JP2000516771A - 多層プリント配線基板のマイクロビアを量産するための、ポジ型光定義樹脂で被覆された金属 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ポジ型作動光撮像性誘電材料で、マイクロビアを構築することによって、高密度ビルトアップ多層プリント回路基板を提供する。導電性箔（２）上のポジ型作動感光性誘電組成物（４）を、基板（８）上の導電性ラインに積層させる。箔（２）を撮像し、そして感光性誘電組成物（４）を撮像させて硬化させた後、ビア（１４）を導電性ライン（６）に形成させる。その後、導電性ライン（６）を、ビア（１４）を通して導電性箔（２）に接続させ（１６）、そしてその後、導電性箔（２）をパターン化させる。

Description

【発明の詳細な説明】 多層プリント配線基板のマイクロビアを量産するための、ポジ型光定義樹脂で 被覆された金属 関連出願へのクロスレフォレンス 本発明は、１９９７年４月１６日に提出した共に係属中の先行出願６０／０４ ４，３２７号の利益を請求する。 発明の背景 発明の分野 本発明は、プリント回路基板の生産に関連する。さらに詳細には、本発明は、 ポジ型作動光画像性誘電材料でマイクロビア(vias)を構築することによって、高 密度の、ビルトアップ多層回路基板の生産に関する。 先行技術の説明 迅速で、小型で、安価な集積回路製品の成長のために、配線結合に対する能力 は、利用可能な技術の限界に達し、そしてチップを、フリップ−チップ・アプロ ーチ法を用いて実装しなければならない。これは、直接チップ装着パッケージに 至る。チップの底側から多数のＩ／Ｏをファンアウトする必要性は、プリント回 路基板領域の 活用についての需要が増加することにかかっている。メッキしたスルーホールは 、使用空間が多すぎ、そして経路チャンネルを遮断する。これは、ブラインドマ イクロビアの使用を増すのと同様に、基板の外側表面に相当の数の接続を伴う高 密度パッケージの必要性を引起こす。 樹脂被覆銅（ＲＣＣ）が、高密度ビルトアップ多層回路基板を製作するのに使 用されてきた。最近、ＲＣＣで作製されるこのような回路基板にあるマイクロビ アは、プラズマエッチングおよびレーザー穿孔を含めた２つの方法によって作製 される。このように、プラズマエッチングまたはレーザー穿孔装置に繋いだプリ ント回路製造装置のみが、これらの進んだブラインドビア基板を提供できる。高 い費用のプラズマおよびレーザー装置は、ＲＣＣ技術の広範な適応を阻害する。 さらに、プラズマの等方性エッチングのためのアンダーカッティング、および順 次穿孔のための処理能力の低下のようなプラズマエッチングおよびレーザー穿孔 技術に関連した技術的不利益も、ＲＣＣ基材高密度多層回路基板の大規模な市販 を制限する。 光画像性誘電材料を使用して、ビルトアップ多層プリント回路基板を作製する フォトビアプロセスが開発されてきた。これらのプロセスで、光誘電体をパター ン化したコアに被せ、そして光画像化してビアホールを定義する。その後、誘電 層の表面に伴ったビアホールを、銅でメッキする。米国特許番号第５，３５４， ５９３号では 、順次に積層し、そして２つの光誘電体を導電性コアに積層しそして光画像化さ せて、ビアホールの範囲を限定し、そしてその後、銅でそのビアホールをメッキ する。米国特許番号第５，４５１，７２１号では、その表面に金属ラインを有す るコアの上に感光性樹脂層を塗布することによって多層プリント回路基板が製造 される。撮像したビアホールを形成した後に、樹脂層に、無電解メッキ技術によ って銅層を蒸着させる。米国特許番号第５，３３４，４８７号では、銅箔の反対 側の上に異なる感光性組成物を塗布し、露光することによって、基板上にパター ン化層を生じさせる。一方の側を現像し、そして銅をエッチングし、続いてもう 一方を現像し、そしてスルーホールを金属被覆させる。フォトビア技術は、常套 の装置を備えた高密度接続プリント回路基板を作製することを与えるが、しかし 、それらは、銅メッキ加工が困難なこと、そして樹脂対銅接着に乏しい等の障害 にみまわれる。これらの問題は、通常、回路基板の信頼性を乏しくさせる。これ らの問題は、本発明によって解決され、それにより、導電性箔上のポジ型感光性 誘電組成物を、基板上の導電性ライン上に積層させる。箔を撮像し、そして感光 性誘電組成物を撮像し、そして硬化させた後、ビアを導電性ラインに形成させる 。その後、導電性ラインを、ビアを介して導電性箔に接続させ、そしてその後導 電性箔をパターン化させる。発明の概要 本発明は、 （ａ）基板の表面上の導電性ラインのパターンの上に感光性素子を付着させ；そ の感光性素子は、感光性誘電組成物を導電性ライン上に配置するように、導電性 箔の表面上のポジ型作動感光性誘電組成物を包含し、 （ｂ）フォトレジストの層を蒸気箔の反対表面に塗布し、 （ｃ）光効果照射にフォトレジストを撮像露光し、そしてフォトレジストを現像 してそれによって、除去した撮像部分が、少なくともいくつかの導電性ライン上 にあるように、フォトレジストの除去される撮像および除去されない撮像部分を 形成し、 （ｄ）下層にある感光性誘電組成物を除去することなしに、フォトレジストの撮 像除去部分の下層にある導電性箔の部分を除去し、 （ｅ）導電性箔の除去部分を介して光効果照射に感光性誘電組成物を全体的に露 光させ；任意で、感光性誘電組成物を加熱して、それの非露光部分の現像液溶解 性を減らし；感光性誘電材料を現像させて、それにより導電性箔の除去部分の下 層にある感光性誘電組成物の部分のみを除去し、それにより導電性ラインにビア を形成し、 （ｆ）感光性誘電組成物の非除去部分を硬化させ、 （ｇ）ビアを介して導電性箔の一部に導電性ラインを電 気的に接続させ、そして （ｈ）導電性箔をパターン化させて、それにより導電性箔ラインのパターンを作 製することを特徴とするプリント回路基板を作製する方法を提供する。 本発明は、上の段階（ａ）が、ポジ型作動感光性誘電組成物の層を、導電性箔 の表面上に塗布し、それによって感光性素子を形成させ、そしてその後、感光性 誘電組成物が導電性ライン上に配置されるように、基板の表面上の導電性ライン のパターンに感光性誘電組成物を介して感光性素子を付着させる段階を包含する プリント回路基板を作製する方法も提供する。 本発明は、さらに、 （ａ）基板の表面上の導電性ラインのパターンの上に感光性素子を付着させ；そ の感光性素子は、感光性誘電組成物を導電性ライン上に配置するように、導電性 箔の表面上のポジ型作動感光性誘電組成物を包含し、 （ｂ）導電性箔を除去し、 （ｃ）光効果照射に感光性誘電組成物の部分を撮像露光し；任意で、感光性誘電 組成物を加熱して、それの非露光部分の現像液溶解性を減らし；その誘電組成物 を現像させて、それにより除去した撮像部分が、少なくともいくつかの導電性ラ イン上にあるように、誘電組成物の除去される撮像および除去されない撮像部分 を形成し、 （ｄ）感光性誘電組成物の非除去部分を硬化させ、 （ｅ）同時に、誘電組成物の非除去部分上に電気的に導電性である層を形成し、 そしてビアを介して電気的に導電性である層に誘導層を接続させ、そして （ｆ）電気的に導電性である層をパターン化させて、それにより導電性ラインの パターンを作製することを特徴とするプリント回路基板を作製する方法も提供す る。 本発明は、先の段落での段階（ａ）が、導電性箔の表面の上にポジ型作動感光 性誘電組成物の層を塗布し、それによって感光性素子を形成させ、そしてその後 、感光性誘電組成物が導電性ライン上に配置されるように、基板の表面上の導電 性ラインのパターンに感光性誘電組成物を介して、感光性素子を付着させる段階 を包含するプリント回路基板を作製する方法も提供する。 本発明の方法によって、銅のようなポジ型作用感光性樹脂被覆金属を用いるこ とによって、マイクロビアを作製する。この製品および方法は、プラズマまたは レーザー穿孔技術に比較した場合、プリント回路基板作製プロセスの費用で実質 的に減少させる。光マイクロビア技術は、プラズマの等方性エッチングのための アンダーカッティング、レーザーによる順次穿孔のための処理能力の低下のよう な、プラズマおよびレーザー穿孔法に関連した技術的障壁を回避もする。