CN106605300A - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够降低电感和感应磁场的影响，能够使大电流从一个器件流向其它器件的半导体装置。所述半导体装置具备第一区域的第一器件和第二区域的第二器件以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体，对于连接导体而言，该连接导体中所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。连接导体使电流从第一器件流向第二器件，并在连接导体的至少一部分中，使电流沿从第二器件朝向第一器件的方向流动。

Description

半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
以往，对作为处理大电力的半导体装置的功率半导体模块而言，通过例如使电流向一个方向流动的配线电极与电流向与该一个方向相反方向流动的另一配线电极平行并接近，从而消除在各配线电极中产生的电感和感应磁场(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
专利文献1：日本特开平9-172139号公报
专利文献2：日本特开2002-353407号公报
发明内容
技术问题
然而，根据功率半导体模块所具有的电路结构，有时不存在能够以消除电感和感应磁场的方式配置的电流路径。例如，在仅有单纯从一个器件向其它器件供给电流的电流路径的情况下，由于没有在相反方向流通大致相同电流的电流路径，所以会对外部或内部的器件产生电感和感应磁场的影响。
技术方案
在本发明的第一形态中，提供一种半导体装置，具备：第一区域的第一器件和第二区域的第二器件；以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体，在连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。
(通常的公开)
(项目1)
半导体装置可以具备第一区域的1个以上的第一器件。
半导体装置可以具备第二区域的1个以上的第二器件。
半导体装置可以具备将第一器件和第二器件电连接的连接导体。
在连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分可以邻接。
(项目2)
连接导体可以使电流从第一器件流向第二器件。
在连接导体的至少一部分中可以使电流沿着从第二器件朝向第一器件的方向流动。
(项目3)
连接导体可以使电流从第二器件流向第一器件。
在连接导体的至少一部分中可以使电流沿着从第一器件朝向第二器件的方向流动。
(项目4)
连接导体可以具有在第一器件侧朝向远离第二器件的方向的第一电流路径。
连接导体可以具有从第一电流路径折回并朝向接近于第二器件的方向的第二电流路径。
(项目5)
连接导体可以具有在第二器件侧朝向远离第一器件的方向的第三电流路径。
连接导体可以具有从第三电流路径折回并朝向接近于第一器件的方向的第四电流路径。
(项目6)
在连接导体中，相互邻接的电流路径彼此可以形成平行平板结构。
(项目7)
半导体装置在第一区域可以具备多个第一器件。
连接导体可以分别将多个第一器件并联连接。
(项目8)
半导体装置可以在第二区域具备多个第二器件。
连接导体可以分别将多个第二器件并联连接。
(项目9)
连接导体可以具备包括第一电流路径、第二电流路径、第三电流路径和第四电流路径的主导体部。
连接导体可以具备将第一电流路径与多个第一器件中的各个第一器件之间进行连接的多个第一连接部。
连接导体可以具备将第三电流路径与多个第二器件中的各个第二器件之间进行连接的多个第二连接部。
(项目10)
半导体装置在第一区域可以具备多个第一器件。
半导体装置在第二区域可以具备多个第二器件。
多个第一器件和多个第二器件可以沿着从第一区域朝向第二区域的方向排列。
(项目11)
连接导体还可以具备端子部，该端子部与外部连接并与外部交换电流。
(项目12)
半导体装置还可以具备基板。
在半导体装置中，第一区域和第二区域可以设置在基板。
(项目13)
基板可以为绝缘基板。
(项目14)
第一器件和第二器件可以为绝缘栅双极晶体管或功率MOSFET。
应予说明，上述的发明内容未列举本发明的所有必要特征。另外，这些特征群的再组合也能够成为发明。
附图说明
图1表示本实施方式的半导体装置10的构成例。
图2表示本实施方式的半导体装置10的上表面图的一个例子。
图3表示搭载于本实施方式的半导体装置10的电路的一个例子。
图4表示本实施方式的基板100的一个例子。
图5表示本实施方式的半导体装置10的一个例子。
图6表示由本实施方式的半导体装置10构成的三级电路的第一工作例。
