JP2002353407A - 半導体素子の並列接続用導体 - Google Patents

半導体素子の並列接続用導体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】複数の半導体素子を、電流に不平衡を生じるこ
となく並列接続させることができる並列接続用導体を、
手間をかけずに得られるようにする。 【解決手段】並列接続用導体20の第1辺に沿って複数
半導体素子を別個に接続する接続導体と、該第1辺に対
向する対向辺に出力用導体10とを備える。この両辺の
間に両者に平行なスリット27を、その両端が当該並列
接続用導体20の左右辺には達しない状態で開口させ、
第1辺側と対向辺側とをスリット27を越えて短絡させ
る短絡導体用に複数の取り付け孔28と、対向辺側に複
数の出力用導体の取り付け孔29を設ける。または、並
列接続用導体60の第1辺と対向辺との間にこれらに平
行なスリット67を、その一方の端が当該並列接続用導
体60の端に達するまで開口させ、第1辺側と対向辺側
とをスリット67を越えて短絡させる複数の短絡導体の
取り付け孔68と、対対向辺側に複数の出力用導体の取
り付け孔69を、前記スリット67の開口部側に偏って
設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の半導体素
子を並列に接続する際の不平衡電流を抑制することがで
きる半導体素子の並列接続用導体に関する。
【0002】
【従来の技術】インバータなどの電力変換装置を使用す
れば、従来は回転速度を制御するのが困難だった誘導電
動機でも、その回転速度を自由に変更することができる
ようになった。ところで誘導電動機の容量が増大すれ
ば、インバータなどの電力変換装置の電流容量も大きく
しなければならないが、インバータを構成するトランジ
スタやダイオードなどの半導体素子の電流容量を単独で
大きくすることは簡単にはできない。そこで複数の半導
体素子を並列接続することで、負荷に見合った電流容量
を確保することになるが、複数の半導体素子を並列に接
続するにあたっては、各半導体素子の通流電流に不平衡
が生じないようにしなければならない。
【0003】図5は複数の半導体素子を並列接続する際
の並列接続用導体の第1従来例を示した構造図であっ
て、4個の半導体素子を並列接続する場合を示してい
る。この図5の第1従来例において、図示を省略してい
る第1半導体素子からの電流は、実線で図示しているよ
うに、第1半導体素子を接続している接続導体5→並列
接続用導体9→出力用導体10の経路で流れる。同じく
図示を省略している第2半導体素子からの電流は、破線
で図示しているように、第2半導体素子を接続した接続
導体6→並列接続用導体9→出力用導体10の経路で流
れる。このとき実線の電流経路は破線の電流経路よりも
長くなる(すなわち回路インピーダンスが大きくなる)
から、第1半導体素子の通流電流は第2半導体素子の通
流電流よりも小となる。なお、第3半導体素子(図示は
省略)の通流電流は第2半導体素子と同じであり、第4
半導体素子(図示を省略)の通流電流は第1半導体素子
と同じになる。この図5で明らかなように、並列接続し
ている4個の半導体素子は、それぞれの接続導体から出
力用導体10までの距離が同じではないために、電流経
路のインピーダンスに差を生じ、これが原因で各半導体
素子の通流電流が不平衡になる不具合を生じる。
【0004】このような不具合を回避するには、図5に
図示している並列接続用導体9の奥行き寸法Lを大きく
すればよい。寸法Lが大になれば第1半導体素子を接続
している接続導体5から出力用導体10までの電流通流
長さと、第2半導体素子を接続している接続導体6から
出力用導体10までの電流通流長さとの差が小さくなる
ので、通流電流の差も小さくなる。しかしながら並列接
続用導体9の奥行き寸法Lを大きくすると、インバータ
装置全体の寸法が大形化してしまう不都合を生じるの
で、L寸法を大きくすることは困難である。
【0005】図6は複数の半導体素子を並列接続する際
の並列接続用導体の第2従来例を示した構造図であっ
て、図6と同様に4個の半導体素子を並列接続する場合
を示している。図6に図示の第2従来例では、半導体素
子を接続するための接続導体5〜8を備えている並列接
続用導体15の手前側の第1辺と、この第1辺と対向し
て出力用導体10が取り付けられている対向辺との間
に、これら第1辺と対向辺とに平行なスリット16を設
けるのであるが、このスリット16の両端(A部とB
部)では第1辺と対向辺とはつながっている。このよう
な形状のスリット16を設けることにより、図示してい
ない第1半導体素子からの電流は、実線で図示している
ように、第1半導体素子を接続した接続導体5→A部→
出力用導体10の経路で流れ、図示していない第2半導
体素子からの電流は、破線で図示しているように、第2
半導体素子を接続した接続導体6→A部→出力用導体1
0の経路で流れるが、このときの第2半導体素子の電流
通流経路(破線で図示)の長さは、明らかに第1半導体
素子の電流通流経路(実線で図示)よりも長い。しかし
ながら第2半導体素子の電流が接続導体6からA部へ流
れるときと、A部から出力用導体10へ流れるときとで
は、通流方向が逆であってその間隔が接近しているため
に、自己インダクタンスを低減させる作用がある。すな
わち、第2半導体素子の電流通流経路は第1半導体素子
の電流通流経路よりも長いけれども、回路インダクタン
スの減少に伴って回路インピーダンスが減少しているの
