膜的辅助基板放置在所述压印滚轮上且使光刻胶干膜远离所述滚轮，用以通过滚轮滚动，使所述光刻胶干膜贴合在所述待构图表面上且辅助基板贴合在所述滚轮上，直至所述光刻胶干膜和所述辅助基板完全分离。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的构图工艺、阵列基板的制备方法和构图装置，由于采用在辅助基板上形成的光刻胶干膜作为光刻胶层，来对待构图基板进行构图，选取平整的辅助基板，这样，在平整的辅助基板上形成的光刻胶的厚度也就均匀，故，形成的光刻胶干膜的厚度也就均匀，将厚度均匀的光刻胶干膜放置在待构图基板的待构图表面上，即使待构图表面不平整，由于光刻胶干膜的厚度是均匀的，也不会出现造成部分区域光刻胶过曝或者部分区域曝光不足而产生部分光刻胶残留或者剥离等问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的构图工艺的结构示意图；
图2a-2h为本发明实施例提供的构图工艺的各个步骤工作状态图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的构图工艺及构图装置、阵列基板的制备方法作进一步详细描述。
实施例1：
图1为本发明实施例提供的构图工艺的结构示意图，请参阅图1，本发明实施例提供的构图工艺，包括以下步骤：
S1，提供辅助基板。其中，辅助基板是区别于待构图基板而言，并不是实际所需要构图的基板，而是为了构图而额外增加基板。
更具体地，辅助基板既可以为玻璃基板，也可以为塑胶基板。
S2，在辅助基板上形成光刻胶。
具体地，形成光刻胶的方式优选为但不限于：旋转(Spin)涂布的方式或者刮刀(slit)涂布的方式。
S3，使光刻胶固化形成光刻胶干膜。
优选采用烘烤的方式使得光刻胶固化形成光刻胶干膜。
S4，将光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上且剥离辅助基板。
S5，以光刻胶干膜作为光刻胶层来继续构图。
具体地，继续构图包括但不限于：曝光、显影、刻蚀和去除光刻胶层等步骤。
本发明实施例提供的构图工艺，由于采用在辅助基板上形成的光刻胶干膜作为光刻胶层，来对待构图基板进行构图，选取平整的辅助基板，这样，在平整的辅助基板上形成的光刻胶的厚度也就均匀，故，形成的光刻胶干膜的厚度也就均匀，将厚度均匀的光刻胶干膜放置在待构图基板的待构图表面上，即使待构图表面不平整，由于光刻胶干膜的厚度是均匀的，也不会出现造成部分区域光刻胶过曝或者部分区域曝光不足而产生部分光刻胶残留或者剥离等问题。
下面结合图2a-2h详细描述本发明实施例提供的构图工艺，其中，采用该构图工艺目的是为了在待构图基板上形成有源层图形，待构图基板包括由上至下依次层叠的：有源材料层300、缓冲层201和基板200。
该构图工艺具体包括：
第a步骤，在辅助基板100上涂布一层等厚度的光刻胶，再采用软烤(soft-bake)的方式烤光刻胶变成为光刻胶干膜101，此时，可使光刻胶固定在辅助基板100上。
优选地，辅助基板100优选采用塑胶基板，这样，在烤之后可以增加光刻胶干膜101和辅助基板100之间的附着力。
优选地，当光刻胶软烤完成后，在光刻胶干膜101上层再覆盖一层辅助盖板102，最终如图2a所示。其中，辅助盖板102既可以为玻璃盖板也可以为塑胶盖板，借助该辅助盖板102不仅可以保护光刻胶表面不受外部杂质污染，而且还可以减少光刻胶内有机溶剂的挥发。
第b步骤，对基板200进行清洗处理，基板200由玻璃等透明材料构成；利用PECVD方法在基板200上连续形成缓冲层(buffer)201和有源材料层300(可以为但不限于非晶硅薄膜(a-Si))，如图2b所示。
其中，缓冲层201由氧化硅、氮化硅形成单一或复合层组成，氧化硅厚度范围在50纳米-100纳米，氮化硅厚度为100纳米-300纳米，非晶硅薄膜厚度为40纳米-50纳米。
将图2b所示的待构图基板送往高温炉中进行处理，以达到脱氢(减少非晶硅薄膜中氢的含量)的目的，一般将氢的含量控制在2％以内。
之后，进行准分子激光退火(ELA)处理，使非晶硅转变多晶硅薄膜(ActiveLayer)。
第c步骤，将光刻胶干膜上的辅助盖板剥离，如图2c所示。
第d步骤，将具有光刻胶干膜101的辅助基板100放置于滚轮001上且使光刻胶干膜远离所述滚轮001，将待构图基板放置于滚轮001下，通过滚轮001滚动(沿图2d中自左向右方向)，使光刻胶干膜101贴合在待构图表面上且辅助基板100贴合在滚轮001上(如图2d所示)，直至光刻胶干膜101和辅助基板100完全分离。
第e步骤，进行硬烤(Hard bake)，如图2e所示，增加光刻胶干膜101和待构图基板之间的粘力，以确保光刻胶干膜在后续的显影与刻蚀工艺时，不会发生光刻胶干膜脱离的现象。
第f步骤，利用有源层掩膜板400进行曝光，如图2f所示。
第g步骤，进行显影，结果如图2f所示，光刻胶干膜101变成光刻胶图形101’。
第h步骤，进行刻蚀步骤以及去除光刻胶图形101’，最终结果如图2h，有源材料层300变成有源层图形300’。