图7表示图6所示的三级电路的第二工作例。
图8表示图6所示的三级电路的第三工作例。
图9表示图6所示的三级电路的第四工作例。
图10表示图6所示的三级电路的第五工作例。
图11表示图6所示的三级电路的第六工作例。
符号说明
10：半导体装置
100：基板
102：第一区域
104：第二区域
110：第一器件
120：第二器件
130：连接导体
132：第一电流路径
134：第二电流路径
136：第三电流路径
138：第四电流路径
142：第一连接部
144：第二连接部
146：端子部
210：第三器件
212：第五器件
220：第四器件
222：第六器件
230：连接导体
232：第三连接部
234：第四连接部
240：连接导体
242：第五连接部
250：连接导体
252：第六连接部
具体实施方式
以下，通过发明的实施方式说明本发明，但以下的实施方式不限定涉及权利要求的发明。另外，实施方式中说明的特征的所有组合并不限定为发明的解决方案所必须的。
图1表示本实施方式的半导体装置10的构成例。对于半导体装置10而言，在搭载于该半导体装置10的多个器件间交换电流时，以降低电感和感应磁场的影响的方式流通该电流。由此，降低该电流对于外部或内部造成的影响。即，降低由器件的开关引起的该电流的变化所产生的浪涌电压。半导体装置10具备第一器件110、第二器件120和连接导体130。另外，半导体装置10还具备基板100。
基板100搭载器件和连接该器件的电路板等。基板100优选是在一个面搭载有器件等的单面安装型基板。基板100优选为DCB(Direct Copper Bonding：直接铜键合)基板和/或AMB(Active Metal Blazed：活性金属钎焊)基板等绝缘基板。在此，对本实施方式的基板100具有第一区域102和与该第一区域102邻接的第二区域104的例子进行说明。在图1中，第一区域102和第二区域104作为在基板100的一个面沿着X轴方向并排的区域示出。
1个以上的第一器件110搭载于第一区域102。在第一区域102可以搭载有多个第一器件110。另外，作为一个例子，第一器件110沿着从第一区域102朝向第二区域104的方向排列。
1个以上的第二器件120搭载于第二区域104。在第二区域104可以搭载有多个第二器件120。另外，作为一个例子，第二器件120沿着从第一区域102朝向第二区域104的方向排列。图1表示3个第一器件110和3个第二器件120沿着X轴方向排列的例子。
第一器件110和第二器件120是例如在电力设备的控制等中使用的电力用半导体元件，是二极管、晶体管、晶闸管(Thyristor)、双向可控硅(Triac)等电力控制用器件。作为一个例子，第一器件和第二器件是反向阻断绝缘栅双极晶体管(RB-IGBT)。另外，第一器件110和第二器件120也可以是将多个这些电力控制用器件连接而成的电路。
连接导体130将第一器件110和第二器件120电连接。连接导体130根据第一器件110和第二器件120之间的电压差，使电流从第一器件110流向第二器件120，或者使电流从第二器件120流向第一器件110。
连接导体130包括多个电流路径，该连接导体130所包括的相互相反方向的电流路径彼此的至少一部分邻接。优选连接导体130由铜和/或铝等电导率高的金属构成，另外，优选连接导体130一体地形成。连接导体130具有第一电流路径132、第二电流路径134、第三电流路径136、第四电流路径138、第一连接部142、第二连接部144和端子部146。
第一电流路径132在第一器件110侧朝向远离第二器件120的方向延伸。即，第一电流路径132在第一区域102侧朝向远离第二区域104的方向(例如-X轴方向)延伸。第一电流路径132与第二电流路径134连接。
第二电流路径134在第一区域102侧从第一电流路径132折回并朝向接近于第二器件120的方向延伸。即，第二电流路径134从第一电流路径132折回并与该第一电流路径132邻接，从第一区域102向第二区域104(例如+X轴方向)延伸。
第三电流路径136在第二器件120侧朝向远离第一器件110的方向延伸。即，第三电流路径136在第二区域104侧朝向远离第一区域102的方向(例如，+X轴方向)延伸。第三电流路径136与第四电流路径138连接。
第四电流路径138在第二区域104侧从第三电流路径136折回并朝向接近于第一器件110的方向延伸。即，第四电流路径138从第三电流路径136折回并与该第三电流路径136邻接，从第二区域104向第一区域102(例如，-X轴方向)延伸并与第二电流路径134连接。即，从第二电流路径134侧观察时，第四电流路径138接着第二电流路径134而朝向远离第一区域102的方向延伸。此外，第三电流路径136从第四电流路径138折回并与该第四电流路径138邻接，接近于第一区域102。