で、第1半導体素子の回路のインピーダンスとの差は殆
ど零になっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが電力変換装置
に要求される電流容量はますます増大しつつあるため、
半導体素子の並列接続数が4を越える場合が多くなって
いる。並列接続数が4を越えると、逆方向電流を近接し
て流すことによる配線インダクタンスの低減作用と、電
流の通流距離の増加に伴う回路抵抗の増加とのバランス
がとれなくなり、図6で図示の第2従来例のようにして
各半導体素子間の通流電流の不平衡を零にすることは困
難である。
【0007】そこで半導体素子の並列接続数が4を越え
る場合は、並列接続用導体15に開口させるスリット1
6の大きさを変えたり、接続導体5〜8の位置を変える
ことで、各半導体素子の通流電流を平衡させようとする
のであるが、これらの変更にあたっては、その都度実験
により試行錯誤を繰り返すことで最適形状を探し出さね
ばならず、並列接続用導体の試作と実験を繰り返すのに
多大の手間と時間をかけなければならない不都合があっ
た。
【0008】そこでこの発明の目的は、複数の半導体素
子を、電流に不平衡を生じることなく並列接続させるこ
とができる並列接続用導体を、手間をかけずに得られる
ようにすることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体素子の並列接続用導体は、複数
の半導体素子を左右方向に一列に配置し、長方形板状導
体の第1の辺に沿って前記各半導体素子に対応する位置
に別個の半導体素子接続部を設け、前記長方形板状導体
の前記第1辺と向かい合う対向辺に出力用導体を備えた
構造にする際に、前記長方形板状導体の前記第1辺と対
向辺との間に、これらの両辺に平行なスリットを、その
両端が当該長方形板状導体の左右辺には達しないように
して開口させ、該長方形板状導体の前記第1辺側と対向
辺側とを前記スリットを越えて短絡させる短絡導体の取
り付け用に複数の短絡導体取り付け孔を設け、該長方形
板状導体の前記対向辺側に前記出力用導体の取り付け用
に複数の出力用導体取り付け孔を設けるものとする。
【0010】または、前記長方形板状導体の前記第1辺
と対向辺との間に、これらの両辺に平行なスリットを、
その一方の端が当該長方形板状導体の一辺に達するまで
開口させ、該長方形板状導体の前記第1辺側と対向辺側
とを前記スリットを越えて短絡させる短絡導体の取り付
け用に複数の短絡導体取り付け孔を設け、該長方形板状
導体の前記対対向側に前記出力用導体の取り付け用に複
数の出力用導体取り付け孔を設けるものとする。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1実施例を表し
た構造図であって、6つの半導体素子を並列接続させる
場合を表している。図1の第1実施例において、並列接
続用導体20の手前側の第1辺には、6つの半導体素子
を接続するために6つの接続導体21〜26があり、こ
の第1辺に対向する向こう側の対向辺には、出力用導体
10が取り付けられている。これら第1辺と対向辺との
間にはスリット27が開口している。ここで第1辺と対
向辺との間を適宜に短絡するための短絡導体を取り付け
るために、複数の短絡導体取り付け孔28が第1辺側と
対向辺側に設けられている。更に出力用導体10の取り
付け位置を選択できるように、複数の出力用導体取り付
け孔29が対向辺側に設けられている。
【0012】図2は本発明の第1実施例を使用している
状況を表した構造図であって、1相分として6個の半導
体素子を並列接続し、これの3相分で3相電力変換装置
を構成した場合を表している。U相並列接続用導体31
にはU相スリット32が開口し、U相出力用導体33が
取り付けられているが、このU相スリット32をまたい
で第1辺側と対向辺側とを短絡する短絡導体34,35
と、複数の短絡導体取り付け孔36と、複数の出力用導
体取り付け孔37が開けられている。V相並列接続用導
体41も同様にV相スリット42が開口し、V相出力用
導体43が取り付けられているが、このV相スリット4
2をまたいで第1辺側と対向辺側とを短絡する短絡導体
44,45が取り付けられ、短絡導体取り付け孔と出力
用導体取り付け孔が開けられている。W相並列接続用導
体51も同様に、W相スリット52が開口し、W相出力
用導体53が取り付けられているが、このW相スリット
52をまたいで第1辺側と対向辺側とを短絡する短絡導
体54,55が取り付けられ、短絡導体取り付け孔と出
力用導体取り付け孔が開けられている。
【0013】図3は本発明の第2実施例を表した構造図
であって、第1実施例の場合と同様に、6つの半導体素
子を並列接続させる場合を表している。図3の第2実施
例において、並列接続用導体60の手前側の第1辺に
は、6つの半導体素子を接続するために6つの接続導体
61〜66があり、この第1辺に対向する向こう側の対
向辺には出力用導体10が取り付けられている。これら
第1辺と対向辺との間にはスリット67が開口している
が、このスリット67の右側はつながっているが、左側
は口が開いている。ここで第1辺と対向辺との間を適宜
に短絡するための短絡導体を取り付けるために、複数の
短絡導体取り付け孔68が第1辺側と対向辺側に設けら
れている。更に出力用導体10の取り付け位置を選択で
きるように、複数の出力用導体取り付け孔69が対向辺
側に設けられている。
【0014】図4は本発明の第2実施例を使用している
状況を表した構造図であって、当該並列接続用導体60
の第1辺と対向辺とを短絡するための短絡導体70,7