本発明 は、簡便な銅メッキおよび存在するフォトビア技術に比較してよりよい銅対 樹脂接着を可能にする。 図面の簡単な説明 図１は、金属ラインを有する基板に積層した発明による感光性素子の略図を示 す。 図２は、基板上に配置され、そしてフォトレジストを、写真素子の反対側に塗 布した後の感光性素子の後の積層図を示す。 図３は、フォトレジストを除去し、そして箔を撮像した後の図３の構造を示す 。 図４は、誘電組成物の撮像後の図３の構造を示す。 図５は、誘電組成物の露光領域を除去してビアを形成した後の図４の構造を示 す。 図６は、ビアをメッキし、そして導電性ラインと導電性箔との間の電気接続を 提供した後の図５の構造を示す。 図７は、本発明による感光性素子を、金属性ラインを有するプリント基板に積 層し、そして全導電性箔を除去した本発明の別の実施態様を示す。 図８は、誘電組成物の撮像後の図７の構造を示す。 図９は、誘電組成物の露光領域を除去してビアを形成した後の図８の構造を示 す。 図１０は、ビアおよび誘電組成物の頂部をメッキして、導電性頂部表面を供し た後の図９の構造を示す。好ましい実施態様の詳細な説明 導電性箔の表面に塗布したポジ型作動感光性誘電組成物を包含する感光性素子 を使用することによって本発明の方法を行う。ポジ型作動感光性誘電組成物は、 電気回路で天然の誘電体として使用するのに適するものである。 適切な導電性箔としては、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、お よび同等物が挙げられるが、銅箔が最も好ましい。 適切なポジ型作動感光性誘電組成物としては、非独占的に、光効果照射に露光 させて酸を発生する能力のある光酸発生剤、有機酸無水物モノマーまたはポリマ ー、少なくとも１つのエポキシ、窒素含有硬化触媒、および任意のフェノール含 有モノマーまたはポリマーを混和させることによって生成されるポジ型作用の光 撮像性組成物が挙げられる。 ここで使用される光酸発生剤は、紫外線照射のような光効果照射に露光させて 酸を発生するものである。光酸発生剤は、光画像技術では知られており、そして それに限定されないが、スルホニウム、ヨードニウムおよびジ アゾニウム塩のアリール誘導体のようなオニウム化合物、および光不安定性ハロ ゲン原子を伴う有機化合物が挙げられる。 好ましい光酸発生剤としては、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアニチ モン酸、ヘキサフルオロヒ酸、およびテトラフルオロ硼酸陰イオンを伴うトリア リールスルホニウムおよびジアリールヨードニウム塩が挙げられる。適切なヨー ドニウム塩の限定されない例は、ジフェニルヨードニウム、ジナフチルヨードニ ウム、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウム、トリル（ドデシルフェニル）ヨ ードニウム、ナフチルフェニルヨードニウム、４−（トリフルオロメチルフェニ ル）フェニルヨードニウム、４−エチルフェニル−フェニルヨードニウム、ジ（ ４−アセチルフェニル）ヨードニウム、トリルフェニルヨードニウム、４−ブト キシフェニルフェニルヨードニウム、ジ（４−フェニルフェニル）ヨードニウム および同等物の塩である。ジ−フェニルヨードニウム塩が好ましい。適切なスル ホニウム塩の限定されない例は、トリフェニルスルホニウム、ジメチルフェニル スルホニウム、トリトリルスルホニウム、ジ（メトキシナフチル）メチルスルホ ニウム、ジメチルナフチルスルホニウム、４−ブトキシフェニルジフェニルスル ホニウム、および４−アセトキシフェニルジフェニルスルホニウムの塩である。 トリフェニルスルホニウム塩が好ましい。光不 安定性ハロゲン原子を伴う有機化合物としては、アルファ−ハロ−ｐ−ニトロト ルエン、アルファ−ハロメチル−ｓ−トリアジン、四臭化炭素および同等物が挙 げられる。これらの酸発生剤は、単一で、またはそれらの２種またはそれ以上の 組合わせで、使用してよい。 光酸発生剤成分は、好ましくは、組成物の非溶媒部分の総重量の約０．０５％ から約２０％の量で存在し、さらに好ましくは、約０．２％から約１０％、そし て最も好ましくは、組成物の非溶媒部分の約０．５重量％から約５重量％までで ある。 組成物は、さらに、有機酸無水物モノマーまたはポリマー成分を含有する。適 切な酸無水物は、約５００から約５０，０００まで、好ましくは約１，０００か ら約１０，０００までの数平均分子量を示す無水機能性ポリマーである。適切な 無水物の限定されない例としては、スチレン−マレイン酸無水物、スチレン−ア ルキルメタクリレート−イタコン酸無水物、メチル メタクリレート−ブチル アクリレート−イタコン酸無水物、ブチル アクリレート−スチレン−マレイン 酸無水物、および同等物が挙げられる。好ましくは、約１：１から約３：１まで のスチレン対マレイン酸無水物モル比を示すスチレン−マレイン酸無水物ポリマ ーである。さらに、適切なものは、ドデセニルコハク酸無水物、トリメリット酸 無水物 、クロロエン酸無水物、フタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、 １−メチル テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチ ルナド酸無水物、メチルブテニルテトラヒドロフタル酸無水物、ベンゾフェノン テラカルボン酸ジ酸無水物、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物である 。これらの酸無水物は、単一で、またはそれらの２種またはそれ以上の組合わせ で、使用してよい。 この無水物成分は、好ましくは、組成物の非溶媒部分の約１０重量％から約９ ０重量％の量で組成物中に存在し、さらに好ましくは、約２０重量％から約８０ 重量％、そして最も好ましくは約３５重量％から約６５重量％までである。 組成物は、さらに、エポキシ成分を含有する。エポキシは、それらの骨格およ び置換基の構造、並びに分子量、エポキシ当量（ＥＥＷ）および分子当たりのエ ポキシ基の数で変化しうる。適切なエポキシは、約１００から約２０，０００ま で、好ましくは約２００から約５，０００までの範囲にある数平均分子量を示し 、そして約５０から約１０，０００まで、好ましくは約１００から約２，５００ までのＥＥＷを示し、そして約１から約４０まで、好ましくは約２から約１０ま での分子当たりのエポキシ基の平均数を示す。 特に適切なエポキシ樹脂としては、例えば、レソルシノール、カテコール、ヒ ドロキノン、ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ ールＫ、テトラブロモビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、フェノール− ホルムアルデヒドノボラック樹脂、アルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド 樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシ ベンズアルデヒド樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール樹脂、ジシクロペン タジエン−置換フェノール樹脂、テトラメチルビフェノール、テトラメチル−テ トラブロモビフェノール、それらのあらゆる組合わせおよび同等物が挙げられる 。さらに、適切なものは、エチレンオキシド、プロピレンオキシドのような分子 当たり１つ以上の芳香族水酸基を有する化合物のアルキレンオキシドアダクト、 またはジヒドロキシフェノール、ビフェノール、ビスフェノール、ハロゲン化ビ スフェノール、アルキル化ビスフェノール、トリスフェノールのブチレンオキシ ドアダクト、フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、ハロゲン化フェノール− アルデヒドノボラック樹脂、アルキル化フェノールアルデヒドノボラック樹脂、 フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズ アルデヒド樹脂、それらのあらゆる組合わせおよび同等物である。