即，第一电流路径132不与第三电流路径136直接电连接，而是经由第二电流路径134和第四电流路径138连接到第三电流路径136。这样，连接导体130由多个电流路径构成主导体部，所述多个电流路径是从第一电流路径132到第二电流路径134、第四电流路径138、第三电流路径136为止的连续的电流路径。并且，在半导体装置10中，利用该主导体部，在第一器件110和第二器件120之间流通电流。主导体部与第一器件110之间通过第一连接部142连接，主导体部与第二器件120之间通过第二连接部144连接。
第一连接部142连接第一电流路径132与第一器件110之间。在基板100搭载有多个第一器件110时，在连接导体130设置有多个第一连接部142。并且，第一电流路径132与多个第一器件110之间分别通过多个第一连接部142连接。作为一个例子，第一连接部142与在基板100的一个面由铜等形成的电路板等连接，经由该电路板等与第一器件110电连接。在第一区域102设有多个第一器件110的情况下，连接导体130通过第一连接部142分别与多个第一器件110电连接，使流通的电流分流或汇合。
第二连接部144连接第三电流路径136与第二器件120之间。在基板100搭载有多个第二器件120时，在连接导体130设置有多个第二连接部144。并且，第三电流路径136与多个第二器件120之间分别通过多个第二连接部144连接。作为一个例子，第二连接部144与形成在基板100的一个面的电路板等连接，经由该电路板等与第二器件120电连接。在第二区域104设有多个第二器件120的情况下，连接导体130通过第二连接部144分别与多个第二器件120电连接，使流通的电流分流或汇合。
端子部146与外部连接，与外部交换电流。端子部146在半导体装置10的外部与第一器件110和/或第二器件120之间交换电流(电压)时，作为输入端子和/或输出端子发挥作用。
对于以上的连接导体130，电流经由电流路径的折回，从第一器件110流向第二器件120，或者从第二器件120流向第一器件110。例如，在第一器件110的电压比第二器件120的电压高时，连接导体130使电流从第一器件110流向第二器件120。此时，对于连接导体130，在该连接导体130的至少一部分中，电流沿着从第二器件120朝向第一器件110的方向流动。在本实施方式中，对于连接导体130，在第一电流路径132中，电流沿着从第二器件120朝向第一器件110的方向(-X方向)流动。
另外，在第二器件120的电压比第一器件110的电压高时，连接导体130使电流从第二器件120流向第一器件110。此时，对于连接导体130，在至少一部分中，电流沿着从第一器件110朝向第二器件120的方向流动。在本实施方式中，对于连接导体130，在第三电流路径136中，电流沿着从第一器件110朝向第二器件120的方向(+X方向)流动。连接导体130由相互邻接的电流路径彼此形成平行平板结构，使在该电流路径产生的电感和感应磁场降低。使用图2对连接导体130使电感和感应磁场降低的工作进行说明。
图2表示本实施方式的半导体装置10的上表面图的一个例子。图2示出图1中说明的半导体装置10的连接导体130使电流从第一器件110向第二器件120流通的例子。即，在图2中，对多个第一器件110的电位比多个第二器件120的电位高，向第二器件120供给电流的例子进行说明。
多个第一连接部142使分别从多个第一器件110供给的电流分别向第一电流路径132传递并汇合。第一电流路径132使分别从在X轴方向并列的多个第一器件110供给的电流向远离第二器件120的方向(-X轴方向)汇合流动。并且，第一电流路径132与第二电流路径134连接，第二电流路径134使来自第一电流路径132的电流折回并向接近于第二器件120的方向(+X轴方向)流动。
在此，第一电流路径132和第二电流路径134邻接，在至少一部分中成为平行平板结构。即，在平行平板中，由于流动有相互反向的电流，所以由第一电流路径132和第二电流路径134中流动的电流引起并分别产生的电感和感应磁场成为相互反向而抵消。因此，通过使第一电流路径132和第二电流路径134邻接，从而能够降低由该第一电流路径132和第二电流路径134中流动的电流引起并产生的电感和感应磁场。
并且，第二电流路径134与第四电流路径138连接，第四电流路径138使来自第二电流路径134的电流在第二区域104侧朝向远离第一器件110的方向(+X轴方向)流动。并且，第四电流路径138与第三电流路径136连接，第三电流路径136使来自第四电流路径138的电流折回并向接近于第一器件110的方向(-X轴方向)流动。