1が短絡導体取り付け孔68で取り付けられている。ま
た出力用導体10も出力用導体取り付け孔69で取り付
けられるのであるが、この出力用導体取り付け孔69は
左側方向(スリット67が開口している方向)に偏って
設けられている。
【0015】
【発明の効果】複数の半導体素子を並列に接続して大電
流を通流させるためには、各半導体素子の通流電流をバ
ランスさせなければならないが、そのためには各半導体
素子から出力用導体までの回路インピーダンスを揃える
必要がある。半導体素子の並列数が多くなると、回路イ
ンピーダンスを揃えるのが困難になるため、これまで
は、予めさまざまな形状の導体を用意し、所望の電流バ
ランスが得られるまで素子の付け替えと試験を繰り返し
ており、多大な手間と時間を費やし、また、予めいろい
ろな形状の導体を用意することから、コストか上昇する
という不具合があった。
【0016】本発明では、並列接続用導体にスリット
と、このスリットを短絡する導体の取り付け孔を設けた
ことにより、前記短絡導体の接続箇所や出力導体の取り
付け位置を素早く変更でき、不平衡電流が抑制され、電
流値が最適のバランスとなる形状を素早く見出すことが
できる。また、予め複数形状の導体を用意することが不
要になり、時間・手間・コストを節約することができる
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を表した構造図
【図2】本発明の第1実施例を使用している状況を表し
た構造図
【図3】本発明の第2実施例を表した構造図
【図4】本発明の第2実施例を使用している状況を表し
た構造図
【図5】複数の半導体素子を並列接続する際の並列接続
用導体の第1従来例を示した構造図
【図6】複数の半導体素子を並列接続する際の並列接続
用導体の第2従来例を示した構造図
【符号の説明】
5〜8,21〜26,61〜66 接続導体 9,15,20,60 並列接続用導体 10 出力用導体 16,27,67 スリット 28,36,68 短絡導体取り付け
孔 29,37,69 出力用導体取り付
け孔 34,35,70,71 短絡導体

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の半導体素子を左右方向に一列に配置
    し、長方形板状導体の第1の辺に沿って前記各半導体素
    子に対応する位置に別個の半導体素子接続部を設け、前
    記長方形板状導体の前記第1辺と向かい合う対向辺に出
    力用導体を備えた構造の半導体素子の並列接続用導体に
    おいて、 前記長方形板状導体の前記第1辺と対向辺との間に、こ
    れらの両辺に平行なスリットを、その両端が当該長方形
    板状導体の左右辺には達しないようにして開口させ、該
    長方形板状導体の前記第1辺側と対向辺側とを前記スリ
    ットを越えて短絡させる短絡導体の取り付け用に複数の
    短絡導体取り付け孔を設け、該長方形板状導体の前記対
    向辺側に前記出力用導体の取り付け用に複数の出力用導
    体取り付け孔を設けることを特徴とする半導体素子の並
    列接続用導体。
  2. 【請求項2】複数の半導体素子を左右方向に一列に配置
    し、長方形板状導体の第1の辺に沿って前記各半導体素
    子に対応する位置に別個の半導体素子接続部を設け、前
    記長方形板状導体の前記第1辺と向かい合う対向辺に出
    力用導体を備えた構造の半導体素子の並列接続用導体に
    おいて、 前記長方形板状導体の前記第1辺と対向辺との間に、こ
    れらの両辺に平行なスリットを、その一方の端が当該長
    方形板状導体の一辺に達するまで開口させ、該長方形板
    状導体の前記第1辺側と対向辺側とを前記スリットを越
    えて短絡させる短絡導体の取り付け用に複数の短絡導体
    取り付け孔を設け、該長方形板状導体の前記対対向側に
    前記出力用導体の取り付け用に複数の出力用導体取り付
    け孔を設けることを特徴とする半導体素子の並列接続用
    導体。
  3. 【請求項3】請求項2に記載の半導体素子の並列接続用
    導体において、 前記複数の出力用導体取り付け孔を、前記スリットの一
    方の端が前記長方形板状導体の一辺に達している側に偏
    って設けることを特徴とする半導体素子の並列接続用導
    体。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009284604A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Toyota Industries Corp 電力変換装置
JP2010087400A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2012095472A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
WO2014192118A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2016140008A1 (ja) * 2015-03-05 2016-09-09 富士電機株式会社 半導体装置
DE102016113152A1 (de) * 2016-07-18 2018-01-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Leistungshalbleitermodul hiermit