さらに、適切 なものは、脂肪族ポリオールおよびポリエーテルポリ オールのような分子当たり平均１つ以上の脂肪族水酸基を有する化合物のジグリ シジルエーテルである。限定されない例としては、ポリエチレングリコール、ポ リプロピレングリコール、グリセロール、ポリグリセロール、トリメチロールプ ロパン、ブタンジオール、ソルビトール、ペンタエリスリトールのポリグリシジ ルエーテル、それらの組合わせが挙げられる。 エポキシ成分は、組成物の非溶媒部分の好ましくは約１０重量％から約９０重 量％まで、さらに好ましくは２０重量％から８０重量％まで、そして最も好まし くは約３５重量％から約６５重量％までの量で存在する。エポキシ対無水物のモ ル比は、好ましくは０．１から１０まで、さらに好ましくは０．２から５まで、 最も好ましくは０．５から２．０までである。 さらに、組成物は、エポキシと無水物と任意のフェノール性化合物の間で硬化 を触媒する窒素含有触媒を含有する。好ましい触媒は、二級および三級アミン並 びにホスホリンおよびヒ化水素およびそれらのブレンド類である。好ましいアミ ン触媒は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２− エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−ヘキシ ルイミダゾール、２−シクロヘキシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール 、２−フェニル−４ −メチルイミダゾール、１−ベンジルイミダゾール、１−エチル−２−メチルベ ンズイミダゾール、２−メチル−５，６−ベンズイミダゾール、１−ビニルイミ ダゾール、１−アリル−２−メチルイミダゾール、２−シアノイミダゾール、２ −クロロイミダゾール、２−ブロモイミダゾール、１−（２−ヒドロキシブロピ ル）−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジメチロイルイミダゾ ール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−ク ロロメチルベンズイミダゾール、２−ヒドロキシベンズイミダゾール、２−エチ ル−４−メチルイミダゾール、２−シクロヘキシル−４−メチルイミダゾール、 ２−ブトキシ−４−アリルイミダゾール、２−カルボエトキシブチル、４−メチ ルイミダゾール、２−メチル−４−メルカプトエチルイミダゾール、および２− フェニルイミダゾールのようなイミダゾール類である。さらに好ましいのは、１ −メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミ ダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−メチル−４−ニトロイミダゾール、 ４−メチルイミダゾールである。それらの特性および構造式を含めたイミダゾー ルおよびベンズイミダゾールの化学のさらに詳細な説明は、ニューヨークのイン ターサイエンス・パブリッシャー，インク．によって出版された「イミダゾール およびその誘導体」の表題のＫｌａｕｓ Ｈｏｆｍａｎｎによる本（１９５３年 ）に見られる。 ここで使用できる他の好ましい複素環式二級および三級アミンまたは窒素含有 化合物としては、例えばイミダゾリジン、イミダゾリン、オキサゾール、ピロー ル、チアゾール、ピリジン、ピラジン、モルホリン、ピリダジン、ピリミジン、 ピロリジン、ピラゾール、キノキサリン、キナゾリン、フィハロジン、キノリン 、プリン、インダゾール、インドール、インドーラジン、フェナジン、フェナル サジン、フェノチアジン、ピロリン、インドリン、ピペリジン、ピペラジンおよ びそれらの組合わせが挙げられる。さらに適切なものは、１，５−ジアザビシク ロ［４．３．０］ノネ−５−エン、１，４−ジアザビシタロ［２．２．２］オク タン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エンのような他の 脂肪族環状アミンである。さらに好ましいのは、例えばオタチルジメチルアミン 、トリス−ジメチルアミノメチルフェノール、ベンジルジメチルアミン、Ｎ，Ｎ −ジメチルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’ −テトラメチルブタンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラメチルヘキサン−ジ アミン、トリイソオクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、トリフェニルア ミンのような二級および三級非環状アミンおよび同等物である。 適切なホスフィンとしては、例えば、トリフェニルホ スフィン、トリメチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフ ィン、トリペンチルホスフィン、トリヘプチルホスフィン、トリオクチルホスフ ィン、トリノニルホスフィン、トリデシルホスフィン、トリドデシルホスフィン 、ビス（ジフェニルホスフィノ）−メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィ ノ）−エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）−プロパン、１，２−ビ ス（ジメチルホスフィノ）−エタン、１，３−ビス（ジメチルホスフィノ）−プ ロパンおよびそれらの組合わせが挙げられる。適切なヒ化水素としては、例えば 、トリフェニルアルシン、トリブチルアルシンおよびそれらの組合わせが挙げら れる。 触媒量は、組成物の非溶媒部分の好ましくは約０．０１重量％から約１０重量 ％、さらに好ましくは約０．０２から約５重量％、そして最も好ましくは約０． ０５から約２重量％の量で存在する。 組成物は、さらに、フェノール性モノマーまたはポリマーのような任意の芳香 族水酸基含有化合物またはその混合物を含有する。ここで使用される適切な芳香 族水酸基含有化合物としては、例えば、分子当たり平均１つ以上のフェノール性 水酸基を有する化合物が挙げられる。適切なこのような化合物としては、例えば ジヒドロキシフェノール、ビ−フェノール、ビスフェノール、ハロゲ ン化ビスフェノール、アルキル化ビスフェノール、トリスフェノール、フェノー ル−アルデヒド樹脂、ハロゲン化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、アル キル化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズ アルデヒド樹脂、アルキル化フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ジ ヒドロキシフェノール、ビフェノール、ビスフェノール、ハロゲン化ビスフェノ ール、アルキル化ビスフェノール、トリスフェノールのエチレンオキシド、プロ ピレンオキシド、またはブチレンオキシド・アダクト、フェノール−アルデヒド ノボラック樹脂、ハロゲン化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、アルキル 化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、クレゾール−アルデヒドノボラック 樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシ ベンズアルデヒド樹脂、ビニルフェノールポリマー、それらのあらゆる組合わせ および同等物が挙げられる。 フェノール含有化合物またはポリマーを使用する場合、それは、組成物の非溶 媒部分の重量に基づいて好ましくは約１％から約５０％、さらに好ましくは約５ ％から約４０％、そして最も好ましくは約１０％から約３０％で存在する。 