需要在此说明的是，上文中软烤和硬烤的区别在于：温度与加热时间的不同，软烤是在未经过紫外光曝光时进行烘烤以确保光刻胶与基板的附著力，所使用的温度较低，加热时间较短，例如，软烤采用90℃烘烤110秒的方式；硬烤是在光刻胶经过紫外曝光形成定义图形后，增加光刻胶与基板的附着力，避免光刻胶在进行后续显影以及后续的刻蚀工艺时，造成光刻胶与基板产生剥离的现象而形成不良缺陷，例如，硬烤采用120度烘烤100秒的方式。
实施例2
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：采用上述实施例1提供的构图工艺形成所需图形。
其中，图形包括但不限于：有源层(如上述实施例中的有源层300’)、栅极(GATE)、源漏极(SD)、公共电极和像素电极(PX)、内部介质(ILD)、平坦层(PLN)等的图形。
本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，由于采用上述实施例1提供的构图工艺，因此，可以提高阵列基板的工艺质量，且可以降低成本。
实施例3
本发明还提供一种构图装置，如图2a所示，包括：辅助基板100；在辅助基板100上形成的由光刻胶形成的光刻胶干膜101。
优选地，在光刻胶干膜101上形成的辅助盖板102。
优选地，还包括烘烤器，用于烘烤光刻胶或光刻胶干膜，在这种情况下，第一，先在辅助基板100上形成光刻胶，再烤光刻胶使光刻胶变成光刻胶干膜101，第二，借助烤位于待构图基板上的光刻胶干膜101可以增加光刻胶干膜101和待构图基板之间的粘力，以确保光刻胶干膜在后续的显影与刻蚀工艺时，不会发生光刻胶干膜脱离的现象。
优选地，还包括：滚轮，具有光刻胶干膜101的辅助基板100放置在滚轮001上且使光刻胶干膜101远离滚轮001，用以通过滚轮001滚动，使光刻胶干膜101贴合在待构图表面上且辅助基板100贴合在滚轮001上，直至光刻胶干膜101和辅助基板100完全分离。
辅助基板100优选为塑胶基板，这样可以增加辅助基板100和光刻胶干膜101之间的粘力，由于塑胶基板的柔性较好，因此还可以便于滚轮001滚动带走辅助基板100。
本发明实施例提供的构图装置，采用在辅助基板上形成的光刻胶干膜作为光刻胶层，来对待构图基板进行构图，选取平整的辅助基板，这样，在平整的辅助基板上形成的光刻胶的厚度也就均匀，故，形成的光刻胶干膜的厚度也就均匀，将厚度均匀的光刻胶干膜放置在待构图基板的待构图表面上，即使待构图表面不平整，由于光刻胶干膜的厚度是均匀的，也不会出现造成部分区域光刻胶过曝或者部分区域曝光不足而产生部分光刻胶残留或者剥离等问题。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种构图工艺，其特征在于，包括以下步骤：
提供辅助基板；
在所述辅助基板上形成光刻胶；
使所述光刻胶固化形成光刻胶干膜；
将所述光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上且剥离所述辅助基板；
以所述光刻胶干膜作为光刻胶层来继续构图。
2.根据权利要求1所述的构图工艺，其特征在于，在形成光刻胶干膜之后还包括：
在所述光刻胶干膜上覆盖辅助盖板；
在将光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上之后，且在所述光刻胶干膜作为光刻胶层来构图之前还包括：
剥离所述辅助盖板。
3.根据权利要求1所述的构图工艺，其特征在于，将所述光刻胶干膜叠置在待构图基板的待构图表面上包括：
将具有光刻胶干膜的辅助基板放置在滚轮上且使光刻胶干膜远离所述滚轮；
将待构图基板放置于滚轮下，通过滚轮滚动，使所述光刻胶干膜贴合在所述待构图表面上且辅助基板贴合在所述滚轮上，直至所述光刻胶干膜和所述辅助基板完全分离。
4.根据权利要求3所述的构图工艺，其特征在于，在使所述光刻胶干膜贴合在所述待构图表面上之后，且在进行构图之前还包括：
烘烤所述光刻胶干膜。
5.根据权利要求3所述的构图工艺，其特征在于，所述辅助基板为塑胶基板。
6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用所述权利要求1-5任意一项所述的构图工艺形成所需电极图形。
7.一种构图装置，其特征在于，包括：
辅助基板；
在所述辅助基板上形成的由光刻胶形成的光刻胶干膜；
所述光刻胶干膜作为光刻胶层进行构图。
8.根据权利要求7所述的构图装置，其特征在于，在所述光刻胶干膜上形成的辅助盖板。
9.根据权利要求7所述的构图装置，其特征在于，还包括：
烘烤器，用于烘烤所述光刻胶或所述光刻胶干膜。
10.根据权利要求7所述的构图装置，其特征在于，还包括：
滚轮，具有光刻胶干膜的辅助基板放置在所述压印滚轮上且使光刻胶干膜远离所述滚轮，用以通过滚轮滚动，使所述光刻胶干膜贴合在所述待构图表面上且辅助基板贴合在所述滚轮上，直至所述光刻胶干膜和所述辅助基板完全分离。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180706 |