在此，第三电流路径136和第四电流路径138邻接，在至少一部分中成为平行平板结构。即，在平行平板中，由于流动有相互反向的电流，所以由第三电流路径136和第四电流路径138中流动的电流引起并分别产生的电感和感应磁场成为相互反向而抵消。因此，通过使第三电流路径136和第四电流路径138邻接，从而能够降低由该第三电流路径136和第四电流路径138中流动的电流引起而产生的电感和感应磁场。
并且，多个第二连接部144使在第三电流路径136中流动的电流分别分流并分别供给到第二器件120。即，第三电流路径136使分别从在X轴方向并列的多个第一器件110供给的电流在第二区域104侧向朝向第一器件110的方向(+X轴方向)流动，并且向在X轴方向并列的多个第二器件120分流。
由此，本实施方式的连接导体130能够降低电感和感应磁场的产生，并且使电流从多个第一器件110流向多个第二器件120。这样，连接导体130通过使自然流动的电流折回，使相互反向的电流路径彼此邻接，从而降低电感和感应磁场的产生。因此，连接导体130在不需要其它连接导体、电流路径等的情况下就能够降低电感和感应磁场的产生。因此，对于连接导体130而言，即使在设置使电流从一个器件供给到其它器件的电流路径的情况下，也能够降低电感和感应磁场对外部或内部的器件造成的影响。
这样，由于本实施方式的连接导体130能够降低对外部或内部的器件造成的影响，所以可以在不考虑兼顾其它电流路径的情况下进行配线。因此，通过连接导体130，能够提高大电力收发信号、控制电路等的配线设计的自由度。另外，由于连接导体130降低对内部的器件造成的影响，所以可以以与该连接导体130接近的方式配置器件(例如第一器件110、第二器件120)等。因此，能够减小半导体装置10的安装面积。
图3表示搭载于本实施方式的半导体装置10的电路的一个例子。图3表示可切换预先确定的多种电力的供给的半导体装置的一个例子。半导体装置在端子M和端子U之间将第一器件110和第二器件120反向并联连接。另外，半导体装置在端子P和端子N之间将第三器件210和第四器件220串联连接。此外，半导体装置在端子P和端子N之间将第五器件212和第六器件222串联连接。
第一器件110的集电极端子与端子M连接，发射极端子与端子U连接。即，第一器件110作为根据向基极端子供给的控制信号，切换是否从端子M向端子U流通电流的开关器件发挥作用。另外，第二器件120的集电极端子与端子U连接，发射极端子与端子M连接。即，第二器件120作为根据向基极端子供给的控制信号，切换是否从端子U向端子M流通电流的开关器件发挥作用。
第三器件210的集电极端子与端子P连接，发射极端子与端子U连接。即，第三器件210作为根据向基极端子供给的控制信号，切换是否从端子P向端子U流通电流的开关器件发挥作用。第四器件220的集电极端子与端子U连接，发射极端子与端子N连接。即，第四器件220作为根据向基极端子供给的控制信号，切换是否从端子U向端子N流通电流的开关器件发挥作用。
第五器件212是一个阳极端子与端子U连接，另一个阴极端子与端子P连接，供电流从端子U向端子P单向地流通的二极管。即，第五器件212在端子P和端子U之间与第三器件210反向并联连接。第六器件222是一个阳极端子与端子N连接，另一个阴极端子与端子U连接，供电流从端子N向端子U单向地流通的二极管。即，第六器件222在端子U和端子N之间与第四器件220反向并联连接。
使用图4和图5说明将以上的半导体装置作为由图1和图2说明的半导体装置10而构成的例子。图4表示本实施方式的基板100的一个例子。基板100将连接导体130连接而成为半导体装置10。即，图4所示的基板100表示搭载连接导体130之前的状态。另外，图4所示的基板100表示已经形成有器件和电路板等的状态。
在基板100形成有例如与端子P、端子N、端子M和端子U对应的电路板。应予说明，由相同符号表示的多个端子通过引线键合等分别电连接。
第一器件110设置于第一区域102，分别与端子M和端子U连接。第二器件120设置于第二区域104，分别与端子M和端子U连接。另外，第三器件210和第五器件212设置于第一区域102，分别与端子P和端子U连接。另外，第四器件220和第六器件222设置于第二区域104，分别与端子U和端子N连接。图4表示在基板100分别各搭载3个各器件的例子。
应予说明，端子M、端子N、端子P和端子U可以连接到设置于基板100的电路板等。同样，第一器件110、第二器件120、第三器件210和第四器件220的各电极可以连接到设置于基板100的电路板等。
图5表示本实施方式的半导体装置10的一个例子。图5表示在图4所示的基板100搭载有本实施方式的连接导体130的状态。另外，在图5中，进一步搭载连接导体230、连接导体240和连接导体250。