フェノール含有化合物またはポリマーを使用する場合 、触媒量は、組成物の非溶媒部分の重量に基づいて好ましくは約０．０１％から 約１０％、さらに好ましくは約０．０２％から約５％、そして最も好ましくは約 ０．０５％から約２％である。 フェノール含有化合物またはポリマーを使用する場合、光酸量は、総組成物の 非溶媒部分の重量に基づいて好ましくは約０．０５％から約２０％、さらに好ま しくは約０．２％から約１０％、そして最も好ましくは約０．５％から約５％で ある。 フェノール含有化合物またはポリマーを使用する場合、エポキシは、総組成物 の非溶媒部分の重量に基づいて好ましくは約１０％から約９０％、さらに好まし くは約２０％から約７０％、そして最も好ましくは約３０％から約６０％である 。 フェノール含有化合物またはポリマーを使用する場合、無水物は、総組成物の 非溶媒部分の重量に基づいて好ましくは約１０％から約９０％、さらに好ましく は約２０％から約７０％、そして最も好ましくは約３０％から約６０％である。 フェノール含有化合またはポリマーを使用する場合、エボキシ対混合無水物お よびフェノール性化合物のモ ル比は、約０．１から約１０、さらに好ましくは約０．２から約５、そして最も 好ましくは約０．５から約２．０である。アルデヒト対フェノール性化合物のモ ル比は、約２０対約０．５、好ましくは約１０対約１．０である。 任意で本発明の組成物に含むことができる他の添加剤は、フィラー、染料およ び色素のような着色剤、界面活性剤、難燃剤、可塑剤、酸化防止剤および同等物 である。本発明に使用できる着色剤の非独占的例は、以下のとおりである：パー マネント・イエローＧ（Ｃ．Ｉ．２１０９５）、パーマネント・イエローＧＲ（ Ｃ．Ｉ．２１１００）、パーマネント・イエローＤＨＧ（Ｃ．Ｉ．２１０９０） 、パーマネント・ルビンＬ６Ｂ（Ｃ．Ｉ．１５８５０：１）、パーマネント・ピ ンクＦ３Ｂ（Ｃ．Ｉ．１２４３３）、ホスタペルム・ピンクＥ（７３９１５）、 ホスタペルム・レッド・バイオレットＥＲ（Ｃ．Ｉ．４６５００）、パーマネン ト・カーマインＦＢＢ（１２４８５）、ホスタペルム・ブルーＢ２Ｇ（Ｃ．Ｉ． ７４１６０）、ホスタペルム・ブルーＡ２Ｒ（Ｃ．Ｉ．７４１６０）、およびプ ンテックス２５。使用できる界面活性剤としては、例えば、組成物の１０重量％ までのノニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オタチルフェノキ シエタノールが挙げられる。使用できる可塑剤としては、例えば、組成物の１０ 重量％までの リン酸トリ−（ベータ−クロロエチル）−エステル、ステアリン酸、ジカンファ ー、ポリプロピレン、アセチル樹脂、フェノキシ樹脂、およびアルキル樹脂が挙 げられる。可塑剤添加剤は、材料の被覆特性を改善し、そして平滑であるフィル ム、および基板に対する均質厚みの使用を可能にする。 光誘電組成物の成分は、任意の適切なメジウム溶媒中で混合し、そして任意の 常套の手段によって導電性箔に被覆できる。本発明の光重合性組成物を製造する ときに使用できる溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノールおよび ブタノールのようなアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ チルケトン、シタロヘキサノン、ジイソブチルケトン等のようなケトン；エチル アセテート、ブチルアセテート、アミルアセテート、メチルホルメート、エチル プロピオネート、ジメチルフタレート、エチルベンゾエートおよびメチルセロソ ルブアセテートのようなエステル；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベン ゼンのような芳香族炭化水素；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム 、１，１，１−トリクロロエタン、１，２−ジタロロエタン、モノタロロベンゼ ン、クロロナフタレンのようなハロゲン化炭化水素；テトラヒドロフラン、ジエ チルエーテルエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリ コールモノメチルエーテル等のようなエ ステル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキド等、それらの混合物が挙げ られる。最も好ましい溶媒は、写真被覆の他の成分を溶解するエチレングリコー ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルおよびジメチル ホルムアミドである。本発明の光重合性組成物で使用できる適切な量の溶媒は、 組成物の総非溶媒部分の約２０重量％から約１，０００重量％まで、好ましくは ５０重量％から５００重量％までの範囲にある。さらに、限定されないがスピン コーティング、スロットダイコーティング、押出、メイヤーロッド描画、ブレー ド描画、スクリーンコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、 またはスプレーコーティングのようなよく知られた技術によって、製造した光誘 電組成物を箔基板に被覆する。いったん光誘電組成物コーティングを基板に塗布 すると、溶媒を蒸散させて、約２０から約２００ｇ／ｍ²まで、さらに好ましく は約４０から約１５０ｇ／ｍ²まで、そして最も好ましくは約５０から約１００ ｇ／ｍ²までの乾燥コーティング量を生じる。保護フィルムは、それが使用の準 備ができるまで、任意で、光誘電組成物に付着できる。適切なポ型光誘電性樹脂 も、例えば、ニュージャージー、ソマーべルのクラリアント・コーポレーション 、ＡＺ−Ｐ４６２０の商品名として市販で得ることができる。 図１に見られるとおり、その後、導電性箔２および感 光性誘電組成物４を含む感光性素子を、基板８の表面にある導電性ライン６のパ ターンに付着させる。適切な基板としては、ポリエステル、ポリイミド、エポキ シ、シアネートエステル、テフロンおよびシリコンのようなプリント回路基板を 製造するために当業界でよく知られるものが挙げられる。前述のおのおのは、ガ ラス繊維または有機高分子繊維によって強化しうる。導電性ラインのパターンは 、銅、銅合金、アルミニウム、合金および同等物のような金属でありうるが、銅 が最も好ましい。発明の内容の範囲内で、語句金属ラインとしては、電気的ボン ディングパッドが挙げられる。これらは、よく知られた光リソグラフおよびエッ チング加工によって製造できる。好ましくは、感光性素子は、積層の手段によっ て金属ラインおよび基板に付着させる。すなわち、感光性素子および基板を、約 ９０℃から約１５０℃までの温度で、積層装置で加熱ローラーまたは加熱プレス の組のニップを通して通過させる。 図２に見られるとおり、さらに、箔２の反対表面の上にフォトレジスト１０の 層を塗布する。誘電組成物層４が、ここで、導電性ライン６の上および間の両方 に配置されることに注目すべきである。フォトレジストは、ポジ型作動またはネ ガ型作動であってよい。有用なポジ型作動フォトレジストとしては、感光性誘電 組成物に有用であるとおり上で記述された組成物のものが挙げられる 。適切なポジ型作動フォトレジストは、当業界でよく知られており、そしてポジ 型作動ｏ−キノンジアジド照射活性剤を包含できる。ｏ−キノンジアジド活性剤 としては、米国特許番号第２，７９７，２１３号；第３，１０６，４６５号；第 ３，１４８，９８３号；第３，１３０，０４７号；第３，２０１，３２９号；第 ３，７８５，８２５号；および第３，８０２，８８５号に開示されるｏ−キノン −４−または−５−スルホニル−ジアジドが挙げられる。ｏ−キノンジアジドを 使用する場合、好ましくは結合樹脂としては、水不溶性、水性アルカリ溶解性ま たは膨潤性結合樹脂が挙げられ、それは好ましくはノボラックである。ノボラッ ク樹脂の生成は、当業界でよく知られている。それらの製造の手段は、Ｋｎｏｐ Ａ．