WO2019230292A1 (ja) * 2018-06-01 2019-12-05 富士電機株式会社 半導体装置
US11521933B2 (en) 2018-04-18 2022-12-06 Fuji Electric Co., Ltd. Current flow between a plurality of semiconductor chips

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144986A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Fuji Electric Co Ltd トランジスタモジユール
JPH05218252A (ja) * 1992-02-06 1993-08-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH08195471A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Hitachi Ltd モジュール型半導体装置
JP2001102519A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05144986A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Fuji Electric Co Ltd トランジスタモジユール
JPH05218252A (ja) * 1992-02-06 1993-08-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH08195471A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Hitachi Ltd モジュール型半導体装置
JP2001102519A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4561874B2 (ja) * 2008-05-20 2010-10-13 株式会社豊田自動織機 電力変換装置
JP2009284604A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Toyota Industries Corp 電力変換装置
JP2010087400A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2012095472A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
WO2014192118A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 三菱電機株式会社 半導体装置
US10121773B2 (en) 2015-03-05 2018-11-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor apparatus
WO2016140008A1 (ja) * 2015-03-05 2016-09-09 富士電機株式会社 半導体装置
CN106605300A (zh) * 2015-03-05 2017-04-26 富士电机株式会社 半导体装置
JPWO2016140008A1 (ja) * 2015-03-05 2017-06-08 富士電機株式会社 半導体装置
DE102016113152A1 (de) * 2016-07-18 2018-01-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Leistungshalbleitermodul hiermit
US10134608B2 (en) 2016-07-18 2018-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power electronic switching device and power semiconductor module therewith
DE102016113152B4 (de) 2016-07-18 2019-12-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Leistungshalbleitermodul hiermit
US11521933B2 (en) 2018-04-18 2022-12-06 Fuji Electric Co., Ltd. Current flow between a plurality of semiconductor chips
WO2019230292A1 (ja) * 2018-06-01 2019-12-05 富士電機株式会社 半導体装置
JPWO2019230292A1 (ja) * 2018-06-01 2020-12-17 富士電機株式会社 半導体装置
JP7060094B2 (ja) 2018-06-01 2022-04-26 富士電機株式会社 半導体装置
US11373988B2 (en) 2018-06-01 2022-06-28 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device

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