连接导体130的第一连接部142与第一区域102的端子U连接，第二连接部144与第二区域104的端子U连接。另外，作为半导体装置10的U端子发挥作用的端子部146，作为一个例子，与外部的负载连接。由此，第一器件110的发射极端子经由连接导体130而与第二器件120的集电极端子连接。另外，第一器件110的发射极端子和第二器件120的集电极端子经由端子部146而与外部的负载连接。
连接导体230具有第三连接部232和第四连接部234。第三连接部232与第一区域102的端子M连接，第四连接部234与第二区域104的端子M连接。另外，作为一个例子，连接导体230还具有作为半导体装置10的M端子发挥作用的端子部，该端子部与外部的电源连接。由此，第一器件110的集电极端子经由连接导体230而与第二器件120的发射极端子连接。另外，第一器件110的集电极端子和第二器件120的发射极端子与外部的电源连接。
连接导体240具有第五连接部242。第五连接部242与第一区域102的端子P连接。另外，作为一个例子，连接导体240还具有作为半导体装置10的P端子发挥作用的端子部，该端子部与外部的电源连接。由此，多个第三器件210的集电极端子和第五器件212的阴极端子经由连接导体240而与外部的电源连接。
连接导体250具有第六连接部252。第六连接部252与第二区域104的端子N连接。另外，作为一个例子，连接导体250还具有作为半导体装置10的N端子发挥作用的端子部，该端子部与外部的电源或基准电位连接。由此，多个第四器件220的发射极端子和第六器件222的阳极端子经由连接导体250而与外部的电源或基准电位连接。
如上连接的半导体装置10如图1和图2中所说明，在电流从第一器件110流向第二器件120时，利用连接导体130能够降低电感和感应磁场的产生，并且能够使电流从多个第一器件110流向多个第二器件120。
在半导体装置10中，有时经由连接导体240(即从端子P)，从外部输入电流，经由连接导体230(即从端子M)，向外部输出电流。此时，由于连接导体230在第一区域102中是与连接导体240平行的平板结构，所以在连接导体230和连接导体240中分别流动的电流成为相互反向的电流路径。因此，在半导体装置10中，能够降低电感和感应磁场的产生。
另外，在半导体装置10中，有时也经由连接导体230(即从端子M)，从外部输入电流，经由连接导体250(即从端子N)，向外部输出电流。此时，由于连接导体230在第二区域104中成为与连接导体250平行的平板结构，所以在连接导体230和连接导体250中分别流动的电流成为相互反向的电流路径。因此，在半导体装置10中，能够降低电感和感应磁场的产生。
如上所述，对于半导体装置10，在存在供电流相互反向地流动的不同的独立的2个电流路径时，该2个电流路径被设置为以成为平行平板结构的方式邻接。另外，对于半导体装置10，在不存在供电流反向地流动的对应的电流路径，而有1个独立的电流路径时，该1个电流路径被设置成具有多个连续的电流路径，相互反相的电流路径彼此的至少一部分邻接。由此，半导体装置10能够降低根据通过电力控制而流动的电流产生的整个功率半导体模块的电感和感应磁场。即，能够降低半导体模块中产生的浪涌电压。
另外，通过1个图5所示的半导体装置10或者组合了多个图5所示的半导体装置10，能够构成使电感和感应磁场降低的电力控制电路。特别是，通过组合2个以上的半导体装置10，能够构成更复杂的电力控制电路。例如，通过组合2个半导体装置10，能够构成输出多个信号电平的电力控制电路。
图6表示由本实施方式的半导体装置10构成的三级电路的第一工作例。图6表示将图5所示的半导体装置10设为2相而成的电力控制电路的一个例子。在图6中，用小写字母a表示第一相的半导体装置10所具备的部件(例如，第一器件110a、第二器件120a等)，用小写字母的b表示第二相的半导体装置10所具备的部件(例如，第一器件110b、第二器件120b等)。
端子Ma与端子Mb，端子Na与端子Nb以及端子Pa与端子Pb分别电连接。在端子Ma和端子Pa之间连接有电源E1。即，在端子Mb和端子Pb之间连接有电源E1。另外，在端子Ma和端子Na之间连接有电源E2。即，在端子Mb和端子Nb之间连接有电源E2。电源E1和E2可以是大致相同的电源。另外，在端子Ua和端子Ub之间连接有负载L。图6所示的电力控制电路向负载L输出多个信号电平。
图6表示使第一器件110a和第二器件120b导通，使除此以外的开关器件全部关断的例子。此时，由于电源E1和E2与负载L不成为闭合电路，所以电力控制电路供给到负载L的电压电平为0[V]。
图7表示图6所示的三级电路的第二工作例。图7表示使第二器件120b和第三器件210a导通，使除此以外的开关器件全部关断的例子。此时，由于电源E1与负载L成为闭合电路，所以电力控制电路能够向负载L供给预先确定的恒定的电压电平。在此，将预先确定的恒定的电压电平记为+V[V]。