およびＳｃｈｅｉｂ，Ｖ．の「フェノール性樹脂の化学と使用法」ニュー ヨーク州のスプリンガー・ベルラグ（１９７９年）、第４章で記述されており、 それは、参照してここに組込まれる。適切なノボラック樹脂は、約６，０００か ら約１４，０００まで、またはさらに好ましくは約８，０００から約１２，００ ０までの範囲内にある好ましい分子量を示す水不溶性、水性アルカリ溶解性樹脂 である。活性剤およびバインダーの量は、所望の製品の特徴によって当業者によ って実験的に変化させうる。成分を、上に列記されるもののような適切な溶媒で ブレンドし、導電性箔の上に被覆させ、そして乾燥させる。適切なフォトレジス ト組成物は、米国特許番号第４， ５８８，６７０号に記述されている。ネガ型フォトレジストは、広く市販で入手 可能でもある。選択的に、フォトレジストは、マックデルミド・アクア・マー・ ドライフィルムフォトレジストのようなドライフィルムフォトレジストでありう る。 さらに、フォトレジストを、光効果照射に撮像露光させる。ここで使用される とおり、「光効果照射」は、スペタトルの可視、紫外または赤外領域での光、並 びに電子ビーム、イオンまたはニュートロンビームまたはＸ線照射として定義さ れる。光効果照射は、インコヒーラント光またはコヒーラント光、例えばレーザ ーからの光であってよい。光効果光の源、および露光手段、時間、波長および強 度は、光反応の所望の程度および当業者に知られる他の因子によって広範に変化 しうる。このような従来の光反応プロセスおよびそれらの操作パラメーターは、 当業界でよく知られている。光効果照射の源および照射の波長は、広範に変化す ることができ、そして任意の従来の波長および源を使用することができる。露光 は、写真マスクまたはコンピューター指向性レーザーパターンを介して３００か ら５５０ナノメーターの範囲でのような紫外線照射に対してであり、そして現像 されうる。適切なＵＶ光源は、炭素アークランプ、キセノンアータランプ、金属 ハライド（金属ハライドランプ）でドープされうる水銀灯、蛍光ランプ、アルゴ ンフィラメント ランプ、電子フラッシュランプおよび写真投光照明ランプである。露光を行って 、感光性組成物を、マスクを通して露光させる画像領域で光化学的変化をさせる が、さらに実質的に、非画像領域ではあらゆる光化学的変化を防止する素子に充 分な光効果エネルギーを供する。その後、露光したフォトレジストを現像し、そ れによって除去される撮像部分が、少なくともいくつかの導電性ラインの上にあ るように、フォトレジストの除去される撮像および除去されない撮像の部分を形 成する。一般的な現像液組成物は、自然ではアルカリ性または中性でありえて、 そして約５から約１２までのｐＨ領域を示す。現像液を、好ましくは、ヒドロキ シド、ホスフェート、シリケートメタビスルフィットおよび／またはモノエタノ ールアミンの水性溶液から形成する。このようなものは、非独占的に、アルカリ 金属ヒドロキシド、モノ−、ジ−およびトリ−アルカリ金属ホスフェート、珪酸 ナトリウム、メタ珪酸アルカリ金属およびアルカリメタビスルフィットが含まれ る。現像液は、さらに当業界で認識される界面活性剤、緩衝液、溶媒および他の 成分を含むこともできる。他の現像液は、一般の有機溶媒から構成されうる。 次に、下層にあるフォトレジスト誘電組成物を除去することなしに、フォトレ ジストの除去される撮像部分の下層にある導電性箔の部分を除去する。除去され るべき 導電性箔部分を、エッチングおよびレーザー切除のような公知技術によってその ように除去できる。図３は、フォトレジスト層の残余の除去後の除去される撮像 部分を有する導電性箔を示す。 次に、順応性マスクとして導電性箔を用いて、上で記述される方法で導電性箔 の除去部分を介して光効果照射に、下層にある感光性誘電組成物を画像様に露光 する。誘電体層の露光した部分１２が、図４で見られる。任意で、感光性誘電組 成物を加熱して、それらの非露光部分の現像液安定性を減少させる。このような ものは、約１分から約３０分までの間、約９０℃から約１７０℃までの温度であ ってよい。その後、感光性誘電組成物を、上に記述したものと同様の方法で現像 して、それにより、除去される撮像部分が、図５で見られるとおり導電性ライン ６にビア１４を形成するように、感光性誘電組成物の除去される撮像および除去 されない撮像部分を形成する。 その後、感光性誘電組成物の除去されない部分を、硬化させ、好ましくは熱で 硬化させる。硬化は、約９０℃から約２５０℃までの温度で、約１０分から約１ ２０分までの間で加熱することによって効力を及ぼす。 その後、ビアを介して、導電性ラインを導電性箔の一 部に電気的に接続する。これは、図６に見られるとおり、導電性ライン６から導 電性箔２の一部までを、ビアを介して金属１６でメッキすることによって行うの が好ましい。このようなものは、導電性ラインから導電性箔の一部までを、ビア を介して無電解金属メッキを行うこと、任意で、続いて金属電気メッキ段階を行 うことによって行うことができ、その段階の各々は、当業界でよく知られている 。任意で、エポキシ・テクノロジー，インクから入手可能なＵ−３００のような 導電性ペースト、またはカリフォルニア州カールスバッド（Carlsbad，Californ ia）のトラナガン・テクノロジーズ・インク．から入手可能なオーメットのよう な有機金属化合物でビアを充填できる。その後、導電性箔を、好ましくは、当業 界でよく知られた手段によってパターン化させて、それにより導電性箔ラインの パターンを製造する。任意で、加工段階は、上で記述される方法から生じる先に パターン化した導電性箔ラインの上に別の感光性素子を付着させることによって 、１回またはそれ以上繰り返して、多層構造を形成させことができる。任意で、 全プロセスは基板の両方の側で１回またはそれ以上の回数を行って、両面プリン ト回路基板を供することができる。 本発明の別の実施態様では、図１で先に記述されるとおり、上の感光性素子を 、基板８の表面の導電性ライン６のパターンの上に付着させる。その後、図７に 見られ るとおり、基板８の表面の導電性ライン６の上または間の感光性誘電組成物４の みを離すエッチングまたはレーザー切除技術によるように、全導電性箔２を除去 する。これは、レーザーメッキした銅を誘電体層にいっそうよく接着させるため の感光性誘電組成物に、微細研磨した、艶消し表面を付与する。図８および９に 見られるとおり、その後、感光性誘電組成物４を、光効果照射に撮像露光させ、 そして現像してそれによって、除去される撮像部分が少なくともいくつかの導電 性ラインの上にあるように、誘電組成物の除去される撮像および除去されない撮 像部分を形成し、それによりビア１４を導電性ライン６に形成する。その後、感 光性誘電組成物の除去されない部分を硬化させる。その後、図１０に見られると おり、好ましくはメッキによって、銅のような電気的に伝導性である層１８を導 電性組成物上に形成し、そしてビア１６を介して、導電性ライン６から電気的に 導電性である層１８までに電気的接続を形成する。その後、同業界でよく知られ た手段によって、電気的に導電性のある層１８を、パターン化させて、電気的に 導電性である層材料から得た導電性ラインのパターンを製造する。 以下の限定されない例は、本発明を例示する役割を果たす。 実施例１ 室温で、そして黄色光の下で、２種のエポキシモノマーである８重量％でシェ ル・ケミカル・カンパニー（Shell Chemical Company）によるエポン１００１Ｆ （EPON１００１Ｆ）と、１６％でナガセ・ケミカルによるデナコールEX-512（De nacol EX-512）と、２４％でエルフォトケム・インク．（Elf Autochem Inc.） によるスチレンマレイン酸無水物オリゴマーであるSMA１０００と、２．５％で サルトマー・カンパニー（Sartomer Company）から得た光酸ＣＤ１０１１と、０ ．３％で２−エチル−４−メチルイミダゾール（EMI）と、そして４９．２％で 溶媒メチルエチルケトン（MEK）とを混合することによって、感光性樹脂を製造 した。このモノマー混合液を、５０から１００μｍまでの厚みに銅箔基板上に被 覆した。コーティングを、５分間、９０℃オーブンで焼付けて、粘着付与剤不含 ドライフィルムを形成した。上のとおり製造される銅箔によって焼付けた感光性 ドライフィルムを、約１２０℃のローラー温度で、熱間圧延積層装置によって回 路化内側層基板に積層させる。同じ段階で、マックデルミッド・アタア・マーMP 200（MacDermid Aqua Mer MP２００）ドライフィルムフォトレジストの追加の層 を、銅箔の頂部に積層させる。全体を冷却させ、そしてドライフィルムフォトレ ジストを、ビアが望まれる暗所領域と共に、おおむね透明であるアートワークを 介してUV光に露光させる。ドライフィルムフォトレジストを現像し、 ビアが、マスクの暗所領域によって覆われた領域の下に作製される銅箔を露光さ せる。その後、塩化第二銅エッチ液を用いて、５０℃で露光銅箔をエッチングで 除く。洗浄および乾燥の後、パネルを、１Ｊ／ｃｍ²でUVに露光させる。露光パ ネルを、１４０℃で５分間後焼付けし、そして冷却させた後、５０℃で５分間、 １０％モノエタノールアミン（ＭＥＡ）水性溶液でパネルを浸漬し、噴霧して、 ドライフィルムフォトレジストを剥離し、そして次の層にある銅パッドに感光性 層のビアホールを進展させる。ホールを過マンガン酸カリウムで塗布物を取り、 従来の洗浄溶液で洗い、洗浄し、そして乾燥させる。その後、パネルを、１７０ ℃で２時間焼付けて、誘電性層を硬化させる。硬化に続いて、パネルを、通常の 無電解銅溶液でメッキし、続いて１−２ミルの銅の追加のエレクター（elector ）メッキする。その後、２つの銅の層の間の導電性ビアを形成する。外側層回路 を、従来のプリントおよびエッチング加工で作製する。フォトレジストドライフ ィルムを、銅板の上に積層させ、そしてＵＶ露光および現像によって画像化する 。銅層を、従来の銅エッチ液でエッチングする。エッチング後、フォトレジスト フィルムを、従来の剥離剤で剥離させ、そしてパネルを、従来の洗浄溶液で洗浄 する。必要な限り多くの回数、上のプロセスを繰返して、所望の数のビルトアッ プ（立上げ）層を有するプリント配線基板を作製する。最後に、基板を、ハンダ マスク、ハンダ、無電解金等が望ま れるいかなる追加の層でも加工する。 実施例２ 室温で、そして黄色光下で、２種のエポキシモノマーである１６重量％でシェ ル・ケミカル・カンパニー（Shell Chemical Company）によるエポン１１６３（ EPON１１６３）と、８％でナガセ・ケミカルによるデナコールEX−６１４Ｂ（De nacol EX−６１４Ｂ）と、２４％でエルフォトケム・インク．（Elf Autochem I nc.）によるスチレンマレイン酸無水物オリゴマーであるSMA１０００と、２％で サルトマー・カンパニー（Sartomer Company）から得た光酸ＣＤ１０１１と、０ ．２％で２−エチル−４−メチルイミダゾール（EMI）と、そして４９．８％で 溶媒メチルエチルケトン（MEK）とを混合することによって、感光性樹脂を製造 した。このモノマー混合液を、５０から１００μｍまでの厚みに銅箔基板上に被 覆した。コーティングを、５分間、９０℃オーブンで焼付けて、粘着付与剤不含 ドライフィルムを形成した。上のとおり製造される銅箔によって焼付けた感光性 ドライフィルムを、約１００℃で、真空圧によって回路化内側層基板に積層させ る。マックデルミッド・アタア・マーMP200（MacDermid Aqua Mer MP２００）ド ライフィルムフォトレジストを、１１５℃で、熱間圧延積層装置によって銅箔の 頂部に積層させる。全体を冷却させ、そしてドライフィ ルムフォトレジストを、ビアが望まれる暗所領域と共に、おおむね透明であるア ートワークを介してUV光に露光させる。ドライフィルムフォトレジストを現像し 、それによってビアが、マスクの暗所領域によって覆われた領域の下に作製され る銅箔を露光させる。その後、塩化第二銅エッチ液を用いて、５０℃で露光銅箔 をエッチングで除く。洗浄および乾燥の後、パネルを、１Ｊ／ｃｍ²でUVに露光 させる。露光パネルを、１４０℃で５分間後焼付けし、そして冷却させた後、パ ネルを１０％モノエタノールアミン（ＭＥＡ）水性溶液に５０℃で５分間、浸漬 し、そして噴霧して、ドライフィルムフォトレジストを剥離し、そして次の層に ある銅パッドに感光性層のビアホールを進展させる。清掃し、洗浄しそして乾燥 させた後、パネルを、１７０℃で２時間焼付けて、誘電体層を硬化させる。硬化 に続いて、パネルを、従来の無電解銅溶液でメッキし、続いて１−２ミルの銅の 追加の電気メッキする。その後、２つの銅の層の間の導電性ビアを形成する。外 側層回路を、従来のプリントおよびエッチング加工で作製する。フォトレジスト ドライフィルムを銅板の上に積層させ、そしてＵＶ露光および現像によって画像 化する。銅層を、従来の銅エッチ液でエッチングする。エッチング後、フォトレ ジストフィルムを、従来の剥離剤で剥離させ、そしてパネルを、従来の洗浄溶液 で洗浄する。必要な限り多くの回数、上のプロセスを繰返して、所望の数のビル トアップ（立上げ）層を有す るプリント配線基板を作製する。最後に、基板を、ハンダマスク、ハンダ、無電 解金等が望まれるあらゆる追加の層でも加工する。 実施例３ 室温で、そして黄色光下で、１種のエポキシモノマーである２４％でナガセ・ ケミカルによるデナコールEX−５１２（Denacol EX−５１２）と、２４％でエル フォトケム・インタ．（Elf Autochem Inc.）によるスチレンマレイン酸無水物 オリゴマーであるSMA１０００と、２％でサルトマー・カンパニー（Sartomer Co mpany）から得た光酸ＣＤ１０１１と、０．２％で２−エチル−４−メチルイミ ダゾール（EMI）と、そして４９．８％で溶媒メチルエチルケトン（MEK）とを混 合することによって、感光性樹脂を製造した。このモノマー混合液を、５０から １００μｍまでの厚みに、ガラス基板上に被覆した。コーティングを、５分間、 ９０℃オーブンで焼付けて、粘着付与剤不含ドライフィルムを形成した。上のと おり製造される銅箔によって焼付けた感光性ドライフィルムを、約１００℃で、 真空圧によって回路化内側層基板に積層させる。銅箔を、５０℃で塩化第二銅エ ッチ液を用いてエッテングさせる。洗浄および乾燥の後、パネルを、１J/cm²で 所望の特性を示すアートワークを通してUVに露光させる。露光パネルを、１４０ ℃で５分間後焼付け し、そして冷却させた後、パネルを、５０℃で３分間、１０％モノエタノールア ミン（ＭＥＡ）水性溶液で現像して、次の層にある銅パッドにまで光誘電体層の ビアホールを拡張させる。清浄し、洗浄しそして乾燥させた後、パネルを、１７ ０℃で２時間焼付けて、誘電体層を硬化させる。硬化に続いて、パネルを、従来 の無電解銅溶液でメッキし、続いて１−２ミルの銅の追加の電気メッキする。そ の後、２つの銅の層の間の導電性ビアを形成する。外側層回路を、従来のプリン トおよびエッチング加工で作製する。フォトレジストドライフィルムを、銅板の 上に積層させ、そしてＵＶ露光および現像によって画像化する。銅層を、従来の 銅エッチ液でエッチングする。エッチング後、フォトレジストフィルムを、従来 の剥離剤で剥離させ、そしてパネルを、従来の洗浄溶液で洗浄する。必要な限り 多くの回数、上のプロセスを繰返して、所望の数のビルトアップ（立上げ）層を 有するプリント配線基板を作製する。最後に、基板を、ハンダマスク、ハンダ、 無電解金等が望まれるあらゆる追加の層でも加工する。 実施例４ 室温で、そして黄色光下で、２種のエポキシモノマーである８重量％でシェル ・ケミカル・カンパニー（Shell Chemical Company）によるエポン１００１Ｆ（ EPON１ ００１Ｆ）と、１６％でナガセ・ケミカルによるデナコールEX−５１２（Denaco l EX−５１２）と、２４％でエルフォトケム・インク．（Elf Autochem Inc.） によるスチレンマレイン酸無水物オリゴマーであるSMA２０００と、２％でサル トマー・カンパニー（Sartomer Company）から得た光酸ＣＤ１０１１と、０．