图8表示图6所示的三级电路的第三工作例。图8表示使第三器件210a和第四器件220b导通，使除此以外的开关器件全部关断的例子。此时，由于电源E1和E2与负载L成为闭合电路，所以电力控制电路能够向负载L供给预先确定的恒定的电压电平。在此，作为一个例子，如果电源E1和E2供给大致相同的电压，则预先确定的恒定的电压电平为+2V[V]。如上所述，图6所示的电力控制电路能够向负载L供给0[V]、+V[V]和+2V[V]之类的3种正的信号电平。
图9表示图6所示的三级电路的第四工作例。图9表示使第一器件110b和第二器件120a导通，使除此以外的开关器件全部关断的例子。此时，由于电源E1和E2与负载L不成为闭合电路，所以电力控制电路供给到负载L的电压电平为0[V]。
图10表示图6所示的三级电路的第五工作例。图10表示使第三器件210b和第四器件220a导通，使除此以外的开关器件全部关断的例子。此时，电源E1和E2与负载L成为闭合电路，电力控制电路能够向负载L供给预先确定的恒定的电压电平。在图10中，电源E1和E2与负载L的连接与图8所示的电源E1和E2与负载L的连接为相反方向，因此预先确定的恒定的电压电平为-2V[V]。
图11表示图6所示的三级电路的第六工作例。图11表示使第一器件110b和第四器件220a导通，使除此以外的开关器件全部关断的例子。此时，由于电源E2与负载L成为闭合电路，所以电力控制电路能够向负载L供给预先确定的恒定的电压电平。在图11中，电源E2与负载L的连接与图7所示的电源E1与负载L的连接为相反方向，因此预先确定的恒定的电压电平为-V[V]。如上所述，图6所示的电力控制电路能够向负载L供给0[V]、-V[V]、和-2V[V]之类的3种负的信号电平。
如上所述，本实施方式的半导体装置10能够构成输出多个信号电平的电力控制电路。另外，在半导体装置10的端子等短路，例如在同一半导体装置10中的第一器件110和第二器件120之间流过过大的电流时，能够降低电感和感应磁场，能够防止元件的破坏等。另外，在同一半导体装置10中的端子P和端子M之间流通过大的电流时，能够降低电感和感应磁场，能够防止元件的破坏等。同样，在同一半导体装置10中的端子N和端子M之间流通过大的电流时，能够降低电感和感应磁场，能够防止元件的破坏等。
以上，使用实施方式说明了本发明，但本发明的技术的范围不限于上述实施方式中记载的范围。本领域技术人员会明白可以对上述实施方式进行各种变更或改良。根据权利要求书的记载可知，对进行了那样的变更或改良而成的方式显然也可以被包括在本发明的技术范围内。
应当注意的是，在权利要求书、说明书和附图中所示的装置、系统、程序和方法中的动作、顺序、步骤和阶段等各处理的执行顺序只要未特别明确“在……之前”、“事先”等，另外，不是后续处理中使用之前处理的结果，就可以按任意顺序实现。方便起见，对权利要求书、说明书和附图中的动作流程使用“首先”，“接下来”等进行说明，也不表示一定要按照该顺序实施。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一区域的多个第一器件；
第二区域的1个以上的第二器件；以及
将所述第一器件和所述第二器件电连接的连接导体，
在所述连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接，且所述连接导体分别将多个所述第一器件并联连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体使电流从所述第一器件流向所述第二器件，并且在所述连接导体的至少一部分中，使电流沿从所述第二器件朝向所述第一器件的方向流动。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体使电流从所述第二器件流向所述第一器件，并且在所述连接导体的至少一部分中，使电流沿从所述第一器件朝向所述第二器件的方向流动。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具有第一电流路径和第二电流路径，所述第一电流路径在所述第一器件侧朝向远离所述第二器件的方向，所述第二电流路径从所述第一电流路径折回并朝向接近于所述第二器件的方向。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具有第三电流路径和第四电流路径，所述第三电流路径在所述第二器件侧朝向远离所述第一器件的方向，所述第四电流路径从所述第三电流路径折回并朝向接近于所述第一器件的方向。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述连接导体中，相互邻接的所述电流路径彼此形成平行平板结构。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第二区域具备多个所述第二器件，