２ ％で２−エチル−４−メチルイミダゾール（EMI）と、そして４９．８％で溶媒 メチルエチルケトン（MEK）とを混合することによって、感光性樹脂を製造した 。このモノマー混合液を、５０から１００μｍまでの厚みに、ガラス基板上に被 覆した。コーティングを、５分間、９０℃オーブンで焼付けて、粘着付与剤不含 ドライフィルムを形成した。上のとおり製造される銅箔によって焼付けた感光性 ドライフィルムを、約１００℃で、真空圧によって回路化内側層基板に積層させ る。銅箔を、５０℃で塩化第二銅エッチ液を用いてエッチングさせて除く。洗浄 および乾燥の後、パネルが、１Ｊ／ｃｍ²で所望される透明領域を有するアート ワータを通してUVに露光させる。露光パネルを、１４０℃で５分間後焼付けし、 そして冷却させた後、５０℃で３分間、１０％モノエタノールアミン（ＭＥＡ） 水性溶液で現像して、次の層にある銅パッドにまで光誘電体層のビアホールを拡 張させる。清浄し、洗浄しそして乾燥させた後、パネルを、１７０℃で２時間焼 付けて、誘電体層を硬化させる。硬化に続いて、パネルを、従来の無電解銅溶液 でメッキし、続いて１ミタロンの銅の追 加の通常の電気メッキする。その後、２つの銅の層の間の導電性ビアを形成する 。従来のドライフィルムフォトレジストを、パネルの上に積層させ、そしてマス クを介して露光させ、そして標準の工業操作を用いて現像する。マスクにあるパ ターンは、軌跡が望まれない回路でフォトレジストを遊離するためのものである 。ここで、回路が所望される場合のみに、銅を露光させる。ここで、追加の従来 の電気メッキ段階を行って、露光領域で銅粘着性をさらに１−２ミル増大させる 。フォトレジストを剥離し、そして２ミクロンの銅をすべてのところからエッチ ングで除去し、そしてパネルを従来の洗浄溶液で洗浄する。これは、ちょうどメ ッキから外れたいっそう厚みのある銅の塊を遊離しながら、最後のメッキ段階の 間にフォトレジストの下にある銅薄層を除去し、これにより外側層回路を作製す る。必要な限り多くの回数、上のプロセスを繰返して、所望の数のビルトアップ 層を有するプリント配線基板を作製する。基板を、ハンダマスクのような保護層 が望まれるあらゆるもので加工する。 上述から、高密度立上げ多層プリント回路基板を、ポジ型作動光画像性誘電材 料でマイクロビアを構築することによって製造することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＡ，ＪＰ，Ｋ Ｒ，ＳＧ (72)発明者 ヤードリー、ジェイムズ ティー. アメリカ合衆国 07960 ニュージャージ ー州 モーリスタウン マッカロッチ ス トリート 40 (72)発明者 ハース、デイヴィッド アメリカ合衆国 07090 ニュージャージ ー州 ウエストフィールド シャックマク ソン ドライブ 527 (72)発明者 ヴァランス、マイケル アメリカ合衆国 54601 ウィスコンシン 州 ラ クロース スィッスルダウン ド ライブ ダブリュー5787 (72)発明者 ゴトロ、ジェフリー トーマス アメリカ合衆国 54650 ウィスコンシン 州 オナラスカ プレイリー クローヴァ ー プレイス 2820 (72)発明者 ペッティ、マイケル エイ. アメリカ合衆国 60089 イリノイ州 バ ッファロー グローブ ピニヨン パイン コート ノース 170

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．（ａ）基板の表面上の導電性ラインのパターンの上に感光性素子を付着さ せ；その感光性素子は、感光性誘電組成物を導電性ライン上に配置するように、 導電性箔の表面上のポジ型作動感光性誘電組成物を包含し、 （ｂ）フォトレジストの層を上記箔の反対表面に塗布し、 （ｃ）光効果照射にフォトレジストを撮像露光し、任意で、感光性誘電組成物を 加熱して、それの非露光部分の現像液溶解性を減らし、そしてフォトレジストを 現像してそれによって、除去した撮像部分が、少なくともいくつかの導電性ライ ン上にあるように、フォトレジストの除去される撮像および除去されない撮像部 分を形成し、 （ｄ）下層にある感光性誘電組成物を除去することなしに、フォトレジストの撮 像除去部分の下層にある導電性箔の部分を除去し、 （ｅ）導電性箔の除去部分を介して光効果照射に感光性誘電組成物を全体的に露 光させ；任意で、感光性誘電組成物を加熱して、それの非露光部分の現像液溶解 性を減らし；感光性誘電材料を現像させて、それにより導電性箔の除去部分の下 層にある感光性誘電組成物の部分のみを除去し、それにより導電性ラインにビア を形成し、 （ｆ）感光性誘電組成物の非除去部分を硬化させ、 （ｇ）ビアを介して一部の導電性箔に、導電性ラインを 電気的に接続させ、そして （ｈ）導電性箔をパターン化させて、それにより導電性箔ラインのパターンを作 製することを特徴とするプリント回路基板を作製する方法。 ２．さらに、段階（ａ）による別の感光性素子を、先にパターン化した段階（ ｈ）から生じる導電性箔ラインの上に付着させることによって、少なくとも一度 、繰返し段階（ａ）から（ｈ）を包含する請求項１に記載の方法。 ３．段階（ｇ）が、導電性ラインから一部の導電性箔までビアを介して金属を メッキすることを特徴とする請求項１に記載の方法。 ４．段階（ｇ）が、導電性ラインから一部の導電性箔までビアを介して無電解 金属メッキを行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ５．段階（ｇ）が、導電性ラインから一部の導電性箔までビアを介して無電解 金属メッキを行い、続いて金属電気メッキ段階を行うことを特徴とする請求項１ に記載の方法。 ６．段階（ｇ）が、導電性ペーストまたは有機金属化 合物でビアを充填することを特徴とする請求項１に記載の方法。 ７．段階（ｆ）が、約９０℃から約２５０℃までの温度で加熱することによっ て行われる請求項１に記載の方法。 ８．箔が、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金を包含する請求 項１に記載の方法。 ９．導電性ラインが、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金を包 含する請求項１に記載の方法。 １０．基板が、絶縁材料を包含する請求項１に記載の方法。 １１．フォトレジストが、ネガ型作動感光性組成物である請求項１に記載の方 法。 １２．フォトレジストが、ポジ型作動感光性組成物である請求項１に記載の方 法。 １３．基板が、ポリエステル、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル、 シリコン、ヒ化ガリウムおよびテフロンから構成される群から選択される材料を 包含す る請求項１に記載の方法。 １４．ポジ型作動感光性誘電組成物が、光効果照射への露光で酸を発生する能 力がある少なくとも１種の光酸発生剤、少なくとも１種の有機酸無水物モノマー 、またはポリマー、少なくとも１種のエポキシ、少なくとも１種の窒素含有硬化 触媒、および任意の芳香族水酸基含有モノマー、ポリマーまたはそれらの混合物 を包含する請求項１に記載の方法。 １５．光酸発生剤がオニウム化合物である請求項１４に記載の方法。 １６．光酸発生剤が、スルホニウム化合物、ヨードニウム化合物、ジアゾニウ ム化合物、および光不安定なハロゲン原子を伴う有機化合物から構成される群お よびそれらの混合物から選択される請求項１４に記載の方法。 １７．酸無水物ポリマーが、約５００から約５０，０００までの数平均分子量 を示す請求項１４に記載の方法。 １８．酸無水物ポリマーが、スチレン−マレイン酸無水物、スチレン−アルキ ルメタクリレート−イタコン酸無水物、メチル メタクリレート−ブチル アク リレート −イタコン酸無水物、ブチル アクリレート−スチレン−マレイン酸無水物、ド デセニルコハク酸無水物、トリメリット酸無水物、クロロエン酸無水物、フタル 酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、１−メチル テトラヒドロフタ ル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルナド酸無水物、メチルブテニ ルテトラヒドロフタル酸無水物、ベンゾフェノン テラカルボン酸ジ酸無水物、 メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物およびそれらの混合物から構成される 群から選択される、請求項１４に記載の方法。 １９．エポキシが、約１００から約２０，０００までの範囲にある数平均分子 量、約５０から約１０，０００までのエポキシ当量、そして約１から約４０まで の分子当たりのエポキシ基の平均数を示す請求項１４に記載の方法。 ２０．エポキシが、レソルシノール、カテコール、ヒドロキノン、ビフェノー ル、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＫ、テトラブロモビ スフェノールＡのジグリシジルエーテル、フェノール−ホルムアルデヒドノボラ ック樹脂、アルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、フェノール−ヒド ロキシベンズアルデヒド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、 ジシクロペンタジエン−フェノール樹脂、ジ シクロペンタジエン−置換フェノール樹脂、テトラメチルビフェノール、テトラ メチル−テトラブロモビフェノールおよびそれらの混合物を包含する、請求項１ ４に記載の方法。 ２１．窒素含有触媒が、二級アミン、三級アミン、ホスホリン、およびアルシ ンおよびそれらのブレンド物から構成される群から選択される、請求項１４に記 載の方法。 ２２．窒素含有触媒が、イミダゾール、イミダゾリジン、イミダゾリン、オキ サゾール、ピロール、チアゾール、ピリジン、ピラジン、モルホリン、ピリダジ ン、ピリミジン、ピロリジン、ピラゾール、キノキサリン、キナゾリン、フィハ ロジン（phihalozines）、キノリン、プリン、インダゾール、インドール、イン ドーラジン、フェナジン、フェナルサジン、フェノチアジン、ピロリン、インド リン、ピペリジン、ピペラジンおよびそれらの混合物から構成される群から選択 される、請求項１４に記載の方法。 ２３．芳香族水酸基含有化合物が、ジヒドロキシフェノール、ビフェノール、 ビスフエノール、ハロゲン化ビスフェノール、アルキル化ビスフェノール、トリ スフェノール、フェノール−アルデヒド樹脂、ハロゲン化フェ ノール−アルデヒドノボラック樹脂、アルキル化フェノール−アルデヒドノボラ ック樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、アルキル化フェノー ル−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ジヒドロキシフェノール、ビフェノール 、ビスフェノール、ハロゲン化ビスフェノール、アルキル化ビスフェノール、ト リスフェノールのエチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドア ダクト、フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、ハロゲン化フェノール−アル デヒドノボラック樹脂、アルキル化フェノール−アルデヒドノボラック樹脂、ク レゾール−アルデヒドノボラック樹脂、フェノール−ヒドロキシベンズアルデヒ ド樹脂、クレゾール−ヒドロキシベンズアルデヒド樹脂、ビニルフェノールポリ マ−およびそれらの混合物から構成される群から選択される、請求項１４に記載 の方法。 ２４．請求項１の方法によって製造されるプリント回路基板。 ２５．請求項１４の方法によって製造されるプリント回路基板。 ２６．（ａ）導電性箔の表面の上にポジ型作動感光性誘電組成物の層を塗布し 、それによって感光性素子を形成させ、 （ｂ）感光性誘電組成物が導電性ライン上に配置されるように、基板の表面上の 導電性ラインのパターンに感光性誘電組成物を介して感光性素子を付着させ、 （ｃ）フォトレジストの層を上記箔の反対表面に塗布し、 （ｄ）光効果照射にフォトレジストを撮像露光し；任意で、感光性誘電組成物を 加熱して、それの非露光部分の現像液溶解性を減らし；そしてフォトレジストを 現像してそれによって、除去される撮像部分が、少なくともいくつかの導電性ラ イン上にあるように、フォトレジストの除去した撮像および除去されない撮像部 分を形成し、 （ｅ）下層にある感光性誘電組成物を除去することなしに、フォトレジストの撮 像除去部分の下層にある導電性箔の部分を除去し、 （ｆ）導電性箔の除去部分を介して光効果照射に感光性誘電組成物を全体的に露 光させ；任意で、感光性誘電組成物を加熱して、それの非露光部分の現像液溶解 性を減らし；感光性誘電体材料を現像させて、それにより導電性箔の除去部分の 下層にある感光性誘電組成物の部分のみを除去し、それにより導電性ラインにビ アを形成し、 （ｇ）感光性誘電組成物の非除去部分を硬化させ、 （ｈ）ビアを介して一部の導電性箔に、導電性ラインを電気的に接続させ、そし て （ｉ）導電性箔をパターン化させて、それにより導電性箔ラインのパターンを作 製することを特徴とするプリン ト回路基板を作製する方法。 ２７．さらに、段階（ａ）による別の感光性素子を、先にパターン化した段階 （ｉ）から生じる導電性箔ラインの上に付着させることによって、少なくとも一 度、繰返し段階（ａ）から（ｉ）を包含する請求項２６に記載の方法。 ２８．（ａ）感光性素子を、基板の表面上の導電性ラインのパターンの上に付 着させ；その感光性素子は、感光性素子誘導組成物を導電性ライン上に配置する ように、導電性箔の表面上のポジ型作動感光性誘電組成物を包含し、 （ｂ）導電性箔を除去し、 （ｃ）光効果照射に感光性誘電組成物の一部を撮像露光し；任意で、感光性誘電 組成物を加熱して、それの非露光部分の現像液溶解性を減らし；そして誘電組成 物を現像させて、それにより除去される撮像部分が、少なくともいくつかの導電 性ライン上にあるように、誘電組成物の除去した撮像および除去されない撮像部 分を形成し、 （ｄ）感光性誘電組成物の非除去部分を硬化させ、 （ｅ）同時に、誘電組成物の非除去部分上に電気的に導電性である層を形成し、 そしてビアを介して導電性層に導電性層を電気的に接続させ、そして （ｆ）電気的に導電性である層をパターン化させて、そ れにより導電性ラインのパターンを作製することを特徴とするプリント回路基板 を作製する方法。 ２９．さらに、段階（ａ）による別の感光性素子を、先にパターン化した段階 （ｆ）から生じる導電性箔ラインの上に付着させることによって、少なくとも一 度、繰返し段階（ａ）から（ｆ）を包含する請求項２８に記載の方法。 ３０．（ａ）ポジ型作動感光性誘電組成物の層を、導電性箔の表面上に付着さ せ、それにより感光性素子を形成し、 （ｂ）感光性誘電組成物が、導電性ラインに配置されるように、基板の表面上の 導電性ラインのパターンの上に感光性誘電組成物を介して、感光性素子を付着さ せ、 （ｃ）導電性箔を除去し、 （ｄ）光効果照射に感光性誘電組成物の一部を撮像露光し；任意で、感光性誘電 組成物を加熱して、それの非露光部分の現像液溶解性を減らし；そして誘電組成 物を現像させて、それにより除去した撮像部分が、少なくともいくつかの導電性 ライン上にあるように、誘電組成物の除去される撮像および除去されない撮像部 分を形成し、 （ｅ）感光性誘電組成物の非除去部分を硬化させ、 （ｆ）同時に、誘電組成物の非除去部分上に電気的に導電性である層を形成し、 そして電気的に導電性である層 にビアを介して導電性ラインを電気的に接続させ、そして （ｇ）電気的に導電性である層をパターン化させて、それにより導電性ラインの パターンを作製することを特徴とするプリント回路基板を作製する方法。 ３１．さらに、段階（ａ）による別の感光性素子を、先にパターン化した段階 （ｈ）から生じる導電性箔ラインの上に付着させることによって、少なくとも一 度、繰返し段階（ａ）から（ｇ）を包含する、請求項３０に記載の方法。