所述连接导体分别将多个所述第二器件并联连接。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具备：
主导体部，其包括所述第一电流路径、所述第二电流路径、所述第三电流路径和所述第四电流路径；
多个第一连接部，其将所述第一电流路径与多个所述第一器件中的各个第一器件之间进行连接；以及
多个第二连接部，其将所述第三电流路径与多个所述第二器件中的各个第二器件之间进行连接。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一区域具备多个所述第一器件，
在所述第二区域具备多个所述第二器件，
多个所述第一器件和多个所述第二器件沿着从所述第一区域朝向所述第二区域的方向排列。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体还具备端子部，所述端子部与外部连接并与外部交换电流。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备基板，
所述第一区域和所述第二区域设置于所述基板。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述基板为绝缘基板。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件为绝缘栅双极晶体管或功率MOSFET。

Claims (14)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一区域的1个以上的第一器件；
第二区域的1个以上的第二器件；以及
将所述第一器件和所述第二器件电连接的连接导体，
在所述连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体使电流从所述第一器件流向所述第二器件，并且在所述连接导体的至少一部分中，使电流沿从所述第二器件朝向所述第一器件的方向流动。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体使电流从所述第二器件流向所述第一器件，并且在所述连接导体的至少一部分中，使电流沿从所述第一器件朝向所述第二器件的方向流动。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具有第一电流路径和第二电流路径，所述第一电流路径在所述第一器件侧朝向远离所述第二器件的方向，所述第二电流路径从所述第一电流路径折回并朝向接近于所述第二器件的方向。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具有第三电流路径和第四电流路径，所述第三电流路径在所述第二器件侧朝向远离所述第一器件的方向，所述第四电流路径从所述第三电流路径折回并朝向接近于所述第一器件的方向。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述连接导体中，相互邻接的所述电流路径彼此形成平行平板结构。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一区域具备多个所述第一器件，
所述连接导体分别将多个所述第一器件并联连接。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第二区域具备多个所述第二器件，
所述连接导体分别将多个所述第二器件并联连接。
9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具备：
主导体部，其包括所述第一电流路径、所述第二电流路径、所述第三电流路径和所述第四电流路径；
多个第一连接部，其将所述第一电流路径与多个所述第一器件中的各个第一器件之间进行连接；以及
多个第二连接部，其将所述第三电流路径与多个所述第二器件中的各个第二器件之间进行连接。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一区域具备多个所述第一器件，
在所述第二区域具备多个所述第二器件，
多个所述第一器件和多个所述第二器件沿着从所述第一区域朝向所述第二区域的方向排列。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体还具有端子部，所述端子部与外部连接并与外部交换电流。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备基板，
所述第一区域和所述第二区域设置于所述基板。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述基板是绝缘基板。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件是绝缘栅双极晶体管或功率MOSFET。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112367760A (zh) * 2020-10-29 2021-02-12 科华恒盛股份有限公司 过流结构、电容模块和变流装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017106515B4 (de) * 2017-03-27 2024-02-22 Danfoss Silicon Power Gmbh 3-Pegel-Leistungsmodul
EP3748835A1 (en) 2019-06-06 2020-12-09 Infineon Technologies AG Power semiconductor module arrangement
US20230343755A1 (en) * 2020-07-28 2023-10-26 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2022108967A (ja) 2021-01-14 2022-07-27 富士電機株式会社 スナバ装置および電力変換装置
JPWO2022158258A1 (zh) * 2021-01-22 2022-07-28

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6353258B1 (en) * 1995-01-17 2002-03-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
JP2002353407A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Fuji Electric Co Ltd 半導体素子の並列接続用導体
US20070228413A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
CN201478300U (zh) * 2009-07-30 2010-05-19 比亚迪股份有限公司 功率模块电极结构以及功率模块

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3480771B2 (ja) 1995-12-20 2003-12-22 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4603956B2 (ja) * 2005-08-26 2010-12-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP4564937B2 (ja) * 2006-04-27 2010-10-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置
JP6076865B2 (ja) * 2013-09-02 2017-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6353258B1 (en) * 1995-01-17 2002-03-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor module
JP2002353407A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Fuji Electric Co Ltd 半導体素子の並列接続用導体
US20070228413A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
CN201478300U (zh) * 2009-07-30 2010-05-19 比亚迪股份有限公司 功率模块电极结构以及功率模块

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112367760A (zh) * 2020-10-29 2021-02-12 科华恒盛股份有限公司 过流结构、电容模块和变流装置
CN112367760B (zh) * 2020-10-29 2022-06-10 科华恒盛股份有限公司 过流结构、电容模块